JPS62216301A - 抵抗組成物 - Google Patents
抵抗組成物Info
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- JPS62216301A JPS62216301A JP61059859A JP5985986A JPS62216301A JP S62216301 A JPS62216301 A JP S62216301A JP 61059859 A JP61059859 A JP 61059859A JP 5985986 A JP5985986 A JP 5985986A JP S62216301 A JPS62216301 A JP S62216301A
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明は窒化アルミニウム系セラミックス基板上に厚膜
抵抗体を形成するのに適した抵抗組成物(こ関する。
抵抗体を形成するのに適した抵抗組成物(こ関する。
従来の技)41
エレク1−〇二クス回路用の耐熱性絶縁基板としては、
従来より酸化物系セラミックスか広く用いられている。
従来より酸化物系セラミックスか広く用いられている。
特にアルミナ基板は電気絶縁性、及び機械的特性が共に
優れており、回路基板として最も一般的に使用されてい
るが、熱伝導率が0.05cal/cm −s ・°C
と程度と低いため、素子から大量の発熱がめった場合、
熱の放散が良好に行われない欠点がある。又、熱膨張係
数が7.5X 10−6/’Cと、3iの3.5X 1
0−6/ ’Cに比べて高いため、半導体素子のマウン
トに不利である。ことに近年、実装密度がより高くなる
傾向に市り、それに伴って発熱量も多くなってくるので
、熱の放散性が優れ、かつ低熱膨張係数の基板材料が強
く求められており、このため熱伝導率が大きく、熱膨張
係数が3iに近い窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪
素などの非酸化物系セラミックスか注目されている。特
に窒化アルミニウム系セラミックスは、高い熱伝導率を
有し、かつ電気的、機械的にも従来の酸化物系セラミッ
クスに匹敵する優れた性能を有する、バランスのよくと
れた基板材料として注目されており、これを回路基板と
して使用する要望が高まっている。
優れており、回路基板として最も一般的に使用されてい
るが、熱伝導率が0.05cal/cm −s ・°C
と程度と低いため、素子から大量の発熱がめった場合、
熱の放散が良好に行われない欠点がある。又、熱膨張係
数が7.5X 10−6/’Cと、3iの3.5X 1
0−6/ ’Cに比べて高いため、半導体素子のマウン
トに不利である。ことに近年、実装密度がより高くなる
傾向に市り、それに伴って発熱量も多くなってくるので
、熱の放散性が優れ、かつ低熱膨張係数の基板材料が強
く求められており、このため熱伝導率が大きく、熱膨張
係数が3iに近い窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪
素などの非酸化物系セラミックスか注目されている。特
に窒化アルミニウム系セラミックスは、高い熱伝導率を
有し、かつ電気的、機械的にも従来の酸化物系セラミッ
クスに匹敵する優れた性能を有する、バランスのよくと
れた基板材料として注目されており、これを回路基板と
して使用する要望が高まっている。
ところがこの窒化アルミニウム基板上に厚膜回路を形成
する場合、従来普通に使用されている、導電性粉末と非
晶質ガラスフリットを主成分とする抵抗組成物を印刷、
焼成すると、著しい凝集や発泡が起こり、抵抗被膜が形
成されない。従って抵抗を含む回路の基板として窒化ア
ルミニウム系セラミックスを使用することができなかっ
た。
する場合、従来普通に使用されている、導電性粉末と非
晶質ガラスフリットを主成分とする抵抗組成物を印刷、
焼成すると、著しい凝集や発泡が起こり、抵抗被膜が形
成されない。従って抵抗を含む回路の基板として窒化ア
ルミニウム系セラミックスを使用することができなかっ
た。
発明が解決すべき問題点
本発明の目的は、窒化アルミニウム系セラミックス基板
上に焼付けたとき、クランクや凝集、発泡等の欠陥のな
い、良好な抵抗被膜を形成することができ、しかも抵抗
値の安定性、T CRVj性の優れた抵抗組成物を得る
ことにおる。
上に焼付けたとき、クランクや凝集、発泡等の欠陥のな
い、良好な抵抗被膜を形成することができ、しかも抵抗
値の安定性、T CRVj性の優れた抵抗組成物を得る
ことにおる。
本発明者等は、従来の非晶質ガラスを用いた抵抗組成物
では、焼成中に軟化したガラスの窒化アルミニウム基板
への滲込みや基板との反応が大きく、このため導電粒子
の凝集等が起こって成膜できないものと考え、無機結合
剤について検討を行った結果、特殊な組成の結晶性ガラ
スを用いると極めて良好な抵抗被膜を形成し得ることを
見出した。
では、焼成中に軟化したガラスの窒化アルミニウム基板
への滲込みや基板との反応が大きく、このため導電粒子
の凝集等が起こって成膜できないものと考え、無機結合
剤について検討を行った結果、特殊な組成の結晶性ガラ
スを用いると極めて良好な抵抗被膜を形成し得ることを
見出した。
間一点を解決するための 段
本発明は、導電性粉末と、無機結合剤と、有機ビヒクル
と、所望により金属酸化物添加剤とからなる抵抗組成物
において、前記無機結合剤が、(a)S! 02、A1
203、B2O3、CaO1ZnO1及びTi O2を
主成分とする結晶性ガラスフリット、 もしくは、 (b) (a)とアルミナ(A1203)、マグネシア
(M(] O) 、ムライト(2A1203・2 Si
O2)、フォルステライト(2Mgo−8iO2)、
ステアタイl−(Ma 0−3i 02 >及びコージ
ェライト(2MQ 0・2A1203・5 S! 02
>から選ばれるセラミックス粉末の少なくとも1種と
の混合物 であることを特徴とする窒化アルミニウム系セラミック
ス基板用抵抗組成物である。
と、所望により金属酸化物添加剤とからなる抵抗組成物
において、前記無機結合剤が、(a)S! 02、A1
203、B2O3、CaO1ZnO1及びTi O2を
主成分とする結晶性ガラスフリット、 もしくは、 (b) (a)とアルミナ(A1203)、マグネシア
(M(] O) 、ムライト(2A1203・2 Si
O2)、フォルステライト(2Mgo−8iO2)、
ステアタイl−(Ma 0−3i 02 >及びコージ
ェライト(2MQ 0・2A1203・5 S! 02
>から選ばれるセラミックス粉末の少なくとも1種と
の混合物 であることを特徴とする窒化アルミニウム系セラミック
ス基板用抵抗組成物である。
作男
無機結合剤として、S! 02 、AI 203、B2
O3 、Ca o、Zn o、及びT i 02を主成
分とする結晶性ガラスフリットを使用した本発明の組成
物を窒化アルミニウム系セラミックス基板に印刷、焼成
すると、凝集、発泡のない実用可能な抵抗被膜が形成さ
れる。これはこのガラスの結晶性が非常に強く、窒化ア
ルミニウムとの反応が少ない上に焼成中ガラスの軟化流
動と引続く結晶化が適切な温度範囲で起こるため基板へ
の浸透が適度に抑えられる等の理由によるものと考えら
れる。
O3 、Ca o、Zn o、及びT i 02を主成
分とする結晶性ガラスフリットを使用した本発明の組成
物を窒化アルミニウム系セラミックス基板に印刷、焼成
すると、凝集、発泡のない実用可能な抵抗被膜が形成さ
れる。これはこのガラスの結晶性が非常に強く、窒化ア
ルミニウムとの反応が少ない上に焼成中ガラスの軟化流
動と引続く結晶化が適切な温度範囲で起こるため基板へ
の浸透が適度に抑えられる等の理由によるものと考えら
れる。
又、従来のアルミナ基板用の抵抗組成物においては、結
合剤が結晶性ガラスであると、導電粒子の安定なネット
ワークの形成が妨げられ良好な抵抗特性が得られないた
め、通常非晶質ガラスを使用するのであるが、窒化アル
ミニウム基板の場合、上記組成の結晶性ガラスを用いる
ことにより、逆に抵抗特性及び安定性の優れた厚膜抵抗
体が得られる。これは、上記組成の結晶性ガラスがただ
単に基板への滲込みが少ないことによる構造的な安定性
を与えるだけでなく、基板とガラスとの何らかの反応に
よる抵抗体の不安定さを取除いたものと考えられる。
合剤が結晶性ガラスであると、導電粒子の安定なネット
ワークの形成が妨げられ良好な抵抗特性が得られないた
め、通常非晶質ガラスを使用するのであるが、窒化アル
ミニウム基板の場合、上記組成の結晶性ガラスを用いる
ことにより、逆に抵抗特性及び安定性の優れた厚膜抵抗
体が得られる。これは、上記組成の結晶性ガラスがただ
単に基板への滲込みが少ないことによる構造的な安定性
を与えるだけでなく、基板とガラスとの何らかの反応に
よる抵抗体の不安定さを取除いたものと考えられる。
本発明で用いる結晶性ガラスの好ましい重量組成は次の
通りである。
通りである。
Si 02 28 42%
AI 20310−22%
B2O31−5%
Ca014−25%
Zn015−25%
Ti 02 6 15%
SiO2はガラスのネットワークフォーマ−で必り又ガ
ラスを焼成したとき析出する結晶(CaA12Si20
8、アノーサイト)の主成分である。28%未満ではガ
ラスの軟化点か低く、焼成時、結晶化が起こる前にカラ
スが流動し過ぎ、窒化アルミニウム基板への浸透が大き
くなる。又42%を越えると結晶化温度が高くなりすぎ
る。
ラスを焼成したとき析出する結晶(CaA12Si20
8、アノーサイト)の主成分である。28%未満ではガ
ラスの軟化点か低く、焼成時、結晶化が起こる前にカラ
スが流動し過ぎ、窒化アルミニウム基板への浸透が大き
くなる。又42%を越えると結晶化温度が高くなりすぎ
る。
Al2O3も結晶相の主要成分でおり、10%より少な
いと結晶が析出しにくく、22%を越えるとガラスの溶
融時に失透してしまうので好ましくない。
いと結晶が析出しにくく、22%を越えるとガラスの溶
融時に失透してしまうので好ましくない。
B2O3はガラスの溶融時、ガラス化を促進する効果が
あるか、5%を越えると結晶化が進みにくくなる。
あるか、5%を越えると結晶化が進みにくくなる。
CaOは結晶相(アノーサイト)の構成成分の一つであ
り、14%未満ではこの結晶相の析出が弱く、又25%
を越えるとガラス溶融時に失透傾向が強まり、好ましく
ない。
り、14%未満ではこの結晶相の析出が弱く、又25%
を越えるとガラス溶融時に失透傾向が強まり、好ましく
ない。
znoは焼成中に生ずる結晶(Zn 23r o4、ウ
イレマイト)の主成分である。15%より少ないとこの
結晶の析出が弱く、25%を越えると転移点が高くなり
過ぎ、又ガラス化も困難になる。
イレマイト)の主成分である。15%より少ないとこの
結晶の析出が弱く、25%を越えると転移点が高くなり
過ぎ、又ガラス化も困難になる。
TiO2はガラスの結晶化を制御するために配合され、
6%〜15%の範囲で結晶化が起こり易くなる。
6%〜15%の範囲で結晶化が起こり易くなる。
更にこのガラスの成分として、本発明の効果を妨げない
範囲で他の金属酸化物を添加しても差支えない。
範囲で他の金属酸化物を添加しても差支えない。
本発明においては、無機結合剤として、この結晶性ガラ
スに加えてアルミナ、マグネシア、ムライト、フォルス
テライト、ステアタイト及びコージェライトから選ばれ
るセラミックス粉末の少なくとも1種を添加してもよい
。これらセラミックス粉末は、結晶相の生成を容易にす
るとともにガラスの溶融時の粘度低下を防止し、ガラス
の基板への浸透を抑制する効果があり、ガラス100重
1部に対して20重量部の比率で配合するのが好ましい
。
スに加えてアルミナ、マグネシア、ムライト、フォルス
テライト、ステアタイト及びコージェライトから選ばれ
るセラミックス粉末の少なくとも1種を添加してもよい
。これらセラミックス粉末は、結晶相の生成を容易にす
るとともにガラスの溶融時の粘度低下を防止し、ガラス
の基板への浸透を抑制する効果があり、ガラス100重
1部に対して20重量部の比率で配合するのが好ましい
。
導電性粉末としては、従来の抵抗組成物の導電成分とし
て用いられている酸化ルテニウム、ルテニウムを含むパ
イロクロア型多成分酸化物、パラジウム、銀、金属穴硼
化物、酸化錫などがいずれも使用できる。抵抗値の調整
は、常法通り導電性粉末と無機結合剤の配合比を変化さ
せることによって行う。
て用いられている酸化ルテニウム、ルテニウムを含むパ
イロクロア型多成分酸化物、パラジウム、銀、金属穴硼
化物、酸化錫などがいずれも使用できる。抵抗値の調整
は、常法通り導電性粉末と無機結合剤の配合比を変化さ
せることによって行う。
TCRやその他の抵抗特性は、従来の抵抗組成物と同様
に金属酸化物添加剤を必要により適宜配合することによ
って調整することができる。例えばTCR調整剤として
は公知の酸化銅、酸化マンガン、酸化ランタン、酸化ネ
オジム、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化チタン、酸
化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化珪素などが使用
される。
に金属酸化物添加剤を必要により適宜配合することによ
って調整することができる。例えばTCR調整剤として
は公知の酸化銅、酸化マンガン、酸化ランタン、酸化ネ
オジム、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化チタン、酸
化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化珪素などが使用
される。
有機ビヒクルも、従来から厚膜組成物に使用されている
ものを適宜選択して用いればよい。
ものを適宜選択して用いればよい。
丈旌■
以下実施例によって本発明を具体的に説明する。
尚実施例中「部」及び1%」はすべて重量基準である。
実施例1
RU 02粉末 55.6部下記組
成の結晶性ガラスフリソ1−44.4部Mn O2粉末
11.1部有機ビヒクル(エチル
セルロースのテルピネオール溶液>
36.0部[ガラスフリット組成] 5in232.0% AI 20317.3%B2O
32,4% Ca O20,6%Zn O16,4%
Tl 02 10.2%MgO1,1% 上記組成の抵抗ペーストを作成だ。このペーストを予め
Ag/Pd電極を形成した窒化アルミニウム系セラミッ
クス基板(徳山曹達株式会社製)上にスクリーン印刷し
て2 mmx 4 mmの抵抗パターンを形成し、15
0℃で10分間乾燥した後、ピーク温度870°C13
0分プロファイルで焼成して抵抗体を製造した。
成の結晶性ガラスフリソ1−44.4部Mn O2粉末
11.1部有機ビヒクル(エチル
セルロースのテルピネオール溶液>
36.0部[ガラスフリット組成] 5in232.0% AI 20317.3%B2O
32,4% Ca O20,6%Zn O16,4%
Tl 02 10.2%MgO1,1% 上記組成の抵抗ペーストを作成だ。このペーストを予め
Ag/Pd電極を形成した窒化アルミニウム系セラミッ
クス基板(徳山曹達株式会社製)上にスクリーン印刷し
て2 mmx 4 mmの抵抗パターンを形成し、15
0℃で10分間乾燥した後、ピーク温度870°C13
0分プロファイルで焼成して抵抗体を製造した。
この抵抗体のシート抵抗値及びTCRを測定し、結果を
表1に示した。尚、TCRは高温側は+25〜+125
°C1低温側は一25°C〜+25°Cで測定を行った
ものである。
表1に示した。尚、TCRは高温側は+25〜+125
°C1低温側は一25°C〜+25°Cで測定を行った
ものである。
実施例2〜5
RuO2粉末、ガラスフリット、TCP調整剤としての
MnO2及びCUOを表1に示す比率で配合する以外は
実施例1と同様にして抵抗体を製造し、特性を表1に示
した。
MnO2及びCUOを表1に示す比率で配合する以外は
実施例1と同様にして抵抗体を製造し、特性を表1に示
した。
表1
実施例6
RuO2粉末 58.5部下記組成の
結晶性ガラスフリット 39.4部アルミナ粉末
2.1部Mn O2粉末8.4部 有機ビヒクル(エチルセルロースのテルピネオール溶液
) 36.0部[ガラスフリット
組成コ 5iO234,1% AI 2 o313.1%B2
032.5% Ca O22,0%ZnO17,5%
Ti 0210.8%上記組成の抵抗ペーストを作
成し、予めA(]/Pd電極を形成した窒化アルミニウ
ム系セラミックス基板(徳山曹達株式会社製)上にスク
リーン印刷して2 mmX 4. mmの抵抗パターン
を形成し、150″Cで10分間乾燥した後ピーク温度
920°C130分プロファイルで焼成して抵抗体を製
造した。
結晶性ガラスフリット 39.4部アルミナ粉末
2.1部Mn O2粉末8.4部 有機ビヒクル(エチルセルロースのテルピネオール溶液
) 36.0部[ガラスフリット
組成コ 5iO234,1% AI 2 o313.1%B2
032.5% Ca O22,0%ZnO17,5%
Ti 0210.8%上記組成の抵抗ペーストを作
成し、予めA(]/Pd電極を形成した窒化アルミニウ
ム系セラミックス基板(徳山曹達株式会社製)上にスク
リーン印刷して2 mmX 4. mmの抵抗パターン
を形成し、150″Cで10分間乾燥した後ピーク温度
920°C130分プロファイルで焼成して抵抗体を製
造した。
この抵抗体のシート抵抗値及びTCRを測定し、結果を
表2に示した。
表2に示した。
実施例7〜10
RuO2粉末、ガラスフリット、アルミナ粉末、TCP
調整剤としてのMnO2及びCU Oを表2に示す比率
で配合する以外は実施例6と同様にして抵抗体を製造し
、特性を表2に示した。
調整剤としてのMnO2及びCU Oを表2に示す比率
で配合する以外は実施例6と同様にして抵抗体を製造し
、特性を表2に示した。
表2
比較例1
ガラスフリットとして、Pbo−B2O2−8102系
非晶質ガラスを用いる以外は実施例1と同様にして抵抗
ペーストを製造し、窒化アルミニウム基板上に焼付けし
たところ、RuO2粒子が凝集し、抵抗被膜は形成され
ながった。
非晶質ガラスを用いる以外は実施例1と同様にして抵抗
ペーストを製造し、窒化アルミニウム基板上に焼付けし
たところ、RuO2粒子が凝集し、抵抗被膜は形成され
ながった。
比較例2
ガラスフリットとして、Pb 0−B203−3! 0
2 Al2O3CaOZnO系非晶質ガラスを用いる
以外は実施例1と同様にして抵抗ペース1〜を製造し、
窒化アルミニウム基板上に焼付【ブしたところ、Rtl
o2粒子が凝集し、抵抗被膜は形成されなかった。
2 Al2O3CaOZnO系非晶質ガラスを用いる
以外は実施例1と同様にして抵抗ペース1〜を製造し、
窒化アルミニウム基板上に焼付【ブしたところ、Rtl
o2粒子が凝集し、抵抗被膜は形成されなかった。
尺団■四釆
本発明の組成物は、無機結合剤として前記の組成の結晶
性の強いガラスフリット又はこれとアルミナとの混合物
を使用することにより、窒化アルミニウム系セラミック
ス基板上に特性の優れた抵抗体を形成することができる
。これによってアルミナ基板に比べて熱伝導率が高く、
熱膨張係数の低い窒化アルミニウム系セラミックスを、
抵抗を含む回路の基板として使用することが可能になり
、より信頼性の高い高密度実装基板が製造される。
性の強いガラスフリット又はこれとアルミナとの混合物
を使用することにより、窒化アルミニウム系セラミック
ス基板上に特性の優れた抵抗体を形成することができる
。これによってアルミナ基板に比べて熱伝導率が高く、
熱膨張係数の低い窒化アルミニウム系セラミックスを、
抵抗を含む回路の基板として使用することが可能になり
、より信頼性の高い高密度実装基板が製造される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 導電性粉末と、無機結合剤と、有機ビヒクルと、所
望により金属酸化物添加剤とからなる抵抗組成物におい
て、前記無機結合剤が、 (a)SiO_2、Al_2O_3、B_2O_3、C
aO、ZnO及びTiO_2を主成分とする結晶性ガラ
スフリット、 もしくは、 (b)(a)とアルミナ、マグネシア、ムライト、フォ
ルステライト、ステアタイト及びコージェライトから選
ばれるセラミックス粉末の少なくとも1種との混合物 であることを特徴とする窒化アルミニウム系セラミック
ス基板用抵抗組成物。 2 結晶性ガラスフリットが重量で、 SiO_228−42% Al_2O_310−22% B_2O_31−5% CaO14−25% ZnO15−25% TiO_26−15% からなる組成である特許請求の範囲第1項記載の抵抗組
成物。 3 セラミックス粉末の比率が結晶性ガラスフリット1
00重量部に対して20重量部以下である特許請求の範
囲第1項又は特許請求の範囲第2項記載の抵抗組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61059859A JPS62216301A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 抵抗組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61059859A JPS62216301A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 抵抗組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62216301A true JPS62216301A (ja) | 1987-09-22 |
JPH0439201B2 JPH0439201B2 (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=13125325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61059859A Granted JPS62216301A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 抵抗組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62216301A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6459802A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Sumitomo Metal Mining Co | Composition for formation of resistance film |
JPH01211901A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗被膜形成用組成物 |
JP2019537838A (ja) * | 2016-10-11 | 2019-12-26 | イザベレンヒュッテ ホイスラー ゲー・エム・ベー・ハー ウント コンパニー コマンデイトゲゼルシャフト | 抵抗合金を基材とするペーストを使用して層構造体を製造する方法 |
JP2020198403A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体 |
JP2020198404A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61059859A patent/JPS62216301A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6459802A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Sumitomo Metal Mining Co | Composition for formation of resistance film |
JPH01211901A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗被膜形成用組成物 |
JP2019537838A (ja) * | 2016-10-11 | 2019-12-26 | イザベレンヒュッテ ホイスラー ゲー・エム・ベー・ハー ウント コンパニー コマンデイトゲゼルシャフト | 抵抗合金を基材とするペーストを使用して層構造体を製造する方法 |
JP2020198403A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体 |
JP2020198404A (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0439201B2 (ja) | 1992-06-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |