JP2003007563A - コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、大きな静電容量を確保できると共
に、信頼性が高いコンデンサを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明は、両端に端子部８を備えた略直
方体の基体１と、基体１の対向する一対の側面に形成さ
れ、一対の側面で互いに異なる端子部８と間隙４，５を
介し、一対の側面で互いに異なる端子部８に引き出され
た導電膜２とを備えた構成としたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、モデムカード、ビ
デオカメラ、デジタルスチルカメラや、ノート型パーソ
ナルコンピュータ等の小型薄型電子機器の中高圧回路
に、広く有用に使用されるコンデンサに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、中高圧回路はリード線付の円板型
中高圧磁器コンデンサが用いられてきたが、近年のデジ
タル技術の進歩によって、電子機器は小型薄型化され、
それに伴い面実装化が進み、部品のチップ化率も高まっ
ている。

【０００３】そして、このような動向にあわせて、薄型
対応で、面実装可能な積層チップタイプのコンデンサが
開発されて、使用されている。

【０００４】ここで、従来の積層チップタイプのコンデ
ンサについて説明する。図２２は従来の積層チップコン
デンサを示す斜視図であり、図２３は従来の積層チップ
コンデンサの断面図である。なお、図２３は図２２のＡ
−Ａ線断面図である。

【０００５】図２２，２３において、１１は誘電体で構
成された基体である。また、１２は内部電極、１３は端
子電極である。また、２０は積層チップコンデンサであ
る。

【０００６】図２２，２３に示すように、積層チップコ
ンデンサ２０は、直方体形状であり、基体１１には、内
部電極１２が形成されている。基体１１は誘電体層が積
層されて構成され、内部電極１２は、互いに誘電体層で
分離されている。また、基体１１の端面で内部電極１２
と端子電極１３は導通する構成となっている。

【０００７】更に、その他の従来のコンデンサとして
は、特開平３−２３２２１１号公報や、特開平１０−８
３９３５号公報に開示されている。これらのコンデンサ
を図２４、図２５に示して説明する。

【０００８】図２４は、従来のコンデンサの断面図であ
り、図２４において、１１は基体、１４は導電膜、１５
は間隙、１６は絶縁被膜で構成された外装材である。ま
た、３０はコンデンサである。

【０００９】図２４に示すように、コンデンサ３０は、
円柱形等の基体１１の表面に導電膜１４が形成され、こ
の導電膜１４を基体１１の外周にわたって、レーザート
リミングすることで間隙１５が形成される。そして、導
電膜１４が一対の電極に分離されており、外装材１６で
覆われた構成となっている。

【００１０】このコンデンサ３０では、レーザートリミ
ングパターンを変えることによって、間隙１５の長さを
変え、任意の静電容量を得ることが可能である。

【００１１】また、図２５は、従来のコンデンサの断面
図であり、図２５において、１７は凹部であり、４０は
コンデンサである。

【００１２】図２５に示すように、コンデンサ４０は、
円柱状の基体１１の表面に凹部１７が形成され、その間
の突部の表面が間隙１５をなしている。そして、間隙１
５を除く基体１１の表面に導電膜１４を形成し、更に外
装材１６で覆う構成である。また、導電膜１４は、間隙
１５の両端側をそれぞれ導電ペーストに浸積して塗布さ
れて形成される。このとき、凹部１７間の突出した部分
によって、導電ペーストを堰き止めることが可能とな
り、所定の間隙１５が形成される。

【００１３】このコンデンサ４０は、ディップ塗装にお
いても、高い精度で導電膜１４間の間隙１５を形成する
ことが可能で、外装材１６の径も大きくならず、高い静
電容量値を得られると言うものである。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のコンデンサは以下の課題を有していた。

【００１５】まず、図２２，２３で示した、従来の積層
チップコンデンサは、端子電極１３間に外装材が形成さ
れず、基体１１が剥き出しであり、加えて、積層構造で
あるので、基体１１を構成する誘電体層と内部電極１２
の隙間から水分が浸入し易く、耐湿負荷寿命試験で早期
に短絡が発生し、信頼性に劣ると言う問題がある。ま
た、積層構造であるので、プリント基板等に実装後の撓
み強度が弱いと言う問題もあった。

【００１６】また、図２４に示した従来のコンデンサ３
０においては、絶縁被膜による外装材１６の中央が厚く
なると言う問題や実装性に劣ると言う問題がある。ま
た、静電容量は、間隙１５の長さによって決定されるの
で、より大きな静電容量を得るには限界があった。

【００１７】更に、図２５に示したコンデンサ４０で
は、基体１１に凹部１７を設け、その間の突部にて導電
ペーストを堰き止め、ディップ塗装による導電膜４を形
成可能とし、その結果、絶縁被膜による外装材１６の径
が大きくなるのを若干抑制しているものの、外装材１６
が誘電体磁器基体１１の外形寸法よりも明らかにはみ出
すと、実装時に問題があり、外装材１６の径増大の抑制
は、十分とは言えない。更に、静電容量は、間隙１５の
長さが支配的であり、大きな静電容量を取ることが出来
ないと言う問題もあった。

【００１８】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、大きな静電容量を確保できると共に、信頼性が高い
コンデンサを提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、両端に端子部を備えた略直方体の基体と、
基体の対向する一対の側面に形成され、一対の側面で互
いに異なる端子部と間隙を介し、一対の側面で互いに異
なる端子部に引き出された導電膜とを備えた構成とした
ものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、両端に
端子部を備えた略直方体の基体と、基体の対向する一対
の側面に形成され、一対の側面で互いに異なる端子部と
間隙を介し、一対の側面で互いに異なる端子部に引き出
された導電膜とを備えたことを特徴とするコンデンサで
あって、大きな静電容量を得ることができる。

【００２１】請求項２に記載の発明は、両端に端子部を
備えた略直方体の基体と、基体の対向する一対の側面に
それぞれ形成された凹部と、対向する凹部にそれぞれ形
成され、対向する凹部で互いに異なる端子部と間隙を介
し、対向する凹部で互いに異なる端子部に引き出された
導電膜とを備えたことを特徴とするコンデンサであっ
て、大きな静電容量を得ることができると共に、機械的
強度を維持することができる。

【００２２】請求項３に記載の発明は、請求項２におい
て、基体の凹部に、突部を設けたことを特徴とするコン
デンサであって、導電膜の面積を大きくすることがで
き、より大きな静電容量を得ることができる。

【００２３】請求項４に記載の発明は、請求項２，３に
おいて、対向するそれぞれの凹部に、外装材を充填した
ことを特徴とするコンデンサであって、耐湿性及び耐電
圧特性を向上させることができる。

【００２４】請求項５に記載の発明は、請求項２〜４に
おいて、端面の導電膜の上に、端子電極を備えたことを
特徴とするコンデンサであって、導電膜を保護すること
ができると共に、基板への接合が容易である。

【００２５】請求項６に記載の発明は、両端に端子部
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備えた
基体と、軸芯部の対向する一対の面に形成され、一対の
面で互いに異なる端子部と間隙を介し、一対の面で互い
に異なる端子部に引き出された導電膜とを備えたことを
特徴とするコンデンサであって、大きな静電容量を得る
ことができる。

【００２６】請求項７に記載の発明は、請求項６におい
て、軸芯部と端子部の間に傾斜部を備えたことを特徴と
するコンデンサであって、気泡の発生を抑制して外装材
を充填することができる。

【００２７】請求項８に記載の発明は、請求項７におい
て、軸芯部と傾斜部のなす角度が、９０度〜１５０度で
あることを特徴とするコンデンサであって、気泡の発生
を抑制して最適に外装材を充填することができる。

【００２８】請求項９に記載の発明は、請求項６〜８に
おいて、基体の端子部の高さと軸芯部の高さの比が、
１：０．５〜０．８５であることを特徴とするコンデン
サであって、基体の強度を確保できる。

【００２９】請求項１０に記載の発明は、請求項６〜９
において、両端の端子部間に、軸芯部を覆う外装材を備
えたことを特徴とするコンデンサであって、耐湿性及び
耐電圧特性を向上させることができる。

【００３０】請求項１１に記載の発明は、請求項１０に
おいて、外装材と両端の端子部が、略面一であることを
特徴とするコンデンサであって、確実に基板に接合する
ことができ、実装性に優れる。

【００３１】請求項１２に記載の発明は、請求項６〜１
１において、端子部の導電膜の上に、端子電極を備えた
ことを特徴とするコンデンサであって、導電膜を保護す
ることができると共に、基板への接合が容易である。

【００３２】請求項１３に記載の発明は、略直方体の基
体と、基体の対向する一対の側面に形成され、一対の側
面で互いに異なる端面と間隙を介し、一対の側面で互い
に異なる端面に引き出された導電膜とを備えたことを特
徴とするコンデンサであって、大きな静電容量を得るこ
とができる。

【００３３】以下、本発明の実施の形態について、本発
明のコンデンサについて、図面を参照しながら詳しく説
明する。

【００３４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１におけるコンデンサを示す斜視図であり、図１
（ａ）は上方からの斜視図、図１（ｂ）は下方からの斜
視図を示している。

【００３５】図１において、１は基体、２は導電膜、
４，５は間隙、８は端子部である。また、１００はコン
デンサを示している。

【００３６】図１に示すように、コンデンサ１００は、
対向する２つの端面と、４つの側面を有する略直方体の
基体１を備え、略直方体の基体１の両端部が端子部８と
なっている。

【００３７】そして、基体１の対向する一対の側面及び
端子部８には導電膜２が形成されている。この導電膜２
は、対向する一対の側面で互いに異なる端子部８と間隙
４，５を介し、対向する一対の側面で互いに異なる端子
部８に引き出されている。

【００３８】即ち、コンデンサ１００には、基体１の表
裏で、互いに異なる端面に引き出された導電膜２が形成
され、基体１の表裏でそれぞれ間隙４，５によって分離
されている。そして、互いに異なる端面に引き出された
導電膜２のそれぞれが基体１の端子部８を覆う構成であ
り、互いに対向する端子部８間において、基体１の表裏
に形成され、導電膜２を分離する間隙４と間隙５とは点
対称の関係にある。

【００３９】そして、図示はしていないが、コンデンサ
１００の端子部８の部分を除いて外装材を形成し、更
に、端子部８の導電膜２に対して、導電膜２を覆うよう
に端子電極を形成してもよい。

【００４０】なお、端子電極を設けずに、端子部８で露
出している導電膜２をそのまま電極として用いても良
い。また、端子部８における導電膜２は、基体１の側面
にのみ設け、端面には設けなくてもよい。

【００４１】ここで、図２は、本発明の実施の形態１に
おけるコンデンサを示す斜視図であり、図２（ａ）は上
方からの斜視図、図２（ｂ）は下方からの斜視図を示し
ている。

【００４２】図２に示したコンデンサ１１０は、基体１
の対向する一対の側面及び端面に導電膜２が形成されて
いる。この導電膜２は、対向する一対の側面で互いに異
なる端面と間隙４，５を介し、対向する一対の側面で互
いに異なる端面に引き出されている。即ち、コンデンサ
１１０には、基体１の表裏で、互いに異なる端面に引き
出された導電膜２が形成され、基体１の表裏でそれぞれ
間隙４，５によって分離されている。そして、互いに異
なる端面に引き出された導電膜２が基体１の端面で端子
部８を構成している。また、互いに対向する端子部８間
において、基体１の表裏に形成され、導電膜２を分離す
る間隙４と間隙５とは点対称の関係にある。

【００４３】また、コンデンサ１１０においては、端面
の端子部８の部分を除いて外装材を形成し、更に、端面
の端子部８の導電膜２に対して、導電膜２を覆うように
端子電極を形成してもよい。なお、端子電極を設けず
に、端子部８で露出している導電膜２をそのまま電極と
して用いても良い。

【００４４】また、外装材を基体１の側面に均一に設け
ることによって、外形が略直方体となり、チップコンデ
ンサとしての実装性に優れるものである。

【００４５】そして、本発明の実施の形態１におけるコ
ンデンサ１００，１１０は、対向する端子部８間におい
て、導電膜２を分離する間隙４と間隙５によって静電容
量を得ることができると共に、更に、基体１を介して互
いに対向する導線膜２が形成され、基体１の厚みによっ
て、静電容量を得ることができる。また、基体１の厚み
を変更することによって、所望の静電容量を得ることが
できる。

【００４６】次に、コンデンサ１００，１１０の各構成
について詳しく説明する。

【００４７】まず、基体１は、チタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸カルシウム等の誘電体材料の主成分に、酸
化ビスマス、酸化チタン、酸化マンガン等の添加剤やそ
の他焼成助剤等を混合して、これを焼成した誘電体セラ
ミックスで構成される。

【００４８】更に、基体１の表面に形成される導電膜２
としては、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎの中から選ばれる少
なくとも１種以上の金属を用いることができる。この中
でも、Ａｇは、Ｑ値が高いと言う理由で特に好ましい。

【００４９】（実施の形態２）図３（ａ）は本発明の実
施の形態２におけるコンデンサを示す透視斜視図であ
り、図３（ｂ）は本発明の実施の形態２におけるコンデ
ンサの外装材のない状態を示す斜視図である。また、図
４は本発明の実施の形態２におけるコンデンサを示す断
面図である。なお、図４は図３のＡ−Ａ線断面図であ
る。

【００５０】図３，４において、１は基体、２は導電
膜、４，５は間隙、６は外装材である。更に、７は軸芯
部、８は端子部、１０は傾斜部であり、２００はコンデ
ンサを示している。なお、θは傾斜部１０と軸芯部８と
がなす角度である。

【００５１】なお、図３，４では、実施の形態１の図
１，２で説明した部分と同じものには同じ符号を付して
いる。そして、本実施の形態２においては、コンデンサ
２００を構成する各部は、実施の形態１で説明したもの
と同様である。

【００５２】図３（ａ）に示すように、コンデンサ２０
０は、端子部８間に外装材６が充填され、外形が略直方
体である。

【００５３】更に、図４に示すように、基体１は、その
両端に端子部８、中央に軸芯部７を備えた構成であり、
基体１には外周に亘って凹部３が形成され、軸芯部７は
端子部８よりも外周に亘って凹んでいる。そして、この
凹んだ部分に外装材６が充填される。

【００５４】また、軸芯部７と、両端の端子部８との間
には、それぞれ傾斜部１０が形成されている。この傾斜
部１０を備えることによって、外装材６が確実かつ安定
して充填でき、本発明の実施の形態２におけるコンデン
サ２００においては、外装材６と基体１の間には、気泡
の抱き込みがほとんどないものとなっている。

【００５５】そして、この傾斜部１０と軸芯部７とがな
す角度θは、９０度〜１５０度であることが好ましい。
９０度以下であると、気泡が発生し、安定した外装材６
の充填が困難である。また、１５０度を超えると充填さ
れる外装材６が薄くなってしまい、耐湿性の低下など、
信頼性が悪くなる。

【００５６】更に、以上のような構成を有する基体１の
表面には、導電膜２が形成され、更に、軸芯部７におい
て導電膜２は間隙４，５によって分離されている。そし
て、図３（ｂ）、図４に示すように、軸芯部７の対向す
る一対の側面及び端子部８には導電膜２が形成され、こ
の導電膜２は、対向する一対の側面で互いに異なる端子
部８と間隙４，５を介し、対向する一対の側面で互いに
異なる端子部８に引き出されている。即ち、コンデンサ
２００には、基体１の軸芯部７の表裏で、互いに異なる
方向に引き出された導電膜２が形成され、基体１の表裏
でそれぞれ間隙４，５によって分離されている。そし
て、互いに異なる方向に引き出された導電膜２のそれぞ
れが端子部８を覆う構成であり、互いに対向する端子部
８間において、基体１の表裏に形成され、導電膜２を分
離する間隙４と間隙５とは点対称の関係にある。また、
端子部８における導電膜２は、側面にのみ設け、端面に
は設けなくてもよい。

【００５７】そして、図３（ａ）、図４に示すように、
間隙４，５、軸芯部７及び傾斜部１０に形成された導電
膜２を覆うように外装材６が形成されている。

【００５８】また、外装材６で被覆されていない端子部
８の導電膜２の上には、導電膜２を覆うように端子電極
９が形成されている。なお、端子電極９を設けずに、端
子部８で露出している導電膜２をそのまま電極として用
いても良い。

【００５９】また、外装材６と端子部８は略面一であ
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、コンデンサ２００の
外形は略直方体であることが実装性に優れるので好まし
いが、チップコンデンサとしての実装性を阻害しない範
囲で、円柱状、多角形状であってもよい。

【００６０】次に、コンデンサ２００の各構成について
詳しく説明する。

【００６１】まず、基体１は、チタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸カルシウム等の誘電体材料の主成分に、酸
化ビスマス、酸化チタン、酸化マンガン等の添加剤やそ
の他焼成助剤等を混合して、これを焼成した誘電体セラ
ミックスで構成される。

【００６２】また、基体１は中央の軸芯部７がその両端
の端子部８よりも外周に亘って凹んでいる形状であり、
軸芯部７と端子部８との間に傾斜部１０を備えている。

【００６３】この基体１の形成方法としては、金型に上
記した誘電体材料を装填して所定形状に加圧成形し、こ
れを焼成することによって形成される。或いは、焼成さ
れた略直方体のベース基体の中央を削って軸芯部７及び
傾斜部１０を形成してもよい。

【００６４】ここで、図５（ａ）は本発明の実施の形態
２におけるコンデンサを示す断面図であり、図３のＢ−
Ｂ線断面図である。図５（ａ）に示すように、軸芯部７
の断面形状は、端子部８と相似形状となっている。即
ち、本発明の実施の形態２において端子部８の断面形状
は略四角形であり、軸芯部７の断面形状もその相似形状
である略四角形となっている。

【００６５】なお、図５（ｂ），（ｃ）は本発明の実施
の形態２におけるコンデンサの他の例を示す断面図であ
り、図５（ｂ），（ｃ）に示すように、軸芯部７の形状
を円形や６角形等として、端子部８の断面形状と異なら
せてもよい。

【００６６】また、端子部８の断面形状は略四角形であ
ることが実装性に優れるので好ましいが、チップコンデ
ンサの実装性を阻害しない範囲で、円柱状、三角形、五
角形等の多角形状であってもよい。

【００６７】更に、基体１の表面に形成される導電膜２
としては、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎの中から選ばれる少
なくとも１種以上の金属を用いることができる。この中
でも、Ａｇは、Ｑ値が高いと言う理由で特に好ましい。

【００６８】また、外装材６としては、絶縁性を有する
材料を用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることが
できる。この中でも、絶縁性樹脂が加工適正、低価格で
あり好ましく、更に、熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、
耐湿性に優れているので特に好ましい。

【００６９】また、端子電極９は、実装時の半田付け性
を向上させ、導電膜４を保護することができる。この端
子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれる
少なくとも１種以上の材料を用いることができる。この
中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極は、
半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に好ま
しい。

【００７０】そして、導電膜２としてＡｇを用い、その
上にＮｉ層、更にＳｎまたは半田を形成した端子電極９
を用いることで、Ｑ値を高くすることが可能であり、半
田付性および耐熱性を向上させることができる。

【００７１】次に、本発明のコンデンサの製造方法につ
いて説明する。

【００７２】まず、金型に上記した誘電体材料を装填
し、加圧成形した後、これを焼成する。そして、焼成さ
れた略直方体のベース基体１の中央を外周に亘って削る
ことによって、両端の端子部８よりも外周に亘って凹ん
でいる軸芯部７を形成する。

【００７３】また、両端の端子部８よりも外周に亘って
凹んでいる軸芯部７を備えるように予め金型を形成し、
この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基
体１を形成してもよい。このように形成することで、基
体１を削る工程を無くすことができる。

【００７４】次に、この基体１に感光性樹脂を塗布し、
露光及び現像を行って、所定幅の間隙４，５を含む導電
膜２を形成しない部分をマスクする。或いは、所定幅の
間隙４，５を含む導電膜２を形成しない部分以外に導電
膜２を基体１に直接塗布形成してもよい。

【００７５】また、導電膜２の形成方法としては、導電
ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、
印刷法、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いる
ことができる。

【００７６】そして、所定幅の間隙４，５を含む導電膜
２を形成しない部分の感光性樹脂を除去し、所望の形状
にパターニングされた導電膜２を得ることができる。

【００７７】なお、所定幅の間隙４，５を含む導電膜２
を形成しない部分をマスクする感光性樹脂に、無電解メ
ッキが付着しないタイプの感光性樹脂を用い、導電膜２
としてＣｕを用い、これを無電解メッキすることで、マ
スクした部分にはＣｕ導電膜２が形成されず、基体１の
表面にのみＣｕ導電膜２が形成される。この場合、マス
クに用いた感光性樹脂は除去してもよいし、そのまま残
しておいてもよい。

【００７８】更に、種々の成膜方法によって、一旦導電
膜２を基体１の表面全面に形成した後、所定幅の間隙
４，５を含む導電膜２を形成しない部分のみを研磨、レ
ーザートリミング、物理的或いは化学的エッチング等の
方法によって除去してもよい。この中でも、レーザート
リミングは高精度であり好ましい。更に、レーザートリ
ミングにより導電膜２の不要な部分を除去する場合にお
いて、まず、レーザートリミングで不要部分の導電膜２
の所定厚み分を除去する。次に、不要部分及びその他の
部分を含め全体を一律にエッチングする。このエッチン
グは不要部分の導電膜２の膜厚が完全に除去されるまで
行う。これによって、不要部分以外の導電膜２は残留
し、所望の形状にパターニングされた導電膜２を得るこ
とができる。この方法によれば、レーザートリミングに
よって、基体１の表面に形成された導電膜２を除去する
際に、レーザーの熱が基体１にも達し、基体１の材料を
熱変性させ、特性を劣化させてしまう可能性があった
が、レーザーの熱による基体１の特性劣化を防ぐことが
できる。

【００７９】更に、軸芯部７及び傾斜部１０に形成され
た導電膜２を覆うように、上記した絶縁性を有する材料
を用いて外装材６を充填する。

【００８０】次に、端子部８の導電膜２に対して、導電
膜２を覆うように端子電極９を形成する。

【００８１】そして、本発明の実施の形態２におけるコ
ンデンサ２００は、外形が略直方体となり、チップコン
デンサとしての実装性に優れる。

【００８２】（実施の形態３）図６は、本発明の実施の
形態３におけるコンデンサを示す断面図である。図６に
おいて、３００はコンデンサ、Ａは端子部８の高さであ
り、Ｂは軸芯部７の高さである。

【００８３】なお、図６では、実施の形態１，２で説明
した部分と同じものには同じ符号を付している。そし
て、本実施の形態３においても、コンデンサ３００を構
成する各部は、実施の形態１，２で説明したものと同様
であり、詳しい説明は省略する。

【００８４】コンデンサ３００の基体１は、その機械的
強度、諸特性を維持するために以下のような構成となっ
ている。

【００８５】即ち、端子部８の高さＡと、軸芯部７の高
さＢとの寸法比は、Ｂ／Ａ＝０．５〜０．８５である。
つまり、端子部８の高さＡと、軸芯部７の高さＢの比
が、Ａ：Ｂ＝１：０．５〜０．８５の範囲にある。

【００８６】この値が、０．５未満であると、機械的強
度が不足して、コンデンサ製品として品質を維持するこ
とができない。

【００８７】また、この値が、０．８５を超えると、充
填される外装材６の厚みが不足し、耐湿性の低下など、
信頼性が悪くなる。

【００８８】なお、本実施の形態３において、コンデン
サ３００は傾斜部１０を有していない基体１で説明した
が、実施の形態２で説明したコンデンサ２００のように
傾斜部１０を備えていても良いことは言うまでもない。

【００８９】

【実施例】次に、本実施の形態２，３のコンデンサにつ
いて実施例、比較例により詳細に説明する。なお、本発
明は以下の実施例等により、なんら限定されるものでは
ない。

【００９０】（実施例１）主成分であるチタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸カルシウム粉末及び添加剤である酸
化ビスマス、酸化チタン、酸化マンガンの各粉末を電子
天秤で所定量を秤量し、ボールミル中に水とともに投入
して所定時間混合し、その後乾燥してベース粉末を得
た。

【００９１】次に、ベース粉末を通常の窯業手法で造粒
し、所定量を型に入れ押し固めて、焼成炉にて１３００
〜１４００℃、２時間の条件で焼成して、図３，４に示
すようなセラミック基体１を得た。なお、傾斜部１０と
軸芯部７とがなす角度θは９５度である。

【００９２】次に、銀ペーストをディップまたは転写す
る印刷法で銀ペーストを所定の場所に塗布し、その銀ペ
ーストを６００〜９００℃で焼き付ける銀ぺ―スト焼き
付け法によって、間隙４，５及びＡｇからなる導電膜２
を形成した。

【００９３】次に、熱硬化型のエポキシ樹脂を塗布して
外装材６を形成した。

【００９４】更に、露出している導電膜２上に、電解Ｎ
ｉ鍍金を施し、更にその上にＳｎの電解鍍金を施して端
子電極９を形成し、本実施例１のチップ型セラミックコ
ンデンサを完成させた（試作数：ｎ＝１５）。

【００９５】（比較例１）実施例１と同様な組成、形成
方法によって、基体１を一旦作成し、基体１を研磨して
傾斜部１０と軸芯部７とがなす角度θが８５度である基
体１を得た。また、この基体１を実施例１と同様に加工
して、比較例１のチップ型セラミックコンデンサを完成
させた（試作数：ｎ＝１５）。

【００９６】（比較例２）実施例１とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、傾斜部１０と軸芯部７とがなす角度θが９０度であ
る基体１を得た。また、この基体１を実施例１と同様に
加工して、比較例２のチップ型セラミックコンデンサを
完成させた（試作数：ｎ＝１５）。

【００９７】（実施例２）実施例１とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、傾斜部１０と軸芯部７とがなす角度θが１５０度で
ある基体１を得た。また、この基体１を実施例１と同様
に加工して、実施例２のチップ型セラミックコンデンサ
を完成させた（試作数：ｎ＝１５）。

【００９８】（比較例３）実施例１とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、傾斜部１０と軸芯部７とがなす角度θが１６０度で
ある基体１を得た。また、この基体１を実施例１と同様
に加工して、比較例３のチップ型セラミックコンデンサ
を完成させた（試作数：ｎ＝１５）。

【００９９】次に、作成した実施例１，２及び比較例１
〜３のチップ型セラミックコンデンサについて次の評価
を行った。

【０１００】まず、外装材６の気泡発生の有無を確認し
た。評価方法は、傾斜面に垂直に切断した後研磨して、
傾斜部断面を顕微鏡にて観察した（ｎ＝５）。更に、耐
電圧特性の評価として直流の昇圧破壊電圧（ＢＤＶ）を
測定した。昇圧破壊電圧（ＢＤＶ）は菊水電子製耐圧計
を使用して空気中で測定し（ｎ＝１０）、その平均値を
算出した。この結果を（表１）に示す。

【０１０１】

【表１】

【０１０２】（表１）から明らかなように、傾斜部１０
と軸芯部７とがなす角度θが９０〜１５０度の範囲であ
れば、気泡の発生を抑制することが出来ると共に、耐電
圧性も良好であった。

【０１０３】（実施例３）実施例１とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、図６に示すセラミックの基体１を得た。なお、端子
部８の高さＡ（２．５ｍｍ）と、軸芯部７の高さＢ
（１．３ｍｍ）の比は、Ａ：Ｂ＝１：０．５２である。

【０１０４】そして、銀ペーストをディップまたは転写
する印刷法で銀ペーストを所定の場所に塗布し、その銀
ペーストを６００〜９００℃で焼き付ける銀ぺ―スト焼
き付け法によって、間隙４，５及びＡｇからなる導電膜
２を形成した。

【０１０５】次に、熱硬化型のエポキシ樹脂を塗布して
外装材６を形成した。

【０１０６】更に、露出している導電膜４上に、電解Ｎ
ｉ鍍金を施して更にその上にＳｎまたは半田の電解鍍金
を施して端子電極９を形成し、本実施例３のチップ型セ
ラミックコンデンサを完成させた（試作数：ｎ＝２
０）。

【０１０７】（比較例４）実施例３とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、端子部８の高さＡ（２．５ｍｍ）と、軸芯部７の高
さＢ（１．０ｍｍ）の比が、Ａ：Ｂ＝１：０．４である
基体１を得た。また、この基体１を実施例３と同様に加
工して、比較例４のチップ型セラミックコンデンサを完
成させた（試作数：ｎ＝２０）。

【０１０８】（実施例４）実施例３とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、端子部８の高さＡ（２．５ｍｍ）と、軸芯部７の高
さＢ（２．１ｍｍ）の比が、Ａ：Ｂ＝１：０．８４であ
る基体１を得た。また、この基体１を実施例３と同様に
加工して、実施例４のチップ型セラミックコンデンサを
完成させた（試作数：ｎ＝２０）。

【０１０９】（比較例５）実施例３とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、端子部８の高さＡ（２．５ｍｍ）と、軸芯部７の高
さＢ（２．３ｍｍ）の比が、Ａ：Ｂ＝１：０．９２であ
る基体１を得た。また、この基体１を実施例３と同様に
加工して、比較例５のチップ型セラミックコンデンサを
完成させた（試作数：ｎ＝２０）。

【０１１０】次に、作成した実施例３，４及び比較例
４，５のチップ型セラミックコンデンサについて次の評
価を行った。

【０１１１】耐電圧特性の評価は直流の昇圧破壊電圧で
評価した。昇圧破壊電圧（ＢＤＶ）は菊水電子製耐圧計
を使用して空気中で測定し（ｎ＝１０）、その平均値を
算出した。更に、たわみ強度を測定した。たわみ強度
は、ＪＩＳ Ｃ６４２９付属書２に基づき、プリント基
板のランド部にクリーム半田を塗着し、リフロー工程に
より、各チップ型セラミックコンデンサを半田付けし、
所定の治具を使用し、チップ型セラミックコンデンサに
プリント基板ごとたわみ応力を加えて、チップ型セラミ
ックコンデンサが破壊するまでのたわみの寸法を測定し
（ｎ＝１０）、その平均値を算出した。

【０１１２】これらの結果を（表２）に示す。

【０１１３】

【表２】

【０１１４】（表２）から明らかなように、端子部８の
高さＡと、軸芯部７の高さＢの比が、Ａ：Ｂ＝１：０．
５〜０．８５の範囲であれば、機械的強度及び耐電圧も
維持可能であった。

【０１１５】また、昇圧破壊電圧（ＢＤＶ）、たわみ強
度については、平均値に加え、最小値を記載している。
更に、Ｂ／Ａが大きくなると、ショート部位は間隙４
（或いは５）から外装材６表面へと移行した。

【０１１６】（実施例５）実施例１とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、図３，４に示すようなセラミック基体１を得た。

【０１１７】そして、銀ペーストをディップまたは転写
する印刷法で銀ペーストを所定の場所に塗布し、その銀
ペーストを６００〜９００℃で焼き付ける銀ぺ―スト焼
き付け法によって、間隙４，５及びＡｇからなる導電膜
２を形成した。

【０１１８】次に、熱硬化型のエポキシ樹脂を塗布して
外装材６を形成した。

【０１１９】更に、露出している導電膜４上に、Ｎｉ鍍
金を施して更にその上にＳｎの電解鍍金を施して端子電
極９を形成し、本実施例５のチップ型セラミックコンデ
ンサを完成させた（試作数：ｎ＝１２０）。

【０１２０】（比較例６）実施例５とベース粉末を入れ
る型のみを変え、その他は同様な組成、形成方法によっ
て、図２４に示すようなセラミック基体１を得た。ま
た、この基体１を実施例５と同様に加工して、比較例６
のチップ型セラミックコンデンサを完成させた（試作
数：ｎ＝１２０）。

【０１２１】なお、実施例５及び比較例６の外形寸法、
端子部８、軸芯部７の寸法、傾斜部１０と軸芯部７とが
なす角度θを（表３）にまとめて示す。

【０１２２】

【表３】

【０１２３】なお、実施例５のチップ型セラミックコン
デンサにおいては、端子部８の断面形状、軸芯部７の断
面形状が共に略長方形であり、（表３）に示すように、
寸法はそれぞれ、端子部８＝幅３．２ｍｍ×高さ２．５
ｍｍ、軸芯部７＝幅２．６ｍｍ×高さ１．５ｍｍとなっ
ている。そして、端子部８の高さ（２．５ｍｍ）と、軸
芯部７の高さ（１．５ｍｍ）の比は１：０．６、端子部
８の幅（３．２ｍｍ）と、軸芯部７の幅（２．６ｍ）の
比は１：０．８１であり、本発明による１：０．５〜
０．８５の範囲を満たすものである。また、傾斜部１０
は軸芯部７（長さ２．３ｍｍ）とその両端にある端子部
８（長さ各０．６ｍｍ）間の幅０．５ｍｍ内で傾斜する
ものである。

【０１２４】次に、作成した実施例５及び比較例６のチ
ップ型セラミックコンデンサについて次の評価を行っ
た。

【０１２５】まず、耐電圧特性を評価するため直流の昇
圧破壊電圧（ＢＤＶ）を測定した。昇圧破壊破壊電圧
（ＢＤＶ）は菊水電子製耐圧計を使用して空気中で測定
し、平均値と標準偏差を算出した（ｎ＝１０）。静電容
量（Ｃａｐ）およびＱ値はＹＨＰ製ＬＣＲメータ４２８
４Ａを使用して１Ｖ／１ＭＨｚの信号電圧下で測定し、
平均値と標準偏差を算出した（ｎ＝１０）。

【０１２６】これらの結果を（表４）に示す。

【０１２７】

【表４】

【０１２８】更に、プリント基板のランド部にクリーム
半田を塗着し、リフロー工程により、各チップ型セラミ
ックコンデンサを半田付けし、その接続状態を評価した
（ｎ＝１００）。

【０１２９】この結果を（表５）に示す。

【０１３０】

【表５】

【０１３１】（表４），（表５）から明らかなように、
本発明のコンデンサは、電気特性も良好であり、実装性
にも優れるものであった。

【０１３２】（実施の形態４）図７は、本発明の実施の
形態４におけるコンデンサを示す斜視図であり、図８は
本発明の実施の形態４におけるコンデンサを示す断面図
である。なお、図８（ａ）は図７のＡ−Ａ線断面図、図
８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線断面図、図８（ｃ）は図７の
Ｃ−Ｃ線断面図である。

【０１３３】図７，８において、７０は中央対向部であ
る。また、４００はコンデンサを示している。また、Ｌ
は凹部３に挟まれた中央対向部７０の基体１の厚みであ
る。

【０１３４】なお、図７，８では、実施の形態１〜３で
説明した部分と同じものには同じ符号を付している。そ
して、本実施の形態４においても、コンデンサ４００を
構成する各部は、実施の形態１〜３で説明したものと同
様であり、詳しい説明は一部省略する。

【０１３５】図７に示すように、コンデンサ４００は、
基体１の両端部に端子電極９を備え、端子電極９間の凹
部３に外装材６が充填され、外形が略直方体である。

【０１３６】更に、図８（ａ）に示すように、コンデン
サ４００は、略直方体である基体１の対向する一対の面
に凹部３がそれぞれ形成されている。この対向する凹部
３の深さは任意であり、対向する凹部３の深さによっ
て、基体１の中央対向部７０の厚みＬが決定される。対
向する凹部３は、中央対向部７００を挟み対称形状であ
り、体積も同一である事が好ましいが、互いに異なって
いてもよい。

【０１３７】また、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す
ように、基体１の表面には、対向する凹部３で、即ち、
基体１の中央対向部７０の表裏で、互いに異なる端面に
引き出された導電膜２が形成されている。更に、導電膜
２は、基体１の中央対向部７０の表裏でそれぞれ間隙
４，５によって分離されている。

【０１３８】そして、互いに異なる端面に引き出された
導電膜２のそれぞれが基体１の端子部８を覆う構成であ
り、互いに対向する端子部８間において、基体１の中央
対向部７０の表裏に形成され、導電膜２を分離する間隙
４と間隙５とは点対称の関係にある。

【０１３９】更に、対向する凹部３には、それぞれ外装
材６が充填され、基体１の中央対向部７０の表裏の導電
膜２及び間隙４，５を覆う構成となっている。

【０１４０】また、端子部８の導電膜２に対して、導電
膜２を覆うように端子電極９が形成されている。なお、
端子電極９を設けずに、端子部８で露出している導電膜
２をそのまま電極として用いても良い。

【０１４１】また、外装材６を端子部８と略面一に充填
することで、外形が略直方体となり、チップコンデンサ
としての実装性に優れるものである。

【０１４２】そして、本発明の実施の形態４におけるコ
ンデンサ４００は、対向する端子部８間において、導電
膜２を分離する間隙４と間隙５によって静電容量を得る
ことができると共に、更に、中央対向部７０を介して互
いに対向する導線膜３が形成され、基体１の中央対向部
７０の厚みＬによって、静電容量を得ることができる。
また、基体１の中央対向部７０の厚みＬを変更すること
によって、所望の静電容量を得ることができる。

【０１４３】特に、大きな静電容量を得るために、基体
１の中央対向部７０の厚みＬを小さくしても、基体１の
中央対向部７０を取り囲む基体１の存在によって、コン
デンサ１００の機械的強度を維持することが可能であ
る。

【０１４４】次に、コンデンサ４００の製造方法につい
て説明する。

【０１４５】図９は、本発明の実施の形態４におけるコ
ンデンサの基体を示す斜視図であり、図１０は、本発明
の実施の形態４におけるコンデンサの凹部を形成した基
体を示す斜視図である。

【０１４６】図９，１０に示すように、基体１は略直方
体であり、基体１の対向する一対の面に凹部３がそれぞ
れ形成されている。なお、図１０では一方の凹部３のみ
が示されている。

【０１４７】この基体１の形成方法としては、まず、金
型に上記した誘電体材料を装填し加圧成形後これを焼成
する。そして、焼成されたこの略直方体のベース基体１
の対向する一対の面の中央を削ることによって、凹部３
を形成する。

【０１４８】また、基体１の対向する一対の面の中央に
それぞれ凹部３を備えるように予め金型を形成し、この
金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成してもよ
い。このように形成することで、基体１を削る工程を無
くすことができる。

【０１４９】ここで、図１１は、本発明の実施の形態４
におけるコンデンサを示す斜視図であり、図１１（ａ）
は上方からの斜視図、図１１（ｂ）は下方からの斜視図
を示している。

【０１５０】図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、基体
１の表裏に導電膜２が形成される。図１１（ａ）に示す
ように、凹部３において導電膜２は間隙４を備えるよう
に形成され、図１１（ｂ）に示すように、凹部３におい
て導電膜２は間隙５を備えるように形成される。

【０１５１】導電膜２の形成方法としては、実施の形態
２で説明した方法と同様であり、その概略は、導電ペー
ストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、印刷
法、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いること
ができる。基体１の表面において、端子部８及び凹部３
の一部を除いた導電膜２が形成されない部分や、間隙
４，５は、導電膜２を形成する前にマスキングし、導電
膜２を形成した後マスク材料を除去する、或いは、基体
１の全面に導電膜２を形成した後、エッチングやレーザ
ートリミング、研磨等によって、不要な導電膜２を除去
することによって形成される。

【０１５２】次に、図１２に示すように、凹部３に上記
した絶縁性を有する材料を用いて外装材６を充填する。
なお、図１２は、本発明の実施の形態４におけるコンデ
ンサを示す斜視図である。外装材６は端子部８と略面一
に形成することが好ましい。

【０１５３】更に、図１３は、本発明の実施の形態４に
おけるコンデンサを示す斜視図であり、図１３に示すよ
うに、端子部８の導電膜２に対して、導電膜２を覆うよ
うに端子電極９を形成する。

【０１５４】そして、本発明の実施の形態４におけるコ
ンデンサ４００は、外形が略直方体となり、チップコン
デンサとしての実装性に優れる。

【０１５５】（実施の形態５）図１４は、本発明の実施
の形態５におけるコンデンサを示す斜視図であり、図１
５は本発明の実施の形態５におけるコンデンサを示す断
面図である。なお、図１５（ａ）は図１４のＡ−Ａ線断
面図、図１５（ｂ）は図１４のＢ−Ｂ線断面図、図１５
（ｃ）は図１４のＣ−Ｃ線断面図である。

【０１５６】図１４，１５において、７１は突部、５０
０はコンデンサである。

【０１５７】なお、図１４，１５では、実施の形態１〜
４で説明した部分と同じものには同じ符号を付してい
る。そして、本実施の形態５においても、コンデンサ５
００を構成する各部は、実施の形態１〜４で説明したも
のと同様であり、詳しい説明は省略する。

【０１５８】図１４或いは図１５（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示すように、コンデンサ５００の基体１の中央
対向部７０には、導電膜２の引出方向に対して垂直に突
部７１が形成されている。突部７１は中央対向部７０の
表裏にそれぞれ２つずつ設けているが、これに限定され
るものでなく、更に増やして設けてもよく、中央対向部
７０の表裏のいずれか１方に、少なくとも１つ設ければ
よい。即ち、中央対向部７０の表裏のいずれか１方、或
いは両方に、少なくとも１つ以上設けることができる。

【０１５９】また、導電膜２は、基体１の中央対向部７
０の表裏でそれぞれ間隙４，５によって分離され、互い
に異なる端面に引き出された導電膜２のそれぞれが基体
１の端子部８を覆う構成であり、互いに対向する端子部
８間において、導電膜２を分離する間隙４と間隙５とは
点対称の関係にある。

【０１６０】そして、本発明の実施の形態５におけるコ
ンデンサ５００は、対向する端子部８間において、導電
膜２を分離する間隙４と間隙５によって静電容量を得る
ことができ、突部７１を設けることによって、導電膜２
の面積を増加させ、更に大きな静電容量を得ることがで
きると共に、中央対向部７０を介して互いに対向する導
電膜２が形成され、基体１の中央対向部７０の厚みＬに
よって、静電容量を得ることができる。

【０１６１】そして、突部７１の設置数や大きさにより
導電膜２の面積を変更し、更に基体１の中央対向部７０
の厚みＬを適宜設定することによって、容易に静電容量
を調整することができる。

【０１６２】（実施の形態６）図１６は、本発明の実施
の形態６におけるコンデンサを示す斜視図であり、図１
７は本発明の実施の形態６におけるコンデンサを示す断
面図である。なお、図１７（ａ）は図１６のＡ−Ａ線断
面図、図１７（ｂ）は図１６のＢ−Ｂ線断面図、図１７
（ｃ）は図１６のＣ−Ｃ線断面図である。

【０１６３】図１６，１７において、６００はコンデン
サである。

【０１６４】なお、図１６，１７では、実施の形態１〜
５で説明した部分と同じものには同じ符号を付してい
る。そして、本実施の形態６においても、コンデンサ６
００を構成する各部は、実施の形態１〜５で説明したも
のと同様であり、詳しい説明は省略する。

【０１６５】図１６或いは図１７（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示すように、コンデンサ３００の基体１の中央
対向部７０には、導電膜２の引出方向に対して平行に突
部７１が形成されている。突部７１は中央対向部７０の
表裏にそれぞれ１つずつ設けているが、これに限定され
るものでなく、増やして設けてもよく、中央対向部７０
の表裏のいずれか１方に、少なくとも１つ設ければよ
い。即ち、中央対向部７０の表裏のいずれか１方、或い
は両方に、少なくとも１つ以上設けることができる。

【０１６６】また、導電膜２は、基体１の中央対向部７
０の表裏でそれぞれ間隙４，５によって分離され、互い
に異なる端面に引き出された導電膜２のそれぞれが基体
１の端子部８を覆う構成であり、互いに対向する端子部
８間において、導電膜２を分離する間隙４と間隙５とは
点対称の関係にある。

【０１６７】そして、本発明の実施の形態６におけるコ
ンデンサ６００は、対向する端子部８間において、導電
膜２を分離する間隙４と間隙５によって静電容量を得る
ことができ、突部７１を設けることによって、導電膜２
の面積を増加させ、更に大きな静電容量を得ることがで
きると共に、中央対向部７０を介して互いに対向する導
電膜２が形成され、基体１の中央対向部７０の厚みＬに
よって、静電容量を得ることができる。

【０１６８】そして、突部７１の設置数や大きさにより
導電膜２の面積を変更し、更に基体１の中央対向部７０
の厚みＬを適宜設定することによって、容易に静電容量
を調整することができる。

【０１６９】（実施の形態７）図１８は、本発明の実施
の形態７におけるコンデンサを示す斜視図であり、図１
９は本発明の実施の形態７におけるコンデンサを示す断
面図である。なお、図１９（ａ）は図１８のＡ−Ａ線断
面図、図１９（ｂ）は図１８のＢ−Ｂ線断面図、図１９
（ｃ）は図１８のＣ−Ｃ線断面図である。

【０１７０】図１８，１９において、７００はコンデン
サである。

【０１７１】なお、図１８，１９では、実施の形態１〜
６で説明した部分と同じものには同じ符号を付してい
る。そして、本実施の形態７においても、コンデンサ７
００を構成する各部は、実施の形態１〜６で説明したも
のと同様であり、詳しい説明は省略する。

【０１７２】図１８或いは図１９（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示すように、コンデンサ７００の基体１の中央
対向部７０は、導電膜２の引出方向に対して平行に波状
の突部７１が形成されている。波状の突部７１の折り返
し数は任意であり、少なくとも１回折り返して設けるこ
とができる。

【０１７３】また、導電膜２は、基体１の中央対向部７
０の表裏でそれぞれ間隙４，５によって分離され、互い
に異なる端面に引き出された導電膜２のそれぞれが基体
１の端子部８を覆う構成であり、互いに対向する端子部
８間において、導電膜２を分離する間隙４と間隙５とは
点対称の関係にある。

【０１７４】そして、本発明の実施の形態７におけるコ
ンデンサ７００は、対向する端子部８間において、導電
膜２を分離する間隙４と間隙５によって静電容量を得る
ことができ、波状の突部７１を設けることによって、導
電膜２の面積を増加させ、更に大きな静電容量を得るこ
とができると共に、中央対向部７０を介して互いに対向
する導電膜２が形成され、基体１の中央対向部７０の厚
みＬによって、静電容量を得ることができる。

【０１７５】そして、波状の突部７１の折り返し数や大
きさにより導電膜２の面積を変更し、更に基体１の中央
対向部７０の厚みＬを適宜設定することによって、容易
に静電容量を調整することができる。

【０１７６】（実施の形態８）図２０は、本発明の実施
の形態８におけるコンデンサを示す斜視図であり、図２
１は本発明の実施の形態８におけるコンデンサを示す断
面図である。なお、図２１（ａ）は図２０のＡ−Ａ線断
面図、図２１（ｂ）は図２０のＢ−Ｂ線断面図、図２１
（ｃ）は図２０のＣ−Ｃ線断面図である。

【０１７７】図２０，２１において、８００はコンデン
サである。

【０１７８】なお、図２０，２１では、実施の形態１〜
７で説明した部分と同じものには同じ符号を付してい
る。そして、本実施の形態８においても、コンデンサ８
００を構成する各部は、実施の形態１〜７で説明したも
のと同様であり、詳しい説明は省略する。

【０１７９】図２０或いは図２１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示すように、コンデンサ８００の基体１の中央
対向部７０は、導電膜２の引出方向に対して垂直に波状
の突部７１が形成されている。波状の突部７１の折り返
し数は任意であり、少なくとも１回折り返して設けるこ
とができる。

【０１８０】また、導電膜２は、基体１の中央対向部７
０の表裏でそれぞれ間隙４，５によって分離され、互い
に異なる端面に引き出された導電膜２のそれぞれが基体
１の端子部８を覆う構成であり、互いに対向する端子部
８間において、導電膜２を分離する間隙４と間隙５とは
点対称の関係にある。

【０１８１】そして、本発明の実施の形態８におけるコ
ンデンサ８００は、対向する端子部８間において、導電
膜２を分離する間隙４と間隙５によって静電容量を得る
ことができ、波状の突部７１を設けることによって、導
電膜２の面積を増加させ、更に大きな静電容量を得るこ
とができると共に、中央対向部７０を介して互いに対向
する導電膜２が形成され、基体１の中央対向部７０の厚
みＬによって、静電容量を得ることができる。

【０１８２】そして、波状の突部７１の折り返し数や大
きさにより導電膜２の面積を変更し、更に基体１の中央
対向部７０の厚みＬを適宜設定することによって、容易
に静電容量を調整することができる。

【０１８３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、大きな
静電容量を確保できると共に、信頼性が高いコンデンサ
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１におけるコンデンサを示
す斜視図

【図２】本発明の実施の形態１におけるコンデンサを示
す斜視図

【図３】（ａ）本発明の実施の形態２におけるコンデン
サを示す透視斜視図 （ｂ）本発明の実施の形態２におけるコンデンサの外装
材のない状態を示す斜視図

【図４】本発明の実施の形態２におけるコンデンサを示
す断面図

【図５】（ａ）本発明の実施の形態２におけるコンデン
サを示す断面図 （ｂ）本発明の実施の形態２におけるコンデンサの他の
例を示す断面図 （ｃ）本発明の実施の形態２におけるコンデンサの他の
例を示す断面図

【図６】本発明の実施の形態３におけるコンデンサを示
す断面図

【図７】本発明の実施の形態４におけるコンデンサを示
す斜視図

【図８】本発明の実施の形態４におけるコンデンサを示
す断面図

【図９】本発明の実施の形態４におけるコンデンサの基
体を示す斜視図

【図１０】本発明の実施の形態４におけるコンデンサの
凹部を形成した基体を示す斜視図

【図１１】本発明の実施の形態４におけるコンデンサを
示す斜視図

【図１２】本発明の実施の形態４におけるコンデンサを
示す斜視図

【図１３】本発明の実施の形態４におけるコンデンサを
示す斜視図

【図１４】本発明の実施の形態５におけるコンデンサを
示す斜視図

【図１５】本発明の実施の形態５におけるコンデンサを
示す断面図

【図１６】本発明の実施の形態６におけるコンデンサを
示す斜視図

【図１７】本発明の実施の形態６におけるコンデンサを
示す断面図

【図１８】本発明の実施の形態７におけるコンデンサを
示す斜視図

【図１９】本発明の実施の形態７におけるコンデンサを
示す断面図

【図２０】本発明の実施の形態８におけるコンデンサを
示す斜視図

【図２１】本発明の実施の形態８におけるコンデンサを
示す断面図

【図２２】従来の積層チップコンデンサを示す斜視図

【図２３】従来の積層チップコンデンサの断面図

【図２４】従来のコンデンサの断面図

【図２５】従来のコンデンサの断面図

【符号の説明】

１ 基体 ２ 導電膜 ３ 凹部 ４，５ 間隙 ６ 外装材 ７ 軸芯部 ８ 端子部 ９ 端子電極 １０ 傾斜部 １１ 基体 １２ 内部電極 １３ 端子電極 １４ 導電膜 １５ 間隙 １６ 外装材 １７ 凹部 ２０ 積層チップコンデンサ ３０，４０ コンデンサ ７０ 中央対向部 ７１ 突部 １００〜８００ コンデンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 次郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 池邉 庄一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E001 AB06 AC08 AF02 AH01 AJ03

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】両端に端子部を備えた略直方体の基体と、
   前記基体の対向する一対の側面に形成され、前記一対の
   側面で互いに異なる前記端子部と間隙を介し、前記一対
   の側面で互いに異なる前記端子部に引き出された導電膜
   とを備えたことを特徴とするコンデンサ。
2. 【請求項２】両端に端子部を備えた略直方体の基体と、
   前記基体の対向する一対の側面にそれぞれ形成された凹
   部と、前記対向する凹部にそれぞれ形成され、前記対向
   する凹部で互いに異なる前記端子部と間隙を介し、前記
   対向する凹部で互いに異なる前記端子部に引き出された
   導電膜とを備えたことを特徴とするコンデンサ。
3. 【請求項３】前記基体の凹部に、突部を設けたことを特
   徴とする請求項２記載のコンデンサ。
4. 【請求項４】前記対向するそれぞれの凹部に、外装材を
   充填したことを特徴とする請求項２，３いずれか１記載
   のコンデンサ。
5. 【請求項５】前記端面の導電膜の上に、端子電極を備え
   たことを特徴とする請求項２〜４いずれか１記載のコン
   デンサ。
6. 【請求項６】両端に端子部と、前記端子部よりも外周に
   亘って凹んだ軸芯部とを備えた基体と、前記軸芯部の対
   向する一対の面に形成され、前記一対の面で互いに異な
   る前記端子部と間隙を介し、前記一対の面で互いに異な
   る前記端子部に引き出された導電膜とを備えたことを特
   徴とするコンデンサ。
7. 【請求項７】前記軸芯部と端子部の間に傾斜部を備えた
   ことを特徴とする請求項６記載のコンデンサ。
8. 【請求項８】前記軸芯部と前記傾斜部のなす角度が、９
   ０度〜１５０度であることを特徴とする請求項７記載の
   コンデンサ。
9. 【請求項９】前記基体の前記端子部の高さと前記軸芯部
   の高さの比が、１：０．５〜０．８５であることを特徴
   とする請求項６〜８いずれか１記載のコンデンサ。
10. 【請求項１０】前記両端の端子部間に、前記軸芯部を覆
    う外装材を備えたことを特徴とする請求項６〜９いずれ
    か１記載のコンデンサ。
11. 【請求項１１】前記外装材と前記両端の端子部が、略面
    一であることを特徴とする請求項１０記載のコンデン
    サ。
12. 【請求項１２】前記端子部の導電膜の上に、端子電極を
    備えたことを特徴とする請求項６〜１１いずれか１記載
    のコンデンサ。
13. 【請求項１３】略直方体の基体と、前記基体の対向する
    一対の側面に形成され、前記一対の側面で互いに異なる
    端面と間隙を介し、前記一対の側面で互いに異なる端面
    に引き出された導電膜とを備えたことを特徴とするコン
    デンサ。