JP3605148B2 - 厚膜抵抗体組成物および可変抵抗器 - Google Patents

厚膜抵抗体組成物および可変抵抗器 Download PDF

Info

Publication number
JP3605148B2
JP3605148B2 JP20638394A JP20638394A JP3605148B2 JP 3605148 B2 JP3605148 B2 JP 3605148B2 JP 20638394 A JP20638394 A JP 20638394A JP 20638394 A JP20638394 A JP 20638394A JP 3605148 B2 JP3605148 B2 JP 3605148B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
oxide
rhodium
cadmium
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP20638394A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0869714A (ja
Inventor
博司 神田
千恵 岡部
守 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Priority to JP20638394A priority Critical patent/JP3605148B2/ja
Priority to KR1019950026839A priority patent/KR0162022B1/ko
Priority to CN95117158A priority patent/CN1133476A/zh
Priority to TW084110618A priority patent/TW381353B/zh
Publication of JPH0869714A publication Critical patent/JPH0869714A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3605148B2 publication Critical patent/JP3605148B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/12Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24Electrically-conducting paints
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C10/00Adjustable resistors
    • H01C10/30Adjustable resistors the contact sliding along resistive element

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Adjustable Resistors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は可変抵抗器に使用するに適した厚膜パイロクロル抵抗体組成物およびそれから形成される可変抵抗器に関する。
【0002】
【従来の技術】
抵抗体組成物を基板上にスクリーン印刷、スプレー等で塗布し、焼成することによってオーム抵抗が形成された摺動路上を導電結合しながら摺動接触子が滑動し、摺動路上の摺動接触子の位置に相応する電圧と抵抗値の大きさに依存した大きさの電流を出力信号として取出す可変抵抗器は、制御用、センサ用、設定用として広く使用されている。この可変抵抗器は回転運動の回転角等の機械的入力値を対応する電気的な出力信号(例えば電圧)に変換するために用いられ、その電気的特性は摺動路上の滑動表面の摩耗、摺動接触子を摺動路に常時わずかな圧力で圧着する圧着力の変化、摺動接触子と摺動路との間での導電結合の状態および/または摺動抵抗の増減の影響等によって変化することが知られている。その結果、可変抵抗器の出力平滑性の変化が生じることとなる。
【0003】
可変抵抗器の直線性の安定度および摺動雑音の抑制に寄与する主要因として、温度変化および経時に対して全抵抗値が安定して接触抵抗が小さく安定していることおよび摺動子と摺動面間の導電結合の安定化が挙げられる。したがって、厚膜抵抗体組成物を使用して形成される摺動路面をなめらかにしかつ安定化した導電結合を確保できる電気伝導度が高い抵抗体組成物ペーストの開発が望まれている。
【0004】
可変抵抗器は一般に厚膜抵抗体組成物によって形成されるものであり、ほとんどの厚膜抵抗体組成物は主要成分として導電体成分、結合剤および有機ベヒクルを含有する。導電体成分はオーム抵抗が形成された摺動路となる厚膜抵抗体の電気的性質を決定すると同時に機械的性質に影響を与える。結合剤例えばガラスおよび/または結晶性酸化物は厚膜を一緒に保持しかつ基板にそれを結合させる役目をする。一方、有機ベヒクルは抵抗組成物の適用特性特にそのレオロジーに影響を与える分散媒体である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の1つの目的は、電気的特性に優れ、接触抵抗を低く維持し且つ摺動子と抵抗体摺動路間の摺動時の安定化した導電結合を与える、可変抵抗器に使用するのに適した厚膜抵抗体組成物を提供することである。また、本発明の別の目的は上記厚膜抵抗体組成物から形成された可変抵抗器を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば
(A) 一般式
(MBi2−x)(M′M″2−y)O7−z
(式中、
Mはイットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ばれ、
M′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンより成る群から選ばれ、
M″はルテニウム、イリジウムまたはその混合物であり、
xは0〜2であるがただし1価の銅に対してはx≦1であり、
yは0〜0.5であるがただしM′がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンのうちの1種より多い場合にはyは0〜1であり、そして
zは0〜1であるがただしMが2価の鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約x/2に等しい)で表されかつ7m/gまでの比表面積を有する導電性パイロクロル、10〜50重量%
(B) カドミウム酸化物を含有しないガラス結合剤、20〜70重量%
(C) 酸化アルミニウム、酸化亜鉛および酸化ガドリニウムよりなる群から選ばれた酸化物添加剤、0〜5重量%(但し、上記の重量%は(A)、(B)および(C)の合計重量基準)および
(D) 有機ベヒクル
よりなる、可変抵抗器に使用するのに適した厚膜抵抗体組成物が提供される。
【0007】
また、本発明は上記の厚膜抵抗体組成物を基板上に適用して形成された摺動路を有する可変抵抗器を提供することである。
【0008】
本発明の厚膜抵抗体組成物における無機固形分はパイロクロル、ガラス結合剤および酸化物添加剤より構成されている。各構成成分について以下に詳述する。
パイロクロルはRu+4、Ir+4またはその混合物(M″)の多成分化合物であり、そして一般式
(MBi2−x)(M′M″2−y)O7−z
(式中、
Mはイットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ばれ、
M′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンより成る群から選ばれ、
M″はルテニウム、イリジウムまたはその混合物であり、
xは0〜2であるがただし1価の銅に対してはx≦1であり、
yは0〜0.5であるがただしM′がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンのうちの1種より多い場合にはyは0〜1であり、そして
zは0〜1であるがただしMが2価の鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約x/2に等しい)
を有している。
なお、これらパイロクロル物質は米国特許第3583931号明細書に詳細に記載されている。
【0009】
パイロクロル中好ましいものは容易に純粋の形で得られ、ガラス結合剤により悪影響を受けず、比較的温度によって変化しない低い抵抗率を有しており、空気中で約1000℃まで加熱した場合でも安定であり、そして還元性雰囲気中で比較的安定であるルテン酸ビスマスBiRuおよびルテン酸鉛PbRuである。その他のパイロクロル中には、Pb1.5Bi0.5Ru6.25およびGdBiRu6.5が包含される。すべてこれらに対してはy=0である。
本発明で用いるパイロクロルは7m/gまでの比表面積を有することが必要である。実際には、0.1〜7m/gの比表面積のものが用いられるが、この範囲外のものは可変抵抗器の電気特性を悪くし、接触抵抗を増大させ、摺動子と抵抗体摺動路間の摺動時の導電結合を不安定にするので好ましくない。その上、入手の容易性等を考慮して、本発明では0.5〜5m/gの比表面積を有するパイロクロルを用いるのが有利である。
【0010】
本発明の抵抗体組成物におけるパイロクロル相は可変抵抗器の抵抗体を形成する抵抗体組成物に要求される伝導性、焼結性および安定性を与え、従来抵抗体の温度係数(TCR)の制御のためにガラス結合剤に導入されていたカドミウム酸化物を含有しないガラス結合剤の使用により悪影響を受けることなく、安定した低い接触抵抗(R)および接触抵抗変化(CRV)を呈する。
ガラス結合剤は厚膜を非伝導性基板に適正に適合させる必要性によってその組成が支配される。すなわち、ガラス結合剤は基板と同様の膨張/収縮特性を有すると同時に約540〜950℃の範囲での合着温度範囲を有する必要性がある。このように本発明におけるガラス結合剤としてはこれらの要求を満足させる広い範囲の種類のガラス結合剤を使用することができる。しかしながら、本発明のガラス結合剤はカドミウム酸化物を含有しないことが特徴である。その例として、珪酸鉛ガラス、硼珪酸鉛ガラスまたは亜鉛アルミノ硼珪酸塩ガラスを挙げることができる。ガラス結合剤の代表的な組成を以下の表1に示す。
これらのガラス結合剤の中でNo.1、2、4、5および9のものが好ましい。
【0011】
【表1】
Figure 0003605148
【0012】
ガラス結合剤は、通常のガラス製造技術により所望の比率で所望の成分(またはその前駆体例えばBに対するHBO)を混合しそしてこの混合物を加熱して溶融物を生成させることにより製造される。当該技術分野では周知のように、加熱はピーク温度までそして溶融物が完全に液体となりしかも気体発生が停止するような時間の間実施される。この研究においては、ピーク温度は1100〜1500℃、通常1200〜1400℃の範囲である。次いで溶融物を典型的には冷ベルト上かまたは冷流水中に注いで冷却させることによってこの溶融物を急冷させる。次いで所望によりミル処理によって粒子サイズの低減を実施することができる。
【0013】
更に、本発明の厚膜抵抗体組成物にはガラス結合剤の成分とは別に酸化アルミニウム、酸化亜鉛および酸化カドリニウムよりなる群から選ばれた少量の酸化物添加剤が含有されているのが有利である。この添加剤は商業上入手できる微細粒子の形態で使用される。この酸化物添加剤は抵抗体マイクロ構造の形成を有利にすることによってRおよびCRVをより改善する役目をする。
本発明の抵抗体組成物の無機固形分を有機ベヒクル中に分散させて、印刷可能な組成物ペーストを生成させる。無機物:ベヒクルの比は重量基準で1:1〜6:1の範囲にある。
【0014】
すべての不活性液体をベヒクルとして使用することができる。濃厚化剤および/または安定剤および/またはその他の一般的添加剤を加えたかまたはこれらを加えていない水または種々の有機液体のいずれか一つをベヒクルとして使用することができる。使用しうる有機液体の例は脂肪族アルコール、そのようなアルコールのエステル例えばアセテートおよびプロピオネート、テルペン例えば松根油、テルピネオールその他、溶媒例えば松根油およびエチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル中の樹脂例えば低級アルコールのポリメタクリレートの溶液またはエチルセルロースの溶液である。ベヒクルには基板への適用後の迅速な固化を促進させるための揮発性液体を含有させることができるしまたはベヒクルはこれより構成されていることもできる。
好ましいベヒクルはエチルセルロースおよびベータテルピネオールをベースとするものである。
ペーストは3本ロールミルを用いて製造するのが好都合である。
【0015】
本発明の可変抵抗器における摺動路は、本発明の抵抗体組成物を例えばセラミック、アルミナまたはその他の誘電体基板上に通常の方法で被膜として印刷することにより製造できる。有利には、アルミナ基板が使用される。
一般に、スクリーンステンシル技術を使用するのがよい。得られる印刷パターンは一般には放置して水平化され、約10分間高温例えば150℃で乾燥され、そして空気中またはベルト炉中で例えば約850℃のピーク温度で焼成される。
可変抵抗器における摺動子の材料としては摺動路表面の摩耗量を小さく、集中抵抗を小さくするため例えばPd系のPALINEY(商品名)を使用し、この摺動子に30gの圧着力を付勢し抵抗体の摺動路面上に圧着して導電的な結合を得るのが好都合である。
【0016】
〔作用〕
可変抵抗器の性能のうち接触抵抗を評価する場合集中接触抵抗(R)が用いられる。Rは図1に示すように抵抗体によって形成された摺動路両端に設けられた電極端子間(R13)および摺動子を全抵抗値のほぼ1/2になるような位置に設置して測定されるそれぞれの端子と摺動子間の抵抗値(R12、R23)を用いて下記の式によって算出される。
【0017】
【数1】
Figure 0003605148
集中接触抵抗(R)の測定は、JIS規格のC5261に準拠して実施される。図1に示す等価回路において、供試抵抗器(R)は接触部分に接触抵抗(R)を有しており、このRは上記の式(I)に基づいて求めることができる。
【0018】
更に、この可変抵抗器の静的状態での接触抵抗を評価するRとは別に、摺動子を抵抗体上で滑動させ、その抵抗体上の位置に対応して接触抵抗が変化し、その変化のうちで最小値と最大値とを比較した結果の最大変化値(図3のA)を接触抵抗変化(CRV)とし、これによって接触抵抗の安定化を評価する。
【0019】
接触抵抗変化(CRV)については、図2に示す測定回路を用いて供試抵抗器に直流電流を流し、摺動子を1サイクル2秒の速度で回転もしくは移動した場合に抵抗体である摺動路と摺動子間に発生する雑音電圧をオシロスコープで測定した結果、例えば図3に示される波形から次式(II)によって求めることができる。
【数2】
Figure 0003605148
【0020】
また、端子上の接触抵抗(≒0)からピーク(最大接触抵抗値)まで(図3のB)を動的集中接触抵抗(CR)と称し、次式(III)により求めることができる。
【数3】
Figure 0003605148
【0021】
B>Aの関係が常に成立するのでCR>CRVとなり、したがってCRを限りなく0に近づけることが理想的な可変抵抗器とされている。
【0022】
さらに、抵抗の値が温度によって変化する割合を表す抵抗の温度係数(TCR)は一般に摂氏1度当たり100万分の1(ppm/℃)で表され、TCRが高い場合、温度変化が比較的大きい抵抗変化を生ずるであろうから抵抗器の重要な性質である。TCRは一般に
1.室温(25℃)における抵抗
2.−55℃における抵抗
3.125℃における抵抗
を測ることにより計算される。各温度での熱平衡を得るのには非常に注意が払われる。抵抗の変化はその係数を与えるための温度増加で割った室温抵抗の函数として表される。−55℃における抵抗から室温における抵抗への変化率をCTCRと称し、室温における抵抗から125℃における抵抗への変化率をHTCRと称する。
【0023】
【効果】
本発明の厚膜抵抗体組成物によれば、電気特性にすぐれ、接触抵抗を低く維持しかつ摺動子と抵抗体摺動路間の摺動時の安定化した導電結合を与える可変抵抗器を得ることができる。
【0024】
【実施例】
本発明を以下の実施例および比較例によってさらに詳細に説明する。例中、無機結合剤、導電成分および酸化物添加剤の配合割合は重量%によって示す。なお、表2に表記した例のうちで、例1〜8および17〜24は本発明の実施例を示し、一方例9〜16は比較例を示す。
実施例1
約3m/gの比表面積を有するGdBiRu6.5パイロクロル25重量%と表1のNo.5ガラス結合剤(SiO 34.0重量%、Al 1.0重量%、PbO 65.0重量%)25重量%とを、エチルセルロース15部とβ−テルピネオール85部よりなる約30Pa.Sの粘度を有するベヒクル中に分散させ、これを3本ロールミルで混練してペースト組成物を調製した。組成物中の無機固形分(パイロクロル+ガラス結合剤)対ベヒクルの重量比は70/30であった。
ガラス結合剤は所定の原料を気体の発生が完全に停止するまでガラスの組成に応じて約30分間〜5時間、1000〜1700℃の範囲で加熱して溶融させ、水中で急冷しそして約2〜5m/gの比表面積までミル処理して製造した。
上述のようにして調製した抵抗体組成物をアルミナ基板上にスクリーン印刷により塗布し、得られたパターンを850℃で焼成して本発明の抵抗体を製造した。この抵抗体の電気的特性を上述した方法により評価し、その結果を表2に示す。
【0025】
実施例2〜8
表2に示した指示に従って実施例1の手順と同様にしてペースト組成物と抵抗体を製造した。抵抗体の電気特性を測定した結果を表2に示す。
比較例9〜16
比較例9〜12では実施例1で用いた比表面積約3m/gのパイロクロル成分の代わりに比表面積約8m/gのものを用い、表2に示した指示に従って実施例1の手順と同様にしてペースト組成物と抵抗体を製造した。
比較例13〜16では実施例1で用いたパイロクロル成分の代わりに酸化ルテニウム(RuO)を用い、表2に示した指示に従って実施例1の手順と同様にしてペースト組成物と抵抗体を製造した。
上述のようにして製造した抵抗体の電気的特性を測定した結果を表2に示す。
【0026】
実施例17〜24
これらの実施例は酸化物添加剤を用いた場合の例を示すものである。酸化アルミニウムは比表面積が0.2〜0.7m/g(平均値約0.5m/g)のものと7.4〜10.5m/g(平均値約9m/g)のものとを用いた。後者のものが好ましい。酸化亜鉛と酸化ガドリニウムは比表面積が1.8〜5.0m/g(平均値約3m/g)のものを用いた。
表2に示した指示に従って実施例1の手順と同様にしてペースト組成物と抵抗体を製造した。抵抗体の電気特性を測定した結果を表2に示す。
【0027】
表2の結果から、実施例1〜8にあるように3m/gのパイロクロルを用いることによりTCRを小さく保持した上で広い焼成温度にわたってCRの低い抵抗体が得られ、さらに実施例17〜24にあるように無機酸化物の添加によりTCRを大きく変動させないままより0%に近いCRを有する抵抗体が得られることが明らかである。
【0028】
【表2】
Figure 0003605148
【0029】
【表3】
Figure 0003605148
【0030】
【表4】
Figure 0003605148
【0031】
【表5】
Figure 0003605148
【0032】
【表6】
Figure 0003605148

【図面の簡単な説明】
【図1】接触抵抗の評価に用いられる等価回路を示す。
【図2】接触抵抗変化の評価に用いられる測定回路を示す。
【図3】オシロスコープの波形を示す。

Claims (13)

  1. (A) 一般式
    (MxBi2-x)(M′yM″2-y)O7-z
    (式中、
    Mはイットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ばれ、
    M′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンより成る群から選ばれ、
    M″はルテニウム、イリジウムまたはその混合物であり、
    xは0〜2であるがただし1価の銅に対してはx≦1であり、
    yは0〜0.5であるがただしM′がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンのうちの1種より多い場合にはyは0〜1であり、そして
    zは0〜1であるがただしMが2価の鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約x/2に等しい)で表され、かつ0.5〜5m2/gの比表面積を有する導電性パイロクロル、10〜50重量%
    (B) カドミウム酸化物を含有しないガラス結合剤、20〜70重量%
    (C) 酸化アルミニウム、酸化亜鉛および酸化ガドリニウムよりなる群から選ばれた酸化物添加剤、0〜5重量%(但し、上記の重量%は(A)、(B)および(C)の合計重量基準)および
    (D) 有機ベヒクル
    よりなる、可変抵抗器に使用するのに適した厚膜抵抗体組成物。
  2. 酸化物添加剤が存在しない請求項1記載の厚膜抵抗体組成物。
  3. 酸化物添加剤が存在する請求項1記載の厚膜抵抗体組成物。
  4. (A) 一般式
    (MxBi2-x)(M′yM″2-y)O7-z
    (式中、
    Mはイットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ばれ、
    M′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンより成る群から選ばれ、
    M″はルテニウム、イリジウムまたはその混合物であり、
    xは0〜2であるがただし1価の銅に対してはx≦1であり、
    yは0〜0.5であるがただしM′がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、
    ロジウムおよびアンチモンのうちの1種より多い場合にはyは0〜1であり、そして
    zは0〜1であるがただしMが2価の鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約x/2に等しい)で表され、かつ0.5〜5m2/gの比表面積を有する導電性パイロクロル、10〜50重量%
    (B) カドミウム酸化物を含有しないガラス結合剤、20〜70重量%
    (C) 酸化アルミニウム、酸化亜鉛および酸化ガドリニウムよりなる群から選ばれた酸化物添加剤、0.7〜5重量%(但し、上記の重量%は(A)、(B)および(C)の合計重量基準)および
    (D) 有機ベヒクル
    よりなる、可変抵抗器に使用するのに適した厚膜抵抗体組成物。
  5. 有機ベヒクルが(A)、(B)および(C)の合計:有機ベヒクルの比が重量基準で1:1〜6:1の範囲で含有される請求項1または4記載の厚膜抵抗体組成物。
  6. (A) 一般式
    (MxBi2-x)(M′yM″2-y)O7-z
    (式中、
    Mはイットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ばれ、
    M′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンより成る群から選ばれ、
    M″はルテニウム、イリジウムまたはその混合物であり、
    xは0〜2であるがただし1価の銅に対してはx≦1であり、
    yは0〜0.5であるがただしM′がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンのうちの1種より多い場合にはyは0〜1であり、そして
    zは0〜1であるがただしMが2価の鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約x/2に等しい)で表され、かつ0.5〜5m2/gの比表面積を有する導電性パイロクロル、10〜50重量%
    (B) カドミウム酸化物を含有しないガラス結合剤、20〜70重量%
    (C) 酸化アルミニウム、酸化亜鉛および酸化ガドリニウムよりなる群から選ばれた酸化物添加剤、0〜5重量%(但し、上記の重量%は(A)、(B)および(C)の合計重量基準)および
    (D) 有機ベヒクル
    よりなる厚膜抵抗体組成物を基板上に適用して形成された摺動路を有する可変抵抗器。
  7. 酸化物添加剤が存在しない請求項6記載の可変抵抗器。
  8. 酸化物添加剤が存在する請求項6記載の可変抵抗器。
  9. (A) 一般式
    (MxBi2-x)(M′yM″2-y)O7-z
    (式中、
    Mはイットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ばれ、
    M′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンより成る群から選ばれ、
    M″はルテニウム、イリジウムまたはその混合物であり、
    xは0〜2であるがただし1価の銅に対してはx≦1であり、
    yは0〜0.5であるがただしM′がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンのうちの1種より多い場合にはyは0〜1であり、そして
    zは0〜1であるがただしMが2価の鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約x/2に等しい)で表され、かつ0.5〜5m2/gの比表面積を有する導電性パイロクロル、10〜50重量%
    (B) カドミウム酸化物を含有しないガラス結合剤、20〜70重量%
    (C) 酸化アルミニウム、酸化亜鉛および酸化ガドリニウムよりなる群から選ばれた酸化物添加剤、0.7〜5重量%(但し、上記の重量%は(A)、(B)および(C)の合計重量基準)および
    (D) 有機ベヒクル
    よりなる厚膜抵抗体組成物を基板上に適用して形成された摺動路を有する可変抵抗器。
  10. 有機ベヒクルが(A)、(B)および(C)の合計:有機ベヒクルの比が重量基準で1:1〜6:1の範囲で含有される請求項6または9記載の可変抵抗器。
  11. (A) 一般式
    (MxBi2-x)(M′yM″2-y)O7-z
    (式中、
    Mはイットリウム、タリウム、インジウム、カドミウム、鉛、銅および希土類金属より成る群から選ばれ、
    M′は白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンより成る群から選ばれ、
    M″はルテニウム、イリジウムまたはその混合物であり、
    xは0〜2であるがただし1価の銅に対してはx≦1であり、
    yは0〜0.5であるがただしM′がロジウムであるかまたは白金、チタン、クロム、ロジウムおよびアンチモンのうちの1種より多い場合にはyは0〜1であり、そして
    zは0〜1であるがただしMが2価の鉛またはカドミウムの場合にはこれは少なくとも約x/2に等しい)で表され、かつ0.5〜5m2/gの比表面積を有する導電性パイロクロル、10〜50重量%
    (B) カドミウム酸化物を含有しないガラス結合剤、20〜70重量%
    (C) 酸化アルミニウム、酸化亜鉛および酸化ガドリニウムよりなる群から選ばれた酸化物添加剤、0〜5重量%(但し、上記の重量%は(A)、(B)および(C)の合計重量基準)および
    (D) 有機ベヒクル
    よりなる厚膜抵抗体組成物を基板上に塗布し、焼成してなる可変抵抗器用の抵抗体。
  12. 酸化物添加剤が0.7〜5重量%存在する請求項11記載の可変抵抗器用の抵抗体。
  13. 有機ベヒクルが(A)、(B)および(C)の合計:有機ベヒクルの比が重量基準で1:1〜6:1の範囲で含有される請求項11記載の可変抵抗器用の抵抗体。
JP20638394A 1994-08-31 1994-08-31 厚膜抵抗体組成物および可変抵抗器 Expired - Lifetime JP3605148B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20638394A JP3605148B2 (ja) 1994-08-31 1994-08-31 厚膜抵抗体組成物および可変抵抗器
KR1019950026839A KR0162022B1 (ko) 1994-08-31 1995-08-28 후막 저항체 조성물 및 가감 저항기
CN95117158A CN1133476A (zh) 1994-08-31 1995-08-31 原膜电阻组合物和变阻器
TW084110618A TW381353B (en) 1994-08-31 1995-10-09 Thick film resistor composition and rheostat

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20638394A JP3605148B2 (ja) 1994-08-31 1994-08-31 厚膜抵抗体組成物および可変抵抗器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0869714A JPH0869714A (ja) 1996-03-12
JP3605148B2 true JP3605148B2 (ja) 2004-12-22

Family

ID=16522440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20638394A Expired - Lifetime JP3605148B2 (ja) 1994-08-31 1994-08-31 厚膜抵抗体組成物および可変抵抗器

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3605148B2 (ja)
KR (1) KR0162022B1 (ja)
CN (1) CN1133476A (ja)
TW (1) TW381353B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020046672A (ko) * 2000-12-15 2002-06-21 전형구 카드뮴옥사이드를 전해질로 이루어진 탄탈륨 고체전해콘덴서
CN1331790C (zh) * 2004-03-08 2007-08-15 华南理工大学 一种玻璃材料及其制备方法与应用

Also Published As

Publication number Publication date
TW381353B (en) 2000-02-01
KR0162022B1 (ko) 1999-01-15
CN1133476A (zh) 1996-10-16
JPH0869714A (ja) 1996-03-12
KR960007506A (ko) 1996-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0164666B1 (ko) 카드뮴 및 납을 함유하지 않는 후막 페이스트 조성물
KR0142577B1 (ko) 질소 연소성 저항체 조성물
GB2038104A (en) Resistor material resistor made therefrom and method of making the same
KR970009996B1 (ko) 후막 저항체 조성물
TW202147354A (zh) 厚膜電阻糊、厚膜電阻體、及電子元件
JP3684430B2 (ja) 厚膜抵抗体組成物
JP3605148B2 (ja) 厚膜抵抗体組成物および可変抵抗器
US4366094A (en) Conductor compositions
JP2018067640A (ja) 正温度係数抵抗体用組成物、正温度係数抵抗体用ペースト、正温度係数抵抗体ならびに正温度係数抵抗体の製造方法
JP2986539B2 (ja) 厚膜抵抗組成物
US5643841A (en) Resistive paste
EP0722175B1 (en) Resistance paste and resistor comprising the material
JP3246245B2 (ja) 抵抗体
JP2644017B2 (ja) 抵抗ペースト
JPS6310883B2 (ja)
JP3358804B2 (ja) 導電ペースト
EP0686983B1 (en) Resistive paste
JPS637585B2 (ja)
JP2023135971A (ja) 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品
JPH0212990B2 (ja)
TW202147353A (zh) 厚膜電阻糊、厚膜電阻體、及電子元件
JPS6281701A (ja) 抵抗組成物
JPH0436561B2 (ja)
JPS62285314A (ja) 導電性ペ−スト
JPH0378205A (ja) 抵抗体製造用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040511

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040811

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040907

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041001

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008

Year of fee payment: 8