JP4710574B2 - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents
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Description
組成式a(SrTiO3 )+b(BaTiO3 )+c(Bi2 O3 −xTiO2 −yMgO)で表され、前記組成式中の各成分の重量比を、三角図(a,b,c)で表したとき、下記点A〜Eで囲まれた領域内(ただし、a=0となる範囲は除く)にあり、かつ、
Bi2 O3 に対する、TiO2 のモル比を表すxと、Bi2 O3 に対する、MgOのモル比を表すyとが、0.7≦y/x≦1.5および1.0≦x+y≦1.8の関係を満足する誘電体酸化物を主成分として含有する。
A(6,82,12)
B(2,82,16)
C(0,84,16)
D(0,92,8)
E(6,86,8)
F(4,84,12)
G(2,84,14)
H(2,90,8)
I(4,88,8)
前記Mnの酸化物の含有量が、前記主成分100重量%に対して、MnO2 換算で、0重量%より多く、0.5重量%以下であり、
前記Znの酸化物の含有量が、前記主成分100重量%に対して、ZnO換算で、0.2〜0.6重量%である。
これに対して、本発明は、上記所定の組成を有する誘電体酸化物を主成分として用いることにより、このような従来の問題点を有効に解決するものである。
図1(A)は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図、図1(B)は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図、
図2は本発明の誘電体磁器組成物におけるSrTiO3 と、BaTiO3 と、(Bi2 O3 −xTiO2 −yMgO)と、の組成割合を示す三角図である。
図1(A)、図1(B)に示すように、本実施形態に係るセラミックコンデンサ2は、誘電体層10と、その対向表面に形成された一対の端子電極12,14と、この端子電極12,14に、それぞれ接続されたリード端子6,8とを有する構成となっており、これらは保護樹脂4に覆われている。セラミックコンデンサ2の形状は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、誘電体層10が円板形状となっている円板型のコンデンサであることが好ましい。また、そのサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、通常、直径が5〜20mm程度、好ましくは5〜15mm程度である。
誘電体層10は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、SrTiO3 −BaTiO3 −(Bi2 O3 −TiO2 −MgO)系の組成を有する誘電体酸化物、すなわち、組成式a(SrTiO3 )+b(BaTiO3 )+c(Bi2 O3 −xTiO2 −yMgO)で表される誘電体酸化物を主成分として含有する。
A(6,82,12)
B(2,82,16)
C(0,84,16)
D(0,92,8)
E(6,86,8)
また、各成分の割合は、それぞれの重量比で表したものであり、たとえば、上記点A(6,82,12)においては、誘電体酸化物全体100重量%中における各成分の割合が、SrTiO3 =6重量%、BaTiO3 =82重量%、(Bi2 O3 −xTiO2 −yMgO)=12重量%であることを意味する。
F(4,84,12)
G(2,84,14)
H(2,90,8)
I(4,88,8)
各成分の割合を、上記点F〜Iに囲まれた範囲内とすることにより、上記した本発明の効果をさらに高めることができる。
端子電極12,14は、導電材で構成される。端子電極12,14に用いられる導電材としては、たとえば、Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In−Ga合金等が挙げられる。
次に、本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法について説明する。
まず、焼成後に図1に示す誘電体層10を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。
誘電体磁器組成物粉末は、主成分(母材)となる誘電体酸化物と、副成分の原料と、を混合することによって得ることができる。
すなわち、まず、誘電体酸化物を構成することなる各原料を準備する。このような原料としては、Sr、Ba、Ti、Bi、Mgの各酸化物および/または焼成により酸化物となる原料や、これらの複合酸化物などが挙げられ、たとえば、SrCO3 、BaCO3 、TiO2 、Bi2 O3 、MgOなどを用いることができる。次いで、これらの原料を、上記した所定の組成となるように配合し、ボールミルなどを用いて、湿式混合する。次いで、得られた混合物を、造粒し、成形して、得られた成形物を、空気雰囲気中にて仮焼きすることにより、誘電体酸化物を得ることができる。なお、仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは900〜1200℃、仮焼き時間を、好ましくは0.5〜4時間とすれば良い。
これに対して、本発明は、上記所定の組成を有する誘電体酸化物を用いることにより、このような従来の問題点を有効に解決するものである。
副成分の原料としては、特に限定されず、上記した各副成分の酸化物や複合酸化物、または焼成によりこれら酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。
まず、主成分(母材)となる誘電体酸化物の原料として、SrCO3 、BaCO3 、TiO2 、Bi2 O3 およびMgOを、それぞれ準備した。そして、準備したこれらの原料を、組成式a(SrTiO3 )+b(BaTiO3 )+c(Bi2 O3 −xTiO2 −yMgO)で表したときに、式中の(a,b,c)が、表1に示す値(重量%)となるように、それぞれ秤量し、溶媒として水を用いたボールミルにより湿式混合した。次いで、得られた混合物を乾燥した後、5重量%の水を加えて造粒し、成形した。そして、得られた成形物を、空気中、1150℃、2時間の条件で仮焼することにより、表1に示す各組成(試料番号1〜26の各組成)を有する誘電体酸化物を得た。なお、本実施例においては、組成式中のx、y(すなわち、Bi2 O3 に対する、TiO2 およびMgOのモル比)は、それぞれy/x=1.2、x+y=1.4となるように調製した。
比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度25℃において、デジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1.0Vrmsの条件下で測定された静電容量から算出した(単位なし)。本実施例では、2200以上を良好とした。結果を表1に示す。
誘電損失(tanδ)は、コンデンサ試料に対し、基準温度25℃において、デジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1.0Vrmsの条件下で測定した。本実施例では、0.40%以下を良好とした。結果を表1に示す。
CR積は、上記にて測定した静電容量C(単位はF)と、絶縁抵抗IR(単位はΩ)との積を求めることにより測定した。本実施例では、1000Ω・F以上を良好とした。結果を表1に示す。
コンデンサ試料に対し、−25〜125℃の温度範囲で静電容量を測定し、+20℃での静電容量に対する−25℃および85℃での静電容量の変化率(単位は%)を算出した。本実施例では、JIS規格のB特性[−25〜85℃で容量変化率±10%以内(基準温度20℃)]を満足する試料を良好とした。−25℃および85℃における静電容量の変化率を、それぞれ表1に示す。
主成分(母材)となる誘電体酸化物の組成を、組成式a(SrTiO3 )+b(BaTiO3 )+c(Bi2 O3 −xTiO2 −yMgO)で表したときに、(a,b,c)を、重量比で、(a,b,c)=(2,88,10)に固定し、組成式中のx、yを変化させた以外は、実施例1と同様にしてセラミックコンデンサの試料を作製し、実施例1と同様にして、評価を行った。すなわち、実施例2においては、組成式中のx、yに関し、y/x、x+yを表2に示す値とし、表2に示す各組成(試料番号27〜44の各組成)を有する誘電体酸化物を用いて、各コンデンサ試料(試料番号27〜44)を作製した。なお、実施例2においては、焼成温度は、いずれの試料も1260℃とした。結果を表2に示す。
4… 保護樹脂
6,8… リード端子
10… 誘電体層
12,14… 端子電極
Claims (8)
- 組成式a(SrTiO3 )+b(BaTiO3 )+c(Bi2 O3 −xTiO2 −yMgO)で表され、前記組成式中の各成分の重量比を、三角図(a,b,c)で表したとき、下記点A〜Eで囲まれた領域内(ただし、a=0となる範囲は除く)にあり、かつ、
Bi2 O3 に対する、TiO2 のモル比を表すxと、Bi2 O3 に対する、MgOのモル比を表すyとが、0.7≦y/x≦1.5および1.0≦x+y≦1.8の関係を満足する誘電体酸化物を主成分として含有する誘電体磁器組成物。
A(6,82,12)
B(2,82,16)
C(0,84,16)
D(0,92,8)
E(6,86,8) - 前記誘電体酸化物が、固相法により合成された誘電体酸化物である請求項1に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記誘電体酸化物が、前記組成式中の各成分の重量比を、三角図(a,b,c)で表したとき、下記点F〜Iで囲まれた領域内にある請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物。
F(4,84,12)
G(2,84,14)
H(2,90,8)
I(4,88,8) - 前記誘電体磁器組成物は、副成分として、Mnの酸化物およびZnの酸化物をさらに含み、
前記Mnの酸化物の含有量が、前記主成分100重量%に対して、MnO2 換算で、0重量%より多く、0.5重量%以下であり、
前記Znの酸化物の含有量が、前記主成分100重量%に対して、ZnO換算で、0.2〜0.6重量%である請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 前記誘電体磁器組成物は、副成分として、Coの酸化物をさらに含み、
前記Coの酸化物の含有量が、前記主成分100重量%に対して、Co3 O4 換算で、0重量%より多く、0.2重量%以下である請求項4に記載の誘電体磁器組成物。 - 前記誘電体磁器組成物は、副成分として、Rの酸化物(ただし、RはLa、Ce、Pr、NdおよびSmから選択される少なくとも1種)をさらに含み、
前記Rの酸化物の含有量が、前記主成分100重量%に対して、LaO3/2 、CeO2 、PrO11/6 、NdO3/2 およびSmO3/2 換算で、0重量%より多く、0.5重量%以下である請求項4または5に記載の誘電体磁器組成物。 - 前記誘電体磁器組成物は、副成分として、Alの酸化物をさらに含み、
前記Alの酸化物の含有量が、前記主成分100重量%に対して、Al2 O3 換算で、0重量%より多く、1.0重量%以下である請求項4〜6のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
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