JP4006814B2 - 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部抵抗体を有するセラミック回路基板用の厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路に使用されるセラミック回路基板において、多層回路基板の層間に設けられる内蔵抵抗体の他に、セラミック基板の表面に導体パターンや外部抵抗体などからなる回路を形成し、セラミック回路基板の高機能化、低コスト化に貢献している。
【０００３】
セラミック基板表面に厚膜抵抗体を形成する場合、ガラス粉末に導電物質を加え有機ビヒクルでペースト状にしたものを基板表面に印刷し、焼結して抵抗体とする。このとき、抵抗体の保護や耐候性の向上を目的として、抵抗体をガラス系材料で覆うように印刷し、焼成することによってオーバーコートすることも行われている。
【０００４】
厚膜抵抗体の重要な特性の一つに耐高電圧パルス特性（ＥＳＤ特性）がある。通常１０ｋΩ／□以上の抵抗でＥＤＳ特性が悪くなる。その理由は以下の通りである。厚膜抵抗体の導電性はガラス中に形成される導電物質と導電物質間のガラスの薄い膜で成立しているが、厚膜抵抗体に高電圧が印加されると微細な導電経路は破壊され抵抗値が変化する。高抵抗になる程、導電物質の配合量が減少し、ガラスの薄い膜による導通が支配的になるため、上記の現象は起きやすくなる。
かかる現象の解決のために、従来は以下のような対策が講じられていた。
【０００５】
（１）抵抗率の大きいＢｉ2Ｒｕ2Ｏ7、Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6の粉末を使用し、導電物質の配合を多くする。ただし分解防止のためガラスはＰｂを含むものを使用する。
（２）Ｐｂ含有の低融点ガラスを用い、焼成中に導電粒子間に薄い膜を形成させる。
【０００６】
（３）ガラス粉末、導電粒子を非常に細かいものを使用し、導電経路を多くする。（特開平８−２５０８２９号公報参照）
しかし、（１），（２）は原材料中に有害物質であるＰｂを含むので好ましくなく、（３）は分散方法が難しかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、ＥＳＤ特性が良く、しかもＰｂ，Ｃｄ，Ｎｉなどの有害物質を含まない厚膜抵抗ペーストを提供し、優れた性能のセラミック回路基板を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ガラス粉末と導電物質の粉末からなる原料粉末を有機ビヒクルで混合してなる混合物にさらに有機ビヒクル、溶剤及び分散剤を添加させてなる厚膜抵抗ペーストにおいて、該原料粉末の短軸粒径が５μｍ以下で平均比表面積をＡｍ2／ｇ、該有機ビヒクルの該原料粉末に対する体積割合をＢ％としたとき、５．５Ａ≦Ｂ≦１０．０Ａの関係を有する混合物を用いたことを特徴とする厚膜抵抗ペーストである。
【０００９】
上記において、Ｂが５．５Ａ未満ではビヒクル量が少なすぎてローラに粉体を付着させることが困難であり、１０．０Ａを越えるとビヒクル量が多いため、ガラス粉末と導電物質の粉末の分散ができず、ＥＤＳ特性に対する効果があまり発揮されない。なお、有機ビヒクルの粘度は１０ｐａ・ｓ〜３００ｐａ・ｓが適当で１０ｐａ・ｓより小さいと粘着力がなく、ローラーに粉体を付着させることが困難となる。又、３００Ｐａ・ｓを越えると、粉体をビヒクルで一様に濡らすことができないため、揮発性の溶剤（例えばトルエン、エタノール等）で希釈する必要が生じる。
【００１０】
粉末材料のうち、ガラス粉末は、ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3、Ｎａ2Ｏ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3、さらにはこれらの混合ガラスでＰｂ，Ｃｄ，Ｎｉを含まないものを用いる。導電物質としてはＲｕＯ2を用いる。
有機ビヒクルとしては、エチルセルロースとテルピネオール、ブチラール樹脂とテルピネオールなどが用いられる。
【００１１】
本発明は又、粉末材料と有機ビヒクルからなる混合物を５μｍ以下の隙間を強制的に通過させて、原料粉末材料を有機ビヒクルに分散させる工程において、原料粉末の平均比表面積をＡｍ2／ｇ、有機ビヒクルの体積割合をＢ％としたとき、５．５Ａ≦Ｂ≦１０．０Ａの関係を有する混合物となし、さらに有機ビヒクル、溶剤及び分散剤を添加し混練する工程からなることを特徴とする厚膜抵抗ペーストの製造方法である。
まず、上記ＡとＢの関係を有する混合物を５μｍ以下の隙間を強制的に通過させることによって、ガラスと導電物質の分散を均一にすることができる。
【００１２】
５μｍ以下の隙間は例えば２本の平行ローラを５μｍ間隔で配置することによって得られる。材料をこの隙間に強制的に通過させることによって、径が５μｍを越える粉末を破砕あるいは押しつぶし、５μｍ以下の大きさとする。この場合、粉末の長軸は５μｍを越えてもさしつかえないが、短軸の２倍以下が適当である。隙間が５μｍを越えると粉末に力が加わらないため、十分に分散することができない。
隙間を通して分散した材料は、印刷可能なペーストにするため、有機ビヒクルおよび溶剤を追加して混練し、適当な粘度として厚膜抵抗ペーストとする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例並びに比較例について説明する。
ガラス粉末として下記の３種のものを用意した。
【００１４】
【表１】
【００１５】
又、ビヒクルとしては下記の２種のものを用意した。
Ｘ…エチルセルロース、テルピオネール
Ｙ…ブチラール樹脂、テルピオネール＋ブチルカルビトールアセテート
導電物質としてはＲｕＯ2を用いた。
【００１６】
これらの材料を表２に示す構成で混合物を均一に作成した後、印刷可能なペーストとするために追加の有機ビヒクル、溶剤及び分散剤（ホモゲノールＬ−９５｛商品名：花王株式会社製｝）を追加して混練し、厚膜抵抗ペーストを作成した。これを低温焼成セラミックス基板上に抵抗電極部のパターン印刷、焼成した後、セラミック基板上に厚膜抵抗体を形成した。得られた抵抗体のシート抵抗（ｋΩ）、１．５ｋＶ、５パルスにおけるＥＳＤ、並びに係数を表２に併せて示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】
上記表に示すとおり、本発明の実施例であるＮo.１〜２０はＥＤＳ特性が１．０％以下で優れたものであり、比較例２１〜２２は本発明における関係式の規定を満足しないもので、ＥＤＳが１．０％を越えており悪くなっている。又、比較例２３も本発明における関係式の規定を満足しておらず、ペースト作製が困難である。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によればＥＳＤ特性の優れた厚膜抵抗ペーストを提供することができ、優れた性能のセラミック回路基板を得ることができる。このペーストは原料粉末にＰｄ，Ｃｄ，Ｎｉ等の有害物質を含むことなく提供でき、製品の使用環境を良好に保つ上で効果がある。
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部抵抗体を有するセラミック回路基板用の厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路に使用されるセラミック回路基板において、多層回路基板の層間に設けられる内蔵抵抗体の他に、セラミック基板の表面に導体パターンや外部抵抗体などからなる回路を形成し、セラミック回路基板の高機能化、低コスト化に貢献している。
【０００３】
セラミック基板表面に厚膜抵抗体を形成する場合、ガラス粉末に導電物質を加え有機ビヒクルでペースト状にしたものを基板表面に印刷し、焼結して抵抗体とする。このとき、抵抗体の保護や耐候性の向上を目的として、抵抗体をガラス系材料で覆うように印刷し、焼成することによってオーバーコートすることも行われている。
【０００４】
厚膜抵抗体の重要な特性の一つに耐高電圧パルス特性（ＥＳＤ特性）がある。通常１０ｋΩ／□以上の抵抗でＥＤＳ特性が悪くなる。その理由は以下の通りである。厚膜抵抗体の導電性はガラス中に形成される導電物質と導電物質間のガラスの薄い膜で成立しているが、厚膜抵抗体に高電圧が印加されると微細な導電経路は破壊され抵抗値が変化する。高抵抗になる程、導電物質の配合量が減少し、ガラスの薄い膜による導通が支配的になるため、上記の現象は起きやすくなる。
かかる現象の解決のために、従来は以下のような対策が講じられていた。
【０００５】
（１）抵抗率の大きいＢｉ2Ｒｕ2Ｏ7、Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6の粉末を使用し、導電物質の配合を多くする。ただし分解防止のためガラスはＰｂを含むものを使用する。
（２）Ｐｂ含有の低融点ガラスを用い、焼成中に導電粒子間に薄い膜を形成させる。
【０００６】
（３）ガラス粉末、導電粒子を非常に細かいものを使用し、導電経路を多くする。（特開平８−２５０８２９号公報参照）
しかし、（１），（２）は原材料中に有害物質であるＰｂを含むので好ましくなく、（３）は分散方法が難しかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、ＥＳＤ特性が良く、しかもＰｂ，Ｃｄ，Ｎｉなどの有害物質を含まない厚膜抵抗ペーストを提供し、優れた性能のセラミック回路基板を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ガラス粉末と導電物質の粉末からなる原料粉末を有機ビヒクルで混合してなる混合物にさらに有機ビヒクル、溶剤及び分散剤を添加させてなる厚膜抵抗ペーストにおいて、該原料粉末の短軸粒径が５μｍ以下で平均比表面積をＡｍ2／ｇ、該有機ビヒクルの該原料粉末に対する体積割合をＢ％としたとき、５．５Ａ≦Ｂ≦１０．０Ａの関係を有する混合物を用いたことを特徴とする厚膜抵抗ペーストである。
【０００９】
上記において、Ｂが５．５Ａ未満ではビヒクル量が少なすぎてローラに粉体を付着させることが困難であり、１０．０Ａを越えるとビヒクル量が多いため、ガラス粉末と導電物質の粉末の分散ができず、ＥＤＳ特性に対する効果があまり発揮されない。なお、有機ビヒクルの粘度は１０ｐａ・ｓ〜３００ｐａ・ｓが適当で１０ｐａ・ｓより小さいと粘着力がなく、ローラーに粉体を付着させることが困難となる。又、３００Ｐａ・ｓを越えると、粉体をビヒクルで一様に濡らすことができないため、揮発性の溶剤（例えばトルエン、エタノール等）で希釈する必要が生じる。
【００１０】
粉末材料のうち、ガラス粉末は、ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3、Ｎａ2Ｏ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3、さらにはこれらの混合ガラスでＰｂ，Ｃｄ，Ｎｉを含まないものを用いる。導電物質としてはＲｕＯ2を用いる。
有機ビヒクルとしては、エチルセルロースとテルピネオール、ブチラール樹脂とテルピネオールなどが用いられる。
【００１１】
本発明は又、粉末材料と有機ビヒクルからなる混合物を５μｍ以下の隙間を強制的に通過させて、原料粉末材料を有機ビヒクルに分散させる工程において、原料粉末の平均比表面積をＡｍ2／ｇ、有機ビヒクルの体積割合をＢ％としたとき、５．５Ａ≦Ｂ≦１０．０Ａの関係を有する混合物となし、さらに有機ビヒクル、溶剤及び分散剤を添加し混練する工程からなることを特徴とする厚膜抵抗ペーストの製造方法である。
まず、上記ＡとＢの関係を有する混合物を５μｍ以下の隙間を強制的に通過させることによって、ガラスと導電物質の分散を均一にすることができる。
【００１２】
５μｍ以下の隙間は例えば２本の平行ローラを５μｍ間隔で配置することによって得られる。材料をこの隙間に強制的に通過させることによって、径が５μｍを越える粉末を破砕あるいは押しつぶし、５μｍ以下の大きさとする。この場合、粉末の長軸は５μｍを越えてもさしつかえないが、短軸の２倍以下が適当である。隙間が５μｍを越えると粉末に力が加わらないため、十分に分散することができない。
隙間を通して分散した材料は、印刷可能なペーストにするため、有機ビヒクルおよび溶剤を追加して混練し、適当な粘度として厚膜抵抗ペーストとする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例並びに比較例について説明する。
ガラス粉末として下記の３種のものを用意した。
【００１４】
【表１】
又、ビヒクルとしては下記の２種のものを用意した。
Ｘ…エチルセルロース、テルピオネール
Ｙ…ブチラール樹脂、テルピオネール＋ブチルカルビトールアセテート
導電物質としてはＲｕＯ2を用いた。
【００１６】
これらの材料を表２に示す構成で混合物を均一に作成した後、印刷可能なペーストとするために追加の有機ビヒクル、溶剤及び分散剤（ホモゲノールＬ−９５｛商品名：花王株式会社製｝）を追加して混練し、厚膜抵抗ペーストを作成した。これを低温焼成セラミックス基板上に抵抗電極部のパターン印刷、焼成した後、セラミック基板上に厚膜抵抗体を形成した。得られた抵抗体のシート抵抗（ｋΩ）、１．５ｋＶ、５パルスにおけるＥＳＤ、並びに係数を表２に併せて示す。
【００１７】
【表２】
【表３】
上記表に示すとおり、本発明の実施例であるＮo.１〜２０はＥＤＳ特性が１．０％以下で優れたものであり、比較例２１〜２２は本発明における関係式の規定を満足しないもので、ＥＤＳが１．０％を越えており悪くなっている。又、比較例２３も本発明における関係式の規定を満足しておらず、ペースト作製が困難である。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によればＥＳＤ特性の優れた厚膜抵抗ペーストを提供することができ、優れた性能のセラミック回路基板を得ることができる。このペーストは原料粉末にＰｄ，Ｃｄ，Ｎｉ等の有害物質を含むことなく提供でき、製品の使用環境を良好に保つ上で効果がある。
Claims (6)
- ガラス粉末と導電物質の粉末からなる原料粉末を有機ビヒクルで混合してなる混合物にさらに有機ビヒクル、溶剤及び分散剤を添加させてなる厚膜抵抗ペーストにおいて、該原料粉末の短軸粒径が５μｍ以下で平均比表面積をＡｍ2／ｇ、該有機ビヒクルの該原料粉末に対する体積割合をＢ％としたとき、５．５Ａ≦Ｂ≦１０．０Ａの関係を有する混合物を用いたことを特徴とする厚膜抵抗ペースト。
- 上記原料粉末材料がＰｂ，Ｃｄ，Ｎｉを含まないものである請求項１記載の厚膜抵抗ペースト。
- 上記導電物質がＲｕＯ2である請求項１記載の厚膜抵抗ペースト。
- 粉末材料と有機ビヒクルからなる混合物を５μｍ以下の隙間を強制的に通過させて、原料粉末材料を有機ビヒクルに分散させる工程において、原料粉末の平均比表面積をＡｍ2／ｇ、有機ビヒクルの体積割合をＢ％としたとき、５．５Ａ≦Ｂ≦１０．０Ａの関係を有する混合物となし、さらに有機ビヒクル、溶剤及び分散剤を添加し混練する工程からなることを特徴とする厚膜抵抗ペーストの製造方法。
- 上記原料粉末材料がＰｂ，Ｃｄ，Ｎｉを含まないものである請求項４記載の厚膜抵抗ペーストの製造方法。
- 上記導電物質がＲｕＯ2である請求項４記載の厚膜抵抗ペーストの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05215098A JP4006814B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05215098A JP4006814B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251105A JPH11251105A (ja) | 1999-09-17 |
| JP4006814B2 true JP4006814B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=12906848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05215098A Expired - Lifetime JP4006814B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4006814B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3579836B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2004-10-20 | 小島化学薬品株式会社 | 固定抵抗器 |
| JP3630144B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2005-03-16 | 小島化学薬品株式会社 | 抵抗器 |
| KR20040084940A (ko) * | 2002-02-28 | 2004-10-06 | 고지마 가가쿠 야쿠힌 가부시키가이샤 | 저항기 |
| CN100538921C (zh) | 2002-11-21 | 2009-09-09 | Tdk株式会社 | 电阻器糊料、电阻器及电子部件 |
| TW200639880A (en) | 2005-02-21 | 2006-11-16 | Tdk Corp | Thick-film resistor and its production process |
| CN109448885A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-03-08 | 浙江亮能机电科技有限公司 | 一种yh21ct不锈钢厚膜电路用电阻浆料及其制备方法 |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP05215098A patent/JP4006814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11251105A (ja) | 1999-09-17 |
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