JP6733817B2 - マルチプレクサ、高周波回路および通信装置 - Google Patents
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Description
[1.1 通信装置の基本構成]
図1は、実施の形態1に係る通信装置4の構成図である。同図には、本実施の形態に係る通信装置4と併せて、本実施の形態に係る高周波回路3、マルチプレクサ1、および通信装置4に接続されるアンテナ素子2が図示されている。
図1に示すように、マルチプレクサ1は、共通端子100、入出力端子110および120と、フィルタ10および20と、で構成されている。ここでは、本実施の形態に係るマルチプレクサ1の要部構成であるフィルタ10の構成について説明する。
ここでは、マルチプレクサ1を構成するフィルタ10の通過特性について説明する。なお、フィルタ20の回路構成については任意であるため、フィルタ20の通過特性については説明を省略する。また、本実施の形態では、フィルタ10としては、例えば、LTE(Long Term Evolution)のBand40(2300−2400MHz)に適用され、フィルタ20としては、例えば、LTEのBand38(2570−2620MHz)またはBand7(受信帯域:2620−2690MHz)に適用される例を示している。つまり、フィルタ10の通過帯域である第1周波数帯域は、フィルタ20の通過帯域である第2周波数帯域より低い。
実施の形態1に係るマルチプレクサ1は、第1フィルタの直列腕回路にスイッチが配置された構成を有しているのに対して、本実施の形態に係るマルチプレクサは、第1フィルタの並列腕回路にスイッチが配置された構成を有する。以下、本実施の形態に係るマルチプレクサの構成については、図1に示すマルチプレクサ1の構成と同様なので説明を省略し、第1フィルタの回路構成および通過特性を中心に説明する。
図4Aは、実施の形態2に係るフィルタ11のスイッチSW2オン時における回路構成図である。また、図4Bは、実施の形態2に係るフィルタ11のスイッチSW2オフ時における回路構成図である。
ここでは、本実施の形態に係るマルチプレクサを構成するフィルタ11の通過特性について説明する。なお、フィルタ20の回路構成については任意であるため、フィルタ20の通過特性については説明を省略する。また、本実施の形態では、フィルタ11としては、例えば、LTEのBand40(2300−2400MHz)に適用され、フィルタ20としては、例えば、LTEのBand38(2570−2620MHz)またはBand7Rx(2620−2690MHz)に適用される例を示している。つまり、フィルタ11の通過帯域である第1周波数帯域は、フィルタ20の通過帯域である第2周波数帯域より低い。
実施の形態1に係るマルチプレクサ1は、第1フィルタの直列腕回路にスイッチが配置された構成を有しているのに対して、本実施の形態に係るマルチプレクサは、第1フィルタの直列腕回路および並列腕回路の双方にスイッチが配置された構成を有する。以下、本実施の形態に係るマルチプレクサの構成については、図1に示すマルチプレクサ1の構成と同様なので説明を省略し、第1フィルタの回路構成および通過特性を中心に説明する。
図6Aは、実施の形態3に係るフィルタ12のスイッチSW1オフ時かつスイッチSW2オン時における回路構成図である。また、図6Bは、実施の形態3に係るフィルタ12のスイッチSW1オン時かつスイッチSW2オフ時における回路構成図である。
図7Aは、実施の形態3に係るフィルタ12のスイッチSW1オフかつスイッチSW2オン時における通過特性、インピーダンス特性およびアドミッタンス特性を表すグラフである。また、図7Bは、実施の形態3に係るフィルタ12のスイッチSW1オンかつスイッチSW2オフ時における通過特性、インピーダンス特性およびアドミッタンス特性を表すグラフである。より具体的には、図7Aおよび図7Bの上段には、それぞれ、スイッチSW1オフかつSW2オン時およびスイッチSW1オンかつSW2オフ時におけるフィルタ12の通過特性が示されている。また、図7Aおよび図7Bの中段には、それぞれ、スイッチSW1オフかつSW2オン時およびスイッチSW1オンかつSW2オフ時における直列腕回路のインピーダンス特性が示されている。また、図7Aおよび図7Bの下段には、それぞれ、スイッチSW1オフかつSW2オン時およびスイッチSW1オンかつSW2オフ時における並列腕回路のアドミッタンス特性が示されている。
本実施の形態に係るマルチプレクサは、実施の形態1に係るマルチプレクサ1に対して、さらに、直列腕回路および並列腕回路が付加された構成を有する。以下、本実施の形態に係るマルチプレクサの構成については、図1に示すマルチプレクサ1の構成と同様なので説明を省略し、第1フィルタの回路構成および通過特性を中心に説明する。
図8Aは、実施の形態4に係るフィルタ13のスイッチSW1オフ時における回路構成図である。また、図8Bは、実施の形態4に係るフィルタ13のスイッチSW1オン時における回路構成図である。
図9は、実施の形態4に係るフィルタ13のスイッチSW1オン時およびオフ時における通過特性を比較したグラフである。
図10Aは、実施の形態4に係るフィルタ13を備えた高周波回路3Aおよびその周辺回路の構成図である。また、図10Bは、実施の形態4に係る高周波回路のバンド適用例を表す図である。図10Aには、LTEの高周波信号を処理する高周波回路3Aと、WLANの高周波信号を処理する高周波回路と、LTE用アンテナ素子と、WLAN用アンテナ素子とが示されており、例えば、上記2つの高周波回路および上記2つの用アンテナ素子が、1つの携帯端末のフロントエンド部に配置される。
本実施の形態に係るマルチプレクサは、実施の形態4に係るマルチプレクサと比較して、第2直列腕回路および第2並列腕回路の構成が異なる。以下、本実施の形態に係るマルチプレクサの構成については、図1に示すマルチプレクサ1の構成と同様なので説明を省略し、第1フィルタの回路構成および通過特性を中心に説明する。
図11Aは、実施の形態5に係るフィルタ14のスイッチSW1オフかつスイッチSW2オン時における回路構成図である。また、図11Bは、実施の形態5に係るフィルタ14のスイッチSW1オンかつスイッチSW2オフ時における回路構成図である。
図12は、実施の形態5に係るフィルタ14のスイッチSW1オンかつSW2オフ時およびスイッチSW1オフかつSW2オン時における通過特性を比較したグラフである。
図13は、実施の形態5の変形例1に係るマルチプレクサ15の回路構成図である。本変形例に係るマルチプレクサ15は、実施の形態5に係るマルチプレクサと比較して、マルチプレクサを構成する2つのフィルタの双方が、スイッチを有する構成となっている点が異なる。マルチプレクサ15は、共通端子100、入出力端子110(第1入出力端子)および120(第2入出力端子)と、フィルタ14Aと、フィルタ14Bと、を備える。
図14は、実施の形態5の変形例1に係るマルチプレクサ15のCAモードおよび非CAモードにおける通過特性を表すグラフである。
図15は、実施の形態5の変形例1に係る高周波回路3Bの構成図である。図15には、LTEのBand40およびBand41の高周波信号を処理する高周波回路3Bと、LTE用アンテナ素子とが示されており、上記の高周波回路3BおよびLTE用アンテナ素子が、1つの携帯端末のフロントエンド部に配置される。
図16は、実施の形態5の変形例2に係るマルチプレクサ16の回路構成図である。本変形例に係るマルチプレクサ16は、実施の形態5に係るマルチプレクサと比較して、マルチプレクサを構成する3つのフィルタの全てが、スイッチを有する構成となっている点が異なる。マルチプレクサ16は、共通端子100、入出力端子110(第1入出力端子)、120(第2入出力端子)および130と、フィルタ14Aと、フィルタ14Bと、フィルタ14Cと、を備える。
図17は、実施の形態5の変形例2に係るマルチプレクサ16のCAモードおよび非CAモードにおける通過特性を表すグラフである。
図18は、実施の形態5の変形例2に係る高周波回路3Cの構成図である。図18には、LTEのBand41、Band40およびBand1Rxの高周波信号を処理する高周波回路3Cと、LTE用アンテナ素子とが示されており、上記の高周波回路3CおよびLTE用アンテナ素子が、1つの携帯端末のフロントエンド部に配置される。
本実施の形態に係るマルチプレクサは、実施の形態3に係るマルチプレクサと比較して、第1直列腕回路、第2直列腕回路、第1並列腕回路および第2並列腕回路の具体的回路構成が異なる。以下、本実施の形態に係るマルチプレクサの構成については、図1に示すマルチプレクサ1の構成と同様なので説明を省略し、第1フィルタの回路構成および通過特性を中心に説明する。
図19Aは、実施の形態6に係るフィルタ17のスイッチSW1オフかつスイッチSW2オン時における回路構成図である。また、図19Bは、実施の形態6に係るフィルタ17のスイッチSW1オンかつスイッチSW2オフ時における回路構成図である。
