CN103508731B - 电介质陶瓷组合物以及电子部件 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 125
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 48
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 32
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 42
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 4
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
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Abstract
本发明的目的在于提供一种既能够良好地保持各种特性又能够显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物并且提供一种该电介质陶瓷组合物被适用于电介质层的电子部件。电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物和Zn的氧化物。组成式中的x为0.970~0.996，y为0.050~0.130。Zn的氧化物含量相对于化合物100重量份，换算成ZnO时为1.5~8.0重量份。该电介质陶瓷组合物进一步含有Nb的氧化物，Nb的氧化物的含量相对于化合物100重量份优选为换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
Description
技术领域
本发明涉及电介质陶瓷组合物以及该电介质陶瓷组合物被适用于电介质层的电子部件。更为详细的是涉及既能够良好地保持各种各样的特性又能够显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物以及该电介质陶瓷组合物被适用的电子部件。
背景技术
作为陶瓷电子部件的一个例子的陶瓷电容器是作为小型、高性能、高可靠性的电子部件而被广泛利用，在电子设备以及电子设备中所使用的个数正在不断地增多。近年来伴随着机器的小型化以及高性能化而对于陶瓷电容器的更进一步小型化、高性能化以及高可靠性化的要求越来越严格。
例如，在高电压条件下所使用的高电压用陶瓷电容器主要是被用于送配电设备和处理脉冲能量的设备等。
作为高电压用陶瓷电容器例如可以例示贯通型陶瓷电容器。贯通型陶瓷电容器是为了隔断从微波炉所具备的磁控管（magnetron）泄露出来的高频噪声而被使用的。电容器元件主体因为连续接收由高电压所产生的电荷，所以恐怕会对元件主体的电介质层造成绝缘破坏。如果发生像这样的绝缘破坏，则微波炉将发生故障，并会有引起火灾和触电的担忧。
因此，为了防止电介质层发生绝缘破坏而有必要将耐电压性良好的电介质陶瓷组合物适用于电介质层。另外，为了抑制电容器发热而要求介质损耗低的电介质陶瓷组合物。而且，为了提高隔断高频噪声的效果或者为了响应小型化的需求而对电介质陶瓷组合物要求有高电容率。
相对于像这样的要求，例如在专利文献1中记载有一种将稀土类元素、Fe、Ni以及Zn添加到由组成式（Ba1-xCax）（Ti1-yZry）O3所表示的主成分中的陶瓷电容器。在专利文献1的实施例中记载有电容率为10000以上的样品。但是，在实施例中所记载的样品其介质损耗超过1%的居多数，交流破坏电压也在5kV／mm左右。
另外，在专利文献2中记载有一种将作为副成分的稀土类元素、Mg、Fe、Ni以及Zn添加到由组成式（1-α）BaTiO3-αBaZrO3所表示的主成分中的陶瓷电容器。在专利文献2的实施例中所记载的样品的电容率为3500左右。另外，多数样品的介质损耗超过1%，交流破坏电压也在6kV/mm左右。
另外，在专利文献3中记载有一种以将Bi、Sn、Zr、Al、Si以及Mn添加于BaTiO3的组合物作为主成分，并将Li、Fe、Ni、Zn、Sr、La以及Ta添加到该主成分的电介质陶瓷组合物。
然而，在以更高的电压进行使用的情况下，专利文献1以及2所记载的电容器将会有所谓交流破坏电压不够充分的问题。另外，专利文献3所记载的电介质陶瓷组合物并不是高电压用而是温度补偿用，关于交流破坏电压没有被评价过。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开2006-96576号公报
专利文献2：日本专利申请公开2005-67941号公报
专利文献3：日本专利申请公开昭52-92400号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明鉴于以上所述现状，其目的在于提供一种既能够良好地保持各种特性又能够显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物，并且提供一种该电介质陶瓷组合物被适用于电介质层的电子部件。
解决技术问题的手段
即，解决上述课题的本发明正如以下所述。
（1）电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物和Zn的氧化物，所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，所述Zn的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成ZnO时为1.5~8.0重量份。
（2）如所述（1）记载的所述电介质陶瓷组合物进一步含有Nb的氧化物，所述Nb的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
（3）如所述（2）记载的所述电介质陶瓷组合物进一步含有Si的氧化物，所述Si的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成SiO2时为2.0重量份以下。
（4）如所述（2）记载的所述电介质陶瓷组合物进一步含有Al的氧化物，所述Al的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成Al2O3时为0.8重量份以下。
（5）如所述（2）记载的所述电介质陶瓷组合物进一步含有Ga的氧化物，所述Ga的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成Ga2O3时为0.4重量份以下。
（6）电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Si的复合氧化物、以及Nb的氧化物，所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，所述Zn和Si的复合氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Zn2SiO4时为0.5~4.2重量份，所述Nb的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
（7）电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Ba以及Si的复合氧化物、以及Nb的氧化物，所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，所述Zn和Ba以及Si的复合氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成BaZnSiO4时为1.5~9.8重量份，所述Nb的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
（8）电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Al的复合氧化物、以及Nb的氧化物，所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，所述Zn和Al的复合氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成ZnAl2O4时为1.5~9.8重量份，所述Nb的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
（9）电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Ga的复合氧化物、以及Nb的氧化物，所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，所述Zn和Ga的复合氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成ZnGa2O4时为1.5~9.8重量份，所述Nb的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
（10）电子部件具有由所述（1）~（9）中任意一项所记载的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。
在本发明中，通过将上述组成式中的x以及y控制在上述范围内，并进一步将Zn的氧化物的含量或者上述规定的Zn的复合氧化物任意一个控制在上述范围内，从而就能够制得各种特性良好的电介质陶瓷组合物。特别是能够制得显示高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物。
本发明所涉及的电介质陶瓷组合物通过进一步含有上述成分从而就能够更加提高其特性。
另外，本发明所涉及的电子部件具有由上述任意一项所记载的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。本发明所涉及的电子部件作为高电压用的电子部件是适宜的。具体可以列举贯通型陶瓷电容器、单板陶瓷电容器以及层叠陶瓷电容器等。
附图说明
图1（A）为本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的正面图，图1（B）为本发明的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的侧面截面图。
符号说明
2．陶瓷电容器
4．保护树脂
6、8．引接端子
10．电介质层
12、14．端子电极
具体实施方式
以下是根据附图所表示的实施方式来说明本发明。
第1实施方式
（陶瓷电容器2）
如图1（A）以及图1（B）所示，本实施方式所涉及的陶瓷电容器2具有电介质层10、形成于其相对表面的一对端子电极12,14、分别连接于该端子电极12,14的引接端子6,8，所述陶瓷电容器2上覆盖有保护树脂4。陶瓷电容器2的形状对应于使用目的或者用途可以作适当的决定。在本实施方式中例示电介质层10为圆板形状的单板电容器。另外，其尺寸也可以对应于使用目的或者用途作适当决定。
（电介质层10）
电介质层10是由本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物所构成。该电介质陶瓷组合物具有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物和Zn的氧化物。
