JP2023144072A - 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体 - Google Patents
厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】所望の抵抗値を有しながら、電流ノイズが小さいという、良好な電気的特性を有しながら、鉛を実質的に含まない厚膜抵抗体を提供する。【解決手段】導電性成分は、二酸化ルテニウム、ルテニウム酸カルシウム、ルテニウム酸ストロンチウム、およびルテニウム酸バリウムから選択される少なくとも1種を含み、ガラス成分は、鉛を実質的に含まず、かつ、ステアタイトを3.0質量%以上15.0質量%以下含有する、厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体が提供される。【選択図】なし
Description
本発明は、チップ抵抗器やハイブリッドICなどの抵抗部品における厚膜抵抗体の形成
に使用される、厚膜抵抗体用組成物および厚膜抵抗体用ペースト、並びに、これらを用い
て形成された厚膜抵抗体に関する。
に使用される、厚膜抵抗体用組成物および厚膜抵抗体用ペースト、並びに、これらを用い
て形成された厚膜抵抗体に関する。
従来、電子部品のうちの抵抗部品としては、抵抗ペーストを用いて形成される厚膜抵抗
体と、膜形成材料のスパッタリングなどにより形成される薄膜抵抗体とが存在する。これ
らのうち、厚膜抵抗体は、その製造設備が安価で、かつ、その生産性も高いことから、チ
ップ抵抗器やハイブリッドICなどの抵抗部品として、広範に利用されている。
体と、膜形成材料のスパッタリングなどにより形成される薄膜抵抗体とが存在する。これ
らのうち、厚膜抵抗体は、その製造設備が安価で、かつ、その生産性も高いことから、チ
ップ抵抗器やハイブリッドICなどの抵抗部品として、広範に利用されている。
厚膜抵抗体は、厚膜抵抗体用ペーストをセラミック基板上に印刷し、焼成することによ
り形成される。この厚膜抵抗体用ペーストは、導電性粉末と、ガラスフリットと、これら
を印刷に適したペースト状にするための有機ビヒクルとにより、実質的に構成される。
り形成される。この厚膜抵抗体用ペーストは、導電性粉末と、ガラスフリットと、これら
を印刷に適したペースト状にするための有機ビヒクルとにより、実質的に構成される。
導電性粉末としては、二酸化ルテニウム(RuO2)やパイロクロア型ルテニウム系酸
化物(Pb2Ru2O7-X、Bi2Ru2O7)などのルテニウム(Ru)化合物が、
一般的に使用されている。導電性粉末としてルテニウム化合物が使用される理由は、主に
その濃度の変化に対して抵抗値がなだらかに変化するという特性を有するためである。
化物(Pb2Ru2O7-X、Bi2Ru2O7)などのルテニウム(Ru)化合物が、
一般的に使用されている。導電性粉末としてルテニウム化合物が使用される理由は、主に
その濃度の変化に対して抵抗値がなだらかに変化するという特性を有するためである。
ガラスフリットとしては、ホウケイ酸鉛ガラス(PbO-SiO2-B2O3)やアル
ミノホウケイ酸鉛ガラス(PbO-SiO2-B2O3-Al2O3)などの鉛を多量に
含むホウケイ酸鉛系ガラスが、使用されている。ガラスフリットにホウケイ酸鉛系ガラス
が使用される理由は、ルテニウム系酸化物との濡れ性が良好であり、その熱膨張係数が基
板の熱膨張係数に近く、焼成時の粘性などにおいて適しているためである。
ミノホウケイ酸鉛ガラス(PbO-SiO2-B2O3-Al2O3)などの鉛を多量に
含むホウケイ酸鉛系ガラスが、使用されている。ガラスフリットにホウケイ酸鉛系ガラス
が使用される理由は、ルテニウム系酸化物との濡れ性が良好であり、その熱膨張係数が基
板の熱膨張係数に近く、焼成時の粘性などにおいて適しているためである。
これらの厚膜抵抗体用ペーストにおいて、成膜後の厚膜抵抗体の特性を改善するために
、各種の添加剤が含有されている。たとえば、抵抗温度係数(TCR)を調整し、電流ノ
イズを小さくするために使用される従来の添加剤としては、酸化チタン(TiO2)ある
いは酸化ニオブ(Nb2O5)が挙げられる。特開昭61-206201号公報には、導
電性粉末と、PbOを含有するガラス粉末と、酸化チタンが組成物中の固形分100重量
部あたりTiとして0.025重量部~6.0重量部添加されている、厚膜抵抗体用組成
物が開示されている。また、特公昭63-035081号公報には、RuO2、PbOを
含有するガラス、およびNb2O5の微細分割された無機粉末が不活性液ビヒクル中に分
散され、Nb2O5の添加量が0.1重量%~0.8重量%である、厚膜抵抗体用組成物
が開示されている。
、各種の添加剤が含有されている。たとえば、抵抗温度係数(TCR)を調整し、電流ノ
イズを小さくするために使用される従来の添加剤としては、酸化チタン(TiO2)ある
いは酸化ニオブ(Nb2O5)が挙げられる。特開昭61-206201号公報には、導
電性粉末と、PbOを含有するガラス粉末と、酸化チタンが組成物中の固形分100重量
部あたりTiとして0.025重量部~6.0重量部添加されている、厚膜抵抗体用組成
物が開示されている。また、特公昭63-035081号公報には、RuO2、PbOを
含有するガラス、およびNb2O5の微細分割された無機粉末が不活性液ビヒクル中に分
散され、Nb2O5の添加量が0.1重量%~0.8重量%である、厚膜抵抗体用組成物
が開示されている。
これらの厚膜抵抗体用組成物を構成するガラス粉末には、鉛が含有されている。このよ
うな有害な鉛を含んだ厚膜抵抗体用ペーストの使用は、環境問題の観点から望ましくない
ため、近年、鉛を含まない厚膜抵抗体用ペーストの実用化が強く求められている。このた
め、現在、鉛を含まない厚膜抵抗体用ペーストの研究開発が進められており、厚膜抵抗体
用ペーストに用いられる厚膜抵抗体用組成物において、鉛を含まないガラスフリットの提
案がなされている。
うな有害な鉛を含んだ厚膜抵抗体用ペーストの使用は、環境問題の観点から望ましくない
ため、近年、鉛を含まない厚膜抵抗体用ペーストの実用化が強く求められている。このた
め、現在、鉛を含まない厚膜抵抗体用ペーストの研究開発が進められており、厚膜抵抗体
用ペーストに用いられる厚膜抵抗体用組成物において、鉛を含まないガラスフリットの提
案がなされている。
添加剤として酸化チタンあるいは酸化ニオブを含有する厚膜抵抗体用組成物において、
酸化チタンあるいは酸化ニオブは、厚膜抵抗体用組成物中に粉末として添加されるか、あ
るいは、厚膜抵抗体用組成物を構成するガラス粉末中に予め添加されている。しかしなが
ら、添加剤として酸化チタンあるいは酸化ニオブを用いて、鉛を含有しない厚膜抵抗体を
作製すると、その抵抗値を10kΩ以上とした場合に、電流ノイズが大きくなるという問
題がある。
酸化チタンあるいは酸化ニオブは、厚膜抵抗体用組成物中に粉末として添加されるか、あ
るいは、厚膜抵抗体用組成物を構成するガラス粉末中に予め添加されている。しかしなが
ら、添加剤として酸化チタンあるいは酸化ニオブを用いて、鉛を含有しない厚膜抵抗体を
作製すると、その抵抗値を10kΩ以上とした場合に、電流ノイズが大きくなるという問
題がある。
本発明の目的は、鉛を実質的に含有しない厚膜抵抗体を作製した場合に、抵抗値が高く
、かつ、電流ノイズの小さい、良好な電気的特性を有する抵抗体を形成することができる
、厚膜抵抗体用組成物を提供すること、および、この厚膜抵抗体用組成物を用いた厚膜抵
抗体用ペーストおよび厚膜抵抗体を提供することにある。
、かつ、電流ノイズの小さい、良好な電気的特性を有する抵抗体を形成することができる
、厚膜抵抗体用組成物を提供すること、および、この厚膜抵抗体用組成物を用いた厚膜抵
抗体用ペーストおよび厚膜抵抗体を提供することにある。
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、導電性粉末と、鉛を実質的に含まないガラスフリット
とを含み、3.0質量%以上15.0質量%以下のステアタイトが添加されていることを
特徴とする。該ステアタイトの添加量は、5.0質量%以上14.0質量%以下であるこ
とが好ましい。
とを含み、3.0質量%以上15.0質量%以下のステアタイトが添加されていることを
特徴とする。該ステアタイトの添加量は、5.0質量%以上14.0質量%以下であるこ
とが好ましい。
前記導電性粉末の含有量は、5質量%以上30質量%以下であることが好ましい。また
、前記導電性粉末は、ルテニウム化合物からなることが好ましい。該ルテニウム化合物は
、二酸化ルテニウムおよび/またはルテニウム酸アルカリ土類金属からなることが好まし
い。
、前記導電性粉末は、ルテニウム化合物からなることが好ましい。該ルテニウム化合物は
、二酸化ルテニウムおよび/またはルテニウム酸アルカリ土類金属からなることが好まし
い。
本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルとを含み、前記
厚膜抵抗体用組成物として、本発明の厚膜抵抗体用組成物が用いられていることを特徴と
する。
厚膜抵抗体用組成物として、本発明の厚膜抵抗体用組成物が用いられていることを特徴と
する。
前記有機ビヒクルの含有量は、前記厚膜抵抗体用ペーストの質量に対して、30質量%
以上50質量%以下であることが好ましい。
以上50質量%以下であることが好ましい。
本発明の厚膜抵抗体は、導電性成分とガラス成分とステアタイトを含む焼成体からなり
、前記ガラス成分は、鉛を実質的に含まず、前記導電性成分と前記ガラス成分の合計質量
に対して、ステアタイトを3.0質量%以上15.0質量%以下含有することを特徴とす
る。該ステアタイトの含有量は、5.0質量%以上14.0質量%以下であることが好ま
しい。前記導電性成分の含有量は、5質量%以上30質量%以下であることが好ましい。
前記導電性成分は、ルテニウム化合物からなることが好ましい。該ルテニウム化合物は、
二酸化ルテニウムおよび/またはルテニウム酸アルカリ土類金属からなることが好ましい
。
、前記ガラス成分は、鉛を実質的に含まず、前記導電性成分と前記ガラス成分の合計質量
に対して、ステアタイトを3.0質量%以上15.0質量%以下含有することを特徴とす
る。該ステアタイトの含有量は、5.0質量%以上14.0質量%以下であることが好ま
しい。前記導電性成分の含有量は、5質量%以上30質量%以下であることが好ましい。
前記導電性成分は、ルテニウム化合物からなることが好ましい。該ルテニウム化合物は、
二酸化ルテニウムおよび/またはルテニウム酸アルカリ土類金属からなることが好ましい
。
本発明の厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体は、有害な鉛
を含有することなく、抵抗値が高く、かつ、電流ノイズが小さいという、良好な電気的特
性を発揮することができるため、従来の鉛を含む厚膜抵抗体ペーストに代替することで、
環境汚染の問題のないチップ抵抗器やハイブリッドICなどの抵抗部品を提供できるため
、その工業的価値はきわめて大きい。
を含有することなく、抵抗値が高く、かつ、電流ノイズが小さいという、良好な電気的特
性を発揮することができるため、従来の鉛を含む厚膜抵抗体ペーストに代替することで、
環境汚染の問題のないチップ抵抗器やハイブリッドICなどの抵抗部品を提供できるため
、その工業的価値はきわめて大きい。
以下、本発明の厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体ペースト、および厚膜抵抗体について
、詳細に説明する。
、詳細に説明する。
(1)厚膜抵抗体用組成物
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、導電性粉末と、ガラスフリットと、ステアタイトとを
、主成分とすることを特徴とする。
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、導電性粉末と、ガラスフリットと、ステアタイトとを
、主成分とすることを特徴とする。
[導電性粉末]
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成する導電性粉末は、ルテニウム化合物であることが
好ましい。ルテニウム化合物としては、二酸化ルテニウム(RuO2)、ルテニウム酸ア
ルカリ土類金属、すなわち、ルテニウム酸カルシウム(CaRuO3)、ルテニウム酸ス
トロンチウム(SrRuO3)、およびルテニウム酸バリウム(BaRuO3)が挙げら
れる。本発明の厚膜抵抗体用組成物は、ルテニウム化合物として、これらの中から選択さ
れる少なくとも1種を含むことが好ましい。これらの導電性粉末は、公知の製造方法によ
り得ることができる。
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成する導電性粉末は、ルテニウム化合物であることが
好ましい。ルテニウム化合物としては、二酸化ルテニウム(RuO2)、ルテニウム酸ア
ルカリ土類金属、すなわち、ルテニウム酸カルシウム(CaRuO3)、ルテニウム酸ス
トロンチウム(SrRuO3)、およびルテニウム酸バリウム(BaRuO3)が挙げら
れる。本発明の厚膜抵抗体用組成物は、ルテニウム化合物として、これらの中から選択さ
れる少なくとも1種を含むことが好ましい。これらの導電性粉末は、公知の製造方法によ
り得ることができる。
ルテニウム酸カルシウム、ルテニウム酸ストロンチウム、あるいはルテニウム酸バリウ
ムは、二酸化ルテニウム粉末と、カルシウム、ストロンチウム、あるいはバリウムの水酸
化物または炭酸塩とを機械的に混合し、熱処理した後に、粉砕する乾式法により得ること
ができる。また、粒径が小さく、均一なこれらの粉末を得る場合には、アルカリ水溶液に
、塩化ルテニウムと、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、あるいは塩化バリウムとを
含む溶液を添加して、沈澱させ、その沈澱物を洗浄し、乾燥させた後、約600℃以上9
00℃以下の温度で焙焼する工程が採用される。
ムは、二酸化ルテニウム粉末と、カルシウム、ストロンチウム、あるいはバリウムの水酸
化物または炭酸塩とを機械的に混合し、熱処理した後に、粉砕する乾式法により得ること
ができる。また、粒径が小さく、均一なこれらの粉末を得る場合には、アルカリ水溶液に
、塩化ルテニウムと、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、あるいは塩化バリウムとを
含む溶液を添加して、沈澱させ、その沈澱物を洗浄し、乾燥させた後、約600℃以上9
00℃以下の温度で焙焼する工程が採用される。
導電性粉末のBET法による平均粒径は、1.0μm以下であることが好ましく、0.
2μm以下であることがより好ましい。これにより、焼成により得られる厚膜抵抗体にお
いて、導電パスが微細となり、その抵抗値のばらつきや電流ノイズの大きさを適切に抑制
することが可能となる。
2μm以下であることがより好ましい。これにより、焼成により得られる厚膜抵抗体にお
いて、導電パスが微細となり、その抵抗値のばらつきや電流ノイズの大きさを適切に抑制
することが可能となる。
本発明の厚膜抵抗体用組成物において、導電性粉末の含有量は、得られる厚膜抵抗体に
おける所望の抵抗値、導電性粉末およびガラスフリットの種類および粒径に応じて、適宜
調整される。たとえば、面積抵抗値が5kΩ以上の高抵抗の抵抗体を得る場合には、通常
、導電性粉末の含有量は、5質量%以上30質量%以下である。
おける所望の抵抗値、導電性粉末およびガラスフリットの種類および粒径に応じて、適宜
調整される。たとえば、面積抵抗値が5kΩ以上の高抵抗の抵抗体を得る場合には、通常
、導電性粉末の含有量は、5質量%以上30質量%以下である。
[ガラスフリット]
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットは、鉛を実質的に含まないこと
を特徴とする。
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットは、鉛を実質的に含まないこと
を特徴とする。
ここで、「鉛を実質的に含まない」とは、ガラスフリットにおける鉛の含有量がRoH
S指令の規制値(0.1質量%)以下であるか、または、鉛の含有量が通常の測定機器に
おいて検出限界以下であることを意味する。
S指令の規制値(0.1質量%)以下であるか、または、鉛の含有量が通常の測定機器に
おいて検出限界以下であることを意味する。
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットにおける、その他のガラス成分
については、基本的には限定されない。ガラスフリットとして、アルミノホウケイ酸アル
カリ土類亜鉛ガラス(SiO2-B2O3-RO-ZnO-Al2O3:RはCa、Sr
、およびBaから選択される少なくとも1種)、ホウケイ酸ガラス(SiO2-B2O3
)、アルミノホウケイ酸ガラス(SiO2-B2O3-Al2O3)、あるいはホウケイ
酸アルカリ土類ガラス(SiO2-B2O3-RO:RはCa、Sr、およびBaから選
択される少なくとも1種)を、好適に用いることができる。
については、基本的には限定されない。ガラスフリットとして、アルミノホウケイ酸アル
カリ土類亜鉛ガラス(SiO2-B2O3-RO-ZnO-Al2O3:RはCa、Sr
、およびBaから選択される少なくとも1種)、ホウケイ酸ガラス(SiO2-B2O3
)、アルミノホウケイ酸ガラス(SiO2-B2O3-Al2O3)、あるいはホウケイ
酸アルカリ土類ガラス(SiO2-B2O3-RO:RはCa、Sr、およびBaから選
択される少なくとも1種)を、好適に用いることができる。
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットの平均粒径は、レーザ回折式粒
度分布測定によるD50(メジアン径)において、5μm以下であることが好ましく、1
μm以上3μm以下の範囲であることがより好ましい。ガラスフリットの粒径が微細であ
れば、厚膜抵抗体中の導電パスを微細にすることができ、よって、厚膜抵抗体の抵抗値の
ばらつきや電流ノイズを抑制することが可能となる。所望の平均粒径のガラスフリットを
得るためには、熔融し冷却したガラスフリットを、ボールミル、ジェットミルなどの公知
の粉砕方法を用いて粉砕すればよい。
度分布測定によるD50(メジアン径)において、5μm以下であることが好ましく、1
μm以上3μm以下の範囲であることがより好ましい。ガラスフリットの粒径が微細であ
れば、厚膜抵抗体中の導電パスを微細にすることができ、よって、厚膜抵抗体の抵抗値の
ばらつきや電流ノイズを抑制することが可能となる。所望の平均粒径のガラスフリットを
得るためには、熔融し冷却したガラスフリットを、ボールミル、ジェットミルなどの公知
の粉砕方法を用いて粉砕すればよい。
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットにおいて、ガラスの軟化点は、
550℃以上750℃以下の範囲にあることが好ましく、600℃以上700℃以下の範
囲にあることがより好ましい。ガラスの軟化点が550℃よりも低いと、厚膜抵抗体用ペ
ーストを焼成して抵抗体を形成する際にガラスフリットが融けすぎて、抵抗体のパターン
が崩れる場合がある。ガラスの軟化点が750℃よりも高いと、ガラスフリットが熔融し
にくくなり、導電性粉末との馴染み(濡れ)が悪くなるため、得られる厚膜抵抗体の電流
ノイズが増大する。
550℃以上750℃以下の範囲にあることが好ましく、600℃以上700℃以下の範
囲にあることがより好ましい。ガラスの軟化点が550℃よりも低いと、厚膜抵抗体用ペ
ーストを焼成して抵抗体を形成する際にガラスフリットが融けすぎて、抵抗体のパターン
が崩れる場合がある。ガラスの軟化点が750℃よりも高いと、ガラスフリットが熔融し
にくくなり、導電性粉末との馴染み(濡れ)が悪くなるため、得られる厚膜抵抗体の電流
ノイズが増大する。
ここで、軟化点は、ガラスを示差熱分析法にて大気中で、5℃/分以上20℃/分以下
で昇温、加熱し、得られた示差熱曲線の最も低温側の示差熱曲線の減少が発現する温度よ
りも高温側の次の示差熱曲線が減少するピークの温度である。
で昇温、加熱し、得られた示差熱曲線の最も低温側の示差熱曲線の減少が発現する温度よ
りも高温側の次の示差熱曲線が減少するピークの温度である。
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットにおいて、ガラスの熱膨張係数
は、40×10-7/K以上100×10-7/K以下の範囲にあることが好ましく、5
0×10-7/K以上90×10-7/K以下の範囲にあることがより好ましい。たとえ
ば、アルミナ基板を用いる場合、この範囲の熱膨張係数を有するガラスからなるガラスフ
リットを用いることによって、得られる厚膜抵抗体の熱膨張係数が、アルミナ基板の熱膨
張係数に近い値になるため、引張応力の問題がなくなる。熱膨張係数はガラスフリットを
棒状に成形して、熱機械的分析装置(TMA)で測定することができる。
は、40×10-7/K以上100×10-7/K以下の範囲にあることが好ましく、5
0×10-7/K以上90×10-7/K以下の範囲にあることがより好ましい。たとえ
ば、アルミナ基板を用いる場合、この範囲の熱膨張係数を有するガラスからなるガラスフ
リットを用いることによって、得られる厚膜抵抗体の熱膨張係数が、アルミナ基板の熱膨
張係数に近い値になるため、引張応力の問題がなくなる。熱膨張係数はガラスフリットを
棒状に成形して、熱機械的分析装置(TMA)で測定することができる。
なお、上記したガラスフリットの軟化点や熱膨張係数については、ガラスフリットの組
成を検討することによって制御することが可能である。
成を検討することによって制御することが可能である。
厚膜抵抗体用組成物におけるガラスフリットの含有量についても、得られる厚膜抵抗体
における所望の抵抗値、導電性粉末およびガラスフリットの種類および粒径に応じて、適
宜調整される。たとえば、面積抵抗値が5kΩ以上の高抵抗の抵抗体を得る場合には、通
常、導電性粉末の含有量に応じて、ガラスフリットの含有量は、70質量%以上95質量
%以下である。
における所望の抵抗値、導電性粉末およびガラスフリットの種類および粒径に応じて、適
宜調整される。たとえば、面積抵抗値が5kΩ以上の高抵抗の抵抗体を得る場合には、通
常、導電性粉末の含有量に応じて、ガラスフリットの含有量は、70質量%以上95質量
%以下である。
[ステアタイト]
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、ステアタイトを含むことを特徴とする。ステアタイト
は、MgO・SiO2の組成式で表される。ステアタイトは、高温環境下でも優れた絶縁
性を示し、高周波特性にも優れ、さらに、機械的強度並びに耐酸化性の点でも優れている
ことから、高周波絶縁体あるいは通信機器の絶縁端子として従来用いられている。また、
ステアタイトは、熱膨張係数も大きく、77×10-7/Kの熱膨張係数を有する。
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、ステアタイトを含むことを特徴とする。ステアタイト
は、MgO・SiO2の組成式で表される。ステアタイトは、高温環境下でも優れた絶縁
性を示し、高周波特性にも優れ、さらに、機械的強度並びに耐酸化性の点でも優れている
ことから、高周波絶縁体あるいは通信機器の絶縁端子として従来用いられている。また、
ステアタイトは、熱膨張係数も大きく、77×10-7/Kの熱膨張係数を有する。
ステアタイトは、その添加により、厚膜抵抗体の抵抗値を上昇させ、かつ、電流ノイズ
を低減させる機能を発揮する。ステアタイトには、ガラス粒子間に集まった導電粒子同士
が焼成過程で起こるガラスの溶融、流動によって凝集するのを低減させる働きがある。ス
テアタイトはガラスと濡れやすく、熱膨張係数が大きいことがこの働きを高めているもの
と考えられる。
を低減させる機能を発揮する。ステアタイトには、ガラス粒子間に集まった導電粒子同士
が焼成過程で起こるガラスの溶融、流動によって凝集するのを低減させる働きがある。ス
テアタイトはガラスと濡れやすく、熱膨張係数が大きいことがこの働きを高めているもの
と考えられる。
本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するステアタイト粉末のBET平均粒径は、2μm
以下であることが好ましく、1μm以下であることがより好ましい。
以下であることが好ましく、1μm以下であることがより好ましい。
厚膜抵抗体用組成物におけるステアタイトの含有量は、3.0質量以上15.0質量%
以下であり、5.0質量%以上14.0質量%以下であることが好ましい。ステアタイト
の含有量が3.0質量%以上であれば、電流ノイズを低減させる効果を十分発現すること
ができる。また、ステアタイトの含有量が15.0質量%以下であれば、抵抗値を高くし
過ぎることなく、電流ノイズを低減させることができる。
以下であり、5.0質量%以上14.0質量%以下であることが好ましい。ステアタイト
の含有量が3.0質量%以上であれば、電流ノイズを低減させる効果を十分発現すること
ができる。また、ステアタイトの含有量が15.0質量%以下であれば、抵抗値を高くし
過ぎることなく、電流ノイズを低減させることができる。
[任意の含有成分]
本発明の厚膜抵抗体用組成物において、導電性粉末とガラスフリットとステアタイトの
ほかに、他の添加剤を添加することも可能である。たとえば、厚膜抵抗体における、面積
抵抗値や抵抗温度係数などの電気的特性の調整、膨張係数の調整、耐電圧性の向上、その
他の改質を目的として、本発明の厚膜抵抗体用組成物は、二酸化マンガン、酸化銅、五酸
化ニオブ、酸化スズ、酸化タンタル、酸化チタンなどの無機成分を、適宜含有することが
できる。
本発明の厚膜抵抗体用組成物において、導電性粉末とガラスフリットとステアタイトの
ほかに、他の添加剤を添加することも可能である。たとえば、厚膜抵抗体における、面積
抵抗値や抵抗温度係数などの電気的特性の調整、膨張係数の調整、耐電圧性の向上、その
他の改質を目的として、本発明の厚膜抵抗体用組成物は、二酸化マンガン、酸化銅、五酸
化ニオブ、酸化スズ、酸化タンタル、酸化チタンなどの無機成分を、適宜含有することが
できる。
これらの無機成分の含有量は、導電性粉末とガラスフリットの合計質量に対して、0.
05質量%以上10質量%以下の範囲とすることが一般的である。
05質量%以上10質量%以下の範囲とすることが一般的である。
(2)厚膜抵抗体用ペースト
本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルとを含み、該厚
膜抵抗体用組成物として、上記の本発明の厚膜抵抗体用組成物が用いられていることを特
徴とする。具体的には、本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、本発明の厚膜抵抗体用組成物
と有機ビヒクルの混練物により構成される。以下、詳細を説明する。
本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルとを含み、該厚
膜抵抗体用組成物として、上記の本発明の厚膜抵抗体用組成物が用いられていることを特
徴とする。具体的には、本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、本発明の厚膜抵抗体用組成物
と有機ビヒクルの混練物により構成される。以下、詳細を説明する。
[有機ビヒクル]
厚膜抵抗体用ペーストを構成する有機ビヒクルは、少なくとも樹脂と溶剤により構成さ
れる。
厚膜抵抗体用ペーストを構成する有機ビヒクルは、少なくとも樹脂と溶剤により構成さ
れる。
有機ビヒクルとして用いることができる樹脂としては、エチルセルロース樹脂、ブチラ
ール樹脂(ポリビニルブチラール)、アクリル樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、
ガラスが軟化する前の温度で分解する樹脂が好ましい。より好ましくは、500℃以下の
温度で分解する樹脂が好ましい。
ール樹脂(ポリビニルブチラール)、アクリル樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、
ガラスが軟化する前の温度で分解する樹脂が好ましい。より好ましくは、500℃以下の
温度で分解する樹脂が好ましい。
樹脂を溶解する溶剤としては、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビト
ールアセテートなどを用いることができる。
ールアセテートなどを用いることができる。
これらの樹脂と溶剤により調合された有機ビヒクルの樹脂と溶剤の配合比は、所望する
粘度や用途によって適宜調整することができる。
粘度や用途によって適宜調整することができる。
また、厚膜抵抗体用ペーストに要求される連続印刷性を考慮し、ペーストの乾燥速度を
制御する観点から、高い沸点を有する可塑剤をさらに加えることができる。この場合の可
塑剤の配合比も、所望する乾燥速度に応じて適宜調整することができる。
制御する観点から、高い沸点を有する可塑剤をさらに加えることができる。この場合の可
塑剤の配合比も、所望する乾燥速度に応じて適宜調整することができる。
厚膜抵抗体用ペーストに対する有機ビヒクルの割合は特に限定されることはないが、厚
膜抵抗体用ペーストの質量に対して、30質量%以上50質量%以下とすることが一般的
である。
膜抵抗体用ペーストの質量に対して、30質量%以上50質量%以下とすることが一般的
である。
[その他の成分]
本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルのほかに、添加
剤を含むことができる。たとえば、導電性粉末やその他の無機成分などの凝集を防ぐ観点
から、分散剤を含むことができる。また、塗布作業性の観点から、レオロジーコントロー
ル剤を含むことができる。
本発明の厚膜抵抗体用ペーストは、厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルのほかに、添加
剤を含むことができる。たとえば、導電性粉末やその他の無機成分などの凝集を防ぐ観点
から、分散剤を含むことができる。また、塗布作業性の観点から、レオロジーコントロー
ル剤を含むことができる。
[厚膜抵抗体用ペーストの調製方法]
厚膜抵抗体用ペーストの調製は、公知の技術を用いればよく、たとえば、3本ロールミ
ル、ボールミルなどを用いることができる。
厚膜抵抗体用ペーストの調製は、公知の技術を用いればよく、たとえば、3本ロールミ
ル、ボールミルなどを用いることができる。
厚膜抵抗体用ペーストでは、導電性粉末、ガラスフリット、ステアタイト、および、そ
の他の無機成分などの凝集を解し、これらを有機ビヒクル中に分散させることが望ましい
。
の他の無機成分などの凝集を解し、これらを有機ビヒクル中に分散させることが望ましい
。
(3)厚膜抵抗体
本発明の厚膜抵抗体は、導電性成分とガラス成分とステアタイトを含む焼成体からなる
。前記導電性成分は、ルテニウム化合物、すなわち、二酸化ルテニウム、ルテニウム酸カ
ルシウム、ルテニウム酸ストロンチウム、およびルテニウム酸バリウムから選択される少
なくとも1種を含む。前記ガラス成分は、鉛を実質的に含まないことを特徴とする。すな
わち、本発明の厚膜抵抗体は、本発明の厚膜抵抗体用ペーストを用いて形成され、本発明
の厚膜抵抗体用組成物を含む焼成体により構成される。
本発明の厚膜抵抗体は、導電性成分とガラス成分とステアタイトを含む焼成体からなる
。前記導電性成分は、ルテニウム化合物、すなわち、二酸化ルテニウム、ルテニウム酸カ
ルシウム、ルテニウム酸ストロンチウム、およびルテニウム酸バリウムから選択される少
なくとも1種を含む。前記ガラス成分は、鉛を実質的に含まないことを特徴とする。すな
わち、本発明の厚膜抵抗体は、本発明の厚膜抵抗体用ペーストを用いて形成され、本発明
の厚膜抵抗体用組成物を含む焼成体により構成される。
したがって、導電性成分は、本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成する導電性粉末と同様
の組成となり、ガラス成分は、本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットと
同様の組成となる。また、ステアタイトの含有量についても、本発明の厚膜抵抗体用組成
物と同様に、前記導電性成分と前記ガラス成分の合計質量に対して3.0質量%以上15
.0質量%以下、好ましくは5.0質量%以上14.0質量%以下である。このため、導
電性成分、ガラス成分、およびステアタイトについての説明は、ここでは省略する。
の組成となり、ガラス成分は、本発明の厚膜抵抗体用組成物を構成するガラスフリットと
同様の組成となる。また、ステアタイトの含有量についても、本発明の厚膜抵抗体用組成
物と同様に、前記導電性成分と前記ガラス成分の合計質量に対して3.0質量%以上15
.0質量%以下、好ましくは5.0質量%以上14.0質量%以下である。このため、導
電性成分、ガラス成分、およびステアタイトについての説明は、ここでは省略する。
以下、厚膜抵抗体の製造方法について説明する。なお、厚膜抵抗体の抵抗値は、厚膜抵
抗体中の導電性粉末とガラスフリットの割合で適宜調整することが可能である。
抗体中の導電性粉末とガラスフリットの割合で適宜調整することが可能である。
[厚膜抵抗体の製造方法]
本発明の厚膜抵抗体の製造方法は、以下の内容に限定されるものではなく、処理条件な
どについては、公知の手段および方法を用いて、適宜変更することができる。
本発明の厚膜抵抗体の製造方法は、以下の内容に限定されるものではなく、処理条件な
どについては、公知の手段および方法を用いて、適宜変更することができる。
まず、厚膜抵抗体用ペーストを基板に塗布する塗布工程を行う。すなわち、アルミナな
どのセラミックス基板上に銀(Ag)、パラジウム(Pd)などからなる電極を形成し、
その上に、本発明の厚膜抵抗体用ペーストを、スクリーン印刷などの手段により塗布する
。
どのセラミックス基板上に銀(Ag)、パラジウム(Pd)などからなる電極を形成し、
その上に、本発明の厚膜抵抗体用ペーストを、スクリーン印刷などの手段により塗布する
。
次に、厚膜抵抗体用ペーストが塗布された基板を焼成する焼成工程を行い、厚膜抵抗体
を作製する。具体的には、塗布工程において、基板に塗布された厚膜抵抗体用ペーストを
、オーブンなどを用いて乾燥させて、その後、ベルト炉などを用いて焼成して、導電性成
分とガラス成分とを含む焼成体を得る。なお、基本的には、厚膜抵抗体用ペーストに含ま
れていた、導電性粉末およびガラスフリットに起因する以外の成分、すなわち、有機ビヒ
クルを構成する樹脂および溶剤、さらには、その他の有機物添加剤は、焼成工程を経てす
べて分解される。
を作製する。具体的には、塗布工程において、基板に塗布された厚膜抵抗体用ペーストを
、オーブンなどを用いて乾燥させて、その後、ベルト炉などを用いて焼成して、導電性成
分とガラス成分とを含む焼成体を得る。なお、基本的には、厚膜抵抗体用ペーストに含ま
れていた、導電性粉末およびガラスフリットに起因する以外の成分、すなわち、有機ビヒ
クルを構成する樹脂および溶剤、さらには、その他の有機物添加剤は、焼成工程を経てす
べて分解される。
以上のような工程により、本発明の厚膜抵抗体が得られる。
本発明の厚膜抵抗体によれば、二酸化ルテニウム、ルテニウム酸カルシウム、ルテニウ
ム酸ストロンチウム、およびルテニウム酸バリウムから選択される少なくとも1種を含む
導電性成分と、鉛を実質的に含まないガラス成分と、ステアタイトとにより少なくとも構
成され。よって、鉛を含有せず、かつ、抵抗値が高く、電流ノイズが小さい、良好な電気
的特性を有する厚膜抵抗体が提供される。
ム酸ストロンチウム、およびルテニウム酸バリウムから選択される少なくとも1種を含む
導電性成分と、鉛を実質的に含まないガラス成分と、ステアタイトとにより少なくとも構
成され。よって、鉛を含有せず、かつ、抵抗値が高く、電流ノイズが小さい、良好な電気
的特性を有する厚膜抵抗体が提供される。
本発明の厚膜抵抗体は、導電性成分とガラス成分のほかに、二酸化マンガン、酸化銅、
五酸化ニオブ、酸化スズ、酸化タンタル、酸化チタンなどの無機成分を含むことができる
。
五酸化ニオブ、酸化スズ、酸化タンタル、酸化チタンなどの無機成分を含むことができる
。
以上においては、主として特定の実施形態を用いて本発明について説明を行い、また、
本発明を実施するための最良の構成、方法などについて開示を行った。ただし、本発明は
、これらに限定されるものではない。本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱する
ことなく、以上に述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成に関し
て、当業者が、省略、追加、変更ないしは修正を加えることは可能であり、これらについ
ても、本発明の範囲に包含される。
本発明を実施するための最良の構成、方法などについて開示を行った。ただし、本発明は
、これらに限定されるものではない。本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱する
ことなく、以上に述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成に関し
て、当業者が、省略、追加、変更ないしは修正を加えることは可能であり、これらについ
ても、本発明の範囲に包含される。
以下、本発明の実施例および比較例によって,本発明についてさらに詳細に説明する。
ただし、本発明は、以下の実施例により限定されるものではない。
ただし、本発明は、以下の実施例により限定されるものではない。
(実施例1)
[厚膜抵抗体用組成物の作製]
〔導電性粉末〕
導電性粉末として、二酸化ルテニウム(RuO2)を使用した。二酸化ルテニウムは、
水酸化ルテニウムを大気中にて800℃で2時間焙焼することにより作製した。そのBE
T平均粒径は、0.05μmであった。
[厚膜抵抗体用組成物の作製]
〔導電性粉末〕
導電性粉末として、二酸化ルテニウム(RuO2)を使用した。二酸化ルテニウムは、
水酸化ルテニウムを大気中にて800℃で2時間焙焼することにより作製した。そのBE
T平均粒径は、0.05μmであった。
〔ガラスフリット〕
ガラスフリットとして、10質量%SrO-43質量%SiO2-16質量%B2O3
-4質量%Al2O3-20質量%ZnO-7質量%Na2Oの組成のガラスフリットを
使用した。このガラスフリットは、通常の手段である、混合、溶融、急冷、および粉砕の
工程を経ることによって作製した。なお、粉砕工程において、ガラスフリットを、その粒
径がレーザ回折式粒度分布測定によるD50(メジアン径)で1.5μmになるまで粉砕
した。
ガラスフリットとして、10質量%SrO-43質量%SiO2-16質量%B2O3
-4質量%Al2O3-20質量%ZnO-7質量%Na2Oの組成のガラスフリットを
使用した。このガラスフリットは、通常の手段である、混合、溶融、急冷、および粉砕の
工程を経ることによって作製した。なお、粉砕工程において、ガラスフリットを、その粒
径がレーザ回折式粒度分布測定によるD50(メジアン径)で1.5μmになるまで粉砕
した。
〔ステアタイト〕
ステアタイトを、丸ス釉薬合資会社製のフォルステライト(商品名:FF-200-M
40、平均粒径2.5μm)と溶融SiO2粉末とを混合し、混合物を1100℃で焙焼
することによって作製した。得られた焙焼物を粉砕することにより、ステアタイトのBE
T平均粒径を1.0μmとした。
ステアタイトを、丸ス釉薬合資会社製のフォルステライト(商品名:FF-200-M
40、平均粒径2.5μm)と溶融SiO2粉末とを混合し、混合物を1100℃で焙焼
することによって作製した。得られた焙焼物を粉砕することにより、ステアタイトのBE
T平均粒径を1.0μmとした。
〔有機ビヒクル〕
有機ビヒクルとして、エチルセルロースをターピネオールに溶解したものを使用した。
混合比は、エチルセルロース:ターピネオールを1:9とした。
有機ビヒクルとして、エチルセルロースをターピネオールに溶解したものを使用した。
混合比は、エチルセルロース:ターピネオールを1:9とした。
[厚膜抵抗体用ペーストの作製]
厚膜抵抗体の目標とする、焼成後の膜厚を7μm~9μm、面積抵抗値を10kΩ(±
20%)、33kΩ(±20%)、100kΩ(±20%)に設定し、実施例1~3、お
よび、比較例1~3として、上述した導電性粉末、ガラスフリット、およびステアタイト
を、17.5質量%、77.5質量%、および5.0質量%の割合で含有する厚膜抵抗体
用組成物60質量%と、有機ビヒクル40質量%とを混合し、3本ロールミルで混練して
、厚膜抵抗体用抵抗ペーストを作製した。厚膜抵抗体用組成物の組成を表1に示す。
厚膜抵抗体の目標とする、焼成後の膜厚を7μm~9μm、面積抵抗値を10kΩ(±
20%)、33kΩ(±20%)、100kΩ(±20%)に設定し、実施例1~3、お
よび、比較例1~3として、上述した導電性粉末、ガラスフリット、およびステアタイト
を、17.5質量%、77.5質量%、および5.0質量%の割合で含有する厚膜抵抗体
用組成物60質量%と、有機ビヒクル40質量%とを混合し、3本ロールミルで混練して
、厚膜抵抗体用抵抗ペーストを作製した。厚膜抵抗体用組成物の組成を表1に示す。
[厚膜抵抗体の作製]
あらかじめAgPdペーストを用いて電極を形成しておいたアルミナ基板上に、上記の
通りに作製した厚膜抵抗体用ペーストを、幅1mmで、電極間が1mm(1mm×1mm
)となるサイズにスクリーン印刷により塗布し、その後、基板に塗布された厚膜抵抗体用
ペーストを、オーブンを用いて150℃で10分間乾燥した後、ベルト焼成炉を用いて、
ピ-ク温度850℃、ピーク時間9分、焼成時間をトータルで30分とする条件にて、焼
成することにより、厚膜抵抗体を作製した。
あらかじめAgPdペーストを用いて電極を形成しておいたアルミナ基板上に、上記の
通りに作製した厚膜抵抗体用ペーストを、幅1mmで、電極間が1mm(1mm×1mm
)となるサイズにスクリーン印刷により塗布し、その後、基板に塗布された厚膜抵抗体用
ペーストを、オーブンを用いて150℃で10分間乾燥した後、ベルト焼成炉を用いて、
ピ-ク温度850℃、ピーク時間9分、焼成時間をトータルで30分とする条件にて、焼
成することにより、厚膜抵抗体を作製した。
[厚膜抵抗体の評価]
厚膜抵抗体の電気特性を評価するため、それぞれの厚膜抵抗体について、以下のように
、面積抵抗値、および電流ノイズを測定した。
厚膜抵抗体の電気特性を評価するため、それぞれの厚膜抵抗体について、以下のように
、面積抵抗値、および電流ノイズを測定した。
〔面積抵抗値〕
厚膜抵抗体の面積抵抗値は、マルチメータ(KEITHLEY社製、Model200
1)を用いて、4端子法にて測定した。
厚膜抵抗体の面積抵抗値は、マルチメータ(KEITHLEY社製、Model200
1)を用いて、4端子法にて測定した。
〔電流ノイズ〕
電流ノイズは、ノイズメータ(Quan-Tech社製、Model315C)を用い
て、1/10W印加にて測定した。
電流ノイズは、ノイズメータ(Quan-Tech社製、Model315C)を用い
て、1/10W印加にて測定した。
面積抵抗値および電流ノイズの測定結果を、表2に示す。
(実施例2)
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびステアタイトを、17.2質量%、73.
0質量%、および9.8質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は
、実施例1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびステアタイトを、17.2質量%、73.
0質量%、および9.8質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は
、実施例1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(実施例3)
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびステアタイトを、17.4質量%、68.
6質量%、および14.0質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外
は、実施例1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびステアタイトを、17.4質量%、68.
6質量%、および14.0質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外
は、実施例1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(比較例1)
ステアタイトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、15.0質量%
および85.0質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例
1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
ステアタイトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、15.0質量%
および85.0質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例
1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(比較例2)
ステアタイトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、10.0質量%
および90.0質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例
1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
ステアタイトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、10.0質量%
および90.0質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例
1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(比較例3)
ステアタイトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、7.5質量%お
よび92.5質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例1
と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
ステアタイトを添加せず、二酸化ルテニウムおよびガラスフリットを、7.5質量%お
よび92.5質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は、実施例1
と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(比較例4)
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびステアタイトを、17.5質量%、80.
0質量%、および2.5質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は
、実施例1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびステアタイトを、17.5質量%、80.
0質量%、および2.5質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外は
、実施例1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
(比較例5)
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびステアタイトを、17.5質量%、65.
0質量%、および17.5質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外
は、実施例1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
二酸化ルテニウム、ガラスフリット、およびステアタイトを、17.5質量%、65.
0質量%、および17.5質量%の割合で含有する厚膜抵抗体用組成物を用いたこと以外
は、実施例1と同様にして、厚膜抵抗体を得て、その評価を行った。
[考察]
本発明の実施例と比較例で作製された厚膜抵抗体の電気的特性から、添加剤としてステ
アタイトを用いた厚膜抵抗体(実施例1~3)は、添加剤を含まない厚膜抵抗体(比較例
1~3)およびステアタイトの添加量が本発明の範囲を外れる厚膜抵抗体(比較例4およ
び5)との比較において、所望の面積抵抗値に応じて、電流ノイズが十分に小さくなって
おり、厚膜抵抗体として優れていることが理解される。
本発明の実施例と比較例で作製された厚膜抵抗体の電気的特性から、添加剤としてステ
アタイトを用いた厚膜抵抗体(実施例1~3)は、添加剤を含まない厚膜抵抗体(比較例
1~3)およびステアタイトの添加量が本発明の範囲を外れる厚膜抵抗体(比較例4およ
び5)との比較において、所望の面積抵抗値に応じて、電流ノイズが十分に小さくなって
おり、厚膜抵抗体として優れていることが理解される。
Claims (12)
- 導電性粉末と、ガラスフリットとを含み、3.0質量%以上15.0質量%以下のステ
アタイトが添加されていることを特徴とする、厚膜抵抗体用組成物。 - 前記ステアタイトの添加量が、5.0質量%以上14.0質量%以下である、請求項1
に記載の厚膜抵抗体用組成物。 - 前記導電性粉末の含有量は、5質量%以上30質量%以下である、請求項1または2に
記載の厚膜抵抗体用組成物。 - 前記導電性粉末は、ルテニウム化合物からなる、請求項1~3のいずれかに記載の厚膜
抵抗体用組成物。 - 前記ルテニウム化合物は、二酸化ルテニウムおよび/またはルテニウム酸アルカリ土類
金属からなる、請求項4に記載の厚膜抵抗体用組成物。 - 厚膜抵抗体用組成物と有機ビヒクルとを含み、前記厚膜抵抗体用組成物として、請求項
1~5のいずれかに記載の厚膜抵抗体用組成物が用いられている、厚膜抵抗体用ペースト
。 - 前記有機ビヒクルの含有量は、前記厚膜抵抗体用ペーストの質量に対して、30質量%
以上50質量%以下である、請求項6に記載の厚膜抵抗体用ペースト。 - 導電性成分とガラス成分とステアタイトを含む焼成体からなり、前記ガラス成分は、鉛
を実質的に含まず、前記導電性成分と前記ガラス成分の合計質量に対して、ステアタイト
を3.0質量%以上15.0質量%以下含有する、厚膜抵抗体。 - 前記ステアタイトの含有量が、5.0質量%以上14.0質量%以下である、請求項8
に記載の厚膜抵抗体。 - 前記導電性成分の含有量は、5質量%以上30質量%以下である、請求項8または9に
記載の厚膜抵抗体。 - 前記導電性成分は、ルテニウム化合物からなる、請求項8~10のいずれかに記載の厚
膜抵抗体。 - 前記ルテニウム化合物は、二酸化ルテニウムおよび/またはルテニウム酸アルカリ土類
金属からなる、請求項11に記載の厚膜抵抗体。
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US4209764A (en) * | 1978-11-20 | 1980-06-24 | Trw, Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
JPS62216301A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | 昭栄化学工業株式会社 | 抵抗組成物 |
JPH04320003A (ja) * | 1991-04-18 | 1992-11-10 | Tdk Corp | 厚膜抵抗体 |
-
2019
- 2019-06-05 JP JP2019105094A patent/JP2020198404A/ja active Pending
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2023
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