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Die
Erfindung betrifft eine neuartige Auswahl für Monolagen
organischer dielektrischer Verbindungen auf insbesondere transparenten
leitfähigen Metalloxidoberflächen oder oxidhaltigen
Metalloberflächen, wie sie beispielsweise bei der Herstellung
organisch basierter elektronischer Bauelemente eingesetzt werden.
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Im
Sinne der Markteinführung von OLEDs ist es besonders vorteilhaft,
Monolagen, mit genau angepasster Funktionalität in elektronischen
Bauelementen zur Erhöhung der Lebensdauer, insbesondere
auch in organischen elektronischen Bauelementen, einzusetzen. Damit
Moleküle in Monolagen sich selbst organisieren und damit
höchste Funktionalität und Funktionsdichte zeigen,
empfiehlt es sich, sie an den jeweiligen Elektroden durch Kopf-
oder Ankergruppen festzumachen, wodurch eine Ausrichtung der Linkergruppen,
also der die beiden Enden verbindenden Gruppen, automatisch erfolgt.
Die Anbindung an das Substrat findet spontan statt, sofern das Substrat
entsprechend vorbereitet wurde.
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Die
spezifische Funktionalität wird durch die Linker und Kopfgruppen
bestimmt. Der Anker bestimmt die Selbstorganisation.
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Dazu
bekannt ist beispielsweise aus der
DE 10 2004 005 082 eine aromatische,
chemisch aufwändig einzuführende Kopfgruppe mit π-π-Wechselwirkung,
die eine selbstorganisierende Dielektrikumschicht an eine Elektrode
bindet. Als Anbindung an die Gegenelektrode, als so genannte Ankergruppe
der organische dielektrische Verbindung, die als Monolage in einem
Kondensator einsetzbar ist, dient gemäß der
DE 10 2004 005 082 eine
Silanverbindung, die über eine Oxidschicht, gebildet aus
einem Nicht-Kupferoxid an die Elektrode anbindbar ist.
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Aus Asha
Sharma, Bernard Kippelen, Peter J. Hotchkiss, and Seth R. Marder, "Stabilization
of the work function of indium tin oxide using organic surface modifiers
in organic lightemitting diodes", Applied Physics Letters
93 (2008) 163308, ist bekannt, dass über Phosphonsäuren
stark fluorhaltige SAM-Monolagen aus flüssiger Phase erzeugbar
sind.
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Dort
wird gezeigt, dass zumindest teil-fluorierte Verbindungen eine stabilisierende
Wirkung auf die ITO-Grenzfläche ausübt. Beispielsweise
wird dort auch die stabilisierende Wirkung von spezifischen SAM-Molekülen
für die Lebensdauererhöhung in effizienten organischen
Leuchtdioden graphisch nachgewiesen.
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Nachteilig
an dem bekannten Stand der Technik ist, dass die Elektrodenoberfläche
bevorzugt zur Aufbringung der selbst organisierenden Monolage (SAM)
entweder funktionalisiert wird oder zumindest mit einem erheblichen
Materialüberfluss aus flüssiger Phase gearbeitet
wird, um die erwünschte Effektivität zu erzielen.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es daher, die Nachteile des Standes
der Technik zu überwinden und eine ebenfalls die Lebensdauer
der organischen elektronischen, organischen Licht emittierenden
Zellen, bevorzugt selbstemittierende Bauelemente erhöhende
Schicht aus SAM-Molekülen zu schaffen, die jedoch mit geringen
Mengen auf der Elektrode herstellbar ist.
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Gegenstand
der Erfindung ist daher die Verwendung von fluorierten Silanen auf
transparenten leitfähigen Metalloxidoberflächen
oder oxidhaltigen Metalloberflächen, wobei die Anbindung
an die Metalloxidoberfläche über die Silangruppe
erfolgt. Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren
zur Herstellung einer Monolage auf einer transparenten leit fähigen
Metalloxidschicht, wobei aus der Gasphase eine fluorierte geradkettige
Silanverbindung abgeschieden wird, die mit dem Silanende an die
Metalloxidschicht anbindet. Schließlich ist Gegenstand
der Erfindung eine aus fluorierten Silanen hergestellte SAM Schicht
auf einer transparenten leitfähigen Metalloxidschicht,
wobei die Anbindung der Silane aus der Gasphase an die Metalloxidoberfläche
erfolgt.
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Allgemeine
Erkenntnis der Erfindung ist, dass nicht nur ITO-Oberflächen,
sondern auch ganz allgemein transparente-Conductive-MetalOxide-(TCO)-Oberflächen
durch fluorierte Verbindungen optimiert werden können.
Zudem ist es Erkenntnis der Erfindung, dass über Silane
diese fluorierten Verbindungen kostensparend an die Oberflächen
angebunden werden können. Im Gegensatz zu den bekannten, über
Phosphor ankernden Verbindungen können die Silane auch
ohne Flüssigphase abgeschieden werden, was sowohl materialschonend
(die meisten Abscheidungen aus Flüssigkeiten werden über
dip coating durchgeführt, wobei die fertige ITO-Schicht
eingetaucht wird) als auch materialsparend ist.
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Die
Materialklasse der fluorierten Silane haftet, wie experimentell
gezeigt, gut auf TCOs, insbesondere ITO. Diese Materialien sind
kommerziell erhältlich und vergleichsweise kostengünstig
(Tabelle 1). Bei Abnahme von größeren Gebinden
können die Kosten durchaus noch um den Faktor 10 gesenkt
werden.
| | Trichlorosilane | | | | |
| AB110562 | (3,3,3-Trifluor-opropyl)trichlorosilane;
97% | 10
g | 41.60 EUR | [592-09-6] | C3H4Cl3F3Si |
| AB182091 | Nonafluorohexyltrichloro-silane;
95% | 10
g | 35.10 EUR | [78560-47-1] | C6H4Cl3F9Si |
| AB111444 | (Tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl)trichlorosilane; 97% | 10
g | 36.40 EUR | [78560-45-9] | C8H4Cl3F13Si |
| AB103609 | 1H,1H,2H,2H-Perfluorodecyltrichlorosilane;
97% | 5
g | 46.20 EUR | [78560-44-8] | C10H4Cl3F17Si |
| AB231951 | 1H,1H,2H,2H-Perfluorotetradecyltrichlorosilane;
97% | 1
g | 64.80 EUR | [102488-50-6] | C14H4Cl3F25Si |
| | Ethoxysilane | | | | |
| AB252596 | Nonafluorohexyltriethoxysilane | 25
g | 72.80 EUR | [102390-98-7] | C12H19F9O3Si |
| AB104055 | 1H,1H,2H,2H-Perfluorooctyltriethoxysilane;
97% | 5
g | 45.20 EUR | [51851-37-7] | C14H19F13O3Si |
| AB172273 | 1H,1H,2H,2H-Perfluorodecyltriethoxysilane;
97% | 5
g | 46.00 EUR | [101947-16-4] | C16H19F17O3Si |
| | Methoxysilane | | | | |
| AB111473 | (3,3,3-Trifluoropropyl)trimethoxysilane;
97% | 5
g | 24.70 EUR | [429-60-7] | C6H13F3O3Si |
| AB153265 | (Tridecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrooc-tyl)trimethoxysilane; 95%
packaged over copper powder | 10
g | 48.10 EUR | [85857-16-5] | C11H13F13O3Si |
| AB153340 | (Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrode-cyl)trimethoxysilane;
95% | 5
g | 54.60 EUR | [83048-65-1] | C13H13F17O3Si |
Tabelle
1: Bevorzugte Materialien zur Ausbildung der selbstorganisierenden
Monolage gemäß vorliegender Erfindung, die gleichzeitig
die Lochinjektion erhöht und die Lebensdauer der Bauelemente
verbessert.
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Diese
besitzen die allgemeine Formel 1:
wobei R
1,
R
2, R
3 unanhängig
voneinander Cl oder Alkoxy, insbesondere Methoxy, Ethoxy oder OH
sind.
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X
kann O, S, NH bzw. nicht vorhanden sein; n liegt im Bereich zwischen
0 und 5 und ist bevorzugt 0; m liegt zwischen 0 und 20, insbesondere
zwischen 5 und 10.
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Formel
1 kann wie unten gezeigt erweitert werden, dass sich Ethereinheiten
zwischen den einzelnen Bestandteilen der Molekülkette liegen,
insbesondere wäre dann bevorzugt h und f 2 oder liegt im
allgemeinen zwischen 1 und 4; X1, X2 und X3 kann unabhängig
voneinander O, S, NH, ein Halogen(F) oder gar nicht vorhanden sein;
n liegt im Bereich zwischen 0 und 2 und ist bevorzugt 0; m liegt
zwischen 0 und 15, insbesondere zwischen 2 und 5. Die CF3-Gruppe am Ende der Molekülkette
kann auch weggelassen werden. In diesem Fall ist dann X3 =
F.
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Bevorzugt
werden diese Verbindungen, materialsparend, aus der Gasphase verarbeitet,
was im einfachsten Fall nur eine temperierte Vakuumkammer erfordert.
Die Substrate werden bevorzugt nicht durch eine RIE-Behandlung mit
Sauerstoff mit Sputtereigenschaften aktiviert, da eine Sättigung
des Kristallgitters mit Sauerstoff vermieden werden sollte. Eine
entsprechende sanfte Behandlung soll nur organische Verunreinigungen
entfernen. Es genügt meist eine Reinigung mit gängigen
Lösemitteln (Wasser, Alkohole wie Ethanol bzw. organische
Lösungsmittel NMP, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid,
Toluol, chlorierte Lösemittel wie Chloroform, Chlorbenzol,
Dichlormethan, Ether wie Diethylether, Tetrahydrofuran, Dioxan oder
Ester wie Essigsäureethylester, Methoxypropylacetat etc.).
Optional ist ein Argonrücksputterprozess. Die TCO-OSi Bindung
ist so stark, dass sie auch geringe Verschmutzungen im Submonolagenbereich
unterkriecht. Diese können im Anschluss an die Deposition
optional mit den genannten Lösemitteln abgespült
werden. Die Verarbeitung der SAM ohne solvatisierende Lösungsmittel
ergibt sehr stabile und gut haftende Monolagen.
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Folgende,
nicht einschränkend genannte Verfahren sind möglich:
- a. In Batchprozessen, die eine hohe Parallelität
erlauben. Eine anschließende Handhabung der Substrate an
Luft schadet der Beschichtung nicht.
- b. In Produktionsanlagen gibt es Rücksputtereinheiten,
die genutzt werden können, um die Silane im Anschluss an
die Reinigung aus der Gasphase zu applizieren.
- c. Alle CVD (Chemical Vapor Deposition) und ALD (Atomic Layer
Deposition) Anlagen.
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Eine
Bevorzugung der Abscheidung aus der Gasphase schließt eine
Abscheidung aus Flüssigphase nicht aus. Die hochreaktiven
Silane müssen dann aber bevorzugt aus getrockneten, aprotischen
Lösungsmitteln verarbeitet werden. Da diese hygroskopisch
sind, sind die Lösungen an Luft nicht langzeitstabil.
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Im
Sinne der Erfindung sind nicht nur transparente leitfähige
Elektroden auf der Basis von Indiumzinnoxid sondern auch andere
leitfähige Elektroden wie beispielweise aluminiumdotiertes
Zinkoxid. Bei invertiert ausgebauten Dioden kann die Anode auch
aus nicht transparenten Metallen mit einer nativen Oxidoberfläche bestehen.
Beispiele wären hier Titan, Aluminium, Nickel usw.
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Auf
die Monolage gemäß der Erfindung folgt im Stack-Aufbau
des organischen elektronischen Bauelements wie beispielsweise der
OLED eine Lochleiterschicht.
