JP2023117898A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

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Shinichi Sasaki
和也 武藤
Kazuya Muto
陽 佐藤
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Abstract

【課題】絶縁抵抗を高く維持しつつ、交流破壊電界を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。【解決手段】一般式がＡＭＯ3で表されるペロヴスカイト構造の主成分粒子を有する誘電体磁器組成物であって、ＡサイトはＢａを含み、ＭサイトはＴｉを含み、誘電体磁器組成物が第４Ａ副成分を含有し、第４Ａ副成分がＦｅおよびＭｎを含有し、ＦｅおよびＭｎの合計に対するＭｎの金属元素換算でのモル比が０．１８～０．６５である誘電体磁器組成物。【選択図】図１

Description

本発明は、誘電体磁器組成物に関する。
たとえば特許文献１には高誘電率を達成することを目的として、酸化ニオブ、酸化コバルトおよび酸化マンガンを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
しかし、特許文献１に開示されている誘電体磁器組成物では、交流破壊電界が低いという課題がある。
特開昭６３－１０２１０５号公報
本発明はこのような実状に鑑みてなされ、絶縁抵抗を高く維持しつつ、交流破壊電界を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、一般式がＡＭＯ3で表されるペロヴスカイト構造の主成分粒子を有する誘電体磁器組成物であって、
ＡサイトがＢａを含み、
ＭサイトがＴｉを含み、
前記誘電体磁器組成物が第４Ａ副成分を含有し、
前記第４Ａ副成分がＦｅおよびＭｎを含有し、
ＦｅおよびＭｎの合計に対するＭｎの金属元素換算でのモル比が０．１８～０．６５である。
本発明によれば、絶縁抵抗を高く維持しつつ、交流破壊電界を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供することができる。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第２副成分を金属元素換算で０～１０モル部含有することが好ましく、
前記第２副成分がＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
これにより、誘電体磁器組成物の比誘電率が向上する。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第３副成分を金属元素換算で０．０１～２モル部含有することが好ましく、
前記第３副成分がＳｍ、ＮｄおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
これにより、誘電体磁器組成物の静電容量の温度特性が良好になる。なお、静電容量の温度特性が良好とは、静電容量変化率（ＴＣ）の絶対値が小さいことを言う。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、第４Ｂ副成分を含有してもよく、
前記第４Ｂ副成分がＣｏ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１つを含有してもよい。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して前記第４Ａ副成分および前記第４Ｂ副成分の合計を金属元素換算により０．０２～２．２モル部含有することが好ましい。
これにより、誘電体磁器組成物の静電容量の温度特性が良好になる。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第６副成分を金属元素換算で０．０８モル部以上含有することが好ましく、
前記第６副成分がＳｉ、ＡｌおよびＢからなる群より選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
これにより、誘電体磁器組成物の交流破壊電界がより向上する。
本発明に係る誘電体磁器組成物では、ＴｉおよびＺｒの合計に対するＢａ、ＣａおよびＳｒの合計の金属元素換算でのモル比が０．９８～１．０２であることが好ましい。
これにより、誘電体磁器組成物の比誘電率、絶縁抵抗および交流破壊電界をより向上させて、誘電損失を低下させることができる。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第５Ａ副成分を金属元素換算で０～３モル部含有することが好ましく、
前記第５Ａ副成分がＢａ、ＣａおよびＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１つであることが好ましく、
前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第５Ｂ副成分を金属元素換算で０～２．５モル部含有することが好ましく、
前記第５Ｂ副成分がＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。
これにより、誘電体磁器組成物の比誘電率、絶縁抵抗および交流破壊電界をより向上させて、誘電損失を低下させることができる。また、これは、主成分原料のＭサイトの元素に対するＡサイトの元素のモル比（Ａ／Ｍ）が変動しても、第５Ａ副成分および／または第５Ｂ副成分の添加により誘電体磁器組成物自体のＴｉおよびＺｒの合計に対するＢａ、ＣａおよびＳｒの合計の金属元素換算によるモル比｛（Ｂａ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｚｒ）｝が好ましい範囲に制御されれば比誘電率、絶縁抵抗および交流破壊電界を向上させて、誘電損失を低下させることができることを意味する。すなわち、主成分原料のＡ／Ｍ比に応じて、好ましい第５Ａ副成分および第５Ｂ副成分の添加量の範囲は変化することがあるが、誘電体磁器組成物自体の好ましい｛（Ｂａ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｚｒ）｝の範囲は変わらない。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第１副成分を金属元素換算で０．３モル部未満含有することが好ましく、
前記第１副成分がＭｇであることが好ましい。
これにより、誘電体磁器組成物の静電容量の温度特性が良好になる。
本発明に係る電子部品は、上記の誘電体磁器組成物により得られる誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する。
本発明に係る電子部品としては、特に限定されないが、単板型セラミックコンデンサまたは積層セラミックコンデンサが例示される。
図１は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図である。 図２は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図である。
セラミックコンデンサ２
本実施形態に係る電子部品の一例としてのセラミックコンデンサ２が図１および図２に示される。図１および図２に示されるように、本実施形態に係るセラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と、誘電体層１０の対向する表面に形成された一対の端子電極１２，１４と、この端子電極１２，１４に、それぞれ接続されたリード端子６，８とを有する構成となっており、これらは保護樹脂４で覆われている。
セラミックコンデンサ２の形状は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、誘電体層１０が円板形状となっている単板型のコンデンサであることが好ましい。また、そのサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、直径は好ましくは３～２０ｍｍ、より好ましくは５～２０ｍｍ、さらに好ましくは５～１５ｍｍである。
端子電極１２，１４は、導電材で構成される。端子電極１２，１４に用いられる導電材としては、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｉｎ－Ｇａ合金等が挙げられる。
誘電体層１０の厚みは、特に限定されず、用途等に応じて適宜決定すればよいが、好ましくは０．１～３ｍｍ、より好ましくは０．３～２ｍｍである。誘電体層１０の厚みを、このような範囲とすることにより、中高圧用途に好適に用いることができる。
本実施形態によればコンデンサの小型化が可能である。
誘電体層１０は、本実施形態に係る誘電体磁器組成物により構成される。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、ＡがＡサイトの元素、ＭがＭサイトの元素、Ｏが酸素元素をそれぞれ示す場合に、一般式がＡＭＯ3で表されるペロヴスカイト構造の主成分粒子を有する。
ここで、「誘電体磁器組成物の主成分」とは誘電体磁器組成物の９０質量％以上を占める成分である。すなわち、本実施形態における「主成分粒子」とは、このような主成分を含む粒子である。したがって、主成分粒子には一部の副成分が固溶していてもよいし、主成分粒子が主成分と副成分とのコアシェル構造を形成していてもよい。
Ａサイトの元素としてはＢａを含む。Ａサイトの元素はＢａの他にＣａおよび／またはＳｒを含んでいてもよい。
Ｍサイトの元素としてはＴｉを含む。Ｍサイトの元素はＴｉの他にＺｒを含んでいてもよい。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は第１副成分としてＭｇを含有してもよい。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、Ｍサイトの元素１００モル部に対して第１副成分を金属元素換算で０．３モル部未満含有することが好ましく、０～０．２モル部含有することがより好ましい。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は第２副成分を含有してもよい。第２副成分はＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選ばれる少なくとも１つである。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、Ｍサイトの元素１００モル部に対して第２副成分を金属元素換算で０～１０モル部含有することが好ましく、１～３モル部含有することがより好ましい。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第３副成分を含有することが好ましい。第３副成分はＳｍ、ＮｄおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも１つであり、好ましくはＳｍである。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、Ｍサイトの元素１００モル部に対して第３副成分を金属元素換算で０．０１～２モル部含有することが好ましく、０．３～１．５モル部含有することがより好ましい。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第４Ａ副成分を含有する。第４Ａ副成分は、ＦｅおよびＭｎである。
本実施形態では、ＦｅおよびＭｎの合計に対するＭｎの金属元素換算でのモル比｛Ｍｎ／（Ｆｅ＋Ｍｎ）｝が０．１８～０．６５であることが好ましく、０．３～０．６であることがより好ましい。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第４Ｂ副成分を含有してもよい。第４Ｂ副成分はＣｏ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１つであり、好ましくはＣｏである。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、Ｍサイトの元素１００モル部に対して第４Ａ副成分および第４Ｂ副成分の合計を金属元素換算により０．０２～２．２モル部含有することが好ましく、０．２～１．０モル部含有することがより好ましい。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第５Ａ副成分を含有することが好ましい。第５Ａ副成分はＢａ、ＣａおよびＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１つであり、好ましくはＳｒである。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第５Ｂ副成分を含有することが好ましい。第５Ｂ副成分はＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１つであり、好ましくはＴｉである。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、ＴｉおよびＺｒの合計に対するＢａ、ＣａおよびＳｒの合計の金属元素換算でのモル比｛（Ｂａ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｚｒ）｝が０．９８～１．０２であることが好ましく、０．９９０～１．０１０であることがより好ましい。なお、（Ｂａ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｚｒ）の分子の（Ｂａ＋Ｃａ＋Ｓｒ）は、主成分のＡサイトに含まれる成分と第５Ａ副成分に含まれる成分の合計である。また、（Ｂａ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｚｒ）の分母の（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、主成分のＭサイトに含まれる成分と第５Ｂ副成分に含まれる成分の合計である。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第６副成分を含有することが好ましい。第６副成分はＳｉ、ＡｌおよびＢからなる群より選ばれる少なくとも１つであり、Ｓｉおよび／またはＡｌであることが好ましい。
本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｍサイトの元素１００モル部に対して第６副成分を金属元素換算で０．０８モル部以上含有することが好ましく、０．２～１．５モル部含有することがより好ましい。
セラミックコンデンサの製造方法
次に、セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
まず、焼成後に図２に示す誘電体層１０を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。
主成分の原料および第１副成分～第６副成分の原料を準備する。主成分の原料としては、特に限定されず、上記した各主成分の酸化物や複合酸化物、または焼成によりこれら酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。主成分の原料としては、たとえば、ＢａＣＯ3、ＴｉＯ2などを用いることができる。
また、主成分の原料は、固相法により製造してもよいし、水熱合成法や蓚酸塩法などの液相法により製造してもよいが、製造コストの面から、固相法により製造することが好ましい。
なお、主成分の原料におけるＭサイトの元素に対するＡサイトの元素のモル比（主成分原料Ａ／Ｍ）は特に限定されないが、たとえば０．９９０～１．００５である。
第１副成分～第６副成分の原料としては、特に限定されず、上記した各副成分の酸化物や複合酸化物、または焼成によりこれら酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物の製造方法としては、まず主成分の原料または、主成分の原料と副成分の原料とを配合し、ジルコニアボールなどによるボールミルなどを用いて湿式混合する。
得られた混合物を、造粒し、成形して、得られた成形物を、空気雰囲気中にて仮焼きすることにより、仮焼き粉を得ることができる。仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは１１００～１３００℃、より好ましくは１１５０～１２５０℃、仮焼き時間を、好ましくは０．５～４時間とすればよい。
次いで得られた仮焼き粉を、ボールミルなどにより湿式粉砕して、さらに残りの副成分を混合し、乾燥して誘電体磁器組成物粉末とする。上記のように、誘電体磁器組成物粉末を固相法により製造することで、所望の特性を実現しながら、製造コストの低減を図ることができる。
次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末にバインダを適量添加し、造粒し、得られた造粒物を、所定の大きさを有する円板状に成形することにより、グリーン成形体とする。そして、得られたグリーン成形体を、焼成することにより、誘電体磁器組成物の焼結体を得る。なお、焼成の条件としては、特に限定されないが、保持温度が、好ましくは１１００～１４００℃、より好ましくは１２００～１３００℃であり、焼成雰囲気を空気中とすることが好ましい。
得られた誘電体磁器組成物の焼結体の主表面に、端子電極を印刷し、必要に応じて焼き付けすることにより、端子電極１２，１４を形成する。その後、端子電極１２，１４に、ハンダ付等により、リード端子６，８を接合し、最後に、素子本体を保護樹脂４で覆うことにより、図１および図２に示すような単板型セラミックコンデンサ２を得る。
このようにして製造された本実施形態に係る単板型セラミックコンデンサ２は、リード端子６，８を介してプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、ＡサイトがＢａを含み、ＭサイトがＴｉを含み、一般式がＡＭＯ3で表されるペロヴスカイト構造の主成分粒子を有し、誘電体磁器組成物が第４Ａ副成分を含有し、第４Ａ副成分がＦｅおよびＭｎを含有し、ＦｅおよびＭｎの合計に対するＭｎのモル比が０．１８～０．６５である。これにより、絶縁抵抗を高く維持しつつ、交流破壊電界を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供することができる。
以上、本発明の一実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々異なる態様で実施し得ることは勿論である。
たとえば、上述した実施形態では、電子部品として誘電体層が単層である単板型セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、単板型セラミックコンデンサに限定されず、上記した誘電体磁器組成物を含む誘電体ペーストおよび電極ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により作製される積層型セラミックコンデンサであってもよい。
以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
主成分の原料として、ＢａＣＯ3およびＴｉＯ2をそれぞれ準備した。そして、準備したこれらの原料を、表２、表４、表６、表８、表１０、表１２、表１４および表１６の各試料に示す「主成分原料Ａ／Ｍ」となるように、それぞれ秤量し、溶媒として純水を用いたジルコニアボールによるボールミルにより湿式混合した。
次いで、得られた混合物を乾燥した後、５質量％の水を加えて造粒し、成形した。そして、得られた成形物を、空気中、１１５０℃、２時間の条件で仮焼した。仮焼後の粉体を、らいかい機で粗粉砕してメッシュパスを通して整粒粉を得た。表１、表３、表５、表７、表９、表１１、表１３および表１５に示す組成となるように秤量した第１副成分～第６副成分を整粒粉に添加し、湿式粉砕を行った。これを乾燥することにより、表１～表１６に示す各組成を有する誘電体磁器組成物粉末を得た。
得られた誘電体磁器組成物粉末１００質量部に対して、ポリビニルアルコール水溶液１０質量部を添加し、次いで造粒して、メッシュパスを通して造粒粉を得た。得られた造粒粉に３９６ＭＰａの圧力をかけて直径１６．５ｍｍ、厚さ約１．２ｍｍの円板状のグリーン成形体を得た。
得られたグリーン成形体を、空気中、１２００～１３００℃、２時間の条件で焼成することにより、円板状の焼結体を得た。
また、得られた焼結体（誘電体層１０）の主表面の両面にＣｕ電極を塗布し、還元雰囲気中、８００℃で１０分間焼付け処理を行うことによって、図１および図２に示すような円板状のセラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサ試料の誘電体層１０の厚みは約１ｍｍであり、焼き付け電極の直径は１２ｍｍであった。
そして、得られた各コンデンサ試料について、以下の方法により、比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、交流破壊電界および静電容量変化率をそれぞれ評価した。評価結果を表２、表４、表６、表８、表１０、表１２、表１４および表１６に示す。
比誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎδ）
コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７８Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で静電容量および誘電損失を測定した。比誘電率εは、測定された静電容量から算出した（単位無し）。比誘電率は高い方が好ましく、本実施例では、１５００以上を良好とした。
絶縁抵抗（ＩＲ）
絶縁抵抗は、コンデンサ試料に対してデジタル抵抗計（アジレントテクノロジー社製４３３９Ｂ）にて室温でＤＣ５００Ｖ、６０ｓｅｃ印加後の抵抗値を読み取った。
交流破壊電界（ＡＣＶＢ）
交流破壊電界（ＡＣＶＢ）は、コンデンサの試料に対し、コンデンサの両端に交流電界を１００Ｖ／ｓで徐々に印加し、１００ｍＡの漏れ電流が流れた時点での電界値を交流破壊電界として測定した。交流破壊電界は高い方が好ましく、本実施例では、５．０ｋＶ／ｍｍ以上を良好とした。
静電容量変化率（ＴＣ）
コンデンサ試料に対して、－２５℃～８５℃の温度範囲で静電容量を測定し、２０℃での静電容量に対する－２５℃および８５℃での静電容量の変化率（単位は％）を算出した。本実施例では、静電容量変化率が－１５％～１５％の間にあるものを良好とした。
Figure 2023117898000002
Figure 2023117898000003
Figure 2023117898000004
Figure 2023117898000005
Figure 2023117898000006
Figure 2023117898000007
Figure 2023117898000008
Figure 2023117898000009
Figure 2023117898000010
Figure 2023117898000011
Figure 2023117898000012
Figure 2023117898000013
Figure 2023117898000014
Figure 2023117898000015
Figure 2023117898000016
Figure 2023117898000017
表１および表２より、ＦｅおよびＭｎの合計に対するＭｎの金属元素換算でのモル比（Ｍｎ／（Ｆｅ＋Ｍｎ））が０．１８～０．６５である場合（試料番号１、３、４、７～１０、１２～１７）は、Ｍｎ／（Ｆｅ＋Ｍｎ）が０．７７（試料番号２）、０．９０（試料番号５）および０．９３（試料番号６）である場合に比べて、交流破壊電界が高くなることが確認できた。
表１および表２より、ＦｅおよびＭｎの合計に対するＭｎの金属元素換算でのモル比（Ｍｎ／（Ｆｅ＋Ｍｎ））が０．１８～０．６５である場合（試料番号１、３、４、７～１０、１２～１７）は、Ｍｎ／（Ｆｅ＋Ｍｎ）が０．７７（試料番号２）、０．９０（試料番号５）である場合に比べて、絶縁抵抗が高くなることが確認できた。
表３および表４より、第２副成分を金属元素換算で０～１０モル部含有する場合（試料番号２１～２５）は、第２副成分を金属元素換算で１１．００モル部含有する場合（試料番号２６）に比べて比誘電率が高いことが確認できた。
表５および表６より、第３副成分を金属元素換算で０．０１～２モル部含有する場合（試料番号３１～３５）は、第３副成分を含まない場合（試料番号３６）および第３副成分を金属元素換算で２．１０モル部含有する場合（試料番号３７）に比べて静電容量の温度特性が良好であることが確認できた。
表７および表８より、第４Ａ副成分および第４Ｂ副成分を合計で金属元素換算により０．０２～２．２モル部含有する場合（試料番号４１～４４）は、第４Ａ副成分および第４Ｂ副成分を合計で金属元素換算により０．００９モル部含有する場合（試料番号４５）および３．００モル部含有する場合（試料番号４６）に比べて静電量量の温度特性が良好であることが確認できた。
表９および表１０より、誘電体磁器組成物の｛（Ｂａ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｚｒ）｝が０．９８～１．０２である場合（試料番号５１～５５および５７）は、誘電体磁器組成物の｛（Ｂａ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｚｒ）｝が１．０２１である場合（試料番号５６）に比べて比誘電率が高くなり、誘電損失低くなり、絶縁抵抗がより高くなり、交流破壊電界がより高くなることが確認できた。
表１１および表１２より、第６副成分を金属元素換算で０．０８モル部以上含有する場合（試料番号６２～６４）は第６副成分を含有しない場合（試料番号６１）に比べて交流破壊電界がより高くなることが確認できた。
表１３および表１４より、第６副成分としてのＡｌを含有することにより絶縁抵抗がより高くなることが確認できた。
表１５および表１６より、第１副成分を金属元素換算で０．３モル部未満含有する場合（試料番号８１）は、第１副成分を金属元素換算で０．５モル部含有する場合（試料番号８２）に比べて静電容量の温度特性が良好になることが確認できた。
２… セラミックコンデンサ
４… 保護樹脂
６，８… リード端子
１０… 誘電体層
１２，１４… 端子電極

Claims (9)

  1. 一般式がＡＭＯ3で表されるペロヴスカイト構造の主成分粒子を有する誘電体磁器組成物であって、
    ＡサイトがＢａを含み、
    ＭサイトがＴｉを含み、
    前記誘電体磁器組成物が第４Ａ副成分を含有し、
    前記第４Ａ副成分がＦｅおよびＭｎを含有し、
    ＦｅおよびＭｎの合計に対するＭｎの金属元素換算でのモル比が０．１８～０．６５である誘電体磁器組成物。
  2. 前記誘電体磁器組成物が前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第２副成分を金属元素換算で０～１０モル部含有し、
    前記第２副成分がＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選ばれる少なくとも１つである請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
  3. 前記誘電体磁器組成物が前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第３副成分を金属元素換算で０．０１～２モル部含有し、
    前記第３副成分がＳｍ、ＮｄおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも１つである請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
  4. 前記誘電体磁器組成物が第４Ｂ副成分を含有し、
    前記第４Ｂ副成分がＣｏ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１つを含有する請求項１～３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
  5. 前記誘電体磁器組成物が前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して前記第４Ａ副成分および前記第４Ｂ副成分の合計を金属元素換算により０．０２～２．２モル部含有する請求項１～４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
  6. 前記誘電体磁器組成物が前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第６副成分を金属元素換算で０．０８モル部以上含有し、
    前記第６副成分はＳｉ、ＡｌおよびＢからなる群より選ばれる少なくとも１つである請求項１～５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
  7. 前記誘電体磁器組成物においてＴｉおよびＺｒの合計に対するＢａ、ＣａおよびＳｒの合計の金属元素換算でのモル比が０．９８～１．０２である請求項１～６のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
  8. 前記誘電体磁器組成物が前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第５Ａ副成分を金属元素換算で０～３モル部含有し、
    前記第５Ａ副成分はＢａ、ＣａおよびＳｒからなる群より選ばれる少なくとも１つであり、
    前記誘電体磁器組成物が前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第５Ｂ副成分を金属元素換算で０～２．５モル部含有し、
    前記第５Ｂ副成分がＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１つである請求項７に記載の誘電体磁器組成物。
  9. 前記誘電体磁器組成物が前記Ｍサイトの元素１００モル部に対して第１副成分を金属元素換算で０．３モル部未満含有し、
    前記第１副成分がＭｇである請求項１～８のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
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