JPH0483305A - 厚膜抵抗体用ペースト組成物および厚膜抵抗体の製法 - Google Patents
厚膜抵抗体用ペースト組成物および厚膜抵抗体の製法Info
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- JPH0483305A JPH0483305A JP2196203A JP19620390A JPH0483305A JP H0483305 A JPH0483305 A JP H0483305A JP 2196203 A JP2196203 A JP 2196203A JP 19620390 A JP19620390 A JP 19620390A JP H0483305 A JPH0483305 A JP H0483305A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、高集積回路、チップ、ボリューム、高圧抵抗
体等の電子部品に使用する厚膜抵抗体組成物に関し、更
に詳しくは、抵抗値温度依存性や電流雑音が改善された
厚膜抵抗体組成物に関する。
体等の電子部品に使用する厚膜抵抗体組成物に関し、更
に詳しくは、抵抗値温度依存性や電流雑音が改善された
厚膜抵抗体組成物に関する。
電子部品に使用する厚膜抵抗体組成物は、ＲｕＯ２等の
導電性微粉末と非導電性ガラス粉末を有機ビヒクルと混
練したペーストであり、スクリーン印刷等でセラミック
ス基体に塗布し、所要の温度で焼成することにより、セ
ラミック基体に抵抗体被膜を形成できるものである。 このようにして製造される厚膜抵抗体組成物の重要な特
性として、抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）と電流雑音（ノ
イズ）が挙げられる。 通常、ＴＣＲは２５℃での抵抗値を基準として、次式で
示すように低温度（−５５℃）と高温（１ＣＲ） 、熱
町温度係数（ＨＴＣＲ）と呼ばれている。ＴＣＲはＯｐ
ｐｍ／’Ｃとなることが望ましい。 −５ｓＲＨ ＣＴＣＲ＝ ＨＴＣＲ＝ Ｒ２ｓ（５５２５） Ｒ１２５−Ｒ２ｓ ＸＩＯ’ × １０６ Ｒ２ｓ（１２５２５） 但し、Ｒ−ｓｓ： ５５℃における抵抗値（Ω／口）
Ｒ２ｓ：２５℃における抵抗値（Ω／口）Ｒ＋ｉｓ：１
２５℃における抵抗値（Ω／口）一方ノイズは厚膜抵抗
体内部に発生する電流雑音であり、Ｑｕａｎ Ｔｅｃ
ｈノイズメーターで測定されるが、出来るだけ小さい値
となることが望ましい。 ＴＣＲを０に近づけるなめに、従来より種々の無機化合
物を添加して厚膜抵抗体を改良する試みがなされてきた
０例えば、特開昭４８−８２３９１号公報、特公昭５５
−３９８８３号公報、特公昭５４−１９１７号公報、特
開昭４７−８５７９号公報、特公昭５７−２６４０１号
公報では、Ｎｂｔ Ｏｓ 、Ｔｉ１２．Ｍｎ０ｚ 、Ｓ
ｂｚ Ｏｓ 等（’）負のＴＣＲ調整剤やＣｕＯの正の
ＴｃＲ調整剤を添加物として用いている。 また、面積抵抗値（Ω／口）が高い厚膜抵抗体組成物を
得るには導電性微粉末の割合を低くする必要があるが、
逆にノイズを増大させることになる。このため、特開昭
４８−８２３９１号公報や特開昭４７−８５７９号公報
にあるようにＮ ｂ ２Ｏｓ 、Ｓ ｂ ２Ｏｓ等を添
加して導電性微粉末の割合を高く維持したまま面積抵抗
値を増加させる方法がとられていたが、ＴＣＲを負にさ
せる作用が大きく問題があった。
導電性微粉末と非導電性ガラス粉末を有機ビヒクルと混
練したペーストであり、スクリーン印刷等でセラミック
ス基体に塗布し、所要の温度で焼成することにより、セ
ラミック基体に抵抗体被膜を形成できるものである。 このようにして製造される厚膜抵抗体組成物の重要な特
性として、抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）と電流雑音（ノ
イズ）が挙げられる。 通常、ＴＣＲは２５℃での抵抗値を基準として、次式で
示すように低温度（−５５℃）と高温（１ＣＲ） 、熱
町温度係数（ＨＴＣＲ）と呼ばれている。ＴＣＲはＯｐ
ｐｍ／’Ｃとなることが望ましい。 −５ｓＲＨ ＣＴＣＲ＝ ＨＴＣＲ＝ Ｒ２ｓ（５５２５） Ｒ１２５−Ｒ２ｓ ＸＩＯ’ × １０６ Ｒ２ｓ（１２５２５） 但し、Ｒ−ｓｓ： ５５℃における抵抗値（Ω／口）
Ｒ２ｓ：２５℃における抵抗値（Ω／口）Ｒ＋ｉｓ：１
２５℃における抵抗値（Ω／口）一方ノイズは厚膜抵抗
体内部に発生する電流雑音であり、Ｑｕａｎ Ｔｅｃ
ｈノイズメーターで測定されるが、出来るだけ小さい値
となることが望ましい。 ＴＣＲを０に近づけるなめに、従来より種々の無機化合
物を添加して厚膜抵抗体を改良する試みがなされてきた
０例えば、特開昭４８−８２３９１号公報、特公昭５５
−３９８８３号公報、特公昭５４−１９１７号公報、特
開昭４７−８５７９号公報、特公昭５７−２６４０１号
公報では、Ｎｂｔ Ｏｓ 、Ｔｉ１２．Ｍｎ０ｚ 、Ｓ
ｂｚ Ｏｓ 等（’）負のＴＣＲ調整剤やＣｕＯの正の
ＴｃＲ調整剤を添加物として用いている。 また、面積抵抗値（Ω／口）が高い厚膜抵抗体組成物を
得るには導電性微粉末の割合を低くする必要があるが、
逆にノイズを増大させることになる。このため、特開昭
４８−８２３９１号公報や特開昭４７−８５７９号公報
にあるようにＮ ｂ ２Ｏｓ 、Ｓ ｂ ２Ｏｓ等を添
加して導電性微粉末の割合を高く維持したまま面積抵抗
値を増加させる方法がとられていたが、ＴＣＲを負にさ
せる作用が大きく問題があった。
【発明が解決しようとする課題１
上記問題点を解消するために、本発明の目的はＴＣＲが
０に近く、ノイズが小さい厚膜抵抗体組成物を提供する
ことにある。 【課題を解決するための手Ｆｉ２ 本発明は、上記目的を達成するため、本質的には、有機
ビヒクルと、導電物と、非導電性ガラスと、前記導電物
および非導電性ガラスの合計重量に対して５重蓋％以下
のＴ ａ ２Ｏ ｓとからなる厚膜抵抗体組成物を提供
する。 言い換えると、本発明は、有機ビヒクル、導電物および
非導電性ガラスを含有する厚膜抵抗ベースト中にＴ ａ
２Ｏ ｓが含有されており、その量が導電物および非
導電性ガラスの合計重量に対して５重量％以下である点
に特徴がある。 【作用】 本発明で使用するＴａ２１ｓの量は、導電物および非導
電性ガラスの会計重量に対して５重量％以下としなけれ
ばならない、Ｔａ２１ｓの量が５重量％より多い場合に
は、Ｔａ２Ｏ５の量を増加したことによる厚膜抵抗体組
成物の面積抵抗値の増加が望めないだけでなく、ノイズ
を増大させるので良くない。 本発明におけるＴａ２Ｏ５は、粒径１μｍ以下のものが
好適である。 導電物としては、Ｐｂｚ Ｒｕ２Ｏｓ−ｔ 、Ｂｉ２Ｒ
ｕ、０６〜フ、’Ｒｕ０ｉ等を挙げることができ、粒径
０．２μｍ以下のものが望ましい。 非導電性ガラスとしては、Ｐ ｂ ＯＳ ｉ ０２８２
Ｏ３ Ａ１２ｏｓ系が好適で、粒径が１０ｔｔｍ以下
、望ましくは５μｍ以下のものが良い、又、通常の添加
剤（ＴＣＲ調整剤）であるＭ ｎ ０２、Ｎｂｚ Ｏｓ
、５ｂ２Ｏｓ 、ＣｕＯ等を併用しても何ら差し支え
ない０本発明の厚膜抵抗体組成物を得るには、従来の厚
膜抵抗体組成物に使用される通常の方法に従って行えば
よい。
０に近く、ノイズが小さい厚膜抵抗体組成物を提供する
ことにある。 【課題を解決するための手Ｆｉ２ 本発明は、上記目的を達成するため、本質的には、有機
ビヒクルと、導電物と、非導電性ガラスと、前記導電物
および非導電性ガラスの合計重量に対して５重蓋％以下
のＴ ａ ２Ｏ ｓとからなる厚膜抵抗体組成物を提供
する。 言い換えると、本発明は、有機ビヒクル、導電物および
非導電性ガラスを含有する厚膜抵抗ベースト中にＴ ａ
２Ｏ ｓが含有されており、その量が導電物および非
導電性ガラスの合計重量に対して５重量％以下である点
に特徴がある。 【作用】 本発明で使用するＴａ２１ｓの量は、導電物および非導
電性ガラスの会計重量に対して５重量％以下としなけれ
ばならない、Ｔａ２１ｓの量が５重量％より多い場合に
は、Ｔａ２Ｏ５の量を増加したことによる厚膜抵抗体組
成物の面積抵抗値の増加が望めないだけでなく、ノイズ
を増大させるので良くない。 本発明におけるＴａ２Ｏ５は、粒径１μｍ以下のものが
好適である。 導電物としては、Ｐｂｚ Ｒｕ２Ｏｓ−ｔ 、Ｂｉ２Ｒ
ｕ、０６〜フ、’Ｒｕ０ｉ等を挙げることができ、粒径
０．２μｍ以下のものが望ましい。 非導電性ガラスとしては、Ｐ ｂ ＯＳ ｉ ０２８２
Ｏ３ Ａ１２ｏｓ系が好適で、粒径が１０ｔｔｍ以下
、望ましくは５μｍ以下のものが良い、又、通常の添加
剤（ＴＣＲ調整剤）であるＭ ｎ ０２、Ｎｂｚ Ｏｓ
、５ｂ２Ｏｓ 、ＣｕＯ等を併用しても何ら差し支え
ない０本発明の厚膜抵抗体組成物を得るには、従来の厚
膜抵抗体組成物に使用される通常の方法に従って行えば
よい。
［実施例１〜５］
エチルセルロースとターピネオールからなる有機ビヒク
ルと、粒径５００〜１０００人のパイロクロア型酸化物
であるＰｂ２Ｒｕ２Ｏｇ〜７と、平均粒径２〜３μｍの
ＰｂＯ（５３重量％）−ＳｔＯ，（３２重量％）−８２
Ｏ３（１０重量％）−Ａｌ！１０ｓ（５重量％）ガラス
と、粒径１μｍ以下のＴ ａ ２Ｏ ｓおよびＮｂｚ
Ｏｓ 、Ｓｂｚ Ｏｓ、ＭｎＯ２、ＣｕＯとを添加し、
スリーロールミルで充分混練して、第１表に示す５種類
の本発明による抵抗ペーストを製造した。 これらの抵抗ペーストを９６％アルミナ基板にスクリー
ン印刷し、１５０℃で乾燥後、ベルト炉でピーク８５０
℃×１０分、全焼成時間３０分の条件で焼成し、サイズ
ｌｍｍＸ１ｍｍ、膜厚１０〜１４μｍの厚膜抵抗体を作
成した。これら抵抗体の特性の評価結果を第１表に示し
た。なお、抵抗体の面積抵抗値は、およそ１００にΩに
なるように抵抗ペーストを調整した。 ［比較例１〜５］ 比較例のために、実施例と同様にして、第１表に示す５
種類の抵抗ペーストを製造し、厚膜抵抗体を作成した。 これら抵抗体の組成と特性の評価結果も第１表に示した
。 （この頁以下余白） 第１表から明らかなように、本発明の厚膜抵抗体組成物
はＴＣＲが高温、低温共に０に近く且つノイズが極めて
少い。
ルと、粒径５００〜１０００人のパイロクロア型酸化物
であるＰｂ２Ｒｕ２Ｏｇ〜７と、平均粒径２〜３μｍの
ＰｂＯ（５３重量％）−ＳｔＯ，（３２重量％）−８２
Ｏ３（１０重量％）−Ａｌ！１０ｓ（５重量％）ガラス
と、粒径１μｍ以下のＴ ａ ２Ｏ ｓおよびＮｂｚ
Ｏｓ 、Ｓｂｚ Ｏｓ、ＭｎＯ２、ＣｕＯとを添加し、
スリーロールミルで充分混練して、第１表に示す５種類
の本発明による抵抗ペーストを製造した。 これらの抵抗ペーストを９６％アルミナ基板にスクリー
ン印刷し、１５０℃で乾燥後、ベルト炉でピーク８５０
℃×１０分、全焼成時間３０分の条件で焼成し、サイズ
ｌｍｍＸ１ｍｍ、膜厚１０〜１４μｍの厚膜抵抗体を作
成した。これら抵抗体の特性の評価結果を第１表に示し
た。なお、抵抗体の面積抵抗値は、およそ１００にΩに
なるように抵抗ペーストを調整した。 ［比較例１〜５］ 比較例のために、実施例と同様にして、第１表に示す５
種類の抵抗ペーストを製造し、厚膜抵抗体を作成した。 これら抵抗体の組成と特性の評価結果も第１表に示した
。 （この頁以下余白） 第１表から明らかなように、本発明の厚膜抵抗体組成物
はＴＣＲが高温、低温共に０に近く且つノイズが極めて
少い。
本発明の厚膜抵抗体組成物は、抵抗値温度依存性の指数
であるＴＣＲが０に近く且つ電流雑音（ノイズ）も極め
て少いので、抵抗体としての効果は極めて大である。
であるＴＣＲが０に近く且つ電流雑音（ノイズ）も極め
て少いので、抵抗体としての効果は極めて大である。
Claims (1)
- 本質的には、有機ビヒクルと、導電物と、非導電性ガ
ラスと、前記導電物および非導電性ガラスの合計重量に
対して５重量％以下のＴａ＿２Ｏ＿５とからなる厚膜抵
抗体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2196203A JPH0834143B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 厚膜抵抗体用ペースト組成物および厚膜抵抗体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2196203A JPH0834143B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 厚膜抵抗体用ペースト組成物および厚膜抵抗体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483305A true JPH0483305A (ja) | 1992-03-17 |
| JPH0834143B2 JPH0834143B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16353913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2196203A Expired - Lifetime JPH0834143B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 厚膜抵抗体用ペースト組成物および厚膜抵抗体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834143B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112200A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-10-25 | ||
| JPS49112197A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-10-25 | ||
| JPS6281701A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | 株式会社村田製作所 | 抵抗組成物 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2196203A patent/JPH0834143B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112200A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-10-25 | ||
| JPS49112197A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-10-25 | ||
| JPS6281701A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | 株式会社村田製作所 | 抵抗組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834143B2 (ja) | 1996-03-29 |
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