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Für
die Lochleiterschicht sind folgende Materialien beispielhaft, aber
nicht einschränkend genannt:
N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethylfluorene
N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenylfluorene
N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenylfluorene
N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2-dimethylbenzidine
N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-spirobifluorene
2,2',7,7'-Tetrakis(N,N-diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene
N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine
N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine
N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine
N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethylfluorene
N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-spirobifluorene
Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexane
2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluorene
9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene
2,2',7,7'-Tetrakis[N-naphthalenyl(phenyl)-amino]-9,9-spirobifluorene
2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spirobifluorene
2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]-9,9-spirobifluorene
N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine
N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine
2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)-9,9-spirobifluorene
9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene
9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenylamino)-phenyl]-9H-fluorene
Titanium
Oxide phthalocyanine
Copper phthalocyanine
2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8,-tetracyano-quinodimethane
4,4',4''-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine
4,4',4''-Tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)triphenylamine
4,4',4''-Tris(N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino)triphenylamine
4,4',4''-Tris(N,N-diphenyl-amino)triphenylamine
Pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile
N,N,N',N'-Tetrakis(4-methoxyphenyl)benzidine
2,7-Bis[N,N-bis(4-methoxy-phenyl)amino]-9,9-spirobifluorene
2,2'-Bis[N,N-bis(4-methoxy-phenyl)amino]-9,9-spirobifluorene
N,N'-di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenylbenzene-1,4-diamine
N,N'-di-phenyl-N,N'-di-[4-(N,N-di-tolylamino)phenyl]benzidine
N,N'-di-phenyl-N,N'-di-[4-(N,N-di-phenylamino)phenyl]benzidine
Tri(Diphenylbenzimidazoyl)iridium(III)DPBIC
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Diese
Lochtransportschichten können dotiert oder undotiert sein.
Als Dopanden dienen starke Akzeptoren, wie Kupfersalze, F4-TCNQs
(Tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) bzw dessen Derivate. Ebenso
geeignet sind Oxide wie Molybdän-, Wolfram- oder Rheniumoxide.
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Experimentell
wurde demonstriert, dass die Ursache des anfänglichen Lebensdauerabfalls
in einer organischen Leuchtdiode die Degradation der Grenzfläche
zwischen der sauerstoffbeladenen Indiumzinnoxidelektrode und des
Lochtransportmaterials ist. Die Sauerstoffbeladung dient zur Einstellung
der Austrittsarbeit der Anode. Gegenüber dem Stand der
Technik bieten die erfindungsgemäßen selbstorganisierenden
Monolagen folgende Vorteile:
- – Hohe
Austrittsarbeiten ohne RIE-Vorbehandlung
- – Kostengünstige Materialien
- – Verarbeitung aus der Gasphase
- – Erhöhung der Lebensdauer des organischen
Bauelements und vollständige Vermeidung des anfänglichen
Lebensdauerabfalls in Leuchtdichte und Spannungsanstieg und Leistungseffizienz.
Im Gegensatz zum Stand der Technik werden hier alle Vorteile gleichzeitig
erfüllt. Wie in den Beispielen gezeigt, ist die Auswahl
möglicher Molekülklassen sehr begrenzt. Untersucht
wurde auch eine Variation in den Ankergruppen. Die hier verwendete
Silan-Ankergruppe scheint ideal für die Verwendung von
Indiumzinnoxidoberflächen.
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Beispiel 1: Vorbehandlung der ITO-Anode.
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Als
Referenz dient die Standard-Vorbehandlung. Dazu wird eine mit 150
nm Indiumzinnoxid beschichtete Glasplatte für 10 min einem
Sauerstoff-Plasma ausgesetzt. Das Plasma mit einer 500 W HF-Leistung
bei einem Sauerstoffdruck von 0,6 mbar brennt direkt über
dem Substrat. Die Kennlinien einer Diode, deren Substrat so behandelt
wurde, sind in untenstehenden Graphen rot gekennzeichnet. Diese
Vorbehandlung ist notwendig, damit die erfindungsgemäße
Diode und die Referenzdiode ungefähr gleiche Leistungsdaten
besitzen, um sie besser miteinander vergleichen zu können.
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Beispiel 2:
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Ein
Substrat analog Beispiel 1 wird in einem Reaktor mit Zweikammersystem
für 10 min einem sanften Reinigungsschritt bei 250 W HF-Power
ausgesetzt. Dabei brennt das Plasma in der einen Kammer und das Substrat
liegt in der zweiten nicht mit Plasma durchfluteten Kammer. Der
Druck in der Substratkammer beträgt 0,5 mbar. Auf diese
Weise können sehr schonend organische Verunreinigungen
entfernt werden. Sputtereffekte und Einbau von Sauerstoff in das
Kristallgitter tritt nicht auf. Normalerweise ist eine derartige
Vorbehandlung nicht ausreichend für effiziente organische
Leuchtdioden. Im Anschluss daran wurde eine selbstorganisierende Monolage
mit dem Reagenz Perfluorodecyltrichlorsilane abgeschieden.
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Hierfür
wurde eine kommerzielle Anlage zur Molecular-Vapour-Deposition verwendet,
die schon weltweit in Firmen und Forschungszentren eingesetzt wird,
das MVD100-System von Applied MST (http://www.appliedmst.com/products
mvd100.htm pdf „Overview” und „Features”).
Diese besteht aus einer Vakuumkammer, in der die Substrate positioniert
werden können, die mit einer zweiten Kammer verbunden ist,
in der das Sauerstoffplasma gezündet wird. Das heißt
die Ionen werden nicht direkt auf das Substrat beschleunigt. Dauer, HF-Leistung
und Gasfluss können variiert werden. Über drei
Gaszuleitungen werden die abzuscheidenden Substanzen und ein Katalysator,
in diesem Fall Wasserdampf, in die Hauptkammer geleitet. In drei
Vorkammern kann der notwendige Druck erzeugt und die notwendige
Temperatur eingestellt werden um die Substanzen in die Gasphase
zu bringen. Für die Abscheidung einer Lage Perfluorodecyltrichlorsilane
wird ein Kammerdruck von 0.6 mbar eingestellt. Die Reaktionszeit
beträgt 900 sec. Anschließend wird bei 8 mbar
mit Wasserdampf die Anbindung und Quervernetzung katalysiert. Nach
dieser Methode der Abscheidung bedarf es keiner weiteren Nachbehandlung,
die Diode kann direkt auf das SAM-Substrat aufgebracht werden.
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Die
Kennlinie für eine Diode, die auf dieses Substrat aufgebaut
wurde, ist schwarz gekennzeichnet.
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Beispiel 3:
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Eine
seit langem bekannte Diode besteht aus Lochleiter NPB (N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine)
und dem Elektronenleiter Alq (Tris(8-Hydroxyquinolinolato)aluminium).
Dazu werden aus der Gasphase 40 nm NPB und 40 nm Alq abgeschieden.
Die Kathode bildet eine Schicht aus 0,7 nm Lithiumfluorid und 200
nm Aluminium.
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Im
Folgenden wird noch anhand exemplarischer Messungen gezeigt, wie
gemäß der vorliegenden Erfindung wiederum exemplarisch
die Lebensdauer der OLED erhöht werden könnte.
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1 zeigt
die Luminanz (rechte Achse) und die Stromcharakteristik (linke Achse)
zweier identisch hergestellter NPB-Alq OLEDs. Der Unterschied liegt
lediglich in der Vorbehandlung der TCO, hier einer ITO-Schicht,
wobei rot (rund) die herkömmlich mit Sauerstoff-Plasma
behandelte Schicht zeigt und schwarz (eckig) die gemäß der
Erfindung mit Perfluorodecyltrichlorosilan vorbehandelte Schicht.
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Die
I-V und Luminanz Kennlinie der Dioden mit Substraten aus den Beispielen
1 und 2 sind in 1 abgebildet. Die Dunkelströme
der Diode mit SAM-beschichtetem Substrat sind etwas höher,
verglichen mit der Referenzdiode. Im Durchlassbereich sind beide
organischen Leuchtdioden nahezu identisch.
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2 zeigt
die Spannungskurve einer NPB-Alq Diode bei längerem Betrieb
unter konstanten Strom. Hier ist geradezu dramatisch zu erkennen,
wie die Lebensdauer der unten schwarz und eckig gezeichneten Linie
der gemäß der Erfindung behandelten ITO-Schicht
erhöht ist.
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Unter
den in 2 genannten Bedingungen wurden die Dioden unter
Konstantstrom 150 Stunden betrieben. Der Konstantstrom richtet sich
danach, dass beide Dioden gleich hell mit größenordnungsmäßig
gleicher Leuchtdichte leuchten. Die Referenzdiode hatte eine Anfangsleuchtdichte
von 1000 cd/m2, die SAM-Diode eine Anfangsleuchtdichte
von 670 cd/m2. Während die Spannung
in der Referenzdiode um mehr als 60% ansteigt, um den Konstantstrom
zu erhalten, bleibt diese im erfindungsgemäßen
Bauelement trotz höheren Gesamtladungsflusses nahezu konstant.
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3 zeigt
die den Leuchtdichteabfall beider Bauelemente bei erhöhter
Betriebsdauer unter konstantem Strom:
In der Referenz-OLED
(wieder rot und rund, die gleich zu Beginn stark abfallende Kurve)
ist anfangs ein starker Luminanzeinbruch von ca. 10% zu beobachten,
der auf die Degradation der Anoden-Lochleitergrenzfläche
zurück zu führen ist. Im Anschluss daran stabilisiert
sich das Bauelement und der „normale” Degradationsprozess des
Emitters wird sichtbar. Bei der erfindungsgemäßen
OLED wird der anfängliche Leuchtdichteabfall nicht beobachtet.
Der etwas steilere Abfall nach längerer Betriebsdauer rührt
von der insgesamt höheren Strombelastung her. Durch die
ITO-Vorbehandlung mit der aus der Gasphase abgeschiedenen selbstorganisierenden
Monolage wird die Leuchteffizienz der Diode wesentlich länger
erhalten, was die LT70-Lebensdauer (LT70: Abfall der Anfangsleuchtdichte
auf 70%) signifikant verlängert.
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4 zeigt
die Leistungseffizienz der verglichenen OLEDs über längere
Zeit. Auch hier brilliert wieder die OLED nach der Erfindung, wo
ein mit der unbehandelten OLED vergleichbarer Rekordwert am Anfang praktisch über
den gesamten gemessenen Zeitraum erhalten bleibt.
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Die
Auswahl an funktionierenden Molekülen für die
SAM mit positiven Eigenschaften auf Lebensdauer und Effizienz ist
sehr begrenzt, wie eindrucksvoll in der Literatur und in eigenen
Tests nachgewiesen werden konnte:
So wurde nachgewiesen, dass
anstelle des Trichlorosilans beispielsweise auch das Trimethoxysilan
verwendet werden kann.
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Die
Erfindung betrifft eine neuartige Auswahl für Monolagen
organischer dielektrischer Verbindungen auf transparenten leitfähigen
Metalloxidoberflächen, wie sie beispielsweise bei der Herstellung
organisch basierter elektronischer Bauelemente eingesetzt werden.
Durch die Auswahl gemäß der Erfindung werden völlig neue
Größenordnungen an Lebensdauer der damit hergestellten
Geräte erreicht. Des weiteren lassen sich noch viele vorteilhafte
Einsatzgebiete dieser Monolagen nennen, beispielsweise ein Einsatz
für den Korrosionsschutz, für Lithographie etc.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 102004005082 [0004, 0004]
-
Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- - Asha Sharma,
Bernard Kippelen, Peter J. Hotchkiss, and Seth R. Marder, ”Stabilization
of the work function of indium tin oxide using organic surface modifiers
in organic lightemitting diodes”, Applied Physics Letters
93 (2008) 163308, [0005]
- - http://www.appliedmst.com/products mvd100.htm pdf [0025]
