DE102004005082B4 - Kondensator mit einem Dielektrikum aus einer selbstorganisierten Monoschicht einer organischen Verbindung und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Kondensator mit einem Dielektrikum aus einer selbstorganisierten Monoschicht einer organischen Verbindung und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

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Abstract

Kondensator, aufweisend eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnete Dielektrikumsschicht, wobei die Dielektrikumsschicht aus einer selbstorganisierten Monolage einer organischen Verbindung gebildet ist, die eine Ankergruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus R-SiCl3, R-SiCl2-Alkyl, R-SiCl(Alkyl)2, R-Si(OR)3, R-Si(OR)2-Alkyl, R-SiOR(Alkyl)2, R-PO(OH)2, R-CHO und/oder R-CH=CH2, R-SH, R-S–, R-COO–, R-COSH ist, eine Linkerkette, die aus der Gruppe bestehend aus -(CH2)n- und -(O-CH2)n- ausgewählt ist, wobei n = 2 bis 20 für die CH2-Kette und 2 bis 10 für die O-CH2-CH2-Kette und eine Kopfgruppe aufweist, die eine aromatische Gruppe enthält.

Description

  • Um die Rechengeschwindigkeit von Prozessoren, das Speichervolumen von Speicherelementen und die Leistung von Kondensatoren zu steigern sowie die Kosten für die Bauelemente abzusenken, werden in der Halbleiterindustrie Chips entwickelt, die immer kleinere Strukturen und damit eine immer höher werdende Dichte von Bauelementen aufweisen.
  • Die fortschreitende Miniaturisierung und Integration komplexer elektronischer Schaltungen erfordert neben der Integration halbleitender Bauelemente auch eine Integration von passiven Bauelementen, wie zum Beispiel Kondensatoren, Spulen, Widerständen etc. Durch die verschiedenen Anwendungsbereiche sind die Anforderungen an die Mikrochips stark gestiegen. Da die Mikrochips in einer Vielzahl von Geräten des täglichen Bedarfs, wie zum Beispiel Computer, Mobiltelefone, GPS-Empfänger, CD/DVD-Laufwerke, Kameras, Taschenrechner, Armbanduhren, Haushaltsgeräte, Autos usw. vorhanden sind, müssen sowohl die aktiven als auch die passiven Halbleiterelemente eine Vielzahl verschiedener Erfordernisse erfüllen.
  • Die derzeitigen Kondensatoren werden unter Verwendung anorganischer Dielektrika, zum Beispiel isolierender Metalloxide, angeordnet zwischen zwei Elektroden hergestellt und werden bei der Anfertigung von Platinen zunächst als Einzelstücke fertig gestellt und dann mittels herkömmlicher Aufbau- und Verbindungstechniken einzeln auf der Platine platziert und verlötet. Diese Techniken verlangen aber den Einsatz von aufwändigen und kostenintensiven so genannten "Pick-and-Place"-Automaten, wodurch die Herstellungskosten erhöht werden.
  • Die derzeit verwendeten Mikrochips beruhen in der Regel auf Silizium als Halbleitermaterial. Die Herstellung der passiven Bauelemente sowie die Integration dieser Bauelemente ist trotz der fortgeschrittenen Herstellungsmethoden noch vergleichsweise aufwändig und teuer. Bei manchen Einsatzbereichen fallen diese Kosten nicht ins Gewicht, da die Speichereinheiten meist über längere Zeit am Gegenstand verbleiben oder für hochpreisige Güter verwendet wird. Es sind jedoch eine ganze Reihe von Anwendungen, bei den Gütern, die relativ preiswert sind, können die angebrachten Mikrochips einen wesentlichen Anteil an den Kosten ausmachen, so dass die bisher verwendeten Bauelemente für eine Anwendung in der täglichen Praxis aus Kostengründen ausscheidet.
  • Eine erhebliche Kostenreduktion und Zeitersparnis könnte beispielsweise durch einen Einsatz von RFID-Etiketten (Radio Frequency Identification Tags) im Einzelhandelbereich erzielt werden. Bei diesen Anwendungen darf der Preis einer RFID-Etikette für die Kennzeichnung von Waren den einer herkömmlichen Strichcode-(Barcode-)Etikette nicht überschreiten. Die Herstellungskosten müssen also in diesem "Low Performance"-Bereich im Cent-Bruchteil liegen.
  • Ferner müssen die Mikrochips Eigenschaften aufweisen wie eine hohe Robustheit, oder ein geringes Gewicht, um problemlos verarbeitet werden zu können oder auch eine große Flexibilität haben, um auch auf gekrümmten Flächen verwendet werden zu können.
  • Es wird daher versucht, Kondensatoren zu entwickeln, die in den verschiedenen Substraten ohne den Einsatz von "Pick-and-Place"-Automaten integriert werden können. R. Ulrich und L. Shaper: IEEE Spectrum, Juli 2003, haben zum Beispiel vorgeschlagen, einen Kondensator bestehend aus anorganischen Dielektrika und Metallelektroden in einem mehrstufigen Herstellungsprozess direkt auf oder in den Platinen zu realisieren. Dieser Mehrlagenaufbau soll auf verschiedenen Substraten, wie um Beispiel feste Platinensubstrate, beispielsweise FR4 oder flexible Platinen aus Polyamid zum Einsatz kommen. Das Problem bei dieser Technologie ist die relativ geringe thermische Stabilität der Platinenmaterialien, da die Abscheidung qualitativ hochwertiger anorganischer Dielektrika in der Regel Temperaturen oberhalb von etwa 400°C erfordert. Das Ergebnis ist daher eine Kompromisslösung, bei der bewusst eine geringe Qualität und Zuverlässigkeit der Dielektrika in Kauf genommen wird, um eine Integration in die Platinen zu ermöglichen.
  • Eine weitere Möglichkeit zur Integration von Kondensatoren auf flexiblen Substraten speziell für kostengetriebene RFID-Anwendungen ist zum Beispiel in D. Redinger et al.: Device Research Conference Digest 2003, 187–188 beschrieben. Dieser Ansatz beruht auf Drucktechniken, bei denen sowohl die Elektroden als auch das Dielektrikum des Kondensators unter Verwendung kostengünstiger Druckprozesse abgeschieden werden. Dem geringen thermischen Budget der flexiblen polymeren Substrate wird hierdurch durch Verwendung von organischen polymeren Dielektrika wie zum Beispiel ein Polyamid mit einer maximalen Prozesstemperatur von 190°C Rechnung getragen. Problematisch bei dieser Lösung ist der relativ große Platzbedarf derart hergestellter Kondensatoren, da die Erzeugung von Polymerschichten mit hinreichend guten Isolationseigenschaften in der Regel Schichtdicken von mehreren 100 nm erfordert. Der in Redinger et al. vorgeschlagene Kondensator weist eine Polyimidschichtdicke von etwa 1 μm auf. Die Leistung eines Kondensators hängt aber von der Schichtdicke ab und kann durch die nachfolgend abgebildete Formel dargestellt werden: C = ε·A/t,wobei C Kapazität, ε Dielektrizitätskonstante, A Fläche und t Schichtdichte des Dielektrikums bedeutet. Damit führt eine große Schichtdicke unweigerlich zu einer kleinen Kapazität pro Fläche. Bei Verwendung von Polymerschichten wie in Redin ger et al. beschrieben, von etwa 1 μm kann eine große Kapazität lediglich durch eine Vergrößerung der Fläche erzielt werden. Zum Beispiel benötigen RFID-Transponder, die für das Frequenzband 13,56 MHz vorgesehen sind, einen Resonanzkondensator von 0,4 nF, so dass dieser Kondensator bei Verwendung der in Redinger et al. beschriebenen Schichtdicke eine Fläche von etwa 25 mm2 einnehmen würde.
    •
  • Die Aufgabe der Erfindung ist daher, Kondensatoren bereitzustellen, bei denen das Dielektrikum eine Schichtdicke von wenigen Nanometern aufweist, durch gängige Halbleitertechniken herstellbar sind, in die Platinen eingearbeitet werden können und dadurch keinen Einsatz von "Pick-and-Place"-Automaten verlangen, in verschiedene Substrate eingearbeitet werden können und gute elektrische Eigenschaften aufweisen.
  • In einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt, mit dem solche Kondensatoren hergestellt werden können.
  • Die Aufgabe wird durch den Gegenstand der Ansprüche 1 und 8 gelöst.
  • Der Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Kondensator mit einer ersten Elektrode, einer zweiten Elektrode und einer zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordneten Dielektrikumsschicht, wobei diese Dielektrikumsschicht im Wesentlichen aus einer Monolage einer organischen Verbindung gebildet wird, eine Linkerkette, eine Ankergruppe und gegebenenfalls eine Kopfgruppe aufweist.
  • Die Vorteile des erfindungsgemäßen Kondensators gegenüber dem Stand der Technik sind, dass der erfindungsgemäße Kondensator durch eine einfache Methode herstellbar ist und auf beliebigen Substraten unter Verwendung organischer selbstorganisierter Monolagen als Kondensatordielektrikum einsetzbar ist. Der Aufbau dieser Dünnschicht-Kondensatoren erfolgt nach konven tionellem Schichtaufbau (Elektrode-Dielektrikum-Elektrode), wobei die drei Schichten nacheinander unter Verwendung von Verdampfungsprozessen, Druckprozessen oder Tauchprozessen erzeugt werden können. Dabei sind besonders die Verdampfungstemperaturen der organischen Verbindungen, welche auf der Elektrodenoberfläche die dielektrische Monolage ausbilden, besonders günstig für die Abscheidung auf flexiblen Substraten, da die Temperatur bei der die Abscheidung erfolgt, in der Regel weniger als 200°C beträgt. Die Schichtdicke des Dielektrikums ist lediglich die Stärke einer Monolage und entspricht etwa der Moleküllänge, so dass sie im Bereich von etwa 2 bis 10 nm liegt und aufgrund dessen hervorragende elektrische Eigenschaften des erfindungsgemäßen Kondensators erzielt werden können.
  • Ein erfindungsgemäßer Kondensator benötigt beispielsweise für einen RFID-Transponder, der für das Frequenzband 13,56 MHz vorgesehen ist und einen Resonanzkondensator von 0,4 nF Resonanzkondensator benötigt, lediglich eine Fläche von 0,04 mm2. Das ist 0,16 % des Flächenbedarfs des von Redinger et al. beschriebenen Polyimidkondensators. Kondensatoren mit größeren oder kleineren Kapazitäten lassen sich durch Definition der Elektrodenflächen realisieren.
  • Wesentlich für die hervorragenden Dielektrikumseigenschaften ist das Moleküldesign der organischen Verbindung, die aus Ankergruppe, Linkerkette und Kopfgruppe besteht. Dabei hat die reaktive Ankergruppe die Aufgabe, das Molekül vorzugsweise kovalent an die Elektroden-Oberfläche anzubinden, was eine besonders hohe thermische, mechanische und chemische Stabilität der Monolage zur Folge hat. Die Linkerkette, die aus einer n-Alkylkette oder einer Etherkette gebildet wird, bewirkt eine nahezu orthogonale Ausrichtung und damit eine möglichst dichte Packung der Moleküle. Die Kopfgruppe, welche bevorzugt ein π-System oder einen anderen, zu intermolekularen Wechselwirkungen befähigten Rest aufweist, dient zur Stabilisierung der Monolage in der Weise, dass über ge nannte intermolekulare Wechselwirkungen (ππ-Wechselwirkung) Moleküle mit ihren jeweiligen Nachbarn verstärkt interagieren und somit zusätzlich mechanisch und elektrisch stabilisiert werden. Als Konsequenzen sind solche Schichten bessere Isolatoren als vergleichbare Monolagen ohne entsprechende Kopfgruppen.
  • Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Materialien ist die Variabilität bezüglich des Elektrodenmaterials durch Wahl geeigneter reaktiver Ankergruppen. So eignen sich prinzipiell alle Metalle bzw. Legierungen oder Halbmetalle als Elektrodenmaterial, die eine natürliche Oxidschicht besitzen und/oder in einfacher Weise oberflächlich oxidiert werden können. Des Weiteren eignen sich als Elektrodenmaterial auch andere Metalle und deren Legierungen, welche zur Ausbildung kovalenter Bindungen oder anderer starker Wechselwirkungen mit organischen reaktiven Gruppen befähigt sind, wie zum Beispiel Gold, Silber, Kupfer und Galliumarsenid im Fall von Thiol-Ankergruppen.
  • Zusammenfassend ist festzustellen, dass der erfindungsgemäße Kondensator technisch einfache Integration auf beliebigen Substraten ermöglicht, die Herstellung von Kondensatoren mit vergleichsweise geringem Flächenbedarf möglich ist, da die Schichtdicke der Dielektrikumsschicht im Nanometerbereich liegt und dass eine hohe Variabilität bei der Wahl der Elektrodenmaterialien vorliegt.
  • In einer besonderen Ausführungsform weist die Schichtdicke des erfindungsgemäßen Dielektrikums die Länge eines einzelnen Moleküls auf und bewegt sich im Bereich von etwa 1 bis etwa 10 nm. Die Länge des Moleküls soll eine orthogonale Ausrichtung ermöglichen, so dass kürzere Moleküle, die weniger als 1 nm sind, sehr schwer eine Monolage bilden. Bei den Molekülen, die länger als 10 nm sind, ist wegen vieler Freiheitsgrade schwierig die orthogonale Ausrichtung zu erhalten. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Schichtdicke im Bereich von etwa 2 nm bis etwa 5 nm besonders vorteilhaft.
  • Wie schon vorstehend erwähnt kann die Kopfgruppe im Prinzip jede Gruppe sein, die zwischen zwei Molekülen eine intermolekulare Wechselwirkung ermöglicht. Erfindungsgemäß können π-Systeme als Kopfgruppe dienen, da dadurch eine ππ-Wechselwirkung zustande kommen kann, was zur Stabilisierung der Monolage beiträgt. Die erfindungsgemäßen π-Systeme können auch durch Heteroatome substituiert werden.
  • Als Linkergruppen sind alle Gruppen geeignet, die eine orthogonale Ausrichtung des Moleküls ermöglichen und den Abstand zwischen der Kopfgruppe und der Ankergruppe stabil halten. In einer besonderen Ausführungsform der Erfindung sind die Linkerketten aus n-Alkylketten oder Polyetherketten gebildet. Die π-Alkyl- bzw. Polyetherketten weisen Wiederholungseinheiten -(CH2)n- bzw. -(O-CH2-CH2)n- auf, mit n im Bereich von etwa 2 bis 20 für die n-Alkylkette und im Bereich von 10 bis 10 für die Polyetherkette.
  • Wie schon oben geschrieben, können die Elektroden aus allen Metallen bzw. Metalllegierungen oder Halbmetallen bestehen, wobei das einzige Wesentliche ist, dass das Elektrodenmaterial mit der Ankergruppe vorzugsweise eine kovalente Bindungen eingeht. Eine andere Wechselwirkung wie z. B. ionische Wechselwirkung, Wasserstoffbrücken oder Charge-Transfer-Wechselwirkung kommen aber auch in Frage.
  • Für die Elektrodenmaterialien sind Aluminium, Titan, Gold, Silber, Kupfer, Palladium, Platin, Nickel, Silizium und Galliumarsenid besonders bevorzugt. Wenn das Elektrodenmaterial aus Aluminium bzw. Titan besteht, kann die Oberfläche in einfacher Weise oxidiert werden, um mit Ankergruppen reagieren zu können. Als Ankergruppen kommen dann besonders bevorzugt R-SiCl3; R-SiCl2-Alkyl, R-SiCl(Alkyl)2; R-Si(OR)3; R-Si(OR)2-Alkyl; R-SiOR(Alkyl)2 und/oder R-PO(OH)2 in Frage.
  • Wenn Silizium mit nativer oder gezielt erzeugter Siliziumoxidschicht wie zum Beispiel hydroxyterminiertes Silizium verwendet wird, sind als Ankergruppen R-SiCl3; R-SiCl2-Alkyl; R-SiCl(Alkyl)2; R-Si(OR)3; R-Si(OR)2-Alkyl; R-SiOR(Alkyl)2 besonders bevorzugt.
  • Wenn Silizium mit Wasserstoffoberfläche als Elektrodenmaterial verwendet wird, sind R-CHO(hν) und R-CH=CH2(hν) besonders bevorzugt.
  • Für die zweite Elektrode, die mit der selbstorganisierten Monolage keine kovalente Bindung eingehen muss, sind prinzipiell alle elektrisch leitfähigen Materialien geeignet, insbesondere Metalle und leitfähige Polymere.
  • Da die Abscheidung der organischen Moleküle, die auf der Elektrodenoberfläche die dielektrische Monolage ausbilden, besonders schonend ist, und für flexible Substrate sehr geeignet ist, wird der erfindungsgemäße Kondensator in einer bevorzugten Ausführungsform in flexible Substrate eingebaut.
  • Der schematische Aufbau des erfindungsgemäßen Kondensators ist in 1 abgebildet. Zwischen zwei Elektroden befindet sich eine Lage eines organischen Moleküls, das mit einer Elektrode kovalente Bindung eingeht, eine nahezu orthogonale Ausrichtung zwischen zwei Elektroden aufweist, und durch das π-System bei der zweiten Elektroden stabilisiert ist. Die erste Elektrode besteht aus nativ oxidiertem Silizium und die zweite Elektrode aus Gold.
  • Die Herstellung des erfindungsgemäßen Kondensators erfolgt durch Abscheiden der ersten Elektrode, In-Kontakt-Bringen der ersten Elektrode mit der organischen Verbindung, um eine selbstorganisierte Monolage der Verbindung auf der ersten Elektrode zu erhalten, gegebenenfalls Spülen der so erhaltenen Struktur mit dem Lösungsmittel, in dem die Verbindung gelöst war, um die überschüssige Verbindung zu entfernen, Verdampfen des Lösungsmittels und Abscheiden der zweiten Elektrode.
  • Das Spülen der überschüssigen Verbindung erfolgt nur dann, wenn die Verbindung in einem Lösungsmittel gelöst ist. In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Verbindung in der Lösung mit der ersten Elektrode in Kontakt gebracht, wobei auch andere Methoden zur Abscheidung der organischen Verbindungen möglich sind.
  • Die Konzentration der organischen Verbindung, deren Lösung mit der ersten Elektrode in Kontakt gebracht wird, beträgt vorzugsweise zwischen etwa 10–4 und 1 Gew.-%. Diese Konzentration im Bereich von etwa 10–4 bis 1 Gew.-% eignen sich besonders zur Herstellung dichter Schichten. Es ist aber auch möglich, weniger konzentrierte bzw. hochkonzentrierte Lösungen der organischen Verbindungen zu verwenden. Die Abscheidung kann dann durch Eintauchen des Substrats mit definierter erster Elektrode in die vorbereitete Lösung erfolgen, wonach das Spülen mit dem reinen Prozesslösungsmittel erfolgen kann. Optional kann die so erhaltene Struktur anschließend mit einem leicht flüchtigen Lösungsmittel, wie zum Beispiel Aceton oder Dichlormethan und anschließendes Trocknen unter Schutzgas erfolgen. Die bevorzugten Lösungsmittel zum Auflösen der organischen Verbindung sind getrocknete, wenig polare, aprotische Lösungsmittel.
  • Beispielsweise sind solche Lösungsmittel Toluol, Tetrahydrofuran oder Cyclohexan.
  • Wenn die organische Verbindung aus Gasphase mit der ersten Elektrode in Kontakt gebracht wird, beträgt der Druck vorzugsweise zwischen 10–6 bis etwa 400 mbar und hängt im We- sentlichen von der Flüchtigkeit der organischen Verbindung ab.
  • Die Verfahrenstemperatur bewegt sich vorzugsweise im Bereich von etwa 80 bis 200°C und die Abscheidungszeit liegt zwischen etwa 3 min und 24 h.
  • Wenn die molekulare selbstorganisierte Monolage erhalten wird, kann die zweite Elektrode durch das Aufdampfen abgeschieden werden.
  • Die elektrischen Eigenschaften des erfindungsgemäßen Kondensators werden anhand der 2 erläutert.
  • 2 zeigt die Strom-Spannungs-Kennlinie eines Kondensators bestehend aus einer unteren Elektrode aus einkristallinem, nativ oxidiertem Silizium, einer organischen selbstorganisierten Monolage als Dielektrikum ((18-phenoxyoctadecyl)trichlorosilan, 2,5 nm dick) und einer oberen Elektrode aus thermisch aufgedampften Gold (30 nm dick). Die Kennlinie belegt die ausgezeichneten Isolationseigenschaften der selbstorganisierten Monolage, die bis zu einer elektrischen Spannung von 4 V, die einer elektrischen Feldstärke von 16 MV/cm entspricht, belastbar ist. Der Leckstrom, der zwar unerwünscht, aber unvermeidbar ist und aufgrund der zwischen den Elektroden anliegenden Spannung über das Dielektrikum fließt und zu einem langsamen Ladungsverlust führt, erhöht sich wie erwartet mit größer werdender Spannung, bis es bei einer Spannung von 4 V (16 MV/cm) zum Durchbruch kommt. Im Falle des Kondensators, der für einen RFID-Transponder verwendet werden kann, fließt bei einer Spannung von 2 V ein extrem geringer Leckstrom etwa 10 pA.
    •

Claims (18)

  1. Kondensator, aufweisend eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnete Dielektrikumsschicht, wobei die Dielektrikumsschicht aus einer selbstorganisierten Monolage einer organischen Verbindung gebildet ist, die eine Ankergruppe ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus R-SiCl3, R-SiCl2-Alkyl, R-SiCl(Alkyl)2, R-Si(OR)3, R-Si(OR)2-Alkyl, R-SiOR(Alkyl)2, R-PO(OH)2, R-CHO und/oder R-CH=CH2, R-SH, R-S–, R-COO–, R-COSH ist, eine Linkerkette, die aus der Gruppe bestehend aus -(CH2)n- und -(O-CH2)n- ausgewählt ist, wobei n = 2 bis 20 für die CH2-Kette und 2 bis 10 für die O-CH2-CH2-Kette und eine Kopfgruppe aufweist, die eine aromatische Gruppe enthält.
  2. Kondensator nach Anspruch 1, wobei die Monolage eine Schichtdicke von etwa 1 nm bis etwa 10 nm, vorzugsweise von etwa 2 nm bis etwa 5 nm aufweist.
  3. Kondensator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrode aus der Gruppe bestehend aus Al, Ti und/oder poly- bzw. monokristallines Silizium ausgewählt ist.
  4. Kondensator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrode aus der Gruppe bestehend aus Au oder GaAs ausgewählt ist.
  5. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die zweite Elektrode aus der Gruppe bestehend aus Au, Cu, Al, Ti, Ag, Cr, In, Pt, Mg, Pd, Mo, Ni, Zn, Sn.
  6. Kondensator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrode an der dem Dielektrikum zugewandten Seite eine Metalloxidschicht aufweist.
  7. Kondensator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Kondensator an einem flexiblen Substrat angeordnet ist.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators mit folgenden Schritten: – Abscheiden einer ersten Elektrode; – In-Kontakt-Bringen der ersten Elektrode mit einer organischen Verbindung, um eine selbstorganisierte Monolage der organischen Verbindung auf der ersten Elektrode zu erhalten; – gegebenenfalls Spülen der so erhaltenen Struktur mit dem Lösungsmittel um die überschüssige Verbindung zu entfernen, falls die Verbindung gemäß Anspruch 1 in einem Lösungsmittel mit der ersten Elektrode in Kontakt gebracht wurde; – gegebenenfalls Verdampfen des Lösungsmittels; – Abscheiden einer zweiten Elektrode.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Verbindung in der Lösung mit der ersten Elektrode in Kontakt gebracht wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei im Schritt des In-Kontakt-Bringens der ersten Elektrode mit der Lösung der Verbindung, die Konzentration der organischen Verbindung im Lösungsmittel zwischen 10–4 und 1 Gew.-% beträgt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Lösungsmittel ein getrocknetes, wenig polares, aprotisches Lösungsmittel ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Lösungsmittel aus der Gruppe bestehend aus Toluol, Tetrahydrofuran, Cyclohexan ausgewählt ist.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei nach dem Spülen mit dem Lösungsmittel, um die überschüssige Verbindung zu entfernen, ein weiterer Spülschritt mit leicht flüchtigen Lösungsmitteln erfolgt.
  14. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das In-Kontakt-Bringen der Verbindung mit der ersten Elektrode durch Abscheiden der organischen Verbindung aus der Gasphase erfolgt.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Druck bei der Abscheidung der organischen Verbindung aus der Gasphase zwischen 10–6 und etwa 400 mbar beträgt.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei die Abscheidung einer Temperatur zwischen etwa 80 und 200°C stattfindet.
  17. Verfahren nach Anspruch 14 bis 16, wobei die Abscheidung in einer Zeitspanne zwischen 3 min und 24 h erfolgt.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 17, wobei die zweite Elektrode durch das Aufdampfen abgeschieden wird.
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