JPS62285401A - サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
サ−ミスタの製造方法Info
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- JPS62285401A JPS62285401A JP61128794A JP12879486A JPS62285401A JP S62285401 A JPS62285401 A JP S62285401A JP 61128794 A JP61128794 A JP 61128794A JP 12879486 A JP12879486 A JP 12879486A JP S62285401 A JPS62285401 A JP S62285401A
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- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 9
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
- H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（ａｌ技術分野
この発明は、サーミスタ素体表面に電極を焼付形成した
サーミスタの製造方法に関する。
サーミスタの製造方法に関する。
（ｂｌ従来技術とその欠点
温度センサの中にはサーミスタ素体表面に電極を焼付形
成し、この電極にリード線を接続したサーミスタを用い
ているものがある。このようなサーミスタの製造方法と
しては従来、１１００〜１４００°Ｃ程度の温度で焼結
したサーミスタ素体のチップ表面にペースト状のＰｔ、
Ａｇ−Ｐｄ、ＡＵ等の電極素材を塗布し１１００〜１４
００°Ｃの温度で焼付けて電極を形成している。このよ
うにして形成した電極にジュメット線（Ｎｉ−Ｃｕ合金
）等のリード線をＡｕペースト等を接着剤として１５０
〜３００℃程度の温度で焼付けることによってリード線
を電極に接着していた。
成し、この電極にリード線を接続したサーミスタを用い
ているものがある。このようなサーミスタの製造方法と
しては従来、１１００〜１４００°Ｃ程度の温度で焼結
したサーミスタ素体のチップ表面にペースト状のＰｔ、
Ａｇ−Ｐｄ、ＡＵ等の電極素材を塗布し１１００〜１４
００°Ｃの温度で焼付けて電極を形成している。このよ
うにして形成した電極にジュメット線（Ｎｉ−Ｃｕ合金
）等のリード線をＡｕペースト等を接着剤として１５０
〜３００℃程度の温度で焼付けることによってリード線
を電極に接着していた。
ところが、焼結済みのサーミスタ素体表面に電１、箸を
焼付形成するため、サーミスタ素体と電極との結合が密
に成りにくくサーミスタ素体の特性が安定しなくなる欠
点があった。また、上記のような製造方法ではサーミス
タ素体の焼結時と電極の焼付時との二度に分けて１１０
０〜１４００°Ｃ程度の高温を加えなければならず、製
造工程が面倒になるとともにコスト高となる欠点があっ
た。
焼付形成するため、サーミスタ素体と電極との結合が密
に成りにくくサーミスタ素体の特性が安定しなくなる欠
点があった。また、上記のような製造方法ではサーミス
タ素体の焼結時と電極の焼付時との二度に分けて１１０
０〜１４００°Ｃ程度の高温を加えなければならず、製
造工程が面倒になるとともにコスト高となる欠点があっ
た。
（Ｃ）発明の目的
この発明の目的は、サーミスタ素体と電極との結合を密
にしてサーミスタの特性を安定させるとともに、製造の
工程数を省き製造コストを安価にすることのできるサー
ミスタの製造方法を提供することにある。
にしてサーミスタの特性を安定させるとともに、製造の
工程数を省き製造コストを安価にすることのできるサー
ミスタの製造方法を提供することにある。
（ｄ）発明の構成および効果
この発明は、焼結によってサーミスタ素体となるグリー
ンシートの表面に電極ペーストを塗布後焼結し、この焼
結によって形成される電極にリード線を接続することを
特徴とする。
ンシートの表面に電極ペーストを塗布後焼結し、この焼
結によって形成される電極にリード線を接続することを
特徴とする。
上記のようにして製造することによりこの発明によれば
、電極ペーストを塗布したサーミスタ素体のグリーンシ
ートを焼結すると、前記電極ペーストが前記グリーンシ
ートの内部にくい込んだ形で焼き締まり、サーミスタ素
体と電極との結合が密になる。サーミスタ素体と電極と
の結合が密になることによってサーミスタ素体の特性が
そのまま確実に電極に現われ、サーミスタの特性が安定
する。また、サーミスタ素体と電極とを同時に焼結する
ことができるため、製造工程を省くことができ、製造コ
ストを安価にすることができる。
、電極ペーストを塗布したサーミスタ素体のグリーンシ
ートを焼結すると、前記電極ペーストが前記グリーンシ
ートの内部にくい込んだ形で焼き締まり、サーミスタ素
体と電極との結合が密になる。サーミスタ素体と電極と
の結合が密になることによってサーミスタ素体の特性が
そのまま確実に電極に現われ、サーミスタの特性が安定
する。また、サーミスタ素体と電極とを同時に焼結する
ことができるため、製造工程を省くことができ、製造コ
ストを安価にすることができる。
（ｅｌ実施例
第１図はこの発明の実施例であるサーミスタの製造工程
を表した図である。図中１〜９は製造工程番号を表す。
を表した図である。図中１〜９は製造工程番号を表す。
以下順を追って説明する。
まず、サーミスタ素体として例えば金属酸化物系材料（
Ｍｎ−ＮｉやＭｎ−Ｎｉ−Ｃｏ系等）を計量、混合しく
第１工程）、原料によっては仮焼・粉砕を行う（第２工
程）。第３工程では上記の原料にバインダを混合しシー
ト状に形成する。第２図囚はこのようにして形成された
グリーンシートの形状を表した図である。グリーンシー
ト１′は厚さ０．２〜０．３Ｈ程度のシート状に形成さ
れている。第５工程では上記のグリーンシートにＰｔ、
Ａｇ−Ｐｔ、Ａｕ等をペースト状にした電極ペーストを
塗布する。この電極ペーストを塗布したグリーンシート
を第６エ程で１１００〜１４００℃程度の温度で焼結す
る。第２図（Ｂｌはこの焼結済みのサーミスタ素体の斜
視図である。サーミスタ素体１の上下面には電極２が焼
付られている。このようにして形成されたサーミスタを
各チップが所定の抵抗値となるようにカッティングライ
ン３の位置を調整し、そのラインに沿ってダイシングマ
シン、レーザカット等を用いカッティングする（第７エ
程）。次にサーミスタの電極面にＡｕ。
Ｍｎ−ＮｉやＭｎ−Ｎｉ−Ｃｏ系等）を計量、混合しく
第１工程）、原料によっては仮焼・粉砕を行う（第２工
程）。第３工程では上記の原料にバインダを混合しシー
ト状に形成する。第２図囚はこのようにして形成された
グリーンシートの形状を表した図である。グリーンシー
ト１′は厚さ０．２〜０．３Ｈ程度のシート状に形成さ
れている。第５工程では上記のグリーンシートにＰｔ、
Ａｇ−Ｐｔ、Ａｕ等をペースト状にした電極ペーストを
塗布する。この電極ペーストを塗布したグリーンシート
を第６エ程で１１００〜１４００℃程度の温度で焼結す
る。第２図（Ｂｌはこの焼結済みのサーミスタ素体の斜
視図である。サーミスタ素体１の上下面には電極２が焼
付られている。このようにして形成されたサーミスタを
各チップが所定の抵抗値となるようにカッティングライ
ン３の位置を調整し、そのラインに沿ってダイシングマ
シン、レーザカット等を用いカッティングする（第７エ
程）。次にサーミスタの電極面にＡｕ。
Ａｇ等の接着ペーストでジュメット線（Ｎｉ−ＣＵ金合
金等のリード線を１５０〜３００℃程度の温度をかけ、
接着ペーストを乾燥させリード線を取り付ける（第８工
程）。第２図（Ｃ）はこのようにしてリード線の接続さ
れたサーミスタを表した図である。サーミスタ素体１の
両側面の電極２にはリード線４が接着ペースト５によっ
て接続されている。第９工程は上記のようにして形成さ
れたサーミスタ素体をガラスコーティングする工程であ
る。第２図（Ｄｌはこのガラスコーティングの方法を表
した図である。サーミスタ１１にガラスキャップ６を被
せた後５００〜７００℃程度の温度をかけ、ガラスキャ
ップ６を軟化させてサーミスタ１１表面に密着させる。
金等のリード線を１５０〜３００℃程度の温度をかけ、
接着ペーストを乾燥させリード線を取り付ける（第８工
程）。第２図（Ｃ）はこのようにしてリード線の接続さ
れたサーミスタを表した図である。サーミスタ素体１の
両側面の電極２にはリード線４が接着ペースト５によっ
て接続されている。第９工程は上記のようにして形成さ
れたサーミスタ素体をガラスコーティングする工程であ
る。第２図（Ｄｌはこのガラスコーティングの方法を表
した図である。サーミスタ１１にガラスキャップ６を被
せた後５００〜７００℃程度の温度をかけ、ガラスキャ
ップ６を軟化させてサーミスタ１１表面に密着させる。
第２図（Ｅ）はこのようにして形成された製品である。
サーミスタ素体１１の周囲はガラス６でコーティングさ
れている。
れている。
上記のようにして製造することにより本実施例によれば
、サーミスタ素体１と電極２とが同時に焼結されるため
、焼結時に電極ペーストはサーミスタ素体の空間部分に
（い込んで同時に焼き締められ、サーミスタ素体１と電
極２との結合が密になり、サーミスタ素体１の特性をそ
のまま電極２に伝えることができる。このため、サーミ
スタ１１の特性を安定させることができる。また、従来
の製造方法に比ベサーミスタ素体１の焼結と電極２の焼
付とを同時に行うことができ、製造工程が省かれて製造
コストが安価となる利点がある。
、サーミスタ素体１と電極２とが同時に焼結されるため
、焼結時に電極ペーストはサーミスタ素体の空間部分に
（い込んで同時に焼き締められ、サーミスタ素体１と電
極２との結合が密になり、サーミスタ素体１の特性をそ
のまま電極２に伝えることができる。このため、サーミ
スタ１１の特性を安定させることができる。また、従来
の製造方法に比ベサーミスタ素体１の焼結と電極２の焼
付とを同時に行うことができ、製造工程が省かれて製造
コストが安価となる利点がある。
本実施例ではサーミスタ素体めカッティングをその焼結
後に行ったが焼結前に行うようにしてもよい。
後に行ったが焼結前に行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の実施例であるサーミスタの製造方法
の製造工程を表した図である、第２図囚〜（Ｅｌは上記
の製造工程に合わせたサーミスタの状態を表した図であ
る。 １−サーミスタ素体、２−電極、 ４−リード線、１１−サーミスタ。
の製造工程を表した図である、第２図囚〜（Ｅｌは上記
の製造工程に合わせたサーミスタの状態を表した図であ
る。 １−サーミスタ素体、２−電極、 ４−リード線、１１−サーミスタ。
Claims (1)
- （１）焼結によってサーミスタ素体となるグリーンシー
トの表面に電極ペーストを塗布後焼結し、この焼結によ
って形成される電極にリード線を接続することを特徴と
するサーミスタの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128794A JPS62285401A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | サ−ミスタの製造方法 |
