JPS59178761A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59178761A JPS59178761A JP5411183A JP5411183A JPS59178761A JP S59178761 A JPS59178761 A JP S59178761A JP 5411183 A JP5411183 A JP 5411183A JP 5411183 A JP5411183 A JP 5411183A JP S59178761 A JPS59178761 A JP S59178761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- capacitor
- type
- electrode
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0805—Capacitors only
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半畳体答猷に関し、特に占有面積７＞３少く、
温ＰＭ係数が可変できることを特徴とする。
温ＰＭ係数が可変できることを特徴とする。
第１図乃全第２図は従来の半導体容量を示す図でめる。
第１図はＭＯ８型各蓋表置ばれるものであシ、１，２は
アルミ電極、３はシリコン酸化１鍵、４はＮ型高握厩：
＋、縄中物領域５はＰ全絶縁領域、６はＰＭ基板、７は
Ｎ型エピタキシャル層を示す。
アルミ電極、３はシリコン酸化１鍵、４はＮ型高握厩：
＋、縄中物領域５はＰ全絶縁領域、６はＰＭ基板、７は
Ｎ型エピタキシャル層を示す。
容量Ｃ１は１と４の間に形成され式（１）で示される。
Ｃ，＝ε０ε、・」 ・・・・・・・・・（１）ただし
ε、： 銹電係数 ε。： 真空の透磁率ｄ ：
酸化膜厚 Ｃ１： 対向面積第２図は接合型容量を
示す図でるり、第１図と同−釜号のものは第１図と同一
領域を示す。８゜９はアルミ電極、１０は１Ｍ拡散領域
を示す。第２図では４と１０間に容ｋｃ２が形成される
。Ｃ２は接合の種類によシ容量値が異なるがＮ型階段接
合の場合、式（２）で示すことができる。
酸化膜厚 Ｃ１： 対向面積第２図は接合型容量を
示す図でるり、第１図と同−釜号のものは第１図と同一
領域を示す。８゜９はアルミ電極、１０は１Ｍ拡散領域
を示す。第２図では４と１０間に容ｋｃ２が形成される
。Ｃ２は接合の種類によシ容量値が異なるがＮ型階段接
合の場合、式（２）で示すことができる。
ｑ ： 電子の電荷 Ｖ ： 印加電圧Ｓ２：
接合面積 ところで、第１図乃至第２図で述べた従来の容量は、半
碑体表面捷たは内部のみを使用していたため面積効率が
悪く、また容量の温朋係数も固定であった。
接合面積 ところで、第１図乃至第２図で述べた従来の容量は、半
碑体表面捷たは内部のみを使用していたため面積効率が
悪く、また容量の温朋係数も固定であった。
本発明は係る不具合を改畳するためになされたものであ
り、本発明の実施例を第３図と第４図に示す。第３図は
Ｃ８と０２を並列接続したものである。第３図ではシリ
コン酸化膜上のアルミ電極と１０のＰ型領域がアルミ電
極１２によって接続されている。従って合成容量Ｃ８１
は第５図（ａ）で示され、式（３）となる。
り、本発明の実施例を第３図と第４図に示す。第３図は
Ｃ８と０２を並列接続したものである。第３図ではシリ
コン酸化膜上のアルミ電極と１０のＰ型領域がアルミ電
極１２によって接続されている。従って合成容量Ｃ８１
は第５図（ａ）で示され、式（３）となる。
Ｃａｒ −Ｃ，＋ Ｃ２・・・・・・・・・・・・（３
）ＣｏｌはＣ０乃至Ｃ２と同一面積で、Ｃ１と０２を加
算した容量を実現できるので面積効率が非常によい。
）ＣｏｌはＣ０乃至Ｃ２と同一面積で、Ｃ１と０２を加
算した容量を実現できるので面積効率が非常によい。
本発明の他のオリ点は容量の温度係数を可変できること
にある。Ｃ，、Ｃ，の温度係数をそれぞれα。
にある。Ｃ，、Ｃ，の温度係数をそれぞれα。
βとするとＣ，、Ｃ２は式（４）、 （５）で示される
。
。
Ｃ＋＝’−’ｎ（１＋αｔ）・・・・・・・・・・・・
（４）Ｃ２＝Ｃ２２（１＋βｔ）・・・・・・・・・・
・・（５）ただし Ｃ，、：Ｑ℃のときの０１の容量Ｃ
２２：０℃のときの０２の容量 ｔ ：周囲温度 一方、式（３）で示される合成容量Ｃ８Ｉは式（６）で
示される。
（４）Ｃ２＝Ｃ２２（１＋βｔ）・・・・・・・・・・
・・（５）ただし Ｃ，、：Ｑ℃のときの０１の容量Ｃ
２２：０℃のときの０２の容量 ｔ ：周囲温度 一方、式（３）で示される合成容量Ｃ８Ｉは式（６）で
示される。
Ｃｏ１＝Ｃ１＋０２
”（ＣＩＩ ＋ ＣＩＩ・αｔ）＋（Ｃ２２＋０２２．
βｔ）＝（Ｃ１□＋Ｃ２２）＋（Ｃ１ｌａ十〇２２ ／
’ ） ｔαは誘電体の種類によシ異なるが一３００〜
＋３００ｐｐｍ／℃の温度係数を有し、一方βはＯ〜＋
１０００ｐｐｒｎ／℃の温度係数を有する。従って式（
６）で示されるＣ８１の温度係数はα、βの選択または
Ｃ１□。
βｔ）＝（Ｃ１□＋Ｃ２２）＋（Ｃ１ｌａ十〇２２ ／
’ ） ｔαは誘電体の種類によシ異なるが一３００〜
＋３００ｐｐｍ／℃の温度係数を有し、一方βはＯ〜＋
１０００ｐｐｒｎ／℃の温度係数を有する。従って式（
６）で示されるＣ８１の温度係数はα、βの選択または
Ｃ１□。
Ｃ２２の選択によシ任意の温度係数を得ることができる
。
。
第４図はＣ１と０２を直列に接続した場合の本発明の他
の実施例を示したものでめシ、第４図の等価回路を第５
図（ｂ）に示す。第４図ではアルミ電極１３と１４間に
合成容量Ｃ８２が形成され式（７）で示される。
の実施例を示したものでめシ、第４図の等価回路を第５
図（ｂ）に示す。第４図ではアルミ電極１３と１４間に
合成容量Ｃ８２が形成され式（７）で示される。
直列接続した容量Ｃ８２は容量値は減少するが、温度係
数は可変でき、又、コンデンサ耐圧はＣ１の耐圧とＣ２
の耐圧を加算したものになる。
数は可変でき、又、コンデンサ耐圧はＣ１の耐圧とＣ２
の耐圧を加算したものになる。
第６図は本発明の第３の実施例を示すものであシＰ型不
純物領域１７を高濃度絶縁拡散５と同時に形成すること
によシ、拡散工程数の減少及び容量値の増大をはかれる
。
純物領域１７を高濃度絶縁拡散５と同時に形成すること
によシ、拡散工程数の減少及び容量値の増大をはかれる
。
以上述べたように、本発明では容量値の増大や最適温度
係数を得ることができるので半導体集積回路に対して極
めて有効である。
係数を得ることができるので半導体集積回路に対して極
めて有効である。
第１図はＭＯ８ｍの従来コンデンサを示す断面図、第２
図は接合型の従来コンデンサを示す断面図、′！ＩＩ！
Ｊ３図及び第４図は本発明の実施例でろり第３図は並列
接続、第４図は直列接続した場合を示す断面図、第５図
は第３，４図の等価回路図、第６図は不発明のさらに他
の実施例を示す図である。 １５．１６：アルミ電極。 箭Ｚ尺
図は接合型の従来コンデンサを示す断面図、′！ＩＩ！
Ｊ３図及び第４図は本発明の実施例でろり第３図は並列
接続、第４図は直列接続した場合を示す断面図、第５図
は第３，４図の等価回路図、第６図は不発明のさらに他
の実施例を示す図である。 １５．１６：アルミ電極。 箭Ｚ尺
Claims (1)
- 一導寛型の不純物層内に他導ル型の不純物層ケ形成し、
前記−纏成型の不純物層と前記他２４成型の不純物ノ゛
師との境界面に第１の容量を形成し、繭記他導′屯型の
不ｉＮ物層上に誘電膜全具備し、該誘峨膜上に曽極電極
を形成し、該金属電極と前記他縛′虹型の不純物層間に
第２の容量を形成し、ｉ′４１Ｊ６己第１の容量とψＪ
記第２の容量を並列または直列に接続して構成される半
導体容量を備えたこと７ｉ−特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5411183A JPS59178761A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5411183A JPS59178761A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178761A true JPS59178761A (ja) | 1984-10-11 |
Family
ID=12961480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5411183A Pending JPS59178761A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178761A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03252160A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-11 | Nec Corp | コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワーク |
| EP0856893A2 (en) * | 1996-12-31 | 1998-08-05 | STMicroelectronics, Inc. | Structure and device for selecting design options in an integrated circuit |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP5411183A patent/JPS59178761A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03252160A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-11 | Nec Corp | コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワーク |
| EP0856893A2 (en) * | 1996-12-31 | 1998-08-05 | STMicroelectronics, Inc. | Structure and device for selecting design options in an integrated circuit |
| EP0856893A3 (en) * | 1996-12-31 | 1999-05-19 | STMicroelectronics, Inc. | Structure and device for selecting design options in an integrated circuit |
| US6215170B1 (en) | 1996-12-31 | 2001-04-10 | Stmicroelectronics, Inc. | Structure for single conductor acting as ground and capacitor plate electrode using reduced area |
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