JPH11225089A - マルチバンド用高周波スイッチモジュール - Google Patents

マルチバンド用高周波スイッチモジュール

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JPH11225089A
JPH11225089A JP10228818A JP22881898A JPH11225089A JP H11225089 A JPH11225089 A JP H11225089A JP 10228818 A JP10228818 A JP 10228818A JP 22881898 A JP22881898 A JP 22881898A JP H11225089 A JPH11225089 A JP H11225089A
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transmission
circuit
reception
laminate
diode
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Shigeru Kenmochi
茂 釼持
Hiroyuki Tadai
裕之 但井
Toshihiko Tanaka
俊彦 田中
Tsuyoshi Takeda
剛志 武田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アンテナを共通とし、第1の送受信系の送信
回路と受信回路、第2の送受信系の送信回路と受信回路
を切り換えることが可能なマルチバンド用高周波スイッ
チモジュールを提供する。 【解決手段】 通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
受信系に分ける分波回路、及び前記各送受信系に送信系
と受信系を切り替えるダイオードスイッチ回路を有する
マルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、前
記分波回路は、LC並列接続のノッチ回路を2つ用い、
前記2つのノッチ回路の一端同士を接続して前記複数の
送受信系に共通の共通端子とし、前記それぞれのノッチ
回路の他端を前記ダイオードスイッチ回路に接続してな
り、前記分波回路及び前記ダイオードスイッチ回路の少
なくとも一部を、電極パターンと誘電体層との積層体に
内蔵し、ダイオード等のチップ素子を前記積層体上に配
置して構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波複合部品に
関し、通過帯域の異なる複数の送受信系を取り扱うマル
チバンド用高周波スイッチモジュールに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】デジタル携帯電話などにおいて、アンテ
ナANTと送信回路TXとの接続及びアンテナANTと
受信回路RXとの接続を切り換えるために、高周波スイ
ッチが用いられている。この高周波スイッチとしては、
特開平6−197040号公報に開示されているものが
ある。
【0003】この従来の高周波スイッチは、送信回路側
にアノードが接続されアンテナ側にカソードが接続され
る第1のダイオード、アンテナと受信回路との間に接続
されるストリップライン、および受信回路側にアノード
が接続されアース側にカソードが接続される第2のダイ
オードを含み、ストリップラインは多層基板に内蔵さ
れ、第1のダイオード及び第2のダイオードは多層基板
上に実装されたものである。また、この従来の高周波ス
イッチは、単に一つの送受信系(シングルバンド)に対
応しているものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年の携帯電話の普及
には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービ
スの向上が図られている。この新たな携帯電話として、
デュアルバンド携帯電話の提案がなされている。このデ
ュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受
信系のみを取り扱うのに対し、2つの送受信系を取り扱
うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信
系を選択して利用することができるものである。
【0005】このデュアルバンド携帯電話において、そ
れぞれの送受信系にそれぞれ専用の回路を構成すれば、
機器の大型化、高コスト化を招く。共通可能な部分はで
きるだけ共通部品を用いることが、機器の小型化、低コ
スト化に有利となる。
【0006】本発明は、アンテナを共通とし、第1の送
受信系の送信回路と受信回路、第2の送受信系の送信回
路と受信回路を切り換えることが可能なマルチバンド用
高周波スイッチモジュールを提供するものであり、通過
帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周
波スイッチモジュールを提供し、また、そのマルチバン
ド用高周波スイッチモジュールをワンチップで構成する
ことを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、通過帯域の異
なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路、及
び前記各送受信系に送信系と受信系を切り替えるダイオ
ードスイッチ回路を有するマルチバンド用高周波スイッ
チモジュールであって、前記分波回路は、LC並列接続
のノッチ回路を2つ用い、前記2つのノッチ回路の一端
同士を接続して前記複数の送受信系に共通の共通端子と
し、前記それぞれのノッチ回路の他端を前記ダイオード
スイッチ回路に接続してなり、前記分波回路及び前記ダ
イオードスイッチ回路の少なくとも一部を、電極パター
ンと誘電体層との積層体に内蔵し、ダイオード等のチッ
プ素子を前記積層体上に配置して構成されていることを
特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュールで
ある。
【0008】また本発明は、前記各送受信系の送信系に
はローパスフィルタ回路を有し、該ローパスフィルタ回
路が前記積層体に内蔵されていることを特徴とするマル
チバンド用高周波スイッチモジュールである。
【0009】また本発明は、前記ローパスフィルタ回路
は、前記ダイオードスイッチ回路内に構成されているこ
とを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュー
ルである。
【0010】また本発明は、前記ノッチ回路の他端に
は、アースに接続されたコンデンサが接続されているも
のである。また本発明は、前記ノッチ回路の他端には、
アースに接続されたインダクタと、コンデンサが直列に
接続されているものである。また本発明では、一方のノ
ッチ回路の他端にアースに接続されたコンデンサが接続
され、他方のノッチ回路の他端に、アースに接続された
インダクタと、コンデンサが直列に接続されていること
が好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明は、通過帯域の異なる複数
の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールであり、このマルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールを、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系
に分ける分波回路、及び前記各送受信系に送信系と受信
系を切り替えるダイオードスイッチ回路とから構成し、
前記分波回路として、LC並列接続のノッチ回路を2つ
用い、前記2つのノッチ回路の一端同士を接続して前記
複数の送受信系に共通の共通端子とし、前記それぞれの
ノッチ回路の他端を前記ダイオードスイッチ回路に接続
してなり、前記分波回路及び前記ダイオードスイッチ回
路の少なくとも一部を、電極パターンと誘電体層との積
層体に内蔵し、ダイオード等のチップ素子を前記積層体
上に配置して構成されているものである。これにより、
小型に構成でき、例えば、アンテナを共用とし、第1の
送受信系の送信系と受信系、その第1の送受信系と通過
帯域の異なる第2の送受信系の送信系と受信系と、アン
テナとを接続し、適宜切り換える高周波スイッチモジュ
ールを得ることが出来、例えばデュアルバンド携帯電話
等において有効なものである。
【0012】本発明では、複数の送受信系の共通端子、
各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子を積層
体の側面に形成し、面実装可能とすることができる。こ
の側面に形成した各端子は、その上面又は下面に延長さ
れていてもかまわない。そして、各側面に、少なくとも
1つのグランド端子を形成し、低損失化を計ることが出
来る。
【0013】本発明では、複数の送受信系の共通端子、
各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子は高周
波信号用の端子であり、これを高周波端子と呼ぶ。この
高周波端子は、積層体の側面に形成され、しかもこの高
周波端子どうしが隣り合わないように配置してある。こ
の高周波端子間には、グランド端子又はスイッチ回路制
御端子が配置される。また、この高周波端子間には、少
なくとも1つのグランド端子が配置されることが好まし
い。このように、高周波端子間を隣り合わないようにす
ること、又高周波端子間にグランド端子を配置すること
により、高周波端子間の干渉を抑え、又低損失化を計る
ことができる。
【0014】また本発明は、前記積層体において、前記
分波回路の第1の送受信系と第2の送受信系の共通端子
と、前記第1の送受信系の送信端子と、受信端子と、前
記第2の送受信系の送信端子と、受信端子の各端子は、
前記積層体の側面に形成され、該各端子の間にはアース
端子が形成されている。各入出力端子は、アース端子に
挟まれた配置となっている。これにより、各端子間の信
号の漏洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のア
イソレーションが確実なものとなる。
【0015】本発明の積層体は、分波回路、及びダイオ
ードスイッチ回路の伝送線路を内蔵することができる。
このダイオードスイッチ回路の伝送線路は、グランド電
極に挟まれた領域に形成されることが好ましい。また、
分波回路は、インダクタンス成分と容量成分とにより構
成することができる。この分波回路は、積層体内で、伝
送線路よりも上側に配置されることが好ましい。そし
て、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極
のさらに上部に容量成分を配置し、その上部にインダク
タンス成分を配置する構造とすることが好ましい。
【0016】本発明では、各送信系にローパスフィルタ
機能を設けることが好ましい。このローパスフィルタ機
能を設ける一手段として、ローパスフィルタ回路を内蔵
することができる。このローパスフィルタ回路は、イン
ダクタンス成分と容量成分とにより構成することができ
る。そして、このローパスフィルタ回路は、積層体内
で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。
つまり、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド
電極のさらに上部に容量成分を配置し、その上部にイン
ダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。
また、このローパスフィルタ回路と分波回路は、積層体
の水平方向の別領域に構成されることが好ましい。
【0017】この伝送線路を挟むグランド電極の上側の
グランド電極には、切り欠き部を設け、この切り欠き部
に、伝送線路に導通するスルーホールを形成し、上側の
分波回路、ローパスフィルタ回路と接続することができ
る。
【0018】本発明では、積層体上に配置されたチップ
部品を囲むように金属ケースを配置することが好まし
い。この金属ケースは、積層体の側面の端子電極を露出
させた状態で装着することが好ましい。また、金属ケー
スは、積層体の上面に半田付けで固定することができ
る。また、この金属ケースにより、マウンタ装置によ
り、本発明の高周波スイッチモジュールを実装すること
ができる。
【0019】本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信
系を扱うものであるが、以下2つの送受信系を扱う場合
をもとに図面を用いて、詳細に説明する。
【0020】本発明に係る第1実施例の回路ブロック図
を図1に示す。図1において、本発明のマルチバンド用
高周波スイッチモジュールは、破線で囲った部分であ
る。また、この部分をワンチップ化したものである。本
発明のマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、例
えば、第1の送受信系としてGSMシステム、第2の送
受信系としてDCS1800システムの2つのシステム
に対応した構成として、デュアルバンド携帯電話のアン
テナANTと、GSM系、DCS系のそれぞれの送受信
回路との振り分けに用いることができる。
【0021】この第1実施例は、通過帯域の異なる第1
の送受信系(GSM)と第2の送受信系(DCS)を扱
う高周波スイッチモジュールであり、第1の送受信系
(GSM)の送信信号と受信信号を切り換える第1のダ
イオードスイッチ回路、第1のダイオードスイッチ回路
の送信ラインに接続される第1のローパスフィルタ回
路、第2の送受信系(DCS)の送信信号と受信信号を
切り換える第2のダイオードスイッチ回路、第2のダイ
オードスイッチ回路の送信ラインに接続される第2のロ
ーパスフィルタ回路、第1の送受信系と第2の送受信系
を分波する分波回路から構成されている。
【0022】また本発明に係る一実施例の等価回路図を
図2に示す。アンテナANTに接続される分波回路部分
は、2つのノッチ回路が主回路となっている。つまり、
インダクタLF1とコンデンサCF1を並列接続して一
つのノッチ回路を構成し、インダクタLF2とコンデン
サCF2を並列接続してもう一つのノッチ回路を構成し
ている。そして、一つのノッチ回路には、アースに接続
されるコンデンサCF3が接続されている。このコンデ
ンサCF3は、分波特性のローパスフィルタ特性を向上
させる目的で接続されている。また、もう一つのノッチ
回路には、アースに接続されるインダクタLF3と、コ
ンデンサCF4を直列に接続している。このインダクタ
LF3とコンデンサCF4は、分波特性のハイパスフィ
ルタ特性を向上させる目的で接続されている。この分波
回路は、2つのノッチ回路のみでも良い。
【0023】次に、第1のダイオードスイッチ回路につ
いて説明する。第1のダイオードスイッチ回路は、図2
上側のスイッチ回路であり、GSM系の送信TXと受信
RXを切り換えるものである。このスイッチ回路SW
は、2つのダイオードDG1、DG2と、2つの伝送線
路LG1、LG2からなり、ダイオードDG1はアンテ
ナANT側にアノードが接続され、送信TX側にカソー
ドが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝
送線路LG1が接続されている。そして、アンテナ側と
受信RX間に伝送線路LG2が接続され、その受信側に
カソードが接続されたダイオードDG2が接続され、そ
のダイオードDG2のアノードには、アースとの間にコ
ンデンサCG6が接続され、その間に抵抗RG、インダ
クタLGの直列回路が接続され、コントロール回路VC
1に接続される。
【0024】そして、送信TX回路側に挿入されるロー
パスフィルタ回路は、インダクタLG3と、コンデンサ
CG3、CG4、CG7から構成され、スイッチ回路S
WのダイオードDG1と伝送線路LG1の間に挿入され
ている。
【0025】次に、第2のダイオードスイッチ回路につ
いて説明する。第2のダイオードスイッチ回路は、図2
下側のスイッチ回路であり、DCS系の送信TXと受信
RXを切り換えるものである。このスイッチ回路SW
は、2つのダイオードDP1、DP2と、2つの伝送線
路LP1、LP2からなり、ダイオードDP1はアンテ
ナANT側にアノードが接続され、送信TX側にカソー
ドが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝
送線路LP1が接続されている。そして、アンテナ側と
受信RX間に伝送線路LP2が接続され、その受信RX
側にカソードが接続されたダイオードDP2が接続さ
れ、そのダイオードDP2のアノードには、アースとの
間にコンデンサCP6が接続され、その間に抵抗RP、
インダクタLPの直列回路が接続され、コントロール回
路VC2に接続される。
【0026】そして、送信TX回路側に挿入されるロー
パスフィルタ回路は、インダクタLP3と、コンデンサ
CP3、CP4、CP7から構成され、スイッチ回路S
WのダイオードDP1と伝送線路LP1の間に挿入され
ている。
【0027】次に、本発明に係る一実施例の平面図を図
3に、その実施例の積層体部分の斜視図を図4に、その
積層体の内部構造を図5に示す。この実施例では、分波
回路、ローパスフィルタ回路、ダイオードスイッチ回路
の伝送線路を積層体内に構成し、ダイオード、チップコ
ンデンサをその積層体上に搭載して、ワンチップ化され
たマルチバンド用高周波スイッチモジュールを構成した
ものである。
【0028】この積層体の内部構造について説明する。
この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料
からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート
上にAgを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の
電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成さ
せて構成される。
【0029】この内部構造を積層順に従って説明する。
まず、下層のグリーンシート11上には、グランド電極
31がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成
される端子電極81、83、85、87、89、91、
93、94、95に接続するための接続部が設けられて
いる。
【0030】次に、電極パターンの印刷されていないダ
ミーのグリーンシート12を積層する。その上のグリー
ンシート13には、3つのライン電極41、42、43
が形成され、その上のグリーンシート14には、4つの
ライン電極44、45、46、47が形成されている。
その上に、2つのスルーホール電極(図中丸に十字の印
を付けたものがスルーホール電極である、以下同様)が
形成されたグリーンシート15を積層し、その上に、ア
ース電極32が形成されたグリーンシート16が積層さ
れる。
【0031】この2つのアース電極31、32に挟まれ
た領域に形成されたライン電極は適宜接続され、第1及
び第2のダイオードスイッチ回路SW用の伝送線路を形
成している。ライン電極42と46はスルーホール電極
で接続され、等価回路の伝送線路LG1を構成し、ライ
ン電極41と45はスルーホール電極で接続され、等価
回路の伝送線路LG2を構成し、ライン電極43と47
はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路L
P1を構成し、ライン電極44は等価回路の伝送線路L
P2を構成している。
【0032】グリーンシート16の上に積層されるグリ
ーンシート17には、コンデンサ用の電極61、62、
63、64、65、66が形成されている。その上に積
層されるグリーンシート18にもコンデンサ用の電極6
7、68、69、70が形成されている。その上に積層
されるグリーンシート19には、コンデンサ電極71が
形成されている。
【0033】更にその上には、ライン電極48、49が
形成されたグリーンシート20が積層され、その上に、
ライン電極50、51、52、53、54、55が形成
されたグリーンシート21が積層される。そして、最上
部のグリーンシート22には、搭載素子接続用のランド
23、24、25、26、27、28、29、33、3
4、35、36、37が形成されている。
【0034】上側のアース電極32が形成されたグリー
ンシート16の上に積層されたグリーンシート17のコ
ンデンサ用電極の61、62、63、64、65は、ア
ース電極32との間で容量を形成し、コンデンサ用電極
61は、等価回路のCG4を、コンデンサ用電極62
は、等価回路のCG3を、コンデンサ用電極63は、等
価回路のCP4を、コンデンサ用電極64は、等価回路
のCP3を、コンデンサ用電極65は、等価回路のCF
3を構成している。
【0035】またグリーンシート17、18、19に形
成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コン
デンサ電極66と70の間で、等価回路のCF4を構成
し、同様にコンデンサ電極64と69の間で、等価回路
のCP7を構成し、コンデンサ電極62と67の間で、
等価回路のCG7を構成し、コンデンサ電極70と71
の間で、等価回路のCF2を構成し、コンデンサ電極6
8と71の間で、等価回路のCF1を構成している。こ
のコンデンサ電極66では、コンデンサ電極70と対向
して容量を形成するが、このとき、グランド電極32と
は対向しないように、グランド電極32には、切り欠き
部が形成されている。また、この切り欠き部を利用し
て、伝送線路に導通するスルーホール電極が形成されて
いる。
【0036】またグリーンシート20、21では、ライ
ン電極48、55が等価回路のLF1を構成し、ライン
電極54、56が等価回路のLF2を構成し、ライン電
極49、53が等価回路のLF3を構成し、ライン電極
50が等価回路のLG3を構成し、ライン電極52が等
価回路のLP3を構成している。なお、ライン電極51
はDCラインである。
【0037】これらのグリーンシートを圧着し、一体焼
成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極8
1、82、83、84、85、86、87、88、8
9、90、91、92、93、94、95、96を形成
した。この外観図を図4に示す。
【0038】この積層体の上に、ダイオードDG1、D
G2、DP1、DP2、チップコンデンサCG1、CG
6、CP1、CP6を搭載した。また、チップインダク
タLP4、チップコンデンサCP8を搭載している。こ
のLC直列回路は、このスイッチ回路の送信TXとアン
テナANT間のダイオードOFF時のアイソレーション
特性を良好とするために接続されているが、必ずしも搭
載しなくとも良い。図3に、この搭載素子を搭載した様
子を示す平面図を示す。また、図3に、この高周波スイ
ッチモジュールの実装構成を合わせて示す。この図3
で、GRDはグランド接続される端子であることを意味
する。この実施例では、図2に示す等価回路のうち、C
P2、CP5、CG2、CG5、RG、LG、RP、L
Pは、この実施例のチップ部品の搭載される回路上に形
成される。また、コンデンサCP1は無くしても良い。
【0039】この実施例によれば、第1及び第2のダイ
オードスイッチ回路の伝送線路を積層体内に形成する際
に、グランド電極で挟まれた領域内に配置している。こ
れにより、ダイオードスイッチ回路と分波回路、ローパ
スフィルタ回路との干渉を防いでいる。そして、このグ
ランド電極で挟まれた領域を積層体の下部に配置し、グ
ランド電位を取り易くしている。そして、グランドとの
間に接続されるコンデンサを構成する電極を、その上側
のグランド電極に対向させて形成している。
【0040】また、この実施例では、積層体の側面に各
端子が形成され、面実装可能な構造となっている。また
高周波端子であるANT端子、DCS系TX端子、GS
M系TX端子、GSM系RX端子、DCS系RX端子
は、互いに隣り合わないように配置してあり、その高周
波端子間には、グランド端子(GRD)又はコントロー
ル端子(VC1、VC2)が配置されている。また、高
周波端子間には、グランド端子が少なくとも1つ配置さ
れている。また、この積層体の各側面には、少なくとも
1つのグランド端子が配置されている。
【0041】また、この実施例の積層体の側面に形成さ
れた端子電極において、アンテナANT端子に対して積
層体を実装面に垂直な面で2分した反対側に、GSM系
の送信TX端子、受信RX端子、DCS系の送信TX端
子、受信RX端子がそれぞれ形成されている。さらに、
その反対側において、その半分の片側に、GSM系の送
信TX端子、DCS系の送信TX端子が形成され、もう
一方の片側に、GSM系の受信RX端子、DCS系の受
信RX端子が形成されている。
【0042】また、この実施例の積層体では、側面に形
成されたアンテナANT端子、GSM系の送信TX端
子、受信RX端子、DCS系の送信TX端子、受信RX
端子の高周波端子はいずれも、側面の周回方向で見た場
合、グランド端子で挟まれている。
【0043】本発明の実施例によれば、GSMシステム
とDCS1800システムとの両バンドを扱うデュアル
バンド携帯電話において、アンテナANTと、GSM系
の送信系、受信系、DCS1800系の送信系、受信系
を切り換えることができるマルチバンド用高周波スイッ
チモジュールを得ることができた。また、本発明は、上
記実施例に限られるものでなく、通過帯域の異なる複数
の送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモ
ジュールを得ることができるものである。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば、例えばデュアルバンド
携帯電話などにおいて、極めて有益となるマルチバンド
用高周波スイッチモジュールを提供することができる。
本発明によれば、このマルチバンド用高周波スイッチモ
ジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、し
かもワンチップに構成できるものである。これにより、
デュアルバンド携帯電話などにおいて、機器の小型化に
有効なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一実施例の回路ブロック図であ
る。
【図2】本発明に係る一実施例の等価回路図である。
【図3】本発明に係る一実施例の平面図である。
【図4】本発明に係る一実施例の積層体の斜視図であ
る。
【図5】本発明に係る一実施例の積層体の内部構造図で
ある。
【符号の説明】
11、12、13、14、15、1、17、18、1
9、20、21、22誘電体グリーンシート 31、32 アース電極 41、42、43、44、45、46、47、48、4
9、50、51、52、53、54、55、56 ライ
ン電極 61、62、63、64、65、66、67、68、6
9、70、71 コンデンサ用電極 81、82、83、84、85、86、87、88、8
9、90、91、92、93、94、95、96 端子
電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 剛志 鳥取県鳥取市南栄町70番地2号日立金属株 式会社鳥取工場内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
    受信系に分ける分波回路、及び前記各送受信系に送信系
    と受信系を切り替えるダイオードスイッチ回路を有する
    マルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、前
    記分波回路は、LC並列接続のノッチ回路を2つ用い、
    前記2つのノッチ回路の一端同士を接続して前記複数の
    送受信系に共通の共通端子とし、前記それぞれのノッチ
    回路の他端を前記ダイオードスイッチ回路に接続してな
    り、前記分波回路及び前記ダイオードスイッチ回路の少
    なくとも一部を、電極パターンと誘電体層との積層体に
    内蔵し、ダイオード等のチップ素子を前記積層体上に配
    置して構成されていることを特徴とするマルチバンド用
    高周波スイッチモジュール。
  2. 【請求項2】 前記各送受信系の送信系にはローパスフ
    ィルタ回路を有し、該ローパスフィルタ回路が前記積層
    体に内蔵されていることを特徴とする請求項1記載のマ
    ルチバンド用高周波スイッチモジュール。
  3. 【請求項3】 前記ローパスフィルタ回路は、前記ダイ
    オードスイッチ回路内に構成されていることを特徴とす
    る請求項2記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュ
    ール。
  4. 【請求項4】 前記ノッチ回路の他端には、アースに接
    続されるコンデンサが接続されていることを特徴とする
    請求項1記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュー
    ル。
  5. 【請求項5】 前記ノッチ回路の他端には、アースに接
    続されるインダクタと、コンデンサが直列に接続されて
    いることを特徴とする請求項1記載のマルチバンド用高
    周波スイッチモジュール。
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