WO2006137248A1

WO2006137248A1 - Ｓａｗ分波器

Info

Publication number: WO2006137248A1
Application number: PCT/JP2006/310739
Authority: WO
Inventors: Masashi Omura; Norio Taniguchi
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2005-06-21
Filing date: 2006-05-30
Publication date: 2006-12-28
Also published as: US20080061906A1; EP1895661A1; EP1895661B1; US7688159B2; JPWO2006137248A1; EP1895661A4; CN101180795A; CN101180795B

Abstract

　パッケージ基板の面積を増大させることなく橋絡インダクタを構成することができ、フィルタ特性が良好であるだけでなく、小型化を進めることが可能なＳＡＷ分波器を提供する。　通過帯域の周波数が相対的に低い第１のＳＡＷフィルタ及び相対的に高い第２のＳＡＷフィルタを有し、第１，第２のＳＡＷフィルタがラダー型回路構成を有し、第２のＳＡＷフィルタの少なくとも１つの直列腕共振子に並列に橋絡インダクタが接続されており、該橋絡インダクタが、多層パッケージ基板に構成されたコイル巻回部を有し、該コイル巻回部が、第１層～第３層に形成された第１～第３の配線２３，２６，２９をビアホール導体により接続することにより構成されており、該コイル巻回部の内側に、コイルの戻り線部を構成している第１，第３，第５のビアホール導体２４，２７，３０が配置されている、ＳＡＷ分波器１。

Description

明細書

SAW分波器

技術分野

[0001] 本発明は、通過帯域が異なる第 1,第 2の SAWフィルタを用いて構成されている S AW分波器に関し、より詳細には、第 1,第 2の SAWフィルタがラダー型回路構成を有し、少なくとも一方の SAWフィルタにおいて、直列腕共振子に並列に橋絡インダクタが接続されてヽる SAW分波器に関する。

背景技術

[0002] 近年、携帯電話機等においては、通過帯域が異なる第 1,第 2の SAWフィルタを用いて構成されている SAW分波器が広く用いられている。下記の特許文献 1には、このような SAW分波器の一例が開示されている。

[0003] 図 16は、特許文献 1に記載の SAW分波器の回路構成を示す図である。 SAW分波器 101は、アンテナ 102に接続されている。すなわち、アンテナ 102に、第 1の SA Wフィルタ 111及び第 2の SAWフィルタ 112が接続されて!、る。第 1の SAWフィルタ 111と、第 2の SAWフィルタ 112とは、通過帯域が異なっている。また、各 SAWフィルタ 111, 112は、直列腕共振子と並列腕共振子とを有するラダー型回路構成を有する。

[0004] すなわち、第 1の SAWフィルタ 111は、直列腕共振子 S1〜S3と、並列腕共振子 P 1, P2とを有する。同様に、第 2の SAWフイノレタ 112は、直歹 IJ腕共振子 S4〜S6と、並列腕共振子 P3, P4とを有する。

[0005] そして、直列腕共振子 S3, S5には、それぞれ、橋絡インダクタ LI, L2が並列に接続されている。橋絡インダクタ L1は、相手側の SAWフィルタ 112の通過帯域における減衰量を十分な大きさとするために設けられている。同様に、橋絡インダクタ L2は、相手側の SAWフィルタ 111の通過帯域における減衰量を十分な大きさとするために挿入されている。

[0006] 上記 SAW分波器 101は、パッケージ基板上に、弾性表面波素子チップを実装すること〖こより構成されている。図 17は、上記弾性表面波素子チップ 113の平面図である。弾性表面波素子チップ 113では、圧電基板 114上に図示の複数の電極が形成されて、 SAWフイノレタ 111, 112力構成されて!/、る。

[0007] もっとも、橋絡インダクタ LI, L2については、弾性表面波素子チップ 113には形成されていない。すなわち、図 18に示すパッケージ基板 115の上面に、橋絡インダクタ LI, L2を形成するためのコイル状電極パターンがそれぞれ形成されている。

[0008] ノ¾ /ケージ基板 115の上面には、弾性表面波素子チップ 113に電気的に接続される複数の電極ランドが形成されている。複数の電極ランドのうち、電極ランド Al, A2 は、上記橋絡インダクタ L1に接続されている。この電極ランド Al, A2には、それぞれ、弾性表面波素子チップ 113内の直列腕共振子 S3の両端に電気的に接続されるバンプが接合される。同様に、ノッケージ基板 115上の電極ランド A3, A4には、橋絡インダクタ L2が電気的に接続されている。この電極ランド A3, A4は、弾性表面波素子チップ 113に構成されている直列腕共振子 S5の両端に接続される金属バンプが接合される部分に相当する。

[0009] すなわち、 SAW分波器 101では、上記橋絡インダクタ LI, L2は、弾性表面波素子チップが搭載されるパッケージ基板 115の上面において、コイル状の電極パターンを形成することにより構成されていた。

[0010] 他方、下記の特許文献 2には、弾性表面波分波器用パッケージが開示されており、この弾性表面波分波器用パッケージには、該パッケージに実装される弾性表面波フィルタの位相特性を調整するための位相整合回路電極が形成されてヽる。特許文献 2では、上記位相整合回路電極として、複数のスパイラルパターン状の電極が示されており、該複数のスパイラルパターン状の電極がパッケージの複数の層にわたり形成されており、かつビアホール電極により相互に電気的に接続されている。

特許文献 1：特開 2003 - 332885号公報

特許文献 2：特開 2003 - 304139号公報

発明の開示

[0011] 前述したように、特許文献 1に記載の SAW分波器では、第 1,第 2の SAWフィルタ 111, 112のフィルタ特性において、相手方のフィルタの通過帯域における減衰量を拡大するために橋絡インダクタ LI, L2が接続されていた。し力しながら、上記橋絡ィンダクタ LI, L2は、弾性表面波素子チップが搭載されるパッケージ基板の上面にコィル状の電極を形成することにより構成されていた。そのため、図 18から明らかなように、ノッケージ基板 115として、上面にコイル状の電極パターンを形成し得る、大きな基板を用意しなければならな力つた。

[0012] 他方、前述した特許文献 2には、 SAW分波器のパッケージに位相整合用電極としてスノィラルパターン状の電極を複数の層にわたり形成した構造が開示されている。しかしながら、特許文献 2では、単に位相整合用の電極として、上記スノイラルパターン状の電極が形成されているにすぎず、特許文献 2では、 SAW分波器の橋絡インダクタ Lについては特に言及されていない。また、上記位相整合回路電極としてのスパイラルパターン状の電極は、スパイラル状の形状を有するが、位相整合用の電極と、上記橋絡インダクタとでは、求められる特性は全く異なるものである。

[0013] すなわち、橋絡インダクタはインダクタンス値が大き！/、ことが好ま、だけでなぐ集中定数型のインダクタであることが好ましい。これに対して、上記位相整合回路電極は、位相整合を図るためのものであり、分布定数的な挙動を示す電極であり、位相変化量によって、スパイラルパターンの電極長さが規定されている。従って、特許文献 2 は、スパイラル状の電極を複数の層にわたり形成した構造を示しているものの、 SAW 分波器における橋絡インダクタとして使用し得る電極構造については何ら開示していない。

[0014] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、通過帯域が異なる第 1,第 2 の SAWフィルタがラダー型回路構成を有し、少なくとも一方の SAWフィルタにおいて直列腕共振子に並列に橋絡インダクタが接続されており、し力も該橋絡インダクタの接続によりフィルタ特性の改善が図られてヽるだけでなぐ橋絡インダクタを接続したとしても小型化を進めることが可能とされている SAW分波器を提供することにある

[0015] 本発明によれば、少なくとも 1つの直列腕共振子及び少なくとも 1つの並列腕共振子を含むラダー型回路構成を有し、通過帯域の周波数が相対的に低い第 1の SAW フィルタと、少なくとも 1つの直列腕共振子及び少なくとも 1つの並列腕共振子を含むラダー型回路構成を有し、通過帯域の周波数が相対的に高い第 2の SAWフィルタと、第 2の SAWフィルタの少なくとも 1つの前記直列腕共振子に並列に接続されている橋絡インダクタとを有し、前記第 1の SAWフィルタ及び第 2の SAWフィルタ力 SAW フィルタチップとして構成されており、前記 SAWフィルタチップが実装されて、る多層パッケージ基板をさらに備え、前記橋絡インダクタが、多層パッケージ基板の第 1 の層に形成された第 1の配線と、第 1の配線の一端に接続されている第 1のビアホール導体と、第 1の配線の他端に接続されている第 2のビアホール導体と、前記多層パッケージ基板の第 1層と異なる高さ位置の第 2層に設けられており、一端が前記第 2 のビアホール導体に接続されている第 2の配線とを有し、前記第 1の配線及び第 2の配線を含むコイル卷回部の内側に前記第 1のビアホール導体を少なくとも含むコイルの戻り線部が配置されていることを特徴とする SAW分波器が提供される。

[0016] 本発明に係る SAW分波器のある特定の局面では、前記第 1のビアホール導体に接続されてヽる第 3のビアホール導体と、前記第 2の配線の他端に接続されて、る第 4のビアホール導体と、一端が前記第 4のビアホール導体に接続されており、かつ前記多層パッケージ基板の第 1,第 2の層とは異なる高さ位置に設けられた第 3の層に形成されている第 3の配線とをさらに備え、前記第 1,第 3のビアホール導体を含む戻り線部力前記第 1〜第 3の配線力なるコイル卷回部内に配置されている。

[0017] 本発明に係る SAW分波器の他の特定の局面では、前記第 3のビアホール導体に一端が接続されて、る第 5のビアホール導体と、第 3の配線の他端に一端が接続された第 6のビアホール導体との各他端が前記第 1〜第 3層とは異なる高さ位置に設けられた第 4層に至っている。

[0018] 本発明に係る SAW分波器のさらに別の特定の局面では、前記第 6のビアホール導体力前記コイル卷回部の内側に設けられている。

[0019] 本発明に係る SAW分波器のさらに他の特定の局面では、前記戻り線部において、該戻り線部を構成して、る複数の前記ビアホール導体が直線的に連ねられて、る。

[0020] 本発明に係る SAW分波器のさらに他の特定の局面では、前記戻り線部において、複数の前記ビアホール導体が一直線状ではな、ように連結されて!、る。

[0021] 本発明に係る SAW分波器のさらに別の特定の局面によれば、前記橋絡インダクタを構成している各配線と、第 1の SAWフィルタチップが実装される多層パッケージ基板部分との間に、グラウンド電位に接続されているビアホール導体が配置されている

[0022] 本発明に係る SAW分波器のさらに他の特定の局面では、前記第 2の SAWフィルタにおいて、前記橋絡インダクタが接続されている直列腕共振子の端子に接続される、前記パッケージの電気的接続部分が、前記橋絡インダクタのコイル卷回部の内側に位置されている。

(発明の効果）

[0023] 本発明に係る SAW分波器では、多層パッケージ基板に第 1,第 2の SAWフィルタ力 SAWフィルタチップとして搭載されており、ラダー型回路構成を有する第 1,第 2 の SAWフィルタにおいて、第 2の SAWフィルタの少なくとも 1つの直列腕共振子に並列に橋絡インダクタが接続されてヽる SAW分波器にぉヽて、上記橋絡インダクタが、多層ノッケージ基板の少なくとも第 1,第 2の層に設けられた第 1の配線及び第 2の配線を含むコイル卷回部を有し、第 1のビアホール導体を少なくとも含むコイルの戻り線部が、上記コイル卷回部の内側に配置されているため、橋絡インダクタ構成部分の面積を小さくすることができる。すなわち、コイル卷回部が第 1,第 2の配線を少なくとも含むように複数の層に分割して形成されており、しカゝもコイル戻り線部がコイル卷回部の内側に配置されているため、橋絡インダクタ構成部分の面積を極めて小さくすることがでさる。

[0024] 従って、橋絡インダクタが接続されている少なくとも第 2の SAWフィルタのフィルタ特性において、相手方のフィルタである第 1の SAWフィルタの通過帯域における減衰量を十分な大きさとすることができるだけでなぐ SAW分波器の小型化を進めることが可能となる。

[0025] 本発明において、第 1,第 2の層とは異なる高さ位置に設けられた第 3の層に第 3の配線が設けられており、第 1〜第 3の配線によりコイル卷回部が構成されている場合には、橋絡インダクタ構成部分の面積をより一層小さくすることができ、あるいはより大きなインダクタンス値の橋絡インダクタを多層パッケージ基板の面積を増大させることなく形成することが可能となる。

[0026] 第 5,第 6のビアホール導体の各他端が第 4層に至っている場合には、第 4層において、第 5のビアホール導体と直列腕共振子の一端とを電気的に接続する配線と、第 6のビアホール導体とを直列腕共振子の他端とを電気的に接続する配線を形成することができ、それによつて配線構造に必要な面積の低減を図ることが可能となる。

[0027] 第 6のビアホール導体力コイル卷回部の内側に設けられている場合には、第 6のビアホール導体の形成により多層パッケージ基板の面積が増大しないため、小型化を進めつつ、第 6のビアホール導体を有する SAW分波器を提供することができる。

[0028] 戻り線部にお、て、該戻り線部を構成して、る複数のビアホール導体が直線的に連ねられている場合には、インダクタの占有面積をより一層小さくすることができる。

[0029] もっとも、上記戻り線部において、複数のビアホール導体は一直線状でないように連結されていてもよぐその場合には、配線の自由度を高めることができる。

[0030] 橋絡インダクタを構成している各配線と、第 1の SAWフィルタチップが実装される多層パッケージ基板部分との間に、グラウンド電位に接続されているビアホール導体が配置されている場合には、第 1の SAWフィルタと第 2の SAWフィルタとの間のアイソレーシヨンを高めることができる。

[0031] 第 2の SAWフィルタにおいて、上記橋絡インダクタが接続されている直列腕共振子の端子に接続される、上記パッケージの電気的接続部分力橋絡インダクタのコイル卷回部の内側に位置されている場合には、上記電気的接続部分を、多層パッケージ基板の面積を増大させることなく形成することができる。従って、 SAW分波器のより一層の小型化を図ることができる。

図面の簡単な説明

[0032] [図 1]図 1は、本発明の一実施形態に係る SAW分波器を説明するための模式的平面図である。

[図 2]図 2は、本発明の一実施形態に係る SAW分波器の第 2の SAWフィルタの回路構成を示す図である。

[図 3]図 3 (a)及び (b)は、本発明の一実施形態に係る SAW分波器の橋絡インダクタ構成部分を模式的に示す分解斜視図及び該橋絡インダクタが構成されている部分のコイル状卷回部を説明するための模式的平面図である。

[図 4]図 4 (a)〜（d)は、本発明の一実施形態に係る SAW分波器における橋絡インダクタ構成部分の各層の電極形状を説明するための各模式的平面図である。

[図 5]図 5は、比較例の SAW分波器における橋絡インダクタ Lが構成されている部分の模式的平面図である。

[図 6]図 6 (a)〜（c)は、比較例の SAW分波器の橋絡インダクタ構成部分の各層の電極構造を示す模式的平面図である。

[図 7]図 7 (a)及び (b)は、比較例の SAW分波器の橋絡インダクタ構成部分の電極構造を示す模式的分解斜視図及び模式的平面図である。

[図 8]図 8は、実施形態及び比較例の SAW分波器の第 2の SAWフィルタの通過特性を示す図である。

[図 9]図 9は、実施形態及び比較例の SAW分波器の第 2の SAWフィルタの反射特性を示す図である。

[図 10]図 10は、実施形態及び比較例の SAW分波器の第 2の SAWフィルタのァイソレーシヨン特性を示す図である。

[図 11]図 11は、実施形態及び比較例の SAW分波器におけるアンテナ側端子における反射特性を示す図である。

[図 12]図 12は、本発明の SAW分波器の変形例における橋絡インダクタ構成部分の電極構造を示す模式的分解斜視図である。

[図 13]図 13は、図 12に示した変形例における橋絡インダクタ構成部分の模式的平面図である。

[図 14]図 14は、本発明の SAW分波器の他の変形例における橋絡インダクタ構成部分の分解斜視図である。

[図 15]図 15は、図 14に示した変形例における橋絡インダクタ構成部分の模式的平面図である。

[図 16]図 16は、従来の SAW分波器の回路構成を示す図である。

[図 17]図 17は、従来の SAW分波器において、パッケージ基板に搭載される弾性表面波素子チップを示す模式的平面図である。

[図 18]図 18は、従来の SAW分波器において弾性表面波素子が搭載されるパッケ一ジ基板を示す模式的平面図である。符号の説明

1〜 SAW分波器

2…多層ノッケージ基板

11 · · ·第 1の SAWフィルタチップ

12···第 2の SAWフィルタチップ

13…ビアホール導体

14···入力端子

15···出力端子

21, 22···電極ランド、

23···第 1の配線

23a, 23b…ビアカノ一

24···第 1のビアホール導体

25···第 2のビアホール導体

26…第 2の配線

26a, 26b…ビアカバー

27， 28···第 3，第 4のビアホール導体

29···第 3の配線

29a, 29b…ビアカノ一

30, 31···第 5，第 6のビアホール導体

30A…ビアホール導体

32…接続配線

32a, 32b…ビアカノ一

41···第 1の配線

41a, 41b…ビアカバー

42, 43···第 2の配線

42a, 42b, 43a, 43b…ビアカノ一

44, 45…第 3の配線

44a, 44b, 45a, 45b…ビアカノ一 46, 47· ··第 1,第 2のビアホール導体

48, 49· ··第 3,第 4のビアホール導体

50, 51· ··第 5,第 6のビアホール導体

52, 53· ··電極ランド

L…橋絡インダクタ

Ρ1〜Ρ3· ··並列共振子

S1〜S3…直列腕共振子

発明を実施するための最良の形態

[0034] 以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

[0035] 図 1は本発明の一実施形態に係る SAW分波器を示す模式的平面図である。

SAW分波器 1は、多層パッケージ基板 2を有する。多層パッケージ基板 2は、多層セラミック基板により構成されている。もっとも、多層パッケージ基板 2は、セラミックス以外の絶縁性材料により形成されて、てもよ、。

[0036] 多層パッケージ基板 2上には、破線で示すように、第 1の SAWフィルタチップ 11及び第 2の SAWフィルタチップ 12がフリップチップボンディング工法により搭載される。すなわち、金属バンプにより、 SAWフィルタチップ 11, 12が多層パッケージ基板 2の上面に搭載される。図 1では、 SAWフィルタチップ 11, 12は、前述したように破線でその外形が示されている。

[0037] 多層ノ¾ /ケージ基板 2の上面には、図示の電極が形成されている。他方、上記第 1 ,第 2の SAWフィルタチップ 11, 12は、それぞれ、 SAW分波器 1における第 1,第 2 の SAWフィルタ Fl, F2を構成している。本実施形態では、第 1の SAWフィルタ F1 の通過帯域の周波数が相対的に低ぐ第 2の SAWフィルタ F2の通過帯域の周波数が相対的に高くされている。すなわち、第 1の SAWフィルタ 11は携帯電話機の送信側の帯域フィルタとして用いられるものであり、第 2の SAWフィルタ F2は受信側の帯域フィルタとして用いられるものであってもよ!/、。

[0038] そして、第 1,第 2の SAWフィルタ Fl, F2はラダー型の回路構成を有する。図 2は、第 2の SAWフィルタ F2の回路構成を示す図である。 [0039] 第 2の SAWフィルタ F2では、直列腕共振子 SI, S2, S3が直列腕に挿入されている。そして、直列腕とアース電位との間に、 3本の並列腕が構成されており、各並列腕に、並列腕共振子 PI, P2, P3が挿入されている。

[0040] 言い換えれば、入力端子 14から出力端子 15側に向力つて、直列腕共振子 S1〜S 3と、並列腕共振子 P1〜P3とが交互に配置されている。なお、ラダー型回路において、直列腕共振子及び並列腕共振子の数は特に限定されない。第 1の SAWフィルタ F1も、同様のラダー型回路構成を有する。

[0041] 本実施形態では、上記ラダー型回路構成の第 1,第 2の SAWフィルタの一端が共通接続され、図示しないアンテナに接続されるように構成されている。他方、第 1の S AWフィルタ F1の他方端が送信端子、第 2の SAWフィルタ F2の他方端が受信端子となる。このような SAW分波器の構成自体は、前述した特許文献 1に記載のように、本願出願前より知られている。

[0042] また、図 2に示すように、第 2の SAWフィルタ F2では、直列腕共振子 S3に並列に橋絡インダクタ Lが接続されている。橋絡インダクタ Lは、第 2の SAWフィルタのフィルタ特性において、相手方のフィルタである第 1の SAWフィルタ F1の通過帯域における減衰量、第 2の SAWフィルタ F2の通過帯域低域側における阻止域の減衰量の拡大を図り、かつ第 2の SAWフィルタ F2の通過帯域高域側の帯域幅を拡大するために接続されている。

[0043] そして、本実施形態の特徴は、上記橋絡インダクタ Lが、多層ノッケージ基板 2において、多層パッケージ基板 2の面積を増大させることなく形成されていることにある。これを、図 1と、図 3〜図 6とを併せて参照して説明することとする。

[0044] 図 1の多層パッケージ基板 2において、上記橋絡インダクタ Lが構成される部分を一点鎖線 Aで示す。すなわち、図 1の一点鎖線 Aで示す領域に、橋絡インダクタ Lが構成されている。この橋絡インダクタ Lが構成されている部分を図 3 (a)に分解斜視図で示す。また、各高さ位置の平面図あるいは平面断面図を図 3及び図 4 (a)〜（d)に示す。

[0045] 図 3 (a)及び図 4 (a)〜（d)に示すように、多層パッケージ基板 2の異なる高さ位置である第 1層〜第 4層に、図示の電極が形成されている。ここで、第 1層〜第 4層は多層ノ^ケージ基板 2の異なる高さ位置の平面とし、下力順に第 1層〜第 4層とし、第 4 層が多層パッケージ基板 2の上面に相当するもののとする。

[0046] 図 3 (a)に示すように、多層パッケージ基板 2の上面すなわち第 4層にお、ては、電極ランド 21, 22が形成されている。電極ランド 21, 22は、多層パッケージ基板 2の上面に適宜の導電膜を形成しパターユングすることにより設けられて、る。上記電極ランド 21, 22は、図 2に示した回路構成において、橋絡インダクタ Lの両端の端子部分に相当し、電極ランド 21, 22は、第 2の SAWフィルタ F2が構成されている SAWフィルタチップ 12が搭載された際に、直列腕共振子 S3の両端に電気的に接続される部分に相当する。

[0047] 電極ランド 21, 22の下方においては、第 1層に第 1の配線 23が設けられており、第 1の配線 23は、略 C字状もしくは略コの字状の平面形状を有する。他方、第 1の配線 23の第 1の端部のビアカバー 23aが、第 1のビアホール導体 24の下端に電気的に接続されている。他方、第 1の配線 23の第 2の端部のビアカバー 23bが、第 2のビアホール導体 25の下端に電気的に接続されている。なお、ビアカバーとは、ビアホール導体に電気的に接続される配線部分であって、ビアホール導体よりも大きな面積を有する部分をいうものとする。第 1の配線 23は、端部において第 1,第 2のビアホール導体 24, 25に接続するために、端部に上記ビアカバー 23a, 23bを有する。

[0048] 他方、第 2のビアホール導体 25の上端は、第 2層に至っており、第 2層に設けられた第 2の配線 26の一端のビアカバー 26aに電気的に接続されている。第 2の配線 26 は、略 C字状または略コの字状の形状を有し、第 2の端部にビアカバー 26bを有する

[0049] また、上記第 1のビアホール導体 24は、第 2層力も第 3層に向力つて延びる第 3のビァホール導体 27に電気的に接続されている。この第 1,第 3のビアホール導体 24, 2 7は、第 2層に設けられた第 2の配線 26とは隔てられており、第 2の配線 26に電気的に接続されな、ように配置されて、る。

[0050] また、第 4のビアホール導体 28の下端が上記ビアカバー 26bに、すなわち第 2の配線 26に電気的に接続されている。第 4のビアホール導体 28は、第 2層から第 3層に延ばされており、第 3層に設けられた第 3の配線 29の一端に設けられたビアカバー 2 9aに電気的に接続されている。

[0051] 第 3の配線 29は、略 L字状の形状を有し、ビアカバー 29aが設けられている側とは反対側の端部にビアカバー 29bを有する。ビアカバー 29bは、電極ランド 21の直下に配置されている。

[0052] 第 3層から第 4層に至るように、第 5,第 6のビアホール導体 30, 31が設けられている。第 5のビアホール導体 30は、第 1,第 3のビアホール導体 24, 27と一直線状に配置されており、かつ第 3のビアホール導体 27に電気的に接続されている。第 5のビアホール導体 30の上端は、電極ランド 22に電気的に接続されている。

[0053] 従って、電極ランド 22は、第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 27, 30を介して、第 1の配線 23の第 1の端部に設けられているビアカバー 23aに電気的に接続されている。

[0054] 他方、第 6のビアホール導体 31の上端は、電極ランド 21に電気的に接続されている。すなわち、電極ランド 21は、第 6のビアホール導体 31を介して、第 3の配線 29に電気的に接続されている。

[0055] 他方、上記第 1の配線 23、第 2の配線 26及び第 3の配線 29は、橋絡インダクタのコイル状卷回部を構成している。すなわち、第 1の配線 23,第 2の配線 26,第 3の配線 29は、上記のように、第 2のビアホール導体 25及び第 4のビアホール導体 28により電気的に接続されている力平面視した際に、図 3 (b)に示すように、ほぼ 1. 7〜1 . 8ターンのターン数のコイル状卷回部を構成しており、それによつてインダクタ成分を生じるように構成されて、る。

[0056] そして、上記第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 27, 30は、コイル状卷回部を一方の接続端部である電極ランド 22に電気的に接続するコイルの戻り線部を構成しているが、該戻り線部は、図 3 (b)に示すように、コイル状卷回部 Mの内側に配置されている。

[0057] 従って、本実施形態の SAW分波器では、上記橋絡インダクタ Lにおヽて、コイル状卷回部が、第 1層〜第 3層の複数層にわたって卷回されているため、並びにコイルの戻り線部が上記コイル状卷回部の内側に配置されているため、面積を増大させることなぐ大きなインダクタを得ることができる。よって、多層ノッケージ基板 2の小型化を進めることができ、フィルタ特性が良好な小型の SAW分波器 1を提供することが可能となる。

[0058] さらに、本実施形態の SAW分波器 1では、第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 2 7, 30がー直線状に配置されているときで、第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 27 , 30を平面視したときに異なる位置に配置した場合に比べて、より一層橋絡インダクタを構成する部分の面積を小さくすることが可能となる。

[0059] また、図 1に示すように、本実施形態の SAW分波器では、多層パッケージ基板 2において、グラウンド電位に接続されるビアホール導体 13が第 1の SAWフィルタ F1が構成されている SAWフィルタチップ 11が搭載される部分と、第 2の SAWフィルタ F2 が構成されている第 2の SAWフィルタチップ 12が搭載される部分との間に配置されている。このビアホール導体 13は、グラウンド電位に接続されるものであり、第 1の SA Wフィルタチップ 11と、上記橋絡インダクタ Lが形成される部分との間に構成されているので、それによつて、第 1の SAWフィルタ F1と第 2の SAWフィルタ F2との間のアイソレーシヨンを効果的に高めることが可能となる。

[0060] また、橋絡インダクタの接続される上記電極ランド 21, 22における SAWフィルタチップ 12の直列共振子 S3の端子が接続される部分 J, Kと出力端子 15がコイル状卷回部 Mの内側に配置されている。従って、 SAW分波器のより一層の小型化を図ることができる。

[0061] なお、本実施形態では、上記のように、第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 27, 3 0がコイル状卷回部の設けられて、る部分の内側に配置されて、るため、小型化を図ることができるが、さらに上記電極ランド 21に接続される第 6のビアホール導体 31 もまた、上記コイル状卷回部の内側に配置されているため、それによつても、橋絡ィンダクタ Lが構成される部分の面積をより一層小さくすることが可能とされて、る。もつとも、第 6のビアホール導体 31は、上記コイル状卷回部の外側に配置されていてもよい。

[0062] 本実施形態の SAW分波器において、小型化を十分に進めることができ、かつ良好なフィルタ特性の得られることを、具体的な実験例に基づき説明する。

[0063] 第 1の SAWフィルタ F1の通過帯域の周波数が 1850〜1910MHz、第 2の SAW フィルタ F2の通過帯域の周波数が 1930〜 1990MHzである上記実施形態の SAW 分波器 1を作製した。比較のために、図 5に平面図で示す比較例の多層パッケージ基板 121を用意し、該多層パッケージ基板 121を用いたことを除いては、上記実施形態と同様にして比較例の SAW分波器を作製した。多層パッケージ基板 121において、上記実施形態と相当する部分については、相当の参照番号を付することとした。なお、多層パッケージ基板 121の橋絡インダクタが形成されている部分の電極構造を、図 6 (a)〜（c)及び図 7 (a)に模式的に示す。

[0064] 比較例の多層パッケージ基板 121では、上記実施形態の多層パッケージ基板と同様に、第 1〜第 3層に、それぞれ、実施形態と同様に、第 1〜第 3の配線を形成した。そして、第 1〜第 3の配線 123, 126, 129によりコイル状卷回部を形成し、第 1〜第 3 の酉己線 123, 126, 129を第 2,第 4のピ、ホーノレ導体 125, 128【こより電気的【こ接続した。また、第 6のビアホール導体 131により、電極ランド 121に、第 3の配線 129を接 cした o

[0065] もっとも、上記実施形態では、第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 27, 30は、上記コイル状卷回部の内側にぉ、て一直線状になるように配置した力本比較例では、図 6及び図 7に示すように、第 1,第 3,第 5のビアホール導体 124, 127, 130は一直線状には配置したものの、図 7 (b)に模式的に示すように、コイル状卷回部 Mの外側に配置した。

[0066] すなわち、上記比較例の SAW分波器では、橋絡インダクタ Lのコイル状卷回部の外側に、コイルの戻り線部を構成する第 1,第 3,第 5のビアホール導体 124, 127, 1 30を配置したことを除いては、上記実施形態の SAW分波器 1と同様とした。

[0067] 図 8は、第 2の SAWフィルタ F2の通過特性 S21を示し、図 9は反射特性 S11を示す。なお、図 8及び図 9において、実線が上記実施形態の結果を、破線が比較例の結果を示す。

[0068] 図 8から明らかなように、上記実施形態によれば、比較例の分波器に比べて、通過帯域低域側における減衰量を大きくし得ることがわかる。

[0069] また、図 9から明らかなように、通過帯域内において、比較例に比べて、実施形態の

SAW分波器では、受信端子におけるリターンロスが小さくなつていることがわかる。 [0070] すなわち、上記橋絡インダクタ Lを接合しただけでなく、橋絡インダクタを構成するための戻り線部を構成する第 1,第 3,第 5のビアホール導体をコイル状卷回部の内側に位置したことにより、フィルタ特性をより一層改善し得ることがわかる。

[0071] また、図 10及び図 11は、それぞれ、実施形態及び比較例の SAW分波器のアイソレーシヨン特性及びアンテナ側端子における反射特性を示す図である。実線が上記実施形態の結果を、破線が比較例の結果を示す。

[0072] 図 10から明らかなように、比較例の構成に比べて、本実施形態によれば、アイソレーシヨンを高め得ることがわかる。

[0073] また、図 11から明らかなように、アンテナ端子においても、リターンロスが軽減され得ることがゎカゝる。

[0074] よって、上記実施形態の SAW分波器 1では、橋絡インダクタ Lのコイル状卷回部の内側に、上記戻り線部が配置されているため、比較例の SAW分波器に比べて、フィルタ特性をより一層改善し得ることがわかる。

[0075] なお、上記実施形態では、コイルの戻り線部を構成している第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 27, 30は、一直線状に連ねられていた力図 12に分解斜視図で示す変形例のように、第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 27, 30Aは、一直線状に必ずしも連ねられておらずともよヽ。

[0076] この変形例では、第 5のビアホール導体 30Aの上端は電極ランド 22に電気的に接続されているものの、下端は、接続配線 32に電気的に接続されている。接続配線 32 は、一端にビアカバー 32aを有し、ビアカバー 32aが、第 5のビアホール導体 30Aの下端に電気的に接続されている。また、接続配線 32は、他方端部にビアカバー 32b を有し、ビアカバー 32bが、第 3のビアホール導体 27の上端に電気的に接続されている。従って、第 3のビアホール導体 27と、第 5のビアホール導体 30Aと力正面から見た場合クランク状の形状を有するように接続されている。言い換えれば、第 1,第 3 ,第 5のビアホール導体 24, 27, 30Aは、一直線状とはならないように連結されている。

[0077] 図 13は、本変形例におけるコイル状卷回部 Mと、上記電極ランド 21, 22及びビアホール導体が設けられている位置関係を模式的に示す平面図である。本変形例においても、第 1,第 3のビアホール導体 24, 27だけでなぐ第 3のビアホール導体 30 Aもまた、コイル状卷回部 Mの内側に配置されている。従って、コイルの戻り線部を構成している第 1,第 3,第 5のビアホール導体 24, 27, 30Aは、コイル状卷回部の内側に配置されていることになる。

[0078] 上記のように、コイルの卷回部の一端を端子に電気的に接続するためのコイルの戻り線部は、コイル状卷回部の内側に配置されている限り、該戻り線部を構成している複数のビアホール導体は必ずしも一直線状に連結される必要はない。すなわち、一直線状に連結されないように複数のビアホール導体を連結した場合には、設計の自由度を高めることが可能となる。

[0079] 図 14は、上記実施形態の SAW分波器のさらに他の変形例を説明するための分解斜視図であり、図 15は本変形例におけるインダクタ構成部分の模式的平面図である

[0080] 本変形例では、橋絡インダクタ Lは、図 14に分解斜視図で示す電極構造を用いて構成されている。すなわち、下方の第 1層に、第 1の配線 41が設けられており、第 2層に第 2の配線 42, 43が設けられており、第 3層に第 3の配線 44, 45が設けられている。そして、第 2の配線 42, 43及び第 3の配線 44, 45はいずれも、第 1の配線 41と電気的に接続されて、コイル状卷回部を構成している。このように、本発明においては、 1つの層に、コイル状卷回部を構成する複数の配線を形成してもよい。なお、図 1 5においては、第 1〜第 4の配線は、上下方向において重なり合っていないように示されているが、実際には、コイル状卷回部を構成する配線同士は上下方向において重なり合っている。図 15は、あくまでも各配線の配置関係を容易に把握することを可能とするために、上下にお!、て重なり合って!/、る配線同士が隣り合わな!/、ように模式的に示した。

[0081] 図 14及び図 15に示すように、本変形例では、第 1の配線 41の第 1の端部に連ねられているビアカバー 41aに、第 1のビアホール導体 46の下端が接続されている。第 1 のビアホール導体 46の上端力第 2の配線 43の第 1の端部に設けられたビアカバー 43aに電気的に接続されている。

[0082] 他方、第 1の配線 41の第 2の端部に設けられたビアカバー 41bが、第 2のビアホール導体 47の下端に電気的に接続されている。第 2のビアホール導体 47の上端は、第 2の配線 42の一方端部に設けられたビアカバー 42aに電気的に接続されている。また、第 2の配線 42の他方端部に設けられたビアカバー 42bが第 3のビアホール導体 48に電気的に接続されている。同様に、第 2の配線 43の他方端部に設けられたビアカバ一 43bに、第 4のビアホール導体 49の下端が電気的に接続されている。

[0083] 第 3層にお、ては、第 3のビアホール導体 48の上端に、第 3の配線 45のビアカバ一 45aが電気的に接続されている。また、第 4のビアホール導体 49の上端に、第 3の配線 44の一端に設けられたビアカバー 44aが電気的に接続されている。そして、第 3 の配線 45, 44の各他方端部に設けられたビアカバー 44b, 45bが、第 5,第 6のビアホール導体 50, 51により、電極ランド 52, 53に電気的に接続されている。

[0084] 従って、電極ランド 52, 53間には、上記第 1〜第 3の配線 41〜45からなるコイル状卷回部が電気的に接続されている。そして、上記コイル状卷回部をインダクタの接続端子である電極ランド 52に接続するための戻り線部は、上記第 6のビアホール導体 5 0を有するが、該ビアホール導体 50は、コイル状卷回部の内側に配置されている。

[0085] また、上記のように、第 2層及び第 3層にお、て、複数の線路が設けられて、るが、この複数の線路が、第 1層において電気的に直列に接続されており、このように、少なくとも 1つの層において複数の配線を形成することにより、コイル状卷回部の線路長を長くすることができ、より大きなインダクタンス値を得ることができる。

[0086] なお、図 14及び図 15に示した変形例のように、複数のコイル状パターンが設けられる場合、上記戻り線部は、複数のコイル状卷回部の外周縁の内側に配置されておればよぐ従って、コイル状卷回部の内側に戻り線部が位置している構成とは、このように、複数のコイル状卷回部が設けられている場合には、複数のコイル状卷回部の外周縁の内側であることを意味することとする。

[0087] なお、上記実施形態では、第 3層上に、電極ランドを有する第 4層が配置されていたが、第 3層と電極ランドを有する第 4層との間に、さらに、コイル状卷回部を構成する 1以上の層を介在させ、それによつて、より多くのターン数のコイル状卷回部を構成してちよい。

[0088] また、ラダー型回路構成の段数は本実施形態の段数以外の段数であってもよ!/、。また第 1,第 2の SAWフィルタの両方を 1つのチップの上に構成してもよい。

Claims

請求の範囲

[1] 少なくとも 1つの直列腕共振子及び少なくとも 1つの並列腕共振子を含むラダー型回路構成を有し、通過帯域の周波数が相対的に低い第 1の SAWフィルタと、少なくとも 1つの直列腕共振子及び少なくとも 1つの並列腕共振子を含むラダー型回路構成を有し、通過帯域の周波数が相対的に高い第 2の SAWフィルタと、第 2の SAWフィルタの少なくとも 1つの前記直列腕共振子に並列に接続されている橋絡インダクタとを有し、前記第 1の SAWフィルタ及び第 2の SAWフィルタが、 SAWフィルタチップとして構成されており、前記 SAWフィルタチップが実装されてヽる多層パッケージ基板をさらに備え、

前記橋絡インダクタが、

多層ノッケージ基板の第 1の層に形成された第 1の配線と、

第 1の配線の一端に接続されている第 1のビアホール導体と、

第 1の配線の他端に接続されている第 2のビアホール導体と、

前記多層パッケージ基板の第 1層と異なる高さ位置の第 2層に設けられており、一端が前記第 2のビアホール導体に接続されている第 2の配線とを有し、

前記第 1の配線及び第 2の配線を含むコイル卷回部の内側に前記第 1のビアホール導体を少なくとも含むコイルの戻り線部が配置されていることを特徴とする SAW分波器。

[2] 前記第 1のビアホール導体に接続されている第 3のビアホール導体と、前記第 2の配線の他端に接続されて、る第 4のビアホール導体と、一端が前記第 4のビアホール導体に接続されており、かつ前記多層パッケージ基板の第 1,第 2の層とは異なる高さ位置に設けられた第 3の層に形成されている第 3の配線とをさらに備え、前記第 1, 第 3のビアホール導体を含む戻り線部が、前記第 1〜第 3の配線力もなるコイル卷回部内に配置されて、る、請求項 1に記載の SAW分波器。

[3] 前記第 3のビアホール導体に一端が接続されて、る第 5のビアホール導体と、第 3 の配線の他端に一端が接続された第 6のビアホール導体との各他端が前記第 1〜第 3層とは異なる高さ位置に設けられた第 4層に至っている、請求項 2に記載の SAW 分波器。

[4] 前記第 6のビアホール導体力前記コイル卷回部の内側に設けられて、る、請求項

3に記載の SAW分波器。

[5] 前記戻り線部にお、て、該戻り線部を構成して、る複数の前記ビアホール導体が直線的に連ねられている、請求項 2〜4のいずれか 1項に記載の SAW分波器。

[6] 前記戻り線部にお、て、複数の前記ビアホール導体が一直線状でな、ように連結されている、請求項 2〜4のいずれか 1項に記載の SAW分波器。

[7] 前記橋絡インダクタを構成している各配線と、第 1の SAWフィルタチップが実装される多層パッケージ基板部分との間に、グラウンド電位に接続されているビアホール導体が配置されている、請求項 1〜6のいずれか 1項に記載の SAW分波器。

[8] 前記第 2の SAWフィルタにお、て、前記橋絡インダクタが接続されて、る直列腕共振子の端子に接続される、前記パッケージの電気的接続部分が、前記橋絡インダクタのコイル卷回部の内側に位置されている、請求項 1〜7のいずれ力 1項に記載の S

AW分波器。