JPH04196105A - 厚膜抵抗組成物 - Google Patents

厚膜抵抗組成物

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JPH04196105A
JPH04196105A JP2322165A JP32216590A JPH04196105A JP H04196105 A JPH04196105 A JP H04196105A JP 2322165 A JP2322165 A JP 2322165A JP 32216590 A JP32216590 A JP 32216590A JP H04196105 A JPH04196105 A JP H04196105A
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JP
Japan
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powder
glass
glass powder
thick film
component
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Pending
Application number
JP2322165A
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English (en)
Inventor
Atsuhiko Yanagisawa
柳澤 敦彦
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Tanaka Kikinzoku International KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku International KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は耐高電圧パルス性にすぐれた印刷抵抗体を形成
する為の厚膜抵抗組成物に関するものである。
「従来の技術」 印刷抵抗体の形成に用いられる厚膜抵抗組成物は、一般
に酸化ルテニウム等の導電微粉末、ガラス粉末、有機ビ
ヒクル等を混練してえられる。この厚膜抵抗組成物をス
クリーン印刷等にてセラミック基板に塗布し、高ti1
で焼成することによりセラミック基板上に印刷抵抗体を
形成する。こうして得られた印刷抵抗体は導電微粉末と
ガラス成分の混合体であるため、静電気ぢの高電圧パル
スにより導電微粉末同士のつながり部分(導電チャンネ
ル)が破壊され抵抗値の変動を生してしまう。
そこで静電気等の高電圧による抵抗値変動を防ぐために
、導電微粉末とガラス粉末とを焼成中に反応させてパイ
ロクロア形導電性結晶が析出する厚膜抵抗組成物がすで
に実用化されている。例えば特公昭56−2236]号
には、導電微粉末として二酸化ルテニウムを用い、ガラ
スとして低軟化点をもつPbo−3i O,+ −A 
+20−+系のガラスを用い、焼成中にP b 2 R
u 20 t、の結晶が析出するタイプの厚膜抵抗組成
物が開示されている。
[発明が解決しようとする課題] しかし」1記の例では導電微粉末と反応させるためにガ
ラス中にI) b成分を多く含むために軟化点か低く熱
膨張係数が大きくなるため焼成時にガラスがながれてし
まい、基板との間で応力が生じてしまうという問題が生
じた。それ故、焼成後の抵抗体皮膜の耐環境性特に耐半
+1FI性に問題かあった。
本発明の1子1的は」1記の問題点を解決し、従来例の
有する優れたESD特性を維持しつつ、耐環境性を満足
できる抵抗体を形成する為の厚膜抵抗組成物を提供する
ことにある。
1−課題を解決するための手段」 本発明は導電性微粉末とガラス粉末とが有機ビヒクルに
分散されてなる厚膜抵抗組成物において、ガラス粉末が
2種類のガラス粉末からなり、第1のガラス粉末は導電
性微粉末と反応して新たな導電性成分を形成するもので
あり、第2のガラス粉末は、導電性微粉末と実質的に反
応せず、かつ第1のガラス粉末よりも軟化点が高く、熱
膨張係数が小さいものであることを特徴とする厚膜抵抗
組成物である。
本発明において、導電性微粉末としては、酸化ルテニウ
ムを用いることが望ましい。導電性微粉末と反応して新
たな導電成分を形成する為の第1のガラス成分としては
、I) b O及び/又はB1701を合計75重量%
以上含むP b O−B i 、。
O1高含有ガラスが望ましい。PbO,Bj。
O1以外は5in7.AI、O,、B、O,等のガラス
形成成分を用いることができる。
一方、上記反応に携わらない第2のガラス成分は、−船
釣に厚膜抵抗組成物に用いられるガラス成分の内、軟化
点が高く、熱膨張係数の小さいものが用いられる。特に
、軟化点か650〜850℃で、熱膨張係数が60×1
07/℃以下のものが好ましく用いられる。例えば、P
bO/l 0〜70重量%、5i0220〜50重量%
を主成分として含有し、残部はA I 、IO’t 、
  B、O’l 。
Cab、ZnO等からなるものがふされしい。
1) b Oが40%以下だと第1のガラス成分と導電
性微粉末との反応を阻害してしまい70%以上だとガラ
スの軟化点が低くなりすぎてしまう。またS10.が2
0%以下だと熱膨張係数が小さくならず50%以上だと
ガラスの溶融が困難になってしまう。
又、有機ビヒクルとしては、エチルセルロースを有機溶
剤に溶解したものを用いることが良好な印刷特性を得る
上から求められる。有機溶剤は、エチルセルロース等の
樹脂を溶解できるものであれば良く、カルピトールアセ
テート、パインオイル、ターピネオール等が好ましく用
いられる。溶剤の配合量は抵抗組成物の印刷適性にあわ
せて増減すればよい。
し作用」 上記の構成からなる厚膜抵抗組成物をスクリーン印刷等
を用いてセラミック基板上に印刷後、100〜150℃
で乾燥して有機溶割分を揮発させ、更に750〜950
℃に保持した電気炉を用いて焼成することにより、不揮
発の有機分をバーンアウトし、酸化ルテニウムとガラス
が一体化した抵抗体膜が形成される。
二種類のガラス成分の内、低軟化点を有する方が酸化ル
テニウムと反応して、p b 2 Ru 20 t。
、もしくはB i 2 Ru H(Or、  yノパイ
ロクロール型結晶を有する新たな導電成分を形成する。
他方、高軟化点を有するガラス成分は上記の反応には参
加することなく、焼成中ガラス形態のまま抵抗体被膜中
に分散していると考えられ、通常の厚膜抵抗体における
結合剤として機能するものと見られる。しかも焼成中の
粘度か高い為、抵抗体の膜形状を印刷時点の状態に11
−めることが可能となる。さらに、第2のガラス成分は
60×10’/’C以下の低熱膨張係数を有している為
、第1のガラス成分の高熱膨張係数と相殺しあって、抵
抗体全体としては、セラミック基板の熱膨張係数に近つ
くことが出来ると考えられる。この結果、抵抗体と基板
との間に生ずる応力が減少する所となり、抵抗体膜の耐
環境安定性を著しく向上させる事ができると考えられる
「実施例」 次に実施例によって本発明を説明する。
まず、従来例1の抵抗組成物を作成した。導電性粒子と
して二酸化ルテニウム23.3重量部、ガラス粉末とし
て第1表へのものを76.7重量部、有機ビヒクルとし
てはエチルセルロース4重量部をターピネオール20重
量部に溶解したものを調合し三本ロールミルでペースト
化した。二酸化ルテニウム粉及びガラス粉末については
ボールミルで粉砕し、粒度調整後使用した。実施例1〜
3の抵抗組成物は、従来例1の組成物95重量部に、第
1表B、  C,Dのガラス粉末をそれぞれ5重量部ず
つ添加して三本ロールでペースト化して作成した。これ
らペースト状の抵抗組成物を250メツシユ、エマルジ
ョン厚20μmのステンレススクリーンを用いてあらか
じめ電極形成した96%Al2O,基板上に印刷し、オ
ーブンで120℃IO分乾燥後、ベルト式電気炉で85
0℃焼成(ピーク時間10分入11〜出「11時間)を
行って抵抗体を形成した。
これらの抵抗体について、シート抵抗、高電圧パルス印
加後の抵抗値変化率(ESD) 、150℃100時間
放置後の抵抗値変化率(Life)及び250℃半11
.]槽10秒浸漬後の抵抗値変化率(耐半田性)を調へ
た。
尚、ESDの試験条件は、100pFのコンデンサ−−
に100OVの電圧で充電し、次にこのコンデンサーに
充電された電荷を抵抗体に放電するザイクルを10回繰
返した後の抵抗値変化率にJ二って算出した。。
これらの評価結果を第2表に示す。
第2表をみると実施例の抵抗体は従来例1の特徴である
ESD特性をそこなうことなく、L i fe特性及び
耐半田性が著1.<向上1.ていることがわかる。
[発明の効果] 以上述べたように本発明の厚膜抵抗組成物は、酸化ルテ
ニウム等の導電性微粉末とガラス粉末が反応して抵抗体
全面にわたって新たな導電性物質が形成される為に高電
圧パルス印加時の抵抗値変化が極めて小さい抵抗体の形
成に有用である。しかも、高軟化点と低熱膨張係数を有
するガラスを添加することにより基板との応力を減少さ
せ、150℃高温放置後及び半III浸漬後の抵抗値変
化の少ない耐環境安定性に優れた抵抗体の形成が可能と
なり、実用」二極めて優れた厚膜抵抗組成物である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.導電性微粉末とガラス粉末とが有機ビヒクルに分散
    されてなる厚膜抵抗組成物において、ガラス粉末が2種
    類のガラス粉末からなり、第1のガラス粉末は導電性微
    粉末と反応して新たな導電性成分を形成するものであり
    、第2のガラス粉末は、導電性微粉末と実質的に反応せ
    ず、かつ第1のガラス粉末よりも軟化点が高く、熱膨張
    係数が小さいものであることを特徴とする厚膜抵抗組成
    物。
  2. 2.上記導電性微粉末が酸化ルテニウムであり、上記第
    1のガラス成分との反応によって生じる新たな導電成分
    がパイロクロール型結晶構造をもつことを特徴とする請
    求項1に記載の厚膜抵抗組成物。
  3. 3.上記第1のガラス粉末が、PbO及び/又はBi_
    2O_3を合計75重量%以上含むことを特徴とする請
    求項1又は2に記載の厚膜抵抗組成物。
  4. 4.上記第2のガラス成分が、650〜850℃の範囲
    の軟化点と60×10^7/℃以下の熱膨張係数を有し
    、重量表示でPbO40〜70%,SiO_2 20〜
    50%残部Al_2O_3の組成を有するガラスである
    ことを特徴とする請求項1〜3に記載の厚膜抵抗組成物
JP2322165A 1990-11-26 1990-11-26 厚膜抵抗組成物 Pending JPH04196105A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0862189A1 (en) * 1997-02-10 1998-09-02 Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. Thick-film resistor paste
US7282163B2 (en) 2002-11-21 2007-10-16 Tdk Corporation Resistor paste, resistor, and electronic device

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US6123874A (en) * 1997-02-10 2000-09-26 Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. Thick-film resistor paste
US7282163B2 (en) 2002-11-21 2007-10-16 Tdk Corporation Resistor paste, resistor, and electronic device

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