ここでは、マルチプレクサを構成するフィルタ17の通過特性について説明する。なお、フィルタ20の回路構成については任意であるため、フィルタ20の通過特性については説明を省略する。また、本実施の形態では、フィルタ17としては、例えば、MB(ミドルバンド:1710−2200MHz)に適用され、フィルタ20としては、例えば、HB1(ハイバンド1:2300−2400MHz)またはHB2(ハイバンド2:2500−2690MHz)に適用される例を示している。つまり、フィルタ17の通過帯域である第1周波数帯域は、フィルタ20の通過帯域である第2周波数帯域より低い。
図21Aは、実施の形態6に係るフィルタ17を備えた高周波回路3Dおよびその周辺回路の構成図である。また、図21Bは、実施の形態6に係る高周波回路3Dのバンド適用例を表す図である。図21Aには、LTEの高周波信号を処理する高周波回路3Dと、LTE用アンテナ素子とが示されており、例えば、高周波回路3Dおよび上記LTE用アンテナ素子が、1つの携帯端末のフロントエンド部に配置される。
図22は、実施の形態6の変形例に係るマルチプレクサ19の回路構成図である。本変形例に係るマルチプレクサ19は、実施の形態6に係るマルチプレクサと比較して、マルチプレクサを構成する3つのフィルタの全てが、スイッチを有する構成となっている点が異なる。マルチプレクサ19は、共通端子100、入出力端子110、120および130と、フィルタ19Aと、フィルタ19Bと、フィルタ19Cと、を備える。
図23は、実施の形態6の変形例に係るマルチプレクサ19のCAモードおよび非CAモードにおける通過特性を表すグラフである。
図24は、実施の形態6の変形例に係るマルチプレクサ19を備えた高周波回路3Eおよびその周辺回路の構成図である。図24には、LTEの高周波信号を処理する高周波回路3Eと、LTE用アンテナ素子とが示されており、例えば、高周波回路3Eおよび上記LTE用アンテナ素子が、1つの携帯端末のフロントエンド部に配置される。
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ、高周波回路および通信装置について、実施の形態1〜6および変形例を挙げて説明したが、本発明のマルチプレクサ、高周波回路および通信装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示のマルチプレクサ、高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
2 アンテナ素子
3、3A、3B、3C、3D、3E 高周波回路
4 通信装置
10、11、12、13、14、14A、14B、14C、17、19A、19B、19C、20、21、22、50 フィルタ
31、31A、31C、31D、32、32A、32C、32D、32E、33、33C、33D、33E、34、34C、34D 直列腕回路
41、41A、41B、41C、41D、41E、42、42A、42B、42C、42D、42E 並列腕回路
61、62、63、64A、64B、64C、65A、65B、66A、66B、66C 受信増幅回路
70、71 RF信号処理回路(RFIC)
80 ベースバンド信号処理回路(BBIC)
90、91、92、93、94、SW1、SW1A、SW1B、SW1C、SW2、SW2A、SW2B、SW2C スイッチ
100 共通端子
110、120 入出力端子
C1A、C1B、C1C コンデンサ
L1、L1A、L1B、L2、L2A、L2B、L1C、L2C、L3、L3C、L4、L4C インダクタ
p1、p1A、p1B、p1C、p2、p2A、p2B、p2C、p3、p3A、p3B、p3C 並列腕共振子
s1、s1A、s1B、s1C、s2、s2A、s2B、s2C、s3、s3A、s3B、s4、s4A、s4B 直列腕共振子
Claims (13)
- 共通端子、第1入出力端子および第2入出力端子と、
前記共通端子と前記第1入出力端子との間に配置され、通過帯域として割り当てられた第1周波数帯域の高周波信号を通過させる第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2入出力端子との間に配置され、通過帯域として割り当てられた第2周波数帯域の高周波信号を通過させる第2フィルタと、を備え、
前記第1フィルタは、
前記共通端子と前記第1入出力端子との間に配置され、互いに直列接続された第1直列腕回路および第2直列腕回路と、
前記第2直列腕回路に並列接続された第3直列腕回路と、
前記共通端子と前記第1入出力端子とを結ぶ第1経路上のノード、およびグランドに接続された第1並列腕回路と、を備え、
前記第2直列腕回路は、
前記第1経路上に入力端および出力端が接続された、弾性波共振子からなる第1直列腕共振子を有し、
前記第3直列腕回路は、
前記第2直列腕回路と前記第3直列腕回路とが並列接続された2つの接続点を結ぶ第2経路上に入力端および出力端が接続された第1スイッチを有し、
前記第1周波数帯域および前記第2周波数帯域の高周波信号を同時に通過させる場合、前記第1スイッチは非導通状態であり、
前記第1周波数帯域および前記第2周波数帯域のうち前記第1周波数帯域の高周波信号のみを通過させる場合、前記第1スイッチは導通状態である、
マルチプレクサ。 - 前記第1スイッチが非導通状態の場合の前記第2直列腕回路と前記第3直列腕回路との並列合成回路の反共振周波数は、前記第2周波数帯域内に位置する、
請求項1に記載のマルチプレクサ。 - 前記第2直列腕回路と前記第3直列腕回路との並列合成回路の共振周波数は、前記第1直列腕回路の共振周波数よりも高く、かつ、前記第1周波数帯域の高周波端よりも高い、
請求項1または2に記載のマルチプレクサ。 - 前記第3直列腕回路は、さらに、
前記第2経路上に配置され、前記第1スイッチと直列接続されたインピーダンス素子を有する、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 前記第1フィルタは、さらに、
前記第1経路上のノードおよびグランドに接続された第2並列腕回路を備え、
前記第2並列腕回路は、
前記ノードとグランドとの間に接続された、弾性波共振子からなる第1並列腕共振子と、
前記第1並列腕共振子とグランドとの間に接続された第2スイッチと、を有し、
前記第1周波数帯域および前記第2周波数帯域の高周波信号を同時に通過させる場合、前記第2スイッチは導通状態であり、
前記第1周波数帯域および前記第2周波数帯域のうち前記第1周波数帯域の高周波信号のみを通過させる場合、前記第2スイッチは非導通状態である、
請求項1〜4のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 前記第2スイッチが非導通状態の場合の前記第2並列腕回路の共振周波数は、前記第1周波数帯域の高周波端よりも高い、
請求項5に記載のマルチプレクサ。 - 前記第2並列腕回路は、さらに、
前記第1並列腕共振子に接続されたインダクタンス素子を有する、
請求項5または6に記載のマルチプレクサ。 - 共通端子、第1入出力端子および第2入出力端子と、
前記共通端子と前記第1入出力端子との間に配置され、通過帯域として割り当てられた第1周波数帯域の高周波信号を選択的に通過させる第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2入出力端子との間に配置され、通過帯域として割り当てられた第2周波数帯域の高周波信号を選択的に通過させる第2フィルタと、を備え、
前記第1フィルタは、
前記共通端子と前記第1入出力端子との間に接続された第1直列腕回路と、
前記共通端子と前記第1入出力端子とを結ぶ第1経路上の第1ノードおよびグランドに接続された第1並列腕回路と、
前記第1経路上の第2ノードおよびグランドに接続された第2並列腕回路と、を備え、
前記第2並列腕回路は、
前記第2ノードとグランドとの間に接続された、弾性波共振子からなる第1並列腕共振子と、
前記第1並列腕共振子とグランドとの間に接続された第2スイッチと、を有し、
前記第1周波数帯域および前記第2周波数帯域の高周波信号を同時に通過させる場合、前記第2スイッチは導通状態であり、
前記第1周波数帯域および前記第2周波数帯域のうち前記第1周波数帯域の高周波信号のみを通過させる場合、前記第2スイッチは非導通状態である、
マルチプレクサ。 - 前記第2スイッチが非導通状態の場合の前記第2並列腕回路の共振周波数は、前記第1周波数帯域の高周波端よりも高い、
請求項8に記載のマルチプレクサ。 - 前記第2並列腕回路は、さらに、
前記第1並列腕共振子に接続されたインダクタンス素子を有する、
請求項8または9に記載のマルチプレクサ。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のマルチプレクサと、
前記第1スイッチの導通および非導通を制御する制御部と、を備える、
高周波回路。 - 請求項8〜10のいずれか1項に記載のマルチプレクサと、
前記第2スイッチの導通および非導通を制御する制御部と、を備える、
高周波回路。 - アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路と、
前記アンテナ素子と前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項11または12に記載の高周波回路と、を備える、
通信装置。
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