JPH04196104A - 厚膜抵抗ペースト - Google Patents
厚膜抵抗ペーストInfo
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- JPH04196104A JPH04196104A JP2322162A JP32216290A JPH04196104A JP H04196104 A JPH04196104 A JP H04196104A JP 2322162 A JP2322162 A JP 2322162A JP 32216290 A JP32216290 A JP 32216290A JP H04196104 A JPH04196104 A JP H04196104A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野」
本発明は、厚膜ハイブリッドＩＣ及び、ネットワーク抵
抗器、チップ抵抗器の印刷抵抗体を形成する為に用いら
れ、特に高抵抗値を（（するのにふされしい厚膜抵抗ペ
ーストに関するものである。
抗器、チップ抵抗器の印刷抵抗体を形成する為に用いら
れ、特に高抵抗値を（（するのにふされしい厚膜抵抗ペ
ーストに関するものである。
「従来の技術」
厚膜抵抗ペーストは、酸化ルテニウムやパイ「１クロア
型ルテニウム化合物等の導電粒子とその結合剤としての
ガラスを、所望の特性が得られる様に比率を調整し、Ｃ
ＩＪ Ｏ，Ｍｎ Ｏ：＋等の添加物を加え、有機ビヒク
ル中に分散して作成される。この時使用するガラスの種
類によって抵抗体の特性は様々に変化する。
型ルテニウム化合物等の導電粒子とその結合剤としての
ガラスを、所望の特性が得られる様に比率を調整し、Ｃ
ＩＪ Ｏ，Ｍｎ Ｏ：＋等の添加物を加え、有機ビヒク
ル中に分散して作成される。この時使用するガラスの種
類によって抵抗体の特性は様々に変化する。
側部、武１１１−１らにより、（電気化学Ｖｏ１．５６
Ｎｏ、ｉ−Ｐ２２〜２７）導電粒子とガラスの比率が同
じてあれは、低粘度のガラスを使用した抵抗体はと抵抗
値は高くなる事か示されている。
Ｎｏ、ｉ−Ｐ２２〜２７）導電粒子とガラスの比率が同
じてあれは、低粘度のガラスを使用した抵抗体はと抵抗
値は高くなる事か示されている。
これより高抵抗値を得るには、低軟化点ガラスを、低抵
抗値を得るには、高軟化点ガラスを使用した方が高価な
導電粒子量が少なくてずみ、コスト面から非常に有利で
ある。しかし２、高抵抗値を得るために、低軟化点ガラ
スを使用すると、焼成時にガラスが基板及び電極」−に
広かり、スクリーン印刷にて形成した抵抗体の形状を保
てなくなってしまう。このため、通常はアルミナ等の耐
火物を添加してノコラスの広がりを防１−していた。
抗値を得るには、高軟化点ガラスを使用した方が高価な
導電粒子量が少なくてずみ、コスト面から非常に有利で
ある。しかし２、高抵抗値を得るために、低軟化点ガラ
スを使用すると、焼成時にガラスが基板及び電極」−に
広かり、スクリーン印刷にて形成した抵抗体の形状を保
てなくなってしまう。このため、通常はアルミナ等の耐
火物を添加してノコラスの広がりを防１−していた。
し発明が解決しようとする課題］
低軟化点ガラスの焼成時における基板、電極への広がり
を防止するためにアルミナ、ジルコニア、ジルコン等の
耐火性無機物を添加すると、抵抗体の形状は印刷時と同
様に保つことはできる。しかし、抵抗体としての重要な
特性である耐高電圧パルス特性（以後ＥＳＤ特性と略す
）が劣化してしまう。これはアルミナ等の耐火性無機物
を添加すると、ガラス中に形成される微細な導電経路が
アルミナ等により分断され無添加の場合より導電経路の
数が少なくなり、電圧印加による導電経路の変化の影響
が大きくなるためてはないかと考えられる。
を防止するためにアルミナ、ジルコニア、ジルコン等の
耐火性無機物を添加すると、抵抗体の形状は印刷時と同
様に保つことはできる。しかし、抵抗体としての重要な
特性である耐高電圧パルス特性（以後ＥＳＤ特性と略す
）が劣化してしまう。これはアルミナ等の耐火性無機物
を添加すると、ガラス中に形成される微細な導電経路が
アルミナ等により分断され無添加の場合より導電経路の
数が少なくなり、電圧印加による導電経路の変化の影響
が大きくなるためてはないかと考えられる。
本発明の目的は」１記の問題点を取り除き、所定の抵抗
体形状を保ちつつ、優れたＥＳＤ特性を示す抵抗体の形
成に用いられる厚膜抵抗ペーストを提供することにある
。
体形状を保ちつつ、優れたＥＳＤ特性を示す抵抗体の形
成に用いられる厚膜抵抗ペーストを提供することにある
。
１゜課題を解決する為の手段」
本発明は酸化ルテニウムと、ガラスと、無機添加物を有
機ビヒクルに分散させてなる厚膜抵抗ペーストにおいて
、 （Ａ）ガラスが２種類の異なる組成のガラス混合物であ
ることと、 （Ｂ）２種類のガラスにおいて、１種類が他のガラスよ
りも１００℃以上高い軟化点を有するガラスであること
、 とを特徴とする厚膜抵抗ペーストである。
機ビヒクルに分散させてなる厚膜抵抗ペーストにおいて
、 （Ａ）ガラスが２種類の異なる組成のガラス混合物であ
ることと、 （Ｂ）２種類のガラスにおいて、１種類が他のガラスよ
りも１００℃以上高い軟化点を有するガラスであること
、 とを特徴とする厚膜抵抗ペーストである。
本発明において第１のガラス成分は、通常厚膜抵抗ペー
ストに用いられるものの内軟化点が／１００〜６００℃
のものであればよく、例えばＩ） ｂ Ｏ−８ｉ Ｏ，
ｌ−Ｂ２０□系、Ｐ ｂ ＯＳ ｉ Ｏ２−Ｂ、Ｏ，、
−ＡＩ、Ｏ，系ガラスが挙げられる。
ストに用いられるものの内軟化点が／１００〜６００℃
のものであればよく、例えばＩ） ｂ Ｏ−８ｉ Ｏ，
ｌ−Ｂ２０□系、Ｐ ｂ ＯＳ ｉ Ｏ２−Ｂ、Ｏ，、
−ＡＩ、Ｏ，系ガラスが挙げられる。
第２のガラス成分は、軟化点が６５０〜８５０℃の範囲
に有る高軟化点タイプであることが必須条件である。例
としては、Ｓ ｉＯ，！−ＡＩ、Ｏ。
に有る高軟化点タイプであることが必須条件である。例
としては、Ｓ ｉＯ，！−ＡＩ、Ｏ。
、−Ｂ、０３−ＣａＯ系、Ｐ ｂｏ Ｓ ＋ ０７−
Ａ Ｉ、Ｏ４系ガラスが好ましく用いられる。
Ａ Ｉ、Ｏ４系ガラスが好ましく用いられる。
又、抵抗値及び抵抗温度係数調整のｌ−目的てＣｕ２Ｏ
又はＣｕＯを添加することができる。
又はＣｕＯを添加することができる。
又、４１機ビヒクルとしては、エチルセルロースを有機
溶剤に溶解したものを用いることが良好な印刷特性を得
る上から求められる。有機溶剤は、エチルセルロース等
の樹脂を溶解できるものであれば良く、カルピトールア
セテート、パインオイル、ターピネオール等が好ましく
用いられる。溶剤の配合量は抵抗ペーストの印刷適性に
あわせて増減すればよい。
溶剤に溶解したものを用いることが良好な印刷特性を得
る上から求められる。有機溶剤は、エチルセルロース等
の樹脂を溶解できるものであれば良く、カルピトールア
セテート、パインオイル、ターピネオール等が好ましく
用いられる。溶剤の配合量は抵抗ペーストの印刷適性に
あわせて増減すればよい。
「作用」
上記の構成からなる厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷
等を用いてセラミック基板上に印刷後、１００〜１５０
℃で乾燥して有機溶割分を揮発させ更に７５０〜９５０
℃に保持した電気炉を用いて焼成することにより、不揮
発の有機分をバーンアウトし、酸化ルテニウムとガラス
が一体化した抵抗体膜が形成される。
等を用いてセラミック基板上に印刷後、１００〜１５０
℃で乾燥して有機溶割分を揮発させ更に７５０〜９５０
℃に保持した電気炉を用いて焼成することにより、不揮
発の有機分をバーンアウトし、酸化ルテニウムとガラス
が一体化した抵抗体膜が形成される。
本発明の特徴は、通常抵抗ペーストに用いられる低軟化
点ガラスの他に、比較的軟化点の高いガラスを加えた所
にある。上記のペースト焼成過程の初期段階でまず第１
の低軟化点ガラスか軟化し、酸化ルテニウムによる導電
経路形成に寄Ｊ″５する。
点ガラスの他に、比較的軟化点の高いガラスを加えた所
にある。上記のペースト焼成過程の初期段階でまず第１
の低軟化点ガラスか軟化し、酸化ルテニウムによる導電
経路形成に寄Ｊ″５する。
この間第２のガラス成分である高軟化点ガラス番ｊ高粘
度を保ち、焼成中の抵抗体膜が流れ出ずのを抑制し、い
わゆるフィラーの役割をはたす。この後さらに焼成温度
か上昇するに従って高軟化点ガラスも少しずつ軟化して
いき、既に形成された導電経路をあまり破壊することな
く基板への固着剤としての機能をはだすこととなる。
度を保ち、焼成中の抵抗体膜が流れ出ずのを抑制し、い
わゆるフィラーの役割をはたす。この後さらに焼成温度
か上昇するに従って高軟化点ガラスも少しずつ軟化して
いき、既に形成された導電経路をあまり破壊することな
く基板への固着剤としての機能をはだすこととなる。
以上のようにして抵抗体形状を保ちつつ、ＥＳＤ特性に
優れた高抵抗体を形成することができる。
優れた高抵抗体を形成することができる。
「実施例」
以下実施例により本発明を説明するが、ガラスの組成及
び混合比率は、本実施例により制限される事はなく、通
常の厚膜抵抗体の焼成条件において、ガラスが基板、電
極へ著しく広がらなければ、いかなる組成、混合比率で
あっても良い。
び混合比率は、本実施例により制限される事はなく、通
常の厚膜抵抗体の焼成条件において、ガラスが基板、電
極へ著しく広がらなければ、いかなる組成、混合比率で
あっても良い。
（以下余白）
比表面積６．０ｍ′／ｇの酸化ルテニウム粉末と第１表
に示す組成のガラスＡ粉末（低軟化点）、ガラスＢ粉末
（高軟化点）、Ｃｕ２Ｏ粉末とを第２表の実施例１〜３
の組成に配合し、それら各々の混合粉末１００重量部に
対して３２重量部の有機ビヒクルを加え、三本ロールミ
ルにより充分に混練し、ペーストとした。有機ビヒクル
としては、エチルセルロースをパインオイル、テルピネ
オール、フタル酸エステルの混合溶媒に溶解したものを
使用した。
に示す組成のガラスＡ粉末（低軟化点）、ガラスＢ粉末
（高軟化点）、Ｃｕ２Ｏ粉末とを第２表の実施例１〜３
の組成に配合し、それら各々の混合粉末１００重量部に
対して３２重量部の有機ビヒクルを加え、三本ロールミ
ルにより充分に混練し、ペーストとした。有機ビヒクル
としては、エチルセルロースをパインオイル、テルピネ
オール、フタル酸エステルの混合溶媒に溶解したものを
使用した。
従来例として、実施例の組成において、ガラスＢを加え
ないかもしくはガラスＢ粉末に変えてＡｌ２Ｏ３粉末を
加え、第３表の組成で配合した他は、実施例と同様の組
成と方法により、従来例１〜４のペーストを作成した。
ないかもしくはガラスＢ粉末に変えてＡｌ２Ｏ３粉末を
加え、第３表の組成で配合した他は、実施例と同様の組
成と方法により、従来例１〜４のペーストを作成した。
上記ペーストを、あらかじめ電極を焼き付けておいた市
販の９６％アルミナ基板上に、幅１ｍｍ長さ１ｍｍのパ
ターンにスクリーン印刷を行い、１２０℃で１０分乾燥
後、ピーク温度８５０°Ｃ１１０分の条件に設定した連
続式電気炉にて焼成を行った。得られた試料について、
抵抗値測定及びＥＳＤ特性と外観の検査を行った。尚、
ＥＳＤの試験条件は、］０ＯｐＦのコンデンサーに１０
００■の電圧で充電し、次にこのコンデンサーに充電さ
れた電荷を抵抗体に放電するサイクルを１−０回繰返し
た後の抵抗値変化率によって算出した。
販の９６％アルミナ基板上に、幅１ｍｍ長さ１ｍｍのパ
ターンにスクリーン印刷を行い、１２０℃で１０分乾燥
後、ピーク温度８５０°Ｃ１１０分の条件に設定した連
続式電気炉にて焼成を行った。得られた試料について、
抵抗値測定及びＥＳＤ特性と外観の検査を行った。尚、
ＥＳＤの試験条件は、］０ＯｐＦのコンデンサーに１０
００■の電圧で充電し、次にこのコンデンサーに充電さ
れた電荷を抵抗体に放電するサイクルを１−０回繰返し
た後の抵抗値変化率によって算出した。
その結果を実施例１〜３については第２表に、従来例１
〜４については第３表にそれぞれ示す。実施例において
はＥＳＤ特性が、従来例よりも大幅に改善されている事
が認められた。又、形状も問題ないものであった。
〜４については第３表にそれぞれ示す。実施例において
はＥＳＤ特性が、従来例よりも大幅に改善されている事
が認められた。又、形状も問題ないものであった。
［発明の効果］
以上述べたように本発明の厚膜抵抗ペーストは、低軟化
点ガラスと高軟化点ガラスを併用することにより少ない
導電性粒子を配合した場合でも耐高電圧パルス性にすぐ
れ、かつガラス流れ出しによる抵抗体形状のくずれが生
じない抵抗体を形成するこＩに有用な厚膜抵抗ペースト
である。
点ガラスと高軟化点ガラスを併用することにより少ない
導電性粒子を配合した場合でも耐高電圧パルス性にすぐ
れ、かつガラス流れ出しによる抵抗体形状のくずれが生
じない抵抗体を形成するこＩに有用な厚膜抵抗ペースト
である。
特許出願人 田中マッセイ株式会社
Claims (1)
- １．酸化ルテニウムと、ガラスと、無機添加物を有機ビ
ヒクルに分散させてなる厚膜抵抗ペーストにおいて、 （Ａ）ガラスが２種類の異なる組成のガラス混合物であ
ることと、 （Ｂ）２種類のガラスにおいて、１種類が他のガラスよ
りも１００℃以上高い軟化点を有するガラスであること
、 を特徴とする厚膜抵抗ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322162A JPH04196104A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 厚膜抵抗ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322162A JPH04196104A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 厚膜抵抗ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196104A true JPH04196104A (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=18140631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2322162A Pending JPH04196104A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 厚膜抵抗ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196104A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0862189A1 (en) * | 1997-02-10 | 1998-09-02 | Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. | Thick-film resistor paste |
| US7282163B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-10-16 | Tdk Corporation | Resistor paste, resistor, and electronic device |
| CN109427427A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 住友金属矿山株式会社 | 厚膜电阻体组合物和包含其的厚膜电阻糊剂 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2322162A patent/JPH04196104A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0862189A1 (en) * | 1997-02-10 | 1998-09-02 | Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. | Thick-film resistor paste |
| US6123874A (en) * | 1997-02-10 | 2000-09-26 | Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. | Thick-film resistor paste |
| US7282163B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-10-16 | Tdk Corporation | Resistor paste, resistor, and electronic device |
| CN109427427A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 住友金属矿山株式会社 | 厚膜电阻体组合物和包含其的厚膜电阻糊剂 |
| TWI686358B (zh) * | 2017-08-25 | 2020-03-01 | 日商住友金屬礦山股份有限公司 | 厚膜電阻組成物及含有其之厚膜電阻糊 |
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