DE2513509A1 - Duennschicht-chipkondensator - Google Patents

Duennschicht-chipkondensator

Info

Publication number
DE2513509A1
DE2513509A1 DE19752513509 DE2513509A DE2513509A1 DE 2513509 A1 DE2513509 A1 DE 2513509A1 DE 19752513509 DE19752513509 DE 19752513509 DE 2513509 A DE2513509 A DE 2513509A DE 2513509 A1 DE2513509 A1 DE 2513509A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
nickel
contact surfaces
base electrode
layer
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19752513509
Other languages
English (en)
Inventor
Michael Dipl Phys Dr Edmond
Heinz-Peter Dipl Phys Sprengel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19752513509 priority Critical patent/DE2513509A1/de
Publication of DE2513509A1 publication Critical patent/DE2513509A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/228Terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics

Description

  • Dunnschicht-Chipkondensator Die vorliegende Erfindung betrifft einen Dünnschicht-Chipkondensator, bestehend aus einem isolierenden Substrat, einer Grundelektrode aus Aluminium, einem Dielektrikum auf der Grundelektrode, einer Gegenelektrode aus Aluminium und lötfähigen Anschlußkontaktflächen auf den Elektroden.
  • Kondensatoren, bei denen die Elektroden und das Dielektrikum als dünne Schichten ausgeführt sind, ergänzen auf Grund ihrer besonderen Eigenschaften die Keramikkondensatoren und bieten dem Anwender erweiterte M8glichkeiten sowohl als Einzelbauelement als auch wenn sie in Schichtschaltungen integriert sind. Einzelkondensatoren in Chipbauform finden vorwiegend in Hybridbausteinen Verwendung. Mit anderen Bauteilen integriert ergeben sich interessante Dünnschichtfunktionsbausteine. So können z.B. RC-Glieder, LC-Glieder und kapazitive Teiler realisiert werden. Dünnschichtkondensatoren bewähren sich vor allem in breitbandigen HF-Schaltungen bei Frequenzen bis über 1 GHz.
  • Dünnschicht-Kondensa-toren mit Aluminiumelektroden besitzen meist ein Dielektrikum aus Siliziummonoxid oder Siliziumdioxid. Mit Hilfe der Vakuumaufdampftechnik bringt man auf ein Glassubstrat im Hochvakuum mit speziellen Masken nacheinander die untere Elektrode, die Dielektrikumsschicht, die obere Elektrode sowie die Kontaktflächen auf. Durch Verwendung eines Großsubstrats können gleichzeitig viele Einzelkondensatoren hergestellt werden. Nach dem Aufdampfen werden die Kondensatoren unter Vakuum getempert.
  • Nach dem Tempern werden die Kontaktflächen tauchverzinnt.
  • Als Kontaktflächen furden bisher Chromnickel-Gold-Schichten auf die Aluminiumelektroden aufgebracht. Dabei dient die Chromnickel-Schicht als Sperrschicht zwischen Aluminium und Gold, da Aluminium und Gold eine elektrisch nichtleitende Legierung, die sogenannte Purpurpest bilden. Um die Bildung dieser Purpurpest sicher zu verhindern, muß die Goldfläche kleiner sein als die Chromnickelfläche. Aus diesem Grunde ist die Herstellung der bekannten Kontaktflächen relativ teuer und platz- und zeitraubend, da zwei Schichten nacheinander aufgebracht werden müssen, zum Aufbringen jeweils eigene Masken verwendet werden müssen, das verwendete Gold relativ teuer ist und die zur Herstellung der Lötverbindung brauchbare Goldfläche wegen der überstehenden Chromnickel-Schicht kleiner ist als die maximal zur Verfügung stehende Fläche.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Dtinnschicht-Chipkondensator der eingangs genannten Art anzugeben, der die obengenannten Nachteile vermeidet.
  • Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Kontaktflächen aus Nickel bestehen. Damit ergeben sich die folgenden Vorteile: 1.) die Verwendung von nur einer Schicht anstelle der bisher üblichen Schichtkombination stellt eine Vereinfachung des Herstellungsganges dar; 2.) der Ersatz des teuren Goldes durch das billigere Nickel ergibt Kostenvorteile.
  • 3.) die Verwendung einer Nickelschicht statt der bisher üblichen Schichtkombination Chrom-Nickel-Gold ergibt eine bessere Ausnützung der zur Verfügung stehenden Fläche, da Nickel mit Aluminium keine schädliche Legierung eingeht.
  • Aluminium ist ein nichtlötbares, relativ weiches Metall, das eine gute Haftfestigkeit am Glas hat. Nickel haftet am Aluminium gut und ist ausreichend oxidationsbeständig. Da die Temperung im Vakuum erfolgt, können auf der Nickelschicht keine Oxidschichten entstehen. Die Kombination von Aluminium und Nickel ergibt damit eine gute Haftfestigkeit bei ausreichender Härte der Schicht.
  • Aus der DT-OS 1 690 410 ist ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Dünnschichtschaltkreisen bekannt, wobei zunächst auf den Trägerkörper eine Aluminium-Grundelektrode aufgebracht wird, die Grundelektrode zum Teil mit einem Dielektrikum versehen wird und schließlich eine Eisen-Nickel-Deckelelektrode so aufgebracht wird, daß der vom Dielektrikum nicht bedeckte Teil der Aluminium-Grundelektrode von der Eisen-Nickel-Kontaktfläche abgedeckt ist. Hier wird als Gegenelektrode also kein Aluminium, sondern direkt die Eisen-Nickel-Legierung verwendet.
  • Dadurch verlieren Jedoch die Kondensatoren ihre selbstheilende Eigenschaft, das heißt sie sind nach Spannungsdurchbrüchen durch das Dielektrikum nicht mehr verwendungsfähig.
  • Aus der US-PS 3 257 592 ist ein mehrlagiger, aus anodisch oxidierten Schichten bestehender Kondensator bekannt. Als Kondensatorelektroden werden hierbei Tantalschichten verwendet, die durch ein Dielektrikum aus Tantalpentoxid getrennt sind. Die Stromverbindung zwischen gleichpoligen Elektroden wird durch Nickelschichten gebildet. Die einzelnen Kondensatorlagen sind durch dicke Schichten aus Siliziummonoxid getrennt; auch über der obersten Kondensatorlage befindet sich eine Schutzschicht aus Siliziummonoxid. Bei diesem bekannten, mehrlagigen Kondensator wird Nickel verwendet, da es nur eine sehr geringe Neigung zeigt, die das Dielektrikum bildende Tantalpentoxidschicht zu durchdringen. Die Verwendung von Aluminium als Elektroden und das anschließende Tauchverzinnen der Nickelschichten ist bei dem bekannten Kondensator nicht vorgesehen.
  • Anhand der Zeichnung soll die Erfindung in Form eines Ausführungsbeispdels erläutert werden.
  • Man erkennt in perspektivischer Darstellung ein Glassubstrat 1, auf dem die Grundelektrode 2 aus Aluminium aufgebracht ist. Uber einem Teil dieser Grundelektrode 2 befindet sich die Dielektrikumsschicht 3 aus Siliziummonoxid. über der Dielektrikumsschicht 3 befindet sich die Gegenelektrode 4, die ebenfalls aus Aluminium besteht. Die Elektroden 2 und 4 sind nach außen herausgeführt, so daß sie gleichzeitig als Haftschichten für die Nickel-Kontaktschichten 5 dienen. Der eigentliche Kondensator wird durch den Uberlappungsbereich der Grund- und der Deckelelektrode 2,4 im Bereich des Dielektrikums 3 gebildet.
  • Die Nickel-Kontaktflachen 5 werden nach dem Tempervorgang noch tauchverzinnt. Das Einsetzen des Kondensatorchips in die Schaltung erfolgt nach den für keramische Chipkondensatoren üblichen Verfahren. Hierbei ist das Reflow-Yerfahren besonders zweckmäßig, wobei die Chips mit den Kontaktflächen zur Schichtseite (Face-Down) auf die entsprechend vorverzinnten Kontaktflächen der Schaltung gelegt und durch Wiederaufschmelzen des Lotes in einem Zug gelötet werden.
  • 1 Patentanspruch 1 Figur

Claims (1)

  1. Patentanspruch Dünnschicht-Chipkondensator, bestehend aus einem isolierenden Substrat, einer Grundelektrode aus Aluminium, einem Dielektrikum auf der Grundelektrode, einer Gegenelektrode aus Aluminium und lötfähigen Anschlußkontaktflächen auf den Elektroden, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Kontaktflächen (5) aus Nickel bestehen.
    L e e r s e i t e
DE19752513509 1975-03-26 1975-03-26 Duennschicht-chipkondensator Pending DE2513509A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752513509 DE2513509A1 (de) 1975-03-26 1975-03-26 Duennschicht-chipkondensator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752513509 DE2513509A1 (de) 1975-03-26 1975-03-26 Duennschicht-chipkondensator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2513509A1 true DE2513509A1 (de) 1976-10-14

Family

ID=5942522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752513509 Pending DE2513509A1 (de) 1975-03-26 1975-03-26 Duennschicht-chipkondensator

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2513509A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0181555A1 (de) * 1984-11-07 1986-05-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen elektrischer plasmapolymerer Vielschichtkondensatoren
EP0182377A2 (de) * 1984-11-23 1986-05-28 Dieter Prof. Dr. Bäuerle Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtkondensatoren
EP0477881A2 (de) * 1990-09-28 1992-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Keramisches elektrisches Bauelement mit Anschlussmetallisierungen zur elektrischen Kontaktierung mittels Leitkleber
WO2004032161A1 (de) * 2002-09-27 2004-04-15 Epcos Ag Elektrisches bauelement und anordnung mit dem bauelement

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0181555A1 (de) * 1984-11-07 1986-05-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen elektrischer plasmapolymerer Vielschichtkondensatoren
US4615908A (en) * 1984-11-07 1986-10-07 Siemens Aktiengesellschaft Method for the manufacture of plasma-polymer multilayer capacitors
EP0182377A2 (de) * 1984-11-23 1986-05-28 Dieter Prof. Dr. Bäuerle Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtkondensatoren
EP0182377A3 (de) * 1984-11-23 1987-10-21 Dieter Prof. Dr. Bäuerle Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtkondensatoren
EP0477881A2 (de) * 1990-09-28 1992-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Keramisches elektrisches Bauelement mit Anschlussmetallisierungen zur elektrischen Kontaktierung mittels Leitkleber
EP0477881A3 (en) * 1990-09-28 1992-12-02 Siemens Aktiengesellschaft Ceramic electrical component with terminal metallizations for electrical connection through conductive adhesives
WO2004032161A1 (de) * 2002-09-27 2004-04-15 Epcos Ag Elektrisches bauelement und anordnung mit dem bauelement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3017447C2 (de)
DE1640457C2 (de)
DE3107943C2 (de)
DE1614928A1 (de) Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiter-Bauelementen
DE3640248A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE1956501C3 (de) Integrierte Schaltungsanordnung
DE2509912B2 (de) Elektronische Dünnfilmschaltung
DE2315710A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
DE3913066C2 (de)
DE3148778C2 (de)
DE8318257U1 (de) Kondensator
DE2550275C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Barrieren für Lötzinn auf Leiterzügen
DE2548563A1 (de) Verfahren zum herstellen eines kondensators
DE2802822C2 (de)
DE2513509A1 (de) Duennschicht-chipkondensator
DE3018846A1 (de) Elektronisches bauelement in chipform und verfahren zur herstellung desselben
DE2513859C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks
DE1952499A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE2443245A1 (de) Verfahren zum herstellen einer multichip-verdrahtung
DE69735378T2 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements mit mehrfacher schutzfunktion
DE4030479C2 (de) Elektrischer Widerstand in Chip-Bauform
DE2350000A1 (de) Verfahren zur herstellung von fluessigkristallzellen, danach hergestellte fluessigkristallzellen und anwendung der fluessigkristallzellen als anzeigeelemente
EP0278485A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Digitalisiertabletts
DE2165844C2 (de) Integrierte Schaltung
DE2518969B1 (de) Leiterbahn und kontaktflaeche fuer duennschichtschaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee