JP3275799B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JP3275799B2 JP3275799B2 JP26015097A JP26015097A JP3275799B2 JP 3275799 B2 JP3275799 B2 JP 3275799B2 JP 26015097 A JP26015097 A JP 26015097A JP 26015097 A JP26015097 A JP 26015097A JP 3275799 B2 JP3275799 B2 JP 3275799B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- content
- dielectric
- main component
- dielectric ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 38
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 20
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 7
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
物に関するもので、特に銀−パラジウム(Ag−Pd)
などを内部電極とした積層磁器コンデンサに用いられ
る、誘電体磁器組成物に関するものである。
は、各種電気機器の中で、同調回路、共振回路などに広
く用いられており、小型で、誘電損失が小さく、誘電特
性の安定したコンデンサが求められている。このため、
誘電体磁器の特性としては、小型化の要求に対して比誘
電率が高いことと、誘電損失が小さいこと、言い換えれ
ばQ値が大きいことなどが上げられる。
磁器コンデンサが実用化されているが、焼成温度が13
00℃〜1400℃と高温のため、内部電極材料とし
て、高温に耐えるパラジウム(Pd)や白金(Pt)な
どを用いなければならない。しかし、これらの電極材料
は高価であり、製造コストの点で改善の必要があった。
極材料を用いることは、製造コストにおける電極材料コ
ストの占める割合が大きく、好ましくない。
電極材料として安価な、Ag−Pdなどを用いればよ
い。この場合、Agの融点は961℃と低温であり、誘
電体磁器が低温で焼成できるほど、電極材料中のAgの
割合を多くして電極材料コストを下げることができる。
したがって、内部電極中のAgの割合を多くできるよう
に、1250℃以下の低温で焼成できる誘電体磁器組成
物が求められる。
して優れた特性、特に高い比誘電率εrで、Q値が大き
い特性を有し、しかも低温で焼成した場合に焼結性が良
好な誘電体磁器組成物を提供することである。
るために、本発明に係る第1の誘電体磁器組成物は、次
の通りである。すなわち、この発明の主成分をxBaO
−yTiO2 −zRe2 O3 (式中x,y,zはmol %
であってx+y+z=100、Reは、Tb,Dy,H
o,Er,Ybより選ばれる少なくとも1種類以上の希
土類元素)と表したとき、x,y,zがA(39.5,
59.5,1),B(1,59.5,39.5),C
(1,85,14),D(14,85,1)で囲まれる
範囲にあり、かつ副成分としてV成分を含有し、主成分
に対するV成分をV2 O5 に換算して、その含有量α
(wt%)を0.1≦α≦15とした磁器組成物であっ
て、1250℃以下で焼成されたことを特徴としてい
る。
成物は、次の通りである。すなわち、この発明の主成分
をxBaO−yTiO2 −z(ReIa ReII
( 1 - a ) )2O3 (式中x,y,zはmol %であって
x+y+z=100、0.2<a<1.0、ReIは、
Tb,Dy,Ho,Er,Ybより選ばれる少なくとも
1種類以上の希土類元素、ReIIはLa,Pr,Nd,
Smより選ばれる少なくとも1種類以上の希土類元素)
と表したとき、x,y,zがA(39.5,59.5,
1),B(1,59.5,39.5),C(1,85,
14),D(14,85,1)で囲まれる範囲にあり、
かつ副成分としてV成分を含有し、主成分に対するV成
分をV2 O5 に換算して、その含有量α(wt%)を
0.1≦α≦15とした磁器組成物であって、1250
℃以下で焼成されたことを特徴としている。
おいて、副成分として、各主成分組成に対するCu成分
をCuOに換算した含有量β(wt%)がβ≦10であ
ることが好ましい。
おいて、副成分として、各主成分組成に対するMn成分
をMnOに換算した含有量γ(wt%)がγ≦1である
ことが好ましい。
物の構成によれば、室温の比誘電率εrが30以上と高
く、Q値が1MHzで1000以上と大きい、誘電体磁
器組成物を得ることができる。
ば、室温の比誘電率εrが40以上と高く、Q値が1M
Hzで1000以上と大きい、誘電体磁器組成物を得る
ことができる。
おいて、副成分として、各主成分組成に対するCu成分
をCuOに換算した含有量β(wt%)をβ≦10とし
た場合に、さらに焼成温度を下げることができる。
おいて、副成分として、各主成分組成に対するMn成分
をMnOに換算した含有量γ(wt%)をγ≦1とした
場合に、さらにQ値を大きくできる。
物の実施の形態を、実施例に基づき説明する。
3 )、酸化チタン(TiO2 )、希土類酸化物(Re2
O3 )、酸化バナジウム(V2 O5 )、酸化銅(Cu
O)、炭酸マンガン(MnCO3 )の各材料を表1の誘
電体磁器組成物が得られるよう秤量し、エタノールと共
にボールミルに入れ、16時間湿式混合した。乾燥後、
粉砕し、1000℃で仮焼して得られた仮焼粉に適量の
ポリビニルアルコール溶液を加えて混合後、ドクターブ
レード法によって肉厚50μmのグリーンシートに成形
した。このグリーンシートを13枚重ねてホットプレス
した積層体を作製し、14mmφ、厚さ0.5mmの円
板状に打ち抜いた。その後300℃で脱バインダー処理
を行い、表1記載の焼成温度で焼成することにより誘電
体サンプルを得た。
に、インジウム−ガリウム(In−Ga)電極を塗布し
て円板型コンデンサとし、評価材料とした。この試料を
周波数1MHz、入力電圧1Vrmsにて静電容量(C
ap)、Q値を測定した。また試料の直径(D)、厚み
(T)の寸法を測定し、比誘電率を算出した。その結果
を表1に表す。
組成物の、主成分の組成範囲を示す三角図である。主成
分の組成範囲を前述のA,B,C,Dで囲まれる範囲に
限定した理由を、図1並びに表1を参照しながら説明す
る。
は、比誘電率εrが30より低くなり、かつQ値が1M
Hzで1000より小さくなり、実用上好ましくない。
%未満では、1250℃以下で焼結しないので好ましく
ない。また、V成分の含有量が主成分に対し15wt%
を超えると、Qが劣化するので好ましくない。
%を越えると、Qが劣化するので好ましくない。
を超えると、Qが劣化するので好ましくない。
2 O3 ,V2 O5 ,CuO,MnCO3 の各材料を表2
の誘電体磁器組成物が得られるよう秤量し、実施例1と
同様に成形し、表2の焼成温度で焼成することにより誘
電体サンプルを得た。
を塗布して試料とし、周波数1MHz、入力電圧1Vr
msにて静電容量(Cap)、Q値を測定した。また試
料の直径(D)、厚み(T)の寸法を測定し、比誘電率
を算出した。その結果を表2に表す。
組成物の、主成分の組成範囲を示す三角図である。主成
分の組成範囲を前述のA,B,C,Dで囲まれる範囲に
限定した理由を、図1並びに表2を参照しながら説明す
る。
は、比誘電率εrが40より低くなるか、Q値が1MH
zで1000より小さくなり、実用上好ましくない。
電率εrが40より低くなるか、Q値が1MHzで10
00より小さくなり、実用上好ましくない。
%未満では、1250℃以下で焼結しないので好ましく
ない。また、V成分の含有量が主成分に対し15wt%
を超えると、Qが劣化するので好ましくない。
%を越えると、Qが劣化するので好ましくない。
を超えると、Qが劣化するので好ましくない。
リウム成分、チタン成分、希土類成分、バナジウム成
分、銅成分、マンガン成分を一度に混合、仮焼したが、
予めバリウム成分、チタン成分、希土類成分を混合、仮
焼したものを作製した後に、バナジウム成分、銅成分、
マンガン成分を添加しても同様の効果が得られる。
分、バナジウム成分、銅成分、マンガン成分の原料とし
て、BaCO3 、TiO2 、Re2 O3 、V2 O5 、C
uO、MnCO3 を使用したが、これに限定されるもの
ではなく、その他の化合物、蓚酸塩、水酸化物、アルコ
キシド等の原料を用いてもよい。
電率εrが30以上または40以上と高く、1MHzの
Q値が1000以上と大きく、1250℃以下の低温で
焼結できる、すなわちAg−Pd電極を内部電極とした
積層磁器コンデンサに用いることが可能な、誘電体磁器
組成物を得ることができる。
器組成物の主成分の範囲を説明する三角図
Claims (6)
- 【請求項1】 主成分xBaO−yTiO2 −zRe2
O3 (式中x,y,zはmol %であってx+y+z=1
00、Reは、Tb,Dy,Ho,Er,Ybより選ば
れる少なくとも1種類以上の希土類元素)と表したと
き、x,y,zがA(39.5,59.5,1),B
(1,59.5,39.5),C(1,85,14),
D(14,85,1)で囲まれる範囲にあり、かつ副成
分としてV成分を含有し、主成分に対するV成分をV2
O5 に換算して、その含有量α(wt%)を0.1≦α
≦15とした磁器組成物であって、1250℃以下で焼
成されたことを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項2】 副成分としてCu成分を含有し、前記主
成分に対するCu成分をCuOに換算して、その含有量
β(wt%)をβ≦10としたことを特徴とする、請求
項1に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項3】 副成分としてMn成分を含有し、前記主
成分に対するMn成分をMnO換算して、その含有量γ
(wt%)をγ≦1としたことを特徴とする、請求項1
または請求項2記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項4】 主成分xBaO−yTiO2 −z(Re
Ia ReII( 1 - a ))2 O3 (式中x,y,zはmol %
であってx+y+z=100、0.2<a<1.0、R
eIは、Tb,Dy,Ho,Er,Ybより選ばれる少
なくとも1種類以上の希土類元素、ReIIはLa,P
r,Nd,Smより選ばれる少なくとも1種類以上の希
土類元素)と表したとき、x,y,zがA(39.5,
59.5,1),B(1,59.5,39.5),C
(1,85,14),D(14,85,1)で囲まれる
範囲にあり、かつ副成分としてV成分を含有し、主成分
に対するV成分をV2 O5 に換算して、その含有量α
(wt%)を0.1≦α≦15とした磁器組成物であっ
て、1250℃以下で焼成されたことを特徴とする、誘
電体磁器組成物。 - 【請求項5】 副成分としてCu成分を含有し、前記主
成分に対するCu成分をCuOに換算して、その含有量
β(wt%)をβ≦10としたことを特徴とする、請求
項4に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項6】 副成分としてMn成分を含有し、前記主
成分に対するMn成分をMnOに換算して、その含有量
γ(wt%)をγ≦1としたことを特徴とする、請求項
4または請求項5記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26015097A JP3275799B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 誘電体磁器組成物 |
US09/141,657 US6058005A (en) | 1997-09-25 | 1998-08-28 | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using the composition |
KR1019980039381A KR100309159B1 (ko) | 1997-09-25 | 1998-09-23 | 유전체세라믹조성물및이조성물을이용한적층세라믹커패시터 |
DE69834373T DE69834373T2 (de) | 1997-09-25 | 1998-09-25 | Dielektrische keramische Zusammensetzung und dieselbe Verwendenter monolithischer keramischer Kondensator |
EP98118235A EP0905724B1 (en) | 1997-09-25 | 1998-09-25 | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using the composition |
CN98120760A CN1087867C (zh) | 1997-09-25 | 1998-09-25 | 介电陶瓷组合物和使用该组合物的单块层叠陶瓷电容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26015097A JP3275799B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11100263A JPH11100263A (ja) | 1999-04-13 |
JP3275799B2 true JP3275799B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=17344014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26015097A Expired - Fee Related JP3275799B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6058005A (ja) |
EP (1) | EP0905724B1 (ja) |
JP (1) | JP3275799B2 (ja) |
KR (1) | KR100309159B1 (ja) |
CN (1) | CN1087867C (ja) |
DE (1) | DE69834373T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8568609B2 (en) | 2007-11-22 | 2013-10-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Lubricating oil composition for refrigerating machine |
US8673169B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-03-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Lubricant composition for refrigerating machine |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000143341A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-05-23 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 |
JP2000223351A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP3838036B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物、これを用いたコンデンサおよびその製造方法 |
US6291380B1 (en) * | 1999-03-15 | 2001-09-18 | Rohm Co., Ltd. | Dielectric ceramic and capacitor using the same |
JP3348081B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2002-11-20 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
JP3367479B2 (ja) * | 1999-08-19 | 2003-01-14 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミック電子部品 |
DE10043882B4 (de) * | 1999-09-07 | 2009-11-05 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithisches Keramikbauteil |
US6377440B1 (en) | 2000-09-12 | 2002-04-23 | Paratek Microwave, Inc. | Dielectric varactors with offset two-layer electrodes |
JP2002164247A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ |
EP1327616B9 (en) * | 2002-01-15 | 2011-04-13 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
JP4491794B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2010-06-30 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ |
CN100455539C (zh) * | 2006-08-02 | 2009-01-28 | 南京工业大学 | 一种微波介质陶瓷及其制备方法 |
WO2010013414A1 (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
KR101113441B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-02-29 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
JP5673595B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2015-02-18 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその実装構造体 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS529319B2 (ja) * | 1972-09-28 | 1977-03-15 | ||
JPS56162820A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Kiyoshi Okazaki | Vapor bank layered laminated ceramic capacitor and method of manufacturing same |
JPS5873908A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | ティーディーケイ株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
JPH02267166A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
US5244851A (en) * | 1991-02-28 | 1993-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Microwave dielectric ceramic composition |
JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
JP3028503B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-04-04 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
JP2625074B2 (ja) * | 1992-06-24 | 1997-06-25 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物および誘電体共振器 |
US5688732A (en) * | 1994-11-16 | 1997-11-18 | Electronics & Telecommunications Research Inst. | Dielectric ceramic compositions for microwave |
US5916834A (en) * | 1996-12-27 | 1999-06-29 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramics |
-
1997
- 1997-09-25 JP JP26015097A patent/JP3275799B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-28 US US09/141,657 patent/US6058005A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-23 KR KR1019980039381A patent/KR100309159B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-25 CN CN98120760A patent/CN1087867C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-25 EP EP98118235A patent/EP0905724B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-25 DE DE69834373T patent/DE69834373T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8568609B2 (en) | 2007-11-22 | 2013-10-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Lubricating oil composition for refrigerating machine |
US8673169B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-03-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Lubricant composition for refrigerating machine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1212439A (zh) | 1999-03-31 |
JPH11100263A (ja) | 1999-04-13 |
KR100309159B1 (ko) | 2002-01-17 |
CN1087867C (zh) | 2002-07-17 |
DE69834373D1 (de) | 2006-06-08 |
EP0905724A2 (en) | 1999-03-31 |
KR19990030058A (ko) | 1999-04-26 |
DE69834373T2 (de) | 2006-09-28 |
EP0905724A3 (en) | 2000-01-05 |
EP0905724B1 (en) | 2006-05-03 |
US6058005A (en) | 2000-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100438517B1 (ko) | 내환원성 유전체 세라믹 콤팩트 및 적층 세라믹 커패시터 | |
JP3161278B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP4821357B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
JP3275799B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
US6617273B2 (en) | Non-reducing dielectric ceramic, monolithic ceramic capacitor using the same, and method for making non-reducing dielectric ceramic | |
US20120075768A1 (en) | Dielectric ceramic composition and manufacturing method thereof, and ceramic electronic device | |
JP2002164247A (ja) | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ | |
JP2000143341A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 | |
JP2000058377A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
KR20070070260A (ko) | 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 커패시터 | |
KR20130133132A (ko) | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 | |
US6734127B2 (en) | Ceramic materials for capacitors with a high dielectric constant and a low capacitance change with temperature | |
JP2006287046A (ja) | 電子部品 | |
JPH1192220A (ja) | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ | |
JP2005187296A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ | |
JP4387990B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
JP2004196650A (ja) | 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 | |
JP3634930B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3678073B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 | |
JP4691790B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP2001080959A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 | |
JP2005263508A (ja) | 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0737427A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3600701B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100208 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |