JP4407112B2 - 磁器コンデンサ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶バックライトインバーターのバラスト回路、スイッチング電源の１次、２次スナバー回路、テレビ・ＣＲＴディスプレイなどの水平共振回路、インバーター蛍光灯、電子機器の高圧・パルス回路、通信用モデムの対サージ回路等として広く使用される磁器コンデンサに関し、特に、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＣＲＴディスプレイの大型化、高画質化、液晶ディスプレイの大型化、高画質化、更には、スイッチング電源回路の小型軽量化の傾向が強まっており、これに伴って、使用される重要な受動部品の１つである磁器コンデンサの使用条件も高周波数化、高電圧化の傾向にある。
【０００３】
更に、これら高周波数化、高電圧化と言う従来に比して厳しい使用条件に加え、スイッチング電源回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路の小型化軽量化が進み、磁器コンデンサの小型化が要求されている。
【０００４】
また、これら磁器コンデンサの一例として、円板型の誘電体磁器の両主表面に電極を形成し、この電極にそれぞれリード線を接合し、これらを外装材で埋設した形態の磁器コンデンサがあげられるが、磁器コンデンサの電極としては、従来からＡｇ（銀）が使用されてきた。しかし、Ａｇ（銀）電極は自己発熱温度が高い上、エレクトロマイグレーションを発生すると言う問題がある。
【０００５】
近年、磁器コンデンサの電極に、Ａｇ（銀）に換わって、安価なＣｕ（銅）やＮｉ（ニッケル）等の卑金属電極が使用されるようになった。
【０００６】
銅等の卑金属電極の形成には、酸化防止のため中性又は還元雰囲気中で焼付を要する。そこで、誘電体磁器自体が還元雰囲気によって還元されないようにするため、焼き付け方法を改良したり、誘電体磁器組成物に特別な複合添加物を添加する等の改良がなされている。
【０００７】
例えば、（特許文献１）に開示されているように、ＳｒＴｉＯ3を３０．０〜７０．０重量％、ＰｂＴｉＯ3を０．０〜４０．０重量％、Ｂｉ2Ｏ3を８．０〜４０．０重量％、ＴｉＯ2を３．０〜２０．０重量％、ＭｇＯを１．０〜１０．０重量％配合してなる組成１００部に対して添加物ＣｕＯを０．０５〜０．７０重量％、ＣｏＯ、ＣｅＯ2を各々０．０５〜３．００重量％添加配合した磁器誘電体組成物の対向表面にＣｕを主体とする焼付電極を形成した低損失磁器コンデンサが知られている。これら従来のＣｕ（銅）などの卑金属電極を用いた磁器コンデンサは、電極形成に酸化防止のため中性又は還元雰囲気中で焼付を要するため、中性又は還元雰囲気の厳密な管理が必要となり、生産性が悪いと言う問題がある。更に、Ｃｕ（銅）などの卑金属電極の酸化が発生した場合には、単に歩留まりが低下するというだけでなく、非破壊検査による選別は困難であり、著しい生産性の低下を来すと言う問題があった。また、誘電体磁器組成物に特別な複合添加物を添加する必要もあり、誘電体磁器組成物の組成比の管理を要する上、コストが高くなると言う問題もある。
【０００８】
そこで、大気中での電極形成方法も知られており、例えば、Ｚｎ（亜鉛）ペーストを塗布して、大気中で焼き付けを行う方法が（特許文献２）に開示されている。
【０００９】
【特許文献１】
特公平６−７０９４４号公報
【特許文献２】
特開昭６３−２３６７８５号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、誘電体磁器に種々の電極を形成した磁器コンデンサが知られている。
【００１１】
しかしながら、これら従来の磁器コンデンサは、自己発熱温度が高いと言う課題を有しているが、安価で有効な対策は未だなされていない。
【００１２】
そこで本発明は以上の様な課題を解決し、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサを提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電極上に形成されたＣｕを主体とする第２層の電極を備え、誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５とし、かつ合計が１となるようにし、誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５〜０．１００とし、かつ合計が１となるようにしたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電極上に形成されたＣｕを主体とする第２層の電極を備え、誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５とし、かつ合計が１となるようにし、誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５〜０．１００とし、かつ合計が１となるようにすることを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良好であり、リード線、或いは、リード端子との半田接合強度を向上させることができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、請求項１において、第２層の電極に接続されたリード線と、誘電体磁器基板、第１層及び第２層の電極、リード線の一部を埋設する外装材とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良好であり、リード線との半田接合強度を向上させることができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項２において、外装材の側面から外部に突き出されたリード端子の外部端子形成部とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良好であり、リード端子との半田接合強度を向上させることができる。
【００３３】
まず、本発明の磁器コンデンサを構成する誘電体磁器について説明する。
【００３４】
誘電体磁器は、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物が使用される。
【００３５】
具体的には、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を添加して、焼成することによって得ることができる。
【００３６】
なお、これら誘電体組成物の好ましい組成比（モル比）は次の通りである。
【００３７】
▲１▼ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3
ＳｒＴｉＯ3 ０．５５〜０．７５
ＣａＴｉＯ3 ０．２５〜０．４５
また、添加剤兼焼結助剤成分は、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を、主成分である▲１▼ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3に対して、それぞれ０．０１〜３．０重量％の範囲で変化させて添加する。
【００３８】
▲２▼ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2
ＳｒＴｉＯ3 ０．５５〜０．７５
ＣａＴｉＯ3 ０．２５〜０．４５
Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2 ０．００〜０．２５
更に、▲２▼のＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2においては、ＴｉＯ2１モルに対して、Ｂｉ2Ｏ3は１／３モルの関係にあることがより好ましい。
【００３９】
また、添加剤兼焼結助剤成分は、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を、主成分である▲２▼ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2に対して、それぞれ０．０１〜３．０重量％の範囲で変化させて添加する。
【００４０】
また、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2のＢｉの少なくとも一部を希土類で置換することも可能であり、これら希土類としては、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄから選ばれる少なくとも一つの元素が好ましい。なお、希土類の置換は、コンデンサの電圧依存性を小さくし、耐電圧を向上させる効果がある。具体的には、Ｌａ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、２ＣｅＯ2をそれぞれ添加すればよい。なお、添加量はＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を単独添加する場合のＢｉのモル比と、Ｂｉ及びＬａのモル比の和、Ｂｉ及びＮｄのモル比の和、Ｂｉ及びＣｅのモル比の和がそれぞれ等しくなるように添加する。
【００４１】
更に、Ｂｉの少なくとも一部をＬａ、Ｃｅ、Ｎｄから選ばれる２種或いは３種で置換する場合には、添加量はＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を単独添加する場合のＢｉのモル比と、Ｂｉ及びＬａ、Ｎｄ、Ｃｅの２種或いは３種のモル比の和が等しくなるように添加すればよい。
【００４２】
また、この誘電体磁器の対向電極として形成される第１層の電極は、Ｚｎ（亜鉛）を主体とする。なお、Ｚｎを主体とするとは、以下のように不純物を含んだり、合金であってもよく、そのＺｎ含量は構成により変化することを意味する。
【００４３】
この第１層電極に用いられるＺｎは、微量のガラス成分あるいは不純物を含んでいてもよく、純度９５％以上であることが好ましい。更に、Ｚｎ合金であってもよく、Ｚｎの含有量として９０％以上であることが好ましい。
【００４４】
そして、第１層電極として用いられるＺｎは、上述の誘電体磁器との協調によって自己発熱温度を抑制するものである。
【００４５】
更に、第１層電極の上に形成される第２層の電極は、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ（銀），Ｐｄ（パラジウム），Ａｌ（アルミニウム）から選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする。
【００４６】
第２層電極に用いられるＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌは、それぞれ、微量の不純物を含んでいてもよく、純度８０％以上であることが好ましい。更に、合金であってもよく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｐｄ，Ａｌそれぞれの含有量として８０％以上であることが好ましい。
【００４７】
そして、第２層電極として用いられるＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属は、第１層電極のＺｎとの密着性が良好であると共に、リード線、或いは、リード端子との半田接合強度を向上させるものである。
【００４８】
以下、本発明の磁器コンデンサについて、図面を参照して更に詳しく説明する。
【００４９】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを示す透視側面図であり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを示す透視正面図である。そして、図１（ａ），（ｂ）において、１は誘電体磁器基板、２は第１層電極、３は第２層電極、４，５はリード線、６は外装材である。また、１００は磁器コンデンサを示している。
【００５０】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、磁器コンデンサ１００は、円板型の誘電体磁器基板１の両主表面に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成され、更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード線４，５が半田接合された構成である。
【００５１】
そして、リード線４，５の一部と、誘電体磁器基板１及び第１層電極２、第２層電極３を埋設する外装材６が形成される。
【００５２】
誘電体磁器基板１としては、上述したＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。
【００５３】
そして、同様に、第１層電極２としてＺｎが用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用いられる。
【００５４】
更に、リード線４，５としては、例えば、ＪＩＳ Ｃ３１０２で規定される電気用軟銅線を原料とし、これに電気メッキ、又は、溶融半田を施した線材を使用することができる。
【００５５】
また、外装材６としては、絶縁性を有する材料が用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることができる。この中でも、絶縁性樹脂が加工適正、低価格であり好ましく、熱硬化性樹脂が加工適正に優れより好ましく、更に、熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、耐湿性に優れているので特に好ましい。そして、オルトクレゾールノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等のエポキシ樹脂があげられる。
【００５６】
また、図１（ａ）に示すように、誘電体磁器基板１の両主表面の第２層電極３に接合された一対のリード線４，５は、誘電体磁器基板１を間に挟んで離間し平行に延設されるが、折り曲げられて、最終的には、誘電体磁器基板１の厚み方向で重なるように引き出されている。そして、一対のリード線４，５は、離間距離の略半分の位置、即ち、誘電体磁器基板１の厚みを略半分にする位置で重なっている。
【００５７】
更に、図１（ｂ）に示すように、一対のリード線４，５は、誘電体磁器基板１の表裏面でクロスするように第２層電極３にそれぞれ接合され、折り曲げられて、略平行になるように互いに離間して延設され、更に折り曲げられて、双方の離間距離を狭めた状態で略平行に延設されている。
【００５８】
そして、磁器コンデンサ１００の一対のリード線４，５は、回路基板のスルーホールに挿入されて、回路基板の裏面で半田接合され実装されるが、図１（ｂ）に示すように、一対のリード線４，５が離間する距離をスルーホールへの挿入部分で狭くすることによって、外装材６から突出したリード線４，５の全ての部分がスルーホールに入り込むこともない。
【００５９】
また、実装される磁器コンデンサ１００の外装材６の最下部と回路基板の間にはリード線４，５の一部が必ず介在するので、半田接合時の熱の影響を受けにくい上、半田フラックスも確実に排出できる。そして、半田接合時の熱の影響を受けにくいので、半田付け温度の高いＰｂ（鉛）フリー半田が使用可能となる。
【００６０】
次に、本発明の実施の形態１における磁器コンデンサの製造方法について説明する。
【００６１】
まず、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれる少なくとも１つ以上を配合し、通常の窯業的手法によって、湿式混合或いは造粒を行い、円板型の形状に加圧成形した後、これを焼成する。
【００６２】
そして、得られた誘電体磁器基板１の両主表面に、第１層電極２としてＺｎ電極を印刷法によって形成する。具体的には、亜鉛ペーストをスクリーン印刷法によって誘電体磁器の両主表面に形成した後、約６００℃で焼き付けを行う。この焼き付けは、中性又は還元雰囲気中で行う必要はなく、大気雰囲気下で行うことができる。なお、Ｚｎ電極のその他の形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
【００６３】
更に、第１層電極２であるＺｎ電極表面の活性化処理を行う。この表面活性化処理は、Ｚｎ電極表面の酸化物を除去するものである。これにより、積層される第２層電極３のＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする電極との密着性を向上させ、Ｚｎ電極と例えばＣｕ電極との間に不安定な金属化合物を発生させることもない。Ｚｎ電極表面活性化処理としては、化学的エッチングを用いることができ、酸を利用することによって行われる。具体的には、ｐＨ３程度の例えばりんご酸を用いて行う。他の方法としては、表面を物理的に粗す等の物理的エッチングによっても良い。
【００６４】
次に、第１層電極２であるＺｎ電極の上に、第２層電極３として、例えばＣｕ電極を形成する。第２層電極３であるＣｕ電極の形成は、メッキ法によって行う。このメッキは電解メッキ、或いは、無電解メッキのいずれの方法であってもよいが、無電解メッキがセラミック素子特性を劣化させないと言う理由で好ましい。
【００６５】
そして、第２層電極３であるＣｕ電極の上にリード線４，５を半田付けし、リード線４，５の一部を除いて、絶縁性樹脂等でコーティングし、外装材６を形成する。
【００６６】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２におけるモールド型磁器コンデンサを示す断面図であり、図２において、７，８はリード端子であり、２００はモールド型磁器コンデンサを示している。なお、実施の形態１で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付している。
【００６７】
図２に示すように、モールド型磁器コンデンサ２００は、円板状の誘電体磁器基板１の両主表面に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成され、更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード端子７，８が半田接合された構成である。
【００６８】
そして、外装材６によって、誘電体磁器基板１、第１層及び第２層の電極２，３、リード端子７，８の一部が埋設される。
【００６９】
また、リード端子７，８の外装材６から突出した部分は、外部端子形成部を構成するものであり、このリード端子７，８の外部端子形成部を介して回路基板に表面実装できるようになっている。
【００７０】
誘電体磁器基板１としては、実施の形態１で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられ、同様に、第１層電極２としてＺｎが用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用いられる。
【００７１】
また、外装材６としても、実施の形態１で説明したものと同様であり、絶縁性を有する材料を用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることができ、絶縁性樹脂が加工適正、低価格であり好ましく、熱硬化性樹脂が加工適正に優れより好ましく、更に、オルトクレゾールノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等のエポキシ樹脂等に代表される熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、耐湿性に優れているので特に好ましい。
【００７２】
リード端子７，８としては、導電材料を用いることができるが、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも一つから選ばれるものが好適に選択される金属材料が好適に用いられ、電気的特性や加工性の面で有利である。
【００７３】
次に、本発明の実施の形態２におけるモールド型磁器コンデンサの製造方法は、実施の形態１で説明したものと同様であるが、リード線４，５ではなく、第２層電極３の上にリード端子７，８が半田付けされ、リード端子７，８の一部を除いて、誘電体磁器基板１、第１層電極２、第２層電極３を絶縁性樹脂等でコーティングし、外装材６を形成し、モールド型磁器コンデンサ２００を得ることができる。
【００７４】
（実施の形態３）
図３は、本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図であり、図４は本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図４は図３のＡ−Ａ線断面図である。
【００７５】
図３，図４において、１ａは誘電体磁器で構成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子電極である。更に、１０は間隙、１１は軸芯部、１２は端子部、１３は傾斜部であり、３００はチップ型磁器コンデンサを示している。なお、図４において、ｈ１は端子部１２の高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施の形態１，２で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付している。
【００７６】
図３，図４に示すように、チップ型磁器コンデンサ３００は、端子部１２間に外装材６が充填され、外形が略直方体である。
【００７７】
更に、基体１ａは、その両端に端子部１２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、この凹んだ部分に外装材６が充填される。
【００７８】
そして、基体１ａは、その機械的強度、諸特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品として品質を維持することができない。また、この値が０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【００７９】
更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えることによって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チップ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってしまい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【００８０】
以上のような構成を有する基体１ａの表面には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１において導電膜２ａは間隙１０によって分離されている。そして、間隙１０、軸芯部１１及び傾斜部１３に形成された導電膜２ａを覆うように外装材６が形成されている。
【００８１】
また、外装材６で被覆されていない端子部１２の導電膜２ａの上には、導電膜２ａを覆うように端子電極９が形成されている。なお、端子電極９を設けずに、端子部１２で露出している導電膜２ａをそのまま電極として用いても良い。
【００８２】
また、外装材６と端子部１２は略面一であり、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデンサ３００の外形は略直方体であることが実装性に優れるので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。
【００８３】
更に、チップ型磁器コンデンサ３００の各構成について詳しく説明する。
【００８４】
まず、基体１ａは、実施の形態１，２で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とするものである。
【００８５】
また、外装材６としても、実施の形態１、２で説明したものと同様である。
【００８６】
また、端子電極９は、実装時の半田付け性を向上させ、導電膜２ａを保護することができる。この端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を用いることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極は、半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に好ましい。
【００８７】
また、導電膜２ａと端子電極９との間に、実施の形態１、２における第２層の電極として説明したＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を用いてもよい。
【００８８】
次に、本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。
【００８９】
まず、実施の形態１，２と同様に、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に装填し加圧成形した後焼成する。
【００９０】
そして、焼成された略直方体のベース基体１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基体１ａを形成してもよい。このように形成することで、基体１ａを削る工程を無くすことができる。
【００９１】
次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの外周に亘ってマスクする。
【００９２】
そして、このマスク部分以外の基体１ａ表面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
【００９３】
次に、所定幅の間隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分にマスクされた感光性樹脂を除去し、所望の形状にパターニングされ、間隙１０によって分離された導電膜２ａを得ることができる。
【００９４】
基体１ａに間隙１０によって分離された導電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の間隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分を除いて、導電膜２ａを基体１ａに直接塗布形成することもできる。
【００９５】
更に、種々の成膜方法によって、一旦導電膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分のみを研磨、レーザートリミング、物理的或いは化学的エッチング等の方法によって除去してもよい。この中でも、レーザートリミングは高精度であり好ましい。
【００９６】
更に、レーザートリミングにより導電膜２ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによって、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。この方法によれば、レーザートリミングによって、基体１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことができる。
【００９７】
次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａを覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外装材６を充填する。
【００９８】
次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【００９９】
そして、本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサ３００は、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【０１００】
なお、本発明の実施の形態３において、実装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形成せずに、単に略直方体、或いは角柱状、円柱状の基体１ａの表面に導電膜２ａを形成し、導電膜２ａを分離する間隙１０を備えた単純な構成としてもよい。
【０１０１】
（実施の形態４）
図５は本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図であり、図６は本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図６は図５のＡ−Ａ線断面図である。
【０１０２】
図５，図６において、１ａは誘電体磁器で構成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子電極である。更に、１０ａ，１０ｂは間隙、１１は軸芯部、１２は端子部、１３は傾斜部であり、４００はチップ型磁器コンデンサを示している。
【０１０３】
なお、図６において、ｈ１は端子部１２の高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施の形態３で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付している。
【０１０４】
図５，図６に示すように、チップ型磁器コンデンサ４００は、端子部１２間に外装材６が充填され、外形が略直方体である。
【０１０５】
更に、基体１ａは、その両端に端子部１２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、この凹んだ部分に外装材６が充填される。
【０１０６】
そして、基体１ａは、その機械的強度、諸特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品として品質を維持することができない。また、この値が０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【０１０７】
更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えることによって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チップ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってしまい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【０１０８】
以上のような構成を有する基体１ａの表面には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１において導電膜２ａは間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。
【０１０９】
そして、図５，図６に示すように、軸芯部１１の対向する一対の側面及び端子部１２には導電膜２ａが形成され、この導電膜２ａは、対向する一対の側面で互いに異なる端子部１２と間隙１０ａ，１０ｂを介し、対向する一対の側面で互いに異なる端子部１２に引き出されている。
【０１１０】
即ち、チップ型磁器コンデンサ４００には、基体１ａの軸芯部１１の表裏で、互いに異なる方向に引き出された導電膜２ａが形成され、基体１ａの表裏でそれぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。そして、互いに異なる方向に引き出された導電膜２ａのそれぞれが端子部１２を覆う構成であり、互いに対向する端子部１２間において、基体１ａの表裏に形成され、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは点対称の関係にある。なお、端子部１２における導電膜２ａは、側面にのみ設け端面には設けなくてもよい。
【０１１１】
そして、本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサ４００は、対向する端子部１２間において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂによって静電容量を得ることができる。更に、軸芯部１１を介して互いに対向する導電膜２ａが形成され、基体１ａの軸芯部１１の厚み（高さｈ２）によって、静電容量を得ることができる。また、基体１ａの軸芯部１１の厚みを変更することによって、所望の静電容量を得ることができる。
【０１１２】
また、外装材６と端子部１２は略面一であり、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデンサ４００の外形は略直方体であることが実装性に優れるので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。
【０１１３】
更に、チップ型磁器コンデンサ４００の各構成について詳しく説明する。
【０１１４】
まず、基体１は、実施の形態１〜３で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とするものである。
【０１１５】
また、外装材６としても、実施の形態１〜３で説明したものと同様である。
【０１１６】
また、実施の形態３と同様に、端子電極９は、実装時の半田付け性を向上させ、導電膜２ａを保護することができる。この端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を用いることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極は、半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に好ましい。また、導電膜２ａと端子電極９との間に、実施の形態１、２における第２層の電極として説明したＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を用いてもよい。
【０１１７】
次に、本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。
【０１１８】
まず、実施の形態１〜３と同様に、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に装填し加圧成形した後焼成する。
【０１１９】
そして、焼成された略直方体のベース基体１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基体１ａを形成してもよい。このように形成することで、基体１ａを削る工程を無くすことができる。
【０１２０】
次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの表裏でそれぞれマスクする。
【０１２１】
そして、このマスク部分以外の基体１ａ表面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
【０１２２】
次に、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分にマスクされた感光性樹脂を除去し、所望の形状にパターニングされ、間隙１０ａ，１０ｂによって分離された導電膜２ａを得ることができる。
【０１２３】
基体１ａに間隙１０ａ，１０ｂによって分離された導電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２を形成しない部分を除いて、導電膜２ａを基体１ａに直接塗布形成することもできる。
【０１２４】
更に、種々の成膜方法によって、一旦導電膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分のみを研磨、レーザートリミング、物理的或いは化学的エッチング等の方法によって除去してもよい。この中でも、レーザートリミングは高精度であり好ましい。
【０１２５】
更に、レーザートリミングにより導電膜２ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによって、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。この方法によれば、レーザートリミングによって、基体１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことができる。
【０１２６】
次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａを覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外装材６を充填する。
【０１２７】
次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【０１２８】
そして、本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサ４００は、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【０１２９】
なお、本発明の実施の形態４において、実装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形成せずに、単に、基体１ａを略直方体とし、略直方体の基体１ａの対向する一対の側面で互いに異なる端面と間隙１０ａ，１０ｂを介して、一対の側面で互いに異なる端面に引き出された導電膜２ａを備えた単純な構成としてもよい。
【０１３０】
（実施の形態５）
図７は、本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す斜視図であり、図８は本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図８（ａ）は図７のＡ−Ａ線断面図、図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線断面図、図８（ｃ）は図７のＣ−Ｃ線断面図である。
【０１３１】
図７，図８において、１１ａは中央対向部である。また、５００はチップ型磁器コンデンサを示している。また、Ｌは凹部に挟まれた中央対向部１１ａの基体１ａの厚みである。なお、本実施の形態５においては、実施の形態４で説明した部分と同じものには同じ符号を付している。
【０１３２】
そして、本実施の形態５においては、チップ型磁器コンデンサ５００を構成する各部は、実施の形態４で説明したものと同様であり、詳しい説明は一部省略する。
【０１３３】
図７に示すように、チップ型磁器コンデンサ５００は、基体１ａの両端部に端子電極９を備え、端子電極９間の凹部に外装材６が充填され、外形が略直方体である。
【０１３４】
更に、図８（ａ）に示すように、チップ型磁器コンデンサ５００は、略直方体である基体１ａの対向する一対の面に凹部がそれぞれ形成されている。この対向する凹部の深さは任意であり、対向する凹部の深さによって、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬが決定される。対向する凹部は、中央対向部１１ａを挟み対称形状であり、体積も同一である事が好ましいが、互いに異なっていてもよい。
【０１３５】
また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、基体１ａの表面には、対向する凹部で、即ち、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏で、互いに異なる端面に引き出された導電膜２ａが形成されている。更に、導電膜２ａは、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏でそれぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。
【０１３６】
そして、互いに異なる端面に引き出された導電膜２ａのそれぞれが基体１ａの端子部１２を覆う構成であり、互いに対向する端子部１２間において、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏に形成され、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは点対称の関係にある。
【０１３７】
更に、対向する凹部には、それぞれ外装材６が充填され、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏の導電膜２ａ及び間隙１０ａ，１０ｂを覆う構成となっている。
【０１３８】
また、端子部１２の導電膜２ａに対して、導電膜２ａを覆うように端子電極９が形成されている。なお、端子電極９を設けずに、端子部１２で露出している導電膜２ａをそのまま電極として用いても良い。
【０１３９】
また、外装材６を端子部１２と略面一に充填することで、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れるものである。
【０１４０】
そして、本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサ５００は、対向する端子部１２間において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂによって静電容量を得ることができると共に、更に、中央対向部１１ａを介して互いに対向する導電膜２ａが形成され、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬによって、静電容量を得ることができる。また、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬを変更することによって、所望の静電容量を得ることができる。
【０１４１】
特に、大きな静電容量を得るために、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬを小さくしても、中央対向部１１ａを取り囲む基体１ａの存在によって、チップ型磁器コンデンサ５０の機械的強度を維持することが可能である。
【０１４２】
基体１は、実施の形態１〜４で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とするものである。
【０１４３】
また、外装材６としても、実施の形態１〜４で説明したものと同様である。
【０１４４】
また、端子電極９も、実施の形態３，４で説明したものと同様である。
【０１４５】
次に、チップ型磁器コンデンサ５００の製造方法について説明する。
【０１４６】
この基体１ａの形成方法としては、まず、金型に上記した誘電体材料を装填し加圧成形後これを焼成する。そして、焼成されたこの略直方体のベース基体１ａの対向する一対の面の中央を削ることによって、凹部を形成する。また、基体１ａの対向する一対の面の中央にそれぞれ凹部を備えるように予め金型を形成し、この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成してもよい。このように形成することで、基体１ａを削る工程を無くすことができる。
【０１４７】
次に、基体１ａの表裏に導電膜２ａが形成される。一方の凹部において導電膜２ａは間隙１０ａを備えるように形成され、他方の凹部において導電膜２ａは間隙１０ｂを備えるように形成される。
【０１４８】
導電膜２ａの形成方法としては、実施の形態４で説明した方法と同様である。
【０１４９】
そして、凹部に上記した絶縁性を有する材料を用いて外装材６を充填する。なお、外装材６は端子部１２と略面一に形成することが好ましい。
【０１５０】
更に、端子部１２の導電膜２ａに対して、導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【０１５１】
そして、本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサ５００は、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【０１５２】
以上実施の形態１〜５で説明したように、本発明の磁器コンデンサは、様々な形態を取ることが可能である。そして、いずれの形態であっても、本発明の磁器コンデンサは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えることにより、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することができるものである。
【０１５３】
【実施例】
実施例により本発明を詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例等により何ら限定されるものではない。
【０１５４】
（実施例１）
まず、主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴｉＯ3０．７５０、ＣａＴｉＯ3 ０．２５０）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｇＯを０．２部、ＳｉＯ2を０．２部、それぞれ電子天秤で秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ2質ボールが入ったモノマロン製ポットミル中に投入した。
【０１５５】
次に、１００ｒｐｍの回転速度で２００時間混合した後、混合物を１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過して、フッ素樹脂シートを敷いたステンレスバット中に投入し、１２００℃の温度で乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、造粒した。
【０１５６】
この造粒物を円板型の形状に加圧成形した後、約１３３０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約１．０ｍｍである。
【０１５７】
次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面に、印刷法によって第１層電極としてのＺｎ電極を直径８．０ｍｍで形成し、６４０℃で焼き付けを行った。
【０１５８】
更に、このＺｎ電極表面に約ｐＨ３のりんご酸を用いて化学的エッチングを行い、Ｚｎ電極表面の酸化物を除去した。
【０１５９】
次に、Ｚｎ電極の上に、第２層電極としてＣｕ電極を無電解メッキ法によって形成した。
【０１６０】
そして、誘電体磁器の両主表面のＣｕ電極上に、それぞれリード線を半田付けした。
【０１６１】
更に、リード線の一部を除いて、エポキシ樹脂をコーティングし、Ｚｎ及びＣｕ電極が積層された誘電体磁器を被覆して外装材を形成し、図１に示した磁器コンデンサを得た。
【０１６２】
次に、得られた実施例１の磁器コンデンサの静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失（Ｑ値＝１／ｔａｎδ）、直流抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／ｔ）、誘電率（ε）、温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性（δｔ）を測定した。
【０１６３】
静電容量（Ｃａｐ）と誘電体損失（Ｑ値）はＹＨＰ製Ｃメータ４２７８Ａを使用して１Ｖ／１ＭＨｚの信号電圧下で測定した。直流抵抗（ＩＲ）はＹＨＰ製絶縁抵抗計４３２９Ａを使用して５００ＶＤＣを１分間印加して測定した。誘電体形状（φ／ｔ）はマイクロメーターで測定し、誘電率（ε）は以下の計算で求めた。温度特性（ＴＣ）は温度毎の静電容量をＹＨＰ製Ｃメータ４２７８Ａで測定した。
【０１６４】
Ｃ＝ε・φ2／１４４ｔ
Ｃ：静電容量
ε：誘電率
φ：誘電体電極径
ｔ：誘電体厚み
自己発熱特性（δｔ）は、実施例１の磁器コンデンサに、ＡＣ５．０ｋＶｐ−ｐ、周波数１００ｋＨｚを印加し、φ０．１ｍｍの熱電対（クロメルアルメル）を実施例１の磁器コンデンサのエポキシ樹脂からなる外装材に密着させ、温度上昇が安定した時の外装材の表面温度を測定し、この外装材の表面温度と、そのときの雰囲気温度との差を自己発熱特性（δｔ）とした。
【０１６５】
この測定結果を（表１）に示した。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
（実施例２〜９）
主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、或いは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）を変更し、その他は実施例１と同様にして、実施例２〜９の磁器コンデンサを得た。実施例２〜９の磁器コンデンサについても、実施例１と同様の測定を行った。
【０１６８】
この測定結果と実施例２〜９のＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、或いは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）を合わせて（表１）に示している。
【０１６９】
また、実施例９については、自己発熱特性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−ｐ〜５．０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。この結果を図９に示す。なお、図９は自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラフである。
【０１７０】
（比較例１）
実施例１と同様に、主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．７５０、ＣａＴｉＯ3 ０．２５０）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｇＯを０．２部、ＳｉＯ2を０．２部、電子天秤で秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ2質ボールが入ったモノマロン製ポットミル中に投入し、１００ｒｐｍの回転速度で２００時間混合した後、混合物を１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過して、フッ素樹脂シートを敷いたステンレスバット中に投入し、１２００゜Ｃの温度で乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後造粒した。
【０１７１】
この造粒物を円板型の形状に加圧成形した後、約１３３０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約１．０ｍｍである。
【０１７２】
次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面に、印刷法によってＡｇ（銀）電極を直径８．０ｍｍで形成し、８００℃で焼き付けを行った。
【０１７３】
そして、誘電体磁器の両主表面のＡｇ電極上に、それぞれリード線を半田付けした。更に、リード線の一部を除いて、エポキシ樹脂をコーティングし、Ａｇ電極が形成された誘電体磁器を被覆して外装材を形成し、図１に示した磁器コンデンサを得た。
【０１７４】
次に、実施例１と同様に、得られた比較例１の磁器コンデンサの静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失（Ｑ値＝１／ｔａｎδ）、直流抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／ｔ）、誘電率（ε）、温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性（δｔ）を測定した。
【０１７５】
この測定結果を（表２）に示している。
【０１７６】
【表２】
【０１７７】
（比較例２〜９）
主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、或いは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）を変更し、その他は比較例１と同様にして、比較例２〜９の磁器コンデンサを得た。比較例２〜９の磁器コンデンサについても、比較例１と同様の測定を行った。
【０１７８】
この測定結果と比較例２〜９のＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、或いは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）を合わせて（表２）に示している。
【０１７９】
また、比較例９については、自己発熱特性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−ｐ〜５．０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。この結果は上述した実施例９の結果と共に図９に示している。
【０１８０】
（表１）、（表２）、図９の結果から明らかなように、本実施例の組成の誘電体磁器と、これに用いる電極として、第１層電極のＺｎ（亜鉛）電極及び第２層電極のＣｕ（銅）電極を用いた磁器コンデンサは、Ａｇ（銀）電極を用いたものに比べて、明らかに自己発熱温度特性が優れていた。
【０１８１】
（実施例１０）
実施例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更にＬａ2Ｏ3を０．０２５モル添加し、その他は実施例２と同様にして、実施例１０の磁器コンデンサを得た。実施例１０の磁器コンデンサについても、実施例２と同様の測定を行った。
【０１８２】
（実施例１１）
実施例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更にＮｄ2Ｏ3を０．０２５モル添加し、その他は実施例２と同様にして、実施例１１の磁器コンデンサを得た。実施例１１の磁器コンデンサについても、実施例２と同様の測定を行った。
【０１８３】
（実施例１２）
実施例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更に２ＣｅＯ2を０．０２５モル添加し、その他は実施例２と同様にして、実施例１２の磁器コンデンサを得た。実施例１２の磁器コンデンサについても、実施例２と同様の測定を行った。
【０１８４】
これら測定結果と実施例１０〜１２の組成比（モル比）を合わせて（表３）に示している。
【０１８５】
【表３】
【０１８６】
（比較例１０）
比較例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更にＬａ2Ｏ3を０．０２５モル添加し、その他は比較例２と同様にして、比較例１０の磁器コンデンサを得た。比較例１０の磁器コンデンサについても、比較例２と同様の測定を行った。
【０１８７】
（比較例１１）
比較例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更にＮｄ2Ｏ3を０．０２５モル添加し、その他は比較例２と同様にして、比較例１１の磁器コンデンサを得た。比較例１１の磁器コンデンサについても、比較例２と同様の測定を行った。
【０１８８】
（比較例１２）
比較例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更に２ＣｅＯ2を０．０２５モル添加し、その他は比較例２と同様にして、比較例１２の磁器コンデンサを得た。比較例１２の磁器コンデンサについても、比較例２と同様の測定を行った。
【０１８９】
これら測定結果と比較例１０〜１２の組成比（モル比）を合わせて（表４）に示している。
【０１９０】
【表４】
【０１９１】
（表３）、（表４）の結果から明らかなように、Ｂｉの少なくとも一部をＬａ、Ｃｅ、Ｎｄから選ばれる少なくとも一つの元素で置換することによっても、本実施例の組成の誘電体磁器と、これに用いる電極として、第１層電極のＺｎ（亜鉛）電極及び第２層電極のＣｕ（銅）電極を用いた磁器コンデンサは、Ａｇ（銀）電極を用いたものに比べて、明らかに自己発熱温度特性が優れていた。
【０１９２】
（比較例１３）
比較例１３の磁器コンデンサは以下のようにして作製した。まず、主成分であるＢａＴｉＯ3粉末１００部に対して、添加剤兼焼結助剤成分として、Ｂｉ2Ｏ3を３部、ＳｎＯ2を２部、Ａｌ2Ｏ3を１部、Ｌａ2Ｏ3を１部、ＺｒＯ2を１部、ＳｉＯ2を０．５部、ＭｎＯ2を０．２部それぞれ電子天秤で秤量し、以下、実施例１と同様にして誘電体磁器基板を得た。誘電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約１．０ｍｍである。
【０１９３】
次に実施例１と同様に、第１層電極としてＺｎ電極、第２層電極としてＣｕ電極を形成し、リード線を半田付けし、エポキシ樹脂をコーティングして外装材を形成した。
【０１９４】
（比較例１４）
誘電体磁器基板の両主表面に、印刷法によってＡｇ電極を直径８．０ｍｍで形成し、８００℃で焼き付けを行う以外は比較例１３と同様の方法にて比較例１４の磁器コンデンサを作製した。
【０１９５】
次に、これらの磁器コンデンサの諸特性を測定した。
【０１９６】
この測定結果は次の通りである。
【０１９７】
比較例１３：静電容量（Ｃａｐ）＝９８２．６４（ｐＦ）、ｔａｎδ＝１．３７０（％）、直流抵抗（ＩＲ）＝０．８Ｅ＋１２（Ω）、誘電体形状（φ／ｔ）＝８．０／１．３５（ｍｍ/ｍｍ）、誘電率（ε）＝３０００
比較例１４：静電容量（Ｃａｐ）＝９８０．５６（ｐＦ）、ｔａｎδ＝１．３６３（％）、直流抵抗（ＩＲ）＝０．８Ｅ＋１２（Ω）、誘電体形状（φ／ｔ）＝８．０／１．３５（ｍｍ/ｍｍ）、誘電率（ε）＝３０００
また、比較例１３，１４について、自己発熱特性（δｔ）を、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−ｐ〜３．０ｋＶｐ−ｐの範囲で測定し、その結果の自己発熱温度特性と印加電圧の関係を図１０に示す。なお、図１０は自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラフである。
【０１９８】
図１０の結果から明らかなように、本発明以外の組成の誘電体磁器と、Ｚｎ（亜鉛）からなる第１層電極とＣｕ（銅）からなる第２層電極を用いた場合、或いは、Ａｇ（銀）電極を用いた場合のいずれの磁器コンデンサであっても、自己発熱を抑制することができなかった。
【０１９９】
このように本発明の組成からなる誘電体磁器とＺｎ（亜鉛）からなる第１の電極とを組み合わせることではじめて自己発熱が抑制される。
【０２００】
【発明の効果】
以上の様に本発明によれば、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを示す透視側面図
（ｂ）本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを示す透視正面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるモ−ルド型磁器コンデンサを示す断面図
【図３】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図
【図４】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図
【図５】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図
【図６】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図
【図７】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す斜視図
【図８】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図
【図９】自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラフ
【図１０】自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラフ
【符号の説明】
１ 誘電体磁器基板
１ａ 基体
２ 第１層電極
２ａ 導電膜
３ 第２層電極
４，５ リード線
６ 外装材
７，８ リード端子
９ 端子電極
１０，１０ａ，１０ｂ 間隙
１１ 軸芯部
１１ａ 中央対向部
１２ 端子部
１３ 傾斜部
１００ 磁器コンデンサ
２００ モールド型磁器コンデンサ
３００，４００，５００ チップ型磁器コンデンサ
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶バックライトインバーターのバラスト回路、スイッチング電源の１次、２次スナバー回路、テレビ・ＣＲＴディスプレイなどの水平共振回路、インバーター蛍光灯、電子機器の高圧・パルス回路、通信用モデムの対サージ回路等として広く使用される磁器コンデンサに関し、特に、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＣＲＴディスプレイの大型化、高画質化、液晶ディスプレイの大型化、高画質化、更には、スイッチング電源回路の小型軽量化の傾向が強まっており、これに伴って、使用される重要な受動部品の１つである磁器コンデンサの使用条件も高周波数化、高電圧化の傾向にある。
【０００３】
更に、これら高周波数化、高電圧化と言う従来に比して厳しい使用条件に加え、スイッチング電源回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路の小型化軽量化が進み、磁器コンデンサの小型化が要求されている。
【０００４】
また、これら磁器コンデンサの一例として、円板型の誘電体磁器の両主表面に電極を形成し、この電極にそれぞれリード線を接合し、これらを外装材で埋設した形態の磁器コンデンサがあげられるが、磁器コンデンサの電極としては、従来からＡｇ（銀）が使用されてきた。しかし、Ａｇ（銀）電極は自己発熱温度が高い上、エレクトロマイグレーションを発生すると言う問題がある。
【０００５】
近年、磁器コンデンサの電極に、Ａｇ（銀）に換わって、安価なＣｕ（銅）やＮｉ（ニッケル）等の卑金属電極が使用されるようになった。
【０００６】
銅等の卑金属電極の形成には、酸化防止のため中性又は還元雰囲気中で焼付を要する。そこで、誘電体磁器自体が還元雰囲気によって還元されないようにするため、焼き付け方法を改良したり、誘電体磁器組成物に特別な複合添加物を添加する等の改良がなされている。
【０００７】
例えば、（特許文献１）に開示されているように、ＳｒＴｉＯ3を３０．０〜７０．０重量％、ＰｂＴｉＯ3を０．０〜４０．０重量％、Ｂｉ2Ｏ3を８．０〜４０．０重量％、ＴｉＯ2を３．０〜２０．０重量％、ＭｇＯを１．０〜１０．０重量％配合してなる組成１００部に対して添加物ＣｕＯを０．０５〜０．７０重量％、ＣｏＯ、ＣｅＯ2を各々０．０５〜３．００重量％添加配合した磁器誘電体組成物の対向表面にＣｕを主体とする焼付電極を形成した低損失磁器コンデンサが知られている。これら従来のＣｕ（銅）などの卑金属電極を用いた磁器コンデンサは、電極形成に酸化防止のため中性又は還元雰囲気中で焼付を要するため、中性又は還元雰囲気の厳密な管理が必要となり、生産性が悪いと言う問題がある。更に、Ｃｕ（銅）などの卑金属電極の酸化が発生した場合には、単に歩留まりが低下するというだけでなく、非破壊検査による選別は困難であり、著しい生産性の低下を来すと言う問題があった。また、誘電体磁器組成物に特別な複合添加物を添加する必要もあり、誘電体磁器組成物の組成比の管理を要する上、コストが高くなると言う問題もある。
【０００８】
そこで、大気中での電極形成方法も知られており、例えば、Ｚｎ（亜鉛）ペーストを塗布して、大気中で焼き付けを行う方法が（特許文献２）に開示されている。
【０００９】
【特許文献１】
特公平６−７０９４４号公報
【特許文献２】
特開昭６３−２３６７８５号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、誘電体磁器に種々の電極を形成した磁器コンデンサが知られている。
【００１１】
しかしながら、これら従来の磁器コンデンサは、自己発熱温度が高いと言う課題を有しているが、安価で有効な対策は未だなされていない。
【００１２】
そこで本発明は以上の様な課題を解決し、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサを提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電極上に形成されたＣｕを主体とする第２層の電極を備え、誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５とし、かつ合計が１となるようにし、誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５〜０．１００とし、かつ合計が１となるようにしたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、第１層の電極上に形成されたＣｕを主体とする第２層の電極を備え、誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５とし、かつ合計が１となるようにし、誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５〜０．１００とし、かつ合計が１となるようにすることを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良好であり、リード線、或いは、リード端子との半田接合強度を向上させることができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、請求項１において、第２層の電極に接続されたリード線と、誘電体磁器基板、第１層及び第２層の電極、リード線の一部を埋設する外装材とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良好であり、リード線との半田接合強度を向上させることができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項２において、外装材の側面から外部に突き出されたリード端子の外部端子形成部とを備えたことを特徴とする磁器コンデンサであって、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することができると共に、第１層電極のＺｎとの密着性が良好であり、リード端子との半田接合強度を向上させることができる。
【００３３】
まず、本発明の磁器コンデンサを構成する誘電体磁器について説明する。
【００３４】
誘電体磁器は、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物が使用される。
【００３５】
具体的には、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を添加して、焼成することによって得ることができる。
【００３６】
なお、これら誘電体組成物の好ましい組成比（モル比）は次の通りである。
【００３７】
▲１▼ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3
ＳｒＴｉＯ3 ０．５５〜０．７５
ＣａＴｉＯ3 ０．２５〜０．４５
また、添加剤兼焼結助剤成分は、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を、主成分である▲１▼ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3に対して、それぞれ０．０１〜３．０重量％の範囲で変化させて添加する。
【００３８】
▲２▼ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2
ＳｒＴｉＯ3 ０．５５〜０．７５
ＣａＴｉＯ3 ０．２５〜０．４５
Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2 ０．００〜０．２５
更に、▲２▼のＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2においては、ＴｉＯ2１モルに対して、Ｂｉ2Ｏ3は１／３モルの関係にあることがより好ましい。
【００３９】
また、添加剤兼焼結助剤成分は、ＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を、主成分である▲２▼ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2に対して、それぞれ０．０１〜３．０重量％の範囲で変化させて添加する。
【００４０】
また、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2のＢｉの少なくとも一部を希土類で置換することも可能であり、これら希土類としては、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄから選ばれる少なくとも一つの元素が好ましい。なお、希土類の置換は、コンデンサの電圧依存性を小さくし、耐電圧を向上させる効果がある。具体的には、Ｌａ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、２ＣｅＯ2をそれぞれ添加すればよい。なお、添加量はＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を単独添加する場合のＢｉのモル比と、Ｂｉ及びＬａのモル比の和、Ｂｉ及びＮｄのモル比の和、Ｂｉ及びＣｅのモル比の和がそれぞれ等しくなるように添加する。
【００４１】
更に、Ｂｉの少なくとも一部をＬａ、Ｃｅ、Ｎｄから選ばれる２種或いは３種で置換する場合には、添加量はＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を単独添加する場合のＢｉのモル比と、Ｂｉ及びＬａ、Ｎｄ、Ｃｅの２種或いは３種のモル比の和が等しくなるように添加すればよい。
【００４２】
また、この誘電体磁器の対向電極として形成される第１層の電極は、Ｚｎ（亜鉛）を主体とする。なお、Ｚｎを主体とするとは、以下のように不純物を含んだり、合金であってもよく、そのＺｎ含量は構成により変化することを意味する。
【００４３】
この第１層電極に用いられるＺｎは、微量のガラス成分あるいは不純物を含んでいてもよく、純度９５％以上であることが好ましい。更に、Ｚｎ合金であってもよく、Ｚｎの含有量として９０％以上であることが好ましい。
【００４４】
そして、第１層電極として用いられるＺｎは、上述の誘電体磁器との協調によって自己発熱温度を抑制するものである。
【００４５】
更に、第１層電極の上に形成される第２層の電極は、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ（銀），Ｐｄ（パラジウム），Ａｌ（アルミニウム）から選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする。
【００４６】
第２層電極に用いられるＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌは、それぞれ、微量の不純物を含んでいてもよく、純度８０％以上であることが好ましい。更に、合金であってもよく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｐｄ，Ａｌそれぞれの含有量として８０％以上であることが好ましい。
【００４７】
そして、第２層電極として用いられるＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属は、第１層電極のＺｎとの密着性が良好であると共に、リード線、或いは、リード端子との半田接合強度を向上させるものである。
【００４８】
以下、本発明の磁器コンデンサについて、図面を参照して更に詳しく説明する。
【００４９】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを示す透視側面図であり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを示す透視正面図である。そして、図１（ａ），（ｂ）において、１は誘電体磁器基板、２は第１層電極、３は第２層電極、４，５はリード線、６は外装材である。また、１００は磁器コンデンサを示している。
【００５０】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、磁器コンデンサ１００は、円板型の誘電体磁器基板１の両主表面に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成され、更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード線４，５が半田接合された構成である。
【００５１】
そして、リード線４，５の一部と、誘電体磁器基板１及び第１層電極２、第２層電極３を埋設する外装材６が形成される。
【００５２】
誘電体磁器基板１としては、上述したＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。
【００５３】
そして、同様に、第１層電極２としてＺｎが用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用いられる。
【００５４】
更に、リード線４，５としては、例えば、ＪＩＳ Ｃ３１０２で規定される電気用軟銅線を原料とし、これに電気メッキ、又は、溶融半田を施した線材を使用することができる。
【００５５】
また、外装材６としては、絶縁性を有する材料が用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることができる。この中でも、絶縁性樹脂が加工適正、低価格であり好ましく、熱硬化性樹脂が加工適正に優れより好ましく、更に、熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、耐湿性に優れているので特に好ましい。そして、オルトクレゾールノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等のエポキシ樹脂があげられる。
【００５６】
また、図１（ａ）に示すように、誘電体磁器基板１の両主表面の第２層電極３に接合された一対のリード線４，５は、誘電体磁器基板１を間に挟んで離間し平行に延設されるが、折り曲げられて、最終的には、誘電体磁器基板１の厚み方向で重なるように引き出されている。そして、一対のリード線４，５は、離間距離の略半分の位置、即ち、誘電体磁器基板１の厚みを略半分にする位置で重なっている。
【００５７】
更に、図１（ｂ）に示すように、一対のリード線４，５は、誘電体磁器基板１の表裏面でクロスするように第２層電極３にそれぞれ接合され、折り曲げられて、略平行になるように互いに離間して延設され、更に折り曲げられて、双方の離間距離を狭めた状態で略平行に延設されている。
【００５８】
そして、磁器コンデンサ１００の一対のリード線４，５は、回路基板のスルーホールに挿入されて、回路基板の裏面で半田接合され実装されるが、図１（ｂ）に示すように、一対のリード線４，５が離間する距離をスルーホールへの挿入部分で狭くすることによって、外装材６から突出したリード線４，５の全ての部分がスルーホールに入り込むこともない。
【００５９】
また、実装される磁器コンデンサ１００の外装材６の最下部と回路基板の間にはリード線４，５の一部が必ず介在するので、半田接合時の熱の影響を受けにくい上、半田フラックスも確実に排出できる。そして、半田接合時の熱の影響を受けにくいので、半田付け温度の高いＰｂ（鉛）フリー半田が使用可能となる。
【００６０】
次に、本発明の実施の形態１における磁器コンデンサの製造方法について説明する。
【００６１】
まず、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれる少なくとも１つ以上を配合し、通常の窯業的手法によって、湿式混合或いは造粒を行い、円板型の形状に加圧成形した後、これを焼成する。
【００６２】
そして、得られた誘電体磁器基板１の両主表面に、第１層電極２としてＺｎ電極を印刷法によって形成する。具体的には、亜鉛ペーストをスクリーン印刷法によって誘電体磁器の両主表面に形成した後、約６００℃で焼き付けを行う。この焼き付けは、中性又は還元雰囲気中で行う必要はなく、大気雰囲気下で行うことができる。なお、Ｚｎ電極のその他の形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
【００６３】
更に、第１層電極２であるＺｎ電極表面の活性化処理を行う。この表面活性化処理は、Ｚｎ電極表面の酸化物を除去するものである。これにより、積層される第２層電極３のＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を主体とする電極との密着性を向上させ、Ｚｎ電極と例えばＣｕ電極との間に不安定な金属化合物を発生させることもない。Ｚｎ電極表面活性化処理としては、化学的エッチングを用いることができ、酸を利用することによって行われる。具体的には、ｐＨ３程度の例えばりんご酸を用いて行う。他の方法としては、表面を物理的に粗す等の物理的エッチングによっても良い。
【００６４】
次に、第１層電極２であるＺｎ電極の上に、第２層電極３として、例えばＣｕ電極を形成する。第２層電極３であるＣｕ電極の形成は、メッキ法によって行う。このメッキは電解メッキ、或いは、無電解メッキのいずれの方法であってもよいが、無電解メッキがセラミック素子特性を劣化させないと言う理由で好ましい。
【００６５】
そして、第２層電極３であるＣｕ電極の上にリード線４，５を半田付けし、リード線４，５の一部を除いて、絶縁性樹脂等でコーティングし、外装材６を形成する。
【００６６】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２におけるモールド型磁器コンデンサを示す断面図であり、図２において、７，８はリード端子であり、２００はモールド型磁器コンデンサを示している。なお、実施の形態１で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付している。
【００６７】
図２に示すように、モールド型磁器コンデンサ２００は、円板状の誘電体磁器基板１の両主表面に、それぞれ第１層電極２、第２層電極３が形成され、更に、第２層電極３に、それぞれ一対のリード端子７，８が半田接合された構成である。
【００６８】
そして、外装材６によって、誘電体磁器基板１、第１層及び第２層の電極２，３、リード端子７，８の一部が埋設される。
【００６９】
また、リード端子７，８の外装材６から突出した部分は、外部端子形成部を構成するものであり、このリード端子７，８の外部端子形成部を介して回路基板に表面実装できるようになっている。
【００７０】
誘電体磁器基板１としては、実施の形態１で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられ、同様に、第１層電極２としてＺｎが用いられ、第２層電極３としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属が用いられる。
【００７１】
また、外装材６としても、実施の形態１で説明したものと同様であり、絶縁性を有する材料を用いられ、ガラス、絶縁性樹脂等を用いることができ、絶縁性樹脂が加工適正、低価格であり好ましく、熱硬化性樹脂が加工適正に優れより好ましく、更に、オルトクレゾールノボラック系，ビフェニール系，ペンタジエン系等のエポキシ樹脂等に代表される熱硬化型のエポキシ樹脂が強度、耐湿性に優れているので特に好ましい。
【００７２】
リード端子７，８としては、導電材料を用いることができるが、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉの少なくとも一つから選ばれるものが好適に選択される金属材料が好適に用いられ、電気的特性や加工性の面で有利である。
【００７３】
次に、本発明の実施の形態２におけるモールド型磁器コンデンサの製造方法は、実施の形態１で説明したものと同様であるが、リード線４，５ではなく、第２層電極３の上にリード端子７，８が半田付けされ、リード端子７，８の一部を除いて、誘電体磁器基板１、第１層電極２、第２層電極３を絶縁性樹脂等でコーティングし、外装材６を形成し、モールド型磁器コンデンサ２００を得ることができる。
【００７４】
（実施の形態３）
図３は、本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図であり、図４は本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図４は図３のＡ−Ａ線断面図である。
【００７５】
図３，図４において、１ａは誘電体磁器で構成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子電極である。更に、１０は間隙、１１は軸芯部、１２は端子部、１３は傾斜部であり、３００はチップ型磁器コンデンサを示している。なお、図４において、ｈ１は端子部１２の高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施の形態１，２で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付している。
【００７６】
図３，図４に示すように、チップ型磁器コンデンサ３００は、端子部１２間に外装材６が充填され、外形が略直方体である。
【００７７】
更に、基体１ａは、その両端に端子部１２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、この凹んだ部分に外装材６が充填される。
【００７８】
そして、基体１ａは、その機械的強度、諸特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品として品質を維持することができない。また、この値が０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【００７９】
更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えることによって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チップ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってしまい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【００８０】
以上のような構成を有する基体１ａの表面には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１において導電膜２ａは間隙１０によって分離されている。そして、間隙１０、軸芯部１１及び傾斜部１３に形成された導電膜２ａを覆うように外装材６が形成されている。
【００８１】
また、外装材６で被覆されていない端子部１２の導電膜２ａの上には、導電膜２ａを覆うように端子電極９が形成されている。なお、端子電極９を設けずに、端子部１２で露出している導電膜２ａをそのまま電極として用いても良い。
【００８２】
また、外装材６と端子部１２は略面一であり、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデンサ３００の外形は略直方体であることが実装性に優れるので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。
【００８３】
更に、チップ型磁器コンデンサ３００の各構成について詳しく説明する。
【００８４】
まず、基体１ａは、実施の形態１，２で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とするものである。
【００８５】
また、外装材６としても、実施の形態１、２で説明したものと同様である。
【００８６】
また、端子電極９は、実装時の半田付け性を向上させ、導電膜２ａを保護することができる。この端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を用いることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極は、半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に好ましい。
【００８７】
また、導電膜２ａと端子電極９との間に、実施の形態１、２における第２層の電極として説明したＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を用いてもよい。
【００８８】
次に、本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。
【００８９】
まず、実施の形態１，２と同様に、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に装填し加圧成形した後焼成する。
【００９０】
そして、焼成された略直方体のベース基体１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基体１ａを形成してもよい。このように形成することで、基体１ａを削る工程を無くすことができる。
【００９１】
次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの外周に亘ってマスクする。
【００９２】
そして、このマスク部分以外の基体１ａ表面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
【００９３】
次に、所定幅の間隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分にマスクされた感光性樹脂を除去し、所望の形状にパターニングされ、間隙１０によって分離された導電膜２ａを得ることができる。
【００９４】
基体１ａに間隙１０によって分離された導電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の間隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分を除いて、導電膜２ａを基体１ａに直接塗布形成することもできる。
【００９５】
更に、種々の成膜方法によって、一旦導電膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間隙１０に相当する導電膜２ａを形成しない部分のみを研磨、レーザートリミング、物理的或いは化学的エッチング等の方法によって除去してもよい。この中でも、レーザートリミングは高精度であり好ましい。
【００９６】
更に、レーザートリミングにより導電膜２ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによって、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。この方法によれば、レーザートリミングによって、基体１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことができる。
【００９７】
次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａを覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外装材６を充填する。
【００９８】
次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【００９９】
そして、本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサ３００は、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【０１００】
なお、本発明の実施の形態３において、実装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形成せずに、単に略直方体、或いは角柱状、円柱状の基体１ａの表面に導電膜２ａを形成し、導電膜２ａを分離する間隙１０を備えた単純な構成としてもよい。
【０１０１】
（実施の形態４）
図５は本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図であり、図６は本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図６は図５のＡ−Ａ線断面図である。
【０１０２】
図５，図６において、１ａは誘電体磁器で構成された基体、２ａは導電膜、６は外装材、９は端子電極である。更に、１０ａ，１０ｂは間隙、１１は軸芯部、１２は端子部、１３は傾斜部であり、４００はチップ型磁器コンデンサを示している。
【０１０３】
なお、図６において、ｈ１は端子部１２の高さ、ｈ２は軸芯部１１の高さであり、θは軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度である。また、実施の形態３で説明したものと同様の部分には、同じ符号を付している。
【０１０４】
図５，図６に示すように、チップ型磁器コンデンサ４００は、端子部１２間に外装材６が充填され、外形が略直方体である。
【０１０５】
更に、基体１ａは、その両端に端子部１２、中央に軸芯部１１を備えた構成であり、軸芯部１１は端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる。そして、この凹んだ部分に外装材６が充填される。
【０１０６】
そして、基体１ａは、その機械的強度、諸特性を維持するために、端子部１２の高さｈ１と、軸芯部１１の高さｈ２との寸法比は、ｈ２／ｈ１＝０．５〜０．８５であること、即ち、端子部９の高さｈ１と、軸芯部８の高さｈ２の比が、ｈ１：ｈ２＝１：０．５〜０．８５の範囲にあることが好ましい。この値が０．５未満であると、機械的強度が不足して、コンデンサ製品として品質を維持することができない。また、この値が０．８５を超えると、充填される外装材６の厚みが不足し、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【０１０７】
更に、基体１ａにおいて、軸芯部１１と、両端の端子部１２との間には、それぞれ傾斜部１３が形成されることが好ましい。この傾斜部１３を備えることによって、外装材６が確実かつ安定して充填でき、チップ型磁器コンデンサ３００は、外装材６と基体１ａの間には、気泡の抱き込みがほとんどない。また、この軸芯部１１と傾斜部１３とがなす角度θは、９０度〜１５０度であることが好ましい。９０度以下であると、気泡が発生し、安定した外装材６の充填が困難である。また、１５０度を超えると充填される外装材６が薄くなってしまい、耐湿性の低下など、信頼性が悪くなる。
【０１０８】
以上のような構成を有する基体１ａの表面には、導電膜２ａが形成され、更に、軸芯部１１において導電膜２ａは間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。
【０１０９】
そして、図５，図６に示すように、軸芯部１１の対向する一対の側面及び端子部１２には導電膜２ａが形成され、この導電膜２ａは、対向する一対の側面で互いに異なる端子部１２と間隙１０ａ，１０ｂを介し、対向する一対の側面で互いに異なる端子部１２に引き出されている。
【０１１０】
即ち、チップ型磁器コンデンサ４００には、基体１ａの軸芯部１１の表裏で、互いに異なる方向に引き出された導電膜２ａが形成され、基体１ａの表裏でそれぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。そして、互いに異なる方向に引き出された導電膜２ａのそれぞれが端子部１２を覆う構成であり、互いに対向する端子部１２間において、基体１ａの表裏に形成され、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは点対称の関係にある。なお、端子部１２における導電膜２ａは、側面にのみ設け端面には設けなくてもよい。
【０１１１】
そして、本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサ４００は、対向する端子部１２間において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂによって静電容量を得ることができる。更に、軸芯部１１を介して互いに対向する導電膜２ａが形成され、基体１ａの軸芯部１１の厚み（高さｈ２）によって、静電容量を得ることができる。また、基体１ａの軸芯部１１の厚みを変更することによって、所望の静電容量を得ることができる。
【０１１２】
また、外装材６と端子部１２は略面一であり、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れるものである。また、チップ型磁器コンデンサ４００の外形は略直方体であることが実装性に優れるので好ましいが、チップコンデンサとしての実装性を阻害しない範囲で、円柱状、多角形状であってもよい。
【０１１３】
更に、チップ型磁器コンデンサ４００の各構成について詳しく説明する。
【０１１４】
まず、基体１は、実施の形態１〜３で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とするものである。
【０１１５】
また、外装材６としても、実施の形態１〜３で説明したものと同様である。
【０１１６】
また、実施の形態３と同様に、端子電極９は、実装時の半田付け性を向上させ、導電膜２ａを保護することができる。この端子電極９としては、Ｎｉ，Ｓｎ，半田の中から選ばれる少なくとも１種以上の材料を用いることができる。この中でも、Ｎｉ層上にＳｎまたは半田を形成した電極は、半田付性および耐熱性が向上すると言う理由で特に好ましい。また、導電膜２ａと端子電極９との間に、実施の形態１、２における第２層の電極として説明したＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｌから選ばれる少なくとも一つの金属を用いてもよい。
【０１１７】
次に、本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサの製造方法について説明する。
【０１１８】
まず、実施の形態１〜３と同様に、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2粉末を主成分とし、添加剤兼焼結助剤成分であるＭｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｍｇ2ＴｉＯ4の中から選ばれた少なくとも１つ以上を配合して、これら誘電体材料を金型に装填し加圧成形した後焼成する。
【０１１９】
そして、焼成された略直方体のベース基体１ａの中央を外周に亘って削ることによって、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形成する。なお、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を備えるように予め金型を形成し、この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成して基体１ａを形成してもよい。このように形成することで、基体１ａを削る工程を無くすことができる。
【０１２０】
次に、この基体１ａに感光性樹脂を塗布し、露光及び現像を行って、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分を基体１ａの表裏でそれぞれマスクする。
【０１２１】
そして、このマスク部分以外の基体１ａ表面にＺｎを主体とする導電膜２ａを形成する。導電膜２ａの形成方法としては、導電ペーストに浸積して塗布するいわゆるディップ塗装や、印刷法、電着法、鍍金法、蒸着法等の成膜方法を用いることができる。
【０１２２】
次に、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分にマスクされた感光性樹脂を除去し、所望の形状にパターニングされ、間隙１０ａ，１０ｂによって分離された導電膜２ａを得ることができる。
【０１２３】
基体１ａに間隙１０ａ，１０ｂによって分離された導電膜２ａを形成する方法としては、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２を形成しない部分を除いて、導電膜２ａを基体１ａに直接塗布形成することもできる。
【０１２４】
更に、種々の成膜方法によって、一旦導電膜２ａを基体１ａの表面全面に形成した後、所定幅の間隙１０ａ，１０ｂに相当する導電膜２ａを形成しない部分のみを研磨、レーザートリミング、物理的或いは化学的エッチング等の方法によって除去してもよい。この中でも、レーザートリミングは高精度であり好ましい。
【０１２５】
更に、レーザートリミングにより導電膜２ａの不要な部分を除去する場合において、まず、レーザートリミングで不要部分の導電膜２ａの所定厚み分を除去する。次に、不要部分及びその他の部分を含め全体を一律にエッチングする。このエッチングは不要部分の導電膜２ａの膜厚が完全に除去されるまで行う。これによって、不要部分以外の導電膜２ａは残留し、所望の形状にパターニングされた導電膜２ａを得ることができる。この方法によれば、レーザートリミングによって、基体１ａの表面に形成された導電膜２ａを除去する際に、レーザーの熱が基体１ａに達することがないので、基体１ａの材料を熱変性させ、特性を劣化させることがなく、レーザーの熱による基体１ａの特性劣化を防ぐことができる。
【０１２６】
次に、軸芯部１１に形成された導電膜２ａを覆うように、上述した絶縁性を有する材料を用いて外装材６を充填する。
【０１２７】
次に、端子部１２の導電膜２ａに対して、導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【０１２８】
そして、本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサ４００は、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【０１２９】
なお、本発明の実施の形態４において、実装性や外装材６の充填性を必要としない場合には、両端の端子部１２よりも外周に亘って凹んでいる軸芯部１１を形成せずに、単に、基体１ａを略直方体とし、略直方体の基体１ａの対向する一対の側面で互いに異なる端面と間隙１０ａ，１０ｂを介して、一対の側面で互いに異なる端面に引き出された導電膜２ａを備えた単純な構成としてもよい。
【０１３０】
（実施の形態５）
図７は、本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す斜視図であり、図８は本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図である。なお、図８（ａ）は図７のＡ−Ａ線断面図、図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線断面図、図８（ｃ）は図７のＣ−Ｃ線断面図である。
【０１３１】
図７，図８において、１１ａは中央対向部である。また、５００はチップ型磁器コンデンサを示している。また、Ｌは凹部に挟まれた中央対向部１１ａの基体１ａの厚みである。なお、本実施の形態５においては、実施の形態４で説明した部分と同じものには同じ符号を付している。
【０１３２】
そして、本実施の形態５においては、チップ型磁器コンデンサ５００を構成する各部は、実施の形態４で説明したものと同様であり、詳しい説明は一部省略する。
【０１３３】
図７に示すように、チップ型磁器コンデンサ５００は、基体１ａの両端部に端子電極９を備え、端子電極９間の凹部に外装材６が充填され、外形が略直方体である。
【０１３４】
更に、図８（ａ）に示すように、チップ型磁器コンデンサ５００は、略直方体である基体１ａの対向する一対の面に凹部がそれぞれ形成されている。この対向する凹部の深さは任意であり、対向する凹部の深さによって、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬが決定される。対向する凹部は、中央対向部１１ａを挟み対称形状であり、体積も同一である事が好ましいが、互いに異なっていてもよい。
【０１３５】
また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、基体１ａの表面には、対向する凹部で、即ち、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏で、互いに異なる端面に引き出された導電膜２ａが形成されている。更に、導電膜２ａは、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏でそれぞれ間隙１０ａ，１０ｂによって分離されている。
【０１３６】
そして、互いに異なる端面に引き出された導電膜２ａのそれぞれが基体１ａの端子部１２を覆う構成であり、互いに対向する端子部１２間において、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏に形成され、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂとは点対称の関係にある。
【０１３７】
更に、対向する凹部には、それぞれ外装材６が充填され、基体１ａの中央対向部１１ａの表裏の導電膜２ａ及び間隙１０ａ，１０ｂを覆う構成となっている。
【０１３８】
また、端子部１２の導電膜２ａに対して、導電膜２ａを覆うように端子電極９が形成されている。なお、端子電極９を設けずに、端子部１２で露出している導電膜２ａをそのまま電極として用いても良い。
【０１３９】
また、外装材６を端子部１２と略面一に充填することで、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れるものである。
【０１４０】
そして、本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサ５００は、対向する端子部１２間において、導電膜２ａを分離する間隙１０ａと間隙１０ｂによって静電容量を得ることができると共に、更に、中央対向部１１ａを介して互いに対向する導電膜２ａが形成され、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬによって、静電容量を得ることができる。また、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬを変更することによって、所望の静電容量を得ることができる。
【０１４１】
特に、大きな静電容量を得るために、基体１ａの中央対向部１１ａの厚みＬを小さくしても、中央対向部１１ａを取り囲む基体１ａの存在によって、チップ型磁器コンデンサ５０の機械的強度を維持することが可能である。
【０１４２】
基体１は、実施の形態１〜４で説明したように、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系の誘電体組成物を主成分とする誘電体磁器が用いられる。そして、導電膜２ａはＺｎを主体とするものである。
【０１４３】
また、外装材６としても、実施の形態１〜４で説明したものと同様である。
【０１４４】
また、端子電極９も、実施の形態３，４で説明したものと同様である。
【０１４５】
次に、チップ型磁器コンデンサ５００の製造方法について説明する。
【０１４６】
この基体１ａの形成方法としては、まず、金型に上記した誘電体材料を装填し加圧成形後これを焼成する。そして、焼成されたこの略直方体のベース基体１ａの対向する一対の面の中央を削ることによって、凹部を形成する。また、基体１ａの対向する一対の面の中央にそれぞれ凹部を備えるように予め金型を形成し、この金型で誘電体材料を加圧成形し、これを焼成してもよい。このように形成することで、基体１ａを削る工程を無くすことができる。
【０１４７】
次に、基体１ａの表裏に導電膜２ａが形成される。一方の凹部において導電膜２ａは間隙１０ａを備えるように形成され、他方の凹部において導電膜２ａは間隙１０ｂを備えるように形成される。
【０１４８】
導電膜２ａの形成方法としては、実施の形態４で説明した方法と同様である。
【０１４９】
そして、凹部に上記した絶縁性を有する材料を用いて外装材６を充填する。なお、外装材６は端子部１２と略面一に形成することが好ましい。
【０１５０】
更に、端子部１２の導電膜２ａに対して、導電膜２ａを覆うように端子電極９を形成する。
【０１５１】
そして、本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサ５００は、外形が略直方体となり、チップコンデンサとしての実装性に優れる。
【０１５２】
以上実施の形態１〜５で説明したように、本発明の磁器コンデンサは、様々な形態を取ることが可能である。そして、いずれの形態であっても、本発明の磁器コンデンサは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする誘電体磁器と、誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする電極とを備えることにより、高周波数、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制することができるものである。
【０１５３】
【実施例】
実施例により本発明を詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例等により何ら限定されるものではない。
【０１５４】
（実施例１）
まず、主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴｉＯ3０．７５０、ＣａＴｉＯ3 ０．２５０）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｇＯを０．２部、ＳｉＯ2を０．２部、それぞれ電子天秤で秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ2質ボールが入ったモノマロン製ポットミル中に投入した。
【０１５５】
次に、１００ｒｐｍの回転速度で２００時間混合した後、混合物を１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過して、フッ素樹脂シートを敷いたステンレスバット中に投入し、１２００℃の温度で乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、造粒した。
【０１５６】
この造粒物を円板型の形状に加圧成形した後、約１３３０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約１．０ｍｍである。
【０１５７】
次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面に、印刷法によって第１層電極としてのＺｎ電極を直径８．０ｍｍで形成し、６４０℃で焼き付けを行った。
【０１５８】
更に、このＺｎ電極表面に約ｐＨ３のりんご酸を用いて化学的エッチングを行い、Ｚｎ電極表面の酸化物を除去した。
【０１５９】
次に、Ｚｎ電極の上に、第２層電極としてＣｕ電極を無電解メッキ法によって形成した。
【０１６０】
そして、誘電体磁器の両主表面のＣｕ電極上に、それぞれリード線を半田付けした。
【０１６１】
更に、リード線の一部を除いて、エポキシ樹脂をコーティングし、Ｚｎ及びＣｕ電極が積層された誘電体磁器を被覆して外装材を形成し、図１に示した磁器コンデンサを得た。
【０１６２】
次に、得られた実施例１の磁器コンデンサの静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失（Ｑ値＝１／ｔａｎδ）、直流抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／ｔ）、誘電率（ε）、温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性（δｔ）を測定した。
【０１６３】
静電容量（Ｃａｐ）と誘電体損失（Ｑ値）はＹＨＰ製Ｃメータ４２７８Ａを使用して１Ｖ／１ＭＨｚの信号電圧下で測定した。直流抵抗（ＩＲ）はＹＨＰ製絶縁抵抗計４３２９Ａを使用して５００ＶＤＣを１分間印加して測定した。誘電体形状（φ／ｔ）はマイクロメーターで測定し、誘電率（ε）は以下の計算で求めた。温度特性（ＴＣ）は温度毎の静電容量をＹＨＰ製Ｃメータ４２７８Ａで測定した。
【０１６４】
Ｃ＝ε・φ2／１４４ｔ
Ｃ：静電容量
ε：誘電率
φ：誘電体電極径
ｔ：誘電体厚み
自己発熱特性（δｔ）は、実施例１の磁器コンデンサに、ＡＣ５．０ｋＶｐ−ｐ、周波数１００ｋＨｚを印加し、φ０．１ｍｍの熱電対（クロメルアルメル）を実施例１の磁器コンデンサのエポキシ樹脂からなる外装材に密着させ、温度上昇が安定した時の外装材の表面温度を測定し、この外装材の表面温度と、そのときの雰囲気温度との差を自己発熱特性（δｔ）とした。
【０１６５】
この測定結果を（表１）に示した。
【０１６６】
【表１】
（実施例２〜９）
主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、或いは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）を変更し、その他は実施例１と同様にして、実施例２〜９の磁器コンデンサを得た。実施例２〜９の磁器コンデンサについても、実施例１と同様の測定を行った。
【０１６８】
この測定結果と実施例２〜９のＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、或いは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）を合わせて（表１）に示している。
【０１６９】
また、実施例９については、自己発熱特性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−ｐ〜５．０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。この結果を図９に示す。なお、図９は自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラフである。
【０１７０】
（比較例１）
実施例１と同様に、主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3粉末（モル比で、ＳｒＴｉＯ3 ０．７５０、ＣａＴｉＯ3 ０．２５０）と、この粉末１００部に対して、添加剤兼焼結助剤成分としてＭｇＯを０．２部、ＳｉＯ2を０．２部、電子天秤で秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ2質ボールが入ったモノマロン製ポットミル中に投入し、１００ｒｐｍの回転速度で２００時間混合した後、混合物を１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過して、フッ素樹脂シートを敷いたステンレスバット中に投入し、１２００゜Ｃの温度で乾燥した。乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後造粒した。
【０１７１】
この造粒物を円板型の形状に加圧成形した後、約１３３０℃で焼成し、誘電体磁器基板を得た。誘電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約１．０ｍｍである。
【０１７２】
次に、得られた誘電体磁器基板の両主表面に、印刷法によってＡｇ（銀）電極を直径８．０ｍｍで形成し、８００℃で焼き付けを行った。
【０１７３】
そして、誘電体磁器の両主表面のＡｇ電極上に、それぞれリード線を半田付けした。更に、リード線の一部を除いて、エポキシ樹脂をコーティングし、Ａｇ電極が形成された誘電体磁器を被覆して外装材を形成し、図１に示した磁器コンデンサを得た。
【０１７４】
次に、実施例１と同様に、得られた比較例１の磁器コンデンサの静電容量（Ｃａｐ）、誘電体損失（Ｑ値＝１／ｔａｎδ）、直流抵抗（ＩＲ）、誘電体形状（φ／ｔ）、誘電率（ε）、温度特性（ＴＣ）、自己発熱特性（δｔ）を測定した。
【０１７５】
この測定結果を（表２）に示している。
【０１７６】
【表２】
（比較例２〜９）
主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、或いは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）を変更し、その他は比較例１と同様にして、比較例２〜９の磁器コンデンサを得た。比較例２〜９の磁器コンデンサについても、比較例１と同様の測定を行った。
【０１７８】
この測定結果と比較例２〜９のＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、或いは、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）を合わせて（表２）に示している。
【０１７９】
また、比較例９については、自己発熱特性（δｔ）は、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−ｐ〜５．０ｋＶｐ−ｐの範囲で行い測定した。この結果は上述した実施例９の結果と共に図９に示している。
【０１８０】
（表１）、（表２）、図９の結果から明らかなように、本実施例の組成の誘電体磁器と、これに用いる電極として、第１層電極のＺｎ（亜鉛）電極及び第２層電極のＣｕ（銅）電極を用いた磁器コンデンサは、Ａｇ（銀）電極を用いたものに比べて、明らかに自己発熱温度特性が優れていた。
【０１８１】
（実施例１０）
実施例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更にＬａ2Ｏ3を０．０２５モル添加し、その他は実施例２と同様にして、実施例１０の磁器コンデンサを得た。実施例１０の磁器コンデンサについても、実施例２と同様の測定を行った。
【０１８２】
（実施例１１）
実施例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更にＮｄ2Ｏ3を０．０２５モル添加し、その他は実施例２と同様にして、実施例１１の磁器コンデンサを得た。実施例１１の磁器コンデンサについても、実施例２と同様の測定を行った。
【０１８３】
（実施例１２）
実施例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更に２ＣｅＯ2を０．０２５モル添加し、その他は実施例２と同様にして、実施例１２の磁器コンデンサを得た。実施例１２の磁器コンデンサについても、実施例２と同様の測定を行った。
【０１８４】
これら測定結果と実施例１０〜１２の組成比（モル比）を合わせて（表３）に示している。
【０１８５】
【表３】
（比較例１０）
比較例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更にＬａ2Ｏ3を０．０２５モル添加し、その他は比較例２と同様にして、比較例１０の磁器コンデンサを得た。比較例１０の磁器コンデンサについても、比較例２と同様の測定を行った。
【０１８７】
（比較例１１）
比較例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更にＮｄ2Ｏ3を０．０２５モル添加し、その他は比較例２と同様にして、比較例１１の磁器コンデンサを得た。比較例１１の磁器コンデンサについても、比較例２と同様の測定を行った。
【０１８８】
（比較例１２）
比較例２における主成分であるＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系粉末の組成比（モル比）の中で、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５モルとし、更に２ＣｅＯ2を０．０２５モル添加し、その他は比較例２と同様にして、比較例１２の磁器コンデンサを得た。比較例１２の磁器コンデンサについても、比較例２と同様の測定を行った。
【０１８９】
これら測定結果と比較例１０〜１２の組成比（モル比）を合わせて（表４）に示している。
【０１９０】
【表４】
（表３）、（表４）の結果から明らかなように、Ｂｉの少なくとも一部をＬａ、Ｃｅ、Ｎｄから選ばれる少なくとも一つの元素で置換することによっても、本実施例の組成の誘電体磁器と、これに用いる電極として、第１層電極のＺｎ（亜鉛）電極及び第２層電極のＣｕ（銅）電極を用いた磁器コンデンサは、Ａｇ（銀）電極を用いたものに比べて、明らかに自己発熱温度特性が優れていた。
【０１９２】
（比較例１３）
比較例１３の磁器コンデンサは以下のようにして作製した。まず、主成分であるＢａＴｉＯ3粉末１００部に対して、添加剤兼焼結助剤成分として、Ｂｉ2Ｏ3を３部、ＳｎＯ2を２部、Ａｌ2Ｏ3を１部、Ｌａ2Ｏ3を１部、ＺｒＯ2を１部、ＳｉＯ2を０．５部、ＭｎＯ2を０．２部それぞれ電子天秤で秤量し、以下、実施例１と同様にして誘電体磁器基板を得た。誘電体磁器基板の形状は、直径約１０．０ｍｍ、厚さ約１．０ｍｍである。
【０１９３】
次に実施例１と同様に、第１層電極としてＺｎ電極、第２層電極としてＣｕ電極を形成し、リード線を半田付けし、エポキシ樹脂をコーティングして外装材を形成した。
【０１９４】
（比較例１４）
誘電体磁器基板の両主表面に、印刷法によってＡｇ電極を直径８．０ｍｍで形成し、８００℃で焼き付けを行う以外は比較例１３と同様の方法にて比較例１４の磁器コンデンサを作製した。
【０１９５】
次に、これらの磁器コンデンサの諸特性を測定した。
【０１９６】
この測定結果は次の通りである。
【０１９７】
比較例１３：静電容量（Ｃａｐ）＝９８２．６４（ｐＦ）、ｔａｎδ＝１．３７０（％）、直流抵抗（ＩＲ）＝０．８Ｅ＋１２（Ω）、誘電体形状（φ／ｔ）＝８．０／１．３５（ｍｍ/ｍｍ）、誘電率（ε）＝３０００
比較例１４：静電容量（Ｃａｐ）＝９８０．５６（ｐＦ）、ｔａｎδ＝１．３６３（％）、直流抵抗（ＩＲ）＝０．８Ｅ＋１２（Ω）、誘電体形状（φ／ｔ）＝８．０／１．３５（ｍｍ/ｍｍ）、誘電率（ε）＝３０００
また、比較例１３，１４について、自己発熱特性（δｔ）を、印可する電圧をＡＣ０ｋＶｐ−ｐ〜３．０ｋＶｐ−ｐの範囲で測定し、その結果の自己発熱温度特性と印加電圧の関係を図１０に示す。なお、図１０は自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラフである。
【０１９８】
図１０の結果から明らかなように、本発明以外の組成の誘電体磁器と、Ｚｎ（亜鉛）からなる第１層電極とＣｕ（銅）からなる第２層電極を用いた場合、或いは、Ａｇ（銀）電極を用いた場合のいずれの磁器コンデンサであっても、自己発熱を抑制することができなかった。
【０１９９】
このように本発明の組成からなる誘電体磁器とＺｎ（亜鉛）からなる第１の電極とを組み合わせることではじめて自己発熱が抑制される。
【０２００】
【発明の効果】
以上の様に本発明によれば、高電圧の使用条件下においても自己発熱温度を抑制し、低損失である磁器コンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを示す透視側面図
（ｂ）本発明の実施の形態１における磁器コンデンサを示す透視正面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるモ−ルド型磁器コンデンサを示す断面図
【図３】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図
【図４】本発明の実施の形態３におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図
【図５】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す透視斜視図
【図６】本発明の実施の形態４におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図
【図７】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す斜視図
【図８】本発明の実施の形態５におけるチップ型磁器コンデンサを示す断面図
【図９】自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラフ
【図１０】自己発熱温度特性と印加電圧の関係を示すグラフ
【符号の説明】
１ 誘電体磁器基板
１ａ 基体
２ 第１層電極
２ａ 導電膜
３ 第２層電極
４，５ リード線
６ 外装材
７，８ リード端子
９ 端子電極
１０，１０ａ，１０ｂ 間隙
１１ 軸芯部
１１ａ 中央対向部
１２ 端子部
１３ 傾斜部
１００ 磁器コンデンサ
２００ モールド型磁器コンデンサ
３００，４００，５００ チップ型磁器コンデンサ
Claims (3)
- ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、または、ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする誘電体磁器と、前記誘電体磁器の対向表面に形成されたＺｎを主体とする第１層の電極と、前記第１層の電極上に形成されたＣｕを主体とする第２層の電極を備え、前記誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５とし、かつ合計が１となるようにし、前記誘電体磁器がＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を主成分とする場合、ＳｒＴｉＯ3とＣａＴｉＯ3とＢｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2とのモル比はＳｒＴｉＯ3を０．５５〜０．７５、ＣａＴｉＯ3を０．２５〜０．４５、Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2を０．０２５〜０．１００とし、かつ合計が１となるようにすることを特徴とする磁器コンデンサ。
- 前記第２層の電極に接続されたリード線と、前記誘電体磁器、前記第１層及び前記第２層の電極、前記リード線の一部を埋設する外装材とを備えたことを特徴とする請求項１記載の磁器コンデンサ。
- 前記外装材の側面から外部に突き出された前記リード端子の外部端子形成部とを備えたことを特徴とする請求項２記載の磁器コンデンサ。
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