该化合物具有钙钛矿型结晶构造。此外，Ba也可以并不一定位于钙钛矿型结晶构造的A位，Ti以及Sn也可以并不一定位于钙钛矿型结晶构造的B位。
上述组成式中的x为0.970~0.996，优选为0.975~0.988。x是表示显示Ba原子与Ti原子以及Sn原子的摩尔比的Ba/（Ti+Sn），通过将x控制在上述范围，就会有更进一步降低介质损耗的优点。
上述组成式中的y为0.050~0.130，优选为0.090~0.100。y是表示B位原子上的Sn的比例，通过将y控制在上述范围从而就会有更进一步提高电容率的优点。
Zn的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成ZnO时为1.5~8.0重量份，优选为3.5~8.0重量份。在本实施方式中，Zn的氧化物相对于化合物含量相对较多。通过这样设置，既能够良好地维持电容率、介质损耗以及电容温度特性，特别是又能够提高交流破坏电压。
本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物优选进一步含有Nb的氧化物。
Nb的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下，优选为0.2~0.5重量份。通过以以上所述范围来含有Nb的氧化物，从而就能够进一步降低介质损耗。
本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物优选进一步含有Si、Al或者Ga任意一种元素的氧化物。
Si的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成SiO2时为2.0重量份以下，优选为0.5~1.0重量份。通过以以上所述范围来含有Si的氧化物，从而既能够较高地维持电容率又能够降低介质损耗。
Al的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成Al2O3时为0.8重量份以下，优选为0~0.1重量份，更加优选为超过0重量份且在0.1重量份以下。通过以以上所述范围来含有Al的氧化物，从而就能够提高电容效率。
Ga的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成Ga2O3时为0.4重量份以下，优选为0~0.1重量份，更加优选为超过0重量份且在0.1重量份以下。通过以以上所述范围来含有Ga的氧化物，从而就能够提高电容效率。
电介质层10的厚度并没有特别的限定，可对应于用途等作适当决定。
（端子电极12,14）
端子电极12,14是由导电材料所构成。被用于端子电极12,14的导电材料例如含有作为主成分的Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In-Ga合金等。在这当中优选Cu、Cu合金。另外，端子电极12,14既可以是由这些金属或者合金构成的单层又可以由多个导电材料来构成。
（陶瓷电容器的制造方法）
接着，就本实施方式所涉及的陶瓷电容器的制造方法作如下说明。首先，准备为了在烧成后形成图1所表示的电介质层10而使用的电介质原料。
首先，准备构成上述电介质陶瓷组合物的各个成分的原料。所使用的原料并没有特别的限定，例如可以使用上述各个金属成分的氧化物和复合氧化物或者由烧成而成为由这些氧化物和复合氧化物构成的化合物。作为化合物例如可以例示碳酸盐、硝酸盐、氢氧化物、有机金属化合物等。在本实施方式中，可以使用BaCO3等碳酸化物；SnO2、TiO2、ZnO、Nb2O5、SiO2、Al2O3、Ga2O3等氧化物；上述各成分的复合氧化物。
接着，以成为上述规定成分的形式调配由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物的原料，并使用球磨机等进行湿式混合。对所获得的混合物实施造粒并形成造粒物，从而制得成形物。通过在空气中预烧成所制得的成形物，从而获得预烧成粉末。接着，对所获得的烧成粉末进行粗粉碎，进一步添加规定量的剩余原料并进行湿式混合，从而成为电介质原料。预烧成条件例如预烧成温度优选为900～1200℃，预烧成时间优选为0.5~4小时。
接着，通过将粘合剂等添加到所获得的电介质原料中，实施造粒并将所获得的成粒物形成为具有规定大小的圆板状，从而制得成形体。于是，通过烧成所制得的成形体，从而获得作为烧结体的电介质陶瓷组合物。还有，作为烧成条件并没有特别的限定，但是优选将保持温度设定在1200~1340℃，并且优选将空气作为烧成时的气氛。
然后，通过将端子电极印刷到所制得的烧结体的主表面上并对应于必要进行烧结，从而形成端子电极12,14。之后，在端子电极12,14上由焊接等与引接端子6,8接合，最后通过用保护树脂4覆盖部件主体从而制得图1（A）以及图1（B）所表示的那样的单板陶瓷电容器。
这样制造的本实施方式的陶瓷电容器通过引接端子6,8而被安装于印制线路基板上等，并被使用于各种电子设备等。
第2实施方式
本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物除了具有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Si的复合氧化物以及Nb的氧化物之外与第1实施方式相同，因而在此省略重复说明。
上述组成式中的x为0.970~0.996，优选为0.975~0.988。x是表示显示Ba原子与Ti原子以及Sn原子的摩尔比的Ba/（Ti+Sn），通过将x控制在上述范围从而就会有更进一步降低介质损耗的优点。
上述组成式中的y为0.050~0.130，优选为0.090~0.100。y是表示B位原子上的Sn的比例，通过将y控制在上述范围从而就会有更进一步提高电容率的优点。
Zn和Si的复合氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成Zn2SiO4时为0.5~4.2重量份，优选为0.5~3.7重量份。通过将Zn和Si的复合氧化物的含量设在上述范围，从而既能够良好地维持电容率、介质损耗以及电容温度特性，特别是又能够提高交流破坏电压。
Nb的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下，优选为0.2~0.5重量份。通过使Nb的氧化物的含量在上述范围内，从而就能够提高电容率并进一步降低介质损耗。
第3实施方式
本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物除了具有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Ba以及Si的复合氧化物以及Nb的氧化物之外与第1实施方式相同，因而在此省略重复说明。
上述组成式中的x为0.970~0.996，优选为0.975~0.988。x是表示显示Ba原子与Ti原子以及Sn原子的摩尔比的Ba/（Ti+Sn），通过将x控制在上述范围从而就会有更进一步降低介质损耗的优点。
上述组成式中的y为0.050~0.130，优选为0.090~0.100。y是表示B位原子上的Sn的比例，通过将y设在上述范围从而就会有更进一步提高电容率的优点。
Zn和Ba以及Si的复合氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成BaZnSiO4时为1.5~9.8重量份，优选为4.9~7.4重量份。通过将Zn和Ba以及Si的复合氧化物的含量调整到上述范围，从而既能够良好地维持电容率、介质损耗以及电容温度特性，特别是又能够提高交流破坏电压。
Nb的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下，优选为0.2~0.5重量份。通过使Nb的氧化物的含量在上述范围内，从而就能够提高电容率并进一步降低介质损耗。
第4实施方式
本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物除了具有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Al的复合氧化物以及Nb的氧化物之外与第1实施方式相同，因而在此省略重复说明。
上述组成式中的x为0.970~0.996，优选为0.975~0.988。x是表示显示Ba原子与Ti原子以及Sn原子的摩尔比的Ba/（Ti+Sn），通过将x控制在上述范围从而就会有更进一步降低介质损耗的优点。
上述组成式中的y为0.050~0.130，优选为0.090~0.100。y是表示B位原子上的Sn的比例，通过将y控制在上述范围从而就会有更进一步提高电容率的优点。
Zn和Al的复合氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成ZnAl2O4时为1.5~9.8重量份，优选为4.9~7.4重量份。通过将Zn和Al的复合氧化物的含量调整到上述范围，从而既能够良好地维持电容率、介质损耗以及电容温度特性，特别是又能够提高交流破坏电压。
Nb的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下，优选为0.2~0.5重量份。通过使Nb的氧化物的含量在上述范围内，从而就能够提高电容率并进一步降低介质损耗。
第5实施方式
本实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物除了具有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Ga的复合氧化物以及Nb的氧化物之外与第1实施方式相同，因而在此省略重复说明。
上述组成式中的x为0.970~0.996，优选为0.975~0.988。x是表示显示Ba原子与Ti原子以及Sn原子的摩尔比的Ba/（Ti+Sn），通过将x控制在上述范围从而就会有更进一步降低介质损耗的优点。
上述组成式中的y为0.050~0.130，优选为0.090~0.100。y是表示B位原子上的Sn的比例，通过将y控制在上述范围从而就会有更进一步提高电容率的优点。
Zn和Ga的复合氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成ZnGa2O4时为1.5~9.8重量份，优选为4.9~7.4重量份。通过将Zn和Ga的复合氧化物的含量调整到上述范围，从而既能够良好地维持电容率、介质损耗以及电容温度特性，特别是又能够提高交流破坏电压。
Nb的氧化物的含量相对于上述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下，优选为0.2~0.5重量份。通过使Nb的氧化物的含量在上述范围内，从而就能够提高电容率并进一步降低介质损耗。
以上已就有关本发明的实施方式作了说明，但是本发明不限定于上述实施方式，只要是在不脱离本发明的宗旨的范围内以各种各样不同的方式进行实施都是可能的。
例如，在以上所述实施方式中，作为本发明所涉及的电子部件已例示了单板陶瓷电容器，但是作为本发明所涉及的电子部件并不限定于单板陶瓷电容器，也可以是由使用含有上述电介质原料的电介质膏体以及电极膏体的通常的印刷法或者薄片法进行制作的层叠陶瓷电容器。
实施例
以下是进一步根据详细的实施例来说明本发明，但是本发明并不限定于这些实施例。
（实施例1）
首先，作为由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物的原料，准备BaCO3粉末、SnO2粉末以及TiO2粉末。另外，作为Zn的氧化物的原料准备ZnO粉末。
接着，秤取上述准备好的化合物原料粉末，以使用二氧化锆制的球形容器的球形研磨机湿式混合·粉碎8小时并加以干燥，从而获得原料混合物。将5重量%的水添加到所获得的原料混合物中进行造粒而制作颗粒，从而该颗粒成形。然后，在空气中以1150℃、2小时的条件对所获得的成形物实施预烧成。用擂溃机对预烧成后的粉体实施粗粉碎，在用筛网进行筛选之后，进一步秤量·添加剩下的原料即ZnO粉末并实行湿式粉碎。通过干燥这个被粉碎物从而获得电介质原料。
接着，相对于所获得的电介质原料100重量%，添加10重量%的聚乙烯醇水溶液并实施造粒，以筛网进行筛选。之后，在396MPa的压力条件下对所获得的造粒粉进行成形，从而制得直径为16.5mm以及厚度大约为1.2mm的圆板状的成形体。
接着，在空气中以1200~1350℃、2小时的条件对所获得的成形体实施烧成，从而获得圆板状的烧结体。然后，将Ag电极涂布于所获得的烧结体的主表面上，进一步在空气中以800℃、10分钟的条件对Ag电极实行烧结处理，从而获得如图1所表示的那样的圆板状陶瓷电容器的试样（试样号1~28）。
关于所获得的烧结体的组成是使用荧光X线分析装置（日本Rigaku Corporation制，商品名：サイマルテイツクス12）并由微玻璃珠研磨法确认表1所表示的组成。另外，所获得的电容器试样的电介质层10的厚度大约为1mm，电极的直径为12mm。然后，关于所获得的各个电容器试样是由以下所述方法来分别评价电容率、介质损耗、交流破坏电场以及电容温度特性。
（电容率ε）
电容率ε是根据相对于电容器试样在基准温度为25℃的条件下使用数字式LCR仪（Agilent Technologies公司制，商品名：4284A）并在频率为1kHz以及输入信号电平（测定电压）为1.0Vrms的条件下进行测定的静电电容进行计算的。电容率越高越好，在本实施例中4000以上属于良好。其结果被表示于表1中。
（介质损耗）
介质损耗（tanδ）是在相对于电容器试样在基准温度为25℃的条件下使用数字式LCR仪（Agilent Technologies公司制，商品名：4284A）并在频率为1kHz以及输入信号电平（测定电压）为1.0Vrms的条件下进行测定的。介质损耗越低越好，在本实施例中0.80%以下属于良好。其结果被表示于表1中。
（静电电容的温度特性）
对于电容器试样测定-25~85℃温度范围内的静电电容，并计算出相对于20℃温度条件下的静电电容的变化率ΔC，从而评价是否满足JIS标准的E特性。即，评价上述温度范围内的变化率ΔC是否在-55~+20%以内。其结果被表示于表1中。
（交流破坏电压）
交流破坏电压（ACVB）的测定方法为对于电容器试样的两端面使用SM20051型交流耐压测定仪（多摩電測株式会社制），以大约184V/s的速度增加交流电场并测定流动的泄漏电流成为100mA的时候的电压值，将该测定值作为交流破坏电压。在本实施例中7.0kV／mm以上属于良好。其结果被表示于表1中。
[表1]
从表1可以确认到在电介质陶瓷组合物（烧结体）中在组成式中的“x”、组成式中的“y”以及Zn的氧化物含量为上述范围内的情况下（试样号2~8、14~17以及22~27），既良好地维持了电容率、介质损耗以及电容温度特性，又获得了显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物。
对此就能够确认到在组成式中的“x”为过小的情况下（试样号1），介质损耗以及电容温度特性发生恶化。另外，能够确认到在组成式中的“x”为过大的情况下（试样号9~12）电介质陶瓷组合物发生变形而不能够评价特性，或者电容率、介质损耗、交流破坏电压以及电容温度特性中的至少一项发生恶化。
从表1能够确认到在组成式中的“y”为过小的情况下（试样号13）电容率以及介质损耗发生恶化。另外，能够确认到在组成式中的“y”为过大的情况下（试样号18以及19），电容率以及电容温度特性发生恶化。
从表1能够确认到在Zn的氧化物含量为过少的情况下（试样号20以及21）电容率发生恶化并且交流破坏电压变小。另外，能够确认到在Zn的氧化物含量为过多的情况下（试样号28）电容率发生恶化。
（实施例2）
准备作为Nb的氧化物原料的Nb2O5粉末，对于预烧成后的粉体，与ZnO粉末一起分别秤量·添加Nb2O5粉末并实行湿式粉碎，除此之外是以与实施例1相同的方法制得陶瓷电容器的试样（试样号30~35）。
此外，关于所制得的烧结体的组成，可以由与实施例1相同的方法来确认表2所表示的组成。另外，关于所获得的各个电容器试样，可以由与实施例1相同的方法来分别评价电容率、介质损耗、交流破坏电场以及电容温度特性。其结果被表示于表2中。
[表2]
从表2能够确认到通过进一步含有Nb的氧化物（试样号30~34）从而既维持了交流破坏电压以及电容温度特性又能够提高电容率以及介质损耗的特性。另外，能够确认到在Nb的氧化物的含量为过多的情况下（试样号35），电容率发生恶化。
（实施例3）
分别准备作为Si氧化物原料的SiO2粉末、作为Al氧化物原料的Al2O3粉末以及作为Ga氧化物原料的Ga2O3粉末，相对于预烧成后的粉体与ZnO粉末以及Nb2O5粉末一起分别秤量·添加SiO2粉末、Al2O3粉末或者Ga2O3粉末并实行湿式粉碎，除此之外是以与实施例1相同的方法制得陶瓷电容器的试样（试样号40~51）。
此外，关于所制得的烧结体的组成，可以由与实施例1相同的方法来确认表3所表示的组成。关于所获得的各个电容器试样，可以由与实施例1相同的方法来分别评价电容率、介质损耗、交流破坏电场以及电容温度特性。其结果被表示于表3中。
[表3]
从表3能够确认到通过进一步含有Si的氧化物（试样号40~43）从而既维持了交流破坏电压、电容温度特性以及电容率又能够提高介质损耗的特性。另外，能够确认到在Si的氧化物含量为过多的情况下（试样号44），介质损耗发生恶化。
从表3能够确认到通过进一步含有Al的氧化物（试样号45~47）从而既维持了交流破坏电压、电容温度特性以及介质损耗又能够提高电容率。另外，能够确认到在Al的氧化物的含量为过多的情况下（试样号48），介质损耗发生恶化。
从表3能够确认到通过进一步含有Ga的氧化物（试样号49以及50）从而既维持了交流破坏电压、电容温度特性以及介质损耗又能够提高电容率。另外，能够确认到在Ga的氧化物含量为过多的情况下（试样号51），介质损耗发生恶化。
（实施例4）
替代Zn氧化物原料的ZnO粉末而分别准备作为Zn和Si的复合氧化物原料的Zn2SiO4粉末、作为Zn和Ba以及Si的复合氧化物原料的BaZnSiO4粉末、作为Zn和Al的复合氧化物原料的ZnAl2O4粉末、以及作为Zn和Ga的复合氧化物原料的ZnGa2O4粉末，相对于预烧成后的粉体与Nb2O5粉末一起以成为表4所表示的组成的形式分别秤量·添加Zn2SiO4粉末、BaZnSiO4粉末、ZnAl2O4粉末、或者ZnGa2O4粉末的任意一个并实行湿式粉碎，除此之外是以与实施例1相同的方法制得陶瓷电容器的试样（试样号60~79）。
还有，关于所制得的烧结体的组成，可以由与实施例1相同的方法来确认与表4所表示的组成相对应的结果。另外，关于所获得的各个电容器试样，可以由与实施例1相同的方法来分别评价电容率、介质损耗、交流破坏电场以及电容温度特性。其结果被表示于表4中。
[表4]
从表4能够确认到即使是在替代Zn的氧化物而含有Zn和Si的复合氧化物、Zn和Ba以及Si的复合氧化物、Zn和Al的复合氧化物、或者Zn和Ga的复合氧化物的任意一种的情况下，也与含有Zn的氧化物的情况（试样号22~27）相同，既良好地维持了电容率、介质损耗以及电容温度特性又能够获得显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物。
相对于此，能够确认到在Zn和Si的复合氧化物、Zn和Ba以及Si的复合氧化物、Zn和Al的复合氧化物以及Zn和Ga的复合氧化物的含量为过多的情况下（试样号63、64、69、74以及79），电容率发生恶化。
（实施例5）
除了取代Zn的氧化物（ZnO粉末）而分别使用Zn和Si的复合氧化物（Zn2SiO4粉末）、Zn和Ba以及Si的复合氧化物（BaZnSiO4粉末）、Zn和Al的复合氧化物（ZnAl2O4粉末）或者Zn和Ga的复合氧化物（ZnGa2O4粉末）之外，以与实施例1以及实施例2相同的方法制得陶瓷电容器的试样，并由与实施例1相同的方法对各个电容器试样的特性实行评价。
其结果为即使是在取代Zn的氧化物而分别含有Zn和Si的复合氧化物、Zn和Ba以及Si的复合氧化物、Zn和Al的复合氧化物以及Zn和Ga的复合氧化物的情况下，关于组成式中的“x”以及“y”进而Nb的氧化物含量，在与含有Zn的氧化物的情况（表1的试样2~8、14~17以及表2的试样30~34）相同的范围内，也能够确认到既维持了交流破坏电压以及电容温度特性又能够提高电容率以及介质损耗的特性。
Claims (10)
1.一种电介质陶瓷组合物，其特征在于：
含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物和Zn的氧化物，
所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，
所述Zn的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成ZnO时为1.5~8.0重量份。
2.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其特征在于：
所述电介质陶瓷组合物进一步含有Nb的氧化物，所述Nb的氧化物含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
3.如权利要求2所述的电介质陶瓷组合物，其特征在于：
所述电介质陶瓷组合物进一步含有Si的氧化物，所述Si的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成SiO2时为2.0重量份以下。
4.如权利要求2所述的电介质陶瓷组合物，其特征在于：
所述电介质陶瓷组合物进一步含有Al的氧化物，所述Al的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Al2O3时为0.8重量份以下。
5.如权利要求2所述的电介质陶瓷组合物，其特征在于：
所述电介质陶瓷组合物进一步含有Ga的氧化物，所述Ga的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Ga2O3时为0.4重量份以下。
6.一种电介质陶瓷组合物，其特征在于：
含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Si的复合氧化物、以及Nb的氧化物，
所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，
所述Zn和Si的复合氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Zn2SiO4时为0.5~4.2重量份，
所述Nb的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
7.一种电介质陶瓷组合物，其特征在于：
含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Ba以及Si的复合氧化物、以及Nb的氧化物，
所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，
所述Zn和Ba以及Si的复合氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成BaZnSiO4时为1.5~9.8重量份，
所述Nb的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
8.一种电介质陶瓷组合物，其特征在于：
含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Al的复合氧化物、以及Nb的氧化物，
所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，
所述Zn和Al的复合氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成ZnAl2O4时为1.5~9.8重量份，
所述Nb的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
9.一种电介质陶瓷组合物，其特征在于：
含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物、Zn和Ga的复合氧化物、以及Nb的氧化物，
所述组成式中的所述x为0.970~0.996，所述y为0.050~0.130，
所述Zn和Ga的复合氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成ZnGa2O4时为1.5~9.8重量份，
所述Nb的氧化物的含量相对于所述化合物100重量份，换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
10.一种电子部件，其特征在于：
具有由权利要求项1~9中任意一项所记载的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210199314.XA CN103508731B (zh) | 2012-06-14 | 2012-06-14 | 电介质陶瓷组合物以及电子部件 |
| JP2013120862A JP6132668B2 (ja) | 2012-06-14 | 2013-06-07 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| KR1020130067933A KR101540511B1 (ko) | 2012-06-14 | 2013-06-13 | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 |
| KR1020150070305A KR101624080B1 (ko) | 2012-06-14 | 2015-05-20 | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210199314.XA CN103508731B (zh) | 2012-06-14 | 2012-06-14 | 电介质陶瓷组合物以及电子部件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103508731A CN103508731A (zh) | 2014-01-15 |
| CN103508731B true CN103508731B (zh) | 2015-08-26 |
Family
ID=49892222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210199314.XA Active CN103508731B (zh) | 2012-06-14 | 2012-06-14 | 电介质陶瓷组合物以及电子部件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6132668B2 (zh) |
| KR (2) | KR101540511B1 (zh) |
| CN (1) | CN103508731B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017163844A1 (ja) | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品及び積層電子部品 |
| JP7414768B2 (ja) | 2021-04-01 | 2024-01-16 | キヤノン株式会社 | 電気回路及び電子機器 |
| JP2023117898A (ja) * | 2022-02-14 | 2023-08-24 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101624080B1 (ko) | 2016-05-24 |
| KR20130140579A (ko) | 2013-12-24 |
| JP6132668B2 (ja) | 2017-05-24 |
| KR20150073894A (ko) | 2015-07-01 |
| KR101540511B1 (ko) | 2015-07-29 |
| JP2014001131A (ja) | 2014-01-09 |
| CN103508731A (zh) | 2014-01-15 |
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