KR20140032406A - OLEDs에서 SAM으로서 불소화 아민 - Google Patents

OLEDs에서 SAM으로서 불소화 아민 Download PDF

Info

Publication number
KR20140032406A
KR20140032406A KR1020137030843A KR20137030843A KR20140032406A KR 20140032406 A KR20140032406 A KR 20140032406A KR 1020137030843 A KR1020137030843 A KR 1020137030843A KR 20137030843 A KR20137030843 A KR 20137030843A KR 20140032406 A KR20140032406 A KR 20140032406A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
fluorinated
laminate
polythiophene
polymer
Prior art date
Application number
KR1020137030843A
Other languages
English (en)
Inventor
윌프리드 로베니치
스테팜 키르히메이어
안드레아스 엘슈너
Original Assignee
헤레우스 프레셔스 메탈스 게엠베하 운트 코. 카게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 헤레우스 프레셔스 메탈스 게엠베하 운트 코. 카게 filed Critical 헤레우스 프레셔스 메탈스 게엠베하 운트 코. 카게
Publication of KR20140032406A publication Critical patent/KR20140032406A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/48—Conductive polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은:
- 전도성 고분자를 포함하는 제1 층;
- 불소화 아민을 포함하는, 상기 제1 층 다음의 부가층을 적어도 포함하는 적층체에 관한 것이다.
본 발명은 또한 적층체의 제조 공정, 상기 공정으로 얻어질 수 있는 적층체, 적층체를 포함하는 전자 부품뿐만 아니라 불소화 아민의 용도에 관한 것이다.

Description

OLEDs에서 SAM으로서 불소화 아민 {Fluorinated Amines as SAM in OLEDs}
본 발명은 적층체 (layer body), 적층체를 얻기 위한 공정, 상기 공정으로 얻어질 수 있는 적층체, 적층체를 포함하는 전자 부품 (electronic components)뿐만 아니라 불소화 아민 (fluorinated amine)의 용도에 관한 것이다.
전계-발광 소자 (electro-luminescent device) (EL-소자)는 전압이 적용된 경우 전류의 흐름 하에서 광을 발산하는 것을 특징으로 한다. 이러한 소자는 "발광 다이오드" (LEDs)란 이름으로 오랫동안 알려져 왔다. 광의 방출은 양전하 (positive charges) (정공 (holes)) 및 음전하 (negative charges) (전자)가 광의 방출로 재결합하는 경우에 발생한다.
공학적으로 사용된 LEDs는 무기 반도체 물질로 주로 구성된다. 그러나, 수년 동안, EL-소자는 이의 기본적 구성성분이 유기 물질로 알려져 있다. 일반적으로, 이들 유기 EL-소자 (OLED　= "유기 발광 다이오드 (organic light emitting diode)")는 하나 이상의 유기 전하-수송 화합물 (organic charge-transport compounds)의 층들을 함유한다.
EL-소자의 기본적 층 구성은, 예를 들어, 다음과 같다:
1 캐리어 (carrier), 기판
2 기저 전극 (base electrode)
3 정공 주입층 (hole injection layer)
4 전자 차단층 (electron blocking layer)
5 에미터 층 (emitter layer)
6 전공 차단층 (hole blocking layer)
7 전자 주입층 (electron injection layer)
8 상부 전극 (top electrode)
9 접촉 (contacts)
10 케이스에 넣기 (encasement), 캡슐화 (encapsulation)
이러한 배열은 가장 상세한 경우를 나타내고, 한 층이 다중 기능을 갖게 하여 개별 층들의 생략에 의해 단순화될 수 있다. 가장 간단한 경우에 있어서, EL 소자는, 그 사이에 광의 방출을 포함하는 모든 기능을 수행하는 유기층이 있는 두 개의 전극으로 이루어진다.
그러나, 실제로, 상기 전계 발광 조립체 (assemblies)에서 전자 주입층 및/또는 정공 주입층은 광 밀도를 증가시키는데 특히 유리한 것으로 나타나고, 여기서 연결 전기 전도성 고분자 (conductive polymers)는, 특히 정공 주입층에서, 종종 사용된다. 이러한 점에서 특별한 기술적 중요성은, 예를 들어, EP 0 440 957 A2에서 개시된 바와 같이, 예를 들어, 폴리스티렌 술폰산 (polystyrene sulphonic acid)(PSS)과 같은, 폴리음이온으로 PEDOT의 분산에 의해 달성된다. 이들 분산으로부터 투명, 전도성 필름을 만들어질 수 있고, 이것은 예를 들어, EP　1　227　529　A2에서 기재된 바와 같이, OLEDs에서 정공 주입층으로서 사용하기에 적절하다.
EDOT의 중합은 폴리음이온의 수성 용액에서 달성되고, 폴리전해질 (polyelectrolyte) 복합체는 형성된다. 전하 균형을 위해 반대 이온으로서 고분자 음이온을 함유하는 양이온 폴리티오펜 (polythiophenes)은, 종종 폴리티오펜/폴리음이온 복합체로서 기술 도메인 (technical domain)에서 언급된다. 폴리양이온으로서 PEDOT 및 폴리음이온 (polyanion)으로서 PSS의 폴리전해질 특성에 기인하여, 이러한 복합체는 참 용액 (true solution)을 대표하지 않고, 오히려 분산액이다. 이러한 경우에 있어서, 어느 정도로 고분자 또는 상기 고분자의 일부는, 상기 폴리양이온 및 폴리음이온에 관한 질량비 (mass ratio), 고분자의 전하 밀도, 상기 환경의 염 농도, 및 주변 매체의 성질에 의존하여 용해 또는 분산된다 (V. Kabanov, Russian Chemical Reviews 74, 2005, 3-20). 상기 크로스오버 (crossovers)는 이에 의해 흐려질 수 있다. 따라서, 이하 용어 "분산된" 및 "용해된" 사이에서 뚜렷한 구분은 없을 것이다. 동일하게 "분산액 (Dispergierung) 및 "용액" 사이, 및 "분산제" 및 "용매"사이의 구별은 거의 없을 것이다. 이들 용어는 동의어로서 사용될 것이다.
습식-처리된 PEDOT　:　PSS 분산액에 기초한 층을 포함하는 OLED의 수명을 개선하기 위하여, DE-A-10　2004　006583호 및 DE-A-10　2004　010811호는, 상기 전도성 고분자, 바람직하게는 PEDOT에 부가하여, 불소화 또는 과불소화된 폴리음이온을 함유하는 분산액을 제시한다. 이로부터 제조된 층들은 적어도 두 개의 전극을 함유하는 OLEDs에서 정공 주입층으로 특히 적절하고, 선택적으로 상기 전극의 적어도 하나는 선택적으로 투명 기재에 증착되며, 상기 두 개의 전극 사이에 적어도 하나의 에미터 층, 및 상기 두 개의 전극의 하나 및 상기 에미터 층 사이의 적어도 하나의 정공 주입층이, 상기 에미터 층이 정공 주입층과 직접적으로 접촉하는 방식으로 증착된다. 그러나, 불소화 또는 과불소화된 고분자를 함유하는 층들은, 높은 접촉각을 특징으로 한다. 이것은 큰 접촉 각이 필름 형성을 방해하기 때문에, 더 단단한 추가 용매-계 층의 증착을 만든다.
OLEDs의 수명을 늘리기 위하여, DE-A-10　2009　031　677호는 양이온성 폴리티오펜의 전하를 균형 잡기 위하여 폴리음이온으로서 PSS 대신에 관능화된 폴리술폰을 사용하는 것을 제시한다.
그러나, 이들 가운데, OLEDs에서 관능화된 폴리술폰 및 PEDOT의 분산액 또는 습식-처리된 PEDOT : PSS 분산액에 기초하여 정공 주입층을 사용하는 단점은, 상기 유기층의 분해가 상기 정공 주입층 및 에미터 층 사이의 경계층에서 우선적으로, 여전히 발생할 수 있고, 따라서 상기 OLEDs의 수명을 제한하는 것이다.
표면 변형을 위한 SAMs ("자기 조립 단분자층 (self assembled monolayer)")의 사용은 마찬가지로 알려져 있다. 따라서 Lee et al. (Proceedings of SPIE, 6655, 66551E (2007))은 PEDOT : PSS의 층에 SAM 층의 형성을 위한 옥타데실트리클로로실란 (OTS)의 사용을 기재하고 있고, 이러한 표면 변형은 상응하는 OLEDS의 효율에서 증가를 결과한다는 것을 나타낸다. DE-A-10　2009　012163호는, 예를 들어, ITO와 같은 산화 금속의 표면 변형을 위한 불소화 실란의 사용 및 OLEDs에서 이들의 사용을 개시하였다.
본 발명의 목적은 OLEDs과 연관하여, 특히 전도성 고분자를 포함하는 정공 주입층을 포함하는 OLEDs, 특히 산기 (acid groups)로 관능화된 폴리음이온 및 폴리티오펜을 포함하는 정공 주입층을 포함하는 OLEDs과 연관하여, 기술분야에서 존재하는 단점을 극복하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 예를 들어, OLED에서 공정 주입층으로서 적절하고, 기술 분야로부터 알려진 공정 주입층과 비교하여 분해에 덜 민감한, 전도성 고분자, 특히 산기로 관능화된 폴리음이온 및 폴리티오펜을 포함하는 전도성 고분자를 포함하는 적층체를 제공하는 데 있다.
본 발명의 목적은 또한, 층들의 전기적 특성에 역으로 영향을 미치지 않는, 가장 간단한 가능한 공정 기술을 사용하여, 전도성 고분자, 특히 산기로 관능화된 폴리음이온 및 폴리티오펜을 포함하는 전도성 고분자를 포함하는, (분해와 관련하여) 더욱 안정한 정정 주입층의 제조를 가능하게 하는, 이러한 적층체의 제조공정을 제공하는 데 있다. 상기 공정은 특히 더 긴 수명을 갖는 OLEDs의 제조를 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 목적은 또한 특별히 긴 수명을 특징으로 하는 OLED을 제공하는 데 있고, 여기서 상기 긴 수명은, 일정한 전류에서 상기 OLED의 광 세기가 절반까지 소요되는 시간이 가능한 한 긴 것으로 그 자체로 분명하게 할 수 있다.
전술된 목적의 해결에 대한 기여는:
- 전도성 고분자를 포함하는 제1 층;
- 불소화 아민을 포함하는, 상기 제1 층에 다음의 부가층 (further layer)을 적어도 포함하는, 적층체에 의해 만들어진다.
놀랍게도, 전도성 고분자의 표면, 특히 폴리티오펜 및 산기로 관능화된 고분자를 포함하는 전도성 고분자의 표면에, 예를 들어, PEDOT : PSS 표면상에 불소화 아민이 자기 조립 단분자층 (SAM)을 형성할 수 있다는 것을 발견하였다. 상기 불소화 단위 (units)는 또한 이들이 또 다른 불소 그룹의 접근을 선호하기 때문에, 자가 조직화 (self organisation)를 위해 제공된다. 상기 OLED의 수명이, 예를 들어, 유리/ITO/PEDOT　:　PSS/NPB/Alq3/LiF/캐소드 (cathode) 조립체에서 PEDOT : PSS계 정공 주입층이 과불소화된 아민의 용액으로 코팅된 경우, 상당하게 증가될 수 있다는 것으로 나타났다.
본 발명에 따른 적층체는 전도성 고분자를 포함하는 제1 층을 포함한다. 가능한 전도성 고분자는, 예를 들어, 선택적으로 치환된 폴리아닐린, 선택적으로 치환된 폴리피롤 또는 선택적으로 치환된 폴리티오펜에 기초한 전도성 고분자, 특히 바람직하게는 선택적으로 치환된 폴리티오펜에 기초한 고분자와 같은 전기 전도성을 나타내는 모든 이들 고분자들이다.
본 발명에 따른 상기 적층체의 특히 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 제1 층에서 전도성 고분자는 바람직하게는 양이온성 폴리티오펜 및 바람직하게는 산기로 관능화된 음이온성 고분자를 포함한다.
상기 폴리티오펜은 바람직하게는 화학식 1 또는 2의 반복 단위 또는 화학식 1 및 2의 단위의 조합을 갖는 폴리티오펜, 바람직하게는 화학식 2의 반복 단위를 갖는 폴리티오펜이다:
Figure pct00001
Figure pct00002
여기서,
A는 선택적으로 치환된 C1-C5-알킬렌 라디칼을 나타내고,
R은 선형 또는 분지형, 선택적으로 치환된 C1-C18-알킬 라디칼, 선택적으로 치환된 C5-C12-사이클로알킬 라디칼, 선택적으로 치환된 C6-C14-아릴 라디칼, 선택적으로 치환된 C7-C18-아랄킬 라디칼, 선택적으로 치환된 C1-C4-하이드록시알킬 라디칼 또는 하이드록시 라디칼을 나타내고,
x는 0 내지 8의 정수를 나타내며,
이 경우에 있어서, 다중 라디칼 R은 A에 연결되고, 이것은 같거나 다를 수 있다.
화학식 1 및 2는 x 치환기 R이 알킬렌 라디칼 A와 연결될 수 있는 것으로 이해될 수 있다.
화학식 2의 반복 단위를 갖는 폴리티오펜이 특히 바람직하고, 여기서 A는 선택적으로 치환된 C2-C3-알킬렌 라디칼을 나타내고, x는 0 또는 1을 나타낸다. 폴리티오펜으로서 특히 바람직한 것은, 선택적으로 치환된, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) (poly(3,4-ethylenedioxythiophene))이다.
본 발명의 전후 관계에 있어서, 접두어 폴리- 는 상기 고분자 또는 폴리티오펜에서 함유된 화학식 1 및/또는 2의 하나 이상의 같거나 또는 다른 반복 단위를 의미하는 것으로 이해될 것이다. 화학식 1 및/또는 2의 반복 단위뿐만 아니라, 상기 폴리티오펜은 또한 다른 반복 단위를 포함할 수 있고, 이것은 화학식 1 및/또는 2, 바람직하게는 화학식 2를 나타내는 상기 폴리티오펜의 모든 반복 단위의 바람직하게는 적어도 50%, 특히 바람직하게는 적어도 75% 및 가장 바람직하게는 적어도 95%이다. 상기 폴리티오펜은 화학식 1 및/또는 2, 바람직하게는 화학식 2의 총 n의 반복 단위를 함유하고, n은 정수 2 내지 2000이고, 바람직하게는 2 내지 100이다. 폴리티오펜 내에, 화학식 1 및/또는 2, 바람직하게는 화학식 2의 반복 단위는 각각 같거나 또는 다를 수 있다. 화학식 2의 동일한 반복 단위를 갖는 폴리티오펜이 바람직하다.
상기 폴리티오펜은 말단기에 H를 바람직하게 수반한다.
본 발명의 전후 관계에 있어서, C1-C5-알켄 라디칼 A는 바람직하게는 메틸렌, 에틸렌, n-프로필렌, n-부틸렌 또는 n-펜틸렌이다. C1-C18-알킬 R은 바람직하게는 메틸, 에틸, n- 또는 이소-프로필, n-, 이소-, sec- 또는 tert-부틸, n-펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 2-에틸헥실, n-노닐, n-데실, n-언데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-헥사데실 또는 n-옥타데실과 같은, 선형 또는 분지형 C1-C18-알킬 라디칼을 나타낸다. C5-C12-사이클로알킬 라디칼 R은, 예를 들어, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 사이클로노닐 또는 사이클로데실을 나타낸다. C5-C14-아릴 라디칼 R은 예를 들어, 페닐 또는 나프틸을 나타낸다. C7-C18-아랄킬 라디칼 R은 예를 들어, 벤질, o-, m-, p- 톨일, 2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-크실일 (xylyl) 또는 메시틸 (mesityl)을 나타낸다. 전술된 목록은 실시 예의 사용으로 본 발명에 기재하기 위해 제공하고, 제한으로 고려되는 것은 아니다.
상기 라디칼 A 및/또는 라디칼 R의 선택적인 또 다른 치환기로서, 다양한 유기 그룹은, 예를 들어, 알킬, 사이클로알킬, 아릴, 아랄킬, 알콕시, 할로겐, 에테르, 티오에티르, 디설파이드, 설폭사이드, 술폰, 설포네이트, 아미노, 알데하이드, 케톤, 카르복실산, 에스테르, 카르복실산, 카보네이트, 카르복실레이트, 시아노, 알킬실란, 및 알콕시실란기는 물론 카르복실아미드기와 같이 것이 가능하다.
상기 폴리티오펜은 중성 또는 양이온성일 수 있다. 바람직한 구현 예에 있어서, 이들은 양이온성이고, "양이온성"은 상기 폴리티오펜 주 사슬 상에 남아있는 전하를 오직 의미한다. 상기 라디칼 R의 치환기에 의존하여, 상기 폴리티오펜은 상기 구조 단위에서 양성 및 음성 전하를 수반할 수 있고, 상기 폴리티오펜 주 사슬 상에 양성 전하 및 음성 전하는 설포네이트 또는 카보네이트 그룹으로 치환된 라디칼 R상에, 적용가능하다. 상기 폴리티오펜 사슬의 양성 전하는 이에 의해 상기 라디칼 R상에 선택적으로 존재하는 음이온성 그룹에 의해 부분적으로 또는 전체적으로 균형을 이룰 수 있다. 전체를 고려하여, 상기 폴리티오펜은, 이러한 경우에 있어서, 양이온성, 중성 또는 음이온성일 수 있다. 그러나, 본 발명의 전후 관계에 있어서, 이들은 상기 폴리티오펜 주 사슬 상에 양성 전하가 결정적 요인이기 때문에, 양이온성 폴리티오펜으로 전부 고려될 것이다. 상기 양성 전하는 이들의 정확한 수 및 위치가 절대적으로 결정될 수 없기 때문에, 화학식에 표시되지 않는다. 그러나, 양성 전하의 수는 적어도 1 및 많아야, n이고, n은 상기 폴리티오펜 내에 (같거나 또는 다른) 모든 반복 단위의 총 수이다.
상기 폴리티오펜의 양성 전하를 보상하기 위하여, 상기 제1 층은 또한 산기로 관능화된 고분자에 기초한 폴리양이온을 포함한다. 폴리양이온으로서 특히 적절한 것은 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산 또는 폴리말레익산과 같은 중합체성 카르복실산, 또는 폴리스티렌 술폰산 및 폴리비닐술폰산과 같은, 중합체성 술폰산의 양이온이다. 폴리카르복실산 및 폴리술폰산은 또한 아크릴산 에스테르 및 스티렌과 같은 다른 중합가능한 단량체와 비닐카르복실산 및 비닐술폰산의 공중합체일 수 있다. 상기 폴리티오펜의 양성 전하의 보상을 위해 중합체성 카르복실산 또는 술폰산의 음이온을 함유하는 것이 상기 제1 층에 대해 특히 바람직하다.
폴리티오펜, 바람직하게는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)은 사용된 경우, 폴리음이온으로서 특히 바람직한 것은, 기술 분야로부터 알려진 상기 PEDOT : PSS 복합체의 형태로 복합체로서 바람직하게 결합되는, 상기 폴리스티렌 술폰산 (PSS)의 음이온이다. 이러한 복합체는 상기 폴리스티렌 술폰산의 존재하에서 수성 용액에, 상기 티오펜 단량체, 바람직하게는, 3,4-에틸렌디옥시티오펜의 산화성 중합에 의해 얻어질 수 있다.
상기 폴리음이온을 공급하는 산기로 관능화된 고분자의 분자량은 바람직하게는 1,000 내지 2,000,000이고, 특히 바람직하게는 2,000 내지 500,000이다. 상기 산기로 관능화된 고분자 또는 이들의 알칼리염은 상업적으로 시판되는, 예를 들어, 폴리스티렌 술폰산 및 폴리아크릴산이 있고, 공지의 공정에 위해 제조될 수 있다 (예를 들어, Houben Weyl, Methoden der organischen Chemie, vol. E 20 Makromolekulare Stoffe, Part 2, (1987), p. 1141 et seq.참조).
산기 (폴리음이온)으로 관능화된 고분자 및 폴리티오펜, 특히 폴리스티렌 술폰산 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)은, 0.5　:　1 내지 50　:　1, 바람직하게는 1　:　1 내지 30　:　1, 특히 바람직하게는 2　:　1 내지 20:1의 중량비로 상기 제1 층에 존재할 수 있다. 본 발명에서 전기 전도성 고분자의 중량은 중합 동안 일어나는 완전한 변환을 가정하여, 전도성 고분자의 제조를 위해 사용된 상기 단량체의 중량에 상응한다. 본 발명에 따른 상기 적층체의 특별한 구현 예에 따르면, 상기 폴리스티렌 술폰산은 폴리티오펜, 특히 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)과 비교하여 초과 중량으로 존재한다.
본 발명에 따른 상기 적층체의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 제1 층은 상기 제1층의 총 중량에 비례한 각각의 경우에 있어서, 폴리티오펜 및 산기로 관능화된 고분자, 특히 바람직하게는 PEDOT　:　PSS의 적어도 40중량%, 특히 바람직하게는 적어도 55 중량% 및 가장 바람직하게는 적어도 70중량%으로 이루어진다.
상기 제1 층의 층 두께는 바람직하게는 1　nm 내지 10 ㎛의 범위, 특히 바람직하게는 10　nm 내지　500　nm의 범위 및 가장 바람직하게는 20　nm　내지　200　nm의 범위이다.
전술된 제1 층에 부가하여, 본 발명에 따른 적층체는 제1 층 다음의 부가층을 포함하고, 이는 불소화 아민을 포함하며, 본 발명에 따르면 만약 상기 부가층이 자기 조립 단분자층 (SAM)을 형성하는 것이라면 특히 바람직하다. 자기 조립 단분자층은 일반적으로 상기 불소화 아민을 포함하는 유체에 기판을 디핑하여 자연스럽게 형성한다. 이는 양친매성 (amphiphilic) 분자로 이루어진 조직화된 층 (organised layer)이고, 여기서 각 분자의 일 말단은 기판에 대해 특이적, 가역성 친화도 (reversible affinity)를 소유한다. 예를 들어, 화학적 가스상 증착과 같은, 종래의 코팅 기술과 달리, SAMs은 한정된 층 두께, 대략 0.1 내지 2　nm 범위의 통상의 층 두께를 나타낸다.
상기 불소화 아민은 불소화 또는 과불소화될 일 수 있다 (즉, 상기 아민의 알킬 사슬에서 수소 원자는 불소 원자로 완전하게 또는 부분적으로 대체될 수 있다). 그러나, 상기 아민에서 적어도 40%, 특히 바람직하게는 55%, 및 가장 바람직하게는 적어도 70%의 수소 원자가 불소 원자로 대체되는 것이 바람직하다.
더구나, 상기 아민은 1차, 2차 또는 3차 아민이다. 이러한 관계에 있어서, 상기 불소화 아민은 화학식 3으로 표시되는 것이 특히 바람직하다.
Figure pct00003
여기서 R1, R2 및 R3은 서로 독립적으로, 수소 원자, C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 C1-C15-알킬 라디칼, 특히 바람직하게는 C1-C10-알킬 라디칼, 또는 불소화 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 불소화 C1-C15-알킬 라디칼, 특히 바람직하게는 불소화 C1-C10-알킬 라디칼을 나타내고,
여기서 적어도 상기 라디칼 R1, R2 및 R3의 적어도 하나는 불소화 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 불소화 C1-C15-알킬 라디칼 및 특히 바람직하게는 불소화 C1-C10-알킬 라디칼을 나타낸다. 본 발명에서 또한, 상기 용어 "불소화"는 다불소화된 (polyfluorinated) 알킬 라디칼 뿐만 아니라 과불소화를 포함한다.
상기 알킬 라디칼 및 불소화 알킬 라디칼은 선형 또는 분지형일 수 있고, 선택적으로 또한 사이클 단위를 포함할 수 있으며, 특히 바람직하게는 선형 사슬 알킬 라디칼이다.
적절한 불소화 아민의 몇몇 예로는 다불소화 (polyfluorinated) 또는 과불소화 (perfluorinated) 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸렌, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸메틸아민, 에틸디메틸아민, 디에틸메틸아민, 프로필아민, 디프로필아민, 트리프로필아민, 부틸프로필아민, 부틸아민, 디부틸아민, 트리부틸아민, 펜틸아민, 디펜틸아민, 트리펜틸아민, 헥실아민, 디헥실아민, 트리헥실아민, 헵틸아민, 디헵틸아민, 트리헵틸아민, 옥틸아민, 디옥틸아민, 트리옥틸아민, 노닐아민, 디노닐아민, 트리노닐아민, 데실아민, 디데실아민, 트리데실아민, 언데실아민, 디언데실아민, 트리언데실아민, 도데실아민, 디도데실아민 또는 트리도데실아민이 있다. 이들 과- 또는 다불소화 알킬, 디알킬 또는 트리알킬 아민과 관련하여, 상기 아민에서 적어도 40%, 특히 바람직하게는 적어도 55% 및 가장 바람직하게는 70%의 수소 원자가 불소 원자로 대체되는 것이 바람직하다. 상기 수소 원자의 오직 몇몇이 불소 원자로 대체된 경우, 상기 질소 원자에 가능한한 근접하는 것이 나머지 수소 원자에게는 바람직하다. 불소화 아민의 몇몇 예로는 퍼플루오로트리펜틸아민, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로 (heptadecafluoro)-1-데실아민 (또한 1H,1H,-2H,2H-퍼플루오로데실아민으로 알려짐) 또는 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-펜타데카플루오로-1-옥틸아민 (또한 1H,1H-퍼플루오로옥틸아민으로 알려짐)이다.
본 발명에 따른 적층체에 있어서, 상기 부가층은 또한 적어도 두 개의 다른 불소화 아민의 혼합물을 포함할 수 있다.
서두에 언급된 상기 목적들을 달성하기 위한 기여는 하기의 공정 단계를 포함하는 적층체의 제조 공정에 의해 만들어진다:
i) 제 1층을 얻기 위하여 기판에 전도성 고분자의 적용;
ii) 부가층을 얻기 위하여 상기 제1 층에 불소화 아민의 적용.
본 발명에 따른 공정의 단계 i)에 있어서, 전도성 고분자는 제1 층을 얻기 위하여 기판에 적용된다.
예를 들어, OLED에서와 같은, 전자부품에서 사용될 수 있는 모든 층들은 상기 기판으로서 적절하다. 따라서, 특히, 상기 기판은 바람직하게는 투명 기저 전극으로 제공되는 어떤 것일 수 있고, 상기 기판 자체는 바람직하게는 투명하다. 예를 들어, 유리, PET 또는 다른 투명 플라스틱은 투명 기판으로서 사용될 수 있고, 그 위에 투명 전기 전도성 전극이, 예를 들어, 전도성 고분자 또는 아연- 또는 주석 산화물로 도프된, 인듐-주석 산화물 (ITO)로 제조된 전극과 같은 것으로 도입된다. 특히 적절한 투명 플라스틱 기판은, 예를 들어, 폴리카보네이트, 예를 들어, PET 및 PEN (폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에틸렌나프탈렌디카르복실레이트)와 같은 폴리에스테르, 코폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리설폰, 폴리에테르설폰 (PES), 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 사이클릭 폴리-올레핀 또는 사이클릭 올레핀 공중합체 (COC), 수화된 스티렌 중합체 또는 수화된 스티렌 공중합체가 있다. 적절한 고분자 염기 (bases)는, 예를 들어, Sumitomo사로부터의 폴리에스테르 필름, PES 필름 또는 Bayer AG사 (Makrofol®)로부터의 폴리카보네이트 필름과 같은 필름일 수 있다. 본 발명에 따르면, ITO 코팅된 유리는 기판으로서 특히 바람직하다.
상기 전도성 고분자는 본 발명에 따른 적층체의 제1 층을 얻기 위해, 상기 기판에 적용된 전극층 또는 상기 기판상에 증착되고, 본 발명에 특히 바람직한 전도성 고분자는 본 발명에 따른 적층체와 연관하여 바람직한 전도성 고분자로서 서두에 이미 기재된 전도성 고분자들이다. 따라서, 본 발명에 따라 특히 바람직한 것은 폴리티오펜, 특히 바람직하게는 PEDOT, 및 산기로 관능화된 고분자, 특히 바람직하게는 PSS를 포함하는 전도성 고분자이고, 전도성 고분자로서 PEDOT　:　PSS 복합체의 사용은 본 발명에서 특히 바람직하다.
이러한 관계에 있어서, 상기 전도성 고분자는, 상기 전도성 고분자 및 분산제를 포함하는 분산액의 형태로, 특히 바람직하게는 폴리티오펜, 산기로 관능화된 고분자 및 분산제를 포함하는 분산제의 형태로, 특히 바람직하게는 PEDOT　:　PSS 분산액의 형태로 상기 기판에 도입되는 것이 바람직하며, 상기 제1 층을 얻기 위해 분산제의 적어도 일부는 후속 제거된다. 상기 분산액의 적용은, 0.5　㎛ 내지 250　㎛의 습식 필름 두께, 바람직하게는 2　㎛ 내지 50　㎛의 습식 필름 두께로, 예를 들어, 스핀 코팅, 함침, 붇기, 딥핑, 스프레이, 미스트, 나이프 코팅, 브러싱, 또는 프린팅, 예를 들어, 잉크-제트, 스크린, 인타그리오 (Intaglio), 오프세트 또는 탬폰 프린트와 같은 알려진 공정을 사용하여 수행될 수 있다. 상기 분산제의 적어도 부분적 제거는 바람직하게는 20℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 건조시켜 시행되고, 여기서, 예를 들어, 스피닝 오프 (spinning off)와 같은 건조 공정 전에 상층 분산액 (supernatant dispersion)을 적어도 부분적으로 제거하는 것이 유리할 수 있다.
폴리티오펜, 산기로 관능화된 고분자 및 분산제를 포함하는 분산액의 제조는 EP-A-1 122 274호 또는 US 5,111,327호에서 기본적으로 기재되었다. 적절한 단량체 화합물의 중합은 적절한 용매에서 적절한 산화제로, 산기로 관능화된 고분자의 존재하에서 수행된다. 적절한 산화제의 예로는 철(III) 염, 특히 방향족 및 지방족 설폰산의 FeCl3 및 철(III) 염, H2O2, K2Cr2O7, K2S2O8, Na2S2O8, KMnO4, 알칼리 퍼보레이트 및 알칼리 또는 암모늄 퍼설페이트 또는 이들 산화제의 혼합물이 있다. 또 다른 적절한 산화제는, 예를 들어, Handbook of Conducting Polymers (Ed. Skotheim, T.A.), Marcel Dekker: New York, 1986, Vol. 1, 46-57에서 기재되었다. 특히 바람직한 산화제는 FeCl3, Na2S2O8 및 K2S2O8 또는 이의 혼합물이다. 상기 중합은 바람직하게는 -20 내지 100℃의 반응 온도에서 수행된다. 특히 바람직한 것은 20 내지 100℃의 반응 온도이다. 상기 반응 용액은 이후에 적어도 하나의 이온 교환기로 선택적으로 처리된다.
적절한 용매는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, n-프로판올, n-부탄올, 디아세톤 알코올, 에틸렌 글리콜, 글리세린과 같은 알코올, 물, 또는 이들의 혼합물과 같은 극성 용매이다. 또한 적절하게는 아세톤 및 메틸에틸 케톤과 같은 지방족 케톤, 아세토니트릴과 같은 지방족 니트릴, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 (DMF) 및 1-메틸-2-피롤리돈 (NMP)과 같은 지방족 및 환형 아미드, 테트라하이드로푸란 (THF)과 같은 에테르, 뿐만 아니라 디메틸설폭사이드 (DMSO)과 같은 설폭사이드 또는 서로 이들 또는 이전에 구체화된 용매의 혼합물이다.
상기 분산액은 바람직하게는 0.01 내지 20 중량%의 범위, 및 특히 바람직하게는 0.2 내지 5 중량%의 범위에서 고체 함량을 나타내는데, 즉, 이들은 총 0.01 내지 20 중량%, 특히 바람직하게는 0.2 내지 5 중량%의 폴리티오펜, 바람직하게는 PEDOT, 산기로 관능화된 고분자, 바람직하게는 PSS, 및 선택적으로, 예를 들어, 용해된 및/또는 분산된 형태로, 결합제, 가교제 및/또는 계면활성제와 같은 또 다른 성분을 함유한다.
상기 제1 층의 제조를 위해 사용된 분산액의 20℃에서 점도는 상기 분산제의 점도 및 200 mPas 사이, 바람직하게는 상기 분산제의 점도 및 100 mPas 사이이다.
원하는 고체 함량 및 요구된 점도를 설정하기 위하여, 분산제의 원하는 양은 증류, 바람직하게는 진공 또는 다른 공정, 예를 들어 한외 여과 (ultra filtration)를 통해 분산액으로부터 제거될 수 있다.
더구나, 유기, 중합 결합제 및/또는 유기 저분자량 가교제 또는 계면활성제는 상기 분산액에 첨가될 수 있다. 적절한 결합제는, 예를 들어, EP-A 564 911호에 기재되었다. 이러한 관점에서 예로는 폴리비닐카바졸, Silquest® A187 (Fa. OSi Specialities)과 같은, 실란, 또는 플로오로-계면활성제 FT 248 (Bayer AG)과 같은 계면활성제이다.
본 발명에 따른 공정의 단계 ii)에 있어서, 불소화 아민은 그 다음 부가층을 얻기 위하여 상기 제1 층상에 도입되는데, 이는, 만약 SAM이 공정 단계 ii)에서 상기 제1 층상에 불소화 아민의 적용으로 형성된다면, 특히 바람직하다.
이러한 관련에 있어서 바람직한 불소화 아민은 본 발명에 따른 적층체와 연관하여 바람직한 불소화 아민으로 초기에 이미 기재된 불소화 아민들이다.
상기 제1 층 상에 불소화 아민의 적용은 적절한 비-극성 용매, 예를 들어, 터트-부틸 에테르와 같은 에테르에서 불소화 아민을 용해시키고, 그 다음 이렇게 얻어진 용액으로 상기 제1 층을 코팅시켜 시행되며, 여기서 상기 제1 층 상에 상기 용액의 적용은, 한번 이상, 예를 들어, 스핀 코팅, 함침, 붇기, 딥핑, 스피레이, 미스팅, 나이프 코팅, 브러싱 또는 프린팅, 예를 들어, 잉크-제트, 스크린, 인타그리오, 오프세트 또는 탬폰 프린팅과 같이, 알려진 공정을 사용하여 수행될 수 있다. 10 내지 60℃의 온도범위, 특히 바람직하게는 20 내지 30℃의 온도 범위에서 1 초 내지 120분의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 15분의 노출 시간 범위 후, 과량의 불소화 아민은, 예를 들어, 상층 용액을 스피닝 오프시켜 제거될 수 있다. 상기 제1 층 상에 불소화 아민의 적용을 위한 공정 조건은, 상기 불소화 아민의 SAM 층이 제1, 전도성 고분자 포함 층, 바람직하게는 PEDOT　:　PSS을 포함하는 층에 형성되도록 바람직하게 선택될 수 있다. 상기 제1 층 상에 불소화 아민을 도입하기 위해 사용된 상기 용액에서 불소화 아민의 농도는 상기 용액의 총 중량에 비례한 각각의 경우에 있어서, 0.1 내지 20 중량%, 특히 바람직하게는 1 내지 10 중량%의 범위이다.
공정 단계 i) 및 ii)뿐만 아니라, 본 발명에 따른 공정은 또 다른 공정 단계를 포함할 수 있다. 특히, 상기 적층체가 OLED의 일부인 경우, 또 다른 공정 단계는, 예를 들어, 하기와 같은 공정이 공정 단계 ii) 이후에 따를 수 있다:
iii) 공정 단계 ii)에서 얻어진 상기 층 상에 정공 수송층의 적용;
iv) 상기 정공 수송층 상에 에미터 층의 적용;
v) 상기 에미터 층 상에 전자 주입층의 적용;
vi) 상기 전자 주입층 상에 캐소드 층의 적용.
만약, 정공 주입층, 또는 선택적으로 정공 수송층 (hole transport layer)으로 기능하는, 본 발명에 따른 적층체의 제1 층이 전자 수송을 차단하는 능력을 갖는다면, 그 다음 상기 정공 주입층 또는 정공 수송층은 전자 차단층으로서 설정될 수 있다. 만약 상기 전자 주입층이 정공 수송을 차단하는 능력을 갖는다면, 그 다음 상기 전자 주입층은 또한 전공 차단층으로 설정될 수 있다.
가능한 정공 수송층은, 예를 들어, 폴리비닐카바졸 또는 이의 유도체, 폴리실란 또는 이의 유도체, 측쇄 또는 주 사슬에 방향족 아민을 갖는 폴리실록산 유도체, 피라졸린 유도체, 아릴 아민 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체, 폴리아닐린 또는 이의 유도체, 폴리티오펜 및 이의 유도체, 폴리아릴아민 또는 이의 유도체, 폴리피롤 또는 이의 유도체, 폴리(p-페닐렌에닐렌) 또는 이의 유도체 및 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 또는 이의 유도체를 포함하는 층이다. 정공 수송층으로 특히 바람직한 것은 NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)벤지딘이다.
상기 에미터 층에 대해 적절한 물질은 폴리페닐렌비닐렌 및/또는 폴리플루오렌, 예를 들어, WO-A-90/13148호에 기재된 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체 및 폴리플루오렌 유도체와 같은 공역 고분자 (conjugated polymer), 또는 예를 들어, 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이트)알루미늄 (Alq3)과 같은, 알루미늄 복합체와 같은, 기술 서클 (technical circle)에서 "작은 분자"로 또한 명명된, 저 분자량 에미터의 부류로부터 에미터, 형광 염색, 예를 들어, 퀴난트리돈 (quinacridone), 또는 예를 들어, Ir(ppy)3과 같은 광 여기 에미터 (phosphorescent emitters)이다. 상기 에미터 층을 위한 또 다른 적절한 물질은 예를 들어, DE-A-196 27 071호에 기재되었다. 본 발명에 따르면, 에미터 층으로 특히 바람직한 것은 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3)이다.
상기 주입층으로서 바람직한 것은 단일 Ca 층, 또는 Ca 층 및 1.5에서 3.0 eV까지의 일 함수를 나타내는, Ca을 제외한, 주기율표의 IA 및 IIA 족의 금속, 및 산화물, 할로게나이드, 및 이의 탄산염으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어진 또 다른 층으로 이루어진 스택 구조 (stack structure)이다. 1.5에서 3.0 eV까지의 일 함수로 나타내는 주기율표의 IA족의 금속, 및 산화물, 할로게나이드, 및 이의 탄산염의 예로는, 리튬, 불화 리튬, 산화나트륨, 산화리튬, 및 탄산 리튬이다. 1.5에서 3.0 eV까지의 일 함수를 나타내는 Ca을 제외한, 주기율표의 IIA 족 금속 및 산화물, 할로게나이드, 및 이의 탄산염의 예는 스트론튬, 산화마그네슘, 불화 마그네슘, 불화 스트론튬, 불화 바륨, 산화 스트론튬 및 탄산 마그네슘이다.
상기 캐소드 층에 대해 특히 적절한 물질은 상대적으로 낮은 일 함수 (바람직하게는 4.0 eV 미만)를 갖는 투명 또는 반투명 물질이다. 이러한 타입의 물질의 예로는, 리튬 (Li), 나트륨 (Na), 칼륨 (K), 루비듐 (Rb), 세슘 (Cs), Be, 마그네슘 (Mg), 칼슘 (Ca), 스트론튬 (Sr), 바륨 (Ba), 알루미늄 (Al), 스칸듐 (Sc), 바나듐 (V), Zn, 이트륨 (Y), 인듐 (In), 세륨 (Ce), 사마륨 (Sm), Eu, Tb 및 이테르븀 (Yb)과 같은 금속; 이들 둘 이상의 금속으로 이루어진 합금; 이들 하나 이상의 금속 및 Au, Ag, Pt, Cu, 망간 (Mn), 티타늄 (Ti), 코발트 (Co), 니켈 (Ni), 텅스텐 (W) 및 주석 (Sn)으로부터 선택된 하나 이상의 금속으로 이루어진 합금; 흑연 또는 흑연 층간 화합물 (intercalation compounds) 및 예를 들어, ITO 및 산화 주석과 같은 산화 금속이다. 특히 바람직하게는 상기 캐소드 층으로서 알루미늄의 사용이다.
상기 부가층, 특히 정공 수송층, 상기 에미터 층, 상기 전자 주입층, 및 상기 캐소드 주입층의 적용은 기술 분야의 당업자에게 알려진 방식, 바람직하게는 예를 들어, WO-A-2009/0170244호에 기재된 바와 같은 기상 코팅을 통해 수행될 수 있다.
서두에 기재된 상기 목적들을 해결하기 위한 기여는 본 발명에 따른 공정에 의해 얻어질 수 있는, 적층체, 특히 바람직하게는 OLED 또는 OPV 소자에 의해 만들어진다.
서두에 기재된 상기 목적들을 해결하기 위한 기여는 본 발명에 따른 적층체 또는 본 발명에 따른 공정에 의해 얻어질 수 있는 적층체를 포함하는, 전자 부품에 의해 만들어지고, 상기 부품은 바람직하게는 OLED 또는 OPV 소자, 특히 바람직하게는 OLED가 바람직하다.
여기서, 상기 OLED의 층 형성은 기술분야의 당업자에게 알려진 어떤 형태, 그러나, 바람직하게는 본 발명에 따른 적층체에 의해 대체된 정공 주입층을 갖는 어떤 형태일 수 있고, 여기서 불소화 아민의 부가층, 바람직하게는 불소화 아민의 또 다른 SAM 층은 정공 주입층 및 정공 수송층 사이의 경계 영역에 존재하거나, 또는 여기서 분리 정공 수송층은 그 다음 상기 정공 주입층 및 에미터 층 사이의 경계 영역에 존재하지 않는다.
본 발명에 따른 OLED는, 예를 들어, 다음의 층 구조 (a) 내지 (h) 중 어느 하나를 나타낸다:
(a) 애노드 (anode)/
정공 주입층/
적어도 하나의 에미터 층/
캐소드;
(b) 애노드/
정공 주입층/
정공 수송층/
적어도 하나의 에미터 층/
캐소드;
(c) 애노드/
정공 주입층/
적어도 하나의 에미터 층/
전자 주입층/
캐소드;
(d) 애노드/
정공 주입층/
정공 수송층/
적어도 하나의 에미터 층/
전자 주입층/
캐소드;
(e) 애노드/
정공 주입층/
적어도 하나의 에미터 층/
전자 수송층/
캐소드;
(f) 애노드/
정공 주입층/
정공 수송층/
적어도 하나의 에미터 층/
전자 수송층/
캐소드;
(g) 애노드/
정공 주입층/
적어도 하나의 에미터 층/
전자 수송층/
전자 주입층/
캐소드;
(h) 애노드/
정공 주입층/
전공 수송층/
적어도 하나의 에미터 층/
전자 수송층/
전자 주입층/
캐소드.
본 발명에 따른 상기 적층체 또는 본 발명에 따른 공정에 의해 얻어질 수 있는 적층체에 대한 각각의 경우 및 각각의 경우에 상응하는 정공 주입층은 불소화 아민의 부가층, 바람직하게는 불소화 아민의 또 다른 SAM이 상기 정공 주입층 또는 에미터 층에 직면하는, 그러한 방법으로 배열된다.
상기 층 구조 (a) 내지 (h)는 상기 기판 옆에 위치된 애노드, 또는 상기 기판 옆에 위치된 캐소드로 구체화될 수 있고, 상기 기판은 예를 들어, 유리 또는 투명 플라스틱 필름이다.
애노드 층, 정공 수송층, 에미터 층, 전자 주입층 및 캐소드 층으로서, 바람직한 애노드 층, 정공 수송층, 에미터 층, 전자 주입층 및 캐소드층으로 본 발명에 따른 공정과 연관되어 서두에 이미 언급된 이들 층들이 다시 바람직하다.
상기 전자 수송층은 예를 들어, 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 또는 이의 유도체, 벤조퀴논 또는 이의 유도체, 나프타퀴논 또는 이의 유도체, 안트라퀴논 또는 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 또는 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 또는 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체 및 8-하이드록시퀴노린 또는 이의 유도체의 금속 복합체, 폴리퀴노릴 또는 이의 유도체, 폴리퀴녹살린 또는 이의 유도체, 또는 폴리플루오렌 또는 이의 유도체와 같은 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 이러한 관계에서 특히 바람직한 것은 하기의 층들로 형성된 OLED이다: 애노드층/본 발명에 따른 상기 적층체 또는 본 발명에 따른 공정을 사용하여 얻어질 수 있는 적층체의 제1층/본 발명에 따른 상기 적층체 또는 본 발명에 따른 얻어질 수 있는 적층체의 부가층/선택적 정공 수송층/선택적 에미터 층/선택적 전자 주입층/캐소드 층.
서두에 언급된 상기 목적들을 해결하기 위한 기여는, 전도성 고분자의 층, 바람직하게는 PEDOT　:　PSS 복합체를 포함하는 층을 포함하는 전자 부품의 수명의 개선을 위한 불소화 아민의 용도에 의해 또한 만들어지며, 상기 전자 부품은 OLED, 특히 바람직하게는 하기의 층들로 형성된 OLED이다: 애노드/정공 주입층/불소화 아민의 층, 바람직하게는 불소화 아민의 SAM 층/정공 수송층/에미터 층/전자 주입층/캐소드. 상기 정공 주입층은 바람직하게는 전도성 고분자, 특히 바람직하게는 PEDOT　:　PSS의 복합체를 포함한다. 일정한 전류에서 상기 OLED의 광 세기가 반으로 감소하는데 걸리는 시간은 상기 OLEDs의 수명의 측정으로서 제공된다.
이러한 관계에서 바람직한 불소화 아민은 본 발명에 따른 적층체와 관련하여 바람직한 불소화 아민으로 서두에 이미 기재된 이들 불소화 아민들과 유사하다.
본 발명은 비-제한 실시 예의 수단에 의해 더욱 예시될 것이다:
실시 예
실시 예 1: (본 발명에 따른) 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아민 (perfluorodecylamine)의 SAM 층
0.1 g의 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아민 (CHEMOS GmbH, Regenstauf, Deutschland)은 10　g의 터트-부틸메틸에테르에 용해된다. 상기 용액, "SAM-1"은 유기 발광 다이오드 (OLED)를 만드는데 사용될 것이다. 상기 OLED의 제조 및 특징은 다음과 같다:
1.1 상기 ITO -코팅된 기판의 제조
ITO-코팅된 유리는 50　mm　× 50　mm 조각 (기판)으로 절단되고, 포토레지스트 (Photoresist) 및 에칭 용액으로 각각 2　mm의 폭 및 5　cm의 길이로 네 개의 병렬 선 (parallel lines)으로 구조화된다. 그 다음 상기 기판은 잔여 포토레지스트를 제거하고, 0.3　% Mucasol 용액으로 초음파 욕조에서 세척되며, 증류수로 헹구고, 원심분리기에서 원심분리 건조시킨다. 코팅 바로 전에 상기 ITO-코팅된 면은 UV/Ozone 반응기 (PR-100, UVP Inc., Cambridge, GB)에서 10 분 동안 세척된다.
1.2 정공 주입층의 적용
수성 분산액, Clevios®P AI4083 (Heraeus Clevios GmbH, Leverkusen)은 시린지 필터 (Millipore HV, 0.45　㎛)를 통해 여과된다. 상기 세척된 ITO-코팅된 기판은 스핀 코우터 (Carl Suss, RC13) 상에 위치되고, 대략 5　ml의 상기 여과된 용액은 상기 시판의 상기 ITO-코팅된 면에 걸쳐 분포된다. 이어서, 상기 상층액 용액 (supernatant solution)은 30초에 걸쳐 1000　U/min으로 상기 플레이트를 회전시켜 스핀 오프 (spun off)된다. 그 다음, 상기 코팅된 기판은 핫플레이트 (hotplate) 상에서 200　℃에서 5 분 동안 건조된다. 상기 층 두께는 50　nm (Tencor, Alphastep 500)이다.
1.3 본 발명에 따른 상기 SAM -층의 적용
대략 5　ml의 상기 용액 "SAM-1"은 상기 스핀 코우터 상에서 다시 상기 코팅된 기판에 대해 분포된다. 대략 3 분의 노출 후, 상기 상층액 용액은 30 초 동안 3000　U/min으로 스핀 오프된다. 상기 총 층 두께는 본 공정 단계 후 변화되지 않고, 50　nm를 유지한다.
1.4 상기 전공 수송층 및 에미터 층의 적용
따라서 상기 코팅된 기판은 기상 증착 기기 (Univex 350, Leybold)로 이동된다. 먼저, 60　nm의 NPB (N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)벤지딘)의 정공 수송층 및 그 다음 50　nm의 AlQ3 (트리스-(8-하이드록시퀴놀린)알루미늄) (Sensient, Bitterfeld)의 에미터 층은, 연속적으로 1Å/sec의 기상 증착 속도로 10-3 Pa의 압력으로 기상 증착된다.
1.5 상기 금속 캐소드의 적용
그 이후에 상기 층 시스템은 N2 분위기의 글로브 박스 (glove box) 및 통합 기상 증착 장치 (Edwards)로 이동되고, 금속 전극들은 기상 증착에 의해 적용된다. 그렇게 하기 위해, 상기 기판은 상기 층 시스템이 하부로 접하게 쉐도우 마스크 상에 위치된다. 상기 쉐도우 마스크는 상기 ITO 스트라이프 (stripes)에 수직인 방향으로 2　mm의 폭의 직사각형 슬릿을 함유한다. 10-3 Pa의 두 개의 작은 가스 증착 용기에서, 0.5　nm 두께 LiF 층 및 후속하는 200　nm 두께 Al 층은 연속하여 기상 증착된다. 상기 기상 증착 속도는 LiF에 대하여 1　Å/s이고, Al에 대하여 10　Å/s이다. 상기 개별의 OLEDs의 표면적은 4.0 ㎟.
1.6 상기 OLED의 특성
상기 유기 LED의 두 전극들은 전기 납 (접촉된)으로 전원 공급장치와 연결된다. 상기 양의 터미널은 상기 ITO 전극, 상기 음의 터미널은 상기 금속 전극으로 연결된다. (포토다이오드 (EG&G C30809E)에 의해 검출된 바와 같은) 전류 및 전기 발광에 대한 OLED 특성 곡선 (characteristic curves)은 전압의 함수로서 플롯된다. 그 이후, 상기 수명은 상기 장치를 통해 I　=　3.84　mA의 일정한 전류를 통과시키고, 시간의 함수에 따라 광 세기 및 전압을 추적하여 결정된다.
실시 예 2: (본 발명에 따른) 퍼플루오로트리페닐아민의 SAM 층
상기 물질 "SAM-2"로 OLED의 제조
본 절차는, 10　g의 터트-부틸메틸에테르에서 0.1　g의 퍼플루오로트리펜틸아민 (Fluroinert FC 70, Sigma Aldrich)으로 이루어진 대략 5　ml의 용액 SAM-2는 상기 스핀 코우터상에, 다시 놓인 코팅된 기판상에 분포되는 것이 실시 예 1의 1.3과 다른 것을 제외하고는 동일하다. 대략 3분의 노출 시간 후, 상기 상층액은 30초 동안 3000　U/min으로 스핀 오프된다. 상기 전체 코팅의 층 두께는 본 공정 단계 후 변화하지 않고 유지되고, 50　nm이다.
실시 예 3: 도데실아민의 SAM 층 (비교 예)
상기 물질 "SAM-3"로 OLED의 제조
본 절차는, 10　g의 터트-부틸메틸에티르에서 0.1　g의 도데실아민 (Sigma Aldrich)으로 이루어진 대략 5　ml의 용액 SAM-3이 상기 스핀 코우터상에서, 다시 놓인 코팅된 기판상에 분포되는 것이 실시 예 1의 1.3과 다른 것을 제외하고는 동일하다. 대략 3분의 노출 시간 후, 상기 상층액 용액은 30초 동안 3000　U/min으로 스핀 오프된다. 상기 전체 코팅의 층 두께는 본 공정 단계 후에 변화되지 않고 유지되고, 50　nm이다.
실시 예 4
본 발명에 따른 상기 SAM 층이 없는 OLED의 제조 (대조구 시험)
본 절차는, "본 발명에 따른 SAM 층의 적용에서" 실시 예 1의 1.3에서 기재된 공정 단계가 생략된 것을 제외하고는 실시 예 1과 동일하다.
표 1은 실시 예 1-4에서 제조된 OLEDs의 수명뿐만 아니라 특성 곡선의 평가를 나타낸다.
실시 예 층 배치 L=1000 cd/㎡에서 특성 곡선 Iconst=96　㎃/㎠에서 수명연장
U (V) I (㎃/㎠) Eff.(cd/A) U0 (V) L0 (cd/㎡) t/2 (h)
1 ITO//AI4083//SAM-1 4.70 56.4 1.77 5.10 1719 68
2 ITO//AI4083//SAM-2 4.91 49.7 2.01 5.45 1963 38
3 ITO//AI4083//SAM-3 6.48 44.6 2.24 5.86 1897 4.5
4 ITO//AI4083 5.28 48.2 2.07 5.86 2068 9
상기 특성 곡선은 1000　cd/㎡의 광 세기 (light intensity)에서 평가되고, 상기 전압은 SAM 층들 SAM-1 및 SAM-2가 사용된 경우 상기 물질 SAM-3 또는 대조구 시험에서보다 상당히 낮다는 것을 나타낸다.
3.84　mA/㎠의 일정한 전류 밀도에서 수행된, 수명 시험은 본 발명에 따른 상기 SAM 층들 SAM-1 및 SAM-2을 갖는 OLED가 이들이 없는 것보다 상당히 더 안정하다는 것을 나타낸다. 상기 값 t/2는 원래의 광 세기 (L0)의 절반에 도달된 시간을 제공한다.

Claims (28)

  1. - 전도성 고분자를 포함하는 제1 층;
    - 불소화 아민을 포함하는, 상기 제1 층 다음의 부가층을 적어도 포함하는 적층체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리티오펜 및 산기로 관능화된 고분자를 포함하는 적층체.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 폴리티오펜은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)인 적층체.
  4. 청구항 2 또는 3에 있어서,
    상기 산기로 관능화된 고분자는 폴리스티렌 술폰산인 적층체.
  5. 청구항 2 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 층에서 상기 폴리티오펜에 대한 산기로 관능화된 고분자의 중량비는 0.5　:　1 내지 50　:　1의 범위에 있는 적층체.
  6. 청구항 2 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 층은, 제1 층의 총 중량의 비율로서, 적어도 50　중량%의 상기 폴리티오펜 및 산기로 관능화된 고분자로 구성된 적층체.
  7. 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부가층은 SAM ("자기 조립 단분자층")을 형성하는 적층체.
  8. 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소화 아민은 하기 화학식 3으로 표시되는 적층체:
    [화학식 3]
    Figure pct00004

    여기서 R1, R2 및 R3는, 서로 독립적으로, 수소 원자, C1-C20-알킬 라디칼 또는 불소화 C1-C20-알킬 라디칼을 나타내고, 여기서 상기 라디칼 R1, R2 및 R3의 적어도 하나는 불소화 C1-C20-알킬 라디칼을 나타낸다.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 불소화 C1-C20 알킬 라디칼에서 적어도 50　%의 수소 원자는 불소 원자로 대체된 적층체.
  10. i) 제1 층을 얻기 위해 기판에 전도성 고분자를 적용시키는 단계;
    ii) 부가층을 얻기 위해 상기 제1 층에 불소화 아민을 적용시키는 단계를 포함하는 적층체의 제조 공정.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리티오펜 및 산기로 관능화된 고분자를 포함하는 적층체의 제조 공정.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 폴리티오펜은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)인 적층체의 제조 공정.
  13. 청구항 11 또는 12에 있어서,
    상기 산기로 관능화된 고분자는 폴리스티렌 술폰산인 적층체의 제조 공정.
  14. 청구항 11 내지 13 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 전도성 고분자 및 분산제를 포함하는 분산 형태로 상기 기판에 도입되는 적층체의 제조 공정.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 분산은 PEDOT　:　PSS-복합체를 포함하는 적층체의 제조 공정.
  16. 청구항 11 내지 15 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분산에서 상기 폴리티오펜에 대한 산기로 관능화된 고분자의 중량비는 0.5　:　1 내지 50　:　1의 범위에 있는 적층체의 제조 공정.
  17. 청구항 10 내지 16 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소화 아민은 하기 화학식 3으로 표시되는 적층체의 제조 공정:
    [화학식 3]
    Figure pct00005

    여기서 R1, R2 및 R3는, 서로 독립적으로, 수소 원자, C1-C20-알킬 라디칼 또는 불소화 C1-C20-알킬 라디칼을 나타내고, 여기서 상기 라디칼 R1, R2 및 R3의 적어도 하나는 불소화 C1-C20-알킬 라디칼을 나타낸다.
  18. 청구항 10 내지 17 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소화 C1-C20-알킬 라디칼에서 적어도 50　%의 수소 원자는 불소 원자로 대체된 적층체의 제조 공정.
  19. 청구항 10 내지 18 중 어느 한 항에 있어서,
    SAM 층은 공정 단계 ii)에서 상기 제1 층에 불소화 아민의 분산으로 형성되는 적층체의 제조 공정.
  20. 청구항 10 내지 19 중 어느 한 항에 따른 공정에 의해 얻어질 수 있는 적층체.
  21. 청구항 1 내지 9, 또는 20 중 어느 한 항에 따른 적층체를 포함하는 전자 부품.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 부품은 OLED ("유기 발광 다이오드") 또는 OPV 소자 ("유기 광기전력"-소자)인 전자 부품.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 OLED는 적어도 하기 층들로 구성되는 전자 부품: 애노드/청구항 1 내지 9, 또는 20 중 하나에 따른 적층체의 제1 층/청구항 1 내지 9, 또는 20 중 하나에 따른 적층체의 부가층/선택적 정공 주입층/선택적 에미터 층/선택적 전자 주입층/캐소드.
  24. 이의 층들이 전도성 고분자를 포함하는 전자 부품의 수명 연장의 개선을 위한 불소화 아민의 용도.
  25. 청구항 24에 있어서,
    상기 전자 부품은 OLED 또는 OPV 소자 ("유기 광기전력"-소자)인 불소화 아민의 용도.
  26. 청구항 25에 있어서,
    상기 OLED는 하기 층들로 적어도 부분적으로 구성된 불소화 아민의 용도: 애노드/청구항 1 내지 9, 또는 20 중 하나에 따른 적층체의 제1 층/청구항 1 내지 9, 또는 20 중 하나에 따른 적층체의 부가층/선택적 정공 주입층/선택적 에미터 층/선택적 전자 주입층/캐소드.
  27. 청구항 24 내지 26 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소화 아민은 하기 화학식 3으로 표시되는 불소화 아민의 용도:
    [화학식 3]
    Figure pct00006

    여기서 R1, R2 및 R3는, 서로 독립적으로, 수소 원자, C1-C20-알킬 라디칼 또는 불소화 C1-C20-알킬 라디칼을 나타내고, 여기서 상기 라디칼 R1, R2 및 R3의 적어도 하나는 불소화 C1-C20-알킬 라디칼을 나타낸다.
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 불소화 C1-C20-알킬 라디칼에서 적어도 50　%의 수소 원자는 불소 원자로 대체된 불소화 아민의 용도.
KR1020137030843A 2011-04-21 2012-04-16 OLEDs에서 SAM으로서 불소화 아민 KR20140032406A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011018480.5 2011-04-21
DE102011018480A DE102011018480A1 (de) 2011-04-21 2011-04-21 Fluorierte Amine als SAM in OLEDs
US201161480433P 2011-04-29 2011-04-29
US61/480,433 2011-04-29
PCT/EP2012/001631 WO2012143109A1 (en) 2011-04-21 2012-04-16 Fluorinated amines as sam in oleds

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140032406A true KR20140032406A (ko) 2014-03-14

Family

ID=46967414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137030843A KR20140032406A (ko) 2011-04-21 2012-04-16 OLEDs에서 SAM으로서 불소화 아민

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP2700112A1 (ko)
KR (1) KR20140032406A (ko)
DE (1) DE102011018480A1 (ko)
TW (1) TW201307062A (ko)
WO (1) WO2012143109A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201502567A (zh) * 2013-07-08 2015-01-16 Elite Optoelectronic Co Ltd 可撓性導光板及其製造方法
CN110957057A (zh) 2019-11-14 2020-04-03 宸盛光电有限公司 具自组装保护层之导电结构及自组装涂层组合物

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
DE59010247D1 (de) 1990-02-08 1996-05-02 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
US5111327A (en) 1991-03-04 1992-05-05 General Electric Company Substituted 3,4-polymethylenedioxythiophenes, and polymers and electro responsive devices made therefrom
DE4211461A1 (de) 1992-04-06 1993-10-07 Agfa Gevaert Ag Antistatische Kunststoffteile
US5962962A (en) * 1994-09-08 1999-10-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Method of encapsulating organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
JPH1012380A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置およびその製造方法
DE19627071A1 (de) 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
JPH10275682A (ja) * 1997-02-03 1998-10-13 Nec Corp 有機ｅｌ素子
DE10004725A1 (de) 2000-02-03 2001-08-09 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von wasserlöslichen pi-konjugierten Polymeren
DE10103416A1 (de) 2001-01-26 2002-08-01 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
EP1536034A4 (en) * 2002-08-02 2009-12-02 Idemitsu Kosan Co SPRAY TARGET, SINTERED BODY, CONDUCTIVE THIN LAYER FORMED THEREBY, ORGANIC ELECTROLUMINSCENT DEVICE, AND SUBSTRATE FOR THIS ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
DE102004010811B4 (de) 2004-03-05 2006-06-29 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
DE102004006583A1 (de) 2004-02-10 2005-09-01 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
GB0428444D0 (en) * 2004-12-29 2005-02-02 Cambridge Display Tech Ltd Conductive polymer compositions in opto-electrical devices
KR101249097B1 (ko) * 2006-05-04 2013-03-29 삼성전자주식회사 유기절연막 조성물, 유기절연막의 형성방법 및 이에 의해형성된 유기절연막을 함유하는 유기박막 트랜지스터
JP2008210788A (ja) * 2007-02-02 2008-09-11 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2009037811A (ja) 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置の製造方法
DE102009012163A1 (de) 2009-03-06 2010-09-09 Siemens Aktiengesellschaft Monolagen organischer Verbindungen auf Metalloxidoberflächen oder oxidhaltigen Metalloberflächen und damit hergestelltes Bauelement auf Basis organischer Elektronik
DE102009031677A1 (de) 2009-07-02 2011-01-05 H.C. Starck Clevios Gmbh Neue Polyelektrolyt-Komplexe und deren Verwendung
DE102009037691A1 (de) * 2009-08-17 2011-03-03 Siemens Aktiengesellschaft Dielektrische Schutzschicht für eine selbstorganisierende Monolage (SAM)

Also Published As

Publication number Publication date
EP2700112A1 (en) 2014-02-26
DE102011018480A1 (de) 2012-10-25
WO2012143109A1 (en) 2012-10-26
TW201307062A (zh) 2013-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101346437B1 (ko) 전기-광학 구조체용 투명 중합체 전극
KR101359205B1 (ko) 유기 발광 다이오드를 개선시키기 위한 폴리티오펜 배합물
RU2386667C2 (ru) Состав для получения инжектирующих дырки или транспортирующих дырки слоев в электролюминесцентных устройствах, органических элементах солнечных батарей, органических лазерных диодах, органических тонкопленочных транзисторах или органических полевых транзисторах или для получения электродов или электропроводных покрытий, а также электролюминесцентное устройство
US9896587B2 (en) Planarizing agents and devices
US8252889B2 (en) Polythiophene formulations for improving organic light emitting diodes
KR101710213B1 (ko) 변형된 평탄화제 및 장치
KR102233863B1 (ko) OLEDs에서 고 전도도 및 고 효율의 투명층 및 이들의 생산 공정
KR20140032406A (ko) OLEDs에서 SAM으로서 불소화 아민
WO2013010661A1 (en) Sam layers with an htl function

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid