JP7172511B2 - 誘電体組成物および電子部品 - Google Patents
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Description
本発明は、誘電体組成物および電子部品に関する。
近年、急速に進む電気機器の高性能化に伴い、電気回路の小型化、複雑化もまた急速に進んでいる。そのため電子部品にもより一層の小型化、高性能化が求められている。すなわち、比誘電率が高く低損失で、高電圧下で使用するために交流破壊電圧が高く、さらに温度特性も良好な誘電体組成物および電子部品が求められている。
上記の要求に応えるため、引用文献１には、ＰｂＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｔｉ３Ｏ９系の誘電体組成物が記載されている。しかし、当該誘電体組成物は鉛を含むため環境負荷の観点から問題があった。
本発明の目的は、実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率および交流破壊電圧が高く、常温での誘電損失が小さく、温度特性の良好な誘電体組成物、および当該誘電体組成物を含む電子部品を提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明に係る誘電体組成物は、
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸ビスマスカルシウムを主成分とし、副成分を含み、
主成分組成において、チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ３換算でａモル％、チタン酸ストロンチウムの含有量をＳｒＴｉＯ３換算でｂモル％、チタン酸ビスマスカルシウムをＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５換算でｃモル％とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００とした場合において、
前記ａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内の値であり、
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６９．３，３０．２，０．５）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６４．８，３０．２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９９．５，０，０．５）
主成分１００重量％に対して、第１副成分として、マンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、それぞれＭｎＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３およびＣｒ２Ｏ３換算で合計０．０２重量％以上０．１９重量％以下の割合で含み、
主成分１００重量％に対して、第２副成分として、ニオブを含む化合物をＮｂ２Ｏ５換算で、０．１重量％以上３重量％以下の割合で含むことを特徴としている。
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸ビスマスカルシウムを主成分とし、副成分を含み、
主成分組成において、チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ３換算でａモル％、チタン酸ストロンチウムの含有量をＳｒＴｉＯ３換算でｂモル％、チタン酸ビスマスカルシウムをＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５換算でｃモル％とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００とした場合において、
前記ａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内の値であり、
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６９．３，３０．２，０．５）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６４．８，３０．２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９９．５，０，０．５）
主成分１００重量％に対して、第１副成分として、マンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、それぞれＭｎＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３およびＣｒ２Ｏ３換算で合計０．０２重量％以上０．１９重量％以下の割合で含み、
主成分１００重量％に対して、第２副成分として、ニオブを含む化合物をＮｂ２Ｏ５換算で、０．１重量％以上３重量％以下の割合で含むことを特徴としている。
また、本発明に係る誘電体組成物は、より好ましくは、
前記主成分組成におけるａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内の値である。
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２３．９，１）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２０．４，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８４．８，１０．７，４．５）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９３，６，１）
前記主成分組成におけるａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内の値である。
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２３．９，１）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２０．４，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８４．８，１０．７，４．５）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９３，６，１）
さらに好ましくは、第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）が２以上３０以下である。
本発明に係る電子部品は、上記の誘電体組成物を含む。
本発明に係る誘電体組成物は、上記の特定の組成および含有量とすることで、実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率および交流破壊電圧を高く、常温での誘電損失を小さく、温度特性を良好にすることができる。
以下、本発明の具体的な実施形態を図面に基づき説明する。
本実施形態の誘電体組成物を含む電子部品の種類には特に制限はないが、例えば、図１に示す単板コンデンサ１が挙げられる。
図１に示す単板コンデンサ１は本実施形態に係る誘電体組成物１０を有する。誘電体組成物１０の両面にはそれぞれ端子１２ａ、１２ｂが電極１４ａ、１４ｂを介して固着され、その周囲全面にわたって合成樹脂１６で被覆されている。
本実施形態に係る誘電体組成物は、主成分として、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸ビスマスカルシウムを特定の範囲内の含有量で含有する。また、第１副成分として、マンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、特定の範囲内の含有量で含有し、かつ第２副成分として、ニオブを含む化合物を特定の範囲内の含有量で含有する。
主成分は、チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ３換算でａモル％、チタン酸ストロンチウムの含有量をＳｒＴｉＯ３換算でｂモル％、およびチタン酸ビスマスカルシウムの含有量をＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５換算でｃモル％とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００とした場合において、
前記ａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内の値となるように各成分を含有する。
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６９．３，３０．２，０．５）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６４．８，３０．２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９９．５，０，０．５）
前記ａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内の値となるように各成分を含有する。
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６９．３，３０．２，０．５）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６４．８，３０．２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９９．５，０，０．５）
また、前記ａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内の値となるように各成分を含有することがより好ましい。
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２３．９，１）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２０．４，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８４．８，１０．７，４．５）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９３，６，１）
上記各点の位置を示す三元系相図を図２に示す。
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２３．９，１）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２０．４，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８４．８，１０．７，４．５）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９３，６，１）
上記各点の位置を示す三元系相図を図２に示す。
本実施形態に係る誘電体組成物は、各主成分の組成が点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内であることにより、実質的に鉛を使用しなくても、１２５０以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が－２５℃～８５℃で＋２２％～－５５％と良く、４ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧を有し、１ｋＨｚでの誘電損失が０．５％以下、１ＭＨｚでの誘電損失が１０％以下で良好な誘電体磁器組成物を得ることができる。各主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内である場合には、比誘電率、温度特性および誘電損失の全体的なバランスが、より良好になる傾向がある。各主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内である場合には、特に、１４００以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が－２５℃～８５℃で＋２２％～－４５％と良く、５ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧を有し、誘電損失が１ｋＨｚで０．４％以下、１ＭＨｚで８％以下と良好な誘電体磁器組成物を得ることができる。
一方、主成分組成が上記の範囲を外れると、比誘電率、誘電損失、温度特性、交流破壊電圧の何れか１つ以上が悪化することがある。
なお、本実施形態に係る誘電体組成物では、実質的に鉛を使用しないとは、具体的には、誘電体組成物全体を１００重量％とした場合において鉛の含有量が０．００１重量％以下である場合を指す。本実施形態に係る誘電体組成物では、鉛を実質的に使用しないことで、環境負荷を小さくすることができる。
本実施形態に係る誘電体組成物は、第一副成分としてマンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する。第一副成分を含有することにより誘電損失を小さくできる。
第１副成分の含有量は、主成分全体を１００重量％とした場合において、それぞれＭｎＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３およびＣｒ２Ｏ３換算で合計０．０２重量％以上０．１９重量％以下であり、好ましくは０．０５～０．１７重量％であり、さらに好ましくは０．０９～０．１５重量％である。第１副成分の含有量が過剰の場合には、交流破壊電圧が悪化することがある。
本実施形態に係る誘電体組成物は、第二副成分としてニオブを含む化合物を含有する。第二副成分を含有することにより温度特性を良好にし、誘電損失を小さくし、交流破壊電圧を高くすることができる。
前記ニオブを含む化合物の含有量は、主成分全体を１００重量％とした場合において、Ｎｂ２Ｏ５換算で０．１重量％以上３重量％以下であり、好ましくは０．２～１．８重量％、さらに好ましくは０．３～１．５重量％である。第２副成分の含有量が過剰の場合には、比誘電率および交流破壊電圧が悪化することがある。
本実施形態に係る誘電体組成物において、第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）は好ましくは２以上３０以下であり、さらに好ましくは３～２５である。第１副成分に対する第２副成分の重量比を上記の範囲にすることで、さらに交流破壊電圧を高くし、誘電損失を低減することができる。
以下、本実施形態に係る誘電体組成物および電子部品の製造方法について説明するが、誘電体組成物および電子部品の製造方法は下記の方法に限定されない。
まず、本実施形態に係る誘電体組成物の原料粉末を準備する。原料粉末としては、各成分の化合物、または焼成により各成分となる化合物の粉末を準備する。各成分のうち、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）については、原料を準備する時点でチタン酸バリウム粉末およびチタン酸ストロンチウム粉末を準備することが好ましい。
また、チタン酸ビスマスカルシウム（ＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５）は予め調製されたものであってもよく、誘電体の焼成時にチタン酸ビスマスカルシウムを生成する原材料を用いてもよい。チタン酸ビスマスカルシウムを生成する原材料としては、例えば酸化ビスマス、酸化チタンおよび炭酸カルシウムが挙げられるが、これらに限定はされない。予め調製したチタン酸ビスマスカルシウムを用いた方が、交流破壊電圧および温度特性を向上させ、誘電損失を低下させることができる。
第１副成分、第２副成分については、各元素の酸化物のほか、焼成後に各元素の酸化物となりうる化合物、例えば炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩等を準備することが可能である。
次に、各成分の原料粉末を混合して混合粉末を得る。混合方法には特に制限はなく、通常用いられる方法、例えば乾式混合、湿式混合等を用いることができる。
次に、前記混合粉末を造粒し、造粒後に必要に応じて整粒を行い、顆粒粉末を得る。造粒方法に特に制限はない。例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）水溶液を前記混合粉末に添加して造粒する方法がある。また、整粒方法にも特に限定はない。例えば、粗大な造粒粉末を取り除くためにふるいにかけてもよい。
次に、顆粒粉末を成形し、誘電体組成物からなる成形体を得る。成形方法に特に制限はなく、通常用いられる方法を用いることができる。例えば加圧成形を用いることができる。加圧時の圧力に特に制限はない。例えば２００～６００ＭＰａとすることができる。
次に、得られた成形体を焼成することで、誘電体組成物からなる焼結体を得る。焼成条件に特に制限はない。焼成温度は１２００～１３５０℃とすることができる。焼成雰囲気にも特に制限はない。例えば、空気中、窒素雰囲気中、または窒素および水素を用いた還元雰囲気中とすることができるがその他の雰囲気中でもよい。
さらに、得られた焼結体に一対の電極を接合させる。一対の電極は、例えば、得られた焼結体の対向する２面に接合させる。
また、得られた焼結体に電極を接合させる方法に特に制限はない。例えば、得られた焼結体に電極ペーストを塗装し、７００～９００℃で焼付けすることで、得られた焼結体に電極を接合させることができる。電極ペーストとしては、たとえばＡｇペースト、Ｃｕペーストなどが使用できる。
さらに、電極を介して端子を接続する。電極を介して端子を接続する方法に特に制限はない。さらに、端子の一部を露出させるように、誘電体組成物の周囲全面にわたって樹脂被覆を行う。被覆方法および被覆させる樹脂の種類に特に制限はない。
このようにして図１に記載の単板型コンデンサを得ることができる。当該単板型コンデンサは、本実施形態に係る誘電体組成物を用いることにより、非常に高い電圧で用いることが可能となる。
なお、上記の説明では本実施形態に係る電子部品を図１に示す単板型コンデンサとして製造方法を説明したが、本発明の電子部品は単板型コンデンサに限定されず、積層型コンデンサ等、単板型コンデンサ以外のコンデンサであってもよい。積層型コンデンサ等の製造方法には特に制限はなく、既知の製造方法を用いることができる。また、本発明の電子部品の用途には特に制限はないが、高周波用コンデンサや高電圧用コンデンサとして好適に用いることができる。
以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
（実施例および比較例）
原料粉末として、チタン酸バリウム粉末、チタン酸ストロンチウム粉末、チタン酸ビスマスカルシウム粉末、酸化ビスマス粉末、酸化チタン粉末および炭酸カルシウム粉末、および焼成により前記第１副成分および第２副成分になる粉末を準備し、最終的に表１に記載された実施例および比較例の組成物が得られるように秤量した。なお、表１のＢＴとはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を表し、ＳＴとはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を表し、ＣＢＴとはチタン酸ビスマスカルシウム（ＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５）を表す。Ｎｂ／（Ｍｎ＋Ｃｒ＋Ｆｅ）は、第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）を示す。また、試料番号１ｂでは、チタン酸ビスマスカルシウム粉末の代わりに炭酸カルシウム粉末、酸化ビスマス粉末および酸化チタン粉末およびを用いた。炭酸カルシウム粉末、酸化ビスマス粉末および酸化チタン粉末は、ＣａＣＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２がモル比で１：２：４となるように用いた。
原料粉末として、チタン酸バリウム粉末、チタン酸ストロンチウム粉末、チタン酸ビスマスカルシウム粉末、酸化ビスマス粉末、酸化チタン粉末および炭酸カルシウム粉末、および焼成により前記第１副成分および第２副成分になる粉末を準備し、最終的に表１に記載された実施例および比較例の組成物が得られるように秤量した。なお、表１のＢＴとはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を表し、ＳＴとはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を表し、ＣＢＴとはチタン酸ビスマスカルシウム（ＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５）を表す。Ｎｂ／（Ｍｎ＋Ｃｒ＋Ｆｅ）は、第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）を示す。また、試料番号１ｂでは、チタン酸ビスマスカルシウム粉末の代わりに炭酸カルシウム粉末、酸化ビスマス粉末および酸化チタン粉末およびを用いた。炭酸カルシウム粉末、酸化ビスマス粉末および酸化チタン粉末は、ＣａＣＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２がモル比で１：２：４となるように用いた。
表１では、主成分の組成が点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄの４点に囲まれる範囲内である場合にはＡＢＣＤ欄を「ｉｎ」とし、主成分の組成が点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄの４点に囲まれる範囲外である場合にはＡＢＣＤ欄を「ｏｕｔ」とした。さらに、主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´、点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内である場合にはＡ´Ｂ´Ｃ´Ｄ´欄を「ｉｎ」とし、主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´、点Ｄ´の４点に囲まれる範囲外である場合にはＡ´Ｂ´Ｃ´Ｄ´欄を「ｏｕｔ」とした。
なお、各点は以下のとおりである。
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６９．３，３０．２，０．５）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６４．８，３０．２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９９．５，０，０．５）
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２３．９，１）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２０．４，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８４．８，１０．７，４．５）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９３，６，１）
ａはチタン酸バリウムの含有量（モル％）、ｂはチタン酸ストロンチウムの含有量（モル％）、ｃはチタン酸ビスマスカルシウムの含有量（モル％）を示す。
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６９．３，３０．２，０．５）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６４．８，３０．２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９９．５，０，０．５）
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２３．９，１）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２０．４，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８４．８，１０．７，４．５）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９３，６，１）
ａはチタン酸バリウムの含有量（モル％）、ｂはチタン酸ストロンチウムの含有量（モル％）、ｃはチタン酸ビスマスカルシウムの含有量（モル％）を示す。
各原料粉末を混合した後に、ポットミルを用いて平均粒径が０．５～３μｍ程度になるように微粉砕した。微粉砕した粉末を脱水乾燥した後に、有機結合剤としてポリビニルアルコールを添加し、造粒および整粒を行い、顆粒粉末とした。
前記顆粒粉末を３００ＭＰａの圧力で成形し、直径１６．５ｍｍ、厚さ０．６５ｍｍの円板状の成形体とした。
前記成形体を空気中、１２００～１３００℃で４時間焼成し円板状の磁器素体を得た。得られた磁器素体の組成が、所定の酸化物または炭酸塩換算で、表１に示す組成になっていることを蛍光Ｘ線分析で確認した。次に前記磁器素体の両面にＡｇ電極ペーストを塗装し、空気雰囲気中で焼き付けをして、コンデンサ試料を得た。コンデンサ試料は、以下に示す評価を全て行うために必要な数を製造した。
そして、得られたコンデンサ試料について、比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、交流破壊電圧、静電容量温度特性を評価した。以下、評価方法について説明する。
（比誘電率（εｓ））
比誘電率（εｓ）は、円板状のコンデンサ試料に対して、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下でＬＣＲメータを用いて測定された静電容量から算出した。本実施例では、εｓ≧１２５０を良好とし、εｓ≧１４００をさらに良好とした。
比誘電率（εｓ）は、円板状のコンデンサ試料に対して、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下でＬＣＲメータを用いて測定された静電容量から算出した。本実施例では、εｓ≧１２５０を良好とし、εｓ≧１４００をさらに良好とした。
（誘電損失）
基準温度２５℃における誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、ＬＣＲメータにて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。また、周波数１ＭＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓの条件下でも測定した。
本実施例では、周波数１ｋＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）は、０．５％以下を良好とした。周波数１ＭＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）は、１０％以下を良好とした。
基準温度２５℃における誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、ＬＣＲメータにて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。また、周波数１ＭＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓの条件下でも測定した。
本実施例では、周波数１ｋＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）は、０．５％以下を良好とした。周波数１ＭＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）は、１０％以下を良好とした。
（絶縁抵抗（ＩＲ））
コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２０℃において５００Ｖの直流電圧を、コンデンサ試料に１０秒間印加し、印加後５０秒放置した後の絶縁抵抗ＩＲを測定した。本実施例では、１．０×１０１２Ω以上を良好とした。
コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２０℃において５００Ｖの直流電圧を、コンデンサ試料に１０秒間印加し、印加後５０秒放置した後の絶縁抵抗ＩＲを測定した。本実施例では、１．０×１０１２Ω以上を良好とした。
（交流破壊電圧）
交流破壊電圧（ＡＣ－Ｅｂ、ｋＶ／ｍｍ）の測定は、下記の方法で行った。得られたコンデンサ試料の両端に対して、交流電場を与えた。交流電場の大きさを２００Ｖ／ｓの速さで上昇させていき、交流耐圧測定機でリーク電流の変化を観察した。リーク電流が５０ｍＡとなったときの電場を、コンデンサ試料の厚さで除し、単位厚み当りの交流破壊電圧（ＡＣ－Ｅｂ）とした。ＡＣ－Ｅｂが高いほど、交流破壊電圧が高く、交流電圧に対する耐圧性に優れているといえる。本実施例では、ＡＣ－Ｅｂ≧４．０ｋＶ／ｍｍを良好とした。
交流破壊電圧（ＡＣ－Ｅｂ、ｋＶ／ｍｍ）の測定は、下記の方法で行った。得られたコンデンサ試料の両端に対して、交流電場を与えた。交流電場の大きさを２００Ｖ／ｓの速さで上昇させていき、交流耐圧測定機でリーク電流の変化を観察した。リーク電流が５０ｍＡとなったときの電場を、コンデンサ試料の厚さで除し、単位厚み当りの交流破壊電圧（ＡＣ－Ｅｂ）とした。ＡＣ－Ｅｂが高いほど、交流破壊電圧が高く、交流電圧に対する耐圧性に優れているといえる。本実施例では、ＡＣ－Ｅｂ≧４．０ｋＶ／ｍｍを良好とした。
（温度特性）
温度特性ＴＣ（％）の測定方法は以下の通りである。まず、－２５℃～＋８５℃の範囲で温度を変化させて各温度の静電容量を測定した。静電容量はＬＣＲメータを用い、周波数１ＫＨｚ、入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。そして、基準温度＋２５℃での静電容量をＣ２５、Ｔ（℃）での静電容量をＣＴとした場合に、以下の式に従い各温度でのＴＣを測定した。
ＴＣ（％）＝｛（ＣＴ－Ｃ２５）／Ｃ２５｝×１０２
温度特性ＴＣ（％）の測定方法は以下の通りである。まず、－２５℃～＋８５℃の範囲で温度を変化させて各温度の静電容量を測定した。静電容量はＬＣＲメータを用い、周波数１ＫＨｚ、入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。そして、基準温度＋２５℃での静電容量をＣ２５、Ｔ（℃）での静電容量をＣＴとした場合に、以下の式に従い各温度でのＴＣを測定した。
ＴＣ（％）＝｛（ＣＴ－Ｃ２５）／Ｃ２５｝×１０２
本実施例では、－２５℃～＋８５℃の範囲内で常に－５５≦ＴＣ≦＋２２となる場合を良好とした。本実施例では、－２５℃および＋８５℃でＴＣが上記の範囲内であるコンデンサ試料は、－２５℃～＋８５℃の範囲内の他の温度でもＴＣが上記の範囲内となった。したがって、表１には－２５℃および＋８５℃でのＴＣを記載した。ただし、－２５℃～＋８５℃の範囲内で常に－５５≦ＴＣ≦＋２２の範囲内とならなくても上述した本願発明の目的を達成することはできる。
表中の「＊」は比較例を示す。表１より、本願発明の範囲内の組成を有する実施例、すなわち主成分組成がＡＢＣＤに囲まれる範囲にあり、所定の第１および第２副成分を有する誘電体組成物では、鉛を使用しないにもかかわらず、１２５０以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が－２５℃～８５℃で＋２２％～－５５％と良く、４ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧を有し、１ｋＨｚでの誘電体損失が０．５％以下、１ＭＨｚでの誘電損失が１０％以下であった。
また、主成分組成がＡ´Ｂ´Ｃ´Ｄ´に囲まれる範囲にあると、各特性およびそのバランスがさらに向上し、１４００以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が－２５℃～８５℃で＋２２％～－４５％と良く、５ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧を有し，誘電損失が１ｋＨｚで０．４％以下、１ＭＨｚで８％以下と良好な誘電体磁器組成物を得ることができた。
１・・・単板コンデンサ
１０・・・誘電体組成物
１２ａ，１２ｂ・・・端子
１４ａ，１４ｂ・・・電極
１６・・・合成樹脂
１０・・・誘電体組成物
１２ａ，１２ｂ・・・端子
１４ａ，１４ｂ・・・電極
１６・・・合成樹脂
Claims (4)
- チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸ビスマスカルシウムを主成分とし、副成分を含む誘電体組成物であって、
主成分組成において、チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ３換算でａモル％、チタン酸ストロンチウムの含有量をＳｒＴｉＯ３換算でｂモル％、チタン酸ビスマスカルシウムをＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５換算でｃモル％とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００とした場合において、
前記ａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内の値であり、
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６９．３，３０．２，０．５）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６４．８，３０．２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９９．５，０，０．５）
主成分１００重量％に対して、第１副成分として、マンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、それぞれＭｎＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３およびＣｒ２Ｏ３換算で合計０．０２重量％以上０．１９重量％以下の割合で含み、
主成分１００重量％に対して、第２副成分として、ニオブを含む化合物をＮｂ２Ｏ５換算で、０．１重量％以上３重量％以下の割合で含む誘電体組成物。 - 前記主成分組成におけるａ、ｂおよびｃが三元系相図上にて下記点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内の値である請求項１に記載の誘電体組成物。
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２３．９，１）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７５．１，２０．４，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８４．８，１０．７，４．５）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（９３，６，１） - 第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）が２以上３０以下である請求項１または２に記載の誘電体組成物。
- 請求項１～３のいずれかに記載の誘電体組成物を含む電子部品。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007161538A (ja) | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Tdk Corp | 耐還元性誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ |
| CN103058651A (zh) | 2012-12-14 | 2013-04-24 | 广西新未来信息产业股份有限公司 | 一种改性的钛酸钡基无铅正温度系数电阻材料及其制备方法 |
| CN103482975A (zh) | 2013-09-11 | 2014-01-01 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种高介电常数x8r型mlcc介质材料及其制备方法 |
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Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704373A (en) * | 1985-10-29 | 1987-11-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and process for producing the same |
| JP3931513B2 (ja) * | 1999-02-08 | 2007-06-20 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電セラミック素子 |
| JP3788198B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2006-06-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電セラミック素子 |
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| JP2003163132A (ja) | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁器コンデンサ |
| JP2005145791A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
| WO2012133077A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ、誘電体セラミック、積層セラミック電子部品および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| CN105036734B (zh) * | 2015-06-25 | 2017-08-25 | 武汉理工大学 | 高介电常数x8r型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法 |
| TWI658026B (zh) * | 2016-02-04 | 2019-05-01 | 禾伸堂企業股份有限公司 | 耐瞬間高電壓之介電陶瓷體 |
| CN107216145A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-09-29 | 合肥华盖生物科技有限公司 | 一种陶瓷电容器的电介质及其制备工艺 |
| CN110317056B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-03-01 | Tdk株式会社 | 电介质组合物及电子部件 |
| CN110317054B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-03-01 | Tdk株式会社 | 介电组合物和电子部件 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007161538A (ja) | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Tdk Corp | 耐還元性誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ |
| CN103058651A (zh) | 2012-12-14 | 2013-04-24 | 广西新未来信息产业股份有限公司 | 一种改性的钛酸钡基无铅正温度系数电阻材料及其制备方法 |
| CN103482975A (zh) | 2013-09-11 | 2014-01-01 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种高介电常数x8r型mlcc介质材料及其制备方法 |
| JP2017178658A (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | ニチコン株式会社 | 半導体磁器組成物およびその製造方法 |
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