DE102011018480A1 - Fluorierte Amine als SAM in OLEDs - Google Patents
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- 150000001412 amines Chemical class 0.000 title claims abstract description 48
- 108010038083 amyloid fibril protein AS-SAM Proteins 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 228
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 49
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 46
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 22
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 22
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 22
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 22
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 20
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 14
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 13
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 12
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 12
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 10
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 claims 2
- -1 C 1 -C 5 -alkylene radical Chemical class 0.000 description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000010414 supernatant solution Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- PFINVJYJNJHTFY-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecan-1-amine Chemical compound NCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F PFINVJYJNJHTFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- AQZYBQIAUSKCCS-UHFFFAOYSA-N perfluorotripentylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F AQZYBQIAUSKCCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 2
- GJVFBWCTGUSGDD-UHFFFAOYSA-L pentamethonium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].C[N+](C)(C)CCCCC[N+](C)(C)C GJVFBWCTGUSGDD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical group CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZCZXRSVKNFILZ-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctan-1-amine Chemical compound NCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HZCZXRSVKNFILZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGTNSNPWRIOYBX-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-{[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethyl](methyl)amino}-2-(propan-2-yl)pentanenitrile Chemical compound C1=C(OC)C(OC)=CC=C1CCN(C)CCCC(C#N)(C(C)C)C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 SGTNSNPWRIOYBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003542 3-methylbutan-2-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical group NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229930194542 Keto Natural products 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100192157 Mus musculus Psen2 gene Proteins 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKGSHSILLGXYDW-UHFFFAOYSA-N N-undecylundecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCNCCCCCCCCCCC NKGSHSILLGXYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008431 aliphatic amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N allene Chemical group C=C=C IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006318 anionic polymer Polymers 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006547 cyclononyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl ether Chemical compound CC(C)(C)OC(C)(C)C AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N hydroxyl Chemical class [OH] TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000003956 methylamines Chemical class 0.000 description 1
- ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N n,n-di(nonyl)nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN(CCCCCCCCC)CCCCCCCCC ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIFGNLZAYFLFL-UHFFFAOYSA-N n,n-di(undecyl)undecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCCC)CCCCCCCCCCC JEIFGNLZAYFLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylethylamine Chemical compound CCN(C)C DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N n-decyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCNCCCCCCCCCC GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJCJUDJQDGGKOX-UHFFFAOYSA-N n-dodecyldodecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCNCCCCCCCCCCCC MJCJUDJQDGGKOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N n-heptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCNCCCCCCC NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N n-hexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNCCCCCC PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFHKEJIIHDNPQE-UHFFFAOYSA-N n-nonylnonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCNCCCCCCCCC MFHKEJIIHDNPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N n-pentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCNCCCCC JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940100684 pentylamine Drugs 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABVVEAHYODGCLZ-UHFFFAOYSA-N tridecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCN ABVVEAHYODGCLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWZDQOUHBYYPJD-UHFFFAOYSA-N tridodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCCCC)CCCCCCCCCCCC SWZDQOUHBYYPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
- QFKMMXYLAPZKIB-UHFFFAOYSA-N undecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCN QFKMMXYLAPZKIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
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- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
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- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
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- H—ELECTRICITY
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- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Schichtkörper, mindestens beinhaltend – eine erste Schicht beinhaltend ein leitfähiges Polymer; – eine auf die erste Schicht folgende weitere Schicht, beinhaltend ein fluoriertes Amin. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtkörpers, den durch dieses Verfahren erhältlichen Schichtkörper, elektronische Bauteile beinhaltend einen Schichtkörper sowie die Verwendung eines fluorierten Amins.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Schichtkörper, ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtkörpers, den durch dieses Verfahren erhältlichen Schichtkörper, elektronische Bauteile beinhaltend einen Schichtkörper sowie die Verwendung eines fluorierten Amins.
- Eine elektrolumineszierende Anordnung (EL-Anordnung) ist dadurch charakterisiert, dass sie bei Anlegung einer elektrischen Spannung unter Stromfluss Licht aussendet. Derartige Anordnungen sind unter der Bezeichnung „Leuchtdioden” (LEDs = „light emitting diodes”) seit langem bekannt. Die Emission von Licht kommt dadurch zustande, dass positive Ladungen (Löcher) und negative Ladungen (Elektronen) unter Aussendung von Licht rekombinieren.
- Die in der Technik gebräuchlichen LEDs bestehen alle zum überwiegenden Teil aus anorganischen Halbleitermaterialien. Seit einigen Jahren sind jedoch EL-Anordnungen bekannt, deren wesentliche Bestandteile organische Materialien sind. Diese organischen EL-Anordnungen (OLED = „organic light emitting diode”) enthalten in der Regel eine oder mehrere Schichten aus organischen Ladungstransportverbindungen.
- Der prinzipielle Schichtaufbau einer EL-Anordnung ist z. B. wie folgt:
-
- 1 Träger, Substrat
- 2 Basiselektrode
- 3 Lochinjektionsschicht
- 4 Elektronen-blockierende Schicht
- 5 Emitterschicht
- 6 Löcher-blockierende Schicht
- 7 Elektroneninjektionsschicht
- 8 Topelektrode
- 9 Kontakte
- 10 Umhüllung, Verkapselung
- Dieser Aufbau stellt den detailliertesten Fall dar und kann vereinfacht werden, indem einzelne Schichten weggelassen werden, so dass eine Schicht mehrere Aufgaben übernimmt. Im einfachsten Fall besteht eine EL-Anordnung aus zwei Elektroden, zwischen denen sich eine organische Schicht befindet, die alle Funktionen – inklusive der Emission von Licht – erfüllt.
- Es hat sich aber in der Praxis gezeigt, dass zur Erhöhung der Leuchtdichte Elektronen- und/oder Lochinjektionsschichten in den elektrolumineszierenden Aufbauten besonders vorteilhaft sind, wobei insbesondere für die Lochinjektionsschicht häufig elektrisch leitfähige Polymere eingesetzt werden. Besondere technische Bedeutung haben hier beispielsweise die in der
EP 0 440 957 A2 offenbarten Dispersionen von PEDOT mit Polyanionen, wie z. B. Polystyrolsulfonsäure (PSS), erlangt. Aus diesen Dispersionen können transparente, leitfähige Filme erzeugt werden, die sich als Lochinjektionsschicht in OLED eigenen, wie dies etwa in derEP 1 227 529 A2 beschrieben ist. - Die Polymerisation von EDOT erfolgt dabei in einer wässrigen Lösung des Polyanions, und es entsteht ein Polyelektrolytkomplex. Kationische Polythiophene, die zur Ladungskompensation polymere Anionen als Gegenionen enthalten, werden in der Fachwelt auch oft als Polythiophen/Polyanion-Komplexe bezeichnet. Aufgrund der Polyelektrolyteigenschaften von PEDOT als Polykation und PSS als Polyanion stellt dieser Komplex dabei keine echte Lösung dar, sondern eher eine Dispersion. Inwieweit Polymere oder Teile der Polymere dabei gelöst oder dispergiert sind, hängt vom Massenverhältnis des Polykations und des Polyanions, von der Ladungsdichte der Polymere, von der Salzkonzentration der Umgebung und von der Natur des umgebenden Mediums ab (V. Kabanov, Russian Chemical Reviews 74, 2005, 3–20). Die Übergänge können dabei fließend sein. Daher wird im Folgenden nicht zwischen den Begriffen „dispergiert” und „gelöst” unterschieden. Ebenso wenig wird zwischen „Dispergierung” und „Lösung” oder zwischen „Dispersionsmittel” und „Lösungsmittel” unterschieden. Vielmehr werden diese Begriffe im Folgenden als gleichbedeutend verwendet.
- Zur Verbesserung der Lebensdauer von OLEDs beinhaltend Schichten auf der Basis von nassprozessierten PEDOT:PSS-Dispersionen schlagen
DE-A-10 2004 006583 undDE-A-10 2004 010811 Dispersionen vor, die neben dem leitfähigen Polymer, vorzugsweise neben PEDOT, ein fluoriertes oder perfluoriertes Polyanion enthalten. Die daraus hergestellten Schichten eignen sich besonders gut als Lochinjektionsschichten in OLEDs enthaltend wenigstens zwei Elektroden, wovon gegebenenfalls wenigstens eine auf ein gegebenenfalls transparentes Substrat aufgebracht ist, wenigstens eine Emitterschicht zwischen den beiden Elektroden und wenigstens eine Lochinjektionsschicht zwischen einer der beiden Elektroden und der Emitterschicht, wobei die Emitterschicht in unmittelbaren Kontakt mit der Lochinjektionsschicht steht. Schichten, die fluorierte oder perfluorierte Polymere enthalten, zeichnen sich jedoch durch einen hohen Kontaktwinkel aus. Dies erschwert die Abscheidung weiterer Lösungsmittel-basierter Schichten, da der große Kontaktwinkel die Filmbildung erschwert. -
DE-A-10 2009 031 677 schlägt zur Verlängerung der Lebensdauer von OLEDs vor, anstelle von PSS funktionalisierte Polysulfone als Polyanionen zum Ladungsausgleich der kationischen Polythiophene einzusetzen. - Der Nachteil der Verwendung von Lochinjektionsschichten auf der Basis von nassprozessierten PEDOT:PSS-Dispersionen oder Dispersionen aus PEDOT und funktionalisierten Polsulfonen in OLEDs besteht jedoch unter anderem darin, dass es vor allem an der Grenzschicht zwischen der Lochinjektionsschicht und der Emitterschicht noch immer zu einer Degradation der organischen Schicht kommen kann, welche die Lebensdauer der OLEDs begrenzt.
- Die Verwendung von SAMs („self assembled monolayer”) zur Oberflächenmodifizierung ist ebenfalls bekannt. So beschreiben Lee et al. (Proceedings of SPIE, 6655, 66551E (2007)) die Verwendung von Octadecyltrichlorosilan (OTS) zur Bildung einer SAM-Schicht auf einer Schicht von PEDOT:PSS und zeigen, dass aus dieser Oberflächenmodifizierung eine Steigerung der Effizienz von entsprechenden OLEDs resultiert.
DE-A-10 2009 012163 offenbart die Verwendung von fluorierten Silanen zur Oberflächenmodifizierung von Metalloxiden wie beispielsweise ITO und deren Verwendung in OLEDs. - Der vorliegenden Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, die sich aus dem Stand der Technik ergebenden Nachteile im Zusammenhang mit OLEDs, insbesondere im Zusammenhang mit OLEDs, welche Lochinjektionsschichten beinhaltend leitfähige Polymere, insbesondere Lochinjektionsschichten beinhaltend Polythiophene und mit Säure-Gruppen funktionalisierte Polyanionen umfassen, zu überwinden.
- Insbesondere lag der vorliegenden Erfindung die Aufgabe, einen Schichtkörper beinhaltend leitfähige Polymere, insbesondere leitfähige Polymere beinhaltend Polythiophene und mit Säure-Gruppen funktionalisierte Polyanionen, bereitzustellen, der beispielsweise als Lochinjektionsschicht in einem OLED geeignet ist und der im Vergleich zu den aus dem Stand der Technik bekannten Lochinjektionsschichten weniger anfällig ist für eine Degradation.
- Auch lag der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Schichtkörpers anzugeben, welches die Herstellung degradationsstabiler Lochinjektionsschichten beinhaltend leitfähige Polymere, insbesondere leitfähige Polymere umfassend Polythiophene und mit Säure-Gruppen funktionalisierte Polyanionen, mittels möglichst einfacher Verfahrensmaßnahmen ermöglich, ohne dabei die elektrischen Eigenschaften solcher Schichten nachteilig zu beeinflussen. Das Verfahren soll insbesondere auch die Herstellung von OLEDs mit besonders langer Lebensdauer ermöglichen.
- Der vorliegenden Erfindung lag auch die Aufgabe zugrunde, OLEDs bereitzustellen, die durch eine besonders lange Lebensdauer gekennzeichnet sind, wobei sich die längere Lebensdauer insbesondere darin manifestieren soll, dass der Zeitraum, der vergeht, bis sich die Lichtintensität des OLEDs bei einem konstanten Strom halbiert hat, möglichst lang ist.
- Einen Beitrag zur Lösung der eingangs genannten Aufgaben leistet ein Schichtkörper, mindestens beinhaltend
- – eine erste Schicht beinhaltend ein leitfähiges Polymer;
- – eine auf die erste Schicht folgende weitere Schicht, beinhaltend ein fluoriertes Amin.
- Überraschend wurde festgestellt, dass fluorierte Amine auf einer Oberfläche eines leitfähigen Polymers, insbesondere auf einer Oberfläche eines leitfähigen Polymers beinhaltend ein Polythiophen und ein mit Säure-Gruppen funktionalisiertes Polymer, beispielsweise auf einer PEDOT:PSS-Oberfläche, eine selbstorganisierte Monolage (SAM) bilden können. Die fluorierten Einheiten dienen ebenfalls der Selbstorganisation, da sie die Nachbarschaft weiterer Fluorgruppen bevorzugen. Es hat sich gezeigt, dass die Lebendauer eines OLEDs deutlich gesteigert werden kann, wenn beispielsweise in einem Aufbau Glas/ITO/PEDOT:PSS/-NPB/Alg3/LiF/Kathode die PEDOT:PSS basierte Lochinjektionsschicht mit einer Lösung eines perfluorierten Amins überschichtet wird.
- Der erfindungsgemäße Schichtkörper umfasst eine erste Schicht, welche ein leitfähiges Polymer beinhaltet. Als leitfähige Polymere kommen dabei alle Polymere in Betracht, welche eine elektrische Leitfähigkeit aufweisen, wie etwa leitfähige Polymere auf der Basis von gegebenenfalls substituierten Polyanilinen, gegebenenfalls substituierten Polypyrrolen oder gegebenenfalls substituierten Polythiophenen, wobei leitfähige Polymere auf der Basis von gegebenenfalls substituierten Polythiophenen besonders bevorzugt sind.
- Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Schichtkörpers beinhaltet das leitfähige Polymer in der ersten Schicht ein vorzugsweise kationisches Polythiophen und ein vorzugsweise anionisches, mit Säure-Gruppen funktionalisiertes Polymer.
- Bei dem Polythiophen handelt es sich vorzugsweise um ein Polythiophen mit wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formel (I) oder (II) oder eine Kombination aus Einheiten der allgemeinen Formeln (I) und (II), vorzugsweise um ein Polythiophen mit wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formel (II): worin
A für einen gegebenenfalls substituierten C1-C5-Alkylenrest steht,
R für einen linearen oder verzweigten, gegebenenfalls substituierten C1-C18-Alkylrest, einen gegebenenfalls substituierten C5-C12-Cycloalkylrest, einen gegebenenfalls substituierten C6-C14-Arylrest, einen gegebenenfalls substituierten C7-C18-Aralkylrest, einen gegebenenfalls substituierten C1-C4-Hydroxyalkylrest oder einen Hydroxylrest steht,
x für eine ganze Zahl von 0 bis 8 steht und
für den Fall, dass mehrere Reste R an A gebunden sind, diese gleich oder unterschiedlich sein können. - Die allgemeinen Formeln (I) und (II) sind so zu verstehen, dass x Substituenten R an den Alkylenrest A gebunden sein können.
- Besonders bevorzugt sind Polythiophene mit wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formel (II), worin A für einen gegebenenfalls substituierten C2-C3-Alkylenrest und x für 0 oder 1 steht. Ganz besonders bevorzugt als Polythiophen ist Poly(3,4-ethylendioxythiophen), das gegebenenfalls substituiert ist.
- Unter dem Präfix Poly- ist im Rahmen der Erfindung zu verstehen, dass mehr als eine gleiche oder verschiedene wiederkehrende Einheiten der allgemeinen Formeln (I) bzw. (II) im Polymeren bzw. Polythiophen enthalten ist. Gegebenenfalls können die Polythiophene neben den wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formeln (I) und/oder (II) auch andere wiederkehrende Einheiten beinhalten, wobei es jedoch bevorzugt ist, dass mindestens 50%, besonders bevorzugt mindestens 75% und am meisten bevorzugt mindestens 95% aller wiederkehrenden Einheiten des Polythiophens die allgemeine Formel (I) und/oder (II), vorzugsweise der allgemeinen Formeln (II) aufweisen. Die Polythiophene enthalten insgesamt n wiederkehrende Einheiten der allgemeinen Formel (I) und/oder (II), vorzugsweise der allgemeinen Formel (II), wobei n eine ganze Zahl von 2 bis 2000, bevorzugt 2 bis 100, ist. Die wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formel (I) und/oder (II), vorzugsweise der allgemeinen Formel (II), können innerhalb eines Polythiophens jeweils gleich oder verschieden sein. Bevorzugt sind Polythiophene mit jeweils gleichen wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formel (II).
- An den Endgruppen tragen die Polythiophene bevorzugt jeweils H.
- C1-C5-Alkylenreste A sind im Rahmen der Erfindung bevorzugt Methylen, Ethylen, n-Propylen, n-Butylen oder n-Pentylen. C1-C18-Alkyl R stehen bevorzugt für lineare oder verzweigte C1-C18-Alkylreste wie Methyl, Ethyl, n- oder iso-Propyl, n-, iso-, sec- oder tert-Butyl, n-Pentyl, 1-Methylbutyl, 2-Methylbutyl, 3-Methylbutyl, 1-Ethylpropyl, 1,1-Dimethylpropyl, 1,2-Dimethylpropyl, 2,2-Dimethylpropyl, n-Hexyl, n-Heptyl, n-Octyl, 2-Ethylhexyl, n-Nonyl, n-Decyl, n-Undecyl, n-Dodecyl, n-Tridecyl, n-Tetradecyl, n-Hexadecyl oder n-Octadecyl, C5-C12-Cycloalkylreste R stehen beispielsweise für Cyclopentyl, Cyclohexyl, Cycloheptyl, Cyclooctyl, Cyclononyl oder Cyclodecyl, C5-C14-Arylreste R stehen beispielsweise für Phenyl oder Naphthyl, und C7-C18-Aralkylreste R beispielsweise für Benzyl, o-, m-, p-Tolyl, 2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-Xylyl oder Mesityl. Die vorangehende Aufzählung dient der beispielhaften Erläuterung der Erfindung und ist nicht als abschließend zu betrachten.
- Als gegebenenfalls weitere Substituenten der Reste A und/oder der Reste R kommen im Rahmen der Erfindung zahlreiche organische Gruppen in Frage, beispielsweise Alkyl-, Cycloalkyl-, Aryl-, Aralkyl-, Alkoxy, Halogen-, Ether-, Thioether-, Disulfid-, Sulfoxid-, Sulfon-, Sulfonat-, Amino-, Aldehyd-, Keto-, Carbonsäureester-, Carbonsäure-, Carbonat-, Carboxylat-, Cyano-, Alkylsilan- und Alkoxysilangruppen sowie Carboxylamidgruppen.
- Die Polythiophene können neutral oder kationisch sein. In bevorzugten Ausführungsformen sind sie kationisch, wobei sich „kationisch” nur auf die Ladungen bezieht, die auf der Polythiophenhauptkette sitzen. Je nach Substituent an den Resten R können die Polythiophene positive und negative Ladungen in der Struktureinheit tragen, wobei sich die positiven Ladungen auf der Polythiophenhauptkette und die negativen Ladungen gegebenenfalls an den durch Sulfonat- oder Carboxylatgruppen substituierten Resten R befinden. Dabei können die positiven Ladungen der Polythiophenhauptkette zum Teil oder vollständig durch die gegebenenfalls vorhandenen anionischen Gruppen an den Resten R abgesättigt werden. Insgesamt betrachtet können die Polythiophene in diesen Fällen kationisch, neutral oder sogar anionisch sein. Dennoch werden sie im Rahmen der Erfindung alle als kationische Polythiophene betrachtet, da die positiven Ladungen auf der Polythiophenhauptkette maßgeblich sind. Die positiven Ladungen sind in den Formeln nicht dargestellt, da ihre genaue Zahl und Position nicht einwandfrei feststellbar sind. Die Anzahl der positiven Ladungen beträgt jedoch mindestens 1 und höchstens n, wobei n die Gesamtanzahl aller wiederkehrenden Einheiten (gleicher oder unterschiedlicher) innerhalb des Polythiophens ist.
- Zur Kompensation der positiven Ladung des Polythiophens beinhaltet die erste Schicht weiterhin ein Polyanion, welches auf mit Säure-Gruppen funktionalisierten Polymeren basiert. Als Polyanion kommen insbesondere Anionen polymerer Carbonsäuren, wie Polyacrylsäuren, Polymethacrylsäure oder Polymaleinsäuren, oder polymerer Sulfonsäuren, wie Polystyrolsulfonsäuren und Polyvinylsulfonsäuren in Betracht. Diese Polycarbon- und -sulfonsäuren können auch Copolymere von Vinylcarbon- und Vinylsulfonsäuren mit anderen polymerisierbaren Monomeren, wie Acrylsäureestern und Styrol, sein. Besonders bevorzugt ist in der ersten Schicht zur Kompensierung der positiven Ladung des Polythiophens ein Anion einer polymeren Carbon- oder Sulfonsäure enthalten.
- Besonders bevorzugt als Polyanion ist das Anion der Polystyrolsulfonsäure (PSS), welches bei der Verwendung von Polythiophen, insbesondere von Poly(3,4-ethylendioxythiophen), vorzugsweise komplexgebunden in Form der aus dem Stand der Technik bekannten PEDOT:PSS-Komplexe vorliegt. Solche Komplexe sind dadurch erhältlich, dass die Thiophen-Monomere, vorzugsweise 3,4-Ethylendioxythiophen, in wässriger Lösung in Gegenwart der Polystyrolsulfonsäure oxidativ polymerisiert werden.
- Das Molekulargewicht der die Polyanionen liefernden, mit Säure-Gruppen funktionalisierten Polymere beträgt vorzugsweise 1000 bis 2000000, besonders bevorzugt 2000 bis 500000. Die mit Säure-Gruppen funktionalisierten Polymere oder ihre Alkalisalze sind im Handel erhältlich, z. B. Polystyrolsulfonsäuren und Polyacrylsäuren, oder aber nach bekannten Verfahren herstellbar (siehe z. B. Houben Weyl, Methoden der organischen Chemie, Bd. E 20 Makromolekulare Stoffe, Teil 2, (1987), S. 1141 u. f.).
- Mit Säure-Gruppen funktionalisierte Polymere (Polyanionen) und Polythiophene, insbesondere Polystyrolsulfonsäure und Poly(3,4-ethylendioxythiophen), können in der ersten Schicht in einem Gewichtsverhältnis von 0,5:1 bis 50:1, bevorzugt von 1:1 bis 30:1, besonders bevorzugt 2:1 bis 20:1 vorliegen. Das Gewicht der elektrisch leitfähigen Polymere entspricht hierbei der Einwaage der zur Herstellung der leitfähigen Polymere eingesetzten Monomere unter Annahme, dass bei der Polymerisation vollständiger Umsatz erfolgt. Gemäß einer besonderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Kondensators liegt die Polystyrolsulfonsäure gegenüber dem Polythiophen, insbesondere gegenüber dem Poly(3,4-ethylendioxythiophen), im Gewichtsüberschuss vor.
- Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Schichtkörpers besteht die erste Schicht zu mindestens 40 Gew.-%, besonders bevorzugt zu mindestens 55 Gew.-% und am meisten bevorzugt zu mindestens 70 Gew.-%, jeweils bezogen auf das Gesamtgewicht der ersten Schicht, aus dem Polythiophen und dem mit Säure-Gruppen funktionalisierten Polymer, besonders bevorzugt aus PEDOT:PSS.
- Die Schichtdicke der ersten Schicht liegt vorzugsweise in einem Bereich von 1 nm bis 10 μm, besonders bevorzugt in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm und am meisten bevorzugt in einem Bereich von 20 nm bis 200 nm.
- Der erfindungsgemäße Schichtkörper umfasst neben der vorstehend beschriebenen ersten Schicht eine auf die erste Schicht folgende weitere Schicht, welche ein fluoriertes Amin beinhaltet, wobei es erfindungsgemäß besonders bevorzugt ist, wenn es sich bei dieser weiteren um eine Schicht handelt, welche eine selbstorganisierende Monoschicht (SAM = „self assembled monolayer”) ausbildet. Eine selbstorganisierende Monoschicht bildet sich im Allgemeinen spontan beim Eintauchen eines Substrates in ein das fluorierte Amin beinhaltendes Fluid. Es handelt sich um eine organisierte Schicht aus amphiphilen Molekülen, wobei ein Ende der jeweiligen Moleküle eine spezifische, reversible Affinität für ein Substrat besitzt. Im Gegensatz zu herkömmlichen Beschichtungsverfahren, wie beispielsweise der chemischen Gasphasenabscheidung, weisen SAMs eine definierte Schichtdicke, üblicherweise eine Schichtdicke im Bereich von ungefähr 0,1 bis 2 nm, auf.
- Die fluorierten Amine können perfluoriert oder polyfluoriert sein (d. h. die Wasserstoffatome in den Alkylketten der Amine können vollständig oder nur teilweise durch Fluoratome ersetzt sein). Vorzugsweise jedoch sind mindestens 40%, besonders bevorzugt mindestens 55% und am meisten bevorzugt mindestens 70% der Wasserstoffatome in dem Amin durch Fluoratome ersetzt.
- Weiterhin kann es sich bei den fluorierten Aminen um primäre, sekundäre oder tertiäre Amine handeln. In diesem Zusammenhang ist es insbesondere bevorzugt, dass das fluorierte Amin die allgemeine Formel (III) aufweist, in der R1, R2 und R3 unabhängig voneinander für ein Wasserstoffatom, für einen C1-C20-Alkylrest, vorzugsweise für einen C1-C15-Alkylrest, besonders bevorzugt für einen C1-C10-Alkylrest, oder für einen fluorierten C1-C20-Alkylrest, vorzugsweise für einen fluorierten C1-C15-Alkylrest, besonders bevorzugt für einen fluorierten C1-C10-Alkylrest steht, wobei mindestens einer der Reste R1, R2 und R3 für einen fluorierten C1-C20-Alkylrest, vorzugsweise für einen fluorierten C1-C15-Alkylrest und besonders bevorzugt für einen fluorierten C1-C10-Alkylrest steht. Die Bezeichnung „fluoriert” umfasst auch hier sowohl perfluorierte als auch polyfluorierte Alkylreste,
- Die vorstehend genannten Alkylreste bzw. fluorierten Alkylreste können geradkettig oder verzweigt sein und gegebenenfalls auch zyklische Einheiten umfassen, wobei geradkettige Alkylreste besonders bevorzugt sind.
- Als Beispiele geeigneter fluorierte Amine seien beispielsweise polyfluoriniertes oder perfluoriniertes Methylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Ethylamin, Diethylamin, Triethylamin, Ethylmethylamin, Ethyldimethylamin, Diethylmethylamin, Propylamin, Dipropylamin, Tripropylamin, Butylamin, Dibutylamin, Tributylamin, Pentylamin, Dipentylamin, Tripentylamin, Hexylamin, Dihexylamin, Trihexylamin, Heptylamin, Diheptylamin, Triheptylamin, Octylamin, Dioctylamin, Trioctylamin, Nonylamin, Dinonylamin, Trinonylamin, Decylamin, Didecylamin, Tridecylamin, Undecylamin, Diundecylamin, Triundecylamin, Dodecylamin, Didodecylamin oder Tridodecylamin genannt. Im Zusammenhang mit diesen per- oder polyfluorierten Alkyl-, Dialkyl- oder Trialkylaminen ist es wiederum bevorzugt, wenn mindestens 40%, besonders bevorzugt mindestens 55% und am meisten bevorzugt mindestens 70% der Wasserstoffatome in dem Amin durch Fluoratome ersetzt sind. Sofern nur ein Teil der Wasserstoffatome durch Fluoratome ersetzt ist, so ist es bevorzugt, wenn sich die noch verbleibenden Wasserstoffatome möglichst nahe am Stickstoffatom befinden. Als konkrete Beispiele für fluorierte Amine seien Perfluorotripentylamin, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,-10,10,10-Heptadecafluoro-1-decylamin (auch 1H,1H,-2H,2H-Perfluorodecylamin genannt) oder 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-Penta-decafluoro-1-octylamin (auch 1H,1H-Perfluorooctylamin genannt) genannt.
- In dem erfindungsgemäßen Schichtkörper kann die weitere Schicht auch Mischungen aus mindestens zwei verschiedenen fluorierten Aminen umfassen.
- Einen Beitrag zur Lösung der eingangs genannten Aufgaben leistet auch ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtkörpers, beinhaltend die Verfahrensschritte
- i) das Aufbringen eines leitfähigen Polymers auf ein Substrat unter Erhalt einer ersten Schicht;
- ii) das Aufbringen eines fluorierten Amins auf die erste Schicht unter Erhalt einer weiteren Schicht.
- Im Verfahrensschritt i) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein leitfähiges Polymer auf ein Substrat unter Erhalt einer ersten Schicht aufgebracht.
- Als Substrate kommen dabei alle Schichten in Betracht, die in elektronischen Bauteilen, wie etwa einem OLED, eingesetzt werden können. So kann es sich bei dem Substrat insbesondere um ein mit einer vorzugsweise transparenten Basiselektrode versehenes, vorzugsweise ebenfalls transparentes Substrat handeln. Als transparentes Substrat können dabei beispielswiese Glas, PET oder andere transparente Kunststoffen eingesetzt werden, auf die dann eine transparente elektrisch leitfähige Elektrode aufgebracht wird, wie z. B. eine Elektrode aus Indium-Zinnoxid (ITO), dotiertem Zink- oder Zinnoxid oder einem leitfähigem Polymer. Besonders geeignete transparente Kunststoffsubstrate sind beispielsweise Polycarbonate, Polyester wie z. B. PET und PEN (Polyethylenterephthalat bzw. Polyethylennaphthalindicarboxylat), Copolycarbonate, Polyacrylate, Polysulfone, Polyethersulfone (PES), Polyimide, Polyethylen, Polypropylen, cyclische Polyolefine bzw. cyclische Olefincopolymere (COC), hydrierte Styrolpolymere oder hydrierte Styrolcopolymere. Geeignete Polymerunterlagen können beispielsweise auch Folien wie Polyesterfolien, PES-Folien der Firma Sumitomo oder Polycarbonatfolien der Firma Bayer AG (Makrofol®) sein. Erfindungsgemäß besonders bevorzugt als Substrat ist mit ITO beschichtetes Glas.
- Auf ein solches Substrat bzw. auch die auf ein solches Substrat aufgebrachte Elektrodenschicht wird das leitfähige Polymer unter Erhalt der ersten Schicht des erfindungsgemäßen Schichtkörpers aufgebracht, wobei als leitfähiges Polymer diejenigen leitfähigen Polymere besonders bevorzugt sind, die bereits eingangs im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Schichtkörper als bevorzugtes leitfähiges Polymer beschrieben wurden. Erfindungsgemäß besonders bevorzugt ist demnach ein leitfähiges Polymer beinhaltend ein Polythiophen, besonders bevorzugt PEDOT, und ein mit Säure-Gruppen funktionalisiertes Polymer, besonders bevorzugt PSS, wobei auch hier der Einsatz von PEDOT:PSS-Komplexen als leitfähiges Polymer ganz besonders bevorzugt ist.
- Vorzugsweise wird dabei das leitfähige Polymer in Form einer Dispersion beinhaltend das leitfähige Polymer und ein Dispersionsmittel, besonders bevorzugt in Form einer Dispersion beinhaltend ein Polythiophen, ein mit Säure-Gruppen funktionalisiertes Polymer und ein Dispersionsmittel, ganz besonders bevorzugt in Form einer PEDOT:PSS-Dispersion, auf das Substrat aufgebracht und anschließend das Dispersionsmittel unter Erhalt der ersten Schicht zumindest teilweise entfernt. Das Aufbringen der Dispersionen kann beispielsweise nach bekannten Verfahren, z. B. durch Spincoating, Tränkung, Gießen, Auftropfen, Spritzen, Aufsprühen, Aufrakeln, Bestreichen oder Bedrucken, beispielsweise Ink-jet-, Sieb-, Tief-, Offset- oder Tampondrucken in einer Nassfilmdicke von 0,5 μm bis 250 μm, bevorzugt in einer Nassfilmdicke von 2 μm bis 50 μm erfolgen. Das zumindest teilweise Entfernen des Dispersionsmittels erfolgt vorzugsweise durch Trocknen bei einer Temperatur in einem Bereich von 20°C bis 200°C, wobei es vorteilhaft sein kann, die überstehende Dispersion vor dem Trocknungsprozess zumindest teilweise beispielsweise durch Abschleudern von dem Substrat zu entfernen.
- Die Herstellung von Dispersionen beinhaltend ein Polythiophen, ein mit Säure-Gruppen funktionalisiertes Polymer und ein Dispersionsmittel ist prinzipiell in
EP-A 1 122 274 oder derUS 5,111,327 beschrieben. Die Polymerisation der entsprechenden monomeren Verbindungen wird in Gegenwart der mit Säure-Gruppen funktionalisierten Polymere mit geeigneten Oxidationsmitteln in geeigneten Lösungsmitteln durchgeführt. Beispiele für geeignete Oxidationsmittel sind Eisen(III)-salze, insbesondere FeCl3 und Eisen(III)-salze aromatischer und aliphatischer Sulfonsäuren, H2O2, K2Cr2O7, K2S2O8, Na2S2O8, KMnO4, Alkaliperborate und Alkali- oder Ammoniumpersulfate oder Mischungen dieser Oxidationsmittel. Weitere geeignete Oxidationsmittel sind beispielsweise in Handbook of Conducting Polymers (Ed. Skotheim, T. A.), Marcel Dekker: New York, 1986, Vol. 1, 46–57 beschrieben. Besonders bevorzugte Oxidationsmittel sind FeCl3, Na2S2O8 und K2S2O8 oder Mischungen hiervon. Die Polymerisation wird bevorzugt bei einer Reaktionstemperatur von –20 bis 100°C durchgeführt. Besonders bevorzugt sind Reaktionstemperaturen von 20 bis 100°C. Gegebenenfalls wird die Reaktionslösung anschließend mit wenigstens einem Ionenaustauscher behandelt. - Geeignete Lösungsmittel sind z. B. polare Lösungsmittel wie beispielsweise Wasser, Alkohole wie Methanol, Ethanol, 2-Propanol, n-Propanol, n-Butanol, Diacetonalkohol, Ethylenglykol, Glycerin oder Mischungen aus diesen. Ebenfalls geeignet sind aliphatische Ketone wie Aceton und Methylethylketon, aliphatische Nitrile wie Acetonitril, aliphatische und cyclische Amide wie N,N-Dimethylacetamid, N,N-Dimethylformamid (DMF) und 1-Methyl-2-pyrrolidon (NMP), Ether wie Tetrahydrofuran (THF) sowie Sulfoxide wie Dimethylsulfoxid (DMSO) oder Mischungen aus diesen untereinander oder mit den vorangehend aufgeführten Lösungsmitteln.
- Vorzugsweise weisen die Dispersionen einen Feststoffgehalt in einem Bereich von 0,01 bis 20 Gew.-% und besonders bevorzugt in einem Bereich von 0,2 bis 5 Gew.-% auf, d. h. sie enthalten insgesamt 0,01 bis 20 Gew.-%, besonders bevorzugt 0,2 bis 5 Gew.-% Polythiophen(e), vorzugsweise PEDOT, mit Säure-Gruppen funktionalisiertes Polymer, vorzugsweise PSS, und gegebenenfalls weitere Komponenten, wie z. B. Bindemittel, Vernetzungsmittel und/oder Tenside, in gelöster und/oder dispergierter Form.
- Die Viskosität bei 20°C der zur Herstellung der ersten Schicht eingesetzten Dispersionen liegt vorzugsweise zwischen der Viskosität des Dispersionsmittels und 200 mPas, bevorzugt zwischen der Viskosität des Dispersionsmittels und 100 mPas.
- Zur Einstellung des gewünschten Feststoffgehaltes und der erforderlichen Viskosität kann aus den Dispersionen die gewünschte Menge an Dispersionsmittel durch Destillation, bevorzugt im Vakuum, oder durch andere Verfahren, z. B. Ultrafiltration, entfernt werden.
- Den Dispersionen können außerdem organische, polymere Bindemittel und/oder organische, niedermolekulare Vernetzungsmittel oder Tenside zugesetzt werden. Entsprechende Bindemittel sind z. B. in
EP-A 564 911 - Im Verfahrensschritt ii) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird sodann ein fluorierten Amin auf die erste Schicht unter Erhalt einer weiteren Schicht aufgebracht, wobei es besonders bevorzugt ist, wenn beim Aufbringen des fluorierten Amins auf die erste Schicht im Verfahrensschritt ii) ein SAM ausgebildet wird.
- Als fluorierte Amine sind dabei vorzugweise diejenigen fluorierten Amine bevorzugt, die bereits eingangs im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Schichtkörper als bevorzugte fluorierte Amine beschrieben wurden.
- Das Aufbringen der fluorierten Amine auf die erste Schicht erfolgt vorzugsweise dadurch, dass die fluorierten Amine in einem geeigneten unpolaren Lösungsmittel, beispielsweise einem Ether wie tert.-Butylether, gelöst werden und die erste Schicht sodann mit der so erhaltenen Lösung beschichtet wird, wobei das Aufbringen der Lösung auf die erste Schicht wiederum nach bekannten Verfahren, z. B. durch Spincoating, Tränkung, Gießen, Auftropfen, Spritzen, Aufsprühen, Aufrakeln, Bestreichen oder Bedrucken, beispielsweise Ink-jet-, Sieb-, Tief-, Offset- oder Tampondrucken erfolgen kann. Nach einer Einwirkzeit in einem Bereich von vorzugsweise 1 Sekunde bis 120 Minuten, besonders bevorzugt 1 bis 15 Minuten bei einer Temperatur in einem Bereich von vorzugsweise 10 bis 60°C, besonders bevorzugt 20 bis 30°C kann dann gegebenenfalls ein Überschuss an fluoriertem Amin beispielsweise durch das Abschleudern der überstehenden Lösung entfernt werden. Die Verfahrensbedingungen beim Aufbringen des fluorierten Amins auf die erste Schicht sollten vorzugsweise so gewählt werden, dass sich eine SAM-Schicht des fluorierten Amins auf der ersten, das leitfähige Polymer beinhaltenden Schicht, vorzugsweise auf der PEDOT:PSS beinhaltenden Schicht, ausbildet. Die Konzentration an fluoriertem Amin in der Lösung, welche zum Aufbringen des fluorierten Amins auf die erste Schicht eingesetzt wird, liegt vorzugsweise in einem Bereich von 0,1 bis 20 Gew.-%, besonders bevorzugt in einem Bereich von 1 bis 10 Gew.-%, jeweils bezogen auf das Gesamtgewicht der Lösung.
- Das erfindungsgemäße Verfahren kann neben den Verfahrensschritten i) und ii) weitere Verfahrensschritte beinhalten. Insbesondere dann, wenn der Schichtkörper Bestandteil eines OLEDs ist, können sich an den Verfahrensschritt ii) noch weitere Verfahrensschritte, wie etwa
- iii) das Aufbringen einer Lochtransportschicht auf die im Verfahrensschritt ii) erhaltene weitere Schicht;
- iv) das Aufbringen einer Emitterschicht auf die Lochtransportschicht;
- v) das Aufbringen eine Elektroneninjektionsschicht auf die Emitterschicht;
- vi) das Aufbringen einer Kathodenschicht auf die Elektroneninjektionsschicht;
- Wenn die als Lochinjektionsschicht fungierende erste Schicht des erfindungsgemäßen Schichtkörpers oder aber die Lochtransportschicht eine Fähigkeit zum Blockieren des Elektronentransports hat, kann die Lochtransportschicht oder die Lochinjektionsschicht auch als Elektronenblockierschicht bezeichnet werden. Wenn die Elektroneninjektionsschicht die Fähigkeit hat, den Lochtransport zu blockieren, kann die Elektroneninjektionsschicht auch als Lochblockierschicht bezeichnet werden.
- Als Lochtransportschichten kommen beispielsweise Schichten beinhaltend Polyvinylcarbazol oder Derivate davon, Polysilan oder Derivate davon, Polysiloxanderivate mit aromatischem Amin in der Seiten- oder Hauptkette, Pyrazolinderivate, Arylaminderivate, Stilbenderivate, Triphenyldiaminderivate, Polyanilin oder Derivate davon, Polythiophen und Derivate davon, Polyarylamin oder Derivate davon, Polypyrrol oder Derivate davon, Polyp-phenylenvinylen) oder Derivate davon und Poly(2,5-thienylenvinylen) oder Derivate davon in Betracht. Besonders bevorzugt als Lochtransportschicht ist NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin.
- Geeignete Materialien für die Emitterschicht sind konjugierte Polymere wie Polyphenylenvinylene und/oder Polyfluorene, beispielsweise die in
WO-A-90/13148 DE-A-196 27 071 beschrieben. Erfindungsgemäß besonders bevorzugt als Emitterschicht ist Tris(8-hydroxychinolinato)aluminium (Alq3). - Bevorzugt für die Elektroneninjektionsschicht sind einzelne Ca-Schichten oder eine Stapelstruktur aus einer Ca-Schicht und einer anderen Schicht, welche aus einem oder mehr Materialien besteht, die aus Metallen der Gruppe IA und IIA der Periodentabelle, ausschließlich Ca, die eine Austrittsarbeit von 1,5 bis 3,0 eV aufweisen, und Oxiden, Halogeniden und Carbonaten davon ausgewählt werden. Beispiele von Metallen der Gruppe IA der Periodentabelle, die eine Austrittsarbeit von 1,5 bis 3,0 eV aufweisen, und von Oxiden, Halogeniden und Carbonaten davon sind Lithium, Lithiumfluorid, Natriumoxid, Lithiumoxid und Lithiumcarbonat. Beispiele von Metallen der Gruppe IIA der Periodentabelle, ausschließlich Ca, die eine Austrittsarbeit von 1,5 bis 3,0 eV aufweisen, und von Oxiden, Halogeniden und Carbonaten davon sind Strontium, Magnesiumoxid, Magnesiumfluorid, Strontiumfluorid, Bariumfluorid, Strontiumoxid und Magnesiumcarbonat.
- Geeignete Materialien für die Kathodenschicht sind insbesondere transparente oder durchscheinende Materialien mit einer relativ niedrigen Austrittsarbeit (von vorzugsweise weniger als 4,0 eV). Beispiele derartiger Materialien sind Metalle, wie beispielsweise Lithium (Li), Natrium (Na), Kalium (K), Rubidium (Rb), Cäsium (Cs), Be, Magnesium (Mg), Kalzium (Ca), Strontium (Sr), Barium (Ba), Aluminium (Al), Scandium (Sc), Vanadium (V), Zn, Yttrium (Y), Indium (In), Cer (Ce), Samarium (Sm), Eu, Tb und Ytterbium (Yb); Legierungen, die aus zwei oder mehr dieser Metalle bestehen; Legierungen, die aus einem oder mehr dieser Metalle und einem oder mehr Metallen bestehen, die aus Au, Ag, Pt, Cu, Mangan (Mn), Titan (Ti), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Wolfram (W) und Zinn (Sn) ausgewählt werden; Graphit oder Graphiteinlagerungsverbindungen; und Metalloxide, wie beispielsweise ITO und Zinnoxid. Besonders bevorzugt ist der Einsatz von Aluminium als Kathodenschicht.
- Das Aufbringen der weiteren Schichten, insbesondere der Lochtransportschicht, der Emitterschicht, der Elektroneninjektionsschicht und der Kathodenschicht kann auf die dem Fachmann bekannte Art und Weise erfolgen, vorzugsweise durch Aufdampfen, wie dies etwa in der
WO-A-2009/0170244 - Einen Beitrag zur Lösung der eingangs genannten Aufgaben leistet auch ein Schichtkörper, besonders bevorzugt ein OLED oder ein OPV-Element, welcher bzw. welche durch das erfindungsgemäße Verfahren erhältlich ist bzw. sind.
- Einen Beitrag zur Lösung der eingangs genannten Aufgaben leistet auch ein elektronisches Bauteil, beinhaltend einen erfindungsgemäßen Schichtkörper oder einen durch das erfindungsgemäße Verfahren erhältlichen Schichtkörper, wobei es sich bei diesem Bauteil vorzugsweise um ein OLED oder um ein OPV-Element, besonders bevorzugt im ein OLED handelt.
- Da Schichtaufbau des OLEDs kann alle dem Fachmann bekannten Gestaltungen aufweisen, wobei jedoch vorzugsweise die Lochinjektionsschicht dergestalt durch den erfindungsgemäßen Schichtkörper ersetzt ist, dass sich die weitere Schicht aus fluoriertem Amin, vorzugsweise die weitere SAM-Schicht aus fluoriertem Amin, im Grenzbereich zwischen der lochinjizierenden Schicht und der Lochtransportschicht oder, sofern eine gesonderte Lochtransportschicht nicht vorhanden ist, im Grenzbereich zwischen der lochinjizierenden Schicht und der Emitterschicht befindet.
- Beispielsweise kann das erfindungsgemäße OLED eine beliebige der folgenden Schichtstrukturen (a) bis (h) aufweisen:
- (a) Anode/ Lochinjektionsschicht/ mindestens eine Emitterschicht/ Kathode;
- (b) Anode/ Lochinjektionsschicht/ Lochtransportschicht/ mindestens eine Emitterschicht/ Kathode;
- (c) Anode/ Lochinjektionsschicht/ mindestens eine Emitterschicht/ Elektroneninjektionsschicht/ Kathode;
- (d) Anode/ Lochinjektionsschicht/ Lochtransportschicht/ mindestens eine Emitterschicht/ Elektroneninjektionsschicht/ Kathode;
- (e) Anode/ Lochinjektionsschicht/ mindestens eine Emitterschicht/ Elektronentransportschicht/ Kathode;
- (f) Anode/ Lochinjektionsschicht/ Lochtransportschicht/ mindestens eine Emitterschicht/ Elektronentransportschicht/ Kathode;
- (g) Anode/ Lochinjektionsschicht/ mindestens eine Emitterschicht/ Elektronentransportschicht/ Elektroneninjektionsschicht/ Kathode;
- (h) Anode/ Lochinjektionsschicht/ Lochtransportschicht/ mindestens eine Emitterschicht/ Elektronentransportschicht/ Elektroneninjektionsschicht/ Kathode;
- In den Schichtstrukturen (a) bis (h) kann entweder eine Ausführungsform verwendet werden, in der die Anode an der Seite des Substrats, beispielsweise Glas oder eine transparente Kunststofffolie, angeordnet ist, oder eine Ausführungsform, in der die Kathode an der Seite des Substrats angeordnet ist.
- Als Anodenschicht, Lochtransportschicht, Emitterschicht, Elektroneninjektionsschicht und Kathodenschicht sind wiederum diejenigen Schichten bevorzugt, die bereits eingangs im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren als bevorzugte Anodenschicht, Lochtransportschicht, Emitterschicht, Elektroneninjektionsschicht bzw. Kathodenschicht genannt wurden.
- Als Elektronentransportschicht kann aus Materialien wie beispielsweise Oxadiazolderivaten, Anthrachinodimethan oder Derivaten davon, Benzochinon oder Derivaten davon, Naphthochinon oder Derivaten davon, Anthrachinon oder Derivaten davon, Tetracyanoanthrachinodimethan oder Derivaten davon, Fluorenonderivaten, Diphenyldicyanoethylen oder Derivaten davon, Diphenochinonderivate und Metallkomplexen von 8-Hydroxychinolin oder Derivaten davon, Polychinolin oder Derivaten davon, Polychinoxalin oder Derivaten davon oder Polyfluoren oder Derivaten davon bestehen.
- Erfindungsgemäß besonders bevorzugt ist dabei ein OLED, welches aus den folgenden Schichten aufgebaut ist: Anodenschicht/erste Schicht des erfindungsgemäßen Schichtkörpers oder des durch das erfindungsgemäße Verfahren erhältlichen Schichtkörpers/weitere Schicht des erfindungsgemäßen Schichtkörpers oder des durch das erfindungsgemäße Verfahren erhältlichen Schichtkörpers/ggf. Lochtransportschicht/ggf. Emitterschicht/ggf. Elektroneninjektionsschicht/Kathodenschicht.
- Einen Beitrag zur Lösung der eingangs genannten Aufgaben leistet auch die Verwendung eines fluorierten Amins zur Verbesserung der Lebensdauer von elektronischen Bauteilen, welche Schichten aus einem leitfähigen Polymer, vorzugsweise Schichten beinhaltend PDEOT:PSS-Komplexe umfassen, wobei es sich bei dem elektronischen Bauteil vorzugsweise um ein OLED handelt, ganz besonders bevorzugt um ein OLED, welches aus den folgenden Schichten aufgebaut ist: Anode/Lochinjektionsschicht/Schicht aus dem fluorierten Amin, vorzugsweise SAM-Schicht aus dem fluorierten Amin/Lochtransportschicht/Emitterschicht/Elektroneninjektionsschicht/Kathode. Die Lochinjektionsschicht beinhaltet vorzugsweise ein leitfähiges Polymer, besonders bevorzugt Komplexe aus PEDOT:PSS. Als Maß für die Lebensdauer eines OLEDs gilt dabei die Zeit, die vergeht, bis sich die Lichtintensität des OLEDs bei einem konstanten Strom halbiert hat.
- Als fluorierte Amine sind in diesem Zusammenhang wiederum diejenigen fluorierten Amine bevorzugt, welche bereits eingangs im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Schichtkörper als bevorzugte fluorierte Amine beschrieben wurden.
- Die Erfindung wird nun anhand nicht limitierender Beispiele näher erläutert:
- BEISPIELE
- Beispiel 1: SAM–Schicht aus 1H,1H,2H,2H-Perfluorodecylamin (erfindungsgemäß)
- 0,1 g 1H,1H,2H,2H Perfluorodecylamin (CHEMOS GmbH, Regenstauf, Deutschland) werden in 10 g tert-Butylmethylether gelöst. Diese Lösung „SAM-1” wird zum Aufbau einer organischen Leuchtdiode (OLED) verwendet. Bei der Herstellung der OLED und deren Charakterisierung wird folgendermaßen vorgegangen:
- 1.1 Vorbereitung des ITO-beschichteten Substrats
- ITO-beschichtetes Glas wird in 50 mm × 50 mm-große Stücke (Substrate) geschnitten und mit Fotolack und einer Ätzlösung zu vier parallelen Linien – jeweils mit 2 mm Breite und 5 cm Länge – strukturiert. Danach werden die Substrate von den Fotolackresten befreit, im Ultraschallbad in 0,3%iger Mucasol-Lösung gereinigt, mit destilliertem Wasser gespült und in einer Zentrifuge trocken geschleudert. Unmittelbar vor der Beschichtung werden die ITO-beschichteten Seiten in einem UV/Ozon-Reaktor (PR-100, UVP Inc., Cambridge, GB) für 10 min gereinigt.
- 1.2 Aufbringen der Lochinjektionsschicht
- Die wässrige Dispersion Clevios® P AI4083 (Heraeus Clevios GmbH, Leverkusen) wird über einen Spritzenfilter (Millipore HV, 0,45 μm) filtriert. Das gereinigte ITO-beschichtete Substrat wird auf eine Lackschleuder (Carl Süss, RC13) gelegt und etwa 5 ml der filtrierten Lösung werden auf der ITO-beschichteten Seite des Substrats verteilt. Anschließend wird die überstehende Lösung durch Rotation des Tellers bei 1000 U/min über den Zeitraum von 30 s abgeschleudert. Danach wird das so beschichtete Substrat 5 min lang bei 200°C auf einer Heizplatte getrocknet. Die Schichtdicke beträgt 50 nm (Tencor, Alphastep 500).
- 1.3 Aufbringen der erfindungsgemäßen SAM-Schicht
- Etwa 5 ml der Lösung „SAM-1” wird auf dem beschichteten Substrat, das nun wieder auf der Lackschleuder liegt, verteilt. Nach einer Einwirkzeit von etwa 3 min wird die überstehende Lösung bei 3000 U/min für 30 s abgeschleudert. Die Gesamtschichtdicke hat sich nach diesem Prozessschritt nicht verändert und beträgt immer noch 50 nm.
- 1.4 Aufbringen der Lochtransport- und der Emitterschicht
- Das so beschichtete Substrat wird in eine Aufdampfanlage (Univex 350, Leybold) transferiert. Bei einem Druck von 10 – 3 Pa werden nacheinander zuerst 60 nm einer Lochtransportschicht aus NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin) und dann 50 nm einer Emitterschicht aus AlQ3 (Tris-(8-hydroxyquinolin)aluminum) (Sensient, Bitterfeld) bei einer Aufdampfrate von 1 Å/sec aufgedampft.
- 1.5 Aufbringen der Metallkathode
- Anschließend wird das Schichtsystem in ein Handschuhboxsystem mit N2-Atmosphäre und einer integrierten Aufdampfanlage (Edwards) überführt und mit Metallelektroden bedampft. Dazu wird das Substrat mit dem Schichtsystem nach unten auf eine Schattenmaske gelegt. Die Schattenmaske enthält rechteckige Schlitze mit 2 mm Breite, die senkrecht zu den ITO-Streifen orientiert werden. Aus zwei Aufdampfschiffchen werden bei einem Druck von p = 10 – 3 Pa nacheinander eine 0,5 nm dicke LiF-Schicht und anschließend eine 200 nm dicke Al-Schicht aufgedampft. Die Aufdampfraten betragen 1 Å/s für LiF und 10 Å/s für Al. Die Fläche der einzelnen OLEDs beträgt 4,0 mm2.
- 1.6 Charakterisierung der OLED
- Die beiden Elektroden der organischen LED werden über elektrische Zuführungen mit einer Spannungsquelle verbunden (kontaktiert). Der positive Pol ist mit der ITO-Elektrode, der negative Pol ist mit der Metall-Elektrode verbunden. In Kennlinienmessungen wird die Abhängigkeit des OLED-Stroms und der Elektrolumineszenzintensität (der Nachweis erfolgt mit einer Photodiode (EG&G C30809E)) als Funktion der Spannung aufgezeichnet. Anschließend wird die Lebensdauer bestimmt, indem ein konstanter Strom von I = 3,84 mA durch die Anordnung fließt, und die Spannung und Lichtintensität zeitabhängig verfolgt.
- Beispiel 2: SAM-Schicht aus Perfluorotripentylamin (erfindungsgemäß)
- Herstellung einer OLED mit dem Material „SAM-2”
- Die Vorgehensweise ist wie die in Beispiel 1, mit dem Unterschied, dass in Punkt 1.3 etwa 5 ml der Lösung SAM-2 bestehend aus 0,1 g Perfluorotripentylamin (Fluroinert FC 70, Sigma Aldrich) in 10 g tert.-Butylmethylether auf dem beschichteten Substrat, das nun wieder auf der Lackschleuder liegt, verteilt wird. Nach einer Einwirkzeit von etwa 3 min wird die überstehende Lösung bei 3000 U/min für 30 s abgeschleudert. Die Schichtdicke der gesamten Beschichtung ist nach diesem Prozessschritt unverändert und beträgt 50 nm.
- Beispiel 3: SAM-Schicht aus Dodecylamin (Vergleichsbeispiel)
- Herstellung einer OLED mit dem Material „SAM-3”
- Die Vorgehensweise ist wie die in Beispiel 1, mit dem Unterschied, dass in Punkt 1.3 etwa 5 ml der Lösung SAM-3 bestehend aus 0,1 g Dodecylamin (Sigma Aldrich) in 10 g tert.-Butylmethylether auf dem beschichteten Substrat, das nun wieder auf der Lackschleuder liegt, verteilt wird. Nach einer Einwirkzeit von etwa 3 min wird die überstehende Lösung bei 3000 U/min für 30 s abgeschleudert. Die Schichtdicke der gesamten Beschichtung ist nach diesem Prozessschritt unverändert und beträgt 50 nm.
- Beispiel 4 Herstellung einer OLED ohne die erfindungsgemäße SAM-Schicht (Kontrollversuch)
- Die Vorgehensweise ist wie die in Beispiel 1, mit dem Unterschied, dass der in Punkt 1.3 dargestellte Prozessschritt „Aufbringen der erfindungsgemäßen SAM-Schicht” entfällt.
- Tabelle 1 zeigt die Auswertung der Kennlinien sowie die Lebensdauern der in Beispiel 1–4 hergestellten OLEDs. Tabelle 1
Beispiel Schichtaufbau Kennlinien bei L = 1000 cd/m2 Lebensdauer bei Iconst = 96 mA/cm2 U (V) I (mA/cm2) Eff. (cd/A) U0 (V) L0 (cd/m2) t/2 (h) 1 ITO//AI4083//SAM-1 4.70 56.4 1.77 5.10 1719 68 2 ITO//AI4083//SAM-2 4.91 49.7 2.01 5.45 1963 38 3 ITO//AI4083//SAM-3 6.48 44.6 2.24 5.86 1897 4.5 4 ITO//AI4083 5.28 48.2 2.07 5.86 2068 9 - Die Kennlinien werden bei einer Leuchtdichte von 1000 cd/m2 ausgewertet und zeigen, dass die Spannung bei Verwendung der SAM-Schichten SAM-1 und SAM-2 deutlich niedriger ist als beim Kontrollversuch ohne SAM-Schicht oder mit dem Material SAM-3.
- Der Lebensdauertest, der bei einer kontanten Stromdichte von 3,84 mA/cm2 durchgeführt wird, zeigt, dass die OLEDs mit der erfindungsgemäßen SAM-Schichten SAM-1 und SAM-2 deutlich stabiler sind als ohne. Die Größe t/2 gibt die Zeit wider bei der die Hälfte der Anfangsintensität (L0) erreicht ist.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Claims (28)
- Ein Schichtkörper, mindestens beinhaltend – eine erste Schicht beinhaltend ein leitfähiges Polymer; – eine auf die erste Schicht folgende weitere Schicht, beinhaltend ein fluoriertes Amin.
- Schichtkörper nach Anspruch 1, wobei das leitfähige Polymer ein Polythiophen und ein mit Säure-Gruppen funktionalisiertes Polymer beinhaltet.
- Schichtkörper nach Anspruch 2, wobei das Polythiophen Poly(3,4-ethylendioxythiophen) ist.
- Schichtkörper nach Anspruch 2 oder 3, wobei das mit Säure-Gruppen funktionalisierte Polymer eine Polystyrolsulfonsäure ist.
- Schichtkörper nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei das Gewichtsverhältnis von mit Säure-Gruppen funktionalisiertem Polymer zum Polythiophen in der ersten Schicht in einem Bereich von 0,5:1 bis 50:1 liegt.
- Schichtkörper nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei die erste Schicht zu mindestens 50 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der ersten Schicht, aus dem Polythiophen und dem mit Säure-Gruppen funktionalisierten Polymer besteht.
- Schichtkörper nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die weitere Schicht einen SAM („self assembled monolayer”-Schicht) ausbildet.
- Schichtkörper nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das fluorierte Amin die allgemeiner Formel (III) aufweist, in der R1, R2 und R3 unabhängig voneinander für ein Wasserstoffatom, für einen C1-C20-Alkylrest oder für einen fluorierten C1-C20-Alkylrest steht, wobei mindestens einer der Reste R1, R2 und R3 für einen fluorierten C1-C20-Alkylrest steht.
- Schichtkörper nach Anspruch 8, wobei mindestens 50% der Wasserstoffatome in dem fluorierten C1-C20-Alkylrest durch Fluoratome ersetzt sind.
- Ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtkörpers, mindestens beinhaltend die Verfahrensschritte i) das Aufbringen eines leitfähigen Polymers auf ein Substrat unter Erhalt einer ersten Schicht; ii) das Aufbringen eines fluorierten Amins auf die erste Schicht unter Erhalt einer weiteren Schicht.
- Verfahren nach Anspruch 10, wobei das leitfähige Polymer ein Polythiophen und ein mit Säure-Gruppen funktionalisiertes Polymer beinhaltet.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Polythiophen Poly(3,4-ethylendioxythiophen) ist.
- Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei das mit Säure-Gruppen funktionalisierte Polymer eine Polystyrolsulfonsäure ist.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das leitfähige Polymer in Form einer Dispersion beinhaltend das leitfähige Polymer und ein Dispersionsmittel auf das Substrat aufgebracht wird.
- Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Dispersion PEDOT:PSS-Komplexe beinhaltet.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei das Gewichtsverhältnis von mit Säure-Gruppen funktionalisiertem Polymer zum Polythiophen in der Dispersion in einem Bereich von 0,5:1 bis 50:1 liegt.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, wobei das fluorierte Amin die allgemeiner Formel (III) aufweist, in der R1, R2 und R3 unabhängig voneinander für ein Wasserstoffatom, für einen C1-C20-Alkylrest oder für einen fluorierten C1-C20-Alkylrest steht, wobei mindestens einer der Reste R1, R2 und R3 für einen fluorierten C1-C20-Alkylrest steht.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 17, wobei mindestens 50% der Wasserstoffatome in dem fluorierten C1-C20-Alkylrest durch Fluoratome ersetzt sind.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 18, wobei beim Aufbringen des fluorierten Amins auf die erste Schicht im Verfahrensschritt ii) ein SAM ausgebildet wird.
- Schichtkörper, erhältlich durch das Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 19.
- Elektronisches Bauteil, beinhaltend einen Schichtkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 9 oder 20.
- Elektronisches Bauteil nach Anspruch 21, wobei das Bauteil ein OLED („organic light emitting diode”) oder OVP-Element („organic photovoltaic”-Element) ist.
- Elektronisches Bauteil nach Anspruch 22, wobei das OLED mindestens aus den folgenden Schichten aufgebaut ist: Anode/erste Schicht des Schichtkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 9 oder 20/weitere Schicht des Schichtkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 9 oder 20/ggf. Lochtransportschicht/ggf. Emitterschicht/ggf. Elektroneninjektionsschicht/Kathode.
- Verwendung eines fluorierten Amins zur Verbesserung der Lebensdauer von elektronischen Bauteilen, welche Schichten aus einem leitfähigen Polymer beinhalten.
- Verwendung nach Anspruch 24, wobei das elektronische Bauteil ein OLED oder OVP-Element („organic photovoltaic”-Element) ist.
- Verwendung nach Anspruch 25, wobei das OLED mindestens aus den folgenden Schichten aufgebaut ist: Anode/erste Schicht des Schichtkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 9 oder 20/weitere Schicht des Schichtkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 9 oder 20/ggf. Lochtransportschicht/ggf. Emitterschicht/ggf. Elektroneninjektionsschicht/Kathode.
- Verwendung nach einem der Ansprüche 24 bis 26, wobei das fluorierte Amin die allgemeiner Formel (III) aufweist, in der R1, R2 und R3 unabhängig voneinander für ein Wasserstoffatom, für einen C1-C20-Alkylrest oder für einen fluorierten C1-C20-Alkylrest steht, wobei mindestens einer der Reste R1, R2 und R3 für einen fluorierten C1-C20-Alkylrest steht.
- Verwendung nach Anspruch 27, wobei mindestens 50% der Wasserstoffatome in dem fluorierten C1-C20-Alkylrest durch Fluoratome ersetzt sind.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011018480A DE102011018480A1 (de) | 2011-04-21 | 2011-04-21 | Fluorierte Amine als SAM in OLEDs |
KR1020137030843A KR20140032406A (ko) | 2011-04-21 | 2012-04-16 | OLEDs에서 SAM으로서 불소화 아민 |
PCT/EP2012/001631 WO2012143109A1 (en) | 2011-04-21 | 2012-04-16 | Fluorinated amines as sam in oleds |
EP12716243.6A EP2700112A1 (de) | 2011-04-21 | 2012-04-16 | Fluorierte amine als sam bei oled |
TW101113733A TW201307062A (zh) | 2011-04-21 | 2012-04-18 | 用於oled之sam的氟化胺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011018480A DE102011018480A1 (de) | 2011-04-21 | 2011-04-21 | Fluorierte Amine als SAM in OLEDs |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102011018480A1 true DE102011018480A1 (de) | 2012-10-25 |
Family
ID=46967414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102011018480A Ceased DE102011018480A1 (de) | 2011-04-21 | 2011-04-21 | Fluorierte Amine als SAM in OLEDs |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2700112A1 (de) |
KR (1) | KR20140032406A (de) |
DE (1) | DE102011018480A1 (de) |
TW (1) | TW201307062A (de) |
WO (1) | WO2012143109A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110957057A (zh) | 2019-11-14 | 2020-04-03 | 宸盛光电有限公司 | 具自组装保护层之导电结构及自组装涂层组合物 |
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- 2012-04-16 EP EP12716243.6A patent/EP2700112A1/de not_active Withdrawn
- 2012-04-16 KR KR1020137030843A patent/KR20140032406A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-04-16 WO PCT/EP2012/001631 patent/WO2012143109A1/en active Application Filing
- 2012-04-18 TW TW101113733A patent/TW201307062A/zh unknown
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS CLEVIOS GMBH, 63450 HANAU, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: HERZOG FIESSER & PARTNER PATENTANWAELTE PARTG , DE Representative=s name: HERZOG FIESSER & PARTNER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS PRECIOUS METALS GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: HERZOG FIESSER & PARTNER PATENTANWAELTE PARTG , DE |
|
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |