TWI752170B - 電阻器用組成物暨含有其之電阻器用糊膏及使用其之厚膜電阻器 - Google Patents

電阻器用組成物暨含有其之電阻器用糊膏及使用其之厚膜電阻器 Download PDF

Info

Publication number
TWI752170B
TWI752170B TW107105021A TW107105021A TWI752170B TW I752170 B TWI752170 B TW I752170B TW 107105021 A TW107105021 A TW 107105021A TW 107105021 A TW107105021 A TW 107105021A TW I752170 B TWI752170 B TW I752170B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mass
glass powder
less
resistor
resistance
Prior art date
Application number
TW107105021A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201840500A (zh
Inventor
川久保勝弘
Original Assignee
日商住友金屬礦山股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商住友金屬礦山股份有限公司 filed Critical 日商住友金屬礦山股份有限公司
Publication of TW201840500A publication Critical patent/TW201840500A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI752170B publication Critical patent/TWI752170B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003—Thick film resistors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

本發明係提供：未含鉛成分、供形成具有電阻溫度係數為±100ppm/℃以內接近0之優異特性的電阻器用組成物、電阻器用糊膏，更提供使用該等的厚膜電阻器。
本發明的電阻器用組成物，係含有：未含鉛的釕系導電粒子、與至少2種未含鉛之玻璃粉末為主要構成成分的電阻器用組成物；其中，玻璃粉末中之一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末，其含有SiO2：20質量%以上且45質量%以下、B2O3：5質量%以上且12質量%以下，而玻璃粉末的另一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末，其含有SiO2：20質量%以上且38質量%以下、B2O3：14質量%以上且25質量%以下。

Description

電阻器用組成物暨含有其之電阻器用糊膏及使用其之厚膜電阻器
本發明係關於供形成例如晶片電阻器、混合IC(hybrid IC)或電阻網路等電子零件製造時所使用之電阻器用的電阻器用糊膏、構成該電阻器用糊膏的電阻器用組成物、及使用該電阻器用糊膏形成的厚膜電阻器。
一般例如晶片電阻器、混合IC或電阻網路等電子零件製造時所使用的厚膜電阻器，係藉由在陶瓷基板上施行電阻器用糊膏的印刷、煅燒而形成。該厚膜電阻器形成時所使用的組成物，廣泛使用主要成分為以氧化釕作為代表的釕系導電粒子、及玻璃粉末者作為導電粒子。另外，所謂「厚膜電阻器」係如前述般使用電阻器用糊膏施行印刷、煅燒而獲得較厚的電阻器，為能與利用濺鍍或真空蒸鍍所形成之非常薄的薄膜電阻器有所區分而使用的一般名稱。
該釕系導電粒子與玻璃粉末廣泛使用為厚膜電阻器用組成物的理由，係可例如能在空氣中進行煅燒，且電阻溫度係數(TCR)能接近0，又能形成廣區域電阻值的電阻器。
此種由釕系導電粒子與玻璃粉末構成的電阻器用組成物，可依照摻合比而改變電阻值。即，若增加釕系導電粒子的摻合比則電阻值會降低，若減少釕系導電粒子的摻合比則電阻值會上升。利用上述現象，若調整厚膜電阻器中釕系導電粒子與玻璃粉末的摻合比，便可出現所需的電阻值。
習知在厚膜電阻器中使用較多的釕系導電粒子係可例如：具金紅石型結晶構造的氧化釕(RuO2)、具燒綠石型結晶構造的釕酸鉛(Pb2Ru2O7)。該等均屬於呈金屬性導電性的氧化物。
另一方面，在厚膜電阻器所使用的玻璃粉末，一般有採用軟化點較電阻器用糊膏之煅燒溫度低的玻璃，習知大多使用含有氧化鉛(PbO)的玻璃粉末。理由係因為PbO具有降低玻璃粉末軟化點的效果，故藉由改變其含有率便可輕易變更為適用於廣範圍之厚膜電阻器的軟化點，又藉由含有PbO便可製作化學耐久性較高的玻璃粉末，且絕緣性高、耐壓性優異。
但是，由釕系導電粒子與玻璃粉末構成的電阻器用組成物，當期待低電阻值時便摻合較多釕系導電粒子、並摻合較少玻璃粉末，而當期待高電阻值時便摻合較少釕系導電粒子、並摻合較多玻璃粉末，藉此調整電阻值。此時，具有：於摻合較多釕系導電粒子的低電阻值區域，其電阻溫度係數容易變為較大之正值；於減少摻合釕系導電粒子的高電阻值區域，其電阻溫度係數容易變為負值的特徵。
另外，所謂「電阻溫度係數」係表示相對溫度變化之電阻值的變化比例，屬於電阻器的重要特性之一。
一般各種電子零件在動作中會發熱，但若因發熱而導致電阻值出現變化，便會造成電子零件的動作出現變化，因而多數情況要求電阻溫度係數接近0。
該電阻溫度係數係藉由將通稱「調整劑」主要由金屬氧化物構成的添加物，添加於電阻器用組成物中便可調整。在該調整內，將溫度係數朝負側調整較為容易，此種調整劑係可例如：錳氧化物、鈮氧化物、鈦氧化物等。
但是，幾乎沒有可將電阻溫度係數調整為正值的調整劑，實質上無法將具負值電阻溫度係數的電阻器用組成物之電阻溫度係數調整至0附近。
所以，在電阻溫度係數容易變為負的高電阻值區域，必須利用電阻溫度係數屬正值的導電粒子與玻璃粉末組合。
此種組合所利用的釕酸鉛(Pb2Ru2O7)，具有比電阻較氧化釕(RuO2)高，在形成厚膜電阻器時，電阻溫度係數會成為較高正值的特徵。所以，在高電阻值區域，導電粒子大多係使用釕酸鉛(Pb2Ru2O7)。
依此，特別係高電阻值區域的習知電阻器用組成物，使用導電粒子與玻璃粉末雙方均含有鉛成分的材料。
然而，鉛成分就從對人體的影響及公害的觀點而言較佳為不要含有，根據RoHS指令等成為管制對象物質，強烈渴求未含鉛的電 阻器用組成物之開發。
此種電阻器用組成物，專利文獻1有揭示將釕系導電粒子之釕酸鈣、釕酸鍶、釕酸鋇使用於電阻器用組成物的電阻器用糊膏，特徵在於：使用平均粒徑5μm以上且50μm以下的導電粒子。
然而，通常若使用較大粒徑的導電粒子，則所形成之電阻器會有電流雜訊(current noise)大，無法獲得良好負載特性的情況，專利文獻1所記載的粒徑會有較難抑低雜訊的課題。
專利文獻2有提案：藉由使用已溶解氧化釕的玻璃，而抑制未含鉛之釕系導電粒子分解的方法。
但是，玻璃粉末中溶解的氧化釕量，會因製造條件變動而受大幅影響導致變動大，故會有電阻值無法穩定的課題。
專利文獻3有揭示：含有釕酸鉍作為釕系導電粒子、與含鉍玻璃的電阻器用組成物，由該組合所形成之電阻器的電阻溫度係數會成為較大之負值，因而電阻溫度係數無法成為±100ppm/℃以內接近0之值。
專利文獻4有提案：藉由使玻璃粉末的鹼度接近釕複合氧化物的鹼度，並在玻璃中析出結晶相，而抑制釕複合氧化物分解為氧化釕的方法。此方法的特徵係在厚膜電阻器中存在有MSi2Al2O8結晶(M：Ba及/或Sr)，但頗難使此種結晶均勻分散，會有電阻值不穩定的情況。
再者，專利文獻5有揭示：含有氧化釕與SiO2-B2O3-K2O玻璃粉末的厚膜電阻器，並記載該厚膜電阻器的電阻溫度係數不會成為負值。
但是，為使玻璃組成中含有1重量份以上的鹼金屬氧化物，便會有玻璃絕緣性降低、電阻器負載特性降低的可能性。
如上述般，由釕系導電粒子與玻璃粉末構成的電阻器用組成物，具有若在摻合較多釕系導電粒子的低電阻值區域，則電阻溫度係數容易變為較大的正值，若在摻合較少釕系導電粒子的高電阻值區域，則電阻溫度係數容易轉為負值的特徵。所以，雖採行藉由將主要由金屬氧化物構成的調整劑添加於電阻器用組成物中，進而調整電阻溫度係數，但幾乎沒有將負值電阻溫度係數調整為正側的調整劑，頗難達成。又，亦頗難將呈非常大正值的電阻溫度係數調整至負方向，調整為於±100ppm/℃以內接近0的狀態。
習知所使用由含PbO的玻璃粉末與釕系導電粒子所形成的電阻器用組成物，雖調整電阻溫度係數的調整劑效果大，能調整電阻溫度係數的範圍亦較廣，但若未含鉛的玻璃粉末，則調整劑效果小，導致能調整電阻溫度係數的範圍狹窄。所以，需求在廣範圍電阻值區域中，未含鉛的玻璃粉末、與釕系導電粒子的組合，可使用調整劑將電阻溫度係數形成±100ppm/℃以內接近0值的組合。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-129806號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-7517號公報
[專利文獻3]日本專利特開平8-253342號公報
[專利文獻4]日本專利特開2007-103594號公報
[專利文獻5]日本專利特開2001-196201號公報
如上述，雖有嘗試使用未含鉛的導電粒子與玻璃粉末，並揭示各種電阻器用糊膏，但具有能充分滿足實用化層面之特性的電阻器用糊膏卻尚無量產化。
緣是，本發明有鑑於此種狀況而完成，目的在於提供：未含鉛成分、供形成具有電阻溫度係數±100ppm/℃以內接近0之優異特性厚膜電阻器用的電阻器用組成物、電阻器用糊膏，又目的在於提供使用有該等的厚膜電阻器。
為達成上述目的，本發明者經深入鑽研，結果於以未含鉛的釕系導電粒子、及至少2種未含鉛的玻璃粉末為主要構成成分的電阻器用組成物中，藉由其中一種玻璃粉末係含有SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末，且該玻璃成分中，相對於上述Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末的總量100質量%，含有5質量%以上且12質量%以下的B2O3；而另一玻璃粉末係含有SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末，且該玻璃成分中，相對於上述Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末的總量100質量%，含有14質量%以上且25質量%以下的B2O3，藉此便可獲得未含鉛成分、且具有電阻溫度係數於±100ppm/℃以內接近0之優異特性的厚膜電阻器，以及供形成該電阻器用的電阻器用組成物、電阻器用糊膏，遂完成本發明。
本發明之第1發明的電阻器用組成物，係含有：未含鉛的釕系導電粒子、與2種未含鉛之玻璃粉末的電阻器用組成物；其中，該玻璃粉末中之一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末，相對於上述Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末之總量100質量%，含有SiO2：20質量%以上且45質量%以下、B2O3：5質量%以上且12質量%以下，而玻璃粉末的另一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末，相對於上述Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末總量100質量%，含有SiO2：20質量%以上且38質量%以下、B2O3：14質量%以上且25質量%以下。
本發明之第2發明的電阻器用組成物，係含有：未含鉛的釕系導電粒子、與至少2種未含鉛之玻璃粉末的電阻器用組成物；玻璃粉末中之一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末，上述Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末之總量100質量%，含有SiO2：20質量%以上且45質量%以下、B2O3：5質量%以上且12質量%以下、Al2O3：5質量%以上且20質量%以下、BaO：4質量%以上且35質量%以下、ZnO：5質量%以上且35質量%以下，玻璃粉末的另一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末，上述Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末的成分組 成係相對於Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末之總量100質量%，含有：SiO2：20質量%以上且38質量%以下、B2O3：14質量%以上且25質量%以下、Al2O3：5質量%以上且15質量%以下、BaO：4質量%以上且35質量%以下。
本發明之第3的發明係如第1與第2發明的電阻器用組成物，其中，未含鉛的釕系導電粒子係氧化釕(RuO2)。
本發明之第4發明係如第3發明的電阻器用組成物，其中，氧化釕(RuO2)的比表面積係5m2/g以上且150m2/g以下。
本發明之第5發明的電阻器用糊膏係含有：第1至第4發明中的電阻器用組成物、及有機載體，而上述電阻器用組成物係分散而被包含於有機載體中。
本發明之第6發明的厚膜電阻器，係形成於陶瓷基板上之第5發明中的電阻器用糊膏之煅燒體。
根據本發明，可將習知頗難達成之以未含鉛的釕系導電粒子、與未含鉛的玻璃粉末為原料之厚膜電阻器的電阻溫度係數，在低電阻值區域至高電阻值區域範圍中，輕易調整於±100ppm/℃以內接近0值，可達工業上明顯的效果。
本發明係提供習知頗難達成之在較廣電阻值區域中，電阻溫度係數接近0的未含鉛之電阻器，本發明係以未含鉛的釕系導電粒子、與未含鉛的玻璃粉末為主要構成成分的電阻器用組成物，藉由限定玻璃粉末的成分，便可將屬於該電阻器用組成物煅燒體的電阻器之電阻溫度係數設為±100ppm/℃以內接近0。
在說明實施例之前，先針對本發明之構成進行說明。
一般電阻器用糊膏會依800~900℃前後的溫度施行煅燒。使用為電阻器用糊膏原料的玻璃粉末軟化點，一般必須低於煅燒溫度。未含鉛的玻璃粉末係以SiO2為骨架，依照此外的金屬氧化物種類與摻合量便可調整軟化點。本發明中，SiO2以外的金屬氧化物係可使用例如：B2O3、Al2O3、BaO、ZnO等。
針對由使該等成分摻合比進行各種變化的玻璃粉末、與釕系導電粒子所構成的電阻器用組成物，施行煅燒而形成之電阻器特性施行評價的結果，發現利用一定範圍內的玻璃粉末成分，則電阻器的電阻溫度係數會有某種傾向。
即，發現若玻璃成分中的B2O3含有率較高，則電阻器的電阻溫度係數容易變為負值，而若B2O3的含有率較低，則電阻器的電阻溫度係數容易轉為正值。
未含鉛的電阻器用組成物並無法使用會使電阻器的電阻溫度係數成為較大正值之導電粒子的釕酸鉛(Pb2Ru2O7)。因為其他的釕系導電粒子並無法使電阻溫度係數成為較大之正值，因而玻璃粉末成 分的摻合便屬重要。即，若電阻溫度係數成為過大之負值，則即便使用調整劑仍較難調整於±100ppm/℃以內的0附近值，但若電阻溫度係數係正值，則利用調整劑添加，便可將電阻溫度係數調整於±100ppm/℃以內的0附近值。
再者，於需要含有較多釕系導電粒子的低電阻值區域，電阻溫度係數的正值過大，相關利用調整劑添加而進行的電阻溫度係數調整亦有極限，因此低電阻溫度係數玻璃成分的摻合便屬重要。
未含鉛的玻璃粉末成分，就從軟化點、化學安定性的觀點，較佳係SiO2-B2O3-Al2O3系。
本發明發現在含較少釕系導電粒子、電阻溫度係數容易成為負值的高電阻值區域，藉由含有較多B2O3含有率低的玻璃粉末，便可使電阻溫度係數朝正值變大，而若含較多釕系導電粒子、電阻溫度係數容易成為正的高電阻值區域，藉由含有較多電阻溫度係數為負側之高B2O3含有率玻璃粉末，便可使電阻溫度係數成為負側，在廣電阻值區域可將電阻溫度係數調整於±100ppm/℃以內的0附近值。
以下，針對本發明的構成構件進行詳細說明。
[本發明之Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末之成分組成]
針對本發明其中一種玻璃粉末的組成進行詳細說明。
<SiO 2>
SiO2係成為本發明其中一種玻璃粉末構造骨架的成分，相對於 其中一種玻璃粉末之總量100質量%，含量較佳係20質量%以上且45質量%以下。若含量較20質量%少，則會有化學安定性降低、特性出現變動的情況。又，若較45質量%多，則會有軟化點過度提高的情況。
<B 2O 3>
B2O3亦是本發明其中一種玻璃粉末構造骨架的成分，具有降低玻璃軟化點的效果。
相對於其中一種玻璃粉末之總量100質量%，含量係5質量%以上且12質量%以下。若含量較5質量%少，則玻璃韌性降低、容易發生龜裂。反之，若含有超過12質量%，則容易引發分相、玻璃容易溶於水中。又，電阻器的電阻溫度係數容易成為負值，導致頗難調整為於±100ppm/℃以內的0附近。
<Al 2O 3>
Al2O3係具有提升本發明其中一種玻璃粉末之耐久性的作用，相對於其中一種玻璃粉末總量100質量%，含量較佳係5質量%以上且20質量%以下。若含量較5質量%少，則會有容易引發玻璃分相，導致玻璃耐久性降低的情況。若較20質量%多，則會有軟化點過度提高的情況。
<BaO>
BaO係具有使本發明之未含鉛的其中一種玻璃降低軟化點的作用，且具有提高介電常數、提高施加電壓時的絕緣性效果。
相對於其中一種玻璃粉末總量100質量%，含量較佳係4質量%以上且35質量%以下。若含量較4質量%少，則會有玻璃軟化點無法充分降低的情況。若較35質量%多，則會有導致玻璃耐久性降低的情況。
<ZnO>
ZnO亦具有使本發明之未含鉛的其中一種玻璃降低軟化點的作用。相對於其中一種玻璃粉末總量100質量%，含量較佳係5質量%以上且35質量%以下。若含量較5質量%少，則會有無法充分降低玻璃軟化點的情況。若較35質量%多，則會有導致玻璃耐久性降低的情況。
<其他的玻璃粉末成分>
Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末的必要成分係SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO，但亦可含有其他成分，可例如下述物。
CaO係與BaO同樣，可作為降低軟化點的成分使用。
雖藉由使用Bi2O3亦可降低玻璃軟化點，但若其含量過多，則會有容易結晶化、各種特性惡化的情況，故必須注意添加量。
再者，雖在提高玻璃化學安定性目的下，亦可含有ZrO2，但若大量含有，便會有無法降低玻璃軟化點、軟化點過度提高的情況。
K、Na、Li的鹼金屬氧化物雖就降低軟化點目的而言亦頗具效果，但因為會導致玻璃絕緣性降低，造成電阻器的負載特性降低，故在添加時，最好能在不會有電阻器電氣特性降低問題的範圍內添加。
[本發明Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末的成分組成]
接著，針對本發明另一種玻璃粉末的組成進行詳細說明。
<SiO 2>
SiO2係本發明另一種玻璃構造骨架的成分，相對於另一種玻璃粉末之總量100質量%，含量較佳係20質量%以上且38質量%以下。若含量較20質量%少，會有化學安定性降低的情況，而若較38質量%多，則會有軟化點過度提高的情況。
<B 2O 3>
B2O3亦是本發明另一種玻璃構造骨架的成分，具有降低玻璃軟化點的效果。相對於另一種玻璃粉末之總量100質量%，含量係14質量%以上且25質量%以下。若含量較14質量%少，則電阻器的電阻溫度係數容易成為負值。另一方面，若含有超過25質量%，則玻璃容易溶解於水中。
<Al 2O 3>
Al2O3係呈現提升本發明另一種玻璃耐久性的作用，相對於另一種玻璃粉末總量100質量%，含量較佳係5質量%以上且15質量%以下。若含量較5質量%少，則會有容易引發玻璃分相，導致玻璃耐久性降低的情況。另一方面，若較15質量%多，則會有軟化點過度提高的情況。
<BaO>
BaO係具有使本發明未含鉛的另一種玻璃降低軟化點的作用，具有介電常數高、施加電壓時提高絕緣性之效果。相對於另一種玻璃粉末總量100質量%，含量較佳係4質量%以上且35質量%以下。若含量較4質量%少，則會有玻璃軟化點提高的情況，而若較35質量%多，則會有導致玻璃耐久性降低的情況。
<其他的玻璃粉末>
Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末的必要成分係SiO2、B2O3、Al2O3、BaO，但亦可含有其他成分，可例如下述物。
ZnO係與BaO同樣，可使用於降低軟化點。該ZnO係屬於前所說明其中一種「Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末」的必要成分，但就該另一種玻璃粉末而言，因為提高B2O3含有率，便可充分降低軟化點，故非屬必要之成分。
CaO係與BaO同樣，可作為降低軟化點的成分使用。
雖取代鉛，改為使用Bi2O3便可降低玻璃的軟化點，但若其含量過多便會有容易結晶化、各種特性惡化的情況，故必須注意添加量。
再者，雖在提高玻璃之化學安定性之目的下亦可含有ZrO2，但若大量含有便會有無法降低玻璃軟化點、軟化點過度提高的情況。
K、Na、Li的鹼金屬氧化物就降低軟化點之目的而言亦頗具效果，但會導致玻璃絕緣性降低、電阻器負載特性降低，故最好在添加時不致有電阻器電氣特性降低問題的範圍內添加。
「Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末」與「Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末」的比例，係可依照目的任意選擇電阻值與電阻溫度係數，於電阻溫度係數容易成為負值的高電阻值區域，便增加「Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末」的比例，於電阻溫度係數容易成為正值的低電阻值區域，便增加「Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末」的比例。
以上，雖針對玻璃粉末的成分組成進行說明，針對其形態係說明如下。
<玻璃粉末的粒徑>
玻璃粉末的粒徑並無特別規定，只要配合使用目的選定便可，若過大則成為電阻器的電阻值變動増大、負載特性降低的肇因，故而不佳。為避免該等情形，玻璃粉末的平均粒徑較佳係設為3μm以下、更佳係1.5μm以下。
大於3μm的玻璃粉末利用粉碎便可小粒徑化，而為能獲得該粒徑而施行玻璃粉碎時，可使用例如球磨機、行星式研磨機、珠磨機等。為使經粉碎之玻璃粉末的粒度清晰，最好使用濕式粉碎。
其次，針對上述玻璃粉末以外的電阻器用組成物之構成成分進行說明。
<導電粒子>
作為本發明所使用之導電粒子之未含鉛的釕系導電粒子，較佳係使用氧化釕。一般使用未含鉛的玻璃粉末、與導電粒子係使用氧化釕而形成的電阻器，電阻溫度係數容易成為負值，亦會有電阻值過低的課題，但設為本發明電阻器用組成物的構成便可解決此課 題。
作為該導電粒子使用的氧化釕，較佳係使用比表面積5m2/g以上且150m2/g以下者。一般若使用比表面積大的導電粒子，則電阻器的電阻值降低，若依相同電阻值比較，會有電阻溫度係數亦降低的傾向，所以最好配合目的電阻值再行選擇適當的粒徑。
導電粒子係除氧化釕之外，尚亦可使用例如釕酸鉍、釕酸鈣、釕酸鍶、釕酸鋇等。視需要，亦可將2種以上的上述導電粒子混合物、釕系以外的導電粒子混合於上述導電粒子中使用。
<導電粒子與玻璃粉末的比率>
依照所需的電阻值等，可改變釕系導電粒子與玻璃粉末的比率。通常係釕系導電粒子質量：2種玻璃粉末合計質量=50：50~5：95之範圍。
若導電粒子較此範圍多，便會導致厚膜電阻器的膜構造變脆弱，容易因溫度循環等而導致電阻值變化、或容易引發經時變化的情況，故而不佳。又，若導電粒子較該範圍少，則電阻溫度係數容易成為負值，會有較難接近0的情況，故而不佳。
<添加劑>
在本發明的電阻器用組成物中，就改善、調整電阻的電阻值、電阻溫度係數、負載特性或微調性之目的下，亦可添加一般所使用的添加劑。
代表性添加劑係可例如：Nb2O5、Ta2O5、TiO2、CuO、MnO2、 ZrO2、Al2O3、SiO2、ZrSiO4等。藉由添加該等添加劑，便可製作具有更優異特性的電阻器。
該添加劑的含量係依照目的再行調整，相對於導電粒子與玻璃粉末的合計100質量份，通常係10質量份以下。
<有機載體>
導電粒子與玻璃粉末係視需要添加添加劑，為形成印刷用電阻器用糊膏而混合、分散有機載體中。
所使用的有機載體並無特別限制，通常係可使用在例如：松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯等溶劑中，溶解有例如：乙基纖維素、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、松脂、順丁烯二酸酯等樹脂的溶液。又，視需要亦可添加分散劑、可塑劑等。
將導電粒子、玻璃粉末、添加劑等分散於有機載體中的方法並無特別的限制，可使用為使微細粒子分散而一般採用的三輥研磨機、珠磨機或行星式研磨機等。
有機載體的含量係依照印刷、塗佈方法再行適當調整，相對於導電粒子、玻璃粉末、添加劑合計100質量份設為20~200質量份左右。
[實施例]
針對本發明進行具體說明，惟本發明並不僅侷限於該等實施例。
[試驗1：玻璃粉末之特性評價]
首先，製作各種組成的玻璃粉末，測定各玻璃粉末的軟化點及 平均粒徑。
若將嚴重結晶化的玻璃粉末使用於電阻器，則電阻器的電阻值變動大、電氣特性亦降低，故無法使用為本發明的電阻器用組成物，本評價所使用的玻璃粉末係使用事先幾乎沒有發現結晶化的玻璃組成。
若將軟化點超過800℃等過高軟化點的玻璃使用於電阻器，則電阻器的電阻值變動大、電氣特性亦降低，故無法使用為本發明的電阻器用組成物。所以，測定各玻璃粉末的軟化點。
軟化點的測定係使用TG-DTA(精工電子公司製TG/DTA320型)，測定DTA曲線，將從所獲得之DTA曲線的第三轉折點所求得數值設為軟化點。
再者，玻璃粉末的平均粒徑係使用雷射繞射式粒度分佈測定所獲得的D50值。
供本評價用的玻璃粉末之組成、軟化點、平均粒徑，如表1所示。
Figure 107105021-A0101-12-0018-1
[試驗2：電阻器用組成物評價]
實施例與比較例中，相對於由2種比表面積的氧化釕粒子所構 成之導電粒子與玻璃粉末合計100質量份，添加43質量份有機載體，經利用三輥研磨機充分分散而製作電阻器用糊膏。氧化釕粒子與玻璃粉末的比率，係依電阻器的面積電阻值成為約0.1kΩ/口、1kΩ/□、10kΩ/□、100kΩ/口方式進行調整。
即，實施例1係使用比表面積15m2/g的RuO2粉，以及由A-1與B-1混合的玻璃粉末；實施例2係使用比表面積90m2/g的RuO2粉、以及由A-2與B-2混合的玻璃粉末。又，比較例1係使用比表面積15m2/g的RuO2粉與A-1玻璃粉末；比較例2係使用比表面積15m2/g的RuO2粉與B-1玻璃粉末；比較例3係使用比表面積90m2/g的RuO2粉與A-2玻璃粉末；比較例4係使用比表面積90m2/g的RuO2粉與B-2玻璃粉末。
其次，於預先對氧化鋁基板施行煅燒而形成由1質量%Pd、99質量%Ag之組成所構成的5對電極間，印刷所製作的電阻器用糊膏，經150℃×5分鐘乾燥後，依尖峰溫度850℃×9分鐘、總計30分鐘施行煅燒，而形成厚膜電阻器。厚膜電阻器的尺寸係設為電阻器寬1.0mm、電阻器長(電極間)1.0mm。各試料依相同條件製作5片此種基板。
針對所形成的厚膜電阻器分別測定膜厚及電阻值，並計算膜厚設為7μm時的換算面積電阻值、25℃至-55℃的電阻溫度係數(Cold-TCR：以下稱「C-TCR」)、25℃至125℃的電阻溫度係數(HOT-TCR：以下稱「H-TCR」)。
膜厚係抽樣1片任意之氧化鋁基板，利用觸針式之厚度粗糙度計，測定在氧化鋁基板上所形成之5個厚膜電阻器的膜厚，將平均值設為該試料全體的「實測膜厚」。
面積電阻值係將在5片氧化鋁基板上所形成的5個厚膜電阻器、合計25個厚膜電阻器所測定的電阻值之平均值，以及由上述「實測膜厚」計算出的值，利用膜厚7μm時的「換算面積電阻值」進行修正計算並施行評價。
該計算係利用四端子法所測定之25個厚膜電阻器電阻值的實測值平均值設為「實測電阻值」時，使用下式(1)計算。另外，本評價中，「換算膜厚」係使用「7μm」。
[數1]換算面積電阻值[kΩ]=實測電阻值×(實測膜厚/換算膜厚)．．．(1)
電阻溫度係數係厚膜電阻器分別在-55℃、25℃、125℃下保持15分鐘後再測定電阻值，將各電阻值設為R-55、R25、R125時，依下式(2)、(3)所示計算式計算的值，分別使用由5個厚膜電阻器所計算出值的平均值。
[數2]C-TCR(ppm/℃)=[(R-55-R25)/R25]/(-80)×106．．．(2) H-TCR(ppm/℃)=[(R125-R25)/R25]/(100)×106．．．(3)
將依上述計算方法所獲得之各試料的換算膜厚電阻值、電阻溫度係數(C-TCR、H-TCR)值，與各試料所使用的RuO2比表面積及電阻器用糊膏製作時的電阻器用組成物含量，一併標示於表2。
Figure 107105021-A0101-12-0021-2
由表1與表2得知，實施例1及比較例1與2均係使用比表面積15m2/g的氧化釕粒子，實施例1係使用Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末「A-1」、與Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末「B-1」二者的玻璃粉末，比較例1與2係僅使用其中1種玻璃粉末。
由比較例1得知，面積電阻值1.1kΩ/口以下的「低電阻值區 域」，其電阻溫度係數為581ppm/℃以上的過大正值，即便使用調整劑但仍難達±100ppm/℃。比較例2係在面積電阻值0.95kΩ/口以上的「較高電阻值區域」，其電阻溫度係數成為-175ppm/℃以下的負值，無法達±100ppm/℃。
相對於該等，實施例1得知係0.087kΩ/口至110kΩ/口的面積電阻值區域，電阻溫度係數在52~201ppm/℃範圍，藉由添加氧化錳、氧化鈮、氧化鈦等調整劑，便可輕易調整為±100ppm/℃。
再者，實施例2及比較例3與4係使用比表面積90m2/g的氧化釕粒子，實施例2係使用Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末「A-2」、與Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末「B-2」二者的玻璃粉末，比較例3與4係僅使用其中1種玻璃粉末。
比較例3得知亦是面積電阻值1kΩ/口以下的「低電阻值區域」，電阻溫度係數達599ppm/℃以上的過大正值，即便使用調整劑，但仍頗難達±100ppm/℃。又，比較例4係面積電阻值達1kΩ/口以上的「較高電阻值區域」，電阻溫度係數成為-250ppm/℃以下的負值，並無法達±100ppm/℃。
相對於該等，實施例2得知係0.085kΩ/口至110kΩ/口的面積電阻值區域，電阻溫度係數在21~145ppm/℃範圍，藉由添加氧化錳、氧化鈮、氧化鈦等調整劑，便可輕易調整為±100ppm/℃。
由表1、表2所示實施例、比較例得知，根據本發明可將習知頗難達成，以釕系導電粒子與玻璃粉末為原料的厚膜電阻器之電阻溫度係數，橫跨低電阻值區域至高電阻值區域，輕易地調整於±100ppm/℃以內。

Claims (6)

  1. 一種電阻器用組成物，係含有：未含鉛的釕系導電粒子、與2種未含鉛之玻璃粉末的電阻器用組成物；其中，玻璃粉末中之一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末，相對於上述Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末總量100質量%，含有SiO2：20質量%以上且45質量%以下、B2O3：5質量%以上且12質量%以下；玻璃粉末的另一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末，相對於上述Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末總量100質量%，含有SiO2：20質量%以上且38質量%以下、B2O3：14質量%以上且25質量%以下。
  2. 一種電阻器用組成物，係含有：未含鉛的釕系導電粒子、與至少2種未含鉛之玻璃粉末的電阻器用組成物；其中，玻璃粉末中之一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO、ZnO的Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末，上述Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末的成分組成係相對於Si-B-Al-Ba-Zn-O系玻璃粉末總量100質量%，含有SiO2：20質量%以上且45質量%以下、B2O3：5質量%以上且12質量%以下、Al2O3：5質量%以上且20質量%以下、BaO：4質量%以上且35質量%以下、ZnO：5質量%以上且35質量%以下； 玻璃粉末的另一種係含SiO2、B2O3、Al2O3、BaO的Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末，上述Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末的成分組成係相對於Si-B-Al-Ba-O系玻璃粉末總量100質量%，含有：SiO2：20質量%以上且38質量%以下、B2O3：14質量%以上且25質量%以下、Al2O3：5質量%以上且15質量%以下、BaO：4質量%以上且35質量%以下。
  3. 如請求項1或2之電阻器用組成物，其中，上述未含鉛的釕系導電粒子係氧化釕(RuO2)。
  4. 如請求項3之電阻器用組成物，其中，上述氧化釕(RuO2)的比表面積係5m2/g以上且150m2/g以下。
  5. 一種電阻器用糊膏，係含有：請求項1至4中任一項之電阻器用組成物及有機載體，上述電阻器用組成物係分散含於有機載體中。
  6. 一種厚膜電阻器，係在陶瓷基板上所形成之請求項5之電阻器用糊膏的煅燒體。
TW107105021A 2017-02-17 2018-02-12 電阻器用組成物暨含有其之電阻器用糊膏及使用其之厚膜電阻器 TWI752170B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017028429A JP6931455B2 (ja) 2017-02-17 2017-02-17 抵抗体用組成物及びこれを含んだ抵抗体ペーストとそれを用いた厚膜抵抗体
JP2017-028429 2017-02-17
??PCT/JP2018/003405 2018-02-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201840500A TW201840500A (zh) 2018-11-16
TWI752170B true TWI752170B (zh) 2022-01-11

Family

ID=63169831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107105021A TWI752170B (zh) 2017-02-17 2018-02-12 電阻器用組成物暨含有其之電阻器用糊膏及使用其之厚膜電阻器

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6931455B2 (zh)
KR (1) KR102420736B1 (zh)
CN (1) CN110291599B (zh)
TW (1) TWI752170B (zh)
WO (1) WO2018150890A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7387277B2 (ja) 2019-04-05 2023-11-28 Koa株式会社 抵抗材料、抵抗器及び抵抗材料の製造方法
JP7279492B2 (ja) * 2019-04-19 2023-05-23 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体
JP7279551B2 (ja) * 2019-07-09 2023-05-23 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体
CN114049986B (zh) * 2021-12-28 2022-04-19 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 一种无铅无铋的介质浆料
CN118116646A (zh) * 2024-02-29 2024-05-31 佛山市中科兴新材料有限公司 一种导电组合物及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101990522A (zh) * 2008-04-18 2011-03-23 E.I.内穆尔杜邦公司 具有氧化钌的无铅电阻器组合物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5491118A (en) 1994-12-20 1996-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cadmium-free and lead-free thick film paste composition
JP3755848B2 (ja) * 1997-06-05 2006-03-15 田中貴金属工業株式会社 抵抗ペースト
JP3731803B2 (ja) 1999-10-28 2006-01-05 株式会社村田製作所 厚膜抵抗体
JP3843767B2 (ja) 2001-06-19 2006-11-08 Ｔｄｋ株式会社 抵抗体ペーストの製造方法及び厚膜抵抗体の製造方法
JP2005129806A (ja) 2003-10-24 2005-05-19 Tdk Corp 抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体
JP2005209744A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Tdk Corp 厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体、電子部品
US7176152B2 (en) * 2004-06-09 2007-02-13 Ferro Corporation Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
JP2007103594A (ja) 2005-10-03 2007-04-19 Shoei Chem Ind Co 抵抗体組成物並びに厚膜抵抗体
US8628695B2 (en) * 2008-04-18 2014-01-14 E I Du Pont De Nemours And Company Surface-modified ruthenium oxide conductive material, lead-free glass(es), thick film resistor paste(s), and devices made therefrom
EP3193340A4 (en) * 2014-09-12 2018-04-18 Shoei Chemical Inc. Thin film resistive body and production method for same
KR101739744B1 (ko) * 2015-08-13 2017-05-25 대주전자재료 주식회사 무연 후막 저항 조성물, 무연 후막 저항체 및 이의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101990522A (zh) * 2008-04-18 2011-03-23 E.I.内穆尔杜邦公司 具有氧化钌的无铅电阻器组合物

Also Published As

Publication number Publication date
JP6931455B2 (ja) 2021-09-08
TW201840500A (zh) 2018-11-16
JP2018133539A (ja) 2018-08-23
CN110291599A (zh) 2019-09-27
WO2018150890A1 (ja) 2018-08-23
CN110291599B (zh) 2022-02-22
KR102420736B1 (ko) 2022-07-14
KR20190117546A (ko) 2019-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI752170B (zh) 電阻器用組成物暨含有其之電阻器用糊膏及使用其之厚膜電阻器
TWI746670B (zh) 電阻膏以及由該電阻膏的煅燒而製作的電阻體
JP2018092730A (ja) 抵抗体用組成物及びこれを含んだ抵抗体ペーストさらにそれを用いた厚膜抵抗体
WO2021221173A1 (ja) 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品
JP6804044B2 (ja) 抵抗体用組成物及びこれを含んだ抵抗体ペーストさらにそれを用いた厚膜抵抗体
JP2018049900A (ja) 抵抗ペースト及びその焼成により作製される抵抗体
JP7251068B2 (ja) 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体
WO2024024751A1 (ja) 酸化ルテニウム粉末、厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、厚膜抵抗体
JP7273266B2 (ja) 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体
JP7279551B2 (ja) 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体
JP7390103B2 (ja) 抵抗体用組成物、抵抗ペースト、厚膜抵抗体
JP7183507B2 (ja) 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体
WO2021221175A1 (ja) 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品
JP7135696B2 (ja) 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体
US12024466B2 (en) Thick film resistor paste, thick film resistor, and electronic component
JP7279492B2 (ja) 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体
JP7116362B2 (ja) 抵抗体用組成物と抵抗ペースト、及び抵抗体
WO2021221174A1 (ja) 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品
JP7297409B2 (ja) 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体
JP2023135971A (ja) 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品
JP2023144072A (ja) 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体
TW201942265A (zh) 厚膜電阻用組成物、厚膜電阻用膏體及厚膜電阻
JP2006073716A (ja) 厚膜抵抗体用ガラス組成物及びこれを用いた厚膜抵抗体ペースト、厚膜抵抗体、電子部品
JP2006261243A (ja) 抵抗体ペースト、抵抗体及び電子部品
JP2006236621A (ja) 厚膜抵抗体ペースト及びその製造方法