JP3093578U

JP3093578U - 多層回路基板

Info

Publication number: JP3093578U
Application number: JP2002006674U
Authority: JP
Inventors: 亨青柳
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2002-10-22
Filing date: 2002-10-22
Publication date: 2003-05-16
Anticipated expiration: 2008-10-22
Also published as: US20040080922A1; US6922129B2

Abstract

(57)【要約】【課題】部品点数が少なく、作業性が良く、且つ、安
価で薄型の多層回路基板を提供する。【解決手段】本考案の多層回路基板は、積層された少
なくとも第１，第２の絶縁層１，２を有し、第１の絶縁
層１の表面には、インダクタを構成する導電膜からなる
第１の導電体３と、コンデンサを構成する導電膜からな
る一方の第１の電極４とが設けられ、第２の絶縁層２の
表面には、コンデンサを構成する導電膜からなる他方の
第２の電極８が設けられ、第１，第２の電極４，８が絶
縁層を介して互いに対向するように第１，第２の絶縁層
１，２が積層されたため、２層の絶縁層によってコンデ
ンサとインダクタを備えたものが得られ、従来の３層の
絶縁層に比して、部品点数が少なく、作業性が良く、且
つ、安価で薄型となる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【考案の属する技術分野】

本考案はバンドパスフイルタ等の電気回路に使用して好適な多層回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来の多層回路基板の図面を説明すると、図８は従来の多層回路基板に係り、インダクタとコンデンサが並列接続されるものにおける分解斜視図、図９は図８の多層回路基板における回路図、図１０は従来の多層回路基板に係り、インダクタとコンデンサが直列接続されるものにおける分解斜視図、図１１は図１０の多層回路基板における回路図である。

【０００３】次に、インダクタとコンデンサが並列接続される多層回路基板の構成を図８に基づいて説明すると、セラミック材からなる第１，第２，第３の絶縁層５１，５２，５３は、互いに積層されて構成されている。

【０００４】そして、第１の絶縁層５１の表面には、銀等の導電膜で形成された四角形状の第１の電極５４が設けられると共に、この第１の電極５４には第１の引き出し部５５が設けられている。

【０００５】また、第２の絶縁層５２の表面には、銀等の導電膜で形成されたコ字状の第１の導電体５６が設けられると共に、この第１の導電体５６の一端に設けられた孔５６ａと第１の電極５４に設けられた孔５４ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第１の導電体５６の一端と第１の電極５４が電気的に接続されている。

【０００６】更に、第３の絶縁層５３の表面には、銀等の導電膜で形成された四角形状の第２の電極５７が設けられると共に、この第２の電極５７には第２の引き出し部５８が設けられている。また、この第２の電極５７の孔５７ａと第１の導電体５６の他端に設けられた孔５６ｂには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第１の導電体５６の他端と第２の電極５７が電気的に接続されている。

【０００７】このような構成を有する多層回路基板は、第１，第２の電極５４，５７が第１，第２の絶縁層５１，５２を介して互いに対向した状態となって、コンデンサＣが形成されると共に、第１の導電体５６によって、インダクタＬが形成されている。

【０００８】その結果、図９に示すように、第１，第２の引き出し部５５，５８の間は、インダクタＬとコンデンサＣが並列接続された構成となっている。

【０００９】次に、インダクタとコンデンサが直列接続される多層回路基板の構成を図１０に基づいて説明すると、セラミック材からなる第１，第２，第３の絶縁層６１，６２，６３は、互いに積層されて構成されている。

【００１０】そして、第１の絶縁層６１の表面には、銀等の導電膜で形成されたコ字状の第１の導電体６４が設けられると共に、この第１の電極６４の一端には第１の引き出し部６５が設けられている。

【００１１】また、第２の絶縁層６２の表面には、銀等の導電膜で形成された四角形状の第１の電極６６が設けられると共に、この第１の電極６６の孔６６ａと第１の導電体６４の他端に設けられた孔６４ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第１の導電体６４の他端と第１の電極６６が電気的に接続されている。

【００１２】更に、第３の絶縁層６３の表面には、銀等の導電膜で形成された四角形状の第２の電極６７が設けられると共に、この第２の電極６７には第２の引き出し部６８が設けられている。

【００１３】このような構成を有する多層回路基板は、第１，第２の電極６６，６７が第２の絶縁層６２を介して互いに対向した状態となって、コンデンサＣが形成されると共に、第１の導電体６４によって、インダクタＬが形成されている。

【００１４】その結果、図１１に示すように、第１，第２の引き出し部６５，６８の間は、インダクタＬとコンデンサＣが直列接続された構成となっている。

【００１５】

【考案が解決しようとする課題】

インダクタとコンデンサを備えた従来の多層回路基板は、少なくとも３枚の絶縁層を必要とし、部品点数が多くなって、コスト高で、厚型になるという問題がある。また、３枚の絶縁層を使用すると、製造が面倒である上に、少なくとも一カ所は、スルーホールによる導通作業を必要として、生産性が悪くなるという問題がある。

【００１６】そこで、本考案は部品点数が少なく、作業性が良く、且つ、安価で薄型の多層回路基板を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】

上記課題を解決するための第１の解決手段として、積層された少なくとも第１，第２の絶縁層を有し、前記第１の絶縁層の表面には、インダクタを構成する導電膜からなる第１の導電体と、コンデンサを構成する導電膜からなる一方の第１の電極とが設けられ、前記第２の絶縁層の表面には、コンデンサを構成する導電膜からなる他方の第２の電極が設けられ、前記第１，第２の電極が前記絶縁層を介して互いに対向するように前記第１，第２の絶縁層が積層された構成とした。

【００１８】また、第２の解決手段として、前記第１の導電体は、前記第１の絶縁層の外周部に形成されると共に、前記第１の電極が前記第１の導電体の内側で前記第１の絶縁層の中央部に形成された構成とした。

【００１９】また、第３の解決手段として、前記第１の導電体と前記第１の電極が導電膜からなる第１の接続導体によって接続された構成とした。

【００２０】また、第４の解決手段として、前記第１の導電体には第１の取り出し部を設けると共に、前記第２の電極には第２の取り出し部を設けて、前記第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが直列接続された構成とした。

【００２１】また、第５の解決手段として、前記第２の絶縁層の外周部には、インダクタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成されると共に、前記第２の電極が前記第２の導電体の内側で前記第２の絶縁層の中央部に形成され、前記第２の導電体には第１の取り出し部を設けると共に、前記第２の電極には第２の取り出し部を設けて、前記第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが直列接続された構成とした。

【００２２】また、第６の解決手段として、前記第２の絶縁層の外周部には、インダクタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成され、前記第２の電極が前記第２の導電体の内側で前記第２の絶縁層の中央部に形成されると共に、前記第１，第２の絶縁層に積層された一枚、或いは複数枚の第３の絶縁層を有し、この第３の絶縁層には、インダクタを構成する導電膜からなる第３の導電体が設けられ、前記第１の導電体には第１の取り出し部を設けると共に、前記第１の電極には第２の取り出し部を設けて、前記第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが直列接続された構成とした。

【００２３】また、第７の解決手段として、前記第２の絶縁層の外周部には、インダクタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成されると共に、前記第２の電極が前記第２の導電体の内側で前記第２の絶縁層の中央部に形成され、前記第２の導電体と前記第２の電極は、導電膜からなる第２の接続導体で接続され、前記第１の接続導体には第１の取り出し部を設けると共に、前記第２の接続導体には第２の取り出し部を設けて、前記第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが並列接続された構成とした。

【００２４】また、第８の解決手段として、前記第２の絶縁層の外周部には、インダクタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成されると共に、前記第２の電極が前記第２の導電体の内側で前記第２の絶縁層の中央部に形成され、前記第２の導電体と前記第２の電極は、導電膜からなる第２の接続導体で接続されると共に、前記第１，第２の絶縁層に積層された一枚、或いは複数枚の第３の絶縁層を有し、この第３の絶縁層には、インダクタを構成する導電膜からなる第３の導電体が設けられ、前記第１の接続導体には第１の取り出し部を設けると共に、前記第３の導電体には第２の取り出し部を設けて、前記第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが並列接続された構成とした。

【００２５】

【考案の実施の形態】

本考案の多層回路基板の図面を説明すると、図１は本考案の多層回路基板の第１実施例に係り、インダクタとコンデンサが並列接続されるものにおける分解斜視図、図２は本考案の多層回路基板の第２実施例に係り、インダクタとコンデンサが並列接続されるものにおける分解斜視図、図３は図１，図２の多層回路基板における回路図である。

【００２６】また、図４は本考案の多層回路基板の第３実施例に係り、インダクタとコンデンサが直列接続されるものにおける分解斜視図、図５は本考案の多層回路基板の第４実施例に係り、インダクタとコンデンサが直列接続されるものにおける分解斜視図、図６は本考案の多層回路基板の第５実施例に係り、インダクタとコンデンサが直列接続されるものにおける分解斜視図、図７は図４〜図６の多層回路基板における回路図である。

【００２７】次に、インダクタとコンデンサが並列接続される多層回路基板の第１実施例の構成を図１に基づいて説明すると、低温焼成セラミック材（ＬＴＣＣ）等のセラミック材からなる第１，第２の絶縁層１，２は、互いに積層されて構成されて、多層セラミック基板（低温焼成多層セラミック基板）が形成されている。

【００２８】そして、第１の絶縁層１の表面には、銀等の導電膜で形成され、第１の絶縁層１の外周部に沿って設けられたコ字状の第１の導電体３と、この第１の導電体３の内側で、第１の絶縁層１の中央部に設けられた四角形状の第１の電極４と、銀等の導電膜で形成され、第１の導電体３と第１の電極４とを接続する第１の接続導体５と、この接続導体５に設けられた第１の引き出し部６とを有する。

【００２９】また、第２の絶縁層２の表面には、銀等の導電膜で形成され、第２の絶縁層２の外周部に沿って設けられたコ字状の第２の導電体７と、この第２の導電体７の内側で、第２の絶縁層２の中央部に設けられた四角形状の第２の電極８と、銀等の導電膜で形成され、第２の導電体７と第２の電極８とを接続する第２の接続導体９と、この接続導体９に設けられた第２の引き出し部１０とを有する。

【００３０】また、第１の導電体３の端部に設けられた孔３ａと第２の導電体７に設けられた孔７ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第１、第２の導電体３，７が電気的に接続されている。

【００３１】このような構成を有する多層回路基板は、第１，第２の電極４，８が第１の絶縁層１を介して互いに対向した状態となって、コンデンサＣが形成されると共に、第１、第２の導電体３，７によって、インダクタＬが形成されている。

【００３２】その結果、図３に示すように、第１，第２の引き出し部６、１０の間は、インダクタＬとコンデンサＣが並列接続された構成となっている。

【００３３】このような多層回路基板の製造方法は、ここでは図示しないが、低温焼成セラミック材等からなるグリーンシート上に、銀等の導電ペーストを印刷したものを複数枚積層し、且つ、焼結することによって製造されるようになっている。

【００３４】次に、インダクタとコンデンサが並列接続される多層回路基板の第２実施例の構成を図２に基づいて説明すると、低温焼成セラミック材（ＬＴＣＣ）等のセラミック材からなる第１，第２、第３の絶縁層１、２，１１は、互いに積層されて構成されて、多層セラミック基板（低温焼成多層セラミック基板）が形成されている。

【００３５】そして、第１の絶縁層１の表面には、銀等の導電膜で形成され、第１の絶縁層１の外周部に沿って設けられたコ字状の第１の導電体３と、この第１の導電体３の内側で、第１の絶縁層１の中央部に設けられた四角形状の第１の電極４と、銀等の導電膜で形成され、第１の導電体３と第１の電極４とを接続する第１の接続導体５と、この接続導体５に設けられた第１の引き出し部６とを有する。

【００３６】また、第２の絶縁層２の表面には、銀等の導電膜で形成され、第２の絶縁層２の外周部に沿って設けられたコ字状の第２の導電体７と、この第２の導電体７の内側で、第２の絶縁層２の中央部に設けられた四角形状の第２の電極８と、銀等の導電膜で形成され、第２の導電体７と第２の電極８とを接続する第２の接続導体９とを有する。

【００３７】また、第１の導電体３の端部に設けられた孔３ａと第２の導電体７に設けられた孔７ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第１、第２の導電体３，７が電気的に接続されている。

【００３８】また、第３の絶縁層１１の表面には、銀等の導電膜で形成され、第３の絶縁層１１の外周部に沿って設けられた略コ字状の第３の導電体１２と、この第３の導電体１２の端部に繋がった第３の接続導体１３と、銀等の導電膜で形成され、第３の接続導体１３に設けられた第２の引き出し部１０とを有する。

【００３９】そして、第２の導電体７の端部に設けられた孔７ｂと第３の導電体１２の端部に設けられた孔１２ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第２、第３の導電体７，１２が電気的に接続され、また、第２の電極８に設けられた孔８ａと第３の接続導体１３に設けられた孔１３ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第２の電極８と第３の接続導体１３が電気的に接続されている。

【００４０】このような構成を有する多層回路基板は、第１，第２の電極４，８が第１の絶縁層１を介して互いに対向した状態となって、コンデンサＣが形成されると共に、第１、第２、第３の導電体３，７、１２によって、インダクタＬが形成されている。

【００４１】その結果、図３に示すように、第１，第２の引き出し部６、１０の間は、インダクタＬとコンデンサＣが並列接続された構成となっている。なお、この第２実施例では、第３の導電体１２を設けた１枚の第３の絶縁層１１を使用するもので説明したが、導電体を設けた複数枚の絶縁層を使用して、インダクタＬを大きくしても良い。

【００４２】このような第２実施例における多層回路基板の製造方法においても、ここでは図示しないが、低温焼成セラミック材等からなるグリーンシート上に、銀等の導電ペーストを印刷したものを複数枚積層し、且つ、焼結することによって製造されるようになっている。

【００４３】次に、インダクタとコンデンサが直列接続される第３実施例の多層回路基板の構成を図４に基づいて説明すると、低温焼成セラミック材（ＬＴＣＣ）等のセラミック材からなる第１，第２の絶縁層２１，２２は、互いに積層されて構成されて、多層セラミック基板（低温焼成多層セラミック基板）が形成されている。

【００４４】そして、第１の絶縁層２１の表面には、銀等の導電膜で形成され、第１の絶縁層２１の外周部に沿って設けられたコ字状の第１の導電体２３と、この第１の導電体２３の内側で、第１の絶縁層２１の中央部に設けられた四角形状の第１の電極２４と、銀等の導電膜で形成され、第１の導電体２３と第１の電極２４とを接続する第１の接続導体２５と、第１の導電体２３の端部に設けられた第１の引き出し部２６とを有する。

【００４５】また、第２の絶縁層２２の表面には、銀等の導電膜で形成され、、第２の絶縁層２２の中央部に設けられた四角形状の第２の電極２７と、銀等の導電膜で形成され、第２の電極２７に繋がって設けられた第２の引き出し部２８とを有する。

【００４６】このような構成を有する多層回路基板は、第１，第２の電極２４，２７が第１の絶縁層２１を介して互いに対向した状態となって、コンデンサＣが形成されると共に、第１の導電体２３によって、インダクタＬが形成されている。

【００４７】その結果、図７に示すように、第１，第２の引き出し部２６、２８の間は、インダクタＬとコンデンサＣが直列接続された構成となっている。

【００４８】このような第３実施例の多層回路基板の製造方法は、ここでは図示しないが、低温焼成セラミック材等からなるグリーンシート上に、銀等の導電ペーストを印刷したものを複数枚積層し、且つ、焼結することによって製造されるようになっている。

【００４９】次に、インダクタとコンデンサが直列接続される多層回路基板の第４実施例の構成を図５に基づいて説明すると、低温焼成セラミック材（ＬＴＣＣ）等のセラミック材からなる第１，第２の絶縁層２１，２２は、互いに積層されて構成されて、多層セラミック基板（低温焼成多層セラミック基板）が形成されている。

【００５０】そして、第１の絶縁層２１の表面には、銀等の導電膜で形成され、第１の絶縁層２１の外周部に沿って設けられたコ字状の第１の導電体２３と、この第１の導電体２３の内側で、第１の絶縁層２１の中央部に設けられた四角形状の第１の電極２４と、銀等の導電膜で形成され、第１の導電体２３と第１の電極２４とを接続する第１の接続導体２５と、第１の導電体２３の端部に設けられた第１の引き出し部２６とを有する。

【００５１】また、第２の絶縁層２２の表面には、銀等の導電膜で形成され、第２の絶縁層２２の外周部に沿って設けられたコ字状の第２の導電体２９と、この第２の導電体２９の内側で、第２の絶縁層２２の中央部に設けられた四角形状の第２の電極２７と、第２の導電体２９の端部に設けられた第１の引き出し部２６と、第２の電極２７に繋がって設けられた第２の引き出し部２８とを有する。

【００５２】そして、第１の導電体２３の端部に設けられた孔２３ａと第２の導電体２９の端部に設けられた孔２９ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第１、第２の導電体２３，２９が電気的に接続されている。

【００５３】このような構成を有する多層回路基板は、第１，第２の電極２４，２７が第１の絶縁層２１を介して互いに対向した状態となって、コンデンサＣが形成されると共に、第１、第２の導電体２３、２９によって、インダクタＬが形成されている。

【００５４】その結果、図７に示すように、第１，第２の引き出し部２６、２８の間は、インダクタＬとコンデンサＣが直列接続された構成となっている。

【００５５】このような第４実施例の多層回路基板の製造方法においても、ここでは図示しないが、低温焼成セラミック材等からなるグリーンシート上に、銀等の導電ペーストを印刷したものを複数枚積層し、且つ、焼結することによって製造されるようになっている。

【００５６】次に、インダクタとコンデンサが直列接続される多層回路基板の第５実施例の構成を図６に基づいて説明すると、低温焼成セラミック材（ＬＴＣＣ）等のセラミック材からなる第１，第２、第３，第４の絶縁層２１，２２、３０，３１は、互いに積層されて構成されて、多層セラミック基板（低温焼成多層セラミック基板）が形成されている。

【００５７】そして、第１の絶縁層２１の表面には、銀等の導電膜で形成され、第１の絶縁層２１の外周部に沿って設けられたコ字状の第１の導電体２３と、この第１の導電体２３の内側で、第１の絶縁層２１の中央部に設けられた四角形状の第１の電極２４と、第１の導電体２３の端部に設けられた第１の引き出し部２６と、第１の電極２４に繋がって設けられた第２の引き出し部２８とを有する。

【００５８】また、第２の絶縁層２の表面には、銀等の導電膜で形成され、第２の絶縁層２２の外周部に沿って設けられたコ字状の第２の導電体２９と、この第２の導電体２９の内側で、第２の絶縁層２２の中央部に設けられた四角形状の第２の電極２７とを有する。

【００５９】そして、第１の導電体２３の端部に設けられた孔２３ａと第２の導電体２９の端部に設けられた孔２９ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第１、第２の導電体２３，２９が電気的に接続されている。

【００６０】また、第３の絶縁層３０の表面には、銀等の導電膜で形成され、第３の絶縁層３０の外周部に沿って設けられたコ字状の第３の導電体３２が設けられると共に、第２の導電体２９の端部に設けられた孔２９ｂと第３の導電体３２の端部に設けられた孔３２ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第２、第３の導電体２９，３２が電気的に接続されている。

【００６１】また、第４の絶縁層３１の表面には、銀等の導電膜で形成され、第４の絶縁層３１の外周部に沿って設けられた略コ字状の第４の導電体３３が設けられ、第３の導電体３２の端部に設けられた孔３２ｂと第４の導電体３３の端部に設けられた孔３３ａには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第３、第４の導電体３２、３３が電気的に接続されると共に、第２の電極２７に設けられた孔２７ａと第４の導電体３３の端部に設けられた孔３３ｂには、スルーホール等の接続体（図示せず）を充填して、第２の電極２７と第４の導電体３３が電気的に接続されている。

【００６２】このような構成を有する多層回路基板は、第１，第２の電極２４，２７が第１の絶縁層２１を介して互いに対向した状態となって、コンデンサＣが形成されると共に、第１、第２、第３，第４の導電体２３、２９、３２，３３によって、インダクタＬが形成されている。

【００６３】その結果、図７に示すように、第１，第２の引き出し部２６、２８の間は、インダクタＬとコンデンサＣが直列接続された構成となっている。

【００６４】このような第５実施例の多層回路基板の製造方法においても、ここでは図示しないが、低温焼成セラミック材等からなるグリーンシート上に、銀等の導電ペーストを印刷したものを複数枚積層し、且つ、焼結することによって製造されるようになっている。

【００６５】

【考案の効果】

本考案の多層回路基板は、積層された少なくとも第１，第２の絶縁層を有し、第１の絶縁層の表面には、インダクタを構成する導電膜からなる第１の導電体と、コンデンサを構成する導電膜からなる一方の第１の電極とが設けられ、第２の絶縁層の表面には、コンデンサを構成する導電膜からなる他方の第２の電極が設けられ、第１，第２の電極が絶縁層を介して互いに対向するように第１，第２の絶縁層が積層された構成とした。このような構成によって、２層の絶縁層によってコンデンサとインダクタを備えたものが得られ、従来の３層の絶縁層に比して、部品点数が少なく、作業性が良く、且つ、安価で薄型の多層回路基板を提供できる。

【００６６】また、第１の導電体は、第１の絶縁層の外周部に形成されると共に、第１の電極が第１の導電体の内側で第１の絶縁層の中央部に形成されたため、小型で、接続配線の容易なものが得られる。

【００６７】また、第１の導電体と第１の電極が導電膜からなる第１の接続導体によって接続されたため、第１の導電体と第１の電極間のスルーホールによる接続が省けて、生産性の良好なものが得られる。

【００６８】また、第１の導電体には第１の取り出し部を設けると共に、第２の電極には第２の取り出し部を設けて、第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが直列接続されたため、部品点数が少なく、安価で薄型の直列接続型の多層回路基板を提供できる。

【００６９】また、第２の絶縁層の外周部には、インダクタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成されると共に、第２の電極が第２の導電体の内側で第２の絶縁層の中央部に形成され、第２の導電体には第１の取り出し部を設けると共に、第２の電極には第２の取り出し部を設けて、第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが直列接続されたため、インダクタの大きな直列接続型の多層回路基板を提供できる。

【００７０】また、第２の絶縁層の外周部には、インダクタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成され、第２の電極が第２の導電体の内側で第２の絶縁層の中央部に形成されると共に、第１，第２の絶縁層に積層された一枚、或いは複数枚の第３の絶縁層を有し、この第３の絶縁層には、インダクタを構成する導電膜からなる第３の導電体が設けられ、第１の導電体には第１の取り出し部を設けると共に、第１の電極には第２の取り出し部を設けて、第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが直列接続されたため、インダクタの一層大きな直列接続型の多層回路基板を提供できる。

【００７１】また、第２の絶縁層の外周部には、インダクタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成されると共に、第２の電極が第２の導電体の内側で第２の絶縁層の中央部に形成され、第２の導電体と第２の電極は、導電膜からなる第２の接続導体で接続され、第１の接続導体には第１の取り出し部を設けると共に、第２の接続導体には第２の取り出し部を設けて、第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが並列接続されたため、部品点数が少なく、安価で薄型の並列接続型の多層回路基板を提供できる。

【００７２】また、第２の絶縁層の外周部には、インダクタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成されると共に、第２の電極が第２の導電体の内側で第２の絶縁層の中央部に形成され、第２の導電体と第２の電極は、導電膜からなる第２の接続導体で接続されると共に、第１，第２の絶縁層に積層された一枚、或いは複数枚の第３の絶縁層を有し、この第３の絶縁層には、インダクタを構成する導電膜からなる第３の導電体が設けられ、第１の接続導体には第１の取り出し部を設けると共に、第３の導電体には第２の取り出し部を設けて、第１，第２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが並列接続されたため、インダクタの一層大きな並列接続型の多層回路基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の多層回路基板の第１実施例に係り、イ
ンダクタとコンデンサが並列接続されるものにおける分
解斜視図。

【図２】本考案の多層回路基板の第２実施例に係り、イ
ンダクタとコンデンサが並列接続されるものにおける分
解斜視図。

【図３】図１，図２の多層回路基板における回路図。

【図４】本考案の多層回路基板の第３実施例に係り、イ
ンダクタとコンデンサが直列接続されるものにおける分
解斜視図。

【図５】本考案の多層回路基板の第４実施例に係り、イ
ンダクタとコンデンサが直列接続されるものにおける分
解斜視図。

【図６】本考案の多層回路基板の第５実施例に係り、イ
ンダクタとコンデンサが直列接続されるものにおける分
解斜視図。

【図７】図４〜図６の多層回路基板における回路図。

【図８】従来の多層回路基板に係り、インダクタとコン
デンサが並列接続されるものにおける分解斜視図。

【図９】図８の多層回路基板における回路図。

【図１０】従来の多層回路基板に係り、インダクタとコ
ンデンサが直列接続されるものにおける分解斜視図。

【図１１】図１０の多層回路基板における回路図。

【符号の説明】

１第１の絶縁層２第２の絶縁層３第１の導電体３ａ孔４第１の電極５第１の接続導体６第１の引き出し部７第２の導電体７ａ孔７ｂ孔８第２の電極９第２の接続導体１０第２に引き出し部１１第３の絶縁層１２第３の導電体１２ａ孔１３第３の接続導体２１第１の絶縁層２２第２の絶縁層２３第１の導電体２３ａ孔２４第１の電極２５第１の接続導体２６第１の引き出し部２７第２の導電体２７ａ孔２８第２の引き出し部２９第２の導電体２９ａ孔２９ｂ孔３０第３の絶縁層３１第４の絶縁層３２第３の導電体３２ａ孔３２ｂ孔３３第４の導電体３３ａ孔３３ｂ孔

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】積層された少なくとも第１，第２の絶縁
層を有し、前記第１の絶縁層の表面には、インダクタを
構成する導電膜からなる第１の導電体と、コンデンサを
構成する導電膜からなる一方の第１の電極とが設けら
れ、前記第２の絶縁層の表面には、コンデンサを構成す
る導電膜からなる他方の第２の電極が設けられ、前記第
１，第２の電極が前記絶縁層を介して互いに対向するよ
うに前記第１，第２の絶縁層が積層されたことを特徴と
する多層回路基板。
【請求項２】前記第１の導電体は、前記第１の絶縁層
の外周部に形成されると共に、前記第１の電極が前記第
１の導電体の内側で前記第１の絶縁層の中央部に形成さ
れたことを特徴とする請求項１記載の多層回路基板。
【請求項３】前記第１の導電体と前記第１の電極が導
電膜からなる第１の接続導体によって接続されたことを
特徴とする請求項２記載の多層回路基板。
【請求項４】前記第１の導電体には第１の取り出し部
を設けると共に、前記第２の電極には第２の取り出し部
を設けて、前記第１，第２の取り出し部間で、インダク
タとコンデンサが直列接続された構成としたことを特徴
とする請求項３記載の多層回路基板。
【請求項５】前記第２の絶縁層の外周部には、インダ
クタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成され
ると共に、前記第２の電極が前記第２の導電体の内側で
前記第２の絶縁層の中央部に形成され、前記第２の導電
体には第１の取り出し部を設けると共に、前記第２の電
極には第２の取り出し部を設けて、前記第１，第２の取
り出し部間で、インダクタとコンデンサが直列接続され
た構成としたことを特徴とする請求項３記載の多層回路
基板。
【請求項６】前記第２の絶縁層の外周部には、インダ
クタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成さ
れ、前記第２の電極が前記第２の導電体の内側で前記第
２の絶縁層の中央部に形成されると共に、前記第１，第
２の絶縁層に積層された一枚、或いは複数枚の第３の絶
縁層を有し、この第３の絶縁層には、インダクタを構成
する導電膜からなる第３の導電体が設けられ、前記第１
の導電体には第１の取り出し部を設けると共に、前記第
１の電極には第２の取り出し部を設けて、前記第１，第
２の取り出し部間で、インダクタとコンデンサが直列接
続された構成としたことを特徴とする請求項２記載の多
層回路基板。
【請求項７】前記第２の絶縁層の外周部には、インダ
クタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成され
ると共に、前記第２の電極が前記第２の導電体の内側で
前記第２の絶縁層の中央部に形成され、前記第２の導電
体と前記第２の電極は、導電膜からなる第２の接続導体
で接続され、前記第１の接続導体には第１の取り出し部
を設けると共に、前記第２の接続導体には第２の取り出
し部を設けて、前記第１，第２の取り出し部間で、イン
ダクタとコンデンサが並列接続された構成としたことを
特徴とする請求項３記載の多層回路基板。
【請求項８】前記第２の絶縁層の外周部には、インダ
クタを構成する導電膜からなる第２の導電体が形成され
ると共に、前記第２の電極が前記第２の導電体の内側で
前記第２の絶縁層の中央部に形成され、前記第２の導電
体と前記第２の電極は、導電膜からなる第２の接続導体
で接続されると共に、前記第１，第２の絶縁層に積層さ
れた一枚、或いは複数枚の第３の絶縁層を有し、この第
３の絶縁層には、インダクタを構成する導電膜からなる
第３の導電体が設けられ、前記第１の接続導体には第１
の取り出し部を設けると共に、前記第３の導電体には第
２の取り出し部を設けて、前記第１，第２の取り出し部
間で、インダクタとコンデンサが並列接続された構成と
したことを特徴とする請求項３記載の多層回路基板。