JP3275799B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- H—ELECTRICITY
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体磁器組成
物に関するもので、特に銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）
などを内部電極とした積層磁器コンデンサに用いられ
る、誘電体磁器組成物に関するものである。
物に関するもので、特に銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）
などを内部電極とした積層磁器コンデンサに用いられ
る、誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、温度補償用磁器コンデンサ
は、各種電気機器の中で、同調回路、共振回路などに広
く用いられており、小型で、誘電損失が小さく、誘電特
性の安定したコンデンサが求められている。このため、
誘電体磁器の特性としては、小型化の要求に対して比誘
電率が高いことと、誘電損失が小さいこと、言い換えれ
ばＱ値が大きいことなどが上げられる。
は、各種電気機器の中で、同調回路、共振回路などに広
く用いられており、小型で、誘電損失が小さく、誘電特
性の安定したコンデンサが求められている。このため、
誘電体磁器の特性としては、小型化の要求に対して比誘
電率が高いことと、誘電損失が小さいこと、言い換えれ
ばＱ値が大きいことなどが上げられる。
【０００３】このような誘電体磁器組成物を用いた積層
磁器コンデンサが実用化されているが、焼成温度が１３
００℃〜１４００℃と高温のため、内部電極材料とし
て、高温に耐えるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）な
どを用いなければならない。しかし、これらの電極材料
は高価であり、製造コストの点で改善の必要があった。
磁器コンデンサが実用化されているが、焼成温度が１３
００℃〜１４００℃と高温のため、内部電極材料とし
て、高温に耐えるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）な
どを用いなければならない。しかし、これらの電極材料
は高価であり、製造コストの点で改善の必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように高価な電
極材料を用いることは、製造コストにおける電極材料コ
ストの占める割合が大きく、好ましくない。
極材料を用いることは、製造コストにおける電極材料コ
ストの占める割合が大きく、好ましくない。
【０００５】他方、電極材料コストを下げるためには、
電極材料として安価な、Ａｇ−Ｐｄなどを用いればよ
い。この場合、Ａｇの融点は９６１℃と低温であり、誘
電体磁器が低温で焼成できるほど、電極材料中のＡｇの
割合を多くして電極材料コストを下げることができる。
したがって、内部電極中のＡｇの割合を多くできるよう
に、１２５０℃以下の低温で焼成できる誘電体磁器組成
物が求められる。
電極材料として安価な、Ａｇ−Ｐｄなどを用いればよ
い。この場合、Ａｇの融点は９６１℃と低温であり、誘
電体磁器が低温で焼成できるほど、電極材料中のＡｇの
割合を多くして電極材料コストを下げることができる。
したがって、内部電極中のＡｇの割合を多くできるよう
に、１２５０℃以下の低温で焼成できる誘電体磁器組成
物が求められる。
【０００６】そこで、この発明の目的は、誘電体材料と
して優れた特性、特に高い比誘電率εｒで、Ｑ値が大き
い特性を有し、しかも低温で焼成した場合に焼結性が良
好な誘電体磁器組成物を提供することである。
して優れた特性、特に高い比誘電率εｒで、Ｑ値が大き
い特性を有し、しかも低温で焼成した場合に焼結性が良
好な誘電体磁器組成物を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る第１の誘電体磁器組成物は、次
の通りである。すなわち、この発明の主成分をｘＢａＯ
−ｙＴｉＯ2 −ｚＲｅ2 Ｏ3 （式中ｘ，ｙ，ｚはmol ％
であってｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、Ｒｅは、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｙｂより選ばれる少なくとも１種類以上の希
土類元素）と表したとき、ｘ，ｙ，ｚがＡ（３９．５，
５９．５，１），Ｂ（１，５９．５，３９．５），Ｃ
（１，８５，１４），Ｄ（１４，８５，１）で囲まれる
範囲にあり、かつ副成分としてＶ成分を含有し、主成分
に対するＶ成分をＶ2 Ｏ5 に換算して、その含有量α
（ｗｔ％）を０．１≦α≦１５とした磁器組成物であっ
て、１２５０℃以下で焼成されたことを特徴としてい
る。
るために、本発明に係る第１の誘電体磁器組成物は、次
の通りである。すなわち、この発明の主成分をｘＢａＯ
−ｙＴｉＯ2 −ｚＲｅ2 Ｏ3 （式中ｘ，ｙ，ｚはmol ％
であってｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、Ｒｅは、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｙｂより選ばれる少なくとも１種類以上の希
土類元素）と表したとき、ｘ，ｙ，ｚがＡ（３９．５，
５９．５，１），Ｂ（１，５９．５，３９．５），Ｃ
（１，８５，１４），Ｄ（１４，８５，１）で囲まれる
範囲にあり、かつ副成分としてＶ成分を含有し、主成分
に対するＶ成分をＶ2 Ｏ5 に換算して、その含有量α
（ｗｔ％）を０．１≦α≦１５とした磁器組成物であっ
て、１２５０℃以下で焼成されたことを特徴としてい
る。
【０００８】または、本発明に係る第２の誘電体磁器組
成物は、次の通りである。すなわち、この発明の主成分
をｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚ（ＲｅIa ＲｅII
( 1 - a ) ）2Ｏ3 （式中ｘ，ｙ，ｚはmol ％であって
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、０．２＜ａ＜１．０、ＲｅIは、
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂより選ばれる少なくとも
１種類以上の希土類元素、ＲｅIIはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｓｍより選ばれる少なくとも１種類以上の希土類元素）
と表したとき、ｘ，ｙ，ｚがＡ（３９．５，５９．５，
１），Ｂ（１，５９．５，３９．５），Ｃ（１，８５，
１４），Ｄ（１４，８５，１）で囲まれる範囲にあり、
かつ副成分としてＶ成分を含有し、主成分に対するＶ成
分をＶ2 Ｏ5 に換算して、その含有量α（ｗｔ％）を
０．１≦α≦１５とした磁器組成物であって、１２５０
℃以下で焼成されたことを特徴としている。
成物は、次の通りである。すなわち、この発明の主成分
をｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚ（ＲｅIa ＲｅII
( 1 - a ) ）2Ｏ3 （式中ｘ，ｙ，ｚはmol ％であって
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、０．２＜ａ＜１．０、ＲｅIは、
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂより選ばれる少なくとも
１種類以上の希土類元素、ＲｅIIはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｓｍより選ばれる少なくとも１種類以上の希土類元素）
と表したとき、ｘ，ｙ，ｚがＡ（３９．５，５９．５，
１），Ｂ（１，５９．５，３９．５），Ｃ（１，８５，
１４），Ｄ（１４，８５，１）で囲まれる範囲にあり、
かつ副成分としてＶ成分を含有し、主成分に対するＶ成
分をＶ2 Ｏ5 に換算して、その含有量α（ｗｔ％）を
０．１≦α≦１５とした磁器組成物であって、１２５０
℃以下で焼成されたことを特徴としている。
【０００９】前記第１および第２の誘電体磁器組成物に
おいて、副成分として、各主成分組成に対するＣｕ成分
をＣｕＯに換算した含有量β（ｗｔ％）がβ≦１０であ
ることが好ましい。
おいて、副成分として、各主成分組成に対するＣｕ成分
をＣｕＯに換算した含有量β（ｗｔ％）がβ≦１０であ
ることが好ましい。
【００１０】前記第１および第２の誘電体磁器組成物に
おいて、副成分として、各主成分組成に対するＭｎ成分
をＭｎＯに換算した含有量γ（ｗｔ％）がγ≦１である
ことが好ましい。
おいて、副成分として、各主成分組成に対するＭｎ成分
をＭｎＯに換算した含有量γ（ｗｔ％）がγ≦１である
ことが好ましい。
【００１１】前述したこの発明の第１の誘電体磁器組成
物の構成によれば、室温の比誘電率εｒが３０以上と高
く、Ｑ値が１ＭＨｚで１０００以上と大きい、誘電体磁
器組成物を得ることができる。
物の構成によれば、室温の比誘電率εｒが３０以上と高
く、Ｑ値が１ＭＨｚで１０００以上と大きい、誘電体磁
器組成物を得ることができる。
【００１２】また第２の誘電体磁器組成物の構成によれ
ば、室温の比誘電率εｒが４０以上と高く、Ｑ値が１Ｍ
Ｈｚで１０００以上と大きい、誘電体磁器組成物を得る
ことができる。
ば、室温の比誘電率εｒが４０以上と高く、Ｑ値が１Ｍ
Ｈｚで１０００以上と大きい、誘電体磁器組成物を得る
ことができる。
【００１３】前記第１および第２の誘電体磁器組成物に
おいて、副成分として、各主成分組成に対するＣｕ成分
をＣｕＯに換算した含有量β（ｗｔ％）をβ≦１０とし
た場合に、さらに焼成温度を下げることができる。
おいて、副成分として、各主成分組成に対するＣｕ成分
をＣｕＯに換算した含有量β（ｗｔ％）をβ≦１０とし
た場合に、さらに焼成温度を下げることができる。
【００１４】前記第１および第２の誘電体磁器組成物に
おいて、副成分として、各主成分組成に対するＭｎ成分
をＭｎＯに換算した含有量γ（ｗｔ％）をγ≦１とした
場合に、さらにＱ値を大きくできる。
おいて、副成分として、各主成分組成に対するＭｎ成分
をＭｎＯに換算した含有量γ（ｗｔ％）をγ≦１とした
場合に、さらにＱ値を大きくできる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の誘電体磁器組成
物の実施の形態を、実施例に基づき説明する。
物の実施の形態を、実施例に基づき説明する。
【００１６】（実施例１）まず炭酸バリウム（ＢａＣＯ
3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、希土類酸化物（Ｒｅ2
Ｏ3 ）、酸化バナジウム（Ｖ2 Ｏ5 ）、酸化銅（Ｃｕ
Ｏ）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3 ）の各材料を表１の誘
電体磁器組成物が得られるよう秤量し、エタノールと共
にボールミルに入れ、１６時間湿式混合した。乾燥後、
粉砕し、１０００℃で仮焼して得られた仮焼粉に適量の
ポリビニルアルコール溶液を加えて混合後、ドクターブ
レード法によって肉厚５０μｍのグリーンシートに成形
した。このグリーンシートを１３枚重ねてホットプレス
した積層体を作製し、１４ｍｍφ、厚さ０．５ｍｍの円
板状に打ち抜いた。その後３００℃で脱バインダー処理
を行い、表１記載の焼成温度で焼成することにより誘電
体サンプルを得た。
3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、希土類酸化物（Ｒｅ2
Ｏ3 ）、酸化バナジウム（Ｖ2 Ｏ5 ）、酸化銅（Ｃｕ
Ｏ）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3 ）の各材料を表１の誘
電体磁器組成物が得られるよう秤量し、エタノールと共
にボールミルに入れ、１６時間湿式混合した。乾燥後、
粉砕し、１０００℃で仮焼して得られた仮焼粉に適量の
ポリビニルアルコール溶液を加えて混合後、ドクターブ
レード法によって肉厚５０μｍのグリーンシートに成形
した。このグリーンシートを１３枚重ねてホットプレス
した積層体を作製し、１４ｍｍφ、厚さ０．５ｍｍの円
板状に打ち抜いた。その後３００℃で脱バインダー処理
を行い、表１記載の焼成温度で焼成することにより誘電
体サンプルを得た。
【００１７】次に、得られた誘電体サンプルの上下全面
に、インジウム−ガリウム（Ｉｎ−Ｇａ）電極を塗布し
て円板型コンデンサとし、評価材料とした。この試料を
周波数１ＭＨｚ、入力電圧１Ｖｒｍｓにて静電容量（Ｃ
ａｐ）、Ｑ値を測定した。また試料の直径（Ｄ）、厚み
（Ｔ）の寸法を測定し、比誘電率を算出した。その結果
を表１に表す。
に、インジウム−ガリウム（Ｉｎ−Ｇａ）電極を塗布し
て円板型コンデンサとし、評価材料とした。この試料を
周波数１ＭＨｚ、入力電圧１Ｖｒｍｓにて静電容量（Ｃ
ａｐ）、Ｑ値を測定した。また試料の直径（Ｄ）、厚み
（Ｔ）の寸法を測定し、比誘電率を算出した。その結果
を表１に表す。
【００１８】
【表１】
【００１９】図１はこの発明にかかる第１の誘電体磁器
組成物の、主成分の組成範囲を示す三角図である。主成
分の組成範囲を前述のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる範囲に
限定した理由を、図１並びに表１を参照しながら説明す
る。
組成物の、主成分の組成範囲を示す三角図である。主成
分の組成範囲を前述のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる範囲に
限定した理由を、図１並びに表１を参照しながら説明す
る。
【００２０】Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲外の領域で
は、比誘電率εｒが３０より低くなり、かつＱ値が１Ｍ
Ｈｚで１０００より小さくなり、実用上好ましくない。
は、比誘電率εｒが３０より低くなり、かつＱ値が１Ｍ
Ｈｚで１０００より小さくなり、実用上好ましくない。
【００２１】Ｖ成分の含有量が主成分に対し０．１ｗｔ
％未満では、１２５０℃以下で焼結しないので好ましく
ない。また、Ｖ成分の含有量が主成分に対し１５ｗｔ％
を超えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
％未満では、１２５０℃以下で焼結しないので好ましく
ない。また、Ｖ成分の含有量が主成分に対し１５ｗｔ％
を超えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
【００２２】Ｃｕ成分の含有量が主成分に対し１０ｗｔ
％を越えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
％を越えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
【００２３】Ｍｎ成分の含有量が主成分に対し１ｗｔ％
を超えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
を超えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
【００２４】（実施例２）ＢａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｒｅ
2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＣｕＯ，ＭｎＣＯ3 の各材料を表２
の誘電体磁器組成物が得られるよう秤量し、実施例１と
同様に成形し、表２の焼成温度で焼成することにより誘
電体サンプルを得た。
2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＣｕＯ，ＭｎＣＯ3 の各材料を表２
の誘電体磁器組成物が得られるよう秤量し、実施例１と
同様に成形し、表２の焼成温度で焼成することにより誘
電体サンプルを得た。
【００２５】さらに、実施例１と同様にＩｎ−Ｇａ電極
を塗布して試料とし、周波数１ＭＨｚ、入力電圧１Ｖｒ
ｍｓにて静電容量（Ｃａｐ）、Ｑ値を測定した。また試
料の直径（Ｄ）、厚み（Ｔ）の寸法を測定し、比誘電率
を算出した。その結果を表２に表す。
を塗布して試料とし、周波数１ＭＨｚ、入力電圧１Ｖｒ
ｍｓにて静電容量（Ｃａｐ）、Ｑ値を測定した。また試
料の直径（Ｄ）、厚み（Ｔ）の寸法を測定し、比誘電率
を算出した。その結果を表２に表す。
【００２６】
【表２】
【００２７】図１はこの発明にかかる第２の誘電体磁器
組成物の、主成分の組成範囲を示す三角図である。主成
分の組成範囲を前述のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる範囲に
限定した理由を、図１並びに表２を参照しながら説明す
る。
組成物の、主成分の組成範囲を示す三角図である。主成
分の組成範囲を前述のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれる範囲に
限定した理由を、図１並びに表２を参照しながら説明す
る。
【００２８】Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲外の領域で
は、比誘電率εｒが４０より低くなるか、Ｑ値が１ＭＨ
ｚで１０００より小さくなり、実用上好ましくない。
は、比誘電率εｒが４０より低くなるか、Ｑ値が１ＭＨ
ｚで１０００より小さくなり、実用上好ましくない。
【００２９】ａが０．２あるいは１．０の場合は、比誘
電率εｒが４０より低くなるか、Ｑ値が１ＭＨｚで１０
００より小さくなり、実用上好ましくない。
電率εｒが４０より低くなるか、Ｑ値が１ＭＨｚで１０
００より小さくなり、実用上好ましくない。
【００３０】Ｖ成分の含有量が主成分に対し０．１ｗｔ
％未満では、１２５０℃以下で焼結しないので好ましく
ない。また、Ｖ成分の含有量が主成分に対し１５ｗｔ％
を超えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
％未満では、１２５０℃以下で焼結しないので好ましく
ない。また、Ｖ成分の含有量が主成分に対し１５ｗｔ％
を超えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
【００３１】Ｃｕ成分の含有量が主成分に対し１０ｗｔ
％を越えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
％を越えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
【００３２】Ｍｎ成分の含有量が主成分に対し１ｗｔ％
を超えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
を超えると、Ｑが劣化するので好ましくない。
【００３３】なお、実施例１、実施例２においては、バ
リウム成分、チタン成分、希土類成分、バナジウム成
分、銅成分、マンガン成分を一度に混合、仮焼したが、
予めバリウム成分、チタン成分、希土類成分を混合、仮
焼したものを作製した後に、バナジウム成分、銅成分、
マンガン成分を添加しても同様の効果が得られる。
リウム成分、チタン成分、希土類成分、バナジウム成
分、銅成分、マンガン成分を一度に混合、仮焼したが、
予めバリウム成分、チタン成分、希土類成分を混合、仮
焼したものを作製した後に、バナジウム成分、銅成分、
マンガン成分を添加しても同様の効果が得られる。
【００３４】またバリウム成分、チタン成分、希土類成
分、バナジウム成分、銅成分、マンガン成分の原料とし
て、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｒｅ2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｃ
ｕＯ、ＭｎＣＯ3 を使用したが、これに限定されるもの
ではなく、その他の化合物、蓚酸塩、水酸化物、アルコ
キシド等の原料を用いてもよい。
分、バナジウム成分、銅成分、マンガン成分の原料とし
て、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｒｅ2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｃ
ｕＯ、ＭｎＣＯ3 を使用したが、これに限定されるもの
ではなく、その他の化合物、蓚酸塩、水酸化物、アルコ
キシド等の原料を用いてもよい。
【００３５】
【発明の効果】上述のように、この発明によれば、比誘
電率εｒが３０以上または４０以上と高く、１ＭＨｚの
Ｑ値が１０００以上と大きく、１２５０℃以下の低温で
焼結できる、すなわちＡｇ−Ｐｄ電極を内部電極とした
積層磁器コンデンサに用いることが可能な、誘電体磁器
組成物を得ることができる。
電率εｒが３０以上または４０以上と高く、１ＭＨｚの
Ｑ値が１０００以上と大きく、１２５０℃以下の低温で
焼結できる、すなわちＡｇ−Ｐｄ電極を内部電極とした
積層磁器コンデンサに用いることが可能な、誘電体磁器
組成物を得ることができる。
【図１】この説明の実施例１および実施例２の誘電体磁
器組成物の主成分の範囲を説明する三角図
器組成物の主成分の範囲を説明する三角図
Claims (6)
- 【請求項１】 主成分ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＲｅ2
Ｏ3 （式中ｘ，ｙ，ｚはmol ％であってｘ＋ｙ＋ｚ＝１
００、Ｒｅは、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂより選ば
れる少なくとも１種類以上の希土類元素）と表したと
き、ｘ，ｙ，ｚがＡ（３９．５，５９．５，１），Ｂ
（１，５９．５，３９．５），Ｃ（１，８５，１４），
Ｄ（１４，８５，１）で囲まれる範囲にあり、かつ副成
分としてＶ成分を含有し、主成分に対するＶ成分をＶ2
Ｏ5 に換算して、その含有量α（ｗｔ％）を０．１≦α
≦１５とした磁器組成物であって、１２５０℃以下で焼
成されたことを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 副成分としてＣｕ成分を含有し、前記主
成分に対するＣｕ成分をＣｕＯに換算して、その含有量
β（ｗｔ％）をβ≦１０としたことを特徴とする、請求
項１に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 副成分としてＭｎ成分を含有し、前記主
成分に対するＭｎ成分をＭｎＯ換算して、その含有量γ
（ｗｔ％）をγ≦１としたことを特徴とする、請求項１
または請求項２記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 主成分ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚ（Ｒｅ
Ia ＲｅII( 1 - a )）2 Ｏ3 （式中ｘ，ｙ，ｚはmol ％
であってｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、０．２＜ａ＜１．０、Ｒ
ｅIは、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂより選ばれる少
なくとも１種類以上の希土類元素、ＲｅIIはＬａ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍより選ばれる少なくとも１種類以上の希
土類元素）と表したとき、ｘ，ｙ，ｚがＡ（３９．５，
５９．５，１），Ｂ（１，５９．５，３９．５），Ｃ
（１，８５，１４），Ｄ（１４，８５，１）で囲まれる
範囲にあり、かつ副成分としてＶ成分を含有し、主成分
に対するＶ成分をＶ2 Ｏ5 に換算して、その含有量α
（ｗｔ％）を０．１≦α≦１５とした磁器組成物であっ
て、１２５０℃以下で焼成されたことを特徴とする、誘
電体磁器組成物。 - 【請求項５】 副成分としてＣｕ成分を含有し、前記主
成分に対するＣｕ成分をＣｕＯに換算して、その含有量
β（ｗｔ％）をβ≦１０としたことを特徴とする、請求
項４に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 副成分としてＭｎ成分を含有し、前記主
成分に対するＭｎ成分をＭｎＯに換算して、その含有量
γ（ｗｔ％）をγ≦１としたことを特徴とする、請求項
４または請求項５記載の誘電体磁器組成物。
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|---|---|---|---|
| JP26015097A JP3275799B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 誘電体磁器組成物 |
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| DE69834373T DE69834373T2 (de) | 1997-09-25 | 1998-09-25 | Dielektrische keramische Zusammensetzung und dieselbe Verwendenter monolithischer keramischer Kondensator |
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|---|---|---|---|---|
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| KR101113441B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-02-29 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
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| JPS56162820A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Kiyoshi Okazaki | Vapor bank layered laminated ceramic capacitor and method of manufacturing same |
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