DE102005046191A1 - Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einer niedrigen Toleranz - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einer niedrigen Toleranz Download PDF

Info

Publication number
DE102005046191A1
DE102005046191A1 DE102005046191A DE102005046191A DE102005046191A1 DE 102005046191 A1 DE102005046191 A1 DE 102005046191A1 DE 102005046191 A DE102005046191 A DE 102005046191A DE 102005046191 A DE102005046191 A DE 102005046191A DE 102005046191 A1 DE102005046191 A1 DE 102005046191A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
base plate
electrode
electrodes
component
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102005046191A
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Krauss
Gerald Kloiber
Javier Arrimadas Matias
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to DE102005046191A priority Critical patent/DE102005046191A1/de
Priority to JP2008532587A priority patent/JP2009510740A/ja
Priority to PCT/DE2006/001660 priority patent/WO2007036201A1/de
Priority to EP06791394.7A priority patent/EP1929485B1/de
Publication of DE102005046191A1 publication Critical patent/DE102005046191A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/006Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einem vorgegebenen Soll-Widerstandswert angegeben. Zunächst wird eine Grundplatte (1) bereitgestellt, die ein Substrat (100') und zwei großflächige Elektroden (211, 221) aufweist, die auf den Hauptflächen des Substrats angeordnet sind. Die Abmessung der Grundplatte (1) ist in lateralen Richtungen (x, y) ein Vielfaches der entsprechenden Abmessung (Lx, Ly) eines Bauelementbereichs (11-MN). Zwischen den großflächigen Elektroden (211, 221) wird der Ist-Widerstandswert des dazwischen angeordneten Substratsbereichs gemessen. Auf der Basis dieser Messung wird eine zur Erreichung des Soll-Widerstandswerts notwendige Deckfläche eines Bauelementbereichs (11-MN) berechnet. Aus der Grundplatte (1) wird zur Herstellung des Bauelements der Bauelementbereich mit der berechneten Deckfläche herausgeschnitten. Durch die Anpassung der Fläche des Bauelementbereichs bei der Ist-Substratdicke gelingt es, den Toleranzfehler durch die ggf. vom Sollwert abweichende Substratdicke zu kompensieren.

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektrisches Bauelements beschrieben.
  • Aus der Druckschrift DE 10020224 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung von NTC Bauelementen mit einem vorgegebenen spezifischen Widerstand bekannt. NTC steht für „Negative Temperature Coefficient".
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines elektrisches Bauelements mit geringen Toleranzen anzugeben.
  • Das Bauelement kann insbesondere ein Widerstands-Bauelement sein. Im Bauelement ist mindestens eine Funktionseinheit wie z. B. ein NTC-Widerstand, ein Kaltleiter oder ein Varistor realisiert. Das Bauelement umfasst einen Grundkörper mit mindestens zwei Elektroden. Der Grundkörper ist vorzugsweise ein gesinterter Keramikkörper. Der Grundkörper des Bauelements wird ausgehend aus einem Substrat hergestellt, das zur Bildung von mehreren Grundkörpern vereinzelt wird.
  • Die tatsächlichen Parameter (insbesondere der spezifische Widerstand und die Dicke) des Substrats, das später den Grundkörper eines herzustellenden Bauelements bildet, können aus fertigungstechnischen Gründen jeweils von einem entsprechenden vorgegebenen Wert abweichen, der für die zu erreichende elektrische Größe des Bauelements berechnet wurde. Dies hat zur Folge, dass der Istwert der elektrischen Größe des Bau elements vom vorgegebenen Sollwert abweicht. Um diesen Fertigungsstreuungen Rechnung zu tragen, kann die Fläche eines Bauelementbereichs bei den tatsächlichen Parametern des Substrats zur Erreichung des Sollwerts der elektrischen Größe angepasst werden. Beispielsweise kann bei einer bezogen auf den Nominalwert der Substratdicke höheren Ist-Substratdicke die Fläche der Bauelementbereiche kleiner als der entsprechende Nominalwert der Fläche und umgekehrt, bei einer bezogen auf den Nominalwert der Substratdicke kleineren Substratdicke die Fläche der Bauelementbereiche größer gewählt werden. Durch die Anpassung der Fläche der Bauelementbereiche kann trotz des Fertigungsfehlers bei der Herstellung des Substrats im Wesentlichen der Nominalwert des für die Erreichung des Sollwerts relevanten Volumens erzielt werden.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einem vorgegebenen Sollwert einer elektrischen Größe, z. B. einem Soll-Widerstandswert angegeben. Zunächst wird eine Grundplatte bereitgestellt, die ein Substrat, eine erste großflächige Elektrode und eine zweite großflächige Elektrode aufweist. Die großflächigen Elektroden sind auf Hauptflächen, d. h. auf der Grund- und Deckfläche des Substrats angeordnet. Die Abmessung der Grundplatte ist in zwei zueinander senkrechten lateralen Richtungen ein Vielfaches der entsprechenden Abmessung eines vorgesehenen Bauelementbereichs. Zwischen den großflächigen Elektroden wird der Istwert der elektrischen Größe des dazwischen angeordneten Substratsbereichs – z. B. sein Ist-Widerstand – gemessen. Auf der Basis dieser Messung wird eine zur Erreichung des Soll-Widerstandswerts notwendige Deckfläche eines Bauelementbereichs berechnet. Die Grundplatte wird vereinzelt, wobei zur Herstellung des Bauelements aus der Grundplatte der Bauelementbereich mit der berechneten Deckfläche herausgeschnitten wird.
  • Die Grundplatte wird vorzugsweise in eine zweidimensionale Anordnung von gleichartigen Bauelementbereichen mit der berechneten Deckfläche aufgeteilt und gemäß dieser Aufteilung in separate Bauelementbereiche vereinzelt. Durch die Anpassung der Fläche des Bauelementbereichs bei der fertigungstechnisch bedingten Ist-Dicke des Substrats gelingt es beispielsweise, den Toleranzfehler durch eine vom Idealwert abweichende Substratdicke zu kompensieren.
  • Das angegebene Verfahren ist insbesondere zur Herstellung eines SMD-fähigen Widerstandselements vorgesehen.
  • Der separierte Bauelementbereich bildet einen mit Elektroden versehenen Grundkörper des herzustellenden Bauelements. Nach der Vereinzelung der Grundplatte wird aus der großflächigen ersten und zweiten Elektrode eine erste bzw. eine zweite Elektrode des Bauelements gebildet.
  • Die Grundplatte wird durch Sintern eines großflächigen Substrats, z. B. Keramiksubstrats, und Metallisieren dieses Substrats zur Bildung der großflächigen Elektroden erzeugt. In einer bevorzugten Variante wird zur Bildung der ersten großflächigen Elektrode eine erste Metallisierungsschicht auf der Oberseite des Substrats und zur Bildung der zweiten großflächigen Elektrode eine zweite Metallisierungsschicht auf der Unterseite dieses Substrats erzeugt. Diese Schichten werden z. B. als Metallpaste auf die Hauptflächen des Substrats aufgetragen und eingebrannt. Diese Schichten können zur Bildung einer Barriereschicht vor oder nach der Vereinzelung der Grundplatte vorzugsweise galvanisch oder durch Sputtern vernickelt werden. Die vernickelten Elektroden können in einer vorteilhaften Variante zur Bildung einer lötbaren Schicht verzinnt werden.
  • Auf der jeweiligen Elektrode kann grundsätzlich eine als eine Diffusionsbarriere geeignete Barriereschicht oder eine Schichtenfolge erzeugt werden, die eine lötbare Schicht und eine Barriereschicht umfasst. Die lötbare Schicht enthält vorzugsweise Zinn oder eine Zinnlegierung. Die Barriereschicht ist zwischen der lötbaren Schicht und der entsprechenden Elektrode angeordnet. Die Barriereschicht ist vorzugsweise eine Nickel enthaltende Schicht, die z. B. eine Ni/Sn-Barriere bildet. Die auf den gegenüber liegenden Stirnflächen des Grundkörpers angeordneten Metallisierungsschichten (auf jeder Seite die Elektrode, die Barriereschicht und die lötbare Schicht) bilden elektrische Anschlüsse des Bauelements.
  • Die Auftragung der Barriereschicht und ggf. auch der lötbaren Schicht erfolgt vorzugsweise vor der Messung. Sie können aber auch erst nach der Messung aufgetragen werden.
  • Auf die die vorzugsweise vernickelten Elektroden tragende erste und zweite Stirnfläche des Grundkörpers und auf den stirnseitigen Bereich seiner Mantelfläche wird in einer Variante eine erste bzw. eine zweite Außenelektrode z. B. durch Tauchen in eine Metallpaste aufgebracht. In diesem Fall bildet der auf der Mantelfläche bzw. an der Unterseite des Grundkörpers angeordnete Bereich der ersten und der zweiten Außenelektrode jeweils einen zur Oberflächenmontage geeigneten Kontakt des Bauelements.
  • Für die Außenelektroden kann ein ein Edelmetall – insbesondere Silber oder eine Silberlegierung – enthaltendes Material verwendet werden. Die Außenelektrode kann auch ein lötbares Material oder vorzugsweise als die äußere Schicht eine lötbare Schicht enthalten. Die Außenelektrode kann insbesondere verzinnt werden.
  • Auf die Mantelfläche des Grundkörpers kann vor der Auftragung der Außenelektroden eine elektrisch isolierende Passivierungsschicht aufgetragen werden. Zur Herstellung der Passivierungsschicht kann z. B. ein Glasschlicker verwendet werden. Auch andere elektrisch isolierende Materialien kommen für die Passivierungsschicht in Betracht. Die Außenelektroden werden dabei vorzugsweise derart aufgetragen, dass mindestens ein Bereich der jeweiligen Außenelektrode auf der Passivierungsschicht liegt.
  • Die Außenelektroden bilden in einer bevorzugten Variante jeweils eine stirnseitige Anschlusskappe, wobei die Seitenwand dieser Kappe auf der Passivierungsschicht liegt und durch diese Schicht vom Grundkörper im Abstand gehalten bzw. von diesem elektrisch isoliert wird. Die Anschlusskappe weist also auf der Mantelfläche des Bauelements angeordnete Bereiche. Da die auf der Mantelfläche des Bauelements angeordneten Teile der Kappe vom Grundkörper durch die Passivierung elektrisch isoliert sind, haben sie keinen Einfluss auf den Widerstand des Bauelements. Die Verwendung der Passivierungsschicht hat also den Vorteil, dass die mit der Aufbringung der Anschlusskappe zusammenhängenden Toleranzen im Wesentlichen ausgeschlossen werden können.
  • In einer Variante wird zunächst der Glasschlicker eingebrannt und erst danach die Außenelektroden aufgetragen und eingebrannt. Möglich ist aber auch, nach der Auftragung des Glasschlickers und der Außenelektroden diese zusammen in einem Schritt einzubrennen.
  • Im Folgenden wird das angegebene Verfahren anhand von schematischen und nicht maßstabsgetreuen Figuren erläutert. Es zeigen:
  • 1 die in Bauelementbereiche zu vereinzelnde Grundplatte im Querschnitt;
  • 2 die Aufteilung der Grundplatte gemäß 1 in Bauelementbereiche;
  • 3 ein Bauelement mit stirnseitig angeordneten SMD-Kontakten;
  • 4 ein Bauelement mit einer Passivierungsschicht, die die auf der Mantelfläche angeordneten Teile von Außenelektroden vom Grundkörper des Bauelements trennt.
  • 1 zeigt den Querschnitt einer Grundplatte 1, die ein Substrat 100' aufweist. Als Substrat 100' kann z. B. eine Keramikplatte verwendet werden. Auf der Oberseite des Substrats ist eine erste großflächige Elektrode 211' und auf seiner Unterseite eine zweite großflächige Elektrode 221' angeordnet. Die großflächigen Elektroden 211', 221' sind z. B. silberhaltige Metallschichten. Zur Bildung dieser Schichten wird eine Metallpaste auf das Substrat 100' aufgetragen und vorzugsweise eingebrannt.
  • 2 zeigt eine Draufsicht auf die Grundplatte 1 von oben. Mit den strichpunktierten Linien (Trennlinien) ist die Aufteilung der Grundplatte in Bauelementbereiche 11, 12, 13, ..., 1N; 21, ...; 31, ...; M1, M2, M3 ... MN angedeutet. Die Grundplatte 1 wird entlang dieser Linien z. B. durch Sägen vereinzelt.
  • Die zweidimensionale Anordnung von Bauelementbereichen 11 ... MN bildet eine Matrix der Dimension M × N mit M Reihen und N Spalten, wobei gilt N > 2 und M > 2. Die Grundplatte ist also eine großflächige Platte, deren laterale Abmessungen ein Vielfaches der Lateralabmessungen Lx, Ly eines vorgesehenen Bauelementbereichs betragen. Mit x und y sind Lateralrichtungen und mit z eine Vertikalrichtung bezeichnet. Die Hauptflächen der Grundplatte umfassen vorzugsweise die Stirnseiten der zu vereinzelnden Bauelementbereiche. Die Dicke der Grundplatte 1 definiert im Wesentlichen die Länge des herzustellenden Bauelements. Die in z-Richtung gemessene Dicke des Substrats 100' und die Fläche Lx × Ly eines Bauelementbereichs definieren den tatsächlichen Widerstandswert des Bauelements.
  • Vor dem Vereinzeln der Grundplatte 1 wird der Widerstand des zwischen der ersten und der zweiten großflächigen Elektrode 211', 221' angeordneten Substratbereichs bei der tatsächlichen Substratdicke gemessen. Der gemessene Widerstandswert lässt bei den gegebenen Abmessungen der großflächigen Elektroden 211', 221' auf den spezifischen Widerstand des Substratmaterials schließen. Falls der aus dieser Messung bestimmte tatsächliche spezifische Widerstand des Substratmaterials oder die tatsächliche Substratdicke vom entsprechenden Idealwert abweicht, kann die Fläche eines Bauelementbereichs so angepasst werden, dass der einzustellende Widerstand des Bauelements erzielt wird.
  • In 3 ist ein vereinzeltes Bauelementbereich bzw. Bauelement gezeigt. Der Grundkörper 100 des Bauelements wurde aus dem Substrat 100' erzeugt. Die erste Elektrodenschicht 211 wurde aus der ersten großflächigen Elektrode 211' und die zweite Elektrodenschicht 221 des Bauelements wurde aus der ersten großflächigen Elektrode 221' erzeugt.
  • Auf die Elektrodenschicht 211, 221 wurde eine Barriereschicht 212, 222 und auf die letztere eine lötbare Schicht 213, 223 vorzugsweise galvanisch oder durch Sputtern aufgetragen. Als Material für die Schichten 211, 221 kommt insbesondere Silber, AgPd, Au, Al, Cu oder Cr in Betracht. Die Barriereschichten 212, 222 sind z. B. nickelhaltige Schichten und die lötbaren Schichten 213, 223 zinnhaltige Schichten. Die zur Oberflächenmontage geeigneten elektrischen Anschlüsse 210, 220 des Bauelements sind in dieser Variante auf den Stirnseiten des Grundkörpers angeordnet und jeweils durch die Schichtenfolge 211, 212, 213 und 221, 222, 223 gebildet.
  • Die Barriereschicht 212, 222 kann nach der Messung auf die beiden Hauptflächen der Grundplatte 1 galvanisch oder durch Sputtern aufgetragen werden. Sie kann aber auch erst nach dem Vereinzeln von Bauelementbereichen auf die Elektroden 211, 211 aufgetragen werden. Dies gilt auch für die lötbare Schicht 213, 223.
  • In 4 ist ein Bauelement mit auf seiner Unterseite angeordneten SMD-Kontakten 51, 52 gezeigt. Auch in dieser Variante sind die Elektroden 211, 221 auf den Stirnseiten des Grundkörpers 100 angeordnet. Auf die Mantelfläche des Grundkörpers 100 eines vereinzelten Bauelementbereichs wird zur Erzeugung einer Passivierungsschicht 30 vorzugsweise in einem Sprühverfahren ein Glasschlicker aufgetragen.
  • Anstelle der lötbaren Schicht 213, 223 wird in der Variante gemäß 4 eine Außenelektrode 41, 42 verwendet.
  • Die Außenelektroden 41, 42 werden vorzugsweise aus einem silberhaltigen und/oder lötbaren Material gebildet. Jede Außenelektrode kann auch mehrere Schichten, z. B. eine Ag-Schicht und eine Ni/Sn-Schicht enthalten. Diese Schichten werden jeweils beispielsweise durch Eintauchen der jeweiligen Stirnseite des Grundkörpers in eine Metallpaste oder galvanisch erzeugt.
  • Die Außenelektroden 41, 42 bilden jeweils eine stirnseitige Metallkappe, wobei die Seitenwand dieser Kappe auf der Passivierungsschicht 30 liegt und durch diese Schicht vom Grundkörper 100 im Abstand gehalten bzw. von diesem elektrisch isoliert wird. Die auf der Unterseite des Grundkörpers 100 angeordneten Bereiche der Außenelektroden 41, 42 bilden SMD-Kontakte des Bauelements.
  • Die Außenelektroden 41, 42 werden nach dem Auftragen der Passivierungsschicht 30 erzeugt. Es ist möglich, zunächst die Passivierungsschicht 30 einzubrennen, danach zur Erzeugung von Außenelektroden 41, 42 auf den mit der Passivierungsschicht versehenen Grundkörper stirnseitig mindestens eine Metallschicht aufzutragen und diese einzubrennen. Möglich ist aber auch, die Passivierungsschicht 30 und die zur Ausbildung der Außenelektrode 41, 42 vorgesehene Metallschicht nacheinander aufzutragen und beide Schichten zusammen einzubrennen.
  • Um die Elektroden 211, 221 der Bauelementbereiche von der Passivierungsschicht 30 frei zu halten, kann auf diese Elektroden nach der Messung und vor der Auftragung der Passivierungsschicht 30 ein vorzugsweise organisches Schutzlack auf getragen werden, der im Laufe des Einbrennens der Passivierungsschicht 30 verkohlt. Der Schutzlack kann großflächig auf die beiden Hauptflächen der Grundplatte 1 aufgetragen werden. Er kann aber auch nach dem Vereinzeln von Bauelementbereichen auf deren Stirnseiten aufgetragen werden.
  • In einer Variante des Verfahrens können die großflächigen Elektroden 211' und 221' nach der Messung entfernt werden. Dies kann vor oder nach der Vereinzelung des Substrats, vor oder nach der Aufbringung und/oder Einbrennung der Passivierungsschicht 30 z. B. in einem chemischen Ätzverfahren geschehen. Die Außenelektroden 41, 42 können dann nach der Aufbringung der Passivierungsschicht 30 auf die in diesem Fall metallfreien Stirnseiten des Bauelements und die stirnseitigen Bereiche der Passivierungsschicht 30 aufgebracht werden. Das Einbrennen der Passivierungsschicht 30 und der Außenelektroden 41, 42 kann wie bereits erläutert nacheinander oder in einem Einbrennensschritt erfolgen.
  • 1
    Grundplatte
    100'
    Substrat
    100
    Grundkörper
    j1 ... jN
    in j-ter Reihe angeordnete Bauelementbereiche
    M1 ... MN
    in M-ter Reihe angeordnete Bauelementbereiche
    1k ... Mk
    in k-ter Spalte angeordnete Bauelementbereiche
    210, 220
    elektrische Anschlüsse des Bauelements
    211'
    erste großflächige Elektrode
    221'
    zweite großflächige Elektrode
    211, 221
    erste bzw. zweite Elektrode
    212, 222
    Barriereschicht
    213, 223
    lötbare Elektrodenschicht
    30
    Passivierungsschicht
    41
    erste Außenelektrode
    42
    zweite Außenelektrode
    51, 52
    durch Bereiche der Außenelektroden 41, 42 gebildete SMD-Kontakte
    Lx
    Abmessung eines Bauelementbereichs in x-Richtung
    Ly
    Abmessung eines Bauelementbereichs in y-Richtung
    x
    erste laterale Richtung
    y
    zweite laterale Richtung
    z
    vertikale Richtung

Claims (20)

  1. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einem vorgegebenen Soll-Wert eines elektrischen Parameters, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen einer Grundplatte (1), die ein Substrat (100'), eine erste großflächige Elektrode (211') und eine zweite großflächige Elektrode (221') aufweist, wobei die großflächigen Elektroden (211', 221') auf der Hauptfläche des Substrats (100') angeordnet sind, wobei die lateralen Abmessungen der Grundplatte (1) ein Vielfaches der lateralen Abmessungen (Lx, Ly) eines Bauelementbereichs (11–MN) ist; b) Messen eines Ist-Werts des elektrischen Parameters zwischen der ersten großflächigen Elektrode (211') und der zweiten großflächigen Elektrode (221') und Berechnen der zur Erreichung des Soll-Werts des elektrischen Parameters notwendigen Deckfläche eines dem herzustellenden Bauelement zugeordneten Bauelementbereichs (11–MN); c) Vereinzeln der Grundplatte (1), wobei zur Herstellung des Bauelements der Bauelementbereich (11–MN) aus der Grundplatte (1) herausgeschnitten wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweidimensionale Anordnung von Bauelementbereichen (11–MN) eine Matrix der Dimension M × N bildet, wobei gilt N > 2 und M > 2.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei zur Bildung der ersten großflächigen Elektrode (211') eine erste Metallisierungsschicht auf der Oberseite des Substrats (100') und zur Bildung der zweiten großflächigen Elektrode (221') eine zweite Metallisierungsschicht auf der Unterseite dieses Substrats erzeugt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei als Substrat (100') eine Keramikplatte verwendet wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der einzustellende elektrische Parameter ein Widerstand ist.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei zur Erzeugung der großflächigen Elektroden (211', 221') ein Material verwendet wird, das Ag, Au, Al, Cu oder Cr enthält.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei beim Vereinzeln der Grundplatte (1) diese in Bauelementbereiche (11–MN) zerfällt, die jeweils einen Grundkörper (100) mit auf seinen beiden Stirnflächen angeordneten Elektroden (211, 221) aufweisen.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei auf der jeweiligen Elektrode (211, 221) eine Schichtenfolge erzeugt wird, die eine lötbare Schicht (213, 223) und eine als eine Diffusionsbarriere geeignete Barriereschicht (212, 222) umfasst, die zwischen der lötbaren Schicht (213, 223) und der Elektrode (211, 221) angeordnet ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Barriereschicht Ni enthält.
  10. Verfahren nach Anspruch 7, – wobei auf die die erste Elektrode (211) tragende erste Stirnfläche des Grundkörpers (100) und auf den stirnseitigen Bereich seiner Mantelfläche eine erste Außenelektrode (41) aufgebracht wird, – wobei auf die die zweite Elektrode (221) tragende erste Stirnfläche des Grundkörpers (100) und auf den stirnseitigen Bereich seiner Mantelfläche eine zweite Außenelektrode (42) aufgebracht wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei auf die Mantelfläche des Grundkörpers eine elektrisch isolierende Passivierungsschicht (30) aufgetragen wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei zur Herstellung der Passivierungsschicht (30) ein Glasschlicker verwendet wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei die Außenelektroden (41, 42) derart aufgetragen werden, dass mindestens ein Bereich der jeweiligen Außenelektrode auf der Passivierungsschicht (30) liegt.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei für die Außenelektroden (41, 42) ein silberhaltiges Material verwendet wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Glasschlicker eingebrannt wird, und wobei danach die Außenelektroden (41, 42) aufgetragen und eingebrannt werden.
  16. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Glasschlicker und die Außenelektroden (41, 42) aufgetragen und zusammen in einem Schritt eingebrannt werden.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, wobei auf die Elektroden (211, 221) nach der Messung und vor der Auftragung der Passivierungsschicht (30) ein Schutzlack aufgetragen werden, der im Laufe des Einbrennens der Passivierungsschicht (30) verkohlt.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Schutzlack großflächig auf die beiden Hauptflächen der Grundplatte 1 oder nach dem Vereinzeln von Bauelementbereichen auf deren Stirnseiten aufgetragen wird.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, das zur Herstellung eines NTC-Bauelements durchgeführt wird.
  20. Verfahren nach Anspruch 1, wobei Schritt c) die folgenden Teilschritte umfasst: c1) die Aufteilung zumindest eines Bereichs der Grundplatte (1) in eine zweidimensionale Anordnung von Bauelementbereichen, die jeweils die berechnete Deckfläche aufweisen, und c2) Vereinzeln der Grundplatte (1) in separate Bauelementbereiche gemäß dieser Aufteilung.
DE102005046191A 2005-09-27 2005-09-27 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einer niedrigen Toleranz Ceased DE102005046191A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005046191A DE102005046191A1 (de) 2005-09-27 2005-09-27 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einer niedrigen Toleranz
JP2008532587A JP2009510740A (ja) 2005-09-27 2006-09-20 誤差の少ない電気的な構成素子を製造するための方法
PCT/DE2006/001660 WO2007036201A1 (de) 2005-09-27 2006-09-20 Verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements mit einer niedrigen toleranz
EP06791394.7A EP1929485B1 (de) 2005-09-27 2006-09-20 Verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements mit einer niedrigen toleranz

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005046191A DE102005046191A1 (de) 2005-09-27 2005-09-27 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einer niedrigen Toleranz

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005046191A1 true DE102005046191A1 (de) 2007-04-05

Family

ID=37663335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005046191A Ceased DE102005046191A1 (de) 2005-09-27 2005-09-27 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit einer niedrigen Toleranz

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1929485B1 (de)
JP (1) JP2009510740A (de)
DE (1) DE102005046191A1 (de)
WO (1) WO2007036201A1 (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3718197A1 (de) * 1986-06-02 1987-12-03 Murata Manufacturing Co Verfahren zur herstellung eines thermistors mit negativem temperaturkoeffizienten
DE19623857C2 (de) * 1996-06-14 2002-09-05 Epcos Ag Elektrischer Widerstand
DE19835443C2 (de) * 1997-08-07 2003-03-06 Murata Manufacturing Co Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE444875B (sv) * 1981-04-15 1986-05-12 Crafon Ab Sett att tillverka termistorer
DE3539318A1 (de) * 1985-11-06 1987-05-07 Almik Handelsgesellschaft Fuer Verfahren zur herstellung von elektrischen festwiderstaenden sowie nach dem verfahren hergestellter festwiderstand
GB2301223B (en) * 1995-05-26 1999-04-21 Johnson Electric Sa Polymeric type positive temperature coefficient thermistors

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3718197A1 (de) * 1986-06-02 1987-12-03 Murata Manufacturing Co Verfahren zur herstellung eines thermistors mit negativem temperaturkoeffizienten
DE19623857C2 (de) * 1996-06-14 2002-09-05 Epcos Ag Elektrischer Widerstand
DE19835443C2 (de) * 1997-08-07 2003-03-06 Murata Manufacturing Co Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007036201A1 (de) 2007-04-05
EP1929485B1 (de) 2017-11-08
JP2009510740A (ja) 2009-03-12
EP1929485A1 (de) 2008-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3371565B1 (de) Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements
DE2644283C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bausteins
EP0654799A1 (de) Widerstand in SMD-Bauweise und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3705279A1 (de) Widerstand in chip-form sowie verfahren zu dessen herstellung
DE2650466C2 (de) Elektrischer Widerstand
EP2008287B1 (de) Elektrisches kaltleiter-bauelement und ein verfahren zu seiner herstellung
WO2001082314A1 (de) Elektrisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung
EP3994710A1 (de) Ntc-dünnschichtthermistor und verfahren zur herstellung eines ntc-dünnschichtthermistors
DE102009040627B4 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Systems
EP1929485B1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements mit einer niedrigen toleranz
EP0016263A1 (de) Dünnschichtwiderstand mit grossem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1105068B (de) Verfahren zur Herstellung von Vielfachdioden
DE2513859C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks
DE3034175C2 (de)
DE102014115657A1 (de) Chipscale-Diodenpaket ohne äußere Leiterstifte und Herstellungsverfahren dafür
DE102012109250A1 (de) Elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktierung eines Elektrischen Bauelements
DE1285581C2 (de) Traeger mit einer Mikroschaltung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2513509A1 (de) Duennschicht-chipkondensator
DE19701798C2 (de) Elektrochemische Durchflußzelle
DE4139908A1 (de) Halbleiteranordnung mit metallschichtsystem sowie verfahren zur herstellung
EP4312010A1 (de) Herstellung von sensormodulen mit einem underfill-prozess
DE102022005060A1 (de) Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE10139323C1 (de) Niederohmiger elektrischer Widerstand und Verfahren zur Herstellung solcher Widerstände
DE1514230B2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3440351A1 (de) Feuchtigkeitssensor und verfahren zu dessen herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: TDK ELECTRONICS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R003 Refusal decision now final