WO2023171260A1 - 高周波回路 - Google Patents

Abstract

高周波回路（１）は、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路（６）と、セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路（７）と、を備え、第１伝送回路（６）は、アンテナ接続端子（１０１）に接続され、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路（３１）と、フィルタ回路（３１）に接続される低雑音増幅回路（２１）と、を有し、第２伝送回路（７）は、アンテナ接続端子（１０２）に接続され、セルラー受信バンド及びセルラー受信バンドに対応するセルラー送信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路（３２）と、フィルタ回路（３２）に接続される電力増幅回路（１１）と、フィルタ回路（３２）に接続される低雑音増幅回路（２２）と、を備える。

Description

高周波回路

　本発明は、高周波回路に関する。

　携帯電話などの移動体通信機器では、マルチバンド化の進展等に伴い、高周波フロントエンドモジュールが複雑化している（例えば、特許文献１及び２を参照）。

米国特許出願公開第２０１５／００６５１２４号明細書 特表２０１７－５２７１５５号公報

　しかしながら、上記従来の技術では、通信装置の大型化を招く可能性がある。

　そこで、本発明は、通信装置の小型化に貢献することができる高周波回路を提供する。

　本発明の一態様に係る高周波回路は、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路と、セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路と、を備え、第１伝送回路は、第１アンテナ接続端子に接続され、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、第１フィルタ回路に接続される第１低雑音増幅回路と、を含み、第２伝送回路は、第２アンテナ接続端子に接続され、セルラー受信バンド及びセルラー受信バンドに対応するセルラー送信バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、第２フィルタ回路に接続される電力増幅回路と、第２フィルタ回路に接続される第２低雑音増幅回路と、を含む。

　本発明の一態様に係る高周波回路によれば、通信装置の小型化に貢献することができる。

図１は、実施の形態１に係る通信装置の回路構成図である。 図２は、実施の形態１の実施例１に係る第１高周波モジュールの平面図である。 図３は、実施の形態１の実施例１に係る第１高周波モジュールの部分断面図である。 図４は、実施の形態１の実施例１に係る第２高周波モジュールの平面図である。 図５は、実施の形態１の実施例２に係る高周波モジュールの平面図である。 図６は、実施の形態２に係る通信装置の回路構成図である。 図７は、実施の形態３に係る通信装置の回路構成図である。 図８は、実施の形態３の変形例に係る通信装置の回路構成図である。 図９は、実施の形態４に係る通信装置の回路構成図である。 図１０は、実施の形態５に係る通信装置の回路構成図である。

　（本発明に至った経緯）
　近年、移動体通信装置では、セルラー通信システムに加えて、衛星システムへの対応が要求されている。例えば、特許文献１には、セルラー通信システムの信号（以下、セルラー信号という）を送受信するためのモジュールに加えて、衛星システム（例えばＧＰＳ（Global Positioning System））の信号（以下、衛星信号という）を受信するためのモジュールを備える通信装置が開示されている。

　また、移動体通信装置では、複数のアンテナを用いることで、通信の質、信頼性、能力等の向上が図られることがある。例えば、特許文献２には、プライマリアンテナによる信号の送受信のための送受信モジュールと、ダイバーシティアンテナによる信号の受信のための受信モジュールと、を備える通信装置が開示されている。

　しかしながら、上記従来の技術では、複数のアンテナを用いたセルラー信号の送受信と衛星信号の受信とのために、モジュール数が増加して通信装置の大型化を招く場合がある。

　そこで、複数のアンテナを用いたセルラー信号の送受信と衛星信号の受信とに対応する通信装置の小型化に貢献することができる高周波回路について、実施の形態に基づいて以下に詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。

　以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味し、Ａ及びＢを結ぶ経路に直列接続されることに加えて、当該経路とグランドとの間に並列接続（シャント接続）されることを含む。

　本発明の部品配置において、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板の主面上に配置されること、及び、部品が基板内に配置されることを含む。「部品が基板の主面上に配置される」とは、部品が基板の主面に接触して配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに当該主面の上方に配置されること（例えば、部品が主面と接触して配置された他の部品上に積層されること）を含む。また、「部品が基板の主面上に配置される」は、主面に形成された凹部に部品が配置されることを含んでもよい。「部品が基板内に配置される」とは、部品がモジュール基板内にカプセル化されることに加えて、部品の全部が基板の両主面の間に配置されているが部品の一部が基板に覆われていないこと、及び、部品の一部のみが基板内に配置されていることを含む。

　本発明の通信システムにおいて、「セルラー受信バンド」とは、セルラー通信システムのための周波数バンドであって通信装置において受信に用いられる周波数バンドを意味する。「セルラー送信バンド」とは、セルラー通信システムのための周波数バンドであって通信装置において送信に用いられる周波数バンドを意味する。「衛星受信バンド」とは、衛星システムのための周波数バンドであって通信装置において受信に用いられる周波数バンドを意味する。「衛星送信バンド」とは、衛星システムのための周波数バンドであって通信装置において送信に用いられる周波数バンドを意味する。

　ここで、「セルラー通信システム」とは、セルラーネットワークのために標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって標準化された通信システムを意味する。セルラー通信システムには、地上系ネットワーク（ＴＮ：Terrestrial Network）に加えて、非地上系ネットワーク（ＮＴＮ：Non-Terrestrial Network）が含まれる。ＮＴＮとは、衛星システムなどをセルラー通信システムに統合するために、３ＧＰＰで標準化されたネットワークである。以下では、セルラー通信システムとして、ＬＴＥ（Long-Term Evolution）通信システム及び／又は５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）通信システムが用いられるが、セルラー通信システムは、これらに限定されない。例えば、セルラー通信システムとして、第６世代以降のセルラー通信システムが用いられてもよい。

　また、「衛星システム」とは、人工衛星を用いたシステムを意味する。以下では、衛星システムとして、衛星ナビゲーションシステム（satellite navigation system）及び／又は衛星通信システム（satellite communication system）が用いられるが、衛星システムは、これらに限定されない。なお、衛星通信システムには、ＮＴＮが含まれる。なお、ＴＮは、衛星通信システムに含まれない。

　以下において、「平行」及び「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、及び、「矩形」などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。

　（実施の形態１）
　以下に、実施の形態１について説明する。本実施の形態では、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドとして、同一の周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）バンドに含まれるアップリンク動作バンド及びダウンリンク動作バンドがそれぞれ用いられる。

　［１．１　通信装置５の回路構成］
　まず、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る通信装置５の回路構成図である。

　通信装置５は、セルラー通信システムにおけるユーザ端末（ＵＥ：User Equipment）に相当し、典型的には、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ウェアラブル・デバイス等である。なお、通信装置５は、ＩｏＴ（Internet of Things）センサ・デバイス、医療／ヘルスケア・デバイス、車、無人航空機（ＵＡＶ：Unmanned Aerial Vehicle）（いわゆるドローン）、無人搬送車（ＡＧＶ：Automated Guided Vehicle）であってもよい。また、通信装置５は、セルラー通信システムにおける基地局（ＢＳ：Base Station）として用いられてもよい。

　図１に示すように、通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２ａ及び２ｂと、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）４と、を備える。

　高周波回路１は、アンテナ２ａ及び２ｂとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送することができる。高周波回路１は、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６と、セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路７と、を備える。高周波回路１の詳細な内部構成については後述する。

　アンテナ２ａは、ダイバーシティアンテナの一例であり、高周波回路１のアンテナ接続端子１０１に接続される。アンテナ２ａは、外部から高周波信号を受信し、受信した高周波信号を高周波回路１へ供給することができる。

　アンテナ２ｂは、プライマリアンテナの一例であり、高周波回路１のアンテナ接続端子１０２に接続される。アンテナ２ｂは、外部から高周波信号を受信し、受信した高周波信号を高周波回路１へ供給することができる。さらに、アンテナ２ｂは、高周波回路１から受けた高周波信号を外部に送信することができる。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１の受信経路を介して受けた高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ供給することができる。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から受けた送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波回路１の送信経路に供給することができる。また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチ及び増幅器等を制御するための制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波回路１に実装されてもよい。

　ＢＢＩＣ４は、高周波回路１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するためのベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が用いられる。

　なお、図１に表された通信装置５の回路構成は、例示であり、これに限定されない。例えば、通信装置５は、アンテナ２ａ及び２ｂを含まなくてもよく、ＢＢＩＣ４を含まなくてもよい。また例えば、通信装置５は、３つ以上のアンテナを含んでもよい。

　［１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、通信装置５に含まれる高周波回路１の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１に示すように、高周波回路１は、第１伝送回路６と、第２伝送回路７と、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、出力端子１０３～１０５と、入力端子１０６と、を備える。

　アンテナ接続端子１０１は、第１アンテナ接続端子の一例である。アンテナ接続端子１０１は、高周波回路１内で第１伝送回路６に接続され、高周波回路１外でアンテナ２ａに接続される。これにより、アンテナ２ａで受信されたセルラー受信バンド及び衛星受信バンドの受信信号は、アンテナ接続端子１０１を介して第１伝送回路６に伝送される。

　アンテナ接続端子１０２は、第２アンテナ接続端子の一例である。アンテナ接続端子１０２は、高周波回路１内で第２伝送回路７に接続され、高周波回路１外でアンテナ２ｂに接続される。これにより、アンテナ２ｂで受信されたセルラー受信バンドの受信信号は、アンテナ接続端子１０２を介して第２伝送回路７に伝送される。また、第２伝送回路７で増幅されたセルラー送信バンドの送信信号は、アンテナ接続端子１０２を介してアンテナ２ｂに出力される。

　出力端子１０３～１０５の各々は、ＲＦＩＣ３に高周波信号を供給するための高周波出力端子である。具体的には、出力端子１０３は、高周波回路１内で第１伝送回路６の出力端子に接続され、出力端子１０３を介してセルラー受信バンドの受信信号がＲＦＩＣ３に供給される。出力端子１０４は、高周波回路１内で第１伝送回路６の出力端子に接続され、出力端子１０４を介して衛星受信バンドの受信信号がＲＦＩＣ３に供給される。出力端子１０５は、高周波回路１内で第２伝送回路７の出力端子に接続され、出力端子１０５を介してセルラー受信バンドの受信信号がＲＦＩＣ３に供給される。

　入力端子１０６は、ＲＦＩＣ３から高周波信号を受けるための高周波入力端子である。具体的には、入力端子１０６は、高周波回路１内で第２伝送回路７の入力端子に接続され、ＲＦＩＣ３から入力端子１０６を介して受信されたセルラー送信バンドの送信信号が第２伝送回路７に供給される。

　第１伝送回路６は、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応している。第１伝送回路６は、アンテナ接続端子１０１を介して入力された受信信号を伝送する２つの受信経路を有し、アンテナ接続端子１０１を介して出力する送信信号を伝送する送信経路を有さない。このとき、２つの受信経路のそれぞれは、受信バンドを含む通過帯域を有する受信フィルタを含む。具体的には、図１において、２つの受信経路の一方は、後述するフィルタ３１１を有し、２つの受信経路の他方は、後述するフィルタ３１２を有する。図１に示すように、第１伝送回路６は、低雑音増幅回路２１と、フィルタ回路３１と、を有する。

　低雑音増幅回路２１は、第１低雑音増幅回路の一例であり、フィルタ回路３１と高周波回路１の出力端子１０３及び１０４との間に接続される。図１に示すように、低雑音増幅回路２１は、低雑音増幅器２１１及び２１２を含む。

　低雑音増幅器２１１の入力端子は、後述するフィルタ回路３１内のフィルタ３１１に接続される。低雑音増幅器２１１の出力端子は、高周波回路１の出力端子１０３に接続される。この構成により、低雑音増幅器２１１は、フィルタ３１１を介して受けたセルラー受信バンドの受信信号を増幅し、増幅したセルラー受信バンドの受信信号を出力端子１０３を介してＲＦＩＣ３に供給することができる。

　低雑音増幅器２１２の入力端子は、後述するフィルタ回路３１内のフィルタ３１２に接続される。低雑音増幅器２１２の出力端子は、高周波回路１の出力端子１０４に接続される。この構成により、低雑音増幅器２１２は、フィルタ３１２を介して受けた衛星受信バンドの受信信号を増幅し、増幅した衛星受信バンドの受信信号を出力端子１０４を介してＲＦＩＣ３に供給することができる。

　なお、低雑音増幅回路２１内の回路構成は、図１の構成に限定されない。低雑音増幅回路２１は、１つの低雑音増幅器のみを含んでもよい。この場合、低雑音増幅回路２１は、１つの低雑音増幅器の入力端子の接続をフィルタ３１１及び３１２の間で切り替えるスイッチを含んでもよく、１つの低雑音増幅器の出力端子の接続を高周波回路１の出力端子１０３及び１０４の間で切り替えるスイッチを含んでもよい。

　フィルタ回路３１は、第１フィルタ回路の一例であり、アンテナ接続端子１０１と低雑音増幅回路２１との間に接続される。図１に示すように、フィルタ回路３１は、フィルタ３１１及び３１２とスイッチ３１３とを含む。

　フィルタ３１１（Ａ－Ｒｘ）は、第１受信フィルタの一例であり、セルラー受信バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３１１の一端は、スイッチ３１３を介してアンテナ接続端子１０１に接続される。フィルタ３１１の他端は、低雑音増幅器２１１の入力端子に接続される。

　フィルタ３１２（Ｂ－Ｒｘ）は、第２受信フィルタの一例であり、衛星受信バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３１２の一端は、スイッチ３１３を介してアンテナ接続端子１０１に接続される。フィルタ３１２の他端は、低雑音増幅器２１２の入力端子に接続される。

　スイッチ３１３は、第１スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１０１とフィルタ３１１及び３１２との間に接続される。具体的には、スイッチ３１３は、端子３１３ａ～３１３ｃを有する。端子３１３ａは、アンテナ接続端子１０１に接続される。端子３１３ｂは、フィルタ３１１に接続される。端子３１３ｃは、フィルタ３１２に接続される。

　この接続構成において、スイッチ３１３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子３１３ｂ及び３１３ｃのいずれかを端子３１３ａに接続することができる。つまり、スイッチ３１３は、アンテナ接続端子１０１の接続を、フィルタ３１１及び３１２の間で切り替えることができる。

　スイッチ３１３は、例えばＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチ回路で構成される。このとき、スイッチ３１３内において、端子３１３ａは、端子３１３ｂ及び３１３ｃに接続可能に構成される。また、スイッチ３１３内において、端子３１３ｂは、端子３１３ａに接続可能に構成され、端子３１３ｃに接続不可能に構成される。また、スイッチ３１３内において、端子３１３ｃは、端子３１３ａに接続可能に構成され、端子３１３ｂに接続不可能に構成される。

　第２伝送回路７は、セルラー通信システムの送信及び受信に対応している。第２伝送回路７は、アンテナ接続端子１０２を介して入力された受信信号を伝送する１つの受信経路と、アンテナ接続端子１０２を介して出力する送信信号を伝送する１つの送信経路と、を有する。図１に示すように、第２伝送回路７は、電力増幅回路１１と、低雑音増幅回路２２と、フィルタ回路３２と、を有する。

　電力増幅回路１１は、入力端子１０６とフィルタ回路３２との間に接続される。図１に示すように、電力増幅回路１１は、電力増幅器１１１を含む。電力増幅器１１１の入力端子は、入力端子１０６に接続される。電力増幅器１１１の出力端子は、後述するフィルタ回路３２内のフィルタ３２１に接続される。この構成により、電力増幅器１１１は、ＲＦＩＣ３から入力端子１０６を介して受けたセルラー送信バンドの送信信号を増幅し、増幅したセルラー送信バンドの送信信号をフィルタ３２１を介してアンテナ２ｂに出力することができる。

　低雑音増幅回路２２は、第２低雑音増幅回路の一例であり、フィルタ回路３２と高周波回路１の出力端子１０５との間に接続される。低雑音増幅回路２２は、低雑音増幅器２２１を含む。低雑音増幅器２２１の入力端子は、後述するフィルタ回路３２内のフィルタ３２２に接続される。低雑音増幅器２２１の出力端子は、高周波回路１の出力端子１０５に接続される。この構成により、低雑音増幅器２２１は、フィルタ３２２を介して受けたセルラー受信バンドの受信信号を増幅し、増幅したセルラー受信バンドの受信信号を出力端子１０５を介してＲＦＩＣ３に供給することができる。

　フィルタ回路３２は、第２フィルタ回路の一例であり、アンテナ接続端子１０２と電力増幅回路１１及び低雑音増幅回路２２との間に接続される。図１に示すように、フィルタ回路３２は、フィルタ３２１及び３２２を含む。

　フィルタ３２１（Ａ－Ｔｘ）は、第１送信フィルタの一例であり、セルラー送信バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３２１の一端は、アンテナ接続端子１０２に接続される。フィルタ３２１の他端は、電力増幅器１１１の出力端子に接続される。

　フィルタ３２２（Ａ－Ｒｘ）は、第４受信フィルタの一例であり、セルラー受信バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３２２の一端は、アンテナ接続端子１０２に接続される。フィルタ３２２の他端は、低雑音増幅器２２１の入力端子に接続される。

　なお、図１に表された高周波回路１の回路構成は、例示であり、これに限定されない。例えば、第１伝送回路６は、さらに、送信経路を含んでもよい。この場合であっても、第１伝送回路６において、受信経路の数は、送信経路の数よりも多い。

　［１．３　周波数バンドの具体例］
　ここで、本実施の形態におけるセルラー送信バンド、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの具体例について説明する。

　本実施の形態では、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドとして、同一のＦＤＤバンドに含まれるアップリンク動作バンド及びダウンリンク動作バンドが用いられる。このとき、ＦＤＤバンドとしては、１．４～５ＧＨｚの範囲に含まれる周波数バンドを用いることができる。より具体的には、ＦＤＤバンドとしては、例えば、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１、Ｂａｎｄ２、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ４、Ｂａｎｄ７、Ｂａｎｄ１１、Ｂａｎｄ２１、Ｂａｎｄ２４、Ｂａｎｄ２５、Ｂａｎｄ６６若しくはＢａｎｄ７４、若しくは、５ＧＮＲのためのｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ７、ｎ２４、ｎ２５、ｎ６６、ｎ７４、ｎ２０１、ｎ２５５若しくはｎ２５６又は、これらの任意の組み合わせを用いることもできる。

　また、本実施の形態では、衛星受信バンドとしては、人工衛星から信号を受信するための周波数バンドを用いることができる。より具体的には、衛星受信バンドとしては、例えば、ＧＰＳのためのＬ１バンド（1563～1587 MHz）、ＧＬＯＮＡＳＳ（Global Navigation Satellite System）のためのＬ１バンド（1593～1610 MHz）若しくはＬ５バンド（1164～1189 MHz）、グローバルスター（Globalstar）のためのダウンリンク動作バンド（2483.5～2500 MHz）、若しくは、５ＧＮＲのためのｎ２０１のダウンリンク動作バンド（2483.5～2495 MHz）、ｎ２５５のダウンリンク動作バンド（1525～1559 MHz）若しくはｎ２５６のダウンリンク動作バンド（2170～2200 MHz）、又は、これらの任意の組み合わせを用いることができる。

　例えば、セルラー送信バンド、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの組み合わせとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２４のアップリンク動作バンド（1626.5～1660.5 MHz）及びダウンリンク動作バンド（1525～1559 MHz）、並びに、ＧＰＳのためのＬ１バンドの組み合わせが用いられる。このとき、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２４の代わりに５ＧＮＲのためのｎ２４（UL: 1626.5～1660.5 MHz, DL: 1525～1559 MHz）、ｎ２０１（UL: 1610～1626.5 MHz, DL: 2483.5～2495 MHz）又はｎ２５５（UL: 1626.5～1660.5 MHz, DL: 1525～1559 MHz）が用いられてもよく、ＧＰＳのためのＬ１バンドの代わりにＧＬＯＮＡＳＳのためのＬ１バンドが用いられてもよい。これらの組み合わせでは、衛星受信バンドは、セルラー送信バンドとセルラー受信バンドとの間の周波数ギャップ（例えばＢａｎｄ２４では1559～1626.5 MHz）に含まれる。

　［１．４　高周波回路１の実施例１］
　以上のような本実施の形態に係る高周波回路１の実施例１として、高周波回路１が実装された高周波モジュール１００１及び１００２について説明する。本実施例では、高周波回路１は、第１伝送回路６が実装された高周波モジュール１００１と第２伝送回路７が実装された高周波モジュール１００２とに分かれて実装されている。

　まず、高周波モジュール１００１について図２及び図３を参照しながら説明する。図２は、本実施例に係る高周波モジュール１００１の平面図である。図３は、本実施例に係る高周波モジュール１００１の部分断面図である。図３における高周波モジュール１００１の断面は、図２のｉｉｉ－ｉｉｉ線における断面を表す。

　なお、図２～図４において、複数の回路部品をそれぞれ接続する配線の図示が省略されている。また、図２及び図４において、複数の回路部品を覆う樹脂部材及びその樹脂部材の表面を覆うシールド電極層の図示が省略されている。また、図２及び図４において、各回路部品の配置関係が容易に理解されるように、各回路部品に実装されている回路を表す文字（例えば「ＬＮＡ」など）が付されているが、実際の各回路部品には、当該文字は付されなくてもよい。

　高周波モジュール１００１は、いわゆるダイバーシティモジュールである。高周波モジュール１００１は、図１に示された低雑音増幅回路２１及びフィルタ回路３１に含まれる複数の回路素子を含む複数の回路部品に加えて、モジュール基板１０９１と、樹脂部材１０９４と、シールド電極層１０９５と、複数のランド電極１０９６と、を備える。

　モジュール基板１０９１は、第１モジュール基板の一例であり、互いに対向する主面１０９１ａ及び１０９１ｂを有する。なお、図２において、モジュール基板１０９１は、平面視において矩形状を有するが、この形状に限定されない。

　モジュール基板１０９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板もしくは高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

　モジュール基板１０９１の主面１０９１ａには、低雑音増幅器２１１（ＬＮＡ）及び低雑音増幅器２１２（ＬＮＡ）と、フィルタ３１１（Ａ－Ｒｘ）及びフィルタ３１２（Ｂ－Ｒｘ）と、スイッチ３１３（ＳＷ）と、が配置されている。また、モジュール基板１０９１の主面１０９１ｂには、複数のランド電極１０９６が配置されている。

　低雑音増幅器２１１及び２１２は、１つの集積回路に含まれており、スイッチ３１３は、他の１つの集積回路に含まれている。低雑音増幅器２１１及び２１２を含む集積回路、並びに、スイッチ３１３を含む集積回路は、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いて構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより製造されてもよい。なお、集積回路は、ＣＭＯＳに限定されない。なお、低雑音増幅器２１１及び２１２並びにスイッチ３１３は、１つの集積回路に含まれてもよく、３つの集積回路に個別に含まれてもよい。

　フィルタ３１１及び３１２は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタを用いて構成され、同一の圧電基板１３１０に実装されている。具体的には、フィルタ３１１及び３１２を含むフィルタ部品は、図３に示すように圧電基板１３１０と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１３１１及び１３１２と、複数のバンプ電極１３１３と、を備える。

　圧電基板１３１０は、弾性波を伝搬する表面を有する。本実施の形態では、弾性波を伝搬する表面は、モジュール基板１０９１の主面１０９１ａに対面している。圧電基板１３１０は、例えば、ＬｉＮｂＯ_３単結晶又はＬｉＴａＯ_３単結晶で構成される。

　ＩＤＴ電極１３１１及び１３１２は、圧電基板１３１０の表面に配置されている。ＩＤＴ電極１３１１及び１３１２の各々は、機能電極の一例であり、圧電基板１３１０の表面を伝搬する弾性波を電気信号に変換することができる、又は、電気信号を弾性波に変換することができる。これにより、フィルタ３１１及び３１２が圧電基板１３１０に実装される。ＩＤＴ電極１３１１及び１３１２の各々の材料としては、銅、アルミニウム、白金、それらの積層体、又は、それらの合金を用いることができる。

　なお、ＩＤＴ電極１３１１及び１３１２は、保護膜で覆われてもよい。保護膜は、ＩＤＴ電極１３１１及び１３１２を保護する機能、及び、周波数温度特性を調整する機能を有する。保護膜は、例えば二酸化ケイ素で構成される。

　複数のバンプ電極１３１３は、圧電基板１３１０の表面から突出し、その先端がモジュール基板１０９１の主面１０９１ａに物理的に接続される。複数のバンプ電極１３１３の少なくとも一部は、ＩＤＴ電極１３１１及び１３１２と電気的に接続されており、ＩＤＴ電極１３１１及び１３１２で変換された電気信号がそれぞれ取り出され、又は、電気信号がＩＤＴ電極１３１１及び１３１２にそれぞれ供給される。複数のバンプ電極１３１３は、高導電性金属（例えば、すず、銀及び銅で構成されたはんだ、又は、金を主成分とする金属など）で構成される。

　なお、フィルタ３１１及び３１２は、同一の圧電基板に実装されなくてもよく、異なる圧電基板に実装されてもよい。また、フィルタ３１１及び３１２は、ＳＡＷフィルタを用いて構成されなくてもよい。例えば、フィルタ３１１及び３１２は、バルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタを用いて構成されてもよい。この場合、フィルタ３１１及び３１２を構成する２つのＢＡＷフィルタは、同一の圧電基板に実装されてもよい。また、フィルタ３１１及び３１２は、ＬＣ共振フィルタ、又は、誘電体フィルタを用いて構成されてもよく、これらに限定される必要もない。

　複数のランド電極１０９６は、図１に示したアンテナ接続端子１０１並びに出力端子１０３及び１０４とグランド端子とを含む複数の外部接続端子として機能する。複数のランド電極１０９６の各々は、高周波モジュール１００１のｚ軸負方向に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド端子等に接続される。なお、複数のランド電極１０９６の代わりに、複数のバンプ電極が主面１０９１ｂ上に配置されてもよい。

　樹脂部材１０９４は、主面１０９１ａ及び主面１０９１ａ上の複数の回路部品の少なくとも一部を覆っている。樹脂部材１０９４は、主面１０９１ａ上の複数の回路部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。なお、樹脂部材１０９４は、高周波モジュール１００１に含まれなくてもよい。

　シールド電極層１０９５は、例えばスパッタ法により形成された金属薄膜である。シールド電極層１０９５は、樹脂部材１０９４の表面（上面及び側面）を覆うように形成されている。シールド電極層１０９５は、グランドに接続され、外来ノイズが高周波モジュール１００１を構成する電子部品に侵入すること、及び、高周波モジュール１００１で発生したノイズが他のモジュール又は他の機器に干渉することを抑制する。なお、シールド電極層１０９５は、高周波モジュール１００１に含まれなくてもよい。

　次に、高周波モジュール１００２について図４を参照しながら説明する。図４は、本実施例に係る高周波モジュール１００２の平面図である。

　高周波モジュール１００２は、いわゆるプライマリモジュールである。高周波モジュール１００２は、図１に示された電力増幅回路１１、低雑音増幅回路２２及びフィルタ回路３２に含まれる複数の回路素子を含む複数の回路部品に加えて、モジュール基板１０９２と、樹脂部材（図示せず）と、シールド電極層（図示せず）と、複数のランド電極（図示せず）と、を備える。

　モジュール基板１０９２は、第２モジュール基板の一例であり、互いに対向する主面を有する。なお、図４において、モジュール基板１０９２は、平面視において矩形状を有するが、この形状に限定されない。モジュール基板１０９２は、モジュール基板１０９１と同様に構成することができる。

　モジュール基板１０９２の主面には、電力増幅器１１１（ＰＡ）と、低雑音増幅器２２１（ＬＮＡ）と、フィルタ３２１（Ａ－Ｔｘ）及びフィルタ３２２（Ａ－Ｒｘ）と、が配置されている。

　電力増幅器１１１は、１つの集積回路に含まれている。電力増幅器１１１を含む集積回路は、例えばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な電力増幅器１１１を実現することができる。なお、電力増幅器１１１の一部をＣＭＯＳを用いて構成してもよく、具体的にはＳＯＩプロセスにより製造されてもよい。

　低雑音増幅器２２１は、低雑音増幅器２１１及び２１２と同様であるので説明を省略する。また、フィルタ３２１及び３２２は、異なる圧電基板に実装されている点を除いて、フィルタ３１１及び３１２と同様であるので説明を省略する。

　なお、第１伝送回路６に送信経路が含まれる場合、当該送信経路に接続される電力増幅回路は、モジュール基板１０９１に実装されてもよく、モジュール基板１０９２に実装されてもよい。

　［１．５　高周波回路１の実施例２］
　次に、本実施の形態に係る高周波回路１の実施例２として、高周波回路１が実装された高周波モジュール１００３について説明する。本実施例では、高周波回路１に含まれる第１伝送回路６及び第２伝送回路７は、１つの高周波モジュール１００３に実装されている。

　高周波モジュール１００３について図５を参照しながら説明する。図５は、本実施例に係る高周波モジュール１００３の平面図である。

　なお、図５において、複数の回路部品をそれぞれ接続する配線の図示が省略されている。また、図５において、複数の回路部品を覆う樹脂部材及びその樹脂部材の表面を覆うシールド電極層の図示が省略されている。また、図５において、各回路部品の配置関係が容易に理解されるように、各回路部品に実装されている回路を表す文字（例えば「ＬＮＡ」など）が付されているが、実際の各回路部品には、当該文字は付されなくてもよい。

　モジュール基板１０９３は、互いに対向する主面を有する。なお、図５において、モジュール基板１０９３は、平面視において矩形状を有するが、この形状に限定されない。モジュール基板１０９３は、モジュール基板１０９１と同様に構成することができる。

　モジュール基板１０９３の主面には、電力増幅器１１１と、低雑音増幅器２１１、２１２及び２２１と、フィルタ３１１、３１２、３２１及び３２２と、スイッチ３１３と、が配置されている。

　［１．６　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１は、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６と、セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路７と、を備え、第１伝送回路６は、アンテナ接続端子１０１に接続され、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１と、フィルタ回路３１に接続される低雑音増幅回路２１と、を有し、第２伝送回路７は、アンテナ接続端子１０２に接続され、セルラー受信バンド及びセルラー受信バンドに対応するセルラー送信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３２と、フィルタ回路３２に接続される電力増幅回路１１と、フィルタ回路３２に接続される低雑音増幅回路２２と、を有する。

　これによれば、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１がアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー受信バンドと衛星受信バンドとで１つのアンテナを共用することができる。したがって、セルラー受信バンドのための回路と衛星受信バンドのための回路とを１つのモジュール基板１０９１又は１０９３に実装することが容易となり、通信装置５の小型化に貢献することができる。また、衛星受信バンドのためのフィルタ回路３１は、セルラー送信バンドのためのフィルタ回路３２が接続されるアンテナ接続端子１０２と異なるアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー送信信号が衛星受信信号に干渉することを抑制し、衛星システムにおける受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、第１伝送回路６は、アンテナ接続端子１０１を介して入力された受信信号を伝送する１以上の受信経路を有し、アンテナ接続端子１０１を介して出力する送信信号を伝送する送信経路を有さなくてもよい。

　これによれば、衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６に送信経路が含まれないので、衛星システムの受信感度を向上させることができる。このとき、例えばダイバーシティアンテナによる信号の受信のための受信回路（ダイバーシティモジュール）に第１伝送回路６を適用することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、フィルタ回路３１は、アンテナ接続端子１０１に接続されるスイッチ３１３と、スイッチ３１３を介してアンテナ接続端子１０１に接続され、セルラー受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ３１１と、スイッチ３１３を介してアンテナ接続端子１０１に接続され、衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ３１２と、を含んでもよい。

　これによれば、セルラー受信バンドに対応するフィルタ３１１と衛星受信バンドに対応するフィルタ３１２とが別々に高周波回路１に含まれるので、セルラー受信バンドのための受信経路と衛星受信バンドのための受信経路との間のアイソレーションを向上させることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、フィルタ３１１及び３１２の各々は、弾性波フィルタであり、フィルタ３１１及び３１２は、同一の圧電基板（例えば圧電基板１３１０）に実装されてもよい。

　これによれば、フィルタ３１１及び３１２が同一の圧電基板に実装されるので、高周波回路１の小型化を図ることができ、通信装置５の小型化に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドは、同一のＦＤＤバンドに含まれるアップリンク動作バンド及びダウンリンク動作バンドであってもよい。

　これによれば、ＦＤＤバンドの送受信に高周波回路１を用いることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、衛星受信バンドは、セルラー送信バンドとセルラー受信バンドとの間のギャップに含まれてもよい。

　これによれば、衛星受信バンドがセルラー送信バンド及びセルラー受信バンドに近接している場合に高周波回路１を用いることができ、衛星システムにおける受信感度の低下をより効果的に抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１において、フィルタ回路３２は、アンテナ接続端子１０２に接続され、セルラー送信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ３２１と、アンテナ接続端子１０２に接続され、セルラー受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ３２２と、を含み、電力増幅回路１１は、フィルタ３２１に接続され、低雑音増幅回路２２は、フィルタ３２２に接続されてもよい。

　これによれば、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドのためにデュプレクサを用いることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１は、フィルタ回路３１及び低雑音増幅回路２１が実装されたモジュール基板１０９１と、フィルタ回路３２、電力増幅回路１１及び低雑音増幅回路２２が実装されたモジュール基板１０９２と、を備えてもよい。

　これによれば、アンテナ接続端子１０１を介してアンテナ２ａに接続されるフィルタ回路３１及び低雑音増幅回路２１と、アンテナ接続端子１０２を介してアンテナ２ｂに接続されるフィルタ回路３２、電力増幅回路１１及び低雑音増幅回路２２との間のアイソレーションを向上させることができ、衛星システムにおける受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１は、フィルタ回路３１及び３２と、電力増幅回路１１と、低雑音増幅回路２１及び２２とが実装されたモジュール基板１０９３を備えてもよい。

　これによれば、高周波回路１は、通信装置５のさらなる小型化に貢献することができる。

　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの両方を含む通過帯域を有する１つのフィルタを用いてダイバーシティ受信が実現される点が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、上記実施の形態１と異なる点を中心に本実施の形態について図面を参照しながら説明する。

　［２．１　高周波回路１Ａの回路構成］
　本実施の形態に係る通信装置５Ａの回路構成については、高周波回路１の代わりに高周波回路１Ａを備える点を除いて、上記実施の形態１に係る通信装置５と同様である。したがって、通信装置５Ａの詳細な説明は省略し、高周波回路１Ａについて図６を参照しながら説明する。

　図６は、本実施の形態に係る通信装置５Ａの回路構成図である。図６に示すように、高周波回路１Ａは、第１伝送回路６Ａと、第２伝送回路７と、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、出力端子１０３～１０５と、入力端子１０６と、を備える。

　第１伝送回路６Ａは、低雑音増幅回路２１Ａと、フィルタ回路３１Ａと、を備える。

　低雑音増幅回路２１Ａは、第１低雑音増幅回路の一例であり、フィルタ回路３１Ａと高周波回路１Ａの出力端子１０３及び１０４との間に接続される。図１に示すように、低雑音増幅回路２１Ａは、低雑音増幅器２１３と、スプリッタ２１４と、を含む。

　低雑音増幅器２１３の入力端子は、後述するフィルタ回路３１Ａ内のフィルタ３１４に接続される。低雑音増幅器２１３の出力端子は、スプリッタ２１４を介して高周波回路１Ａの出力端子１０３及び１０４に接続される。この構成により、低雑音増幅器２１３は、フィルタ３１４を介して受けたバンドＡ及びＢの受信信号を増幅し、増幅したバンドＡ及びＢの受信信号を出力端子１０３及び１０４を介してＲＦＩＣ３に供給することができる。

　スプリッタ２１４は、電力分配器の一例であり、低雑音増幅回路２１Ａと高周波回路１Ａの出力端子１０３及び１０４との間に接続される。スプリッタ２１４の入力端子は、低雑音増幅器２１３の出力端子に接続される。スプリッタ２１４の２つの出力端子は、高周波回路１Ａの出力端子１０３及び１０４にそれぞれ接続される。これにより、スプリッタ２１４は、低雑音増幅器２１３の出力信号を２つの出力端子１０３及び１０４に分配することができる。

　フィルタ回路３１Ａは、第１フィルタ回路の一例であり、アンテナ接続端子１０１と低雑音増幅回路２１Ａとの間に接続される。図１に示すように、フィルタ回路３１Ａは、フィルタ３１４を含む。

　フィルタ３１４（ＡＢ－Ｒｘ）は、第３受信フィルタの一例であり、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３１４の一端は、アンテナ接続端子１０１に接続される。フィルタ３１４の他端は、低雑音増幅器２１３の入力端子に接続される。

　［２．２　周波数バンドの具体例］
　ここで、本実施の形態におけるセルラー送信バンド、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの具体例について説明する。

　本実施の形態では、セルラー送信バンド、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの組み合わせとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２４のアップリンク動作バンド及びダウンリンク動作バンド、並びに、ＧＰＳのためのＬ１バンドの組み合わせを用いることができる。このとき、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２４の代わりに５ＧＮＲのためのｎ２４、ｎ２０１又はｎ２５５が用いられてもよく、ＧＰＳのためのＬ１バンドの代わりにＧＬＯＮＡＳＳのためのＬ１バンドが用いられてもよい。

　［２．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１Ａは、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６Ａと、セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路７と、を備え、第１伝送回路６Ａは、アンテナ接続端子１０１に接続され、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１Ａと、フィルタ回路３１Ａに接続される低雑音増幅回路２１Ａと、を有し、第２伝送回路７は、アンテナ接続端子１０２に接続され、セルラー受信バンド及びセルラー受信バンドに対応するセルラー送信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３２と、フィルタ回路３２に接続される電力増幅回路１１と、フィルタ回路３２に接続される低雑音増幅回路２２と、を有する。

　これによれば、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１Ａがアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー受信バンドと衛星受信バンドとで１つのアンテナを共用することができる。したがって、セルラー受信バンドのための回路と衛星受信バンドのための回路とを１つのモジュール基板１０９１又は１０９３に実装することが容易となり、通信装置５Ａの小型化に貢献することができる。また、衛星受信バンドのためのフィルタ回路３１Ａは、セルラー送信バンドのためのフィルタ回路３２が接続されるアンテナ接続端子１０２と異なるアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー送信信号が衛星受信信号に干渉することを抑制し、衛星システムにおける受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ａにおいて、第１伝送回路６Ａは、アンテナ接続端子１０１を介して入力された受信信号を伝送する１以上の受信経路を有し、アンテナ接続端子１０１を介して出力する送信信号を伝送する送信経路を有さなくてもよい。

　これによれば、衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６Ａに送信経路が含まれないので、衛星システムの受信感度を向上させることができる。このとき、例えばダイバーシティアンテナによる信号の受信のための受信回路（ダイバーシティモジュール）に第１伝送回路６Ａを適用することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ａにおいて、フィルタ回路３１Ａは、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ３１４を含んでもよい。

　これによれば、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドで個別にフィルタが含まれる場合よりもフィルタ数を削減することができ、通信装置５Ａの小型化に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ａにおいて、低雑音増幅回路２１Ａは、フィルタ３１４に接続された低雑音増幅器２１３と、低雑音増幅器２１３の出力端子に接続されたスプリッタ２１４と、を含んでもよい。

　これによれば、高周波回路１Ａは、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドでフィルタ３１４が共用される場合でも、セルラー受信バンドの受信信号及び衛星受信バンドの受信信号を２つの出力端子１０３及び１０４を介してＲＦＩＣ３に供給することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ａにおいて、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの組み合わせとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ２４又は５ＧＮＲのためのｎ２４、ｎ２０１若しくはｎ２５５のダウンリンク動作バンドとＧＰＳ又はＧＬＯＮＡＳＳのためのＬ１バンドとの組み合わせを用いることができる。

　これによれば、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの組み合わせとして、比較的近い２つの受信バンドの組み合わせを用いることができ、フィルタ３１４及び低雑音増幅器２１３の性能要件を緩和することができる。

　（実施の形態３）
　次に、実施の形態３について説明する。本実施の形態では、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドとして、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）バンドに含まれる同一の周波数バンドが用いられる点が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、上記実施の形態１と異なる点を中心に本実施の形態について図面を参照しながら説明する。

　［３．１　高周波回路１Ｂの回路構成］
　本実施の形態に係る通信装置５Ｂの回路構成については、高周波回路１の代わりに高周波回路１Ｂを備える点を除いて、上記実施の形態１に係る通信装置５と同様である。したがって、通信装置５Ｂの詳細な説明は省略し、高周波回路１Ｂについて図７を参照しながら説明する。

　図７は、本実施の形態に係る通信装置５Ｂの回路構成図である。図７に示すように、高周波回路１Ｂは、第１伝送回路６Ｂと、第２伝送回路７Ｂと、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、出力端子１０３～１０５と、入力端子１０６と、を備える。

　第１伝送回路６Ｂは、低雑音増幅回路２１と、フィルタ回路３１Ｂと、を有する。

　フィルタ回路３１Ｂは、第１フィルタ回路の一例であり、アンテナ接続端子１０１と低雑音増幅回路２１との間に接続される。図７に示すように、フィルタ回路３１Ｂは、フィルタ３１１（Ａ－Ｒｘ）の代わりにフィルタ３１５（Ｃ－Ｒｘ）を含む点を除いて、実施の形態１に係るフィルタ回路３１と同様である。

　フィルタ３１５（Ｃ－Ｒｘ）は、第１受信フィルタの一例であり、セルラー受信バンド（つまり、ＴＤＤバンド）を含む通過帯域を有する。フィルタ３１５の一端は、スイッチ３１３を介してアンテナ接続端子１０１に接続される。フィルタ３１５の他端は、低雑音増幅器２１１の入力端子に接続される。

　第２伝送回路７Ｂは、電力増幅回路１１と、低雑音増幅回路２２と、フィルタ回路３２Ｂと、を有する。

　フィルタ回路３２Ｂは、第２フィルタ回路の一例であり、アンテナ接続端子１０２と電力増幅回路１１及び低雑音増幅回路２２との間に接続される。図７に示すように、フィルタ回路３２Ｂは、フィルタ３２３とスイッチ３２４とを含む。

　フィルタ３２３（Ｃ－ＴＲｘ）は、送受信フィルタの一例であり、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンド（つまり、ＴＤＤバンド）を含む通過帯域を有する。フィルタ３２３の一端は、アンテナ接続端子１０２に接続される。フィルタ３２３の他端は、スイッチ３２４を介して、電力増幅器１１１の出力端子及び低雑音増幅器２２１の入力端子に接続される。

　スイッチ３２４は、第２スイッチの一例であり、フィルタ３２３と電力増幅回路１１及び低雑音増幅回路２２との間に接続される。具体的には、スイッチ３２４は、端子３２４ａ～３２４ｃを有する。端子３２４ａは、フィルタ３２３に接続される。端子３２４ｂは、電力増幅器１１１の出力端子に接続される。端子３２４ｃは、低雑音増幅器２２１の入力端子に接続される。

　この接続構成において、スイッチ３２４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子３２４ｂ及び３２４ｃのいずれかを端子３２４ａに接続することができる。つまり、スイッチ３２４は、フィルタ３２３の接続を、電力増幅回路１１及び低雑音増幅回路２２の間で切り替えることができる。

　スイッチ３２４は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。このとき、スイッチ３２４内において、端子３２４ａは、端子３２４ｂ及び３２４ｃに接続可能に構成される。また、スイッチ３２４内において、端子３２４ｂは、端子３２４ａに接続可能に構成され、端子３２４ｃに接続不可能に構成される。また、スイッチ３２４内において、端子３２４ｃは、端子３２４ａに接続可能に構成され、端子３２４ｂに接続不可能に構成される。

　［３．２　周波数バンドの具体例］
　ここで、本実施の形態におけるセルラー送信バンド、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの具体例について説明する。

　本実施の形態では、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドとして、同一のＴＤＤバンドに含まれる同一の周波数バンドが用いられる。このとき、ＴＤＤバンドとしては、１．４～５ＧＨｚの範囲に含まれる周波数バンドを用いることができる。より具体的には、ＴＤＤバンドとしては、例えば、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３４、Ｂａｎｄ３９、Ｂａｎｄ４０、Ｂａｎｄ４１、Ｂａｎｄ４２若しくはＢａｎｄ４８、若しくは、５ＧＮＲのためのｎ３４、ｎ３９、ｎ４０、ｎ４１、ｎ４８、ｎ７７、ｎ７８若しくはｎ７９、又は、これらの任意の組み合わせを用いることもできる。

　また、本実施の形態では、衛星受信バンドとしては、人工衛星から信号を受信するための周波数バンドを用いることができる。より具体的には、衛星受信バンドとしては、例えば、ＧＰＳのためのＬ１バンド若しくはＬ５バンド、ＧＬＯＮＡＳＳのためのＬ１バンド、グローバルスターのためのダウンリンク動作バンド、５ＧＮＲのためのｎ２０１、ｎ２５５若しくはｎ２５６のダウンリンク動作バンド、又は、これらの任意の組み合わせを用いることができる。

　［３．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１Ｂは、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６Ｂと、セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路７Ｂと、を備え、第１伝送回路６Ｂは、アンテナ接続端子１０１に接続され、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１Ｂと、フィルタ回路３１Ｂに接続される低雑音増幅回路２１と、を有し、第２伝送回路７Ｂは、アンテナ接続端子１０２に接続され、セルラー受信バンド及びセルラー受信バンドに対応するセルラー送信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３２Ｂと、フィルタ回路３２Ｂに接続される電力増幅回路１１と、フィルタ回路３２Ｂに接続される低雑音増幅回路２２と、を備える。

　これによれば、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１Ｂがアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー受信バンドと衛星受信バンドとで１つのアンテナを共用することができる。したがって、セルラー受信バンドのための回路と衛星受信バンドのための回路とを１つのモジュール基板１０９１又は１０９３に実装することが容易となり、通信装置５Ｂの小型化に貢献することができる。また、衛星受信バンドのためのフィルタ回路３１Ｂは、セルラー送信バンドのためのフィルタ回路３２Ｂが接続されるアンテナ接続端子１０２と異なるアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー送信信号が衛星受信信号に干渉することを抑制し、衛星システムにおける受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｂにおいて、第１伝送回路６Ｂは、アンテナ接続端子１０１を介して入力された受信信号を伝送する１以上の受信経路を有し、アンテナ接続端子１０１を介して出力する送信信号を伝送する送信経路を有さなくてもよい。

　これによれば、衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６Ｂに送信経路が含まれないので、衛星システムの受信感度を向上させることができる。このとき、例えばダイバーシティアンテナによる信号の受信のための受信回路（ダイバーシティモジュール）に第１伝送回路６Ｂを適用することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｂにおいて、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドは、同一のＴＤＤバンドに含まれる同一の周波数バンドであってもよい。

　これによれば、ＴＤＤバンドの送受信に高周波回路１Ｂを用いることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｂにおいて、フィルタ回路３２Ｂは、ＴＤＤバンドを含む通過帯域を有するフィルタ３２３と、フィルタ３２３に接続されるスイッチ３２４と、を含み、電力増幅回路１１は、スイッチ３２４を介してフィルタ３２３に接続され、低雑音増幅回路２２は、スイッチ３２４を介してフィルタ３２３に接続されてもよい。

　これによれば、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドで個別にフィルタが含まれる場合よりもフィルタ数を削減することができる。

　（実施の形態３の変形例）
　次に、実施の形態３の変形例について説明する。本変形例では、上記実施の形態３と同様に、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドとして、ＴＤＤバンドに含まれる同一の周波数バンドが用いられる。ただし、本変形例では、高周波回路が、ＴＤＤバンドの送信及び受信のために個別にフィルタを備える点が上記実施の形態３と主として異なる。以下に、上記実施の形態３と異なる点を中心に本変形例について図面を参照しながら説明する。

　本変形例に係る通信装置５Ｃの回路構成については、高周波回路１の代わりに高周波回路１Ｃを備える点を除いて、上記実施の形態１に係る通信装置５と同様である。したがって、通信装置５Ｃの詳細な説明は省略し、高周波回路１Ｃについて図８を参照しながら説明する。

　図８は、本実施の形態に係る通信装置５Ｃの回路構成図である。図８に示すように、高周波回路１Ｃは、第１伝送回路６Ｂと、第２伝送回路７Ｃと、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、出力端子１０３～１０５と、入力端子１０６と、を備える。

　第２伝送回路７Ｃは、電力増幅回路１１と、低雑音増幅回路２２と、フィルタ回路３２Ｃと、を有する。

　フィルタ回路３２Ｃは、第２フィルタ回路の一例であり、アンテナ接続端子１０２と電力増幅回路１１及び低雑音増幅回路２２との間に接続される。図８に示すように、フィルタ回路３２Ｃは、フィルタ３２５及び３２６と、スイッチ３２７と、を含む。

　フィルタ３２５（Ｃ－Ｔｘ）は、第２送信フィルタの一例であり、セルラー送信バンド（つまり、ＴＤＤバンド）を含む通過帯域を有する。フィルタ３２５の一端は、スイッチ３２７を介してアンテナ接続端子１０２に接続される。フィルタ３２５の他端は、電力増幅器１１１の出力端子に接続される。

　フィルタ３２６（Ｃ－Ｒｘ）は、第５受信フィルタの一例であり、セルラー受信バンド（つまり、ＴＤＤバンド）を含む通過帯域を有する。フィルタ３２６の一端は、スイッチ３２７を介してアンテナ接続端子１０２に接続される。フィルタ３２６の他端は、低雑音増幅器２２１の入力端子に接続される。

　スイッチ３２７は、第３スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１０２とフィルタ３２５及び３２６との間に接続される。具体的には、スイッチ３２７は、端子３２７ａ～３２７ｃを有する。端子３２７ａは、アンテナ接続端子１０２に接続される。端子３２７ｂは、フィルタ３２５に接続される。端子３２７ｃは、フィルタ３２６に接続される。

　この接続構成において、スイッチ３２７は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子３２７ｂ及び３２７ｃのいずれかを端子３２７ａに接続することができる。つまり、スイッチ３２７は、アンテナ接続端子１０２の接続を、フィルタ３２５及び３２６の間で切り替えることができる。

　スイッチ３２７は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。このとき、スイッチ３２７内において、端子３２７ａは、端子３２７ｂ及び３２７ｃに接続可能に構成される。また、スイッチ３２７内において、端子３２７ｂは、端子３２７ａに接続可能に構成され、端子３２７ｃに接続不可能に構成される。また、スイッチ３２７内において、端子３２７ｃは、端子３２７ａに接続可能に構成され、端子３２７ｂに接続不可能に構成される。

　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１Ｃにおいて、フィルタ回路３２Ｃは、アンテナ接続端子１０２に接続されるスイッチ３２７と、スイッチ３２７を介してアンテナ接続端子１０２に接続され、ＴＤＤバンドを含む通過帯域を有するフィルタ３２５と、スイッチ３２７を介してアンテナ接続端子１０２に接続され、ＴＤＤバンドを含む通過帯域を有するフィルタ３２６と、を含み、電力増幅回路１１は、フィルタ３２５に接続され、低雑音増幅回路２２は、フィルタ３２６に接続されてもよい。

　これによれば、ＴＤＤバンドの送信及び受信にそれぞれ適したフィルタ３２５及び３２６を用いることができる。

　なお、実施の形態３及びその変形例のいずれにおいても、上記実施の形態２のように、フィルタ回路３１Ｂのフィルタ３１２及び３１５並びにスイッチ３１３を１つのフィルタ３１４に置き換えることができる。この場合、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンド（つまり、ＴＤＤバンド）と衛星受信バンドとの組み合わせとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１（2496～2690 MHz）と、グローバルスターのダウンリンク動作バンド又は５ＧＮＲのためのｎ２０１のダウンリンク動作バンドとの組み合わせを用いることができる。このとき、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１は、５ＧＮＲのためのｎ４１（2496～2690 MHz）に置き換えられてもよい。

　このように、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの組み合わせとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１又は５ＧＮＲのためのｎ４１とグローバルスターのためのダウンリンク動作バンドとの組み合わせを用いることができる。

　これによれば、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドの組み合わせとして、比較的近い２つの受信バンドの組み合わせを用いることができ、フィルタ３１４及び低雑音増幅器２１３の性能要件を緩和することができる。

　（実施の形態４）
　次に、実施の形態４について説明する。本実施の形態では、通信装置が衛星受信だけでなく衛星送信にも対応する点が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、上記実施の形態１と異なる点を中心に本実施の形態について図面を参照しながら説明する。

　［４．１　高周波回路１Ｄの回路構成］
　本実施の形態に係る通信装置５Ｄの回路構成については、高周波回路１の代わりに高周波回路１Ｄを備える点を除いて、上記実施の形態１に係る通信装置５と同様である。したがって、通信装置５Ｄの詳細な説明は省略し、高周波回路１Ｄについて図９を参照しながら説明する。

　図９は、本実施の形態に係る通信装置５Ｄの回路構成図である。図９に示すように、高周波回路１Ｄは、第１伝送回路６と、第２伝送回路７Ｄと、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、出力端子１０３～１０５と、入力端子１０６及び１０７と、を備える。

　入力端子１０７は、ＲＦＩＣ３から高周波信号を受けるための高周波入力端子である。具体的には、入力端子１０７は、高周波回路１内で電力増幅回路１１Ｄの入力端子に接続され、ＲＦＩＣ３から入力端子１０７を介して受信された衛星送信バンドの送信信号が電力増幅回路１１Ｄに供給される。

　第２伝送回路７Ｄは、電力増幅回路１１Ｄと、低雑音増幅回路２２と、フィルタ回路３２Ｄと、を有する。

　電力増幅回路１１Ｄは、入力端子１０６及び１０７とフィルタ回路３２Ｄとの間に接続される。図９に示すように、電力増幅回路１１Ｄは、電力増幅器１１１及び１１２を含む。

　電力増幅器１１２の入力端子は、入力端子１０７に接続される。電力増幅器１１２の出力端子は、後述するフィルタ回路３２Ｄ内のフィルタ３２８に接続される。この構成により、電力増幅器１１２は、ＲＦＩＣ３から入力端子１０７を介して受けた衛星送信バンドの送信信号を増幅し、増幅した衛星送信バンドの送信信号をフィルタ３２８を介してアンテナ２ｂに出力することができる。

　なお、電力増幅回路１１Ｄ内の回路構成は、図９の構成に限定されない。電力増幅回路１１Ｄは、１つの電力増幅器のみを含んでもよい。この場合、電力増幅回路１１Ｄは、１つの電力増幅器の出力端子の接続をフィルタ３２１及び３２８の間で切り替えるスイッチを含んでもよく、１つの電力増幅器の入力端子の接続を高周波回路１Ｄの入力端子１０６及び１０７の間で切り替えるスイッチを含んでもよい。

　フィルタ回路３２Ｄは、第２フィルタ回路の一例であり、アンテナ接続端子１０２と電力増幅回路１１Ｄ及び低雑音増幅回路２２との間に接続される。図９に示すように、フィルタ回路３２Ｄは、フィルタ３２１、３２２及び３２８とスイッチ３２９とを含む。

　フィルタ３２８（Ｂ－Ｔｘ）は、第３送信フィルタの一例であり、衛星送信バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ３２８の一端は、スイッチ３２９を介してアンテナ接続端子１０２に接続される。フィルタ３２８の他端は、電力増幅器１１２の出力端子に接続される。

　スイッチ３２９は、アンテナ接続端子１０２とフィルタ３２１、３２２及び３２８との間に接続される。具体的には、スイッチ３２９は、端子３２９ａ～３２９ｃを有する。端子３２９ａは、アンテナ接続端子１０２に接続される。端子３２９ｂは、フィルタ３２１及び３２２に接続される。端子３２９ｃは、フィルタ３２８に接続される。

　この接続構成において、スイッチ３２９は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子３２９ｂ及び３２９ｃのいずれかを端子３２９ａに接続することができる。つまり、スイッチ３２９は、アンテナ接続端子１０２の接続を、フィルタ３２１及び３２２とフィルタ３２８との間で切り替えることができる。

　スイッチ３２９は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。このとき、スイッチ３２９内において、端子３２９ａは、端子３２９ｂ及び３２９ｃに接続可能に構成される。また、スイッチ３２９内において、端子３２９ｂは、端子３２９ａに接続可能に構成され、端子３２９ｃに接続不可能に構成される。また、スイッチ３２９内において、端子３２９ｃは、端子３２９ａに接続可能に構成され、端子３２９ｂに接続不可能に構成される。

　［４．２　周波数バンドの具体例］
　ここで、本実施の形態におけるセルラー送信バンド、セルラー受信バンド、衛星送信バンド及び衛星受信バンドの具体例について説明する。

　本実施の形態では、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドとして、同一のＦＤＤバンドに含まれるアップリンク動作バンド及びダウンリンク動作バンドが用いられる。具体的には、実施の形態１と同様のセルラー送信バンド及びセルラー受信バンドが用いられる。

　また、本実施の形態では、衛星送信バンド及び衛星受信バンドとしては、衛星通信システムのためのアップリンク動作バンド及びダウンリンク動作バンドが用いられる。より具体的には、衛星送信バンド及び衛星受信バンドとしては、例えばグローバルスターのためのアップリンク動作バンド（1610～1621.35 MHz）及びダウンリンク動作バンド、又は、５ＧＮＲのためのｎ２０１、ｎ２５５若しくはｎ２５６のアップリンク動作バンド及びダウンリンク動作バンドを用いることができる。

　［４．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１Ｄは、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６と、セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路７Ｄと、を備え、第１伝送回路６は、アンテナ接続端子１０１に接続され、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１と、フィルタ回路３１に接続される低雑音増幅回路２１と、を有し、第２伝送回路７Ｄは、アンテナ接続端子１０２に接続され、セルラー受信バンド及びセルラー受信バンドに対応するセルラー送信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３２Ｄと、フィルタ回路３２Ｄに接続される電力増幅回路１１Ｄと、フィルタ回路３２Ｄに接続される低雑音増幅回路２２と、を有する。

　これによれば、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１がアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー受信バンドと衛星受信バンドとで１つのアンテナを共用することができる。したがって、セルラー受信バンドのための回路と衛星受信バンドのための回路とを１つのモジュール基板１０９１又は１０９３に実装することが容易となり、通信装置５Ｄの小型化に貢献することができる。また、衛星受信バンドのためのフィルタ回路３１は、セルラー送信バンドのためのフィルタ回路３２Ｄが接続されるアンテナ接続端子１０２と異なるアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー送信信号が衛星受信信号に干渉することを抑制し、衛星システムにおける受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｄにおいて、フィルタ回路３２Ｄは、衛星受信バンドに対応する衛星送信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ３２８を含んでもよく、電力増幅回路１１Ｄは、フィルタ３２８に接続されてもよい。

　これによれば、セルラー送信バンドと衛星送信バンドとで１つのアンテナを共用することができ、通信装置５Ｄの小型化に貢献することができる。

　なお、本実施の形態においても、上記実施の形態２と同様に、低雑音増幅回路２１及びフィルタ回路３１を低雑音増幅回路２１Ａ及びフィルタ回路３１Ａに置き換えることができる。さらに、本実施の形態において、上記実施の形態３又はその変形例と同様に、セルラー送信バンド及びセルラー受信バンドとして、同一のＴＤＤバンドに含まれる同一の周波数バンドを用いることができる。この場合、フィルタ回路３２Ｄは、フィルタ３２１及び３２２の代わりに、フィルタ３２３及びスイッチ３２４を備えてもよく、フィルタ３２５及び３２６を備えてもよい。

　（実施の形態５）
　次に、実施の形態５について説明する。本実施の形態では、高周波回路が２つのアンテナ接続端子と２つのフィルタ回路との接続を切り替えるためのスイッチを備える点が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、上記実施の形態１と異なる点を中心に本実施の形態について図面を参照しながら説明する。

　［５．１　高周波回路１Ｅの回路構成］
　本実施の形態に係る通信装置５Ｅの回路構成については、高周波回路１の代わりに高周波回路１Ｅを備える点を除いて、上記実施の形態１に係る通信装置５と同様である。したがって、通信装置５Ｅの詳細な説明は省略し、高周波回路１Ｅについて図１０を参照しながら説明する。

　図１０は、本実施の形態に係る通信装置５Ｅの回路構成図である。図１０に示すように、高周波回路１Ｅは、電力増幅回路１１と、低雑音増幅回路２１及び２２と、フィルタ回路３１及び３２と、スイッチ回路４１と、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、出力端子１０３～１０５と、入力端子１０６と、を備える。

　スイッチ回路４１は、アンテナ接続端子１０１及び１０２とフィルタ回路３１及び３２との間に接続される。具体的には、スイッチ回路４１は、端子４１ａ～４１ｄを有する。端子４１ａは、アンテナ接続端子１０１に接続される。端子４１ｂは、アンテナ接続端子１０２に接続される。端子４１ｃは、フィルタ回路３１に接続される。端子４１ｄは、フィルタ回路３２に接続される。

　この接続構成において、スイッチ回路４１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子４１ａを端子４１ｃ及び４１ｄの一方に接続し、端子４１ｂを端子４１ｃ及び４１ｄの他方に接続することができる。つまり、スイッチ回路４１は、アンテナ接続端子１０１をフィルタ回路３１及び３２の一方に接続し、アンテナ接続端子１０２をフィルタ回路３１及び３２の他方に接続することができる。

　スイッチ回路４１は、例えばＤＰＤＴ（Double Pole Double Throw）型のスイッチ回路で構成される。このとき、例えば、スイッチ回路４１内において、端子４１ａは、端子４１ｃ及び４１ｄに接続可能に構成され、端子４１ｂに接続不可能に構成される。また、スイッチ回路４１内において、端子４１ｂは、端子４１ｃ及び４１ｄに接続可能に構成され、端子４１ａに接続不可能に構成される。また、スイッチ回路４１内において、端子４１ｃは、端子４１ａ及び４１ｂに接続可能に構成され、端子４１ｄに接続不可能に構成される。また、スイッチ回路４１内において、端子４１ｄは、端子４１ａ及び４１ｂに接続可能に構成され、端子４１ｃに接続不可能に構成される。

　［５．２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１Ｅは、セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路６と、セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路７と、を備え、第１伝送回路６は、アンテナ接続端子１０１に接続され、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１と、フィルタ回路３１に接続される低雑音増幅回路２１と、を有し、第２伝送回路７は、アンテナ接続端子１０２に接続され、セルラー受信バンド及びセルラー受信バンドに対応するセルラー送信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３２と、フィルタ回路３２に接続される電力増幅回路１１と、フィルタ回路３２に接続される低雑音増幅回路２２と、を有する。

　これによれば、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有するフィルタ回路３１がアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー受信バンドと衛星受信バンドとで１つのアンテナを共用することができる。したがって、セルラー受信バンドのための回路と衛星受信バンドのための回路とを１つのモジュール基板１０９１又は１０９３に実装することが容易となり、通信装置５Ｅの小型化に貢献することができる。また、衛星受信バンドのためのフィルタ回路３１は、セルラー送信バンドのためのフィルタ回路３２が接続されるアンテナ接続端子１０２と異なるアンテナ接続端子１０１に接続されるので、セルラー送信信号が衛星受信信号に干渉することを抑制し、衛星システムにおける受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波回路１Ｅは、さらに、アンテナ接続端子１０１に接続される端子４１ａ、アンテナ接続端子１０２に接続される端子４１ｂ、フィルタ回路３１に接続される端子４１ｃ及びフィルタ回路３２に接続される端子４１ｄを有するスイッチ回路４１を備えてもよい。

　これによれば、セルラー通信システムの送受信に用いるアンテナとセルラー通信システム及び衛星システムの受信に用いるアンテナとを互いに切り替えることができる。したがって、送信信号の品質の向上と受信感度の向上とを図ることができる。

　なお、本実施の形態では、スイッチ回路４１が、実施の形態１に係る高周波回路１に含まれる例について説明したが、スイッチ回路４１は、実施の形態２～４に係る高周波回路１Ａ～１Ｄに含まれてもよい。

　また、スイッチ回路４１は、通信装置５Ａ～５Ｅ内の高周波回路１Ａ～１Ｅ外に含まれてもよい。この場合、スイッチ回路４１は、アンテナ２ａ及び２ｂと高周波回路１との間に接続されてもよい。具体的には、スイッチ回路４１の端子４１ａ及び４１ｂはアンテナ２ａ及び２ｂに接続され、スイッチ回路４１の端子４１ｃ及び４１ｄはアンテナ接続端子１０１及び１０２に接続されてもよい。このようなスイッチ回路４１は、マザー基板上に実装されてもよい。

　（他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波回路及び通信装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波回路は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波回路を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記各実施の形態に係る高周波回路の回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、各実施の形態において、低雑音増幅回路とフィルタ回路との間、及び／又は、電力増幅回路とフィルタ回路との間に、インピーダンス整合回路が挿入されてもよい。

　また例えば、上記各実施の形態において、第１伝送回路は送信経路を有していないが、第１伝送回路は１以上の送信経路を有してもよい。つまり、上記各実施の形態における高周波回路において、第１伝送回路は、アンテナ接続端子１０１を介して入力された受信信号を伝送する１以上の受信経路と、アンテナ接続端子１０１を介して出力する送信信号を伝送する１以上の送信経路と、を有し、１以上の受信経路のそれぞれは、受信バンドを含む通過帯域を有する１つの受信フィルタを有し、１以上の送信経路のそれぞれは、送信バンドを含む通過帯域を有する１つの送信フィルタを有し、１以上の受信経路の数は、１以上の送信経路の数よりも多くてもよい。

　これによれば、衛星システムの受信に対応する第１伝送回路に含まれる送信経路を少なくすることができるので、衛星システムの受信感度を向上させることができる。このとき、例えばダイバーシティアンテナによる信号の受信のための受信回路（ダイバーシティモジュール）に第１伝送回路を適用することができる。

　なお、上記実施の形態１などでは、セルラー送信バンドとしてアップリンク動作バンドが用いられ、セルラー受信バンドとしてダウンリンク動作バンドが用いられていたが、これに限定されない。例えば、通信装置が基地局として用いられる場合には、セルラー送信バンドとしてダウンリンク動作バンドが用いられ、セルラー受信バンドとしてアップリンク動作バンドが用いられてもよい。

　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ　高周波回路
　２ａ、２ｂ　アンテナ
　３　ＲＦＩＣ
　４　ＢＢＩＣ
　５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ、５Ｅ　通信装置
　６、６Ａ、６Ｂ　第１伝送回路
　７、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ　第２伝送回路
　１１、１１Ｄ　電力増幅回路
　２１、２１Ａ、２２　低雑音増幅回路
　３１、３１Ａ、３１Ｂ、３２、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｄ　フィルタ回路
　４１　スイッチ回路
　１０１、１０２　アンテナ接続端子
　１０３、１０４、１０５　出力端子
　１０６、１０７　入力端子
　１１１、１１２　電力増幅器
　２１１、２１２、２１３、２２１　低雑音増幅器
　２１４　スプリッタ
　３１１、３１２、３１４、３１５、３２１、３２２、３２３、３２５、３２６、３２８
　フィルタ
　３１３、３２４、３２７、３２９　スイッチ
　１００１、１００２、１００３　高周波モジュール
　１０９１、１０９２、１０９３　モジュール基板
　１０９１ａ、１０９１ｂ　主面
　１０９４　樹脂部材
　１０９５　シールド電極層
　１０９６　ランド電極
　１３１０　圧電基板
　１３１１、１３１２　ＩＤＴ電極
　１３１３　バンプ電極

Claims (18)

1. 　セルラー通信システム及び衛星システムの受信に対応する第１伝送回路と、
   　前記セルラー通信システムの送信及び受信に対応する第２伝送回路と、を備え、
   　前記第１伝送回路は、
   　第１アンテナ接続端子に接続され、セルラー受信バンド及び衛星受信バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタ回路と、
   　前記第１フィルタ回路に接続される第１低雑音増幅回路と、を含み、
   　前記第２伝送回路は、
   　第２アンテナ接続端子に接続され、前記セルラー受信バンド及び前記セルラー受信バンドに対応するセルラー送信バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタ回路と、
   　前記第２フィルタ回路に接続される電力増幅回路と、
   　前記第２フィルタ回路に接続される第２低雑音増幅回路と、を含む、
   　高周波回路。
2. 　前記第１伝送回路は、
   　前記第１アンテナ接続端子を介して入力された受信信号を伝送する１以上の受信経路と、
   　前記第１アンテナ接続端子を介して出力する送信信号を伝送する１以上の送信経路と、を有し、
   　前記１以上の受信経路のそれぞれは、受信バンドを含む通過帯域を有する１つの受信フィルタを有し、
   　前記１以上の送信経路のそれぞれは、送信バンドを含む通過帯域を有する１つの送信フィルタを有し、
   　前記１以上の受信経路の数は、前記１以上の送信経路の数よりも多い、
   　請求項１に記載の高周波回路。
3. 　前記第１伝送回路は、前記第１アンテナ接続端子を介して入力された受信信号を伝送する１以上の受信経路を有し、前記第１アンテナ接続端子を介して出力する送信信号を伝送する送信経路を有さない、
   　請求項１に記載の高周波回路。
4. 　前記第１フィルタ回路は、
   　前記第１アンテナ接続端子に接続される第１スイッチと、
   　前記第１スイッチを介して前記第１アンテナ接続端子に接続され、前記セルラー受信バンドを含む通過帯域を有する第１受信フィルタと、
   　前記第１スイッチを介して前記第１アンテナ接続端子に接続され、前記衛星受信バンドを含む通過帯域を有する第２受信フィルタと、を含む、
   　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
5. 　前記第１受信フィルタ及び前記第２受信フィルタの各々は、弾性波フィルタであり、
   　前記第１受信フィルタ及び前記第２受信フィルタは、同一の圧電基板に実装されている、
   　請求項４に記載の高周波回路。
6. 　前記第１フィルタ回路は、前記セルラー受信バンド及び前記衛星受信バンドを含む通過帯域を有する第３受信フィルタを含む、
   　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波回路。
7. 　前記第１低雑音増幅回路は、
   　前記第３受信フィルタに接続された低雑音増幅器と、
   　前記低雑音増幅器の出力端子に接続された電力分配器と、を含む、
   　請求項６に記載の高周波回路。
8. 　前記セルラー受信バンド及び前記衛星受信バンドの組み合わせは、ＬＴＥ（Long Term Evolution）のためのＢａｎｄ２４又は５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）のためのｎ２４、ｎ２０１若しくはｎ２５５のダウンリンク動作バンドとＧＰＳ（Global Positioning System）又はＧＬＯＮＡＳＳ（Global Navigation Satellite System）のためのＬ１バンドとの組み合わせ、又は、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１又は５ＧＮＲのためのｎ４１とグローバルスターのためのダウンリンク動作バンド又は５ＧＮＲのためのｎ２０１のダウンリンク動作バンドとの組み合わせである、
   　請求項６又は７に記載の高周波回路。
9. 　前記セルラー送信バンド及び前記セルラー受信バンドは、同一の周波数分割複信バンドに含まれるアップリンク動作バンド及びダウンリンク動作バンドである、
   　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波回路。
10. 　前記衛星受信バンドは、前記セルラー送信バンドと前記セルラー受信バンドとの間のギャップに含まれる、
    　請求項９に記載の高周波回路。
11. 　前記第２フィルタ回路は、
    　前記第２アンテナ接続端子に接続され、前記セルラー送信バンドを含む通過帯域を有する第１送信フィルタと、
    　前記第２アンテナ接続端子に接続され、前記セルラー受信バンドを含む通過帯域を有する第４受信フィルタと、を含み、
    　前記電力増幅回路は、前記第１送信フィルタに接続され、
    　前記第２低雑音増幅回路は、前記第４受信フィルタに接続される、
    　請求項９又は１０に記載の高周波回路。
12. 　前記セルラー送信バンド及び前記セルラー受信バンドは、同一の時分割複信バンドに含まれる同一の周波数バンドである、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波回路。
13. 　前記第２フィルタ回路は、
    　前記時分割複信バンドを含む通過帯域を有する送受信フィルタと、
    　前記送受信フィルタに接続される第２スイッチと、を含み、
    　前記電力増幅回路は、前記第２スイッチを介して前記送受信フィルタに接続され、
    　前記第２低雑音増幅回路は、前記第２スイッチを介して前記送受信フィルタに接続される、
    　請求項１２に記載の高周波回路。
14. 　前記第２フィルタ回路は、
    　前記第２アンテナ接続端子に接続される第３スイッチと、
    　前記第３スイッチを介して前記第２アンテナ接続端子に接続され、前記時分割複信バンドを含む通過帯域を有する第２送信フィルタと、
    　前記第３スイッチを介して前記第２アンテナ接続端子に接続され、前記時分割複信バンドを含む通過帯域を有する第５受信フィルタと、を含み、
    　前記電力増幅回路は、前記第２送信フィルタに接続され、
    　前記第２低雑音増幅回路は、前記第５受信フィルタに接続される、
    　請求項１２に記載の高周波回路。
15. 　前記第２伝送回路は、さらに、前記衛星システムの送信に対応し、
    　前記第２フィルタ回路は、さらに、前記衛星受信バンドに対応する衛星送信バンドを含む通過帯域を有する第３送信フィルタを含み、
    　前記電力増幅回路は、さらに、前記第３送信フィルタに接続される、
    　請求項１１、１３又は１４に記載の高周波回路。
16. 　前記高周波回路は、さらに、前記第１アンテナ接続端子に接続される端子、前記第２アンテナ接続端子に接続される端子、前記第１フィルタ回路に接続される端子及び前記第２フィルタ回路に接続される端子を有するスイッチ回路を備える、
    　請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波回路。
17. 　前記高周波回路は、さらに、
    　前記第１フィルタ回路及び前記第１低雑音増幅回路が実装された第１モジュール基板と、
    　前記第２フィルタ回路、前記電力増幅回路及び前記第２低雑音増幅回路が実装された第２モジュール基板と、を備える、
    　請求項１～１６のいずれか１項に記載の高周波回路。
18. 　前記高周波回路は、さらに、前記第１フィルタ回路、前記第２フィルタ回路、前記電力増幅回路、前記第１低雑音増幅回路、及び、前記第２低雑音増幅回路が実装されたモジュール基板を備える、
    　請求項１～１６のいずれか１項に記載の高周波回路。

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