JP2006232616A - 積層セラミックス部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】 導電体層の材料としてAgを用いた場合にも、優れた誘電特性が得られる積層セラミックス部品を得る。
【解決手段】 Agを含有する導電体層のパタ−ンが形成された、誘電体セラミックスとガラス添加剤を含むシ−トを積層して焼成することにより得られる積層セラミックス部品であって、誘電体セラミックスが(Ag,M)TiO3(Mは金属元素)で表されるペロブスカイト型結晶相を有し、Agの含有率が金属元素全体に対して2〜20モル%であることを特徴としている。
【選択図】 図1
【解決手段】 Agを含有する導電体層のパタ−ンが形成された、誘電体セラミックスとガラス添加剤を含むシ−トを積層して焼成することにより得られる積層セラミックス部品であって、誘電体セラミックスが(Ag,M)TiO3(Mは金属元素)で表されるペロブスカイト型結晶相を有し、Agの含有率が金属元素全体に対して2〜20モル%であることを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、導電体層の材料としてAgを用いた積層セラミックス部品に関するものである。
近年、電子部品の小型化・薄型化に伴い、積層セラミックス部品に対するニ−ズが急速に高まってきている。積層セラミックス部品の代表的な例としては、Ag等の導電性材料と同時に焼成可能な低温焼成材料(LTCC)を用い、各層にインダクタやコンデンサの回路を構成したものが挙げられる。この積層セラミックス部品に使用される低温材料としては、アルミナ等のセラミックスフィラ−とガラス添加剤を混合した誘電体磁器組成物が使用されるのが一般的である。(特許文献1及び特許文献2など)。
しかしながら、積層セラミックス部品の導電体層の材料として、導電率が大きいAgを用いると、焼成の際にAgが誘電体層に拡散し、導電体層の端部に空洞ができ、誘電特性が低下するという問題があった。
特開2001−84835号公報
特開平10−22162号公報
本発明の目的は、導電体層の材料としてAgを用いた場合にも、優れた誘電特性が得られる積層セラミックス部品を提供することにある。
本発明は、Agを含有する導電体層のパタ−ンが形成された、誘電体セラミックスとガラス添加剤を含むシ−トを積層して焼成することにより得られる積層セラミックス部品であり、誘電体セラミックスが(Ag,M)TiO3(Mは金属元素)で表されるペロブスカイト型結晶相を有し、Agの含有率が金属元素全体に対して2〜20モル%であることを特徴としている。
本発明においては、誘電体セラミックスにすでにAgが含有されているため、焼成の際に、導電体層からのAgが誘電体セラミックスに拡散するのを抑制することができる。このため、導電体層のパタ−ンからのAgの拡散による実効的誘電率の変動を抑制することができ、安定しかつ優れた誘電特性を得ることができる。
本発明における誘電体セラミックスは(Ag,M)TiO3(Mは金属元素)で表されるペロブスカイト型結晶相を有し、Agの含有率が金属元素全体に対して2〜20モル%である。Agの含有率が2モル%未満であると、Agの拡散を抑制するという本発明の効果が十分に得られない場合がある。また、Agの含有率が20モル%を超えると、誘電体セラミックス自身の誘電特性が低下するおそれがある。
本発明における誘電体セラミックスのペロブスカイト型結晶相は、化学式(AgaLibRcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-α(ここで、Rは、La及びYを含む希土類元素を示し、a、b、c、d及びαは、0.073≦a≦0.4、0≦b<1、0≦c<1、a+b+c=1、0<d≦1及び0.55≦α≦1を満足する。)で表されるものであることが好ましい。また、化学式におけるRは、Sm及び/またはNdであることが特に好ましい。
本発明において用いるガラス添加剤としては、ZnO−B2O3−SiO2系ガラス、Li2O−B2O3−SiO2系ガラス、及びBi2O3−B2O3−ZnO系ガラスが特に好ましく用いられる。ZnO−B2O3−SiO2系ガラス及びLi2O−B2O3−SiO2系ガラスにおけるB2O3の含有量は5〜50重量%であることが好ましく、特に10〜40重量%であることが好ましい。Bi2O3−B2O3−ZnO系ガラスにおけるBi2O3の含有量は30〜90重量%であることが好ましく、特に50〜80重量%であることが好ましい。
本発明において、ガラス添加剤の添加率は、誘電体セラミックスに対して1〜10重量%であることが好ましい。すなわち、誘電体セラミックス100重量部に対して、1〜10重量部であることが好ましい。ガラス添加剤の添加率が少なすぎると、900℃程度の低温で焼成することができない場合がある。ガラス添加剤の添加率が多すぎると、相対的に誘電体セラミックスの含有量が低下するので、所望の誘電特性が得られない場合がある。
本発明によれば、導電体層の材料としてAgを用いた積層セラミックス部品において、優れた誘電特性を得ることができる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
<実施例1>
(実施例1−1)
〔仮焼成粉の調製〕
CaCO3、SrCO3、Li2O、Nd2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:7:10:60:10となるようにボ−ルミルで混合し、誘電体セラミックスの原料混合粉とした。なお、この混合割合は、化学式(AgaLibNdcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-αにおいて、a=0.23、b=0.32、c=0.45、d=0.94、α=0.73に相当する割合である。
(実施例1−1)
〔仮焼成粉の調製〕
CaCO3、SrCO3、Li2O、Nd2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:7:10:60:10となるようにボ−ルミルで混合し、誘電体セラミックスの原料混合粉とした。なお、この混合割合は、化学式(AgaLibNdcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-αにおいて、a=0.23、b=0.32、c=0.45、d=0.94、α=0.73に相当する割合である。
また、原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は8.3モル%である。
上記の原料混合粉を1200℃で2時間加熱して仮焼成した。1200℃に加熱した際の昇温速度は200℃/時間、降温速度は300℃/時間である。仮焼成した粉末をボ−ルミルで24時間粉砕し、仮焼成粉を得た。
〔ガラス混合粉の調製〕
上記の仮焼成粉500gと、ZnO−B2O3−SiO2系ガラス(日本電気硝子社製、商品名「GA−12」)15gと、Bi2O3−B2O3−ZnO系粉末ガラス(Bi2O375重量%、B2O315重量%、ZnO10重量%)5gとをボ−ルミルで24時間混合し、ガラス混合粉を調製した。
上記の仮焼成粉500gと、ZnO−B2O3−SiO2系ガラス(日本電気硝子社製、商品名「GA−12」)15gと、Bi2O3−B2O3−ZnO系粉末ガラス(Bi2O375重量%、B2O315重量%、ZnO10重量%)5gとをボ−ルミルで24時間混合し、ガラス混合粉を調製した。
〔グリ−ンシ−トの作製〕
上記のガラス混合粉にバインダ−を混合してスラリ−を作製した。得られたスラリ−を用いてドクタ−ブレ−ド法により、厚み100μmのグリ−ンシ−トを作製した。100mm×100mmの大きさに切断したグリ−ンシ−トの上に、Agペ−ストで所定の導体層パタ−ンを形成した後、乾燥した。このようなグリ−ンシ−トを8枚作製し、これらのグリ−ンシ−トを積層した後、静水圧プレスで圧着成形した。その後、ダイシングにより1mm×2mmの大きさに切断し、積層体とした。
上記のガラス混合粉にバインダ−を混合してスラリ−を作製した。得られたスラリ−を用いてドクタ−ブレ−ド法により、厚み100μmのグリ−ンシ−トを作製した。100mm×100mmの大きさに切断したグリ−ンシ−トの上に、Agペ−ストで所定の導体層パタ−ンを形成した後、乾燥した。このようなグリ−ンシ−トを8枚作製し、これらのグリ−ンシ−トを積層した後、静水圧プレスで圧着成形した。その後、ダイシングにより1mm×2mmの大きさに切断し、積層体とした。
〔積層セラミックス部品の作製〕
上記のようにして作製した積層体を、900℃で2時間焼成することにより、積層セラミックス部品を作製した。
上記のようにして作製した積層体を、900℃で2時間焼成することにより、積層セラミックス部品を作製した。
(実施例1−2)
CaCO3、SrCO3、Li2O、Nd2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:9:11:61:5となるようにボ−ルミルで混合して、原料混合粉を調製した。この混合割合は、上記化学式において、a=0.11、b=0.4、c=0.49、d=0.94、α=0.74となる混合割合である。原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は4.1モル%である。
CaCO3、SrCO3、Li2O、Nd2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:9:11:61:5となるようにボ−ルミルで混合して、原料混合粉を調製した。この混合割合は、上記化学式において、a=0.11、b=0.4、c=0.49、d=0.94、α=0.74となる混合割合である。原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は4.1モル%である。
この原料混合粉を、実施例1−1と同様にして仮焼成し、粉砕して仮焼成粉を得た。この仮焼成粉を用いて、実施例1−1と同様に積層セラミックス部品を作製した。
(比較例1−1)
CaCO3、SrCO3、Li2O、Nd2O3及びTiO2を、モル比15:1:12:11:62となるようにボ−ルミルで混合し、誘電体セラミックスの原料混合粉とした。なお、この混合割合は化学式(AgaLibNdcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-αにおいて、a=0、b=0.52、c=0.48、d=0.94、α=0.74に相当する割合である。
CaCO3、SrCO3、Li2O、Nd2O3及びTiO2を、モル比15:1:12:11:62となるようにボ−ルミルで混合し、誘電体セラミックスの原料混合粉とした。なお、この混合割合は化学式(AgaLibNdcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-αにおいて、a=0、b=0.52、c=0.48、d=0.94、α=0.74に相当する割合である。
この原料混合粉を、実施例1−1と同様にして仮焼成し、粉砕して仮焼成粉を得た。この仮焼成粉を用いて、実施例1−1と同様に積層セラミックス部品を作製した。
(比較例1−2)
CaCO3、SrCO3、Li2O、Nd2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:2:7:62:28となるようにボ−ルミルで混合して、原料混合粉を調製した。この混合割合は、上記化学式において、a=0.61、b=0.09、c=0.3、d=0.94、α=0.74となる混合割合である。原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は22.6モル%である。
CaCO3、SrCO3、Li2O、Nd2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:2:7:62:28となるようにボ−ルミルで混合して、原料混合粉を調製した。この混合割合は、上記化学式において、a=0.61、b=0.09、c=0.3、d=0.94、α=0.74となる混合割合である。原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は22.6モル%である。
この原料混合粉を、実施例1−1と同様にして仮焼成し、粉砕して仮焼成粉を得た。この仮焼成粉を用いて、実施例1−1と同様に積層セラミックス部品を作製した。
〔Ag濃度の測定〕
実施例1−1及び1−2並びに比較例1−1及び1−2の積層セラミックス部品について、焼成前と焼成後の積層体におけるセラミックス層のAg濃度をEPMAを用いて測定し、その結果を表1に示した。
実施例1−1及び1−2並びに比較例1−1及び1−2の積層セラミックス部品について、焼成前と焼成後の積層体におけるセラミックス層のAg濃度をEPMAを用いて測定し、その結果を表1に示した。
〔誘電特性の評価〕
実施例1−1及び1−2並びに比較例1−1及び1−2で得られた積層セラミック部品について、比誘電率及びQf値を測定し、測定結果を表1に示した。
実施例1−1及び1−2並びに比較例1−1及び1−2で得られた積層セラミック部品について、比誘電率及びQf値を測定し、測定結果を表1に示した。
表1に示す結果から明らかなように、誘電体セラミックスにAgを含有させていない比較例1−1においては、焼成によりAg濃度が大幅に増加している。これに対し、誘電体セラミックスにAgに含有させた実施例1−1、実施例1−2及び比較例1−2においては、焼成前と焼成後におけるAg濃度の変化が少なくなっている。これは、誘電体セラミックスにAgを含有させることにより、焼成の際に導電体層からのAgの拡散が抑制されていることを示している。
誘電特性については、実施例1−1、実施例1−2及び比較例1−1において、高い比誘電率及びQf値が得られているのに対し、比較例1−2では、比誘電率及びQf値が小さくなっている。これは、誘電体セラミックスにおけるAgの含有量が多くなりすぎているためであると考えられる。
以上の結果から、誘電体セラミックス中におけるAgの含有率は2〜20モル%の範囲内が好ましいことがわかる。
<実施例2>
(実施例2−1)
〔仮焼成粉の調製〕
CaCO3、SrCO3、Li2O、Sm2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:7:10:60:10となるようにボ−ルミルで混合し、誘電体セラミックスの原料混合粉とした。なお、この混合割合は、化学式(AgaLibSmcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-αにおいて、a=0.23、b=0.32、c=0.45、d=0.94、α=0.73に相当する割合である。
(実施例2−1)
〔仮焼成粉の調製〕
CaCO3、SrCO3、Li2O、Sm2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:7:10:60:10となるようにボ−ルミルで混合し、誘電体セラミックスの原料混合粉とした。なお、この混合割合は、化学式(AgaLibSmcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-αにおいて、a=0.23、b=0.32、c=0.45、d=0.94、α=0.73に相当する割合である。
また、原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は8.3モル%である。
上記の原料混合粉を1200℃で2時間加熱して仮焼成した。1200℃に加熱した際の昇温速度は200℃/時間、降温速度は300℃/時間である。仮焼成した粉末をボ−ルミルで24時間粉砕し、仮焼成粉を得た。
〔ガラス混合粉の調製〕
上記の仮焼成粉500gと、ZnO−B2O3−SiO2系ガラス(日本電気硝子社製、商品名「GA−12」)15gと、Bi2O3−B2O3−ZnO系粉末ガラス(Bi2O375重量%、B2O315重量%、ZnO10重量%)5gとをボ−ルミルで24時間混合し、ガラス混合粉を調製した。
上記の仮焼成粉500gと、ZnO−B2O3−SiO2系ガラス(日本電気硝子社製、商品名「GA−12」)15gと、Bi2O3−B2O3−ZnO系粉末ガラス(Bi2O375重量%、B2O315重量%、ZnO10重量%)5gとをボ−ルミルで24時間混合し、ガラス混合粉を調製した。
〔グリ−ンシ−トの作製〕
上記のガラス混合粉にバインダ−を混合してスラリ−を作製した。得られたスラリ−を用いてドクタ−ブレ−ド法により、厚み100μmのグリ−ンシ−トを作製した。100mm×100mmの大きさに切断したグリ−ンシ−トの上に、Agペ−ストで所定の導体層パタ−ンを形成した後、乾燥した。このようなグリ−ンシ−トを8枚作製し、これらのグリ−ンシ−トを積層した後、静水圧プレスで圧着成形した。その後、ダイシングにより1mm×2mmの大きさに切断し、積層体とした。
上記のガラス混合粉にバインダ−を混合してスラリ−を作製した。得られたスラリ−を用いてドクタ−ブレ−ド法により、厚み100μmのグリ−ンシ−トを作製した。100mm×100mmの大きさに切断したグリ−ンシ−トの上に、Agペ−ストで所定の導体層パタ−ンを形成した後、乾燥した。このようなグリ−ンシ−トを8枚作製し、これらのグリ−ンシ−トを積層した後、静水圧プレスで圧着成形した。その後、ダイシングにより1mm×2mmの大きさに切断し、積層体とした。
〔積層セラミックス部品の作製〕
上記のようにして作製した積層体を、900℃で2時間焼成することにより、積層セラミックス部品を作製した。
上記のようにして作製した積層体を、900℃で2時間焼成することにより、積層セラミックス部品を作製した。
(実施例2−2)
CaCO3、SrCO3、Li2O、Sm2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:9:11:61:5となるようにボ−ルミルで混合して、原料混合粉を調製した。この混合割合は、上記化学式において、a=0.11、b=0.4、c=0.49、d=0.94、α=0.74となる混合割合である。原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は4.1モル%である。
CaCO3、SrCO3、Li2O、Sm2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:9:11:61:5となるようにボ−ルミルで混合して、原料混合粉を調製した。この混合割合は、上記化学式において、a=0.11、b=0.4、c=0.49、d=0.94、α=0.74となる混合割合である。原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は4.1モル%である。
この原料混合粉を、実施例2−1と同様にして仮焼成し、粉砕して仮焼成粉を得た。この仮焼成粉を用いて、実施例2−1と同様に積層セラミックス部品を作製した。
(比較例2−1)
CaCO3、SrCO3、Li2O、Sm2O3、及びTiO2を、モル比15:1:12:11:62となるようにボ−ルミルで混合し、誘電体セラミックスの原料混合粉とした。なお、この混合割合は、化学式(AgaLibSmcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-αにおいて、a=0、b=0.52、c=0.48、d=0.94、α=0.74に相当する割合である。
CaCO3、SrCO3、Li2O、Sm2O3、及びTiO2を、モル比15:1:12:11:62となるようにボ−ルミルで混合し、誘電体セラミックスの原料混合粉とした。なお、この混合割合は、化学式(AgaLibSmcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-αにおいて、a=0、b=0.52、c=0.48、d=0.94、α=0.74に相当する割合である。
この原料混合粉を、実施例2−1と同様にして仮焼成し、粉砕して仮焼成粉を得た。この仮焼成粉を用いて、実施例2−1と同様に積層セラミックス部品を作製した。
(比較例2−2)
CaCO3、SrCO3、Li2O、Sm2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:2:7:62:28となるようにボ−ルミルで混合して、原料混合粉を調製した。この混合割合は、上記化学式において、a=0.61、b=0.09、c=0.3、d=0.94、α=0.74となる混合割合である。原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は22.6モル%である。
CaCO3、SrCO3、Li2O、Sm2O3、TiO2及びAgを、モル比15:1:2:7:62:28となるようにボ−ルミルで混合して、原料混合粉を調製した。この混合割合は、上記化学式において、a=0.61、b=0.09、c=0.3、d=0.94、α=0.74となる混合割合である。原料混合粉における金属元素全体に対するAgの含有率は22.6モル%である。
この原料混合粉を、実施例2−1と同様にして仮焼成し、粉砕して仮焼成粉を得た。この仮焼成粉を用いて、実施例2−1と同様に積層セラミックス部品を作製した。
〔Ag濃度の測定〕
実施例2−1及び2−2並びに比較例2−1及び2−2の積層セラミックス部品について、焼成前と焼成後の積層体におけるセラミックス層のAg濃度をEPMAを用いて測定し、その結果を表2に示した。
実施例2−1及び2−2並びに比較例2−1及び2−2の積層セラミックス部品について、焼成前と焼成後の積層体におけるセラミックス層のAg濃度をEPMAを用いて測定し、その結果を表2に示した。
〔誘電特性の評価〕
実施例2−1及び2−2並びに比較例2−1及び2−2で得られた積層セラミック部品について、比誘電率及びQf値を測定し、測定結果を表2に示した。
実施例2−1及び2−2並びに比較例2−1及び2−2で得られた積層セラミック部品について、比誘電率及びQf値を測定し、測定結果を表2に示した。
表2に示す結果から明らかなように、誘電体セラミックスにAgを含有させていない比較例2−1においては、焼成によりAg濃度が大幅に増加している。これに対し、誘電体セラミックスにAgに含有させた実施例2−1、実施例2−2及び比較例2−2においては、焼成前と焼成後におけるAg濃度の変化が少なくなっている。これは、誘電体セラミックスにAgを含有させることにより、焼成の際に導電体層からのAgの拡散が抑制されていることを示している。
誘電特性については、実施例2−1、実施例2−2及び比較例2−1において、高い比誘電率及びQf値が得られているのに対し、比較例2−2では、比誘電率及びQf値が小さくなっている。これは、誘電体セラミックスのAgの含有量が多くなりすぎているためであると考えられる。
以上の結果から、誘電体セラミックス中におけるAgの含有率は2〜20モル%の範囲内が好ましいことがわかる。
図1は、本発明の積層セラミックス部品の一例を示す斜視図であり、図2は分解斜視図である。図1及び図2に示すように、誘電体セラミックス層11の上には、導電体層12が形成されている。また、誘電体セラミックス層11によっては、ビアホ−ル13が形成されている。このような誘電体セラミック層11を複数枚積層することにより、積層セラミックス部品が構成されている。
本発明の積層セラミックス部品の具体例としては、例えばLCフィルタ、アンテナスイッチモジュ−ル、フロントエンドモジュ−ル等の高周波モジュ−ル、光重畳モジュ−ル、半導体用基板、水晶振動子用基板、チップLED用パッケ−ジ、SAWデバイス用パッケ−ジなどが挙げられる。
11…誘電体セラミックス層
12…導電体層
13…ビアホ−ル
12…導電体層
13…ビアホ−ル
Claims (5)
- Agを含有する導電体層のパタ−ンが形成された、誘電体セラミックスとガラス添加剤を含むシ−トを積層して焼成することにより得られる積層セラミックス部品であって、
前記誘電体セラミックスが(Ag,M)TiO3(Mは金属元素)で表されるペロブスカイト型結晶相を有し、Agの含有率が金属元素全体に対して2〜20モル%であることを特徴とする積層セラミックス部品。 - 前記ペロブスカイト型結晶相が、化学式(AgaLibRcTiO3)α(CadSr1-dTiO3)1-α(ここで、Rは、La及びYを含む希土類元素を示し、a、b、c、d及びαは、0.073≦a≦0.4、0≦b<1、0≦c<1、a+b+c=1、0<d≦1及び0.55≦α≦1を満足する。)で表されることを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックス部品。
- 前記化学式におけるRが、Sm及び/またはNdであることを特徴とする請求項2に記載の積層セラミックス部品。
- 前記ガラス添加剤が、ZnO−B2O3−SiO2系ガラス、Li2O−B2O3−SiO2系ガラス、及びBi2O3−B2O3−ZnO系ガラスから選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の積層セラミックス部品。
- 前記ガラス添加剤の添加率が、前記誘電体セラミックスに対して1〜10重量%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の積層セラミックス部品。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009007181A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Taiheiyo Cement Corp | 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法 |
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- 2005-02-24 JP JP2005049610A patent/JP2006232616A/ja not_active Withdrawn
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---|---|---|---|---|
JP2009007181A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Taiheiyo Cement Corp | 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070228 |
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A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090604 |