JP2001236825A - 抵抗ペースト組成物 - Google Patents
抵抗ペースト組成物Info
- Publication number
- JP2001236825A JP2001236825A JP2000047210A JP2000047210A JP2001236825A JP 2001236825 A JP2001236825 A JP 2001236825A JP 2000047210 A JP2000047210 A JP 2000047210A JP 2000047210 A JP2000047210 A JP 2000047210A JP 2001236825 A JP2001236825 A JP 2001236825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste composition
- weight
- resistance
- noise
- tcr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗温度係数（ＴＣＲ）が０ ｐｐｍ／℃に
近くかつ電流雑音（ノイズ）が小さいと共に目的とする
抵抗値に調整可能な抵抗ペースト組成物を提供するこ
と。 【解決手段】 導電性成分、ガラスフリットおよび有機
ビヒクルを主成分とする抵抗ペースト組成物であって、
上記導電性成分とガラスフリットの合計１００重量部に
対し０．１重量部以上５重量部以下のＩｎ2Ｏ3が配合さ
れていることを特徴とするものである。
近くかつ電流雑音（ノイズ）が小さいと共に目的とする
抵抗値に調整可能な抵抗ペースト組成物を提供するこ
と。 【解決手段】 導電性成分、ガラスフリットおよび有機
ビヒクルを主成分とする抵抗ペースト組成物であって、
上記導電性成分とガラスフリットの合計１００重量部に
対し０．１重量部以上５重量部以下のＩｎ2Ｏ3が配合さ
れていることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高集積回路や、チ
ップ抵抗器、ボリューム抵抗器、高圧抵抗器等電子部品
の製造に適用される抵抗ペースト組成物に係り、特に、
抵抗温度係数（ＴＣＲ）が０ ｐｐｍ／℃に近くかつ電
流雑音（ノイズ）が小さいと共に目的とする抵抗値に調
整可能な抵抗ペースト組成物に関するものである。
ップ抵抗器、ボリューム抵抗器、高圧抵抗器等電子部品
の製造に適用される抵抗ペースト組成物に係り、特に、
抵抗温度係数（ＴＣＲ）が０ ｐｐｍ／℃に近くかつ電
流雑音（ノイズ）が小さいと共に目的とする抵抗値に調
整可能な抵抗ペースト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高集積回路や電子部品等に適用される抵
抗ペースト組成物は、導電性成分とガラスフリットおよ
びこれ等成分を印刷に適したペースト状にするために加
えられる有機ビヒクルを主成分としており、絶縁基板上
に所定のパターンで印刷された後、焼成されることによ
り抵抗体被膜を形成するものである。
抗ペースト組成物は、導電性成分とガラスフリットおよ
びこれ等成分を印刷に適したペースト状にするために加
えられる有機ビヒクルを主成分としており、絶縁基板上
に所定のパターンで印刷された後、焼成されることによ
り抵抗体被膜を形成するものである。
【０００３】そして、上記抵抗ペースト組成物の重要な
特性として抵抗温度係数（ＴＣＲ：Temperature Coeffi
cient of Resistance）と電流雑音（ノイズ）がある。
特性として抵抗温度係数（ＴＣＲ：Temperature Coeffi
cient of Resistance）と電流雑音（ノイズ）がある。
【０００４】通常、上記抵抗温度係数（ＴＣＲ)は２５
℃での抵抗値を基準とし、次式で示すように低温側（−
５５℃）と高温側（＋１２５℃）における抵抗値の変化
率を１℃当たりの値(ｐｐｍ／℃)で示し、それぞれ低温
温度係数(ＣＴＣＲ)、高温温度係数(ＨＴＣＲ)と称して
いる。
℃での抵抗値を基準とし、次式で示すように低温側（−
５５℃）と高温側（＋１２５℃）における抵抗値の変化
率を１℃当たりの値(ｐｐｍ／℃)で示し、それぞれ低温
温度係数(ＣＴＣＲ)、高温温度係数(ＨＴＣＲ)と称して
いる。
【０００５】そして、ＴＣＲは、０ ｐｐｍ／℃となる
ことが望ましい。
ことが望ましい。
【０００６】
【数１】 但し、Ｒ-55：−５５℃における抵抗値(Ω／□) Ｒ25 ： ２５℃における抵抗値(Ω／□) Ｒ125：１２５℃における抵抗値(Ω／□) 一方、上記電流雑音（ノイズ）は抵抗体被膜内部に発生
する電流雑音であり、ノイズメーター(Quan Tech ノイ
ズメーター；モデル３１５Ｃ)で測定される。
する電流雑音であり、ノイズメーター(Quan Tech ノイ
ズメーター；モデル３１５Ｃ)で測定される。
【０００７】そして、上記電流雑音（ノイズ）は小さい
値、すなわち負に大きくなることが望ましい。
値、すなわち負に大きくなることが望ましい。
【０００８】ところで、抵抗ペースト組成物における上
記ＴＣＲを０ ｐｐｍ／℃に近づけるため、従来より種
々の無機化合物がＴＣＲ調整剤として使用されてきた。
例えば、特開昭４８−８２３９１号公報、特公昭５５−
３９８８３号公報、特公昭５４−１９１７号公報、特開
昭４７−８５７９号公報および特公昭５７−２６４０１
号公報では、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＭｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3等
の負のＴＣＲ調整剤や、ＣｕＯの正のＴＣＲ調整剤が添
加物として使用されている。しかし、これ等のＴＣＲ調
整剤の内、負のＴＣＲ調整剤を使用した場合、負のＴＣ
Ｒ調整剤が配合されたことに起因して抵抗ペースト組成
物の抵抗値は上昇し、かつ、電流雑音（ノイズ）のレベ
ルが低下する傾向が見られた。
記ＴＣＲを０ ｐｐｍ／℃に近づけるため、従来より種
々の無機化合物がＴＣＲ調整剤として使用されてきた。
例えば、特開昭４８−８２３９１号公報、特公昭５５−
３９８８３号公報、特公昭５４−１９１７号公報、特開
昭４７−８５７９号公報および特公昭５７−２６４０１
号公報では、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＭｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3等
の負のＴＣＲ調整剤や、ＣｕＯの正のＴＣＲ調整剤が添
加物として使用されている。しかし、これ等のＴＣＲ調
整剤の内、負のＴＣＲ調整剤を使用した場合、負のＴＣ
Ｒ調整剤が配合されたことに起因して抵抗ペースト組成
物の抵抗値は上昇し、かつ、電流雑音（ノイズ）のレベ
ルが低下する傾向が見られた。
【０００９】また、面積抵抗値(Ω／□)が高い抵抗ペー
スト組成物を得るには導電性成分の配合割合を低くする
必要があるが、導電性成分の割合が少なくなるに伴い電
流雑音（ノイズ）レベルが著しく低下する弊害があっ
た。そこで、特開昭４８−８２３９１号公報、特開昭４
７−８５７９号公報では、Ｎｂ2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3等を添加
して導電性成分の配合割合を高く維持したまま面積抵抗
値を上昇させる方法が採られていたが、負のＴＣＲ調整
剤であるＮｂ2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3等の添加に起因してＴＣＲ
を負にさせる作用が大きいといった問題を有していた。
スト組成物を得るには導電性成分の配合割合を低くする
必要があるが、導電性成分の割合が少なくなるに伴い電
流雑音（ノイズ）レベルが著しく低下する弊害があっ
た。そこで、特開昭４８−８２３９１号公報、特開昭４
７−８５７９号公報では、Ｎｂ2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3等を添加
して導電性成分の配合割合を高く維持したまま面積抵抗
値を上昇させる方法が採られていたが、負のＴＣＲ調整
剤であるＮｂ2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3等の添加に起因してＴＣＲ
を負にさせる作用が大きいといった問題を有していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の抵抗
ペースト組成物においては、目的とする抵抗値に調整し
かつ抵抗温度係数（ＴＣＲ）が０ ｐｐｍ／℃に近く電
流雑音（ノイズ）を小さくすることが困難な問題点を有
していた。
ペースト組成物においては、目的とする抵抗値に調整し
かつ抵抗温度係数（ＴＣＲ）が０ ｐｐｍ／℃に近く電
流雑音（ノイズ）を小さくすることが困難な問題点を有
していた。
【００１１】そこで、本発明の課題とするところは、抵
抗温度係数（ＴＣＲ）が０ ｐｐｍ／℃に近くかつ電流
雑音（ノイズ）が小さいと共に目的とする抵抗値に調整
された抵抗ペースト組成物を提供することにある。
抗温度係数（ＴＣＲ）が０ ｐｐｍ／℃に近くかつ電流
雑音（ノイズ）が小さいと共に目的とする抵抗値に調整
された抵抗ペースト組成物を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る発明は、導電性成分、ガラスフリットおよび有機ビヒ
クルを主成分とする抵抗ペースト組成物を前提とし、上
記導電性成分とガラスフリットの合計１００重量部に対
し、０．１重量部以上５重量部以下のＩｎ2Ｏ3が配合さ
れていることを特徴とするものである。
る発明は、導電性成分、ガラスフリットおよび有機ビヒ
クルを主成分とする抵抗ペースト組成物を前提とし、上
記導電性成分とガラスフリットの合計１００重量部に対
し、０．１重量部以上５重量部以下のＩｎ2Ｏ3が配合さ
れていることを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１４】まず、本発明に係る抵抗ペースト組成物
は、導電性成分、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを
主成分とし、かつ、導電性成分とガラスフリットの合計
１００重量部に対し、０．１重量部以上５重量部以下の
Ｉｎ2Ｏ3が配合されていることを特徴とする。
は、導電性成分、ガラスフリットおよび有機ビヒクルを
主成分とし、かつ、導電性成分とガラスフリットの合計
１００重量部に対し、０．１重量部以上５重量部以下の
Ｉｎ2Ｏ3が配合されていることを特徴とする。
【００１５】ここで、導電性成分とガラスフリットの合
計１００重量部に対するＩｎ2Ｏ3の配合割合を０．１重
量部以上５重量部以下としている理由は、Ｉｎ2Ｏ3の配
合割合が５重量部を超えるとＴＣＲが負に大きくなり過
ぎると共に電流雑音（ノイズ）レベルを低下させること
があるからである。また、Ｉｎ2Ｏ3の配合割合が０．１
重量部未満であるとＩｎ2Ｏ3配合の効果が小さ過ぎるた
めである。
計１００重量部に対するＩｎ2Ｏ3の配合割合を０．１重
量部以上５重量部以下としている理由は、Ｉｎ2Ｏ3の配
合割合が５重量部を超えるとＴＣＲが負に大きくなり過
ぎると共に電流雑音（ノイズ）レベルを低下させること
があるからである。また、Ｉｎ2Ｏ3の配合割合が０．１
重量部未満であるとＩｎ2Ｏ3配合の効果が小さ過ぎるた
めである。
【００１６】尚、配合するＩｎ2Ｏ3の粒径については任
意であるが、好ましくは粒径１μｍ以下のＩｎ2Ｏ3が望
ましい。
意であるが、好ましくは粒径１μｍ以下のＩｎ2Ｏ3が望
ましい。
【００１７】次に、本発明に係る抵抗ペースト組成物の
導電性成分としては従来使用されているものが適用で
き、例えば、酸化ルテニウム、ルテニウム酸鉛、ルテニ
ウム酸ビスマス等が挙げられ、粒径については０．２μ
ｍ以下のものが好ましい。
導電性成分としては従来使用されているものが適用で
き、例えば、酸化ルテニウム、ルテニウム酸鉛、ルテニ
ウム酸ビスマス等が挙げられ、粒径については０．２μ
ｍ以下のものが好ましい。
【００１８】また、ガラスフリットについても従来使用
されているものが適用でき、例えば、ＰｂＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系等が挙げられ、その粒径について
は５μｍ以下、望ましくは１μｍ以下がよい。
されているものが適用でき、例えば、ＰｂＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系等が挙げられ、その粒径について
は５μｍ以下、望ましくは１μｍ以下がよい。
【００１９】また、従来の抵抗ペースト組成物に添加さ
れているＴＣＲ調整剤等の添加剤、例えば、Ｎｂ2Ｏ5、
ＭｎＯ2、ＴｉＯ2、ＣｕＯ等を上記Ｉｎ2Ｏ3と併用して
もよい。また、上記有機ビヒクルについても従来公知の
ものが適用でき、セルロース系若しくはアクリル系の樹
脂をターピネオール等の溶剤に溶解したものを例示する
ことができる。尚、本発明に係る抵抗ペースト組成物を
得るには、従来の抵抗ペースト組成物を製造する方法に
従って行なえばよい。
れているＴＣＲ調整剤等の添加剤、例えば、Ｎｂ2Ｏ5、
ＭｎＯ2、ＴｉＯ2、ＣｕＯ等を上記Ｉｎ2Ｏ3と併用して
もよい。また、上記有機ビヒクルについても従来公知の
ものが適用でき、セルロース系若しくはアクリル系の樹
脂をターピネオール等の溶剤に溶解したものを例示する
ことができる。尚、本発明に係る抵抗ペースト組成物を
得るには、従来の抵抗ペースト組成物を製造する方法に
従って行なえばよい。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
する。
【００２１】［実施例１〜５］粒径０．０５〜０．１μ
ｍのルテニウム酸鉛(Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ7-x)と、平均粒径２
〜３μmのＰｂＯ(５３重量％)−ＳｉＯ2(３２重量％)−
Ｂ2Ｏ3(１０重量％)−Ａｌ2Ｏ3(５重量％)の組成を有す
るガラスフリットと、粒径１μｍ以下のＩｎ2Ｏ3に、エ
チルセルロースとターピネオールを主成分とする有機ビ
ヒクルを加え、スリー・ロール・ミルで混練して抵抗ペ
ースト組成物を調製した。また、粒径１μｍ以下のＮｂ
2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3、ＭｎＯ2、ＣｕＯの内、少なくとも１
種類を添加したものも調製し、以下の表１に示す合計５
種類の実施例１〜５に係る抵抗ペースト組成物を得た。
ｍのルテニウム酸鉛(Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ7-x)と、平均粒径２
〜３μmのＰｂＯ(５３重量％)−ＳｉＯ2(３２重量％)−
Ｂ2Ｏ3(１０重量％)−Ａｌ2Ｏ3(５重量％)の組成を有す
るガラスフリットと、粒径１μｍ以下のＩｎ2Ｏ3に、エ
チルセルロースとターピネオールを主成分とする有機ビ
ヒクルを加え、スリー・ロール・ミルで混練して抵抗ペ
ースト組成物を調製した。また、粒径１μｍ以下のＮｂ
2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3、ＭｎＯ2、ＣｕＯの内、少なくとも１
種類を添加したものも調製し、以下の表１に示す合計５
種類の実施例１〜５に係る抵抗ペースト組成物を得た。
【００２２】次に、銀粉末を主成分としパラジウム粉末
が１重量％配合された導電性ペーストを用いて銀／パラ
ジウム系電極を配置した９６％アルミナ基板上に、実施
例１〜５に係る抵抗ペースト組成物を１．０ｍｍ×１．
０ｍｍの形状でかつ焼成後膜厚が７〜９μｍとなるよう
に印刷し、乾燥後、８５０℃で焼成して抵抗体被膜を形
成した。
が１重量％配合された導電性ペーストを用いて銀／パラ
ジウム系電極を配置した９６％アルミナ基板上に、実施
例１〜５に係る抵抗ペースト組成物を１．０ｍｍ×１．
０ｍｍの形状でかつ焼成後膜厚が７〜９μｍとなるよう
に印刷し、乾燥後、８５０℃で焼成して抵抗体被膜を形
成した。
【００２３】そして、実施例１〜５に係る抵抗ペースト
組成物を用いて形成した５種類の抵抗体被膜について、
その面積抵抗値(ｋΩ／□)、ＨＴＣＲ(ｐｐｍ／℃)、Ｃ
ＴＣＲ(ｐｐｍ／℃)およびノイズ(電流雑音)(ｄＢ)を測
定した。この結果も以下の表１に示す。
組成物を用いて形成した５種類の抵抗体被膜について、
その面積抵抗値(ｋΩ／□)、ＨＴＣＲ(ｐｐｍ／℃)、Ｃ
ＴＣＲ(ｐｐｍ／℃)およびノイズ(電流雑音)(ｄＢ)を測
定した。この結果も以下の表１に示す。
【００２４】尚、抵抗体被膜の面積抵抗値は、およそ１
００ｋΩ／□となるように各抵抗ペースト組成物を調製
している。
００ｋΩ／□となるように各抵抗ペースト組成物を調製
している。
【００２５】［比較例１〜５］比較のため、表１に示す
５種類の抵抗ペースト組成物(比較例１〜５)を実施例と
同様にして調製し、かつ、これ等抵抗ペースト組成物を
用いて形成した５種類の抵抗体被膜についても、その面
積抵抗値(ｋΩ／□)、ＨＴＣＲ(ｐｐｍ／℃)、ＣＴＣＲ
(ｐｐｍ／℃)およびノイズ(電流雑音)(ｄＢ)を測定し
た。この結果も以下の表１に示す。
５種類の抵抗ペースト組成物(比較例１〜５)を実施例と
同様にして調製し、かつ、これ等抵抗ペースト組成物を
用いて形成した５種類の抵抗体被膜についても、その面
積抵抗値(ｋΩ／□)、ＨＴＣＲ(ｐｐｍ／℃)、ＣＴＣＲ
(ｐｐｍ／℃)およびノイズ(電流雑音)(ｄＢ)を測定し
た。この結果も以下の表１に示す。
【００２６】尚、表１中における各抵抗ペースト組成物
の組成を示す数値は重量部である。
の組成を示す数値は重量部である。
【００２７】また、各実施例と比較例に係る抵抗ペース
ト組成物を評価する際、抵抗体被膜の面積抵抗値につい
ては１００±１０ｋΩ／□の範囲内、ＨＴＣＲとＣＴＣ
Ｒについては±１００ｐｐｍ／℃の範囲内、ノイズ(電
流雑音)については−５ｄＢ以下を合格とし、これ等条
件を具備しないものを不合格としている。
ト組成物を評価する際、抵抗体被膜の面積抵抗値につい
ては１００±１０ｋΩ／□の範囲内、ＨＴＣＲとＣＴＣ
Ｒについては±１００ｐｐｍ／℃の範囲内、ノイズ(電
流雑音)については−５ｄＢ以下を合格とし、これ等条
件を具備しないものを不合格としている。
【００２８】
【表１】 「評 価」 １．表１に示された結果から、各実施例に係る抵抗ペー
スト組成物を用いて形成された抵抗体被膜については、
その面積抵抗値が１００±１０ｋΩ／□の範囲内、ＨＴ
ＣＲとＣＴＣＲが±１００ｐｐｍ／℃の範囲内、ノイズ
(電流雑音)が−５ｄＢ以下で、全て上記条件を満たして
いることが確認できる。２．これに対し、Ｉｎ2Ｏ3とＴ
ＣＲ調製剤が配合されていない比較例１においては、面
積抵抗値の条件は具備するものの、ＴＣＲとノイズ(電
流雑音)の条件を備えていないことが確認される。
スト組成物を用いて形成された抵抗体被膜については、
その面積抵抗値が１００±１０ｋΩ／□の範囲内、ＨＴ
ＣＲとＣＴＣＲが±１００ｐｐｍ／℃の範囲内、ノイズ
(電流雑音)が−５ｄＢ以下で、全て上記条件を満たして
いることが確認できる。２．これに対し、Ｉｎ2Ｏ3とＴ
ＣＲ調製剤が配合されていない比較例１においては、面
積抵抗値の条件は具備するものの、ＴＣＲとノイズ(電
流雑音)の条件を備えていないことが確認される。
【００２９】また、負のＴＣＲ調製剤であるＮｂ2Ｏ5が
０．５重量部配合された比較例２においては、面積抵抗
値とＴＣＲの条件は具備するものの、ノイズ(電流雑音)
の条件を備えていないことが確認され、また、Ｎｂ2Ｏ5
が１．０重量部配合された比較例３においては、面積抵
抗値とノイズ(電流雑音)の条件は具備するものの、ＴＣ
Ｒの条件を備えていないことが確認される。
０．５重量部配合された比較例２においては、面積抵抗
値とＴＣＲの条件は具備するものの、ノイズ(電流雑音)
の条件を備えていないことが確認され、また、Ｎｂ2Ｏ5
が１．０重量部配合された比較例３においては、面積抵
抗値とノイズ(電流雑音)の条件は具備するものの、ＴＣ
Ｒの条件を備えていないことが確認される。
【００３０】また、負のＴＣＲ調製剤であるＳｂ2Ｏ3が
０．５重量部配合された比較例４においては、面積抵抗
値の条件は具備するものの、ＴＣＲとノイズ(電流雑音)
の条件を備えていないことが確認される。
０．５重量部配合された比較例４においては、面積抵抗
値の条件は具備するものの、ＴＣＲとノイズ(電流雑音)
の条件を備えていないことが確認される。
【００３１】次に、Ｉｎ2Ｏ3が本発明の条件外(５重量
部を超える)に配合された比較例５においては、ＴＣＲ
の条件は具備するものの、面積抵抗値とノイズ(電流雑
音)の条件を備えていないことが確認される。
部を超える)に配合された比較例５においては、ＴＣＲ
の条件は具備するものの、面積抵抗値とノイズ(電流雑
音)の条件を備えていないことが確認される。
【００３２】
【発明の効果】請求項１記載の発明に係る抵抗ペースト
組成物によれば、導電性成分とガラスフリットの合計１
００重量部に対し、０．１重量部以上５重量部以下のＩ
ｎ2Ｏ3が配合されているため、抵抗値温度依存性の指数
であるＴＣＲが０ ｐｐｍ／℃に近くかつ電流雑音も小
さいと共に目的とする抵抗値に調整された抵抗ペースト
組成物を提供できる効果を有する。
組成物によれば、導電性成分とガラスフリットの合計１
００重量部に対し、０．１重量部以上５重量部以下のＩ
ｎ2Ｏ3が配合されているため、抵抗値温度依存性の指数
であるＴＣＲが０ ｐｐｍ／℃に近くかつ電流雑音も小
さいと共に目的とする抵抗値に調整された抵抗ペースト
組成物を提供できる効果を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｚ
Claims (1)
- 【請求項１】導電性成分、ガラスフリットおよび有機ビ
ヒクルを主成分とする抵抗ペースト組成物において、 上記導電性成分とガラスフリットの合計１００重量部に
対し、０．１重量部以上５重量部以下のＩｎ2Ｏ3が配合
されていることを特徴とする抵抗ペースト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000047210A JP2001236825A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 抵抗ペースト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000047210A JP2001236825A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 抵抗ペースト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001236825A true JP2001236825A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18569496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000047210A Pending JP2001236825A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 抵抗ペースト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001236825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294589A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗ペースト及び抵抗体 |
| CN100403553C (zh) * | 2005-12-03 | 2008-07-16 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种厚膜力敏浆料 |
| WO2008099680A1 (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 抵抗ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
-
2000
- 2000-02-24 JP JP2000047210A patent/JP2001236825A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294589A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗ペースト及び抵抗体 |
| CN100403553C (zh) * | 2005-12-03 | 2008-07-16 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种厚膜力敏浆料 |
| WO2008099680A1 (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 抵抗ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
| US8035950B2 (en) | 2007-02-06 | 2011-10-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistive paste and monolithic ceramic capacitor |
| JP5077245B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2012-11-21 | 株式会社村田製作所 | 抵抗ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1770721B1 (en) | Resistor composition and thick film resistor | |
| KR100791877B1 (ko) | 저항 페이스트 및 저항체 | |
| JP6708093B2 (ja) | 抵抗ペースト及びその焼成により作製される抵抗体 | |
| TWI752170B (zh) | 電阻器用組成物暨含有其之電阻器用糊膏及使用其之厚膜電阻器 | |
| WO2021221173A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| KR20190022296A (ko) | 후막 저항체 조성물 및 그것을 포함하는 후막 저항 페이스트 | |
| JP2001236825A (ja) | 抵抗ペースト組成物 | |
| JP4006814B2 (ja) | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 | |
| JP2986539B2 (ja) | 厚膜抵抗組成物 | |
| JP3253121B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
| US5567358A (en) | Thick film resistor composition | |
| JP2900610B2 (ja) | 厚膜導体組成物 | |
| JP6804044B2 (ja) | 抵抗体用組成物及びこれを含んだ抵抗体ペーストさらにそれを用いた厚膜抵抗体 | |
| JP7390103B2 (ja) | 抵抗体用組成物、抵抗ペースト、厚膜抵抗体 | |
| JP7245418B2 (ja) | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体 | |
| JP3094683B2 (ja) | 厚膜抵抗体形成用組成物 | |
| WO2021221172A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JP2020019669A (ja) | 抵抗体用組成物と抵抗ペースト、及び抵抗体 | |
| TW202200514A (zh) | 厚膜電阻糊、厚膜電阻體、及電子元件 | |
| JPH0483305A (ja) | 厚膜抵抗体用ペースト組成物および厚膜抵抗体の製法 | |
| JPWO2021221174A5 (ja) | ||
| JPH0654726B2 (ja) | 厚膜抵抗体形成用組成物 | |
| JP2654824B2 (ja) | 抵抗組成物及び厚膜抵抗体の製造方法 | |
| JP2023135971A (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JP2018101531A (ja) | 抵抗組成物及びこれを主成分とする抵抗ペースト |