DE2350000A1 - Verfahren zur herstellung von fluessigkristallzellen, danach hergestellte fluessigkristallzellen und anwendung der fluessigkristallzellen als anzeigeelemente - Google Patents
Verfahren zur herstellung von fluessigkristallzellen, danach hergestellte fluessigkristallzellen und anwendung der fluessigkristallzellen als anzeigeelementeInfo
- Publication number
- DE2350000A1 DE2350000A1 DE19732350000 DE2350000A DE2350000A1 DE 2350000 A1 DE2350000 A1 DE 2350000A1 DE 19732350000 DE19732350000 DE 19732350000 DE 2350000 A DE2350000 A DE 2350000A DE 2350000 A1 DE2350000 A1 DE 2350000A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal cell
- cell
- crystal cells
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
iÖO/73
Ka/de
BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden (Schweiz)
Verfahren zur Herstellung von Plüssigkristallzellen, danach
hergestellte Plüssigkristallzellen und Anwendung der Plüssigkristallzellen
als Anzeigeelemente
In einer Flüssigkristallzelle, die als Anzeigeelement dient,
befindet sich die Flüssigkristallschicht zwischen zwei mit bestimmten Elektrodenstrukturen versehenen durchsichtigen
Zellenplatten. Die Auslegung ist meist derart, dass auf einer der beiden Elektrodenflächen die leitenden Teile gruppenweise
oder alle miteinander verbunden sind und daher nur wenige Anschlüsse, oft nur einen gemeinsamen elektrischen
Anschluss,besitzen. Die andere gegenüberliegende Elektrodenfläche
ist zum Beispiel bei Ziffernanzeigen so segmentiert, dass die Segmente jeder Ziffer einzeln angesteuert werden
509812/0954
_ 2 _ 100/73
können.
Um die Kontaktierung zwischen Anzeige- und Ansteuerungsschalt·
kreisen zu erleichtern, ist es erwünscht, dass alle Kontakte in einer einzigen Ebene liegen. Zu diesem Zweck ist es sinnvoll, die relativ wenigen Elektrodenanschlüsse der einen
Elektrodenebene auf die vielfach segmentierte Elektrodenebene überzuführen. Dazu muss der Abstand zwischen den zwei ·
elektrodenbeschichteten Zellenplatten, welcher durch die Dicke der Flüssigkristallschicht bedingt ist, elektrisch
überbrückt werden.
Zur Herstellung elektrischer Kontaktbrücken der beschriebenen Art sind bereits verschiedene Verfahren vorgeschlagen
worden. So ist es aus der DOS 2 058 104 bekannt, Metalldrähte
(z.B. Golddraht) an geeigneten Stellen zwischen die Elektroden zu klemmen, um sowohl als elektrische Brücken als auch
als Dis.tanzierungselemente zu dienen. Eine weitere Methode ist in der DOS 2 201 267 beschrieben. Hier wird eine Metallschicht
durch lokales induktives Erhitzen mit der ebenfalls erweichten Trägerplatte verbunden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, Brückenkontakte herzustellen,
die bei Bedarf gleichzeitig zum Verschluss eines Einfülloches
509812/0954
- 3 - 100/73
/ dienen können, das man bei bestimmten Flüssigkristallzellen
vorsehen muss, um die Flüssigkristallsubstanz nach der Verbindung der Zellenplatten mittels eines Lotaufdruckes (welcher
Vorgang die Flüssigkristallsubstanz zerstören würde) einfüllen zu können.
Die vorgenannte Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst,
dass die mit den Elektroden versehenen Zellenplatten in
einem Hochvakuum-Aufdampfprozess jeweils mit mindestens einer
leitenden Schicht versehen werden, die sich von der Elektrodenfläche
bis auf die Stirnseite der Zellenplatten erstreckt.
509812/0954
_ 2» 100/73
Nachstehend wird die Erfindung anhand der in der Zeichnung dargestellten charakteristischen Phasen bei der Herstellung
einer erfindungsgemässen Flüssigkristallzelle näher erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Aufsicht auf Teile zweier an
den sichtbaren, elektrodenbeschichteten Flächen gegeneinanderzulegender Zellenplatten,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines Teiles einer Flüssigkristallzelle nach dem Glaslöten, wobei die
durch die transparente Zellenoberplatte sichtbaren Elektroden nicht dargestellt wurden,
Fig. 3a eine Aufsicht auf eine gefüllte Flüssigkristallzelle im Bereich der Einfüllücke,
Fig. 3b einen Schnitt durch eine Flüssigkristallzelle im Bereich der Einfüllücke längs der in der Fig. 3a
eingetragenen Geraden A B und
Fig. U einen Schnitt durch eine gefüllte und verlötete
Flüssigkristallzelle längs der in der Fig. 3&eingetragenen
Geraden AB,
wobei gleiche Teile in allen Figuren mit denselben Bezugszahlen versehen sind.
509812/0954
- 5 - 100/73
235000Ö
Gemäss Pig. 1 bezeichnen die.Bezugszahlen 1,2 Zellenplatten
aus Glas, auf denen Elektroden 3,4,5 und ein Justierkreuz 9
aufgebracht sind. Die Elektrode 3 ist für die Ziffernanzeige
segmentiert und weist neben den dafür vorgesehenen acht Anschlüssen
6 einen weiteren ebenfalls mit 6 bezeichneten Anschluss
für eine randseitig angebrachte Kontaktierungselektrode 4 auf. Die Elektrode 5 besteht aus miteinander elektrisch
leitend verbundenen Teilen. Auf den Stirnseiten 1 der Zellenplatten 1,2 befinden sich metallene Kontaktschichten
Die aus Fig. 2 zu entnehmende zusätzliche Bezugszahl 10 bezeichnet
einen Glaslotsteg, der zusammen mit den Zellenplatten
1,2 eine EinfÜllücke 11 bildet.
Aus den Fig. 3a und 3b entnimmt man, dass die EinfÜllücke 11
von einer Lotschicht 13 umrandet ist und dass das Zelleninnere mit der Flüssigkristallsubstanz.12 gefüllt ist.
Gemäss Fig. 4 ist die EinfÜllücke 11 mit einem Weichlot 14
verschlossen. · " '
Bei der Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens werden die mit" den Elektroden 3,4,5 versehenen Zellenplatten
1,2 zusammen mit einer geeigneten Metallblende so in einer
5098 12/0954
- 6 - 100/73
Hochvakuum-Aufdampfapparatur angeordnet, dass sie nach
Durchführung eines Hochvakuum-Aufdampfprozesses mit dünnen, leitenden Kontaktschichten 8 versehen werden, so dass gemäss
Fig. 1 gute Verbindungen von den Elektroden 4,5 über
die Kanten auf die Stirnseiten 7 der Zellenplatten 1,2 entstehen. Diese Kontaktschichten 8 bestehen vorzugsweise aus
Aluminium, Die meisten anderen Nichtedelmetalle sind als
Kontaktschicht weniger geeignet, da sie bei dem nachfolgenden Glaslotprozess Temperaturen von mehr als ^00 C ausgesetzt
sind und dabei oxydieren oder schmelzen. Ferner weisen die meisten Nichtedelmetalle (ausser Aluminium) ,eine
geringe Haftfestigkeit auf Glas auf. Bei Aluminium bildet sich jedoch sofort eine Al2O -Haut von ca. 0,01 /u- Dicke
aus, die die aufgedampften Aluminiumschichten 8 auch bei erhöhten Temperaturen vor dem Oxydieren schützt und einen hervorragenden
elektrischen Kontakt gibt. Auch Edelmetalle sind als Kontaktschicht geeignet, jedoch werden wegen der notwendigen
Schichtdicke von ca. 0,2 /^ die Herstellkosten der
Plüssigkristallzelle beim Einsatz teurer Edelmetalle heraufgesetzt.
Die mit den Kontaktschichten 8 versehenen Zellenplatten 1,2
werden in den randnahen Bereichen derart mit einem Glaslotaufdruck
10 versehen (Fig. 2), dass an den Kontaktschichten
509812/0954
_ 7 _ , 100/73
8 eine Lücke 11 von ca. 1-2 mm Breite verbleibt. Nach dem
bei ca. MOQ0C über etwa 1 Stunde durchgeführten Glaslöten
entsteht die in Fig. 2 teilweise abgebildete Flüssigkristallzelle,
deren einzige Oeffnung die durch die Kontaktstreifen und das Glaslot 10 begrenzte Einfüllücke 11 ist. Es empfiehlt
sich, den Glaslotaufdruck 10 beispielsweise mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens so dick auf die Zellenplatten 1,2 aufzutragen,
dass der Abstand beider Zellenplatten nach dem Glaslöten zwischen 5 und 20 M- liegt.
Die glasgelötete Flüssigkristallzelle wird nun derart maskiert in eine Hochvakuum-Aufdampfapparatür eingebracht, dass
es möglich ist, nur im Bereich der Einfüllücke 11 eine lötfähige Metallschicht 13 (Fig. 3) auf den Kontaktschichten
und dem Glaslot 10 aufzutragen. Diese Metallschicht 13 besteht vorzugsweise aus einer dreilagigen Aufdampfkombination
aus Chrom-Kupfer-Gold oder Chrom-Nickel-Gold. Das Chrom wird als erstes Metall aufgedampft. Es dient als Haftschicht und
weist daher nur eine Schichtdicke von ca. 0,03 AAauf. Kupfer
bzw. Nickel stellen die eigentlichen Lotschichten dar und
besitzen demzufolge eine zehnmal dickere Schicht. Ein Goldbelag von ca. 0,03 a/L Dicke ist abschliessend als Schutzschicht
vorgesehen. Er erhöht die Lötfähigkeit der Metallschicht
13 erheblich. Die Kombination Chrom-Nickel-Gold ist
509812/0954
100/73
235000Q
besonders zu empfehlen, da Nickel eine höhere Lötfähigkeit
gegenüber Weichlot als Kupfer aufweist.
Die glasgelötete, mit einer lotfähigen Metallschicht 13 im
Bereich der Einfüllücke 11 versehene Flüssigkristallzelle wird sodann evakuiert und anschliessend mit der Flüssigkristallsubstanz
12 gefüllt. Die Figuren 3a und 3b zeigen eine solche gefüllte, lötfähige Flüssigkristallzelle.
Danach kann die Flüssigkristallzelle ohne Vorreinigung von Hand mit dem Lötkolben oder maschinell im Tauch- oder
Schwallbad verlötet werden. Der von der Füllung übrigbleibende Flüssigkristalltropfen kann hierbei als Flussmittel verwendet
werden. Neben Zinn-Blei-Loten, z.B. 60 % Zn, 1IO % Pb,
können auch Sonderlote wie Zinn-Blei-Silber, Zinn-Blei-Cadmium
oder auch Indiumlegierungen verwendet werden. Durch letztere werden die lötfähigen Schichten 13 geschont und die
thermische Belastung der Flüssigkristallsubstanz 12 herabgesetzt. Eine hermetisch verschlossene, durchkontaktierte
Zelle ist in Fig. k dargestellt.
Das vorstehend beschriebene Verfahren ist bevorzugt für glasgelötete Zellen, bei denen die Kontaktschicht 8 einer
starken Wärmebelastung ausgesetzt ist, anzuwenden. So wer-
509812/0954
■ _ 9 - 100/73
' den mit diesem Verfahren ein hermetischer Verschluss der
Einfüllücke trotz der Oberflächeninhomogenitäten der Zellenplatten erzielt und gefährliche mechanische Spannungen in
den Platten infolge hoher lokaler Erwärmung vermieden. Das beschriebene Verfahren kann jedoch auch bei kunststoffverschlossenen
Flüssigkristallzellen eingesetzt werden. Da bei dieser Verschlussart keine hohe thermische Belastung auftritt
(maximal 100-2000C), kann die Kontaktschicht 8 direkt als Lotschicht in der dreifachen Hochvakuum-Aufdampfkombination
Chrom-Nickel-Gold ausgeführt werden.
Es lassen sich sowohl bei glasgelöteten als auch bei kunststoffverschlossenen
Flüssigkristallzellen mehrere Durchkontakt ierungeη an einer Zelle gleichzeitig ausführen, wobei
eine der gelöteten Durchführungen den hermetischen Verschluss der Zelle bilden kann. ■
Das Verfahren kann ebenfalls angewendet werden, wenn kein Einfülloch verschlossen werden muss, sondern nur Durchkontaktierung gefordert wird. Bei Durchkontaktierung.ist es
■ möglich, die Kontaktschichten 8,.welche die elektrischen Pfade auf die Stirnseite 7 herausführen, durch Aufbringen
eines leitfähigen Epoxytropfens miteinander zu verbinden.
50981 2/095A
Claims (13)
1. Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen, dadurch gekennzeichnet, dass die mit den Elektroden C3,M-,5)
versehenen Zellenplatten (1,2) in einem Hochvakuum-Aufdampf
prozess jeweils mit mindestens einer leitenden Schicht (8) versehen werden, die sich von der Elektrodenfläche, bis
auf die Stirnseite (7) der Zellenplatten (1,2) erstreckt.
2. Verfahren nach Anspruch I5 dadurch gekennzeichneta dass
die Zellenplatten (1,2) mit einem Lotaufdruck (10) versehen werden, wobei im Bereich der aufgedampften Schicht
(8) eine Einfüllücke (11) verbleibt und die Zelle danach gelötet wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichne
dass die Flüssigkristallzelle in einem mehrfachen Hochvakuum Aufdampfprozess im Bereich der Einfüllücke (11) mit einer
lötfähigen Metallschicht (13) versehen und danach die Flüssigkristallsub.stanz (12) eingefüllt wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet
dass die Einfüllücke (11) verlötet wird.
509812/095A
- 11 - 100/73 D
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
nach hermetischem Verschliessen der Flüssigkristallzelle
die aufgedampften Schichten (8) durch einen leitfähigen Epoxytropfen miteinander verbunden werden.
6. Nach dem Verfahren gemäss Anspruch 1 hergestellte Flüssigkristallzelle.
7. Flüssxgkristallzelle nach Anspruch 6, dadurch gekenn- ;
zeichnet, dass die aufgedampfte leitende Schicht (8) aus Aluminium besteht.
8. Flüssxgkristallzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
dass die aufgedampfte leitende Schicht (8) aus Edelmetall besteht.
9. Flüssxgkristallzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der auf die Zellenplatten (1,2) gebrachte
Lotaufdruck .(10) ein Glaslotaufdruck ist.
1O1. Flüssxgkristallzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
dass die in einem Mehrfach-Hochvakuum-Aufdampfpro
zessjauf gebrach te Metallschicht (13) aus Chrom-Kupfer-Gold
oder Chrom-Nickel-Gold besteht.
509812/0954
-- 12 - 100/73 D
11. Flüssxgkrxstallzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Lot (I1O für die Einfüllücke (11) aus
Zinn-Blei-, Zinn-Blei-Silber-, Zinn-Blei-Cadmium- oder
Indiumlegierungen besteht und ein Flüssigkrxstalltropfen
als Flussmittel dient.
12.Flüssxgkrxstallzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
dass die Flüssxgkrxstallzelle hermetisch verschlossen ist und die aufgedampften Schichten (8)
durch einen leitfähigen Epoxytropfen miteinander verbunden
sind.
13. Anwendung der Flüssxgkrxstallzelle gemäss Anspruch 6
als Anzeigeelement.
BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie.
509812/0954
Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1286573A CH557071A (de) | 1973-09-07 | 1973-09-07 | Verfahren zur herstellung von fluessigkristallzellen, danach hergestellte fluessigkristallzellen und anwendung der fluessigkristallzellen als anzeigeelemente. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2350000A1 true DE2350000A1 (de) | 1975-03-20 |
DE2350000C2 DE2350000C2 (de) | 1983-08-25 |
Family
ID=4387103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732350000 Expired DE2350000C2 (de) | 1973-09-07 | 1973-10-05 | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5112798A (de) |
AT (1) | AT335531B (de) |
CA (1) | CA1021449A (de) |
CH (1) | CH557071A (de) |
DE (1) | DE2350000C2 (de) |
FR (1) | FR2243485B3 (de) |
GB (1) | GB1478327A (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3028044C1 (de) * | 1980-07-24 | 1981-10-08 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Lötfähiges Schichtensystem |
DE3110978C2 (de) * | 1981-03-20 | 1984-07-26 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Lötfähiges Schichtensystem |
JPS57161882A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Display body panel |
JPS5834433A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-02-28 | Optrex Corp | 高信頼性電気光学素子及びその製法 |
JPS61223878A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | 三菱電機株式会社 | 表示ユニツト |
JP2608997B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1997-05-14 | 日立建機株式会社 | 油圧建設機械の駆動制御装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2159165A1 (de) * | 1970-12-21 | 1972-07-13 | Electrovac | Flüssigkristallzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
DE2240781A1 (de) * | 1971-08-18 | 1973-02-22 | Dainippon Toryo Kk | Elektrooptische einrichtung |
-
1973
- 1973-09-07 CH CH1286573A patent/CH557071A/de not_active IP Right Cessation
- 1973-10-05 DE DE19732350000 patent/DE2350000C2/de not_active Expired
-
1974
- 1974-08-23 AT AT686574A patent/AT335531B/de not_active IP Right Cessation
- 1974-09-06 GB GB3900074A patent/GB1478327A/en not_active Expired
- 1974-09-06 JP JP10283874A patent/JPS5112798A/ja active Granted
- 1974-09-06 FR FR7430249A patent/FR2243485B3/fr not_active Expired
- 1974-09-06 CA CA208,604A patent/CA1021449A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2159165A1 (de) * | 1970-12-21 | 1972-07-13 | Electrovac | Flüssigkristallzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
DE2240781A1 (de) * | 1971-08-18 | 1973-02-22 | Dainippon Toryo Kk | Elektrooptische einrichtung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
In Betracht gezogene ältere Anmeldungen: DE-OS 23 36 855 DE-OS 23 33 206 DE-OS 23 31 567 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2350000C2 (de) | 1983-08-25 |
ATA686574A (de) | 1976-07-15 |
FR2243485B3 (de) | 1977-06-17 |
CA1021449A (en) | 1977-11-22 |
CH557071A (de) | 1974-12-13 |
JPS5112798A (en) | 1976-01-31 |
FR2243485A1 (de) | 1975-04-04 |
AT335531B (de) | 1977-03-10 |
GB1478327A (en) | 1977-06-29 |
JPS571808B2 (de) | 1982-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3134557C2 (de) | ||
DE2240781B2 (de) | FlussigkristallzeUe | |
DE2205342A1 (de) | Kontaktierungsrahmen und Verfahren zu dessen Befestigung auf einem dielektrischen Schichtträger | |
DE3640248A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE2735493C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle und danach hergestellte Flüssigkristallzelle | |
DE2059919A1 (de) | Transparenter Isolierungswerkstoff fuer den Siebdruck | |
EP0017979A1 (de) | Elektrisches Netzwerk und Herstellungsverfahren | |
EP0142765A2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung und danach hergestellte Anzeigevorrichtung | |
DE2350000A1 (de) | Verfahren zur herstellung von fluessigkristallzellen, danach hergestellte fluessigkristallzellen und anwendung der fluessigkristallzellen als anzeigeelemente | |
DE1639262A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode | |
DE1915148C3 (de) | Verfahren zur Herstellung metallischer Höcker bei Halbleiteranordnungen | |
DE3211408C2 (de) | ||
DE2517605A1 (de) | Scheibe mit einer elektrischen schaltung | |
DE2802822A1 (de) | Matrixfeld aus duennschichttransistoren | |
DE3018846A1 (de) | Elektronisches bauelement in chipform und verfahren zur herstellung desselben | |
DE7335961U (de) | Flüssigkristallzelle | |
DE2735468A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer passiven elektro-optischen anzeigezelle | |
DE2114075A1 (de) | Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP1543534A1 (de) | Elektrisches bauelement und anordnung mit dem bauelement | |
DE2513509A1 (de) | Duennschicht-chipkondensator | |
DE2145223C2 (de) | Glimmentladungsanzeigeröhre | |
DE3710223C2 (de) | Leiterbahnenanordnung mit einer überlappenden Verbindung zwischen einer metallischen Leiterbahn und einer ITO-Schicht-Leiterbahn auf einer Isolierplatte aus Glas | |
DE3740741C2 (de) | ||
DE3418156A1 (de) | Elektrische durchfuehrung durch eine metallplatte | |
DE3138206C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OF | Willingness to grant licences before publication of examined application | ||
OD | Request for examination | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G02F 1/133 |
|
8126 | Change of the secondary classification |
Ipc: ENTFAELLT |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |