JP2009007181A - 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法 - Google Patents

非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009007181A
JP2009007181A JP2007167230A JP2007167230A JP2009007181A JP 2009007181 A JP2009007181 A JP 2009007181A JP 2007167230 A JP2007167230 A JP 2007167230A JP 2007167230 A JP2007167230 A JP 2007167230A JP 2009007181 A JP2009007181 A JP 2009007181A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
sintering aid
free piezoelectric
piezoelectric ceramic
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007167230A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4988451B2 (ja
Inventor
Ryoichi Fukunaga
了一 福永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiheiyo Cement Corp
Original Assignee
Taiheiyo Cement Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiheiyo Cement Corp filed Critical Taiheiyo Cement Corp
Priority to JP2007167230A priority Critical patent/JP4988451B2/ja
Publication of JP2009007181A publication Critical patent/JP2009007181A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4988451B2 publication Critical patent/JP4988451B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

【課題】低温で焼結可能な非鉛系圧電セラミックスを提供する。
【解決手段】非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤は、x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスの製造に用いられる焼結助剤であって、少なくとも酸化ビスマスと酸化亜鉛とを有し、残部が酸化ホウ素からなる。上記の成分を有する焼結助剤を用いれば、1100℃以下の焼成で、BNT−BT−ST系圧電セラミックスを緻密化させることができる。その結果、非鉛系圧電セラミックスを用いて圧電デバイスを作製することができ、自然環境へのダメージを防止することができる。
【選択図】図5

Description

本発明は、低温焼結を可能にする非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法に関する。
近年、圧電セラミック素子材料として鉛化合物を含まない圧電磁器組成物が注目され、研究開発が進められている(たとえば、特許文献1)。このような圧電磁器組成物は鉛化合物を含まないため、自然環境に対して負荷を小さくすることができる。
上記の特許文献1に記載されている圧電磁器組成物は、組成式をx(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(x+y+z=1)とした時、これらの成分を頂点とする三角座標中、組成が所定の点で囲まれる範囲内に存在する。これにより、キュリー温度が高く、実用が可能な非鉛の圧電磁器組成物を提供している。
一方、デバイスの機能を高めるために、圧電セラミックスと電極とを積層させた積層型の圧電デバイスの需要が高まっている。その積層型の圧電デバイスの内部には、Ag−Pd等の材料を用いた内部電極が設けられており、内部電極に用いられるAg−Pd等の材料は、1100℃を超える温度に達すると溶融する。
特開2003−201172号公報
しかしながら、上記の特許文献1の圧電セラミックスは、1200℃の高温で焼成される場合には焼結体の緻密化が達成されるが、非鉛系材料で積層型の圧電デバイスを製造しようとすると、圧電体層の緻密化の温度が内部電極の融解温度を超えてしまう。
一方、焼成温度1100℃以下では、焼成の工程で内部電極が融解することはないが、圧電セラミックスの緻密化が達成されず、十分な圧電特性を得ることができない。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、低温で焼結可能な非鉛系圧電セラミックスを提供することを目的とする。
(1)上記の目的を達成するため、本発明に係る非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤は、x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスの製造に用いられる焼結助剤であって、少なくとも酸化ビスマスと酸化亜鉛とを有し、残部が酸化ホウ素からなることを特徴としている。
上記の成分を有する焼結助剤を用いれば、1100℃以下の焼成で、BNT−BT−ST系圧電セラミックスを緻密化させることができる。その結果、非鉛系圧電セラミックスを用いて積層型圧電デバイスを作製することができる。そして、自然環境へのダメージを防止することができる。
(2)また、本発明に係る非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤は、前記酸化ビスマス、酸化亜鉛および酸化ホウ素の金属組成比は、モル%で、10≦Bi≦40、20≦Zn≦90、および0≦B≦40(合計100モル%)であることを特徴としている。
このように、本発明の圧電セラミックス用焼結助剤は、Bi:Zn:Bの組成比が緻密化に最も効果のある組成である。製造工程において、この焼結助剤をBNT−BT−ST系圧電セラミックスに添加することで、1100℃以下の焼成でBNT−BT−ST系圧電セラミックスを緻密化し十分な圧電特性もたせることができる。
(3)また、本発明に係る非鉛系圧電セラミックスは、x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスであって、前記非鉛系圧電セラミックス材料に対して、上記の非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤を0.5重量%以上5重量%以下添加し、1100℃以下で焼成して得られ、密度が5.2×10kg/m以上であることを特徴としている。
このように、上記の焼結助剤を0.5重量%以上5重量%以下添加し、1100℃以下で焼成することで、密度が5.2×10kg/m以上のBNT−BT−ST系圧電セラミックスを得ることができる。そして、1100℃以下でも十分に緻密化するため、この非鉛の材料を圧電デバイスに応用することができる。
(4)また、本発明に係る非鉛系圧電セラミックスは、前記x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成において、x=0.83、0.10≦y≦0.17、0≦z≦0.07を満たすことを特徴としている。このような組成の非鉛系圧電セラミックスを作製することで、非鉛系圧電セラミックスの機械結合係数krを高くして、その圧電特性を向上させることができる。
(5)また、本発明に係る積層型圧電デバイスは、上記の非鉛系圧電セラミックスからなる圧電体層とAg−Pdからなる内部電極層とを交互に積層して一体焼成により形成されることを特徴としている。このような一体焼成されている非鉛の積層型の圧電デバイスを小型で高機能な圧電デバイスとして応用することができる。
(6)また、本発明に係る非鉛系圧電セラミックスの製造方法は、x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスの仮焼粉末に対して、上記の非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤を0.5重量%以上5重量%以下添加する添加工程と、前記添加工程により得られた材料の成形体を1100℃以下で焼成する焼成工程と、を含むことを特徴としている。
このように、上記の焼結助剤を3.0重量%以上添加し、1100℃以下で焼成することで、緻密化したBNT−BT−ST系圧電セラミックスを得ることができる。これにより、Ag−Pd等からなる内部電極を有する積層型の圧電デバイスを一体焼成で製造することができる。
本発明によれば、1100℃以下の焼成で、BNT−BT−ST系圧電セラミックスを緻密化させることができる。その結果、非鉛系圧電セラミックスを用いて積層型圧電デバイスを作製することができる。そして自然環境へのダメージを防止することができる。
本発明者は、鉛を含まない非鉛の積層型圧電デバイスを作製するためBNT−BT−ST系圧電セラミックスを圧電体層とした積層型圧電デバイスの開発を試みた。その過程において、本発明者は、内部電極が融解しない温度で積層型圧電デバイスを焼成する必要があることに着目し、特定の焼結助剤を添加することでBNT−BT−ST系圧電セラミックスを低温で緻密化できることを見出した。以下に、本発明の実施形態を説明する。
(焼結助剤の組成)
BNT−BT−ST系圧電セラミックス等の母材の圧電特性を悪化させずに、セラミック部材の焼結温度を低下させるには、反応性の高く融点の低いZnOやBiを添加し、粒界相に液相を作り低温焼結を促進するのが効果的である。たとえば、4価のTiに対し、3価のBiなどの価数の異なるイオンを添加するとTiサイトで置換され、酸素イオンの空孔が生成され、この酸素空孔は焼結中のイオンの拡散を増加させる。この結果として焼結温度が効果的に低下する。
本発明に係る非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤(以下、「BBZ焼結助剤」という)は、少なくとも酸化ビスマスと酸化亜鉛とを有し、残部が酸化ホウ素からなり、BNT−BT−ST系圧電セラミックスを緻密化させるのに適している。BNT−BT−ST系圧電セラミックスとは、x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスである。なお、本発明では、ストロンチウムを含まないBNT−BT系圧電セラミックス(z=0)もBNT−BT−ST系圧電セラミックスに含む。上記のBBZ焼結助剤をBNT−BT−ST系圧電セラミックスの製造工程において圧電セラミックスに添加することで、BNT−BT−ST系圧電セラミックスは1100℃以下の焼成温度で緻密化される。
BBZ焼結助剤を用いてBNT−BT−ST系圧電セラミックスを低温焼成で作製する作製方法は以下の通りである。まず、Bi、NaCO、BaTiO、SrCo、TiOの粉末を秤量し、溶媒とともにミルで混合する。そして、混合粉末を乾燥させ、メッシュパスにより造粒する。次いで、粉末を800℃で仮焼し、粉砕する。そして、バインダとともに所定量のBi、B、ZnOを加え、乾燥、造粒する。このようにして得られた粉末を所望の形状に成形して1100℃で焼成すれば、低温焼成によるBNT−BT−ST系圧電セラミックスの焼結体が得られる。
BBZ焼結助剤を構成する酸化ビスマス、酸化亜鉛および酸化ホウ素の金属組成比は、モル%で、10≦Bi≦40、20≦Zn≦90、および0≦B≦40(合計100モル%)とするのが好ましい。Bi:Zn:Bの組成比を緻密化に最も効果のある組成にすることで、BNT−BT−ST系圧電セラミックスについて1100℃以下での緻密化を達成し、かつ十分な圧電特性が得られる。
このような組成を有するBBZ焼結助剤がBNT−BT−ST系圧電セラミックスの焼結助剤として好ましいのは、PZT系圧電セラミックスの焼結助剤として同様の組成を有する焼結助剤が十分に機能することから推測できる。PZT系圧電セラミックスに対するPBZ焼結助剤であっても、BNT−BT−ST系圧電セラミックスに対するBBZ焼結助剤であっても、粒界相に液相を作り低温焼結を促進するメカニズムは同様である。したがって、BBZ焼結助剤を構成する酸化ビスマス、酸化亜鉛および酸化ホウ素の金属組成比は、モル%で、10≦Bi≦40、20≦Zn≦90、および0≦B≦40(合計100モル%)の領域が好ましいと推定できる。
(母材の組成)
十分な圧電特性を有するBNT−BT−ST系圧電セラミックスを得るためには、BBZ焼結助剤を添加する母材の組成も目的に適したものである必要がある。母材の最適な組成は、x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)と表したとき、x=0.83、0.10≦y≦0.17、0≦z≦0.07を満たす組成である。以下にこれを実証するために行った組成トレース実験を説明する。
組成トレース実験では、焼結助剤を添加せずに、組成の異なるBNT−BT−ST系圧電セラミックスを作製した。組成は、x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)と表したとき、0.79≦x≦0.87、0.10≦y≦0.19、0≦z≦0.07を満たす範囲で適宜選択した。そして、それぞれの組成の焼結体について、密度、機械結合係数、比誘電率、誘電損失を測定した。
図1は、各組成のBNT−BT−ST系圧電セラミックスについて、密度、機械結合係数、比誘電率、誘電損失を測定した結果を示す表である。図1に示すように、組成を変えてBNT−BT−ST系圧電セラミックスを作製したところ、ほとんどの組成において機械結合係数kr=0.17という結果が得られ、非鉛圧電材料の機械結合係数krとしては比較的大きな値が得られた。
図1に示すBNT−BT−ST系圧電セラミックスの組成のうち、比誘電率εrの高さに着目すると、試料番号1および13の組成がBBZ焼結助剤添加用に適していると判断できる。このように、組成トレース実験の結果、比誘電率εrが高いことから試料番号1の組成の0.83BNT−0.10BT−0.07STを母材に選択した。また、誘電損失tanδが低く、原料粉末が少なく、比誘電率εrが高いという点から試料番号13の組成の0.83BNT−0.17BT−0.00STを母材に選択した。
(BBZ焼結助剤の実験)
上記の試料番号1および13の組成のBNT−BT−ST系圧電セラミックスを母材として、各BBZ焼結助剤の添加量、各焼成温度で焼成を行った。粉末の秤量時にx(Bi0.5Na0.5TiO)+y(BaTiO)+z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)で表したときに、x=0.83、y=0.10、z=0.07となるように秤量して、試料番号1の母材組成とした。また、同様に、x=0.83、y=0.17、z=0となるように秤量して、試料番号13の母材組成とした。
Bi、B、ZnOの各粉末を混合して助剤混合物を作製した。そして、その助剤混合物を上記のような組成の母材仮焼粉末と混合した。焼結助剤の添加は仮焼後の粉砕時に行った。焼結助剤に用いる原料粉末はBi、B、ZnOとした。添加量はBi:B:Zn=30:30:40のモル比とし、仮焼粉末に対し外割り重量比で添加した。助剤添加割合は、母材の重量(E)に対する焼結助剤の重量(H)の割合(H/E)である。このようにしてBBZを2重量%、3重量%、5重量%添加した。
BBZ焼結助剤の添加量2重量%、3重量%、5重量%のそれぞれの成形体を900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃で焼成した。また、助剤添加していない成形体を1200℃で焼成した。そして、焼結体の密度をアルキメデス法により測定したところ、試料番号1の組成を母材とし、焼成温度1100℃以上、BBZ焼結助剤添加量2重量%以上の条件で得られたBNT−BT−ST系圧電セラミックスの密度が5.2×10kg/mを超えていた。また、焼成温度1150℃以上、BBZ焼結助剤の添加量2重量%以上の条件で得られたBNT−BT−ST系圧電セラミックスの密度は5.7×10kg/m程度であり、BBZ焼結助剤を添加せず1200℃で焼成した試料の密度と同程度であった。BBZ焼結助剤を添加せず1200℃で焼成した試料の密度は、5.72×10kg/mであった。
図2は、試料番号1の組成を母材とするBNT−BT−ST系圧電セラミックスについて、BBZ焼結助剤添加量に対する密度の関係を示すグラフである。密度は、アルキメデス法により求めた。
図2に示すように、試料番号1の組成のBNT−BT−ST系圧電セラミックスについて、BBZ焼結助剤の添加量を2重量%以上とすることで焼成温度を1100℃としても緻密な焼結体が得られることが分かった。
一方、試料番号13の組成を母材とし、焼成温度1100℃以上、BBZ焼結助剤添加量2重量%以上として作製したBNT−BT−ST系圧電セラミックスの密度は、5.3×10kg/mを超えていた。また、焼成温度1150℃以上、BBZ焼結助剤添加量0重量%以上の試料の密度が5.7×10kg/m程度であり、BBZ焼結助剤を添加せず1200℃で焼成した試料の密度と同程度であった。
図3は、試料番号13の組成を母材とするBNT−BT−ST系圧電セラミックスについて、BBZ焼結助剤添加量に対する密度の関係を示すグラフである。図3に示すように、試料番号13の組成のBNT−BT−ST系圧電セラミックスについては、BBZ焼結助剤の添加量を2重量%以上とすることで焼成温度を1100℃としても緻密な焼結体が得られることが分かった。
なお、上記の実験により得られた結果を参照すると、実際はBBZ焼結助剤2重量%以上の添加量で緻密化しているが、グラフの傾向から0.5重量%以上の添加量でも焼結体は緻密化するものと考えられる。
このようにして各BBZ焼結助剤添加量および各焼成温度において焼成された試料に、電極を設けて分極し、機械結合係数krを測定した。ペレット状の焼結体の両主面に銀ペーストを印刷し、焼成することで電極を形成し、60〜150℃、5〜20分、2〜4kV/mmの条件で、焼結体を厚み方向に分極させた。BBZ焼結助剤の添加量を0、2、3、5重量%とし、900℃、950℃、1000℃、1050℃、1100℃で焼成した試料について測定を行った。また、参考としてBBZ焼結助剤を添加せず1200℃で焼成した試料についても機械結合係数を測定した。
図4は、各焼成温度および各添加量での機械結合係数を示す表である。たとえば、BBZ焼結助剤の添加量を2重量%とし、1100℃で焼成した試料について測定された機械結合係数は、0.12であることを示している。図中の「−」は、分極不可能だったことを、空欄は、測定していないことを示している。試料番号1の母材組成の試料について測定したところ、BBZ焼結助剤添加量が0重量%では、焼成温度1150℃、1100℃のいずれのものも分極が不可能であったが、1150℃焼成で2重量%助剤添加のもの、ならびに1100℃焼成で2重量%添加のもの、3重量%添加のもの、および5重量%助剤添加のものはいずれも分極できた。焼成温度が1050℃以下のものについては、BBZ焼結助剤を5重量%添加したものでも分極ができなかった。
一方、試料番号13の母材組成の試料について測定したところ、BBZ焼結助剤添加量が0重量%では、焼成温度1100℃の試料が分極が不可能であったが、1150℃焼成で0重量%のもの、および2重量%助剤添加のもの、ならびに1100℃焼成で2重量%添加のもの、3重量%添加のもの、および5重量%助剤添加のものはいずれも分極できた。また、分極できた試料の機械結合係数krは、0.15以上の高い値であった。焼成温度が1050℃以下のものについては、BBZ焼結助剤を5重量%添加したものでも分極ができなかった。以上の結果から、BNT−BT−ST系圧電セラミックス母材に対するCuO焼結助剤の添加量を2重量%以上5重量%以下とすることで、1100℃以下で焼成しても、良好な機械結合係数を得られることが実証された。特に、試料番号13の母材組成では、高い値が得られた。
また、この結果を考慮し、他の特性についても確認的に測定を行った。焼結助剤を添加したもの、または5重量%添加したもので、1200℃、1100℃で焼成された試料について、比誘電率εrおよび誘電損失tanδを測定した。図5は、各BBZ焼結助剤添加量、各焼成温度で作製されたBNT−BT−ST系圧電セラミックス試料の特性をまとめた表である。焼成温度1200℃および1100℃、BBZ焼結助剤添加量0重量%、5重量%の場合のデータがそれぞれ示されている。図5に示すように、BNT−BT−ST系圧電セラミックスは、BBZ焼結助剤を5重量%添加すれば1100℃で焼成しても、1200℃で焼成したものと同程度の圧電特性を得られることが実証された。
(積層型圧電デバイス)
なお、BBZ焼結助剤を用いて焼結されたBNT−BT−ST系圧電セラミックスは、電極と圧電体層が交互に積層された積層型圧電デバイスに用いられることで、大きな効果が得られる。BNT−BT−ST系圧電セラミックスは、固相焼結が簡便と言う利点があり積層化に適している。積層型圧電デバイスには、たとえば積層型圧電トランスがある。積層型の圧電トランスは、小型で大きい昇圧比が得られるため、液晶ディスプレイのバックライト用等で需要が高まっている。BBZ焼結助剤を用いてBNT−BT−ST系圧電セラミックスを圧電体層とする積層型の圧電トランスが実現することで、鉛を含まず、かつ十分な特性を有する積層型の圧電トランスを得ることができる。
BBZ焼結助剤を用いた圧電セラミックスを応用する製造方法の一例として、BNT−BT−ST系圧電セラミックスを圧電体層とする積層型圧電トランスの製造方法を以下に説明する。
まず、Bi、NaCO、BaTiO、SrCOおよびTiOのそれぞれ適量を配合しボールミル等により均一に混合する。混合後のスラリは乾燥させ、800℃で仮焼を行なう。なお、仮焼温度は800℃以下とするのが好ましい。たとえば、800℃以下とすることにより焼結体の誘電損失が小さくなる。
次に、仮焼体を、ボールミル等で粉砕しスラリを乾燥させる。そして、BBZ焼結助剤を0.5重量%以上5.0重量%以下の適量を添加し、バインダを混合してグリーンシートを成形する。BBZ焼結助剤を0.5重量%以上添加し、1100℃以下で焼成することで、密度が5.0×10kg/m以上のBNT−BT−ST系圧電セラミックスを得ることができる。
グリーンシートの作製は、公知の方法、たとえば、ドクターブレード法や押出成形法、カレンダロール法等を用いることができる。グリーンシートの厚みは、たとえば、焼成後に所望の厚みとなるように調整する。こうして作製したグリーンシートを焼成収縮や加工しろを考慮して打ち抜き加工または切り取り加工等し、作製する圧電トランスの短冊状の形状に適合した所定の形状の印刷用シートを得る。印刷用シートにおける長手方向半分の領域に、AgおよびPdを含む内部電極ペーストをスクリーン印刷法等で印刷する。ここで、Ag−Pdの内部電極ペーストの印刷は、たとえば、焼成後に2μm〜5μm程度となるように印刷厚みを調節する。また、形成される内部電極をその後に一層おきに接続することが容易となるように、内部電極ペーストを印刷するパターンを定めておくことが望ましい。
次いで、内部電極ペーストが印刷された印刷用シートを位置合わせして所定枚数ほど積層し、こうして積層された印刷用シートどうしを熱プレス等で熱圧着し、一体化する。このように、シートを所定位置に合わせて圧着させたプレス体を型抜きし、成形体を作製する。
続いて、所定の温度パターンに従い1100℃以下で成形体を焼成する。得られた焼成体の側面や表面に必要に応じて、研削加工や研磨加工を施して形状を整える。次に、Ag−Pdペースト等を用いて、入力部の内部電極を一層おきに接続して1対の電極を形成し、また、出力部の端面に出力用電極を形成した後、所定の温度で処理してAg−Pdペースト等を焼き付ける。通常、このAg−Pdペースト等の焼き付け処理は焼成温度よりも低い温度で行なう。そして、必要に応じて形成された電極にリード線を取り付ける。得られた焼結体は、分極処理を行なう。入力部に設けられた1対の電極と、出力部の端面に設けられた電極との間に所定の電圧を印加して出力部の分極処理を行い、その後に入力部に設けられた1対の電極間に所定の電圧を印加して入力部の分極処理を行なうことで圧電トランスが作製される。
なお、分極処理は、圧電セラミックスのキュリー点より低い所定の温度において、所定時間行われる。このようにして、非鉛のBNT−BT−ST系積層型圧電トランスを製造することができる。このように、BNT−BT−ST系圧電セラミックスからなる圧電体層とAg−Pd等からなる内部電極層とが交互に積層されたプレス体を、一体焼成して非鉛の積層型圧電トランスを製造することができる。
なお、上記の実施形態では、少なくとも酸化ビスマスと酸化亜鉛とを有し残部が酸化ホウ素からなるBBZ焼結助剤について説明したが、亜鉛をカドミウムに置き換えたBB−Cd焼結助剤でも同様の効果が得られると考えられる。亜鉛またはカドミウムは、液相焼結において、粒成長に適当な液相を生成するとともに、溶解したビスマスがセラミックス内に入るのを助けると考えられている。
各組成のBNT−BT−ST系圧電セラミックスの特性を示す表である。 本発明に係る非鉛系圧電セラミックスのBBZ焼結助剤添加量に対する密度の関係を示すグラフである。 本発明に係る非鉛系圧電セラミックスのBBZ焼結助剤添加量に対する密度の関係を示すグラフである。 本発明に係る非鉛系圧電セラミックスの各焼成温度および各添加量での機械結合係数を示す表である。 本発明にかかる非鉛系圧電セラミックス試料の特性をまとめた表である。
符号の説明
kr 機械結合係数
tanδ 誘電損失
εr 比誘電率

Claims (6)

  1. x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスの製造に用いられる焼結助剤であって、
    少なくとも酸化ビスマスと酸化亜鉛とを有し、残部が酸化ホウ素からなることを特徴とする非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤。
  2. 前記酸化ビスマス、酸化亜鉛および酸化ホウ素の金属組成比は、モル%で、10≦Bi≦40、20≦Zn≦90、および0≦B≦40(合計100モル%)であることを特徴とする請求項1記載の非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤。
  3. x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスであって、
    前記非鉛系圧電セラミックス材料に対して、請求項1または請求項2に記載の非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤を0.5重量%以上5重量%以下添加し、1100℃以下で焼成して得られ、
    密度が5.2×10kg/m以上であることを特徴とする非鉛系圧電セラミックス。
  4. 前記x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成において、
    x=0.83、0.10≦y≦0.17、0≦z≦0.07を満たすことを特徴とする請求項3記載の非鉛系圧電セラミックス。
  5. 請求項3または請求項4記載の非鉛系圧電セラミックスからなる圧電体層とAg−Pdからなる内部電極層とを交互に積層して一体焼成により形成されることを特徴とする積層型圧電デバイス。
  6. x(Bi0.5Na0.5TiO)−y(BaTiO)−z(SrTiO)(ただし、x+y+z=1)の組成で表される化合物を主成分とする非鉛系圧電セラミックスの仮焼粉末に対して、請求項1または請求項2に記載の非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤を0.5重量%以上5重量%以下添加する添加工程と、
    前記添加工程により得られた材料の成形体を1100℃以下で焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とする非鉛系圧電セラミックスの製造方法。
JP2007167230A 2007-06-26 2007-06-26 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法 Expired - Fee Related JP4988451B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007167230A JP4988451B2 (ja) 2007-06-26 2007-06-26 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007167230A JP4988451B2 (ja) 2007-06-26 2007-06-26 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009007181A true JP2009007181A (ja) 2009-01-15
JP4988451B2 JP4988451B2 (ja) 2012-08-01

Family

ID=40322648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007167230A Expired - Fee Related JP4988451B2 (ja) 2007-06-26 2007-06-26 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4988451B2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011068535A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Taiheiyo Cement Corp Bnt−bt系圧電セラミックスおよびその製造方法
JP2012099704A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、および圧電セラミックス
JP2013500919A (ja) * 2009-07-31 2013-01-10 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 圧電セラミック組成物、該組成物の製造方法及び該組成物を含む電気的構成部品
KR101347451B1 (ko) * 2010-04-27 2014-01-03 울산대학교 산학협력단 무연 압전 세라믹 적층형 액추에이터
JP2014172799A (ja) * 2013-03-11 2014-09-22 Ricoh Co Ltd 圧電材料、圧電材料の製造方法、圧電アクチュエータ、圧電アクチュエータの製造方法
WO2015018558A1 (de) * 2013-08-07 2015-02-12 Pi Ceramic Gmbh Bleifreier piezokeramischer werkstoff auf bismut-natrium-titanat (bnt)-basis
JP2017507894A (ja) * 2014-01-21 2017-03-23 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品
CN106915960A (zh) * 2017-02-21 2017-07-04 陕西科技大学 一种无铅高储能密度和储能效率陶瓷材料及其制备方法
KR20180003277A (ko) * 2016-06-30 2018-01-09 울산대학교 산학협력단 전계유기 변형특성이 우수한 무연 압전 세라믹스의 제조방법
JP2018531857A (ja) * 2015-07-17 2018-11-01 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品
KR20190111425A (ko) * 2018-03-22 2019-10-02 울산대학교 산학협력단 무연 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조방법
CN114315350A (zh) * 2022-01-24 2022-04-12 武汉理工大学 钛酸铋钠-锆钛酸钡无铅宽温储能陶瓷及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001151566A (ja) * 1999-11-19 2001-06-05 Ngk Spark Plug Co Ltd 圧電体セラミックス
JP2002326870A (ja) * 2001-03-01 2002-11-12 Tdk Corp 圧電磁器
JP2006232616A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Sanyo Electric Co Ltd 積層セラミックス部品
JP4727458B2 (ja) * 2006-03-08 2011-07-20 太平洋セメント株式会社 圧電セラミックス用焼結助剤、bnt−bt系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよびbnt−bt系圧電セラミックスの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001151566A (ja) * 1999-11-19 2001-06-05 Ngk Spark Plug Co Ltd 圧電体セラミックス
JP2002326870A (ja) * 2001-03-01 2002-11-12 Tdk Corp 圧電磁器
JP2006232616A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Sanyo Electric Co Ltd 積層セラミックス部品
JP4727458B2 (ja) * 2006-03-08 2011-07-20 太平洋セメント株式会社 圧電セラミックス用焼結助剤、bnt−bt系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよびbnt−bt系圧電セラミックスの製造方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9150457B2 (en) 2009-07-31 2015-10-06 Epcos Ag Piezo-electric ceramic composition, method for producing the composition, and electric component comprising the composition
JP2013500919A (ja) * 2009-07-31 2013-01-10 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 圧電セラミック組成物、該組成物の製造方法及び該組成物を含む電気的構成部品
JP2011068535A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Taiheiyo Cement Corp Bnt−bt系圧電セラミックスおよびその製造方法
KR101347451B1 (ko) * 2010-04-27 2014-01-03 울산대학교 산학협력단 무연 압전 세라믹 적층형 액추에이터
JP2012099704A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、および圧電セラミックス
JP2014172799A (ja) * 2013-03-11 2014-09-22 Ricoh Co Ltd 圧電材料、圧電材料の製造方法、圧電アクチュエータ、圧電アクチュエータの製造方法
WO2015018558A1 (de) * 2013-08-07 2015-02-12 Pi Ceramic Gmbh Bleifreier piezokeramischer werkstoff auf bismut-natrium-titanat (bnt)-basis
US10246376B2 (en) 2013-08-07 2019-04-02 Pi Ceramic Gmbh Lead-free piezoceramic material based on bismuth sodium titanate (BST)
CN105555735A (zh) * 2013-08-07 2016-05-04 Pi陶瓷技术及元件有限公司 基于钛酸铋钠(bnt)的不含铅的压电陶瓷材料
US11618717B2 (en) 2013-08-07 2023-04-04 Pi Ceramic Gmbh Lead-free piezoceramic material based on bismuth sodium titanate (BST)
CN112898016A (zh) * 2013-08-07 2021-06-04 Pi陶瓷有限责任公司 基于钛酸铋钠(bnt)的不含铅的压电陶瓷材料
EP3366657A1 (de) * 2013-08-07 2018-08-29 PI Ceramic GmbH Bleifreier piezokeramischer werkstoff auf bismut-natrium-titanat (bnt)-basis
JP2017507894A (ja) * 2014-01-21 2017-03-23 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品
US10490350B2 (en) 2015-07-17 2019-11-26 Tdk Electronics Ag Dielectric composition, dielectric element, electronic component and multi-layer electronic component
JP2018531857A (ja) * 2015-07-17 2018-11-01 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品
KR20180003277A (ko) * 2016-06-30 2018-01-09 울산대학교 산학협력단 전계유기 변형특성이 우수한 무연 압전 세라믹스의 제조방법
KR102576609B1 (ko) 2016-06-30 2023-09-11 울산대학교 산학협력단 전계유기 변형특성이 우수한 무연 압전 세라믹스의 제조방법
CN106915960A (zh) * 2017-02-21 2017-07-04 陕西科技大学 一种无铅高储能密度和储能效率陶瓷材料及其制备方法
KR20190111425A (ko) * 2018-03-22 2019-10-02 울산대학교 산학협력단 무연 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조방법
KR102069360B1 (ko) * 2018-03-22 2020-01-22 울산대학교 산학협력단 무연 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조방법
CN114315350A (zh) * 2022-01-24 2022-04-12 武汉理工大学 钛酸铋钠-锆钛酸钡无铅宽温储能陶瓷及其制备方法
CN114315350B (zh) * 2022-01-24 2023-05-23 武汉理工大学 钛酸铋钠-锆钛酸钡无铅宽温储能陶瓷及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4988451B2 (ja) 2012-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4988451B2 (ja) 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法
JP4727458B2 (ja) 圧電セラミックス用焼結助剤、bnt−bt系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよびbnt−bt系圧電セラミックスの製造方法
TW560094B (en) Piezoelectric ceramic and method of manufacturing
JP4400754B2 (ja) 圧電体磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品
JP5151990B2 (ja) 誘電体セラミックおよびそれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP2007258280A (ja) 積層型圧電素子
JP5192737B2 (ja) 非鉛系圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛系圧電セラミックスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法
JP5345834B2 (ja) 非鉛系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法
TW201821387A (zh) 介電體磁器組成物及陶瓷電子零件
JP2005179143A (ja) 圧電磁器およびその製造方法
JP2007137747A (ja) 誘電体磁器及びその製造方法
JP2008156201A (ja) 圧電磁器組成物および積層型圧電素子
WO2012043208A1 (ja) 誘電体セラミック、積層セラミック電子部品、およびこれらの製造方法
JP2005047745A (ja) 圧電磁器
JP2011068535A (ja) Bnt−bt系圧電セラミックスおよびその製造方法
US7564176B2 (en) Laminated piezoelectric element and production method of the same
JP5462759B2 (ja) 圧電セラミックスおよび圧電素子
JP2003238248A (ja) 圧電磁器組成物と圧電デバイス
JP3971779B1 (ja) 圧電磁器組成物
JP2005263534A (ja) 誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミック部品
JP2006193414A (ja) 圧電磁器の製造方法および圧電素子の製造方法
JP2006036578A (ja) 圧電材料の製造方法およびこれを用いた圧電材料
JP2012178584A (ja) 積層型圧電素子
JP5468984B2 (ja) 非鉛圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛圧電セラミックスおよびその製造方法
JP5018602B2 (ja) 圧電磁器組成物、並びにこれを用いた圧電磁器及び積層型圧電素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100305

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132

Effective date: 20120221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120330

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120424

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120426

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4988451

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees