JP2002367848A

JP2002367848A - 電子部品及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002367848A
Application number: JP2001172017A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Ikebe; 庄一池邉; Hideyuki Todaka; 秀幸戸▲高▼; Yoshiaki Fujimoto; 芳昭藤本
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-06-07
Filing date: 2001-06-07
Publication date: 2002-12-20

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、Ｑ値が高く、静電容量のばらつき
の小さい電子部品及びその製造方法を提供することを目
的とする。【解決手段】本発明の電子部品は、両端に端子部と、
端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備えた基体
と、基体の表面に形成された導電膜と、軸芯部で導電膜
を分離する間隙とを備えた電子部品であって、導電膜の
表面がエッチングにより粗面化された構成とし、本発明
の電子部品の製造方法は、基体の表面に形成された導電
膜にレーザーを照射し、導電膜の間隙形成部における導
電膜の一部を外周に亘って除去し、間隙形成部の導電膜
が完全に除去されると共に、間隙形成部以外の導電膜が
残存するように、間隙形成部を含む導電膜をエッチング
する構成としたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、モデムカード、ビ
デオカメラ、デジタルスチルカメラや、ノート型パーソ
ナルコンピュータ等の小型薄型電子機器及び携帯電話等
の高周波回路に、広く有用に使用されるコンデンサ等の
電子部品及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、高周波回路はリード線付の円板型
磁器コンデンサが用いられてきたが、近年のデジタル技
術の進歩によって、電子機器は小型薄型化され、それに
伴い面実装化が進み、部品のチップ化率も高まってい
る。

【０００３】そして、このような動向にあわせて、薄型
対応で、面実装可能な積層チップタイプのコンデンサが
開発され使用されている。

【０００４】ここで、従来の積層チップタイプのコンデ
ンサについて説明する。図９は従来の積層チップコンデ
ンサを示す斜視図であり、図１０は従来の積層チップコ
ンデンサの断面図である。なお、図１０は図９のＡ−Ａ
線断面図である。

【０００５】図９，１０において、１は誘電体で構成さ
れた基体である。また、２は内部電極、３は端子電極で
ある。また、２０は積層チップコンデンサである。

【０００６】図９，１０に示すように、積層チップコン
デンサ２０は、直方体形状であり、基体１には、内部電
極２が形成されている。基体１は誘電体層が積層されて
構成され、内部電極２は、互いに誘電体層で分離されて
いる。また、基体１の端面で内部電極２と端子電極３は
導通する構成となっている。

【０００７】また、その他の従来のコンデンサとして
は、特開平３−２３２２１１号公報、或いは、特開平３
−２８０５１３号公報に開示されている。これらのコン
デンサを図１１に示して説明する。

【０００８】図１１は、従来のコンデンサの断面図であ
り、図１１において、４は導電膜、５は間隙、６は絶縁
被膜で構成された外装材である。また、３０はコンデン
サである。

【０００９】図１１に示すように、コンデンサ３０は、
円柱形等の基体１の表面に導電膜４が形成され、この導
電膜４を基体１の外周にわたって、レーザートリミング
することで、間隙５が形成される。そして、導電膜４が
一対の電極に分離されており、外装材６で覆われた構成
となっている。

【００１０】このコンデンサ３０では、レーザートリミ
ングパターンを変えることによって、間隙５の長さを変
え、任意の静電容量を得ることが可能である。

【００１１】更に、他の従来のコンデンサとして、特開
平１０−８３９３５号公報に開示されており、このコン
デンサを図１２に示して説明する。

【００１２】また、図１２は、従来のコンデンサの断面
図であり、図１２において、７は凹部であり、４０はコ
ンデンサである。

【００１３】図１２に示すように、コンデンサ４０は、
円柱状の基体１の表面に凹部７が形成され、その間の突
部の表面が間隙５をなしている。そして、間隙５を除く
基体１の表面に導電膜４を形成し、更に外装材６で覆う
構成である。また、導電膜４は、間隙５の両端側をそれ
ぞれ導電ペーストに浸積して塗布されて形成される。こ
のとき、凹部７間の突出した部分によって、導電ペース
トを堰き止めることが可能となり、所定の間隙５が形成
される。

【００１４】このコンデンサ４０は、ディップ塗装にお
いても、高い精度で導電膜４間の間隙５を形成すること
が可能で、外装材６の径も大きくならず、高い静電容量
値を得られると言うものである。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のコンデンサは以下の課題を有していた。

【００１６】まず、図９，１０で示した、従来の積層チ
ップコンデンサは、端子電極間に、外装材が形成されず
基体１が剥き出しであり、加えて、積層構造であるの
で、基体１を構成する誘電体層と内部電極２の隙間から
水分が浸入し易く、耐湿負荷寿命試験で、早期に短絡が
発生し、信頼性に劣ると言う問題がある。また、積層構
造であるので、プリント基体等に実装後の撓み強度が弱
いと言う問題もあった。

【００１７】また、図１１に示した従来のコンデンサに
おいては、絶縁被膜による外装材６の中央が厚くなると
言う問題や実装性に劣ると言う問題がある。

【００１８】加えて、図１１に示した従来のコンデンサ
の製造方法においては、導電膜４を基体１の外周にわた
って、レーザートリミングすることで、間隙５が形成さ
れるが、レーザーの熱エネルギーは導電膜４を除去する
だけでなく、導電膜４の下層の基体１にも伝わるので、
レーザートリミング時の発熱によって、基体１の材料特
性が劣化し、静電容量にばらつきが生じてしまうと言う
問題があった。更に、静電容量のばらつきだけでなく、
Ｑ値が低下すると言う問題があった。

【００１９】これを防止するため、導電膜４を除去する
のに必要な熱エネルギーのみが与えられるように、レー
ザー照射を調整するのは困難であり、下層の基体１への
影響をなくすためレーザーの出力を下げると、間隙５を
完全に形成できず、静電容量が得られないと言う問題も
あった。

【００２０】更に、図１２に示したコンデンサでは、基
体１に凹部７を設け、その間の突部にて導電ペーストを
堰き止め、ディップ塗装による導電膜４を形成可能と
し、その結果、絶縁被膜による外装材６の径が大きくな
るのを若干抑制しているものの、凹部７が設けられその
間に突部を備えた複雑な構造である。このような構造で
は、導電膜４の形成時には、導電ペーストを堰き止める
と言う利点はあるものの、外装材６を充填する場合に気
泡等を抱き込み易く、外装材６の充填を再現性高く安定
して行えないと言う課題を有していた。

【００２１】外装材６の充填に問題が生じると、所望の
特性を得ることができず、大量生産においては、耐電圧
にばらつきが発生してしまい、信頼性が低下すると言う
問題がある。

【００２２】また、外装材６が誘電体磁器基体１の外形
寸法よりも明らかにはみ出すと、実装時に問題があり、
図１２に示したコンデンサによる外装材６の径増大の抑
制では、十分とは言えない。

【００２３】加えて、コンデンサの基体に形成される凹
部と、そこに充填される外装材との関係は、耐電圧の安
定性や、基体の強度維持の観点から重要であるが、従来
の技術においては、これを満足することはできていな
い。

【００２４】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、Ｑ値が高く、静電容量のばらつきの小さい電子部品
及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の電子部品は、両端に端子部と、端子部よりも
外周に亘って凹んだ軸芯部とを備えた基体と、基体の表
面に形成された導電膜と、軸芯部で前記導電膜を分離す
る間隙とを備えた電子部品であって、導電膜の表面がエ
ッチングにより粗面化された構成としたものである。

【００２６】また本発明の電子部品の製造方法は、基体
の表面に導電膜を形成し、導電膜に導電膜を分離する間
隙を形成する電子部品の製造方法であって、基体の表面
に形成された導電膜にレーザーを照射し、導電膜の間隙
形成部における導電膜の一部を外周に亘って除去し、間
隙形成部の導電膜が完全に除去されると共に、間隙形成
部以外の導電膜が残存するように、間隙形成部を含む導
電膜をエッチングする構成としたものである。

【００２７】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、両端に
端子部と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを
備えた基体と、基体の表面に形成された導電膜と、軸芯
部で導電膜を分離する間隙とを備えた電子部品であっ
て、導電膜の表面がエッチングにより粗面化されたこと
を特徴とする電子部品であり、電子部品を被覆する外装
材との接着強度を向上させることができる。

【００２８】請求項２に記載の発明は、基体の表面に導
電膜を形成し、導電膜に導電膜を分離する間隙を形成す
る電子部品の製造方法であって、基体の表面に形成され
た導電膜にレーザーを照射し、導電膜の間隙形成部にお
ける導電膜の一部を外周に亘って除去し、間隙形成部の
導電膜が完全に除去されると共に、間隙形成部以外の導
電膜が残存するように、間隙形成部を含む導電膜をエッ
チングすることを特徴とする電子部品の製造方法であ
り、レーザートリミング時の発熱の影響を受けることな
く、基体の材料特性が劣化を防止することができ、静電
容量のばらつきを抑制し、Ｑ値の低下を防ぐことができ
る。更に、導電膜の表面がエッチングにより粗面化され
るので、電子部品を被覆する外装材との接着強度を向上
させることができる。

【００２９】請求項３に記載の発明は、基体の表面に導
電膜を形成し、導電膜に導電膜を分離する間隙を形成す
る電子部品の製造方法であって、基体の表面に、膜厚
（ｄ１＋ｄ２）の導電膜を形成し、基体の表面に形成さ
れた導電膜にレーザーを照射し、導電膜の間隙形成部に
おける導電膜の膜厚（ｄ１）を外周に亘って除去し、間
隙形成部を含む導電膜の膜厚（ｄ２）をエッチングして
除去することを特徴とする電子部品の製造方法であり、
レーザートリミング時の発熱の影響を受けることなく、
基体の材料特性が劣化を防止することができ、静電容量
のばらつきを抑制し、Ｑ値の低下を防ぐことができる。
更に、導電膜の表面がエッチングにより粗面化されるの
で、電子部品を被覆する外装材との接着強度を向上させ
ることができる。

【００３０】請求項４に記載の発明は、両端に端子部
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備えた
基体と、基体の表面に形成された導電膜と、軸芯部で導
電膜を分離する間隙とを備えた電子部品の製造方法であ
って、基体の表面に形成された導電膜にレーザーを照射
し、導電膜の間隙形成部における導電膜の一部を外周に
亘って除去し、間隙形成部の導電膜が完全に除去される
と共に、間隙形成部以外の導電膜が残存するように、間
隙形成部を含む導電膜をエッチングすることを特徴とす
る電子部品の製造方法であり、レーザートリミング時の
発熱の影響を受けることなく、基体の材料特性が劣化を
防止することができ、静電容量のばらつきを抑制し、Ｑ
値の低下を防ぐことができる。更に、導電膜の表面がエ
ッチングにより粗面化されるので、電子部品を被覆する
外装材との接着強度を向上させることができる。

【００３１】請求項５に記載の発明は、請求項４におい
て、両端の端子部間に、軸芯部を覆う外装材を形成する
ことを特徴とする電子部品の製造方法であり、耐湿性を
向上させることができる。

【００３２】請求項６に記載の発明は、請求項４，５に
おいて、端子部の導電膜の上に、端子電極を形成したこ
とを特徴とする電子部品の製造方法であり、導電膜を保
護することができると共に、基板への接合が容易であ
る。

【００３３】請求項７に記載の発明は、基体の表面に導
電膜を形成し、導電膜にスパイラル状の溝を形成する電
子部品の製造方法であって、基体の表面に、膜厚（ｄ１
＋ｄ２）の導電膜を形成し、基体の表面に形成された導
電膜にレーザーを照射し、導電膜の溝形成部における導
電膜の膜厚（ｄ１）をスパイラル状に除去し、溝形成部
を含む導電膜の膜厚（ｄ２）をエッチングして除去する
ことを特徴とする電子部品の製造方法であり、レーザー
トリミング時の発熱の影響を受けることなく、基体の材
料特性が劣化を防止することができ、Ｑ値の低下を防ぐ
ことができる。更に、導電膜の表面がエッチングにより
粗面化されるので、電子部品を被覆する外装材との接着
強度を向上させることができる。

【００３４】請求項８に記載の発明は、両端に端子部
と、端子部よりも外周に亘って凹んだ軸芯部とを備えた
基体と、基体の表面に形成された導電膜と、軸芯部で導
電膜に形成されたスパイラル状の溝とを備えた電子部品
の製造方法であって、基体の表面に形成された導電膜に
レーザーを照射し、導電膜の溝形成部における導電膜の
一部をスパイラル状に除去し、溝形成部の導電膜が完全
に除去されると共に、溝形成部以外の導電膜が残存する
ように、溝形成部を含む導電膜をエッチングすることを
特徴とする電子部品の製造方法であり、レーザートリミ
ング時の発熱の影響を受けることなく、基体の材料特性
が劣化を防止することができ、Ｑ値の低下を防ぐことが
できる。更に、導電膜の表面がエッチングにより粗面化
されるので、電子部品を被覆する外装材との接着強度を
向上させることができる。

【００３５】請求項９に記載の発明は、請求項８におい
て、両端の端子部間に、軸芯部を覆う外装材を形成する
ことを特徴とする記載の電子部品の製造方法であり、耐
湿性を向上させることができる。

【００３６】請求項１０に記載の発明は、請求項８，９
において、端子部の導電膜の上に、端子電極を形成した
ことを特徴とする電子部品の製造方法であり、導電膜を
保護することができると共に、基板への接合が容易であ
る。

【００３７】以下、本発明の電子部品及びその製造方法
について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、
本発明の実施の形態においては、電子部品としてコンデ
ンサを例に説明する。

【００３８】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１におけるコンデンサを示す透視斜視図であり、図
２は本発明の実施の形態１におけるコンデンサを示す断
面図である。なお、図２は図１のＡ−Ａ線断面図であ
る。

【００３９】図１，２において、１は基体、３は端子電
極、４は導電膜、５は間隙、６は外装材である。更に、
８は軸芯部、９は端子部、１０は傾斜部であり、１００
はコンデンサを示している。なお、θは傾斜部１０と軸
芯部８とがなす角度である。

【００４０】図１に示すように、コンデンサ１００は、
端子部９間に外装材６が充填され、外形が略直方体であ
る。

【００４１】更に、図２に示すように、基体１は、その
両端に端子部９、中央に軸芯部８を備えた構成であり、
軸芯部８は端子部９よりも外周に亘って凹んでいる。そ
して、この凹んだ部分に外装材６が充填される。

【００４２】また、軸芯部８と、両端の端子部９との間
には、それぞれ傾斜部１０が形成されている。この傾斜
部１０を備えることによって、外装材６が確実かつ安定
して充填でき、本発明の実施の形態１におけるコンデン
サ１００においては、外装材６と基体１の間には、気泡
の抱き込みがほとんどないものとなっている。

【００４３】そして、この傾斜部１０と軸芯部８とがな
す角度θは、９０度〜１５０度であることが好ましい。
９０度以下であると、気泡が発生し、安定した外装材６
の充填が困難である。また、１５０度を超えると充填さ
れる外装材６が薄くなってしまい、耐湿性の低下など、
信頼性が悪くなる。

【００４４】更に、以上のような構成を有する基体１の
表面には、導電膜４が形成され、更に、軸芯部８におい
て導電膜４は間隙５によって分離されている。そして、
間隙５、軸芯部８及び傾斜部１０に形成された導電膜４
を覆うように外装材６が形成されている。

【００４５】また、外装材６で被覆されていない端子部
９の導電膜４の上には、導電膜４を覆うように端子電極
３が形成されている。なお、端子電極３を設けずに、端
子部９で露出している導電膜４をそのまま電極として用
いても良い。

【００４６】また、外装材６と端子部９は略面一であ
り、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての
実装性に優れるものである。また、コンデンサ１００の
外形は略直方体であることが実装性に優れるので好まし
いが、チップコンデンサとしての実装性を阻害しない範
囲で、円柱状、多角形状であってもよい。

【００４７】更に、コンデンサ１００の各構成について
詳しく説明する。

【００４８】まず、基体１は、チタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸カルシウム等の誘電体材料の主成分に、酸
化ビスマス、酸化チタン、酸化マンガン等の添加剤やそ
の他焼成助剤等を混合して、これを焼成した誘電体セラ
ミックスで構成される。なお、基体１にはアルミナを用
いてもよい。

【００４９】また、基体１は中央の軸芯部８がその両端
の端子部９よりも外周に亘って凹んでいる形状であり、
軸芯部８と端子部９との間に傾斜部１０を備えている。

【００５０】この基体１の形成方法としては、金型に上
記した誘電体材料を装填して所定形状に形成し、これを
焼成することによって形成される。或いは、焼成された
略直方体のベース基体の中央を削って軸芯部８及び傾斜
部１０を形成してもよい。

【００５１】ここで、図３（ａ）は本発明の実施の形態
１におけるコンデンサを示す断面図であり、図１のＢ−
Ｂ線断面図である。図３（ａ）に示すように、軸芯部８
の断面形状は、端子部９と相似形状となっている。即
ち、本発明の実施の形態１において端子部９の断面形状
は略四角形であり、軸芯部８の断面形状もその相似形状
である略四角形となっている。

【００５２】なお、図３（ｂ），（ｃ）は本発明の実施
の形態１におけるコンデンサの他の例を示す断面図であ
り、図３（ｂ），（ｃ）に示すように、軸芯部８の形状
を円形や６角形等として、端子部９の断面形状と異なら
せてもよい。

【００５３】また、端子部９の断面形状は略四角形であ
ることが実装性に優れるので好ましいが、チップコンデ
ンサの実装性を阻害しない範囲で、円柱状、三角形、五
角形等の多角形状であってもよい。

【００５４】更に、基体１の表面に形成される導電膜４
としては、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ａｌの中から選ば
れる少なくとも１種以上の金属を用いることができる。
この中でも、Ａｇは、Ｑ値が高いと言う理由で特に好ま
しい。そして、導電膜４の表面は、間隙５の形成時のエ
ッチングによって、粗面化されており、外装材６との接
着強度を向上させることができる。

【００５５】また、外装材６としては、絶縁性を有する
材料を用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることが
できる。この中でも、絶縁性樹脂が加工適正、低価格で
あり好ましく、更に、熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、
耐湿性に優れているので特に好ましい。

【００５６】また、端子電極３は、実装時の半田付け性
を向上させ、導電膜４を保護することができる。この端
子電極３としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれる
少なくとも１種以上の材料を用いることができる。この
中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極は、
半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に好ま
しい。

【００５７】そして、導電膜４としてＡｇを用い、その
上にＮｉ層、更にＳｎまたは半田を形成した端子電極３
を用いることで、Ｑ値を高くすることが可能であり、半
田付性および耐熱性を向上させることができる。

【００５８】次に、本発明のコンデンサの製造方法につ
いて説明する。

【００５９】図４は、本発明の実施の形態１におけるコ
ンデンサの基体を示す断面図、図５は、本発明の実施の
形態１におけるコンデンサの導電膜を形成した状態を示
す断面図であり、図６は、本発明の実施の形態１におけ
るコンデンサの導電膜をレーザー除去した状態を示す断
面図、図７は、本発明の実施の形態１におけるコンデン
サの導電膜をエッチングした状態を示す断面図である。

【００６０】図４に示すように、基体１は中央の軸芯部
８がその両端の端子部９よりも外周に亘って凹んでいる
形状である。

【００６１】この基体１の形成方法としては、まず、金
型に上記した誘電体材料を装填して加圧形成し、これを
焼成する。なお、焼成された略直方体のベース基体の中
央を削って軸芯部８及び傾斜部１０を形成してもよい。

【００６２】そして、図５に示すように、基体１の表面
には導電膜４が形成される。この時、導電膜４の膜厚は
（ｄ１＋ｄ２）である。

【００６３】導電膜４の形成方法としては、導電ペース
トに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、印刷
法、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いること
ができる。

【００６４】次に、図６に示すように、導電膜４にレー
ザー（図示せず）を照射し、基体１に形成された導電膜
４を外周に亘って、その膜厚（ｄ１）を除去する。レー
ザーが照射されるのは、間隙５が形成される部分であ
り、この間隙形成部においては、導電膜４の初期膜厚
（ｄ１＋ｄ２）が、レーザー照射により膜厚（ｄ１）分
除去されて、膜厚（ｄ２）分が残存している。

【００６５】更に、図７に示すように、間隙形成部を含
む導電膜４をエッチングする。エッチング量は、少なく
とも間隙形成部の導電膜４が完全に除去される量であ
り、間隙形成部に残存する膜厚（ｄ２）分に等しい。

【００６６】そして、間隙形成部の導電膜４が完全に除
去され、間隙５が形成される。また、この時、間隙形成
部以外の導電膜４は、導電膜４の初期膜厚（ｄ１＋ｄ
２）が、エッチングにより膜厚（ｄ２）分除去されて、
膜厚（ｄ１）分が残存している。そして、その表面は粗
面化されている。

【００６７】なお、エッチング量は、間隙形成部に残存
する膜厚（ｄ２）以上でもよく、この場合には、間隙形
成部以外の残存する導電膜４の膜厚は（ｄ１）より薄く
なる。基体１の表面に残存する導電膜４の膜厚は１μｍ
以上であることが好ましい。

【００６８】次に、図示はしないが、上記した絶縁性を
有する材料を用いて外装材６を充填し、外装材６で被覆
されていない端子部９の導電膜４の上に、導電膜４を覆
うように端子電極３を形成し、図１，２に示す実施の形
態１におけるコンデンサ１００を得ることができる。

【００６９】そして、本発明の実施の形態１におけるコ
ンデンサ１００は、外形が略直方体となり、チップコン
デンサとしての実装性に優れる。

【００７０】（実施の形態２）図８は、本発明の実施の
形態２におけるコンデンサを示す断面図である。図８に
おいて、１１０はコンデンサ、Ａは端子部９の高さであ
り、Ｂは軸芯部８の高さである。

【００７１】なお、図８では、図１，２で説明した部分
と同じものには同じ符号を付している。そして、本実施
の形態２においては、コンデンサ１１０を構成する各部
は、実施の形態１で説明したものと同様であり、詳しい
説明は省略する。

【００７２】コンデンサ１１０の基体１は、その機械的
強度、諸特性を維持するために以下のような構成となっ
ている。

【００７３】即ち、端子部９の高さＡと、軸芯部８の高
さＢとの寸法比は、Ｂ／Ａ＝０．５〜０．８５である。
つまり、端子部９の高さＡと、軸芯部８の高さＢの比
が、Ａ：Ｂ＝１：０．５〜０．８５の範囲にある。

【００７４】この値が、０．５未満であると、機械的強
度が不足して、コンデンサ製品として品質を維持するこ
とができない。

【００７５】また、この値が、０．８５を超えると、充
填される外装材６の厚みが不足し、耐湿性の低下など、
信頼性が悪くなる。

【００７６】そして、本実施の形態２においても、導電
膜４の表面は、間隙５の形成時のエッチングによって、
粗面化されており、外装材６との接着強度を向上させる
ことができる。

【００７７】なお、本実施の形態２において、コンデン
サ１１０は傾斜部１０を有していない基体１で説明した
が、実施の形態１で説明したコンデンサ１００のように
傾斜部１０を備えていても良いことは言うまでもない。

【００７８】更に、本実施の形態２におけるコンデンサ
も、実施の形態１で説明した本発明のコンデンサの製造
方法によって製造することができるのは言うまでもな
い。

【００７９】また、本発明のコンデンサの製造方法によ
って製造されるコンデンサの形状は、実施の形態１，２
で説明した形状のコンデンサに限定されるものではな
い。即ち、本発明のコンデンサの製造方法は、導電膜４
を分離する間隙５によって静電容量を得ることが可能な
全てのコンデンサに適用することができる。

【００８０】更に、実施の形態１，２においては、電子
部品としてコンデンサを例に説明したが、コンデンサに
限定されるものではなく、インダクタやチップコイルに
も適用することが可能である。インダクタ等の場合で
は、基体１に形成された導電膜４に対し、実施の形態
１，２で説明したコンデンサにおける、導電膜４を分離
する間隙５の変わりに、スパイラル状の溝を形成するも
のである。

【００８１】

【実施例】次に、本発明のコンデンサについて実施例、
比較例により本発明を詳細に説明する。なお、本発明は
以下の実施例等により、なんら限定されるものではな
い。

【００８２】（実施例１）主成分であるチタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸カルシウム粉末及び添加剤である酸
化ビスマス、酸化チタン、酸化マンガンの各粉末を電子
天秤で所定量を秤量し、ボールミル中に水とともに投入
して所定時間混合し、その後乾燥してベース粉末を得
た。

【００８３】次に、ベース粉末を通常の窯業手法で造粒
し、所定量を型に入れ押し固めて、焼成炉にて１３００
〜１４００℃、２時間の条件で焼成して、図４に示すよ
うなセラミック基体１を得た。

【００８４】そして、図５に示したように、基体１にデ
ィップ法によって、Ｃｕからなる膜厚２０μｍの導電膜
４を形成した。

【００８５】次に、図６に示したように、導電膜４にレ
ーザーを照射し、基体１に形成された導電膜４を外周に
亘って、間隙形成部の導電膜４の膜厚１５μｍを除去し
た。

【００８６】更に、間隙形成部を含む導電膜４をエッチ
ングした。なお、エッチング量は５μｍである。そし
て、図７に示したように、間隙形成部の導電膜４が完全
に除去され、間隙５が形成された。この時、間隙５以外
に残存している導電膜４の膜厚は１５μｍであった。

【００８７】次に、熱硬化型のエポキシ樹脂を塗布して
外装材６を形成した。

【００８８】更に、露出している導電膜４上に、電解Ｎ
ｉ鍍金を施し、更にその上にＳｎまたは半田の電解鍍金
を施して、本実施例１のチップ型セラミックコンデンサ
を完成させた（試作数：ｎ＝１００）。

【００８９】（比較例１）実施例１と同様な組成、形成
方法によって、基体１を作成した。

【００９０】そして、基体１にディップ法によって、Ｃ
ｕからなる膜厚１５μｍの導電膜４を形成した。

【００９１】次に、導電膜４にレーザーを照射し、基体
１に形成された導電膜４を外周に亘って完全に除去し、
間隙５を形成した。

【００９２】この基体１を実施例１と同様に加工して、
比較例１のチップ型セラミックコンデンサを完成させた
（試作数：ｎ＝１００）。

【００９３】次に、作成した実施例１及び比較例１のチ
ップ型セラミックコンデンサについて、静電容量（ｐ
Ｆ）、Ｑ値の測定を行った。なお、測定周波数は１ＧＨ
ｚである。また、静電容量は実施例１、比較例１共に１
ｐＦであった。Ｑ値の測定結果を（表１）に示す。

【００９４】

【表１】

【００９５】（表１）から明らかなように、実施例１の
チップ型セラミックコンデンサはＱ値が高く、比較例１
に比べ優れるものであった。

【００９６】

【発明の効果】以上のように、本発明は、Ｑ値が高く、
静電容量のばらつきの小さい電子部品及びその製造方法
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１におけるコンデンサを示
す透視斜視図

【図２】本発明の実施の形態１におけるコンデンサを示
す断面図

【図３】（ａ）本発明の実施の形態１におけるコンデン
サを示す断面図（ｂ）本発明の実施の形態１におけるコンデンサの他の
例を示す断面図（ｃ）本発明の実施の形態１におけるコンデンサの他の
例を示す断面図

【図４】本発明の実施の形態１におけるコンデンサの基
体を示す断面図

【図５】本発明の実施の形態１におけるコンデンサの導
電膜を形成した状態を示す断面図

【図６】本発明の実施の形態１におけるコンデンサの導
電膜をレーザー除去した状態を示す断面図

【図７】本発明の実施の形態１におけるコンデンサの導
電膜をエッチングした状態を示す断面図

【図８】本発明の実施の形態２におけるコンデンサを示
す断面図

【図９】従来の積層チップコンデンサを示す斜視図

【図１０】従来の積層チップコンデンサの断面図

【図１１】従来のコンデンサの断面図

【図１２】従来のコンデンサの断面図

【符号の説明】

１基体２内部電極３端子電極４導電膜５間隙６外装材７凹部８軸芯部９端子部２０積層チップコンデンサ３０，４０，１００，１１０コンデンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤本芳昭大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E001 AB05 AD01 AF00 AH01 AH03 AH06 AJ01 5E062 DD01 FG11 5E070 AA01 AB06 CC01 5E082 AA01 AB02 BC30 BC38 EE31 EE42 EE47 FG12 FG26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】両端に端子部と、前記端子部よりも外周に
亘って凹んだ軸芯部とを備えた基体と、前記基体の表面
に形成された導電膜と、前記軸芯部で前記導電膜を分離
する間隙とを備えた電子部品であって、前記導電膜の表面がエッチングにより粗面化されたこと
を特徴とする電子部品。
【請求項２】基体の表面に導電膜を形成し、前記導電膜
に前記導電膜を分離する間隙を形成する電子部品の製造
方法であって、基体の表面に形成された導電膜にレーザーを照射し、前
記導電膜の間隙形成部における前記導電膜の一部を外周
に亘って除去し、前記間隙形成部の導電膜が完全に除去されると共に、前
記間隙形成部以外の導電膜が残存するように、前記間隙
形成部を含む導電膜をエッチングすることを特徴とする
電子部品の製造方法。
【請求項３】基体の表面に導電膜を形成し、前記導電膜
に前記導電膜を分離する間隙を形成する電子部品の製造
方法であって、基体の表面に、膜厚（ｄ１＋ｄ２）の導電膜を形成し、
前記基体の表面に形成された導電膜にレーザーを照射
し、前記導電膜の間隙形成部における前記導電膜の膜厚
（ｄ１）を外周に亘って除去し、前記間隙形成部を含む導電膜の膜厚（ｄ２）をエッチン
グして除去することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】両端に端子部と、前記端子部よりも外周に
亘って凹んだ軸芯部とを備えた基体と、前記基体の表面
に形成された導電膜と、前記軸芯部で前記導電膜を分離
する間隙とを備えた電子部品の製造方法であって、基体の表面に形成された導電膜にレーザーを照射し、前
記導電膜の間隙形成部における前記導電膜の一部を外周
に亘って除去し、前記間隙形成部の導電膜が完全に除去されると共に、前
記間隙形成部以外の導電膜が残存するように、前記間隙
形成部を含む導電膜をエッチングすることを特徴とする
電子部品の製造方法。
【請求項５】前記両端の端子部間に、前記軸芯部を覆う
外装材を形成することを特徴とする請求項４記載の電子
部品の製造方法。
【請求項６】前記端子部の導電膜の上に、端子電極を形
成したことを特徴とする請求項４，５いずれか１記載の
電子部品の製造方法。
【請求項７】基体の表面に導電膜を形成し、前記導電膜
にスパイラル状の溝を形成する電子部品の製造方法であ
って、基体の表面に、膜厚（ｄ１＋ｄ２）の導電膜を形成し、
前記基体の表面に形成された導電膜にレーザーを照射
し、前記導電膜の溝形成部における前記導電膜の膜厚
（ｄ１）をスパイラル状に除去し、前記溝形成部を含む導電膜の膜厚（ｄ２）をエッチング
して除去することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】両端に端子部と、前記端子部よりも外周に
亘って凹んだ軸芯部とを備えた基体と、前記基体の表面
に形成された導電膜と、前記軸芯部で前記導電膜に形成
されたスパイラル状の溝とを備えた電子部品の製造方法
であって、基体の表面に形成された導電膜にレーザーを照射し、前
記導電膜の溝形成部における前記導電膜の一部をスパイ
ラル状に除去し、前記溝形成部の導電膜が完全に除去されると共に、前記
溝形成部以外の導電膜が残存するように、前記溝形成部
を含む導電膜をエッチングすることを特徴とする電子部
品の製造方法。
【請求項９】前記両端の端子部間に、前記軸芯部を覆う
外装材を形成することを特徴とする請求項８記載の電子
部品の製造方法。
【請求項１０】前記端子部の導電膜の上に、端子電極を
形成したことを特徴とする請求項８，９いずれか１記載
の電子部品の製造方法。