JP2003163132A - 磁器コンデンサ - Google Patents
磁器コンデンサInfo
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- JP2003163132A JP2003163132A JP2001362220A JP2001362220A JP2003163132A JP 2003163132 A JP2003163132 A JP 2003163132A JP 2001362220 A JP2001362220 A JP 2001362220A JP 2001362220 A JP2001362220 A JP 2001362220A JP 2003163132 A JP2003163132 A JP 2003163132A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、高電圧の使用条件下においても自
己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサを提
供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−
Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−
Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁
器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体と
する電極とを備えた構成としたものである。
己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサを提
供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−
Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−
Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁
器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体と
する電極とを備えた構成としたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶バックライト
インバーターのバラスト回路、スイッチング電源の１
次、２次スナバー回路、テレビ・ＣＲＴディスプレイな
どの水平共振回路、インバーター蛍光灯、電子機器の高
圧・パルス回路、通信用モデムの対サージ回路等として
広く使用される磁器コンデンサに関し、特に、高周波
数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制
し、低損失である磁器コンデンサに関するものである。
インバーターのバラスト回路、スイッチング電源の１
次、２次スナバー回路、テレビ・ＣＲＴディスプレイな
どの水平共振回路、インバーター蛍光灯、電子機器の高
圧・パルス回路、通信用モデムの対サージ回路等として
広く使用される磁器コンデンサに関し、特に、高周波
数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制
し、低損失である磁器コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＲＴディスプレイの大型化、高
画質化、液晶ディスプレイの大型化、高画質化、更に
は、スイッチング電源回路の小型軽量化の傾向が強まっ
ており、これに伴って、使用される重要な受動部品の１
つである磁器コンデンサの使用条件も高周波数化、高電
圧化の傾向にある。
画質化、液晶ディスプレイの大型化、高画質化、更に
は、スイッチング電源回路の小型軽量化の傾向が強まっ
ており、これに伴って、使用される重要な受動部品の１
つである磁器コンデンサの使用条件も高周波数化、高電
圧化の傾向にある。
【０００３】更に、これら高周波数化、高電圧化と言う
従来に比して厳しい使用条件に加え、スイッチング電源
回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路の小型化軽量化が進
み、磁器コンデンサの小型化が要求されている。
従来に比して厳しい使用条件に加え、スイッチング電源
回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路の小型化軽量化が進
み、磁器コンデンサの小型化が要求されている。
【０００４】また、これら磁器コンデンサの一例とし
て、円板型の誘電体磁器の両主表面に電極を形成し、こ
の電極にそれぞれリード線を接合し、これらを外装材で
埋設した形態の磁器コンデンサがあげられるが、磁器コ
ンデンサの電極としては、従来からＡｇ（銀）が使用さ
れてきた。しかし、Ａｇ（銀）電極は自己発熱温度が高
い上、エレクトロマイグレーションを発生すると言う問
題がある。
て、円板型の誘電体磁器の両主表面に電極を形成し、こ
の電極にそれぞれリード線を接合し、これらを外装材で
埋設した形態の磁器コンデンサがあげられるが、磁器コ
ンデンサの電極としては、従来からＡｇ（銀）が使用さ
れてきた。しかし、Ａｇ（銀）電極は自己発熱温度が高
い上、エレクトロマイグレーションを発生すると言う問
題がある。
【０００５】近年、磁器コンデンサの電極に、Ａｇ
（銀）に換わって、安価なＣｕ（銅）やＮｉ（ニッケ
ル）等の卑金属電極が使用されるようになった。
（銀）に換わって、安価なＣｕ（銅）やＮｉ（ニッケ
ル）等の卑金属電極が使用されるようになった。
【０００６】銅等の卑金属電極の形成には、酸化防止の
ため中性又は還元雰囲気中で焼付を要する。そこで、誘
電体磁器自体が還元雰囲気によって還元されないように
するため、焼き付け方法を改良したり、誘電体磁器組成
物に特別な複合添加物を添加する等の改良がなされてい
る。
ため中性又は還元雰囲気中で焼付を要する。そこで、誘
電体磁器自体が還元雰囲気によって還元されないように
するため、焼き付け方法を改良したり、誘電体磁器組成
物に特別な複合添加物を添加する等の改良がなされてい
る。
【０００７】例えば、特公平６−７０９４４号公報に開
示されているように、ＳｒＴｉＯ3を３０．０〜７０．
０重量％、ＰｂＴｉＯ3を０．０〜４０．０重量％、Ｂ
ｉ2Ｏ 3を８．０〜４０．０重量％、ＴｉＯ2を３．０〜
２０．０重量％、ＭｇＯを１．０〜１０．０重量％配合
してなる組成１００部に対して添加物ＣｕＯを０．０５
〜０．７重量％、ＣｏＯ、ＣｅＯを各々０．０５〜３
０．０重量％添加配合した磁器誘電体組成物の対向表面
にＣｕを主体とする焼付電極を形成した低損失磁器コン
デンサが知られている。
示されているように、ＳｒＴｉＯ3を３０．０〜７０．
０重量％、ＰｂＴｉＯ3を０．０〜４０．０重量％、Ｂ
ｉ2Ｏ 3を８．０〜４０．０重量％、ＴｉＯ2を３．０〜
２０．０重量％、ＭｇＯを１．０〜１０．０重量％配合
してなる組成１００部に対して添加物ＣｕＯを０．０５
〜０．７重量％、ＣｏＯ、ＣｅＯを各々０．０５〜３
０．０重量％添加配合した磁器誘電体組成物の対向表面
にＣｕを主体とする焼付電極を形成した低損失磁器コン
デンサが知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来のＣｕ（銅）などの卑金属電極を用いた磁器コンデ
ンサは、電極形成に酸化防止のため中性又は還元雰囲気
中で焼付を要するため、中性又は還元雰囲気の厳密な管
理が必要となり、生産性が悪いと言う問題がある。
従来のＣｕ（銅）などの卑金属電極を用いた磁器コンデ
ンサは、電極形成に酸化防止のため中性又は還元雰囲気
中で焼付を要するため、中性又は還元雰囲気の厳密な管
理が必要となり、生産性が悪いと言う問題がある。
【０００９】更に、Ｃｕ（銅）などの卑金属電極の酸化
が発生した場合には、単に歩留まりが低下するというだ
けでなく、非破壊検査による選別は困難であり、著しい
生産性の低下を来すと言う問題があった。
が発生した場合には、単に歩留まりが低下するというだ
けでなく、非破壊検査による選別は困難であり、著しい
生産性の低下を来すと言う問題があった。
【００１０】また、誘電体磁器組成物に特別な複合添加
物を添加する必要もあり、誘電体磁器組成物の組成比の
管理を要する上、コストが高くなると言う問題もある。
物を添加する必要もあり、誘電体磁器組成物の組成比の
管理を要する上、コストが高くなると言う問題もある。
【００１１】いずれにせよ、従来の磁器コンデンサは、
自己発熱温度が高いと言う課題を有しているが、安価で
有効な対策は未だなされていない。
自己発熱温度が高いと言う課題を有しているが、安価で
有効な対策は未だなされていない。
【００１２】そこで本発明は以上の様な課題を解決し、
高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、
低損失である磁器コンデンサを提供することを目的とし
ている。
高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、
低損失である磁器コンデンサを提供することを目的とし
ている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、また
は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−Ｃａ
ＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対
向表面に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えた構
成としたものである。
に、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、また
は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−Ｃａ
ＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対
向表面に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えた構
成としたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、また
は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−Ｃａ
ＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対
向表面に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えたこ
とを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高
電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制するこ
とができる。
は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、また
は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−Ｃａ
ＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対
向表面に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えたこ
とを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高
電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制するこ
とができる。
【００１５】請求項２に記載の発明は、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分と
する誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成された
Ｚｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電極上に形
成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少
なくとも一つの金属を主体とする第２層の電極を備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、
高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制する
ことができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良
好であり、リード線、或いは、リード端子との半田接合
強度を向上させることができる。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分と
する誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成された
Ｚｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電極上に形
成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少
なくとも一つの金属を主体とする第２層の電極を備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、
高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制する
ことができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良
好であり、リード線、或いは、リード端子との半田接合
強度を向上させることができる。
【００１６】請求項３に記載の発明は、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分と
する誘電体磁器基板と、誘電体磁器基板の両主表面に形
成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電
極上に形成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選
ばれる少なくとも一つの金属を主体とする第２層の電極
と、第２層の電極に接続されたリード線と、誘電体磁器
基板、第１層及び第２層の電極、リード線の一部を埋設
する外装材とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサ
であって、高周波数、高電圧の使用条件下においても自
己発熱温度を抑制することができると共に、第１層電極
のＺｎとの密着性が良好であり、リード線との半田接合
強度を向上させることができる。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分と
する誘電体磁器基板と、誘電体磁器基板の両主表面に形
成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電
極上に形成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選
ばれる少なくとも一つの金属を主体とする第２層の電極
と、第２層の電極に接続されたリード線と、誘電体磁器
基板、第１層及び第２層の電極、リード線の一部を埋設
する外装材とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサ
であって、高周波数、高電圧の使用条件下においても自
己発熱温度を抑制することができると共に、第１層電極
のＺｎとの密着性が良好であり、リード線との半田接合
強度を向上させることができる。
【００１７】請求項４に記載の発明は、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分と
する誘電体磁器基板と、誘電体磁器基板の両主表面に形
成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電
極上に形成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選
ばれる少なくとも一つの金属を主体とする第２層の電極
と、第２層の電極に接続され、互いに異なる方向に配設
されたリード端子と、誘電体磁器基板、第１層及び第２
層の電極、リード端子の一部を埋設する外装材と、外装
材の側面から外部に突き出されたリード端子の外部端子
形成部とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであ
って、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発
熱温度を抑制することができると共に、第１層電極のＺ
ｎとの密着性が良好であり、リード端子との半田接合強
度を向上させることができる。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分と
する誘電体磁器基板と、誘電体磁器基板の両主表面に形
成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電
極上に形成されたＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選
ばれる少なくとも一つの金属を主体とする第２層の電極
と、第２層の電極に接続され、互いに異なる方向に配設
されたリード端子と、誘電体磁器基板、第１層及び第２
層の電極、リード端子の一部を埋設する外装材と、外装
材の側面から外部に突き出されたリード端子の外部端子
形成部とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであ
って、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発
熱温度を抑制することができると共に、第１層電極のＺ
ｎとの密着性が良好であり、リード端子との半田接合強
度を向上させることができる。
【００１８】請求項５に記載の発明は、両端に端子部
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備え、
ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、
ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉ
Ｏ3を主成分とする誘電体磁器で構成された基体と、基
体の表面に形成されたＺｎを主体とする導電膜と、軸芯
部で導電膜を分離する間隙とを備えたことを特徴とする
磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件
下においても自己発熱温度を抑制することができると共
に、気泡の発生を抑制して外装材を充填することができ
る。
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備え、
ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、
ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉ
Ｏ3を主成分とする誘電体磁器で構成された基体と、基
体の表面に形成されたＺｎを主体とする導電膜と、軸芯
部で導電膜を分離する間隙とを備えたことを特徴とする
磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件
下においても自己発熱温度を抑制することができると共
に、気泡の発生を抑制して外装材を充填することができ
る。
【００１９】請求項６に記載の発明は、両端に端子部
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備え、
ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、
ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉ
Ｏ3を主成分とする誘電体磁器で構成された基体と、軸
芯部の対向する一対の面に形成され、一対の面で互いに
異なる端子部と間隙を介し、一対の面で互いに異なる端
子部に引き出されたＺｎを主体とする導電膜とを備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、
高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制する
ことができると共に、大きな静電容量を得ることができ
る。
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備え、
ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、
ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉ
Ｏ3を主成分とする誘電体磁器で構成された基体と、軸
芯部の対向する一対の面に形成され、一対の面で互いに
異なる端子部と間隙を介し、一対の面で互いに異なる端
子部に引き出されたＺｎを主体とする導電膜とを備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、
高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制する
ことができると共に、大きな静電容量を得ることができ
る。
【００２０】請求項７に記載の発明は、請求項５，６に
おいて、軸芯部と端子部の間に傾斜部を備えたことを特
徴とする磁器コンデンサであって、気泡の発生を抑制し
て外装材を充填することができる。
おいて、軸芯部と端子部の間に傾斜部を備えたことを特
徴とする磁器コンデンサであって、気泡の発生を抑制し
て外装材を充填することができる。
【００２１】請求項８に記載の発明は、請求項７におい
て、軸芯部と傾斜部のなす角度が、９０度〜１５０度で
あることを特徴とする磁器コンデンサであって、気泡の
発生を確実に抑制して外装材を充填することができる。
て、軸芯部と傾斜部のなす角度が、９０度〜１５０度で
あることを特徴とする磁器コンデンサであって、気泡の
発生を確実に抑制して外装材を充填することができる。
【００２２】請求項９に記載の発明は、請求項５〜８に
おいて、基体の端子部の高さと軸芯部の高さの比が、
１：０．５〜０．８５であることを特徴とする磁器コン
デンサであって、基体の強度を確保できる。
おいて、基体の端子部の高さと軸芯部の高さの比が、
１：０．５〜０．８５であることを特徴とする磁器コン
デンサであって、基体の強度を確保できる。
【００２３】請求項１０に記載の発明は、請求項５〜９
において、両端の端子部間に、軸芯部を覆う外装材を備
えたことを特徴とする磁器コンデンサであって、耐湿性
及び耐電圧特性を向上させることができる。
において、両端の端子部間に、軸芯部を覆う外装材を備
えたことを特徴とする磁器コンデンサであって、耐湿性
及び耐電圧特性を向上させることができる。
【００２４】請求項１１に記載の発明は、請求項１０に
おいて、外装材と両端の端子部が、略面一であることを
特徴とする磁器コンデンサであって、確実に基板に接合
することができ、実装性に優れる。
おいて、外装材と両端の端子部が、略面一であることを
特徴とする磁器コンデンサであって、確実に基板に接合
することができ、実装性に優れる。
【００２５】請求項１２に記載の発明は、請求項５〜１
１において、端子部の導電膜の上に、端子電極を備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、導電膜を保
護することができると共に、基板への接合が容易であ
る。
１において、端子部の導電膜の上に、端子電極を備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、導電膜を保
護することができると共に、基板への接合が容易であ
る。
【００２６】請求項１３に記載の発明は、両端に端子部
を備え、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、
または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−
ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器で構成された略
直方体の基体と、基体の対向する一対の側面にそれぞれ
形成された凹部と、対向する凹部にそれぞれ形成され、
対向する凹部で互いに異なる端子部と間隙を介し、対向
する凹部で互いに異なる端子部に引き出されたＺｎを主
体とする導電膜とを備えたことを特徴とする磁器コンデ
ンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下において
も自己発熱温度を抑制することができると共に、大きな
静電容量を得ることができ、機械的強度を維持すること
ができる。
を備え、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、
または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−
ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器で構成された略
直方体の基体と、基体の対向する一対の側面にそれぞれ
形成された凹部と、対向する凹部にそれぞれ形成され、
対向する凹部で互いに異なる端子部と間隙を介し、対向
する凹部で互いに異なる端子部に引き出されたＺｎを主
体とする導電膜とを備えたことを特徴とする磁器コンデ
ンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下において
も自己発熱温度を抑制することができると共に、大きな
静電容量を得ることができ、機械的強度を維持すること
ができる。
【００２７】請求項１４に記載の発明は、請求項１３に
おいて、対向するそれぞれの凹部に、外装材を充填した
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、耐湿性及び
耐電圧特性を向上させることができる。
おいて、対向するそれぞれの凹部に、外装材を充填した
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、耐湿性及び
耐電圧特性を向上させることができる。
【００２８】請求項１５に記載の発明は、請求項１３，
１４において、端面の導電膜の上に、端子電極を備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、導電膜を保
護することができると共に、基板への接合が容易であ
る。
１４において、端面の導電膜の上に、端子電極を備えた
ことを特徴とする磁器コンデンサであって、導電膜を保
護することができると共に、基板への接合が容易であ
る。
【００２９】請求項１６に記載の発明は、ＳｒＴｉＯ3
−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3
−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分
とする誘電体磁器で構成された基体と、基体の表面に形
成されたＺｎを主体とする導電膜と、導電膜を分離する
間隙とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであっ
て、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱
温度を抑制することができる。
−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3
−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分
とする誘電体磁器で構成された基体と、基体の表面に形
成されたＺｎを主体とする導電膜と、導電膜を分離する
間隙とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであっ
て、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱
温度を抑制することができる。
【００３０】請求項１７に記載の発明は、ＳｒＴｉＯ3
−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3
−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分
とする誘電体磁器で構成された略直方体の基体と、基体
の対向する一対の側面に形成され、一対の側面で互いに
異なる端面と間隙を介し、一対の側面で互いに異なる端
面に引き出されたＺｎを主体とする導電膜とを備えたこ
とを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高
電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制するこ
とができると共に、大きな静電容量を得ることができ
る。
−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3
−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分
とする誘電体磁器で構成された略直方体の基体と、基体
の対向する一対の側面に形成され、一対の側面で互いに
異なる端面と間隙を介し、一対の側面で互いに異なる端
面に引き出されたＺｎを主体とする導電膜とを備えたこ
とを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高
電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制するこ
とができると共に、大きな静電容量を得ることができ
る。
【００３１】まず、本発明の磁器コンデンサを構成する
誘電体磁器について説明する。
誘電体磁器について説明する。
【００３２】誘電体磁器は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3
−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3
−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物が使
用される。
−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3
−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物が使
用される。
【００３３】具体的には、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−
Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−
Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末を主成分とし、添加
剤兼焼結助剤成分であるＮｄ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｂ
2Ｏ5、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｃｕ2Ｏ、ＺｒＯ2、ＭｎＯ2、
ＳｉＯ2の中から選ばれた少なくとも１つ以上を添加し
て、焼成することによって得ることができる。
Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−
Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末を主成分とし、添加
剤兼焼結助剤成分であるＮｄ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｂ
2Ｏ5、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｃｕ2Ｏ、ＺｒＯ2、ＭｎＯ2、
ＳｉＯ2の中から選ばれた少なくとも１つ以上を添加し
て、焼成することによって得ることができる。
【００３４】また、この誘電体磁器の対向電極として形
成される第１層の電極は、Ｚｎ（亜鉛）を主体とする。
成される第１層の電極は、Ｚｎ（亜鉛）を主体とする。
【００３５】この第１層電極に用いられるＺｎは、微量
のガラス成分あるいは不純物を含んでいてもよく、純度
９５％以上であることが好ましい。更に、Ｚｎ合金であ
ってもよく、Ｚｎの含有量として９０％以上であること
が好ましい。
のガラス成分あるいは不純物を含んでいてもよく、純度
９５％以上であることが好ましい。更に、Ｚｎ合金であ
ってもよく、Ｚｎの含有量として９０％以上であること
が好ましい。
【００３６】そして、第１層電極として用いられるＺｎ
は、上述の誘電体磁器との協調によって自己発熱温度を
抑制するものである。
は、上述の誘電体磁器との協調によって自己発熱温度を
抑制するものである。
【００３７】更に、第１層電極の上に形成される第２層
の電極は、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ
（銀），Ｐｄ（パラジウム），Ａｌ（アルミニウム）か
ら選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする。
の電極は、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ
（銀），Ｐｄ（パラジウム），Ａｌ（アルミニウム）か
ら選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする。
【００３８】第２層電極に用いられるＣｕ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ａｌは、それぞれ、微量の不純物を含んでい
てもよく、純度８０％以上であることが好ましい。更
に、合金であってもよく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｐｄ，Ａ
ｌそれぞれの含有量として８０％以上であることが好ま
しい。
ｇ，Ｐｄ，Ａｌは、それぞれ、微量の不純物を含んでい
てもよく、純度８０％以上であることが好ましい。更
に、合金であってもよく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｐｄ，Ａ
ｌそれぞれの含有量として８０％以上であることが好ま
しい。
【００３９】そして、第２層電極として用いられるＣ
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一
つの金属は、第１層電極のＺｎとの密着性が良好である
と共に、リード線、或いは、リード端子との半田接合強
度を向上させるものである。
ｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一
つの金属は、第１層電極のＺｎとの密着性が良好である
と共に、リード線、或いは、リード端子との半田接合強
度を向上させるものである。
【００４０】以下、本発明の磁器コンデンサについて、
図面を参照して更に詳しく説明する。
図面を参照して更に詳しく説明する。
【００４１】（実施の形態１）図１（ａ）は本発明の実
施の形態１における磁器コンデンサを示す透視側面図で
あり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１における磁器
コンデンサを示す透視正面図である。そして、図１
（ａ），（ｂ）において、１は誘電体磁器基板、２は第
１層電極、３は第２層電極、４，５はリード線、６は外
装材である。また、１００は磁器コンデンサを示してい
る。
施の形態１における磁器コンデンサを示す透視側面図で
あり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１における磁器
コンデンサを示す透視正面図である。そして、図１
（ａ），（ｂ）において、１は誘電体磁器基板、２は第
１層電極、３は第２層電極、４，５はリード線、６は外
装材である。また、１００は磁器コンデンサを示してい
る。
【００４２】図１（ａ），（ｂ）に示すように、磁器コ
ンデンサ１００は、円板型の誘電体磁器基板１の両主表
面に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成さ
れ、更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード線
４，５が半田接合された構成である。
ンデンサ１００は、円板型の誘電体磁器基板１の両主表
面に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成さ
れ、更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード線
４，５が半田接合された構成である。
【００４３】そして、リード線４，５の一部と、誘電体
磁器基板１及び第１層電極２、第２層電極３を埋設する
外装材６が形成される。
磁器基板１及び第１層電極２、第２層電極３を埋設する
外装材６が形成される。
【００４４】誘電体磁器基板１としては、上述したＳｒ
ＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、Ｓｒ
ＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3
系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられ
る。
ＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、Ｓｒ
ＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3
系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられ
る。
【００４５】そして、同様に、第１層電極２としてＺｎ
が用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用いられ
る。
が用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用いられ
る。
【００４６】更に、リード線４，５としては、例えば、
ＪＩＳ Ｃ３１０２で規定される電気用軟銅線を原料と
し、これに電気メッキ、又は、溶融半田を施した線材を
使用することができる。
ＪＩＳ Ｃ３１０２で規定される電気用軟銅線を原料と
し、これに電気メッキ、又は、溶融半田を施した線材を
使用することができる。
【００４７】また、外装材６としては、絶縁性を有する
材料が用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることが
できる。この中でも、絶縁性樹脂が加工適正、低価格で
あり好ましく、熱硬化性樹脂が加工適正に優れより好ま
しく、更に、熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、耐湿性に
優れているので特に好ましい。そして、オプトクレゾー
ルノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等の
エポキシ樹脂があげられる。
材料が用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることが
できる。この中でも、絶縁性樹脂が加工適正、低価格で
あり好ましく、熱硬化性樹脂が加工適正に優れより好ま
しく、更に、熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、耐湿性に
優れているので特に好ましい。そして、オプトクレゾー
ルノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等の
エポキシ樹脂があげられる。
【００４８】また、図１（ａ）に示すように、誘電体磁
器基板１の両主表面の第２層電極３に接合された一対の
リード線４，５は、誘電体磁器基板１を間に挟んで離間
し平行に延設されるが、折り曲げられて、最終的には、
誘電体磁器基板１の厚み方向で重なるように引き出され
ている。そして、一対のリード線４，５は、離間距離の
略半分の位置、即ち、誘電体磁器基板１の厚みを略半分
にする位置で重なっている。
器基板１の両主表面の第２層電極３に接合された一対の
リード線４，５は、誘電体磁器基板１を間に挟んで離間
し平行に延設されるが、折り曲げられて、最終的には、
誘電体磁器基板１の厚み方向で重なるように引き出され
ている。そして、一対のリード線４，５は、離間距離の
略半分の位置、即ち、誘電体磁器基板１の厚みを略半分
にする位置で重なっている。
【００４９】更に、図１（ｂ）に示すように、一対のリ
ード線４，５は、誘電体磁器基板１の表裏面でクロスす
るように第２層電極３にそれぞれ接合され、折り曲げら
れて、略平行になるように互いに離間して延設され、更
に折り曲げられて、双方の離間距離を狭めた状態で略平
行に延設されている。
ード線４，５は、誘電体磁器基板１の表裏面でクロスす
るように第２層電極３にそれぞれ接合され、折り曲げら
れて、略平行になるように互いに離間して延設され、更
に折り曲げられて、双方の離間距離を狭めた状態で略平
行に延設されている。
【００５０】そして、磁器コンデンサ１００の一対のリ
ード線４，５は、回路基板のスルーホールに挿入され
て、回路基板の裏面で半田接合され実装されるが、図１
（ｂ）に示すように、一対のリード線４，５が離間する
距離をスルーホールへの挿入部分で狭くすることによっ
て、外装材６から突出したリード線４，５の全ての部分
がスルーホールに入り込むこともない。
ード線４，５は、回路基板のスルーホールに挿入され
て、回路基板の裏面で半田接合され実装されるが、図１
（ｂ）に示すように、一対のリード線４，５が離間する
距離をスルーホールへの挿入部分で狭くすることによっ
て、外装材６から突出したリード線４，５の全ての部分
がスルーホールに入り込むこともない。
【００５１】また、実装される磁器コンデンサ１００の
外装材６の最下部と回路基板の間にはリード線４，５の
一部が必ず介在するので、半田接合時の熱の影響を受け
にくい上、半田フラックスも確実に排出できる。そし
て、半田接合時の熱の影響を受けにくいので、半田付け
温度の高いＰｂ（鉛）フリー半田が使用可能となる。
外装材６の最下部と回路基板の間にはリード線４，５の
一部が必ず介在するので、半田接合時の熱の影響を受け
にくい上、半田フラックスも確実に排出できる。そし
て、半田接合時の熱の影響を受けにくいので、半田付け
温度の高いＰｂ（鉛）フリー半田が使用可能となる。
【００５２】次に、本発明の実施の形態１における磁器
コンデンサの製造方法について説明する。
コンデンサの製造方法について説明する。
【００５３】まず、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末を主成分とし、Ｎｄ
2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｃｕ
2Ｏ、ＺｒＯ2、ＭｎＯ2、ＳｉＯ2の中から選ばれる少な
くとも１つ以上を配合し、通常の窯業的手法によって、
湿式混合或いは造粒を行い、円板型の形状に加圧成形し
た後、これを焼成する。
2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末を主成分とし、Ｎｄ
2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｃｕ
2Ｏ、ＺｒＯ2、ＭｎＯ2、ＳｉＯ2の中から選ばれる少な
くとも１つ以上を配合し、通常の窯業的手法によって、
湿式混合或いは造粒を行い、円板型の形状に加圧成形し
た後、これを焼成する。
【００５４】そして、得られた誘電体磁器基板１の両主
表面に、第１層電極２としてＺｎ電極を印刷法によって
形成する。具体的には、亜鉛ペーストをスクリーン印刷
法によって誘電体磁器の両主表面に形成した後、約６０
０℃で焼き付けを行う。この焼き付けは、中性又は還元
雰囲気中で行う必要はなく、大気雰囲気下で行うことが
できる。なお、Ｚｎ電極のその他の形成方法としては、
導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装
や、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いること
ができる。
表面に、第１層電極２としてＺｎ電極を印刷法によって
形成する。具体的には、亜鉛ペーストをスクリーン印刷
法によって誘電体磁器の両主表面に形成した後、約６０
０℃で焼き付けを行う。この焼き付けは、中性又は還元
雰囲気中で行う必要はなく、大気雰囲気下で行うことが
できる。なお、Ｚｎ電極のその他の形成方法としては、
導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装
や、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いること
ができる。
【００５５】更に、第１層電極２であるＺｎ電極表面の
活性化処理を行う。この表面活性化処理は、Ｚｎ電極表
面の酸化物を除去するものである。これにより、積層さ
れる第２層電極３のＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから
選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする電極との密
着性を向上させ、Ｚｎ電極と例えばＣｕ電極との間に不
安定な金属化合物を発生させることもない。Ｚｎ電極表
面活性化処理としては、化学的エッチングを用いること
ができ、酸を利用することによって行われる。具体的に
は、ｐＨ３程度の例えばりんご酸を用いて行う。他の方
法としては、表面を物理的に粗す等の物理的エッチング
によっても良い。
活性化処理を行う。この表面活性化処理は、Ｚｎ電極表
面の酸化物を除去するものである。これにより、積層さ
れる第２層電極３のＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから
選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする電極との密
着性を向上させ、Ｚｎ電極と例えばＣｕ電極との間に不
安定な金属化合物を発生させることもない。Ｚｎ電極表
面活性化処理としては、化学的エッチングを用いること
ができ、酸を利用することによって行われる。具体的に
は、ｐＨ３程度の例えばりんご酸を用いて行う。他の方
法としては、表面を物理的に粗す等の物理的エッチング
によっても良い。
【００５６】次に、第１層電極２であるＺｎ電極の上
に、第２層電極３として、例えばＣｕ電極を形成する。
第２層電極３であるＣｕ電極の形成は、メッキ法によっ
て行う。このメッキは電解メッキ、或いは、無電解メッ
キのいずれの方法であってもよいが、無電解メッキがセ
ラミック素子特性を劣化させないと言う理由で好まし
い。
に、第２層電極３として、例えばＣｕ電極を形成する。
第２層電極３であるＣｕ電極の形成は、メッキ法によっ
て行う。このメッキは電解メッキ、或いは、無電解メッ
キのいずれの方法であってもよいが、無電解メッキがセ
ラミック素子特性を劣化させないと言う理由で好まし
い。
【００５７】そして、第２層電極３であるＣｕ電極の上
にリード線４，５を半田付けし、リード線４，５の一部
を除いて、絶縁性樹脂等でコーティングし、外装材６を
形成する。
にリード線４，５を半田付けし、リード線４，５の一部
を除いて、絶縁性樹脂等でコーティングし、外装材６を
形成する。
【００５８】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２におけるモールド型磁器コンデンサを示す断面図で
あり、図２において、７，８はリード端子であり、２０
０はモールド型磁器コンデンサを示している。なお、実
施の形態１で説明したものと同様の部分には、同じ符号
を付している。
態２におけるモールド型磁器コンデンサを示す断面図で
あり、図２において、７，８はリード端子であり、２０
０はモールド型磁器コンデンサを示している。なお、実
施の形態１で説明したものと同様の部分には、同じ符号
を付している。
【００５９】図２に示すように、モールド型磁器コンデ
ンサ２００は、円板状の誘電体磁器基板１の両主表面
に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成され、
更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード端子７，
８が半田接合された構成である。
ンサ２００は、円板状の誘電体磁器基板１の両主表面
に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成され、
更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード端子７，
８が半田接合された構成である。
【００６０】そして、外装材６によって、誘電体磁器基
板１、第１層及び第２層の電極２，３、リード端子７，
８の一部が埋設される。
板１、第１層及び第２層の電極２，３、リード端子７，
８の一部が埋設される。
【００６１】また、リード端子７，８の外装材６から突
出した部分は、外部端子形成部を構成するものであり、
このリード端子７，８の外部端子形成部を介して回路基
板に表面実装できるようになっている。
出した部分は、外部端子形成部を構成するものであり、
このリード端子７，８の外部端子形成部を介して回路基
板に表面実装できるようになっている。
【００６２】誘電体磁器基板１としては、実施の形態１
で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物を主成分と
する誘電体磁器が用いられ、同様に、第１層電極２とし
てＺｎが用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用
いられる。
で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物を主成分と
する誘電体磁器が用いられ、同様に、第１層電極２とし
てＺｎが用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用
いられる。
【００６３】また、外装材６としても、実施の形態１で
説明したものと同様であり、絶縁性を有する材料を用い
られ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることができ、絶縁
性樹脂が加工適正、低価格であり好ましく、熱硬化性樹
脂が加工適正に優れより好ましく、更に、オプトクレゾ
ールノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等
のエポキシ樹脂等に代表される熱硬化型のエポキシ樹脂
が強度、耐湿性に優れているので特に好ましい。
説明したものと同様であり、絶縁性を有する材料を用い
られ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることができ、絶縁
性樹脂が加工適正、低価格であり好ましく、熱硬化性樹
脂が加工適正に優れより好ましく、更に、オプトクレゾ
ールノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等
のエポキシ樹脂等に代表される熱硬化型のエポキシ樹脂
が強度、耐湿性に優れているので特に好ましい。
【００６４】リード端子７，８としては、導電材料を用
いることができるが、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも一
つから選ばれるものが好適に選択される金属材料が好適
に用いられ、電気的特性や加工性の面で有利である。
いることができるが、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも一
つから選ばれるものが好適に選択される金属材料が好適
に用いられ、電気的特性や加工性の面で有利である。
【００６５】次に、本発明の実施の形態２におけるモー
ルド型磁器コンデンサの製造方法は、実施の形態１で説
明したものと同様であるが、リード線４，５ではなく、
第２層電極３の上にリード端子７，８が半田付けされ、
リード端子７，８の一部を除いて、誘電体磁器基板１、
第１層電極２、第２層電極３を絶縁性樹脂等でコーティ
ングし、外装材６を形成し、モールド型磁器コンデンサ
２００を得ることができる。
ルド型磁器コンデンサの製造方法は、実施の形態１で説
明したものと同様であるが、リード線４，５ではなく、
第２層電極３の上にリード端子７，８が半田付けされ、
リード端子７，８の一部を除いて、誘電体磁器基板１、
第１層電極２、第２層電極３を絶縁性樹脂等でコーティ
ングし、外装材６を形成し、モールド型磁器コンデンサ
２００を得ることができる。
【００６６】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視
図であり、図４は本発明の実施の形態３におけるチップ
型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図４は図
３のＡ−Ａ線断面図である。
形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視
図であり、図４は本発明の実施の形態３におけるチップ
型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図４は図
３のＡ−Ａ線断面図である。
【００６７】図３，図４において、１ａは誘電体磁器で
構成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子
電極である。更に、１０は間隙、１１は軸芯部、１２は
端子部、１３は傾斜部であり、３００はチップ型磁器コ
ンデンサを示している。なお、図４において、ｈ１は端
子部１２の高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは
軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度である。また、実
施の形態１，２で説明したものと同様の部分には、同じ
符号を付している。
構成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子
電極である。更に、１０は間隙、１１は軸芯部、１２は
端子部、１３は傾斜部であり、３００はチップ型磁器コ
ンデンサを示している。なお、図４において、ｈ１は端
子部１２の高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは
軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度である。また、実
施の形態１，２で説明したものと同様の部分には、同じ
符号を付している。
【００６８】図３，図４に示すように、チップ型磁器コ
ンデンサ３００は、端子部１２間に外装材６が充填さ
れ、外形が略直方体である。
ンデンサ３００は、端子部１２間に外装材６が充填さ
れ、外形が略直方体である。
【００６９】更に、基体１ａは、その両端に端子部１
２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１
は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、
この凹んだ部分に外装材６が充填される。
２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１
は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、
この凹んだ部分に外装材６が充填される。
【００７０】そして、基体１ａは、その機械的強度、諸
特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯
部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜
０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸
芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜
０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５
未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品
として品質を維持することができない。また、この値が
０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足
し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯
部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜
０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸
芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜
０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５
未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品
として品質を維持することができない。また、この値が
０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足
し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【００７１】更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、
両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形
成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えること
によって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チッ
プ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間
には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯
部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０
度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が
発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、
１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってし
まい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形
成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えること
によって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チッ
プ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間
には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯
部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０
度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が
発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、
１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってし
まい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【００７２】以上のような構成を有する基体１ａの表面
には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１におい
て導電膜２ａは間隙１０によって分離されている。そし
て、間隙１０、軸芯部１１及び傾斜部１３に形成された
導電膜２ａを覆うように外装材６が形成されている。
には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１におい
て導電膜２ａは間隙１０によって分離されている。そし
て、間隙１０、軸芯部１１及び傾斜部１３に形成された
導電膜２ａを覆うように外装材６が形成されている。
【００７３】また、外装材６で被覆されていない端子部
１２の導電膜２ａの上には、導電膜２ａを覆うように端
子電極９が形成されている。なお、端子電極９を設けず
に、端子部１２で露出している導電膜２ａをそのまま電
極として用いても良い。
１２の導電膜２ａの上には、導電膜２ａを覆うように端
子電極９が形成されている。なお、端子電極９を設けず
に、端子部１２で露出している導電膜２ａをそのまま電
極として用いても良い。
【００７４】また、外装材６と端子部１２は略面一であ
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデ
ンサ３００の外形は略直方体であることが実装性に優れ
るので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を
阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデ
ンサ３００の外形は略直方体であることが実装性に優れ
るので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を
阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。
【００７５】更に、チップ型磁器コンデンサ３００の各
構成について詳しく説明する。
構成について詳しく説明する。
【００７６】まず、基体１ａは、実施の形態１，２で説
明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ 3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物を主成分とする誘
電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主
体とするものである。
明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ 3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物を主成分とする誘
電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主
体とするものである。
【００７７】また、外装材６としても、実施の形態１、
２で説明したものと同様である。
２で説明したものと同様である。
【００７８】また、端子電極９は、実装時の半田付け性
を向上させ、導電膜２ａを保護することができる。この
端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれ
る少なくとも１種以上の材料を用いることができる。こ
の中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極
は、半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に
好ましい。
を向上させ、導電膜２ａを保護することができる。この
端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれ
る少なくとも１種以上の材料を用いることができる。こ
の中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極
は、半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に
好ましい。
【００７９】また、導電膜２ａと端子電極９との間に、
実施の形態１、２における第２層の電極として説明した
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも
一つの金属を用いてもよい。
実施の形態１、２における第２層の電極として説明した
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも
一つの金属を用いてもよい。
【００８０】次に、本発明の実施の形態３におけるチッ
プ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。
プ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。
【００８１】まず、実施の形態１，２と同様に、ＳｒＴ
ｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴ
ｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉
末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＮｄ
2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｃｕ
2Ｏ、ＺｒＯ2、ＭｎＯ2、ＳｉＯ2の中から選ばれた少な
くとも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に
装填し加圧成形した後焼成する。
ｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴ
ｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉
末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＮｄ
2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｃｕ
2Ｏ、ＺｒＯ2、ＭｎＯ2、ＳｉＯ2の中から選ばれた少な
くとも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に
装填し加圧成形した後焼成する。
【００８２】そして、焼成された略直方体のベース基体
１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端
子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形
成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹
んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１ａを形成してもよい。このように形成することで、
基体１ａを削る工程を無くすことができる。
１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端
子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形
成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹
んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１ａを形成してもよい。このように形成することで、
基体１ａを削る工程を無くすことができる。
【００８３】次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布
し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０に相当す
る導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの外周に亘っ
てマスクする。
し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０に相当す
る導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの外周に亘っ
てマスクする。
【００８４】そして、このマスク部分以外の基体１ａ表
面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２
ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布す
るいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、
蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２
ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布す
るいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、
蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
【００８５】次に、所定幅の間隙１０に相当する導電膜
２ａを形成しない部分にマスクされた感光性樹脂を除去
し、所望の形状にパターニングされ、間隙１０によって
分離された導電膜２ａを得ることができる。
２ａを形成しない部分にマスクされた感光性樹脂を除去
し、所望の形状にパターニングされ、間隙１０によって
分離された導電膜２ａを得ることができる。
【００８６】基体１ａに間隙１０によって分離された導
電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の間隙１０に
相当する導電膜２ａを形成しない部分を除いて、導電膜
２ａを基体１ａに直接塗布形成することもできる。
電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の間隙１０に
相当する導電膜２ａを形成しない部分を除いて、導電膜
２ａを基体１ａに直接塗布形成することもできる。
【００８７】更に、種々の成膜方法によって、一旦導電
膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間
隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分のみを研
磨、レーザートリミング、物理的或いは化学的エッチン
グ等の方法によって除去してもよい。この中でも、レー
ザートリミングは高精度であり好ましい。
膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間
隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分のみを研
磨、レーザートリミング、物理的或いは化学的エッチン
グ等の方法によって除去してもよい。この中でも、レー
ザートリミングは高精度であり好ましい。
【００８８】更に、レーザートリミングにより導電膜２
ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザ
ートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除
去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を
一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導
電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによ
って、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。
この方法によれば、レーザートリミングによって、基体
１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レ
ーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１
ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、
レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことがで
きる。
ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザ
ートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除
去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を
一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導
電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによ
って、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。
この方法によれば、レーザートリミングによって、基体
１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レ
ーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１
ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、
レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことがで
きる。
【００８９】次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａ
を覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外
装材６を充填する。
を覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外
装材６を充填する。
【００９０】次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【００９１】そして、本発明の実施の形態３におけるチ
ップ型磁器コンデンサ３００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
ップ型磁器コンデンサ３００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【００９２】なお、本発明の実施の形態３において、実
装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端
の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１
を形成せずに、単に略直方体、或いは角柱状、円柱状の
基体１ａの表面に導電膜２ａを形成し、導電膜２ａを分
離する間隙１０を備えた単純な構成としてもよい。
装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端
の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１
を形成せずに、単に略直方体、或いは角柱状、円柱状の
基体１ａの表面に導電膜２ａを形成し、導電膜２ａを分
離する間隙１０を備えた単純な構成としてもよい。
【００９３】（実施の形態４）図５は本発明の実施の形
態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図
であり、図６は本発明の実施の形態４におけるチップ型
磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図６は図５
のＡ−Ａ線断面図である。
態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図
であり、図６は本発明の実施の形態４におけるチップ型
磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図６は図５
のＡ−Ａ線断面図である。
【００９４】図５，図６において、１ａは誘電体磁器で
構成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子
電極である。更に、１０ａ，１０ｂは間隙、１１は軸芯
部、１２は端子部、１３は傾斜部であり、４００はチッ
プ型磁器コンデンサを示している。
構成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子
電極である。更に、１０ａ，１０ｂは間隙、１１は軸芯
部、１２は端子部、１３は傾斜部であり、４００はチッ
プ型磁器コンデンサを示している。
【００９５】なお、図６において、ｈ１は端子部１２の
高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸芯部１１
と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施の形態３
で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付してい
る。
高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸芯部１１
と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施の形態３
で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付してい
る。
【００９６】図５，図６に示すように、チップ型磁器コ
ンデンサ４００は、端子部１２間に外装材６が充填さ
れ、外形が略直方体である。
ンデンサ４００は、端子部１２間に外装材６が充填さ
れ、外形が略直方体である。
【００９７】更に、基体１ａは、その両端に端子部１
２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１
は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、
この凹んだ部分に外装材６が充填される。
２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１
は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、
この凹んだ部分に外装材６が充填される。
【００９８】そして、基体１ａは、その機械的強度、諸
特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯
部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜
０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸
芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜
０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５
未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品
として品質を維持することができない。また、この値が
０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足
し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯
部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜
０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸
芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜
０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５
未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品
として品質を維持することができない。また、この値が
０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足
し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【００９９】更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、
両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形
成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えること
によって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チッ
プ型磁器コンデンサ４００は、外装材６と基体１ａの間
には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯
部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０
度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が
発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、
１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってし
まい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形
成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えること
によって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チッ
プ型磁器コンデンサ４００は、外装材６と基体１ａの間
には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯
部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０
度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が
発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、
１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってし
まい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【０１００】以上のような構成を有する基体１ａの表面
には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１におい
て導電膜２ａは間隙１０ａ，１０ｂによって分離されて
いる。
には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１におい
て導電膜２ａは間隙１０ａ，１０ｂによって分離されて
いる。
【０１０１】そして、図５，図６に示すように、軸芯部
１１の対向する一対の側面及び端子部１２には導電膜２
ａが形成され、この導電膜２ａは、対向する一対の側面
で互いに異なる端子部１２と間隙１０ａ，１０ｂを介
し、対向する一対の側面で互いに異なる端子部１２に引
き出されている。
１１の対向する一対の側面及び端子部１２には導電膜２
ａが形成され、この導電膜２ａは、対向する一対の側面
で互いに異なる端子部１２と間隙１０ａ，１０ｂを介
し、対向する一対の側面で互いに異なる端子部１２に引
き出されている。
【０１０２】即ち、チップ型磁器コンデンサ４００に
は、基体１ａの軸芯部１１の表裏で、互いに異なる方向
に引き出された導電膜２ａが形成され、基体１ａの表裏
でそれぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されてい
る。そして、互いに異なる方向に引き出された導電膜２
ａのそれぞれが端子部１２を覆う構成であり、互いに対
向する端子部１２間において、基体１ａの表裏に形成さ
れ、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは
点対称の関係にある。なお、端子部１２における導電膜
２ａは、側面にのみ設け端面には設けなくてもよい。
は、基体１ａの軸芯部１１の表裏で、互いに異なる方向
に引き出された導電膜２ａが形成され、基体１ａの表裏
でそれぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されてい
る。そして、互いに異なる方向に引き出された導電膜２
ａのそれぞれが端子部１２を覆う構成であり、互いに対
向する端子部１２間において、基体１ａの表裏に形成さ
れ、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは
点対称の関係にある。なお、端子部１２における導電膜
２ａは、側面にのみ設け端面には設けなくてもよい。
【０１０３】そして、本発明の実施の形態４におけるチ
ップ型磁器コンデンサ４００は、対向する端子部１２間
において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０
ｂによって静電容量を得ることができる。更に、軸芯部
１１を介して互いに対向する導電膜２ａが形成され、基
体１ａの軸芯部１１の厚み（高さｈ２）によって、静電
容量を得ることができる。また、基体１ａの軸芯部１１
の厚みを変更することによって、所望の静電容量を得る
ことができる。
ップ型磁器コンデンサ４００は、対向する端子部１２間
において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０
ｂによって静電容量を得ることができる。更に、軸芯部
１１を介して互いに対向する導電膜２ａが形成され、基
体１ａの軸芯部１１の厚み（高さｈ２）によって、静電
容量を得ることができる。また、基体１ａの軸芯部１１
の厚みを変更することによって、所望の静電容量を得る
ことができる。
【０１０４】また、外装材６と端子部１２は略面一であ
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデ
ンサ４００の外形は略直方体であることが実装性に優れ
るので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を
阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデ
ンサ４００の外形は略直方体であることが実装性に優れ
るので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を
阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。
【０１０５】更に、チップ型磁器コンデンサ４００の各
構成について詳しく説明する。
構成について詳しく説明する。
【０１０６】まず、基体１ａは、実施の形態１〜３で説
明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ 3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物を主成分とする誘
電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主
体とするものである。
明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ 3−ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物を主成分とする誘
電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主
体とするものである。
【０１０７】また、外装材６としても、実施の形態１〜
３で説明したものと同様である。
３で説明したものと同様である。
【０１０８】また、実施の形態３と同様に、端子電極９
は、実装時の半田付け性を向上させ、導電膜２ａを保護
することができる。この端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓ
ｎ，半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を
用いることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまた
は半田を形成した電極は、半田付性および耐熱性が向上
すると言う理由で特に好ましい。また、導電膜２ａと端
子電極９との間に、実施の形態１、２における第２層の
電極として説明したＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから
選ばれる少なくとも一つの金属を用いてもよい。
は、実装時の半田付け性を向上させ、導電膜２ａを保護
することができる。この端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓ
ｎ，半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を
用いることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまた
は半田を形成した電極は、半田付性および耐熱性が向上
すると言う理由で特に好ましい。また、導電膜２ａと端
子電極９との間に、実施の形態１、２における第２層の
電極として説明したＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから
選ばれる少なくとも一つの金属を用いてもよい。
【０１０９】次に、本発明の実施の形態４におけるチッ
プ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。
プ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。
【０１１０】まず、実施の形態１〜３と同様に、ＳｒＴ
ｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴ
ｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉
末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＮｄ
2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｃｕ
2Ｏ、ＺｒＯ2、ＭｎＯ2、ＳｉＯ2の中から選ばれた少な
くとも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に
装填し加圧成形した後焼成する。
ｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴ
ｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉
末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＮｄ
2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｃｕ
2Ｏ、ＺｒＯ2、ＭｎＯ2、ＳｉＯ2の中から選ばれた少な
くとも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に
装填し加圧成形した後焼成する。
【０１１１】そして、焼成された略直方体のベース基体
１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端
子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形
成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹
んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１ａを形成してもよい。このように形成することで、
基体１ａを削る工程を無くすことができる。
１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端
子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形
成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹
んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１ａを形成してもよい。このように形成することで、
基体１ａを削る工程を無くすことができる。
【０１１２】次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布
し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０ａ，１０
ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの
表裏でそれぞれマスクする。
し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０ａ，１０
ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの
表裏でそれぞれマスクする。
【０１１３】そして、このマスク部分以外の基体１ａ表
面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２
ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布す
るいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、
蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２
ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布す
るいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、
蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
【０１１４】次に、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当
する導電膜２ａを形成しない部分にマスクされた感光性
樹脂を除去し、所望の形状にパターニングされ、間隙１
０ａ，１０ｂによって分離された導電膜２ａを得ること
ができる。
する導電膜２ａを形成しない部分にマスクされた感光性
樹脂を除去し、所望の形状にパターニングされ、間隙１
０ａ，１０ｂによって分離された導電膜２ａを得ること
ができる。
【０１１５】基体１ａに間隙１０ａ，１０ｂによって分
離された導電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の
間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない
部分を除いて、導電膜２ａを基体１ａに直接塗布形成す
ることもできる。
離された導電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の
間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない
部分を除いて、導電膜２ａを基体１ａに直接塗布形成す
ることもできる。
【０１１６】更に、種々の成膜方法によって、一旦導電
膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間
隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部
分のみを研磨、レーザートリミング、物理的或いは化学
的エッチング等の方法によって除去してもよい。この中
でも、レーザートリミングは高精度であり好ましい。
膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間
隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部
分のみを研磨、レーザートリミング、物理的或いは化学
的エッチング等の方法によって除去してもよい。この中
でも、レーザートリミングは高精度であり好ましい。
【０１１７】更に、レーザートリミングにより導電膜２
ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザ
ートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除
去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を
一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導
電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによ
って、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。
この方法によれば、レーザートリミングによって、基体
１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レ
ーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１
ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、
レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことがで
きる。
ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザ
ートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除
去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を
一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導
電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによ
って、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。
この方法によれば、レーザートリミングによって、基体
１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レ
ーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１
ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、
レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことがで
きる。
【０１１８】次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａ
を覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外
装材６を充填する。
を覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外
装材６を充填する。
【０１１９】次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【０１２０】そして、本発明の実施の形態４におけるチ
ップ型磁器コンデンサ４００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
ップ型磁器コンデンサ４００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【０１２１】なお、本発明の実施の形態４において、実
装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端
の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１
を形成せずに、単に、基体１ａを略直方体とし、略直方
体の基体１ａの対向する一対の側面で互いに異なる端面
と間隙１０ａ，１０ｂを介して、一対の側面で互いに異
なる端面に引き出された導電膜２ａを備えた単純な構成
としてもよい。
装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端
の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１
を形成せずに、単に、基体１ａを略直方体とし、略直方
体の基体１ａの対向する一対の側面で互いに異なる端面
と間隙１０ａ，１０ｂを介して、一対の側面で互いに異
なる端面に引き出された導電膜２ａを備えた単純な構成
としてもよい。
【０１２２】（実施の形態５）図７は、本発明の実施の
形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す斜視図で
あり、図８は本発明の実施の形態５におけるチップ型磁
器コンデンサを示す断面図である。なお、図８（ａ）は
図７のＡ−Ａ線断面図、図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線断
面図、図８（ｃ）は図７のＣ−Ｃ線断面図である。
形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す斜視図で
あり、図８は本発明の実施の形態５におけるチップ型磁
器コンデンサを示す断面図である。なお、図８（ａ）は
図７のＡ−Ａ線断面図、図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線断
面図、図８（ｃ）は図７のＣ−Ｃ線断面図である。
【０１２３】図７，図８において、１１ａは中央対向部
である。また、５００はチップ型磁器コンデンサを示し
ている。また、Ｌは凹部に挟まれた中央対向部１１ａの
基体１ａの厚みである。なお、本実施の形態５において
は、実施の形態４で説明した部分と同じものには同じ符
号を付している。
である。また、５００はチップ型磁器コンデンサを示し
ている。また、Ｌは凹部に挟まれた中央対向部１１ａの
基体１ａの厚みである。なお、本実施の形態５において
は、実施の形態４で説明した部分と同じものには同じ符
号を付している。
【０１２４】そして、本実施の形態５においては、チッ
プ型磁器コンデンサ５００を構成する各部は、実施の形
態４で説明したものと同様であり、詳しい説明は一部省
略する。
プ型磁器コンデンサ５００を構成する各部は、実施の形
態４で説明したものと同様であり、詳しい説明は一部省
略する。
【０１２５】図７に示すように、チップ型磁器コンデン
サ５００は、基体１ａの両端部に端子部１２を備え、端
子部１２間の凹部に外装材６が充填され、外形が略直方
体である。
サ５００は、基体１ａの両端部に端子部１２を備え、端
子部１２間の凹部に外装材６が充填され、外形が略直方
体である。
【０１２６】更に、図８（ａ）に示すように、チップ型
磁器コンデンサ５００は、略直方体である基体１ａの対
向する一対の面に凹部がそれぞれ形成されている。この
対向する凹部の深さは任意であり、対向する凹部の深さ
によって、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬが決定
される。対向する凹部は、中央対向部１１ａを挟み対称
形状であり、体積も同一である事が好ましいが、互いに
異なっていてもよい。
磁器コンデンサ５００は、略直方体である基体１ａの対
向する一対の面に凹部がそれぞれ形成されている。この
対向する凹部の深さは任意であり、対向する凹部の深さ
によって、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬが決定
される。対向する凹部は、中央対向部１１ａを挟み対称
形状であり、体積も同一である事が好ましいが、互いに
異なっていてもよい。
【０１２７】また、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す
ように、基体１ａの表面には、対向する凹部で、即ち、
基体１ａの中央対向部１１ａの表裏で、互いに異なる端
面に引き出された導電膜２ａが形成されている。更に、
導電膜２ａは、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏でそ
れぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。
ように、基体１ａの表面には、対向する凹部で、即ち、
基体１ａの中央対向部１１ａの表裏で、互いに異なる端
面に引き出された導電膜２ａが形成されている。更に、
導電膜２ａは、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏でそ
れぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。
【０１２８】そして、互いに異なる端面に引き出された
導電膜２ａのそれぞれが基体１ａの端子部１２を覆う構
成であり、互いに対向する端子部１２間において、基体
１ａの中央対向部１１ａの表裏に形成され、導電膜２ａ
を分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは点対称の関係に
ある。
導電膜２ａのそれぞれが基体１ａの端子部１２を覆う構
成であり、互いに対向する端子部１２間において、基体
１ａの中央対向部１１ａの表裏に形成され、導電膜２ａ
を分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは点対称の関係に
ある。
【０１２９】更に、対向する凹部には、それぞれ外装材
６が充填され、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏の導
電膜２ａ及び間隙１０ａ，１０ｂを覆う構成となってい
る。
６が充填され、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏の導
電膜２ａ及び間隙１０ａ，１０ｂを覆う構成となってい
る。
【０１３０】また、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９が形成されている。
なお、端子電極９を設けずに、端子部１２で露出してい
る導電膜２ａをそのまま電極として用いても良い。
導電膜２ａを覆うように端子電極９が形成されている。
なお、端子電極９を設けずに、端子部１２で露出してい
る導電膜２ａをそのまま電極として用いても良い。
【０１３１】また、外装材６を端子部１２と略面一に充
填することで、外形が略直方体となり、チップコンデン
サとしての実装性に優れるものである。
填することで、外形が略直方体となり、チップコンデン
サとしての実装性に優れるものである。
【０１３２】そして、本発明の実施の形態５におけるチ
ップ型磁器コンデンサ５００は、対向する端子部１２間
において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０
ｂによって静電容量を得ることができると共に、更に、
中央対向部１１ａを介して互いに対向する導電膜２ａが
形成され、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬによっ
て、静電容量を得ることができる。また、基体１ａの中
央対向部１１ａの厚みＬを変更することによって、所望
の静電容量を得ることができる。
ップ型磁器コンデンサ５００は、対向する端子部１２間
において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０
ｂによって静電容量を得ることができると共に、更に、
中央対向部１１ａを介して互いに対向する導電膜２ａが
形成され、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬによっ
て、静電容量を得ることができる。また、基体１ａの中
央対向部１１ａの厚みＬを変更することによって、所望
の静電容量を得ることができる。
【０１３３】特に、大きな静電容量を得るために、基体
１ａの中央対向部１１ａの厚みＬを小さくしても、中央
対向部１１ａを取り囲む基体１ａの存在によって、チッ
プ型磁器コンデンサ５０の機械的強度を維持することが
可能である。
１ａの中央対向部１１ａの厚みＬを小さくしても、中央
対向部１１ａを取り囲む基体１ａの存在によって、チッ
プ型磁器コンデンサ５０の機械的強度を維持することが
可能である。
【０１３４】基体１ａは、実施の形態１〜４で説明した
ように、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、
または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−
ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁
器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とす
るものである。
ように、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、
または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−
ＣａＴｉＯ3系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁
器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とす
るものである。
【０１３５】また、外装材６としても、実施の形態１〜
４で説明したものと同様である。
４で説明したものと同様である。
【０１３６】また、端子電極９も、実施の形態３，４で
説明したものと同様である。
説明したものと同様である。
【０１３７】次に、チップ型磁器コンデンサ５００の製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【０１３８】この基体１ａの形成方法としては、まず、
金型に上記した誘電体材料を装填し加圧成形後これを焼
成する。そして、焼成されたこの略直方体のベース基体
１ａの対向する一対の面の中央を削ることによって、凹
部を形成する。また、基体１ａの対向する一対の面の中
央にそれぞれ凹部を備えるように予め金型を形成し、こ
の金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成してもよ
い。このように形成することで、基体１ａを削る工程を
無くすことができる。
金型に上記した誘電体材料を装填し加圧成形後これを焼
成する。そして、焼成されたこの略直方体のベース基体
１ａの対向する一対の面の中央を削ることによって、凹
部を形成する。また、基体１ａの対向する一対の面の中
央にそれぞれ凹部を備えるように予め金型を形成し、こ
の金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成してもよ
い。このように形成することで、基体１ａを削る工程を
無くすことができる。
【０１３９】次に、基体１ａの表裏に導電膜２ａが形成
される。一方の凹部において導電膜２ａは間隙１０ａを
備えるように形成され、他方の凹部において導電膜２ａ
は間隙１０ｂを備えるように形成される。
される。一方の凹部において導電膜２ａは間隙１０ａを
備えるように形成され、他方の凹部において導電膜２ａ
は間隙１０ｂを備えるように形成される。
【０１４０】導電膜２ａの形成方法としては、実施の形
態４で説明した方法と同様である。
態４で説明した方法と同様である。
【０１４１】そして、凹部に上記した絶縁性を有する材
料を用いて外装材６を充填する。なお、外装材６は端子
部１２と略面一に形成することが好ましい。
料を用いて外装材６を充填する。なお、外装材６は端子
部１２と略面一に形成することが好ましい。
【０１４２】更に、端子部１２の導電膜２ａに対して、
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【０１４３】そして、本発明の実施の形態５におけるチ
ップ型磁器コンデンサ５００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
ップ型磁器コンデンサ５００は、外形が略直方体とな
り、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【０１４４】以上実施の形態１〜５で説明したように、
本発明の磁器コンデンサは、様々な形態を取ることが可
能である。そして、いずれの形態であっても、本発明の
磁器コンデンサは、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器
と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とす
る電極とを備えることにより、高周波数、高電圧の使用
条件下においても自己発熱温度を抑制することができる
ものである。
本発明の磁器コンデンサは、様々な形態を取ることが可
能である。そして、いずれの形態であっても、本発明の
磁器コンデンサは、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器
と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とす
る電極とを備えることにより、高周波数、高電圧の使用
条件下においても自己発熱温度を抑制することができる
ものである。
【０１４５】
【実施例】実施例により本発明を詳細に説明する。な
お、本発明は以下の実施例等により何ら限定されるもの
ではない。
お、本発明は以下の実施例等により何ら限定されるもの
ではない。
【０１４６】（実施例１）まず、主成分であるＳｒＴｉ
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ 3粉末
（モル比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．４７６、ＰｂＴｉＯ3
０．２４０、Ｂｉ2 /3ＴｉＯ3 ０．２００、ＣａＴｉＯ
3 ０．０８４）と、この粉末１００部（重量部を示す
以下同じ）に対して、添加剤兼焼結助剤成分としてＮｄ
2Ｏ3を１．０部、ＺｒＯ2を０．５部、ＳｎＯ2を０．４
部、Ｃｕ2Ｏを０．２部、それぞれ電子天秤で秤量し、
５ｍｍφのＺｒＯ2質ボールが入ったモノマロン製ポッ
トミル中に投入した。
Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ 3粉末
（モル比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．４７６、ＰｂＴｉＯ3
０．２４０、Ｂｉ2 /3ＴｉＯ3 ０．２００、ＣａＴｉＯ
3 ０．０８４）と、この粉末１００部（重量部を示す
以下同じ）に対して、添加剤兼焼結助剤成分としてＮｄ
2Ｏ3を１．０部、ＺｒＯ2を０．５部、ＳｎＯ2を０．４
部、Ｃｕ2Ｏを０．２部、それぞれ電子天秤で秤量し、
５ｍｍφのＺｒＯ2質ボールが入ったモノマロン製ポッ
トミル中に投入した。
【０１４７】次に、１００ｒｐｍの回転速度で２００時
間混合した後、混合物を１５０メッシュのシルクスクリ
ーンで濾過して、テフロン（登録商標）シートを敷いた
ステンレスバット中に投入し、１２００℃の温度で乾燥
した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、
造粒した。
間混合した後、混合物を１５０メッシュのシルクスクリ
ーンで濾過して、テフロン（登録商標）シートを敷いた
ステンレスバット中に投入し、１２００℃の温度で乾燥
した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、
造粒した。
【０１４８】この造粒物を円板型の形状に加圧成形した
後、約１３３０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘
電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約
１．０ｍｍである。
後、約１３３０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘
電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約
１．０ｍｍである。
【０１４９】次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面
に、印刷法によって第１層電極としてのＺｎ電極を直径
８．０ｍｍで形成し、６４００℃で焼き付けを行った。
に、印刷法によって第１層電極としてのＺｎ電極を直径
８．０ｍｍで形成し、６４００℃で焼き付けを行った。
【０１５０】更に、このＺｎ電極表面に約ｐＨ３のりん
ご酸を用いて化学的エッチングを行い、Ｚｎ電極表面の
酸化物を除去した。
ご酸を用いて化学的エッチングを行い、Ｚｎ電極表面の
酸化物を除去した。
【０１５１】次に、Ｚｎ電極の上に、第２層電極として
Ｃｕ電極を無電解メッキ法によって形成した。
Ｃｕ電極を無電解メッキ法によって形成した。
【０１５２】そして、誘電体磁器の両主表面のＣｕ電極
上に、それぞれリード線を半田付けした。
上に、それぞれリード線を半田付けした。
【０１５３】更に、リード線の一部を除いて、エポキシ
樹脂をコーティングし、Ｚｎ及びＣｕ電極が積層された
誘電体磁器を被覆して外装材を形成し、図１に示した磁
器コンデンサを得た。
樹脂をコーティングし、Ｚｎ及びＣｕ電極が積層された
誘電体磁器を被覆して外装材を形成し、図１に示した磁
器コンデンサを得た。
【０１５４】次に、得られた実施例１の磁器コンデンサ
の静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失（ｔａｎδ）、直流
抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／ｔ）、誘電率（ε）、
温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性（δｔ）を測定した。
の静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失（ｔａｎδ）、直流
抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／ｔ）、誘電率（ε）、
温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性（δｔ）を測定した。
【０１５５】静電容量（Ｃａｐ）と誘電体損失（ｔａｎ
δ）はＹＨＰ製Ｃメータ４２７８Ａを使用して１Ｖ／１
ＭＨｚの信号電圧下で測定した。直流抵抗（ＩＲ）はＹ
ＨＰ製絶縁抵抗計４３２９Ａを使用して５００ＶＤＣを
１分間印加して測定した。誘電体形状（φ／ｔ）はマイ
クロメーターで測定し、誘電率（ε）は以下の計算で求
めた。温度特性（ＴＣ）は温度毎の静電容量をＹＨＰ製
Ｃメータ４２７８Ａで測定した。
δ）はＹＨＰ製Ｃメータ４２７８Ａを使用して１Ｖ／１
ＭＨｚの信号電圧下で測定した。直流抵抗（ＩＲ）はＹ
ＨＰ製絶縁抵抗計４３２９Ａを使用して５００ＶＤＣを
１分間印加して測定した。誘電体形状（φ／ｔ）はマイ
クロメーターで測定し、誘電率（ε）は以下の計算で求
めた。温度特性（ＴＣ）は温度毎の静電容量をＹＨＰ製
Ｃメータ４２７８Ａで測定した。
【０１５６】Ｃ＝ε・Ｄ2／１４４ｔ
Ｃ：静電容量
ε：誘電率
Ｄ：誘電体電極径
ｔ：誘電体厚み
自己発熱特性（δｔ）は、実施例１の磁器コンデンサ
に、ＡＣ３．０ｋＶｐ−ｐ、周波数１００ｋＨｚを印加
し、φ０．１ｍｍの熱電対（クロメルアルメル）を実施
例１の磁器コンデンサのエポキシ樹脂からなる外装材に
密着させ、温度上昇が安定した時の外装材の表面温度を
測定し、この外装材の表面温度と、そのときの雰囲気温
度との差を自己発熱特性（δｔ）とした。
に、ＡＣ３．０ｋＶｐ−ｐ、周波数１００ｋＨｚを印加
し、φ０．１ｍｍの熱電対（クロメルアルメル）を実施
例１の磁器コンデンサのエポキシ樹脂からなる外装材に
密着させ、温度上昇が安定した時の外装材の表面温度を
測定し、この外装材の表面温度と、そのときの雰囲気温
度との差を自己発熱特性（δｔ）とした。
【０１５７】この測定結果を（表１）に示した。
【０１５８】
【表１】
【０１５９】（実施例２）主成分であるＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴ
ｉＯ3 ０．５４４、ＰｂＴｉＯ3 ０．１８６、Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3 ０．２７０）と、この粉末１００部に対し
て、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｎＯ2を０．６部、
ＣｅＯ2を０．２部とした以外は、実施例１と同様にし
て、実施例２の磁器コンデンサを得た。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴ
ｉＯ3 ０．５４４、ＰｂＴｉＯ3 ０．１８６、Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3 ０．２７０）と、この粉末１００部に対し
て、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｎＯ2を０．６部、
ＣｅＯ2を０．２部とした以外は、実施例１と同様にし
て、実施例２の磁器コンデンサを得た。
【０１６０】（実施例３）主成分であるＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴ
ｉＯ3 ０．５７５、ＰｂＴｉＯ3 ０．０８６、Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3 ０．３３９）と、この粉末１００部に対し
て、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｇＯを１．５部とし
た以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁器コン
デンサを得た。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴ
ｉＯ3 ０．５７５、ＰｂＴｉＯ3 ０．０８６、Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3 ０．３３９）と、この粉末１００部に対し
て、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｇＯを１．５部とし
た以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁器コン
デンサを得た。
【０１６１】（実施例４）主成分であるＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル
比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．３１２、ＰｂＴｉＯ3 ０．０
８７、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．３６２、ＣａＴｉＯ3
０．２３９）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼
焼結助剤成分としてＭｎＯ2を０．３部、Ｎｄ2Ｏ3を
０．３部とした以外は、実施例１と同様にして、実施例
４の磁器コンデンサを得た。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル
比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．３１２、ＰｂＴｉＯ3 ０．０
８７、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．３６２、ＣａＴｉＯ3
０．２３９）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼
焼結助剤成分としてＭｎＯ2を０．３部、Ｎｄ2Ｏ3を
０．３部とした以外は、実施例１と同様にして、実施例
４の磁器コンデンサを得た。
【０１６２】（実施例５）主成分であるＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル
比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．５６０、ＰｂＴｉＯ3 ０．１
５０、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．２０６、ＣａＴｉＯ3
０．０８４）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼
焼結助剤成分としてＳｉＯ2を０．２部、Ｎｂ2Ｏ5を
０．２部とした以外は、実施例１と同様にして、実施例
５の磁器コンデンサを得た。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル
比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．５６０、ＰｂＴｉＯ3 ０．１
５０、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．２０６、ＣａＴｉＯ3
０．０８４）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼
焼結助剤成分としてＳｉＯ2を０．２部、Ｎｂ2Ｏ5を
０．２部とした以外は、実施例１と同様にして、実施例
５の磁器コンデンサを得た。
【０１６３】実施例２〜５の磁器コンデンサについて
も、実施例１と同様の測定を行った。この測定結果も
（表１）に示している。
も、実施例１と同様の測定を行った。この測定結果も
（表１）に示している。
【０１６４】また、実施例３及び実施例５については、
自己発熱特性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ
−ｐ〜３．０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。実施例
３の結果を図９に、実施例５の結果を図１０に示す。な
お、図９及び図１０は自己発熱温度特性と印加電圧の関
係を示すグラフである。
自己発熱特性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ
−ｐ〜３．０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。実施例
３の結果を図９に、実施例５の結果を図１０に示す。な
お、図９及び図１０は自己発熱温度特性と印加電圧の関
係を示すグラフである。
【０１６５】（比較例１）実施例１と同様に、主成分で
あるＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−Ｃａ
ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．４７６、Ｐ
ｂＴｉＯ3 ０．２４０、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．２０
０、ＣａＴｉＯ3 ０．０８４）と、この粉末１００部
に対して、添加剤兼焼結助剤成分としてＮｄ2Ｏ3を１．
０部、ＺｒＯ 2を０．５部、ＳｎＯ2を０．４部、Ｃｕ2
Ｏを０．２部、電子天秤で秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ2
質ボールが入ったモノマロン製ポットミル中に投入し、
１００ｒｐｍの回転速度で２００時間混合した後、混合
物を１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過して、テ
フロンシートを敷いたステンレスバット中に投入し、１
２００℃の温度で乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ
乳鉢中で解砕した後造粒した。
あるＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−Ｃａ
ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．４７６、Ｐ
ｂＴｉＯ3 ０．２４０、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．２０
０、ＣａＴｉＯ3 ０．０８４）と、この粉末１００部
に対して、添加剤兼焼結助剤成分としてＮｄ2Ｏ3を１．
０部、ＺｒＯ 2を０．５部、ＳｎＯ2を０．４部、Ｃｕ2
Ｏを０．２部、電子天秤で秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ2
質ボールが入ったモノマロン製ポットミル中に投入し、
１００ｒｐｍの回転速度で２００時間混合した後、混合
物を１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過して、テ
フロンシートを敷いたステンレスバット中に投入し、１
２００℃の温度で乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ
乳鉢中で解砕した後造粒した。
【０１６６】この造粒物を円板型の形状に加圧成形した
後、約１３３０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘
電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約
１．０ｍｍである。
後、約１３３０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘
電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約
１．０ｍｍである。
【０１６７】次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面
に、印刷法によってＡｇ（銀）電極を直径８．０ｍｍで
形成し、８００℃で焼き付けを行った。
に、印刷法によってＡｇ（銀）電極を直径８．０ｍｍで
形成し、８００℃で焼き付けを行った。
【０１６８】そして、誘電体磁器の両主表面のＡｇ電極
上に、それぞれリード線を半田付けした。更に、リード
線の一部を除いて、エポキシ樹脂をコーティングし、Ａ
ｇ電極が形成された誘電体磁器を被覆して外装材を形成
し、図１に示した磁器コンデンサを得た。
上に、それぞれリード線を半田付けした。更に、リード
線の一部を除いて、エポキシ樹脂をコーティングし、Ａ
ｇ電極が形成された誘電体磁器を被覆して外装材を形成
し、図１に示した磁器コンデンサを得た。
【０１６９】次に、実施例１と同様に、得られた比較例
１の磁器コンデンサの静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失
（ｔａｎδ）、直流抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／
ｔ）、誘電率（ε）、温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性
（δｔ）を測定した。
１の磁器コンデンサの静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失
（ｔａｎδ）、直流抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／
ｔ）、誘電率（ε）、温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性
（δｔ）を測定した。
【０１７０】この測定結果を（表２）に示している。
【０１７１】
【表２】
【０１７２】（比較例２）主成分であるＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴ
ｉＯ3 ０．５４４、ＰｂＴｉＯ3 ０．１８６、Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3 ０．２７０）と、この粉末１００部に対し
て、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｎＯ2を０．３部、
ＣｅＯ2を０．２部とした以外は、比較例１と同様にし
て、比較例２の磁器コンデンサを得た。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴ
ｉＯ3 ０．５４４、ＰｂＴｉＯ3 ０．１８６、Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3 ０．２７０）と、この粉末１００部に対し
て、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｎＯ2を０．３部、
ＣｅＯ2を０．２部とした以外は、比較例１と同様にし
て、比較例２の磁器コンデンサを得た。
【０１７３】（比較例３）主成分であるＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴ
ｉＯ3 ０．５７５、ＰｂＴｉＯ3 ０．０８６、Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3 ０．３３９）と、この粉末１００部に対し
て、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｇＯを０．３部とし
た以外は、比較例１と同様にして、比較例３の磁器コン
デンサを得た。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴ
ｉＯ3 ０．５７５、ＰｂＴｉＯ3 ０．０８６、Ｂｉ
2/3ＴｉＯ3 ０．３３９）と、この粉末１００部に対し
て、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｇＯを０．３部とし
た以外は、比較例１と同様にして、比較例３の磁器コン
デンサを得た。
【０１７４】（比較例４）主成分であるＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル
比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．３１２、ＰｂＴｉＯ3 ０．０
８７、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．３６２、ＣａＴｉＯ3
０．２３９）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼
焼結助剤成分としてＭｎＯ2を０．３部、Ｎｄ2Ｏ3を
０．３部とした以外は、比較例１と同様にして、比較例
４の磁器コンデンサを得た。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル
比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．３１２、ＰｂＴｉＯ3 ０．０
８７、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．３６２、ＣａＴｉＯ3
０．２３９）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼
焼結助剤成分としてＭｎＯ2を０．３部、Ｎｄ2Ｏ3を
０．３部とした以外は、比較例１と同様にして、比較例
４の磁器コンデンサを得た。
【０１７５】（比較例５）主成分であるＳｒＴｉＯ3−
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル
比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．５６０、ＰｂＴｉＯ3 ０．１
５０、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．２０６、ＣａＴｉＯ3
０．０８４）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼
焼結助剤成分としてＳｉＯ2を０．２部、Ｎｂ2Ｏ5を
０．２部とした以外は、比較例１と同様にして、比較例
５の磁器コンデンサを得た。
ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル
比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．５６０、ＰｂＴｉＯ3 ０．１
５０、Ｂｉ2/3ＴｉＯ3 ０．２０６、ＣａＴｉＯ3
０．０８４）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼
焼結助剤成分としてＳｉＯ2を０．２部、Ｎｂ2Ｏ5を
０．２部とした以外は、比較例１と同様にして、比較例
５の磁器コンデンサを得た。
【０１７６】比較例２〜５の磁器コンデンサについて
も、比較例１と同様の測定を行った。この測定結果も
（表２）に示している。
も、比較例１と同様の測定を行った。この測定結果も
（表２）に示している。
【０１７７】また、比較例３及び比較例５については、
自己発熱特性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ
−ｐ〜３．０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。比較例
３の結果を図９に、比較例５の結果を図１０に示してい
る。
自己発熱特性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ
−ｐ〜３．０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。比較例
３の結果を図９に、比較例５の結果を図１０に示してい
る。
【０１７８】（表１）、（表２）、図９，１０の結果か
ら明らかなように、本実施例の組成の誘電体磁器と、こ
れに用いる電極として、第１層電極のＺｎ（亜鉛）電極
及び第２層電極のＣｕ（銅）電極を用いた磁器コンデン
サは、Ａｇ（銀）電極を用いたものに比べて、明らかに
自己発熱温度特性が優れていた。
ら明らかなように、本実施例の組成の誘電体磁器と、こ
れに用いる電極として、第１層電極のＺｎ（亜鉛）電極
及び第２層電極のＣｕ（銅）電極を用いた磁器コンデン
サは、Ａｇ（銀）電極を用いたものに比べて、明らかに
自己発熱温度特性が優れていた。
【０１７９】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、高電圧の使
用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失であ
る磁器コンデンサを提供することができる。
用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失であ
る磁器コンデンサを提供することができる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における磁器コン
デンサを示す透視側面図 （ｂ）本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを
示す透視正面図
デンサを示す透視側面図 （ｂ）本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを
示す透視正面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるモールド型磁器
コンデンサを示す断面図
コンデンサを示す断面図
【図３】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す透視斜視図
ンデンサを示す透視斜視図
【図４】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図
ンデンサを示す断面図
【図５】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す透視斜視図
ンデンサを示す透視斜視図
【図６】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図
ンデンサを示す断面図
【図７】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す斜視図
ンデンサを示す斜視図
【図８】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コ
ンデンサを示す断面図
ンデンサを示す断面図
【図９】自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラ
フ
フ
【図１０】自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグ
ラフ
ラフ
１ 誘電体磁器基板
１ａ 基体
２ 第１層電極
２ａ 導電膜
３ 第２層電極
４，５ リード線
６ 外装材
７，８ リード端子
９ 端子電極
１０，１０ａ，１０ｂ 間隙
１１ 軸芯部
１１ａ 中央対向部
１２ 端子部
１３ 傾斜部
１００ 磁器コンデンサ
２００ モールド型磁器コンデンサ
３００，４００，５００ チップ型磁器コンデンサ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 西野 徳次
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 山本 益裕
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 4G031 AA04 AA05 AA11 AA32 AA35
BA09
5E001 AB01 AE02 AE03 AF03 AH01
AH09 AJ01 AJ02
Claims (17)
- 【請求項１】ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔｉ
Ｏ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔｉ
Ｏ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器と、前記誘
電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする電極
とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項２】ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔｉ
Ｏ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔｉ
Ｏ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器と、前記誘
電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする第１
層の電極と、前記第１層の電極上に形成されたＣｕ，Ｎ
ｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金
属を主体とする第２層の電極を備えたことを特徴とする
磁器コンデンサ。 - 【請求項３】ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔｉ
Ｏ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔｉ
Ｏ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器基板と、前
記誘電体磁器基板の両主表面に形成されたＺｎを主体と
する第１層の電極と、前記第１層の電極上に形成された
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも
一つの金属を主体とする第２層の電極と、前記第２層の
電極に接続されたリード線と、前記誘電体磁器基板、前
記第１層及び第２層の電極、前記リード線の一部を埋設
する外装材とを備えたことを特徴とする磁器コンデン
サ。 - 【請求項４】ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔｉ
Ｏ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔｉ
Ｏ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器基板と、前
記誘電体磁器基板の両主表面に形成されたＺｎを主体と
する第１層の電極と、前記第１層の電極上に形成された
Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも
一つの金属を主体とする第２層の電極と、前記第２層の
電極に接続され、互いに異なる方向に配設されたリード
端子と、前記誘電体磁器基板、前記第１層及び第２層の
電極、前記リード端子の一部を埋設する外装材と、前記
外装材の側面から外部に突き出された前記リード端子の
外部端子形成部とを備えたことを特徴とする磁器コンデ
ンサ。 - 【請求項５】両端に端子部と、前記端子部よりも外周に
亘って凹んだ軸芯部とを備え、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉ
Ｏ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉ
Ｏ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電
体磁器で構成された基体と、前記基体の表面に形成され
たＺｎを主体とする導電膜と、前記軸芯部で前記導電膜
を分離する間隙とを備えたことを特徴とする磁器コンデ
ンサ。 - 【請求項６】両端に端子部と、前記端子部よりも外周に
亘って凹んだ軸芯部とを備え、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉ
Ｏ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉ
Ｏ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電
体磁器で構成された基体と、前記軸芯部の対向する一対
の面に形成され、前記一対の面で互いに異なる前記端子
部と間隙を介し、前記一対の面で互いに異なる前記端子
部に引き出されたＺｎを主体とする導電膜とを備えたこ
とを特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項７】前記軸芯部と端子部の間に傾斜部を備えた
ことを特徴とする請求項５，６いずれか１記載の磁器コ
ンデンサ。 - 【請求項８】前記軸芯部と前記傾斜部のなす角度が、９
０度〜１５０度であることを特徴とする請求項７記載の
磁器コンデンサ。 - 【請求項９】前記基体の前記端子部の高さと前記軸芯部
の高さの比が、１：０．５〜０．８５であることを特徴
とする請求項５〜８いずれか１記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項１０】前記両端の端子部間に、前記軸芯部を覆
う外装材を備えたことを特徴とする請求項５〜９いずれ
か１記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項１１】前記外装材と前記両端の端子部が、略面
一であることを特徴とする請求項１０記載の磁器コンデ
ンサ。 - 【請求項１２】前記端子部の導電膜の上に、端子電極を
備えたことを特徴とする請求項５〜１１いずれか１記載
の磁器コンデンサ。 - 【請求項１３】両端に端子部を備え、ＳｒＴｉＯ3−Ｐ
ｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−Ｐ
ｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とす
る誘電体磁器で構成された略直方体の基体と、前記基体
の対向する一対の側面にそれぞれ形成された凹部と、前
記対向する凹部にそれぞれ形成され、前記対向する凹部
で互いに異なる前記端子部と間隙を介し、前記対向する
凹部で互いに異なる前記端子部に引き出されたＺｎを主
体とする導電膜とを備えたことを特徴とする磁器コンデ
ンサ。 - 【請求項１４】前記対向するそれぞれの凹部に、外装材
を充填したことを特徴とする請求項１３記載の磁器コン
デンサ。 - 【請求項１５】前記端面の導電膜の上に、端子電極を備
えたことを特徴とする請求項１３，１４いずれか１記載
の磁器コンデンサ。 - 【請求項１６】ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器で構成さ
れた基体と、前記基体の表面に形成されたＺｎを主体と
する導電膜と、前記導電膜を分離する間隙とを備えたこ
とを特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項１７】ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2/3Ｔ
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器で構成さ
れた略直方体の基体と、前記基体の対向する一対の側面
に形成され、前記一対の側面で互いに異なる端面と間隙
を介し、前記一対の側面で互いに異なる端面に引き出さ
れたＺｎを主体とする導電膜とを備えたことを特徴とす
る磁器コンデンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001362220A JP2003163132A (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 磁器コンデンサ |
| TW091120905A TW556237B (en) | 2001-09-14 | 2002-09-12 | Ceramic capacitor |
| KR1020020055555A KR20030023558A (ko) | 2001-09-14 | 2002-09-13 | 자기 콘덴서 |
| CN02143186A CN1409334A (zh) | 2001-09-14 | 2002-09-16 | 陶瓷电容器 |
| US10/244,106 US6777109B2 (en) | 2001-09-14 | 2002-09-16 | Ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001362220A JP2003163132A (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 磁器コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163132A true JP2003163132A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19172758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001362220A Pending JP2003163132A (ja) | 2001-09-14 | 2001-11-28 | 磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003163132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10343930B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-07-09 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electric components |
| US10710932B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-07-14 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| US10752552B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-08-25 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| US10759705B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-09-01 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
-
2001
- 2001-11-28 JP JP2001362220A patent/JP2003163132A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10343930B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-07-09 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electric components |
| US10710932B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-07-14 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| US10752552B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-08-25 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| US10759705B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-09-01 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041006 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050704 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
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