| IT20716/87A IT1204663B (it) | 1986-06-02 | 1987-05-29 | Procedimento per fabbricare un termistore a coefficiente di temperatura negativo |
| DE19873718197 DE3718197A1 (de) | 1986-06-02 | 1987-05-29 | Verfahren zur herstellung eines thermistors mit negativem temperaturkoeffizienten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128794A JPS62285401A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | サ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62285401A true JPS62285401A (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=14993607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61128794A Pending JPS62285401A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62285401A (ja) |
| DE (1) | DE3718197A1 (ja) |
| IT (1) | IT1204663B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209329A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス温度検知装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4993142A (en) * | 1989-06-19 | 1991-02-19 | Dale Electronics, Inc. | Method of making a thermistor |
| DE102005046191A1 (de) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einer niedrigen Toleranz |
| CN102017023B (zh) * | 2008-03-28 | 2012-05-30 | 株式会社村田制作所 | Ntc热敏电阻瓷器、ntc热敏电阻瓷器的制造方法以及ntc热敏电阻 |
| CN104198079A (zh) * | 2014-07-30 | 2014-12-10 | 肇庆爱晟电子科技有限公司 | 一种高精度高可靠快速响应热敏芯片及其制作方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2633521A (en) * | 1949-06-28 | 1953-03-31 | Bell Telephone Labor Inc | High-temperature coefficient resistor and method of making it |
| US2937354A (en) * | 1957-08-02 | 1960-05-17 | Bendix Aviat Corp | Thermally-sensitive resistor |
| JPS527535B2 (ja) * | 1972-05-02 | 1977-03-03 | ||
| DE3104419C2 (de) * | 1981-02-09 | 1983-06-09 | Draloric Electronic GmbH, 8672 Selb | Verfahren zur Herstellung von Chipwiderständen |
| JPS57180101A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Hitachi Ltd | High temperature thermistor |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP61128794A patent/JPS62285401A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-29 IT IT20716/87A patent/IT1204663B/it active
- 1987-05-29 DE DE19873718197 patent/DE3718197A1/de not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209329A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス温度検知装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1204663B (it) | 1989-03-10 |
| IT8720716A0 (it) | 1987-05-29 |
| DE3718197A1 (de) | 1987-12-03 |
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