JP2006151775A - 低温焼成酸化物セラミック材料の製造方法、低温焼成酸化物セラミック材料、低温焼成酸化物セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
低温焼成酸化物セラミック材料の製造方法、低温焼成酸化物セラミック材料、低温焼成酸化物セラミック電子部品及びその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】酸化アルミニウムからなる主成分と、少なくとも酸化ニオブ、酸化チタン、酸化銅および酸化銀からなる副成分を所定量秤量する工程と、前記工程後主成分と副成分を混合する工程と、この工程後のスラリーをシート状に成型する工程と、この工程後の成型体を加工する工程と、焼成する工程を有する低温焼成酸化物セラミック材料の製造方法において、CuKα線を用いたX線回折測定法で、結晶相による2θ=33.9±0.10°の回折ピーク強度と酸化アルミニウムのコランダム結晶相による(104)面の回折ピーク強度の比が0.05〜0.40であって、酸化ニオブと酸化チタンと酸化銅から構成される複合酸化物を生成するように860℃〜880℃で焼成することを特徴とした低温焼成酸化物セラミック材料の製造方法。
【選択図】図1
Description
そこで、LTCC基板の実装した半導体素子の下部に当たる部分に金属導体による放熱用のビア、いわゆるサーマルビアを形成する方法が用いられている。しかしながら、小型化の進展により実装密度が向上してくるとサーマルビアを設けることで設計自由度が低下し、小型化への妨げとなってしまい、かつ製造工程が煩雑になるため、結果的にコスト面でも不利になってしまうという問題点があった。
主成分、副成分の出発原料には高純度(99%以上)の酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化銅(CuO)、酸化チタン(TiO2)、酸化銀(AgO)、酸化マンガン(Mn3O4)を用いた。出発原料を純度補正後、所定の組成になるように秤量し、高純度アルミナ製玉石および水とともにボールミルで18時間混合した。混合したスラリーをボールミルから取り出して乾燥した。得られた粉末にバインダとして濃度6%のポリビニールアルコール溶液を10重量%添加して均質に混合し、32メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用い、成形圧力130MPaで直径13mm、厚さ約0.5mmの円板に成形した。この成形体をアルミナさや鉢の中に入れ、空気中で600℃の温度で1時間保持して脱バインダを行った後、空気中において860℃〜880℃の温度で8〜24時間保持して焼成し、低温焼成酸化物セラミック焼結体を得た。また、比較のため、900℃において24時間及び920℃で2時間の条件についても酸化物セラミック焼結体を得た。
出力 40KV 40mA
ステップ幅 0.04°
密度についてはアルキメデス法より密度を測定し、理論密度を4.00/cm3として相対密度を算出した。絶縁抵抗については、両面にAuスパッタリングで電極を形成した円板より、DC50Vで算出した。酸化ニオブと酸化チタンと酸化銅から構成される複合酸化物の結晶径は走査型電子顕微鏡により観察し、任意選択した30個の結晶の平均値を結晶系とした。さらに相対密度80%以上の焼結体に関しては、レーザーフラッシュ法にて、熱伝導率を測定した。結果は(表1)に示した。
主成分、副成分の出発原料には高純度(99%以上)の酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化銅(CuO)、酸化チタン(TiO2)、酸化銀(AgO)、酸化マンガン(Mn3O4)を用いた。出発原料を純度補正後、所定の組成になるように秤量し、高純度アルミナ製玉石および水とともにボールミルで18時間混合した。混合したスラリーをボールミルから取り出して乾燥し、引き続きセラミックグリーンシートに成形した。成形の方法は粉砕乾燥済み粉体100gに酢酸ブチル80g、ポリビニルブチラール樹脂15g、ジブチルフタレート8gとともにボールミルで48時間混合し、得られたセラミックスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ25μmの酸化物セラミックグリーンシートを作製した。以上のように作製した各種セラミックグリーンシートを多数個取りのサイズである70mm×70mmに裁断した。
2 内部導体
3 ビア導体
4 表面導体
Claims (9)
- 酸化アルミニウムからなる主成分と、少なくとも酸化ニオブ、酸化チタン、酸化銅および酸化銀からなる副成分を所定量秤量する工程と、前記工程により秤量された主成分と副成分を混合する工程と、前記工程により得られたスラリーをシート状に成型する工程と、前記工程により得られた成型体を所望の形状に加工する工程と、焼成する工程を有する低温焼成酸化物セラミック材料の製造方法において、CuKα線を用いたX線回折測定法で、結晶相による2θ=33.9±0.10°の回折ピーク強度と酸化アルミニウムのコランダム結晶相による(104)面の回折ピーク強度の比が0.05〜0.40であって、酸化ニオブと酸化チタンと酸化銅から構成される複合酸化物を生成するように860℃〜880℃で焼成することを特徴とした低温焼成酸化物セラミック材料の製造方法。
- 焼成する工程における焼成温度保持過程中に、保持温度よりも20〜80℃高い温度まで一時的に昇温し、複合酸化物の結晶径を10μm以下にし、点在させる工程を含むことを特徴とする請求項1記載の低温焼成酸化物セラミック材料の製造方法。
- 酸化アルミニウムを主成分として含み、副成分として少なくとも酸化ニオブ、酸化チタン、酸化銅および酸化銀を含む低温焼成酸化物セラミック材料において、CuKα線を用いたX線回折測定法で、酸化ニオブと酸化チタンと酸化銅から構成される複合酸化物の結晶相による2θ=33.9±0.10°の回折ピーク強度と酸化アルミニウムのコランダム結晶相による(104)面の回折ピーク強度の比が0.05〜0.40であり、相対密度が80%以上であることを特徴とする低温焼成酸化物セラミック材料。
- 酸化ニオブと酸化チタンと酸化銅から構成される複合酸化物の結晶径が10μm以下であることを特徴とする請求項3記載の低温焼成酸化物セラミック材料。
- 酸化ニオブと酸化チタンと酸化銅から構成される複合酸化物が連続して接することなく点在することを特徴とする請求項3記載の低温焼成酸化物セラミック材料。
- 酸化アルミニウムを主成分として含み、少なくとも酸化ニオブ、酸化チタン、酸化銅および酸化銀を副成分として含み、CuKα線を用いたX線回折測定法で、酸化ニオブと酸化チタンと酸化銅から構成される複合酸化物の結晶相による2θ=33.9±0.10°の回折ピーク強度と酸化アルミニウムのコランダム結晶相による(104)面の回折ピーク強度の比が0.05〜0.40である低温焼成酸化物セラミック材料からなる誘電体層と、導体を少なくともその内層に有した低温焼成酸化物セラミック電子部品。
- Agを主成分とする導体を少なくともその内層に有したことを特徴とする請求項6記載の低温焼成酸化物セラミック電子部品。
- 酸化アルミニウムからなる主成分と、少なくとも酸化ニオブ、酸化チタン、酸化銅および酸化銀からなる副成分を所定量秤量する工程と、前記工程により秤量された主成分と副成分を混合する工程と、前記工程により得られたスラリーをシート状に成型する工程と、前記工程により得られた成型体を所望の形状に加工する工程と、前記成型体に導体を形成する工程と、焼成する工程を有する低温焼成酸化物セラミック電子部品の製造方法において、CuKα線を用いたX線回折測定法で、結晶相による2θ=33.9±0.10°の回折ピーク強度と酸化アルミニウムのコランダム結晶相による(104)面の回折ピーク強度の比が0.05〜0.40であって、酸化ニオブと酸化チタンと酸化銅から構成される複合酸化物を生成するように860℃〜880℃で焼成することを特徴とした低温焼成酸化物セラミック電子部品の製造方法。
- 焼成する工程における焼成温度保持過程中に、保持温度よりも20〜80℃高い温度まで一時的に昇温し、複合酸化物の結晶径を10μm以下にし、点在させる工程を含むことを特徴とする請求項8記載の低温焼成酸化物セラミック電子部品の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8383533B2 (en) | 2009-01-07 | 2013-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Low-temperature sintering ceramic material and ceramic substrate |
JP2018008863A (ja) * | 2016-07-11 | 2018-01-18 | 茂野 交市 | 誘電体セラミック材料及び誘電体セラミック組成物 |
CN111356668A (zh) * | 2017-12-27 | 2020-06-30 | 昭和电工株式会社 | 氧化铝烧结体的前体、氧化铝烧结体的制造方法、磨粒的制造方法和氧化铝烧结体 |
JP2020196635A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 京セラ株式会社 | アルミナ質焼結体及び配線基板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08169774A (ja) * | 1994-02-14 | 1996-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミックスおよびその製造方法 |
JP2000272971A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックグリーンシート、セラミック基板及びセラミック多層基板の製造方法 |
JP2002368531A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 表面実装型アンテナとその製造方法 |
JP2004256384A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物セラミックス材料、これを用いたセラミック基板、セラミック積層デバイスとパワーアンプモジュール |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08169774A (ja) * | 1994-02-14 | 1996-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミックスおよびその製造方法 |
JP2000272971A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックグリーンシート、セラミック基板及びセラミック多層基板の製造方法 |
JP2002368531A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 表面実装型アンテナとその製造方法 |
JP2004256384A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物セラミックス材料、これを用いたセラミック基板、セラミック積層デバイスとパワーアンプモジュール |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8383533B2 (en) | 2009-01-07 | 2013-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Low-temperature sintering ceramic material and ceramic substrate |
JP2018008863A (ja) * | 2016-07-11 | 2018-01-18 | 茂野 交市 | 誘電体セラミック材料及び誘電体セラミック組成物 |
CN111356668A (zh) * | 2017-12-27 | 2020-06-30 | 昭和电工株式会社 | 氧化铝烧结体的前体、氧化铝烧结体的制造方法、磨粒的制造方法和氧化铝烧结体 |
US11667574B2 (en) | 2017-12-27 | 2023-06-06 | Showa Denko K.K. | Precursor of alumina sintered body, method for producing alumina sintered body, method for producing abrasive grains, and alumina sintered body |
JP2020196635A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 京セラ株式会社 | アルミナ質焼結体及び配線基板 |
JP7206156B2 (ja) | 2019-05-31 | 2023-01-17 | 京セラ株式会社 | アルミナ質焼結体及び配線基板 |
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