DE2350000C2 - Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von FlüssigkristallzellenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen gemäß dem Oberbegriff des
Patentanspruchs I.
In einer Flüssigkristallzelle, die als Anzeigelement
dient, befindet sich die Flüssigkristallschicht zwischen zwei mit bestimmten Elektrodenstrukturen versehenen
durchsichtigen Zellenplatten. Die Auslegung ist meist derart, daß auf einer der beiden Elektrodenflächen die
leitenden Teile gruppenweise oder alle miteinander verbunden sind und daher nur wenige Anschlüsse, oft
nur einen gemeinsamen elektrischen Anschluß, besitzen. Die andere gegenüberliegende Elektrodenfläche ist zum
Beispiel bei Ziffernanzeigen so segmentiert, daß die Segmente jeder Ziffer einzeln angesteuert werden
können.
Um die Kontaktierung zwischen Anzeige- und Ansteuerungsschaltkreisen zu erleichtern, ist es erwünscht,
daß alle Kontakte in einer einzigen Ebene liegen. Zu diesem Zweck ist es sinnvoll, die relativ
wenigen Elektrodenanschlüssedereinen Eilektrodenebene
auf die vielfach segmentierte Elektrodenebene überzuführen. Dazu muß der Abstand zwischen den
zwei elektrodenbeschichteten Zellenplatten, welcher durch die Dicke der Flüssigkristallschicht bedingt ist,
elektrisch überbrückt werden.
Der Anspruch 1 geht im Oberbegriff aus von der
DE-OS 2159 165. Dort wird ein Verfahren zur
Herstellung von Flüssigkristallzellen beschrieben, bei
■5 welchem auf den Zellenplatten aus Glas Elektroden
vorgesehen sind, weiche sich bis auf die Stirnfläche der Platten erstrecken. An ihren Randzoner sind die
Glasplatten durch Warmpreßschweißen oder mittels Glaslot hermetisch untereinander verbunden. Dabei
ίο sind an zwei Ecken Füll- bzw. Entlüftungsöffnungen
ausgespart.
Aus der DE-OS 22 40 781 ist ein Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallelementen bekannt, bei
welchem die Elektroden durch Vakuumniederschlag auf r, die Zellenplatten aus Glas aufgebracht werden. Die
Elektroden einer Zellenplatte werden bis auf die Stirnfläche aufgetragen. Zunächst wird ein Dichtungsmaterial
zwischen den Platten aufgebracht. Eine Überführung der Elektroden auf die andere Zellenplatte
2» wird sodann durch einen leitenden Überzug oder Füllstoff bewirkt.
Die vorgenannten Verfahren haben den Nachteil, daß jede Trägerplatte einzeln mit Elektroden versehen
werden muß. Die Herstellung von Trägerplatten nach 2t diesen Verfahren bedeutet daher einen erheblichen
produktionstechnischen Aufwand. Insbesondere ist es nicht möglich, die Flüssigkristallzellen nach dem
sogenannten »Batch-Verfahren« herzustellen.
Es ist Aufgabe der Erfindung, das Verfahren nach der
») obengenannten Art derart zu verbessern, daß der produktionstechnische Aufwand ganz erheblich vermindert
wird, speziell eine Herstellung im sogenannten »Batch-Verfahren« möglich ist.
Die vorgenannte Aufgabe wird bei einem Verfahren ji der vorgenannten Art erfindungsgemäß durch die
Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelöst.
Der wesentliche technische Fortschritt des Erfindungsgegenstandes liegt darin, daß der Produkiionsprozeß
bei der Herstellung von Flüssigkristallzellen ganz erheblich vereinfacht wird: durch das Aufbringen der
separaten leitenden Schichten können die Elektrodenschichten auf großflächigen Substraten aufgebracht
werden, aus denen dann die Zellenplatten gebrochen 4) werden. Durch das unabhängige Aufbringen einer
lotfähigen Metallschicht auf die leitende Schicht ist es möglich, das Material für die leitende Schicht dem
Hochtemperatur-Glaslotprozeß anzupassen. Da die leitenden und lötfähigen Schichten im Bereich der
>» Einfüllücke aufgebracht werden, kann schließlich die
Zelle in einem Arbeitsgang verschlossen und die Elektroden der einen Platte auf die andere durchkontaktiert
werden.
Nachstehend wird die Erfindung anhand der in der Zeichnung dargestellten charakteristischen Phasen bei
der Herstellung einer Flüssigkristallzelle näher erläutert. Dabei zeigt
Fi g. 1 eine perspektivische Aufsicht auf Teile zweier
an den sichtbaren, eiektrodenbeschichteten Flächen ho gegeneinanderzulegender Zellenplatten,
F i g. 2 eine perspektivische Ansicht eines Teiles einer Fliissigkristallzelle nach dem Glaslöten, wobei die durch
die transparente Zeljenoberplatle sichtbaren Elektroden nicht dargestellt wurden,
*>5 F i g. 3a eine Aufsicht auf eine gefüllte Flüssigkristallzelle
im Bereich der Einfüllücke.
Fig. 3b einen Schnitt durch eine Flüssigkristallzelle im Bereich der Einfüllücke längs der in der F i g. 3a
eingetragenen Geraden AB und
F i g. 4 einen Schnitt durch eine gefüllte und verlötete FlOssigkristallzelle längs der in der F i g. 3a eingetragenen
Geraden AB,
wobei gleiche Teile in allen Figuren mit denselben Bezugszahlen versehen sind.
Gemäß Fig. 1 bezeichnen die Bezugszahlen 1, 2 Zellenplatten aus Glas, auf denen Elektroden 3,4,5 und
ein Justierkreuz 9 aufgebracht sind Die Elektrode 3 ist für die Ziffernanzeige segmentiert und weist neben den
dafür vorgesehenen acht Anschlüssen 6 einen weiteren ebenfalls mit 6 bezeichneten Anschluß für eine
randseitig angebrachte Kontaktierungselektrode 4 auf. Die Elektrode 5 besteht aus miteinander elektrisch
leitend verbundenen Teilen. Auf den Stirnseiten 7 der Zellenplatten 1, 2 befindet sich metallene Kontaktschichcen
8.
Die aus F i g. 2 zu entnehmende zusätzliche Bezugszahl 10 bezeichnet einen Glaslotsteg, der zusammen mit
den Zellenplatten 1.2 eine Einfüllücke 11 bildet.
Aus den Fig.3a und 3b entnimmt r<,an, daß die
Einfüllücke 11 von einer Lotschicht 13 umrandet ist und
daß das Zelleninnere mit der Flüssigkristallsubstanz 12 gefüllt ist.
Gemäß Fig.4 ist die Einfüllücke 11 mit einem
Weichlot 14 verschlossen.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die mit den Elektroden 3, 4, 5
versehenen Zellenplatten 1, 2 zusammen mit einer geeigneten Metallblende so in einer Hochvakuum-Aufdampfapparatur
angeordnet, daß sie nach Durchführung eines Hochvakuum-Aufdampfprozesses mit dünnen,
leitenden Kontaktschächten 8 versehen werden, so daß gemäß Fig. 1 gute Verbindungen von den
Elektroden 4,5 über die Kanten au!' die Stirnseiten 7 der Zellenplatten 1, 2 entstehen. Diese Kontaktschichten 8
bestehen vorzugsweise aus Aluminium. Die meisten anderen Nichtedelmetalle sind als Kontaktschicht
weniger j,-eignet, da sie bei dem nachfolgenden
Glaslotprozeß Temperaturen von mehr als 400°C ausgesetzt sind und dabei oxydieren od°r schmelzen.
Ferner weisen die meisten Nichtedelmeialle (außer Aluminium) eine geringe Haftfestigkeit auf Giss auf. Bei
Aluminium bildet sich jedoch sofort eine AI2Oj-HaUt
von cz. 0,01 μ Dicke aus, die die aufgedampften Alurniniumschichten 8 auch bei erhöhten Temperaturen
vor dem Oxydieren schützt und einen hervorragenden elektrischen Kontakt gibt. Auch Edelmetalle sind als
Kontaktschichten geeignet, jedoch werden wegen der notwendigen Schichtdicke von ca. 0,2 μ die Herstellkosten
der Flüssigkristallzelle beim Einsatz teurer Edelmetalle heraufgesetzt.
Die mit den Kontaktschichten 8 versehenen Zellenplatten !, 2 werden in den randnahen Bereichen derart
mit einem Glaslotaufdruck 10 versehen (F i g. 2), daß an
den Koiitaktschichten 8 eine Lücke 11 von ca. 1 —2 mm
Breite verbleibt Nach dem bei ca. 4000C über etwa
1 Stunde durchgeführten Glaslöten entsteht die in F i g. 2 teilweise iibgebildete Flüssigkristallzelle, deren
einzige öffnung die durch die Kontaktstreifen 8 und d.:
Glaslot 10 begrenzte Einfülldfcke 11 ist Es empfiehlt sich, den Glaslotaufdruck 10 beispielsweise mit Hilfe
eines Siebdruckverfahrens so dick auf die Zellenplatten
1, 2 aufzutragen, daß der Abstand beider Zeilenplatten nach dem Glaslöten zwischen 5 und 20μ liegt.
Die glasgelötete Flüssigkristallzelle wird nun derart maskiert in eine Hochvakuum-Aufdampfapparatur
eingebracht, daß es möglich ist nur im Bereich der Einfüllücke 11 eine lötfähige Metallschicht 13 (Fig.3)
auf den Kontaktschichten 8 und dem Glaslot 10 aufzutragen. Diese Metallschicht 13 besteht vorzugsweise
aus einer dreilagigen Aufdampfkombination aus Chrom-Kupfer-Gold oder Chrrm-Nickel-Gold. Das
Chrom wird als erstes Metall aufgedampft. Es dient als
Haftschicht und weist daher nur eine Schichtdicke von ca. 0,03 μ auf. Kupfer bzw. Nickel stellen die eigentlichen
Lotschichten dar und besitzen demzufolge eine zehnmal dickere Schicht. Ein Goldbelag von ca. 0,03 μ Dicke ist
abschließend als Schutzschicht vorgesehen. Er erhöht die Lötfähigkeit der Metallschicht 13 erheblich. Die
Kombination Chrom-Nickel-Gold ist besonders zu
empfehlen, da Nickel eine höhere .'..ötfähigkeit gegenüber
Weichlot als Kupfer aufweist
Die glasgelötete, mit einer lötfähigen Metallschicht 13 im Bereich der Einfüllücke 11 versehene Flüssigkristallzelle
wird sodann evakuiert und anschließend mit der Flüssigkristallsubsiianz 12 gefüllt Die Fig.3a und 3b
zeigen eine solche gefüllte, lötfähige Flüssigkristallzelle.
Danach kann die Flüssigkristallzelle ohne Vorreinigung von Hand mit dem Lötkolben oder maschinell im
Tauch- oder Schwallbad verlötet werden. Der von der Füllung übrigbleibende Flüssigkristalltropfen kann
hierbei als Flußmittel verwendet werden. Neben Z^nn-BIei-Loten, z, B. 60% Zn, 40% Pb, können auch
Sonderlote wie Zinn-Blei-Silber, Zinn-Blei-Cadmium oder auch IndiumU:gierungen verwendet werden. Durch
letztere werden die lötfähigen Schichten 13 geschont und die thermische Belastung der Klüssigkristallsubstanz
12 herabgesetzt. Eine hermetisch verschlossene, durchkontaktierte Zelle ist in F i g. 4 dargestellt.
Das vorstehend beschriebene Verfahren ist für glasgelötete Zellen, bei denen die Kontaktschicht 8
einer starken Wärmebelastung ausgesetzt ist, anzuwenden. So werden mit diesem Verfahren ein hermetischer
Verschluß der Einfüüücke trotz der Oberflächeninhomopcnitäten
der Zellenplatten erzielt und gefährliche mechanische Spannungen in den Platten infolge hoher
lokaler Erwärmung vermieden.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallzellen,
bei weichen die auf den Zellenplatten vorgesehenen Elektroden jeweils mit einer sich auf
die Stirnseite der Zellenplatten erstreckenden leitenden Schicht verbunden iind, wobei die
Zellenplatten in den randnahen Bereichen mit einem Gfaslotaufdruck unter Aussparung einer Einfülliücke
versehen werden, die Zelle danach verlötet wird, eine Flüssigkristallsubstanz in die Zelle eingefüllt
wird und sodann die Einfüllücke hermetisch verschlossen wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die sich auf die Stirnseite erstreckenden leitenden Schichten (8) auf die bereits vorher mit den
Elektroden (3,4,5) versehenen Zellenplatten (1,2) in
einem Hochvakuum-Aufdampfprozeß aufgebracht werden, daß die Einfüllücke (U) im Bereich dieser
aufgedampften Schichten (8) vorgesehen wird, daß eine iötfähige Metallschicht (13) in einem mehrfachen
Hochvakuum-Aufdampfprozeß im Bereich der Einfüllücke (11) aufgebracht wird und daß die
Einfüllücke (11) metallisch verlötet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet,
daß die aufgedamp5te leitende Schicht (8) aus Aluminium besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgedampfte leitende Schicht (8)
aus Edelmetall besteht.
4. Verfallen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß in einein Mehri~.ch-Hochvakuum-Aufdampfprozeß
eine au.« Chrom-Kupfcr-Gold oder Chrom-Nickel-Gold bestehen?!;- Metallschicht (13)
auf die leitenden Schichten aufgebracht wird.
5. Verfahren nach Anspruch I. dadurch gekennzeichnet, daß für das Verlöten der Einfüllücke (11)
ein Lot (14) aus Zinn-Blei-, Zinn-Blei-Silber-, Zinn-Blei-Cadmium- oder Indiumlegierungen verwendet
wird und ein Flüssigkristalltropfen als Flußmittel dient.
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