CN215912093U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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三浦正也
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

提供一种高频模块和通信装置，能够在同一TDD用通信频段内的多个接收信号的同时接收中提高接收灵敏度。高频模块具备：模块基板，具有相向的主面(91a及91b)；滤波器(61)，具有包含TDD用通信频段(A)的通带；开关，与滤波器(61)连接；功率放大器，配置于主面(91a)，经由开关与滤波器(61)连接；低噪声放大器(21)，配置于主面(91b)，经由开关与滤波器(61)连接；滤波器(62A)，具有包含通信频段(A)的通带；低噪声放大器(22)，配置于主面(91b)，与滤波器(62A)连接；多个柱电极，配置于主面(91b)；第一导电构件，配置于主面(91b)上的低噪声放大器(21)及(22)之间。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在5GNR(5th Generation New Radio：5G新空口)中，能够利用具有更宽的带宽的时分双工(TDD)用的通信频段(以下也仅称为TDD频段)，正在研究这种宽带的TDD频段的高效利用。例如，正在研究在宽带的TDD频段内同时使用多个分量载波(CC：ComponentCarrier)来进行通信(Intra-band Carrier Aggregation)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2017-527155号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在以往的高频模块中，在同一TDD用的通信频段内的多个接收信号的同时接收中，有时多个接收信号发生干扰，接收灵敏度下降。
因此，本实用新型提供一种能够在同一TDD用的通信频段内的多个接收信号的同时接收中抑制多个接收信号之间的干扰从而提高接收灵敏度的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一滤波器，其具有包含时分双工(TDD)用的第一通信频段的通带；第一开关，其与所述第一滤波器连接；第一功率放大器，其配置于所述第一主面，经由所述第一开关来与所述第一滤波器连接；第一低噪声放大器，其配置于所述第二主面，经由所述第一开关来与所述第一滤波器连接；第二滤波器，其具有包含所述第一通信频段的通带；第二低噪声放大器，其配置于所述第二主面，与所述第二滤波器连接；多个外部连接端子，所述多个外部连接端子配置于所述第二主面；以及第一导电构件，其配置于所述第二主面上且配置于所述第一低噪声放大器与所述第二低噪声放大器之间。
优选地，所述第一滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第二滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
优选地，所述第二滤波器配置于所述第一主面，在俯视所述模块基板时，所述第二滤波器与所述第二低噪声放大器重叠。
优选地，所述第一滤波器由LC滤波器构成。
优选地，所述第二滤波器由声表面波滤波器构成。
优选地，所述高频模块还具备：第三滤波器，其具有包含与所述第一通信频段不同的时分双工用的第二通信频段的通带；第二开关，其与所述第三滤波器连接；第二功率放大器，其配置于所述第一主面，经由所述第二开关来与所述第三滤波器连接；第三低噪声放大器，其配置于所述第二主面，经由所述第二开关来与所述第三滤波器连接；第四滤波器，其具有包含所述第二通信频段的通带；第四低噪声放大器，其配置于所述第二主面，与所述第四滤波器连接；第三开关，其与第一天线连接端子及第二天线连接端子连接；以及第二导电构件，其配置于所述第二主面上且配置于所述第三低噪声放大器与所述第四低噪声放大器之间，其中，所述第一滤波器、所述第二滤波器、所述第三滤波器及所述第四滤波器经由所述第三开关来与所述第一天线连接端子及所述第二天线连接端子连接。
优选地，所述第二滤波器与所述第四滤波器作为多工器而形成为1个芯片，所述第三开关具有：分别与所述第一天线连接端子及所述第二天线连接端子连接的第一端子及第二端子；分别与所述第一滤波器及所述第三滤波器连接的第三端子及第四端子；以及与所述多工器连接的第五端子。
优选地，所述多工器由声表面波滤波器构成。
优选地，所述第三滤波器由LC滤波器构成。
优选地，所述第三滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第四滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
优选地，所述第四滤波器配置于所述第一主面，在俯视所述模块基板时，所述第四滤波器与所述第四低噪声放大器重叠。
优选地，所述第二滤波器配置于所述第一主面，在俯视所述模块基板时，所述第二滤波器与所述第三开关重叠。
优选地，所述第四滤波器配置于所述第一主面，在俯视所述模块基板时，所述第四滤波器与所述第三开关重叠。
优选地，所述第一通信频段是用于5G新空口即5GNR的频段n77，所述第二通信频段是用于5GNR的频段n79。
本实用新型的另一个方式所涉及的通信装置备：信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输所述高频信号。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够在同一TDD用的通信频段内的多个接收信号的同时接收中抑制多个接收信号之间的干扰从而提高接收灵敏度。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2A是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图2B是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
图4是表示实施方式1所涉及的高频模块中的通信频段A的信号的流动的图。
图5是表示实施方式1所涉及的高频模块中的通信频段B的信号的流动的图。
图6是实施方式2所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图7是实施方式3所涉及的高频模块的截面图。
附图标记说明
1、1A、1B：高频模块；2A、2B、2C、2D：天线；3：RFIC；4：BBIC；5、5A：通信装置；11、12：功率放大器；21、22、23、24、221、222、223、241、242、243：低噪声放大器；51、52、53、53A：开关；62、621、622、623：多工器；61、62A、62B、63、621A、621B、622A、622B、623A、623B：滤波器；81：控制电路；82：电源电路；91：模块基板；91a、91b：主面；92、93：树脂构件；94：地电极图案；95：屏蔽电极层；101、102、103、104：天线连接端子；111、112：高频输入端子；121、122、123、124、1221、1222、1223、1241、1242、1243：高频输出端子；150、150G：柱电极；160、160G：凸块电极。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。
此外，各图是为了表示本实用新型而适当进行了强调、省略、或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系以及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
在下面的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，z轴的正方向表示上方向，z轴的负方向表示下方向。
另外，在本公开的电路结构中，“连接”不仅包括利用连接端子和/或布线导体直接连接的情况，也包括经由其它电路元件来电连接的情况。另外，“连接于A与B之间”表示在A与B之间与A及B这两方连接。
另外，在本公开的模块结构中，“俯视模块基板”表示从z轴正侧将物体正投影到xy平面来进行观察。“在俯视模块基板时，A与B重叠”表示：正投影到xy平面的A的区域中的至少一部分与正投影到xy平面的B的区域中的至少一部分重叠。“部件配置于基板的主面”除了包括部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上的情况以下，还包括以下情况：部件以不与主面接触的方式配置于主面的上方；以及部件的一部分从主面侧埋入基板内地配置。“A配置于B与C之间”表示：将B内的任意的点与C内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段通过A。另外，“平行”和“垂直”等表示要素之间的关系性的用语表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的误差，而不是仅表示严格的含义。
(实施方式1)
[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]
参照图1来说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。图1是实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
[1.1.1通信装置5的电路结构]
首先，说明通信装置5的电路结构。如图1所示，本实施方式所涉及的通信装置5具备高频模块1、天线2A及2B、RFIC 3以及BBIC 4。
高频模块1在天线2A及2B与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1的详细电路结构在后面叙述。
天线2A及2B与高频模块1的天线连接端子101及102分别连接，发送从高频模块1输出的高频信号，另外，从外部接收高频信号后输出到高频模块1。
RFIC 3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC3对经由高频模块1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送路径。另外，RFIC3具有对高频模块1所具有的开关和放大器等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以安装于RFIC 3的外部，例如也可以安装于BBIC 4或高频模块1。
BBIC 4是使用频率比由高频模块1传输的高频信号低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC 4处理的信号，例如使用图像信号以显示图像和/或使用声音信号以借助扬声器进行通话。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2A及2B以及BBIC 4不是必需的结构要素。
[1.1.2高频模块1的电路结构]
接着，说明高频模块1的电路结构。如图1所示，高频模块1具备功率放大器11及12、低噪声放大器21～24、开关51～53、滤波器61、62A、62B及63、控制电路81、电源电路82、天线连接端子101及102、高频输入端子111及112、以及高频输出端子121～124。
天线连接端子101及102与天线2A及2B分别连接。
高频输入端子111及112是用于从高频模块1的外部接收高频发送信号的端子。具体地说，高频输入端子111是用于从RFIC 3接收TDD用的通信频段A的发送信号的端子。另外，高频输入端子112是用于从RFIC 3接收TDD用的通信频段B的发送信号的端子。
通信频段是指由标准化机构等(例如3GPP(3rd Generation PartnershipProject：第三代合作伙伴计划)、IEEE(Institute of Electrical and ElectronicsEngineers：电气电子工程师学会)等)为通信系统预先定义的频段。通信系统表示使用无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信系统。作为通信系统，例如能够使用5GNR系统、LTE(Long Term Evolution：长期演进)系统以及WLAN(Wireless Local AreaNetwork：无线局域网)系统等，但是不限定于此。
通信频段A及B分别是第一通信频段和第二通信频段的一例。在本实施方式中，作为通信频段A，使用用于5GNR的频段n77，作为通信频段B，使用用于5GNR的频段n79。此外，通信频段A及B的组合不限定于频段n77及n79的组合。例如，作为通信频段A，也可以使用频段n78来代替频段n77。另外，通信频段A及B也可以是用于互不相同的通信系统的通信频段。例如，作为通信频段A及B，也可以使用用于5GNR、LTE以及WLAN的频段中的任意2个频段的组合。另外，作为通信频段A和/或B，也可以使用7千兆赫兹以上的毫米波带。
高频输出端子121～124是用于向高频模块1的外部提供高频接收信号的端子。具体地说，高频输出端子121及122是用于向RFIC 3提供通信频段A的接收信号的端子。另外，高频输出端子123及124是用于向RFIC 3提供通信频段B的接收信号的端子。
功率放大器11是第一功率放大器的一例，经由开关51来与滤波器61连接。功率放大器11能够将利用高频输入端子111接收到的通信频段A的发送信号放大后传输到滤波器61。
功率放大器12是第二功率放大器的一例，经由开关52来与滤波器63连接。功率放大器12能够将利用高频输入端子112接收到的通信频段B的发送信号放大后传输到滤波器63。
作为功率放大器11和功率放大器12中的各功率放大器，例如能够使用多级放大器和/或差动放大器等，但是不限定于此。
低噪声放大器21是第一低噪声放大器的一例，经由开关51来与滤波器61连接。低噪声放大器21能够对从天线连接端子101或102经由开关53、滤波器61以及开关51输入的通信频段A的接收信号进行放大。被低噪声放大器21放大后的通信频段A的接收信号被输出到高频输出端子121。
低噪声放大器22是第二低噪声放大器的一例，与滤波器62A连接。低噪声放大器22能够对从天线连接端子101或102经由开关53和滤波器62A输入的通信频段A的接收信号进行放大。被低噪声放大器22放大后的通信频段A的接收信号被输出到高频输出端子122。
低噪声放大器23是第三低噪声放大器的一例，经由开关52来与滤波器63连接。低噪声放大器23能够对从天线连接端子101或102经由开关53、滤波器63以及开关52输入的通信频段B的接收信号进行放大。被低噪声放大器23放大后的通信频段B的接收信号被输出到高频输出端子123。
低噪声放大器24是第四低噪声放大器的一例，与滤波器62B连接。低噪声放大器24能够对从天线连接端子101或102经由开关53和滤波器62B输入的通信频段B的接收信号进行放大。被低噪声放大器24放大后的通信频段B的接收信号被输出到高频输出端子124。
滤波器61(A-TRx)是第一滤波器的一例，具有包含通信频段A的通带。由此，滤波器61能够使通信频段A的发送信号和接收信号通过，使不与通信频段A重叠的其它通信频段的发送信号和接收信号衰减。具体地说，滤波器61具有2个输入输出端子。在滤波器61中，2个输入输出端子中的一方经由开关53来与天线连接端子101或102连接，2个输入输出端子中的另一方经由开关51来与功率放大器11或低噪声放大器21连接。
滤波器62A(A-Rx)是第二滤波器的一例，具有包含通信频段A的通带。由此，滤波器62A能够使通信频段A的接收信号通过，使不与通信频段A重叠的其它通信频段的接收信号衰减。具体地说，滤波器62A具有输入端子和输出端子。在滤波器62A中，输入端子经由开关53来与天线连接端子101或102连接，输出端子与低噪声放大器22连接。
滤波器62B(B-Rx)是第四滤波器的一例，具有包含通信频段B的通带。由此，滤波器62B能够使通信频段B的接收信号通过，使不与通信频段B重叠的其它通信频段的接收信号衰减。具体地说，滤波器62B具有输入端子和输出端子。在滤波器62B中，输入端子经由开关53来与天线连接端子101或102连接，输出端子与低噪声放大器24连接。
滤波器63(B-TRx)是第三滤波器的一例，具有包含通信频段B的通带。由此，滤波器63能够使通信频段B的发送信号和接收信号通过，使不与通信频段B重叠的其它通信频段的发送信号和接收信号衰减。具体地说，滤波器63具有2个输入输出端子。在滤波器63中，2个输入输出端子中的一方经由开关53来与天线连接端子101或102连接，2个输入输出端子中的另一方经由开关52来与功率放大器12或低噪声放大器23连接。
滤波器62A及62B构成多工器62，形成为1个芯片。也就是说，滤波器62A及62B捆绑在一起来与开关53的1个端子连接。
开关51是第一开关的一例，连接于滤波器61与功率放大器11及低噪声放大器21之间。具体地说，开关51具有端子511～513。端子511与滤波器61连接。端子512及513与功率放大器11及低噪声放大器21分别连接。
在该连接结构中，开关51例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子511与端子512及513中的任一者连接。也就是说，开关51能够在将滤波器61与功率放大器11连接以及将滤波器61与低噪声放大器21连接之间进行切换。开关51例如由SPDT(Single PoleDouble Throw：单刀双掷)型的开关电路构成，也有时被称为TDD开关。
开关52是第二开关的一例，连接于滤波器63与功率放大器12及低噪声放大器23之间。具体地说，开关52具有端子521～523。端子521与滤波器63连接。端子522及523与功率放大器12及低噪声放大器23分别连接。
在该连接结构中，开关52例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子521与端子522及523中的任一者连接。也就是说，开关52能够在将滤波器63与功率放大器12连接以及将滤波器63与低噪声放大器23连接之间进行切换。开关52例如由SPDT型的开关电路构成，也有时被称为TDD开关。
开关53是第三开关的一例，连接于天线连接端子101及102与滤波器61、62A、62B及63之间。具体地说，开关53具有端子531～535。端子531及532分别与天线连接端子101及102连接。端子533与滤波器61连接。端子534与多工器62(也就是说，滤波器62A及62B)连接。端子535与滤波器63连接。
在该连接结构中，开关53例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子531及532与端子533～535中的不同的2个端子分别连接。也就是说，开关53能够对天线2A及2B与滤波器61、多工器62及滤波器63的连接和非连接进行切换。开关53例如由多连接型的开关电路构成，也有时被称为天线开关。
控制电路81从RFIC 3接收MIPI(Mobile Industry Processor Interface：移动产业处理器接口)和GPIO(General Purpose I/O：通用型输入输出)等数字控制信号，对功率放大器11及12、低噪声放大器21～24、以及开关51～53中的至少一者进行控制。
电源电路82向功率放大器11及12、低噪声放大器21～24、以及开关51～53中的至少一者供给电力。
此外，也可以是，图1中示出的电路元件中的几个不包括在高频模块1中。例如，高频模块1只要至少具备功率放大器11、低噪声放大器21、开关51以及滤波器61及62A即可，可以不具备其它电路元件。
[1.2高频模块1的部件配置]
接着，参照图2A～图3来具体说明如以上那样构成的高频模块1的部件配置。
图2A和图2B是实施方式1所涉及的高频模块1的俯视图。具体地说，图2A表示从z轴正侧观察模块基板91的主面91a而得到的图。另外，图2B是从z轴正侧透视模块基板91的主面91b而得到的图。图3是实施方式1所涉及的高频模块1的截面图。图3中的高频模块1的截面是图2A和图2B的iii-iii线处的截面。此外，在图2A～图3中，仅记载了模块基板91上和模块基板91内的布线和导体的一部分。
如图2A～图3所示，高频模块1除了具备构成图1中示出的电路的电路部件以外，还具备模块基板91、树脂构件92及93、屏蔽电极层95以及多个柱电极150。此外，在图2A和图2B中，省略了树脂构件92及93以及屏蔽电极层95的记载。
模块基板91具有彼此相向的主面91a和主面91b。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-firedCeramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC：High Temperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重新布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷电路板等，但是不限定于它们。在模块基板91内形成有地电极图案94。
主面91a是第一主面的一例，有时被称为上表面或表面。如图2A和图3所示，在主面91a配置有功率放大器11及12、多工器62、控制电路81、电源电路82以及树脂构件92。
作为多工器62(也就是说，滤波器62A及62B)，例如使用声表面波滤波器。此外，多工器62不限定于声表面波滤波器。例如，作为多工器62，也可以使用利用了BAW(BulkAcoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC滤波器、电介质滤波器以及分布常数型滤波器，并且不限定于它们。
树脂构件92覆盖主面91a上的电路部件。树脂构件92具有确保主面91a上的部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。
主面91b是第二主面的一例，有时被称为下表面或背面。如图2B和图3所示，在主面91b配置有低噪声放大器21～24、开关51～53、滤波器61及63、树脂构件93以及多个柱电极150。
作为滤波器61及63，例如使用LC滤波器。LC滤波器例如由表面安装部件(SMD)或集成型无源器件(IPD：Integrated Passive Device)构成。此外，滤波器61及63不限定于LC滤波器。例如，作为滤波器61及63，也可以使用声表面波滤波器、利用了BAW的弹性波滤波器、电介质滤波器以及分布常数型滤波器，并且不限定于它们。
树脂构件93覆盖主面91b上的电路部件。树脂构件93具有确保主面91b上的部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。
屏蔽电极层95是例如通过溅射法形成的金属薄膜，形成为覆盖树脂构件92的上表面及侧表面以及模块基板91及树脂构件93的侧表面。屏蔽电极层95被设定为地电位，抑制外来噪声对构成高频模块1的电路部件的侵入。
多个柱电极150构成包括图1中的天线连接端子101及102、高频输入端子111及112、高频输出端子121～124、以及地端子(未图示)在内的多个外部连接端子。多个柱电极150分别配置于模块基板91的主面91b，从主面91b垂直地延伸。另外，多个柱电极150分别贯通树脂构件93，各自的一端从树脂构件93暴露出来。多个柱电极150的从树脂构件93露出的一端与在高频模块1的z轴负方向配置的主板上的输入输出端子和/或地电极等连接。
多个柱电极150包括被设定为地电位的柱电极150G。在此，柱电极150G中的至少1个是第一导电构件的一例，配置于低噪声放大器21及22之间。柱电极150G中的另外的至少1个是第二导电构件的一例，配置于低噪声放大器23及24之间。
在俯视模块基板91时，滤波器62A与低噪声放大器22重叠。由此，滤波器62A与低噪声放大器22例如能够经由模块基板91内的通路导体来相互连接，能够缩短低噪声放大器22与滤波器62A之间的布线长度。
另外，在俯视模块基板91时，滤波器62B与低噪声放大器24重叠。由此，滤波器62B与低噪声放大器24例如能够经由模块基板91内的通路导体来相互连接，能够缩短低噪声放大器24与滤波器62B之间的布线长度。
并且，在俯视模块基板91时，滤波器62A及62B中的各滤波器与开关53重叠。由此，能够将滤波器62A及62B与开关53例如经由模块基板91内的通路导体进行连接，能够缩短滤波器62A及62B与开关53之间的布线长度。
此外，在俯视模块基板91时，滤波器62A也可以不与低噪声放大器22重叠，滤波器62B也可以不与低噪声放大器24重叠。并且，在俯视模块基板91时，滤波器62A及62B中的各滤波器也可以不与开关53重叠。
此外，图2A～图3的部件配置是一个例子，不限定于此。例如，也可以是，滤波器61配置于主面91a，滤波器62A配置于主面91b。另外，例如，滤波器61及62A也可以配置于模块基板91的相同的主面(主面91a或91b)。并且，滤波器63及62B的配置也与滤波器61及62A的配置同样地，不限定于图2A～图3的配置。
[1.3信号的流动]
接着，参照图4和图5来说明如以上那样构成的高频模块1中的信号的流动。图4是表示实施方式1所涉及的高频模块1中的通信频段A的信号的流动的电路图。图5是表示实施方式1所涉及的高频模块1中的通信频段B的信号的流动的电路图。在图4和图5中，用虚线箭头表示信号的流动。
在图4中，实现了通信频段A的1个上行链路和2个下行链路。具体地说，通信频段A的发送信号从RFIC 3经由高频输入端子111、功率放大器11、开关51、滤波器61、开关53以及天线连接端子101被传输到天线2A。另外，通信频段A的接收信号从天线2A经由天线连接端子101、开关53、滤波器61、开关51、低噪声放大器21以及高频输出端子121被传输到RFIC 3。此时，通过开关51来排他地切换通信频段A的发送信号和接收信号的传输。并且，通信频段A的接收信号从天线2B经由天线连接端子102、开关53、滤波器62A、低噪声放大器22以及高频输出端子122被传输到RFIC 3。
在图5中，实现了通信频段B的1个上行链路和2个下行链路。具体地说，通信频段B的发送信号从RFIC 3经由高频输入端子112、功率放大器12、开关52、滤波器63、开关53以及天线连接端子102被传输到天线2B。另外，通信频段B的接收信号从天线2B经由天线连接端子102、开关53、滤波器63、开关52、低噪声放大器23以及高频输出端子123被传输到RFIC 3。此时，通过开关52来排他地切换通信频段B的发送信号和接收信号的传输。并且，通信频段B的接收信号从天线2A经由天线连接端子101、开关53、滤波器62B、低噪声放大器24以及高频输出端子124被传输到RFIC 3。
[1.4效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；滤波器61，其具有包含TDD用的通信频段A的通带；开关51，其与滤波器61连接；功率放大器11，其配置于主面91a，经由开关51来与滤波器61连接；低噪声放大器21，其配置于主面91b，经由开关51来与滤波器61连接；滤波器62A，其具有包含通信频段A的通带；低噪声放大器22，其配置于主面91b，与滤波器62A连接；多个柱电极150，该多个柱电极150配置于主面91b；以及第一导电构件，其配置于主面91b上且配置于低噪声放大器21及22之间。
据此，能够在2个低噪声放大器21及22之间配置第一导电构件。因而，能够抑制分别进行通信频段A的2个接收信号的放大的2个低噪声放大器21及22的磁场耦合、电场耦合或电磁场耦合，能够提高2个低噪声放大器21及22之间的隔离度。其结果，高频模块1能够在通信频段A内的2个接收信号的同时接收中抑制2个接收信号之间的干扰从而提高接收灵敏度。若是在同一TDD用的通信频段内同时接收的2个接收信号，则难以通过滤波器等仅去除一方的接收信号。因此，像这样在2个低噪声放大器21及22之间配置第一导电构件对于接收灵敏度的提高是有效的。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器61配置于主面91a及91b中的一方，滤波器62A配置于主面91a及91b中的另一方。
据此，2个滤波器61及62A配置于模块基板91的彼此相反的面。因而，能够抑制分别进行通信频段A的2个接收信号的传输的2个滤波器61及62A的磁场耦合、电场耦合或电磁场耦合，能够提高2个滤波器61及62A之间的隔离度。其结果，高频模块1能够在通信频段A内的2个接收信号的同时接收中抑制2个接收信号之间的干扰从而提高接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器62A配置于主面91a，在俯视模块基板91时，滤波器62A与低噪声放大器22重叠。
据此，能够将滤波器62A与低噪声放大器22以将模块基板91夹在中间的方式重叠地配置。因而，能够缩短滤波器62A与低噪声放大器22之间的布线长度，能够减少布线损耗和布线的偏差所引起的失配损耗。其结果，高频模块1能够进一步提高通信频段A的接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器61由LC滤波器构成。
据此，高频模块1能够将LC滤波器用作用于通信频段A的发送和接收这两方的滤波器61。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器62A由声表面波滤波器构成。
据此，高频模块1能够将声表面波滤波器用作用于通信频段A的接收的滤波器62A。
另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1也可以还具备：滤波器63，具有包含与通信频段A不同的TDD用的通信频段B的通带；开关52，其与滤波器63连接；功率放大器12，其配置于主面91a，经由开关52来与滤波器63连接；低噪声放大器23，其配置于主面91b，经由开关52来与滤波器63连接；滤波器62B，其具有包含通信频段B的通带；低噪声放大器24，其配置于主面91b，与滤波器62B连接；开关53，其与天线连接端子101及102连接；以及第二导电构件，其配置于主面91b上且配置于低噪声放大器23与低噪声放大器24之间，也可以是，滤波器61、62A、62B及63经由开关53来与天线连接端子101及102连接。
据此，能够在2个低噪声放大器23及24之间配置第二导电构件。因而，能够抑制分别进行通信频段B的2个接收信号的放大的2个低噪声放大器23及24的磁场耦合、电场耦合或电磁场耦合，能够提高2个低噪声放大器23及24之间的隔离度。其结果，与通信频段A同样地，高频模块1能够在通信频段B内的2个接收信号的同时接收中抑制2个接收信号之间的干扰从而提高接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器62A及62B作为多工器62而形成为1个芯片，开关53具有：分别与天线连接端子101及102连接的端子531及532；分别与滤波器61及63连接的端子533及535；以及与多工器62连接的端子534。
据此，能够将滤波器62A及62B作为多工器62形成为1个芯片。因而，与单独地安装滤波器62A及62B的情况相比，能够进一步削减部件数量。并且，通过将多工器62连接于开关53的端子534，能够利用1个端子534连接滤波器62A及62B，能够削减开关53的端子数量。其结果，能够改善开关53的带通特性，能够提高高频模块1的接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，多工器62由声表面波滤波器构成。
据此，高频模块1能够将声表面波滤波器用作用于通信频段A及B的接收的多工器62。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器63由LC滤波器构成。
据此，能够将LC滤波器用作用于通信频段B的发送和接收这两方的滤波器63。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器63配置于主面91a及91b中的一方，滤波器62B配置于主面91a及91b中的另一方。
据此，2个滤波器62B及63配置于模块基板91的彼此相反的面。因而，能够抑制分别进行通信频段B的2个接收信号的传输的2个滤波器62B及63的磁场耦合、电场耦合或电磁场耦合，能够提高2个滤波器62B及63之间的隔离度。其结果，高频模块1能够在通信频段B内的2个接收信号的同时接收中抑制2个接收信号之间的干扰从而提高接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器62B配置于主面91a，在俯视模块基板91时，滤波器62B与低噪声放大器24重叠。
据此，能够将滤波器62B与低噪声放大器24以将模块基板91夹在中间的方式重叠地配置。因而，能够缩短滤波器62B与低噪声放大器24之间的布线长度，能够减少布线损耗和布线的偏差所引起的失配损耗。其结果，高频模块1能够进一步提高通信频段B的接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器62A配置于主面91a，在俯视模块基板91时，滤波器62A与开关53重叠。
据此，能够将滤波器62A与开关53以将模块基板91夹在中间的方式重叠地配置。因而，能够缩短滤波器62A与开关53之间的布线长度，能够减少布线损耗和布线的偏差所引起的失配损耗。其结果，高频模块1能够进一步提高通信频段A的接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，滤波器62B配置于主面91a，在俯视模块基板91时，滤波器62B与开关53重叠。
据此，能够将滤波器62B与开关53以将模块基板91夹在中间的方式重叠地配置。因而，能够缩短滤波器62B与开关53之间的布线长度，能够减少布线损耗和布线的偏差所引起的失配损耗。其结果，高频模块1能够进一步提高通信频段B的接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，通信频段A是用于5GNR的频段n77，通信频段B是用于5GNR的频段n79。
据此，高频模块1能够支持用于5GNR的频段n77和n79各自的1个上行链路和2个下行链路。
另外，本实施方式所涉及的通信装置5具备：RFIC 3，其对高频信号进行处理；高频模块1，其在RFIC 3与天线2A及2B之间传输高频信号。
据此，通信装置5能够起到与高频模块1的上述效果同样的效果。
此外，在本实施方式中，作为第一导电构件和第二导电构件，使用了柱电极150G，但是第一导电构件和第二导电构件不限定于此。例如，也可以是，取代柱电极150G或者除了柱电极150G以外，将配置于模块基板91的主面91b的金属壁等用作第一导电构件和/或第二导电构件。
另外，第一导电构件和第二导电构件不限定于被设定为地电位的地导体(例如柱电极150G)。例如，也可以是，取代地导体或者除了地导体以外，将作为输入输出端子发挥功能的其它柱电极150、控制电路81以及电源电路82中的至少一者用作第一导电构件和/或第二导电构件。在这种情况下，也能够抑制低噪声放大器21及22之间的电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合，从而能够抑制低噪声放大器23及24之间的电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。因而，能够提高2个低噪声放大器21及22之间的隔离度以及2个低噪声放大器23及24之间的隔离度。
此外，在本实施方式中，低噪声放大器21～24、开关51～53、控制电路81以及电源电路82构成为彼此独立的部件，但是不限定于此。也可以是，低噪声放大器21～24、开关51～53、控制电路81以及电源电路82中的几个或全部内置于1以上的半导体集成电路。半导体集成电路是指形成于半导体芯片(也被称为管芯)的表面和内部的电子电路，也被称为半导体部件。半导体集成电路例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成，具体地说，可以通过SOI(Silicon on Insulator：绝缘体上的硅)工艺构成。由此，能够廉价地制造半导体集成电路。此外，半导体集成电路也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。由此，能够实现高质量的半导体集成电路。
也可以是，在低噪声放大器21及22内置于1个半导体集成电路的情况下，在该半导体集成电路内，在低噪声放大器21及22之间配置地导体、控制电路81以及电源电路82中的至少一者。另外同样地，也可以是，在低噪声放大器23及24内置于1个半导体集成电路的情况下，在该半导体集成电路内，在低噪声放大器23及24之间配置地导体、控制电路81以及电源电路82中的至少一者。
此外，在本实施方式中，滤波器62A及62B构成多工器62，形成为1个芯片，但是不限定于此。例如，也可以是，滤波器62A及62B是与开关53的各别的端子连接的各别的滤波器部件。
此外，在本实施方式中，通信装置5和高频模块1支持2个TDD用的通信频段，但是也可以仅支持1个TDD用的通信频段。在该情况下，也可以是，通信装置5和高频模块1具备使用于通信频段A及B中的一方和两方的部件，不具备仅使用于通信频段A及B中的另一方的部件。
(实施方式2)
接着，说明实施方式2。在本实施方式中，主要在以下方面与上述实施方式1不同：高频模块具有用于实现4个下行链路的结构。以与上述实施方式1不同的方面为中心，参照附图来说明本实施方式所涉及的高频模块。
[2.1高频模块1A和通信装置5A的电路结构]
参照图6来说明本实施方式所涉及的高频模块1A和通信装置5A的电路结构。图6是实施方式2所涉及的高频模块1A和通信装置5A的电路结构图。
[2.1.1通信装置5A的电路结构]
首先，说明通信装置5A的电路结构。如图6所示，本实施方式所涉及的通信装置5A具备高频模块1A、天线2A～2D、RFIC 3以及BBIC 4。
高频模块1A在天线2A～2D与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1A的详细电路结构在后面叙述。
天线2A～2D与高频模块1A的天线连接端子101～104分别连接，发送从高频模块1A输出的高频信号，另外，从外部接收高频信号后输出到高频模块1A。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5A中，天线2A～2D和BBIC 4不是必需的结构要素。
[2.1.2高频模块1A的电路结构]
接着，说明高频模块1A的电路结构。如图6所示，高频模块1A具备功率放大器11及12、低噪声放大器21、23、221～223及241～243、开关51、52及53A、滤波器61、63、621A～623A及621B～623B、控制电路81、电源电路82、天线连接端子101～104、高频输入端子111及112、以及高频输出端子121、123、1221～1223及1241～1243。
天线连接端子101～104与天线2A～2D分别连接。
高频输出端子1221～1223及1241～1243是用于向高频模块1A的外部提供高频接收信号的端子。具体地说，高频输出端子1221～1223是用于向RFIC 3供给通信频段A的接收信号的端子。另外，高频输出端子1241～1243是用于向RFIC 3供给通信频段B的接收信号的端子。
低噪声放大器221～223中的各低噪声放大器是第二低噪声放大器的一例。低噪声放大器221～223与滤波器621A～623A分别连接。低噪声放大器221～223能够对从天线连接端子101～104经由开关53A、滤波器621A～623A输入的通信频段A的接收信号进行放大。被低噪声放大器221～223放大后的通信频段A的接收信号被分别输出到高频输出端子1221～1223。
低噪声放大器241～243中的各低噪声放大器是第四低噪声放大器的一例。低噪声放大器241～243与滤波器621B～623B分别连接。低噪声放大器241～243能够对从天线连接端子101～104经由开关53A、滤波器621B～623B输入的通信频段B的接收信号进行放大。被低噪声放大器241～243放大后的通信频段B的接收信号被分别输出到高频输出端子1241～1243。
滤波器621A～623A(A-Rx)中的各滤波器是第二滤波器的一例，具有包含通信频段A的通带。由此，滤波器621A～623A中的各滤波器能够使通信频段A的接收信号通过，使不与通信频段A重叠的其它通信频段的接收信号衰减。
具体地说，滤波器621A～623A中的各滤波器具有输入端子和输出端子。在滤波器621A～623A中的各滤波器中，输入端子经由开关53A来与天线连接端子101～104中的某一个天线连接端子连接，输出端子与低噪声放大器221～223中的对应的1个低噪声放大器连接。
滤波器621B～623B(B-Rx)中的各滤波器是第四滤波器的一例，具有包含通信频段B的通带。由此，滤波器621B～623B中的各滤波器能够使通信频段B的接收信号通过，使不与通信频段B重叠的其它通信频段的接收信号衰减。
具体地说，滤波器621B～623B中的各滤波器具有输入端子和输出端子。在滤波器621B～623B中的各滤波器中，输入端子经由开关53A来与天线连接端子101～104中的某一个天线连接端子连接，输出端子与低噪声放大器241～243中的对应的1个低噪声放大器连接。
滤波器621A及621B构成多工器621，形成为1个芯片。也就是说，滤波器621A及621B捆绑在一起来与开关53A的1个端子连接。
滤波器622A及622B构成多工器622，形成为1个芯片。也就是说，滤波器622A及622B捆绑在一起来与开关53A的1个端子连接。
滤波器623A及623B构成多工器623，形成为1个芯片。也就是说，滤波器623A及623B捆绑在一起来与开关53A的1个端子连接。
开关53A是第三开关的一例，连接于天线连接端子101～104与滤波器61、63、621A～623A及621B～623B之间。具体地说，开关53A具有端子531A～539A。端子531A～534A分别与天线连接端子101～104连接。端子535A与滤波器61连接。端子536A与多工器621(也就是说，滤波器621A及621B)连接。端子537A与多工器622(也就是说，滤波器622A及622B)连接。端子538A与多工器623(也就是说，滤波器623A及623B)连接。端子539A与滤波器63连接。
在该连接结构中，开关53A例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子531A～534A与不同的端子535A～539A连接。也就是说，开关53A能够对天线2A～2D与滤波器61、多工器621～623及滤波器63的连接和非连接进行切换。开关53A例如由多连接型的开关电路构成，也有时被称为天线开关。
[2.2高频模块1A的部件配置]
高频模块1A中包括的各种部件能够以与实施方式1同样的手法配置，因此省略图示，简化说明。
在高频模块1A中，在低噪声放大器21及221～223中的任意的2个低噪声放大器之间配置第一导电构件(例如柱电极150、控制电路81或电源电路82等)。并且，在低噪声放大器23及241～243中的任意的2个低噪声放大器之间配置第二导电构件(例如柱电极150、控制电路81或电源电路82等)。
[2.3效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1A具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；滤波器61，其具有包含TDD用的通信频段A的通带；开关51，其与滤波器61连接；功率放大器11，其配置于主面91a，经由开关51来与滤波器61连接；低噪声放大器21，其配置于主面91b，经由开关51来与滤波器61连接；滤波器621A～623A，该滤波器621A～623A分别具有包含通信频段A的通带；低噪声放大器221～223，该低噪声放大器221～223配置于主面91b，与滤波器621A～623A分别连接；以及第一导电构件，其配置于主面91b上且配置于低噪声放大器21及221～223中的任意的2个低噪声放大器之间。
据此，高频模块1A能够用1个模块来实现通信频段A的1个上行链路和4个下行链路，能够抑制通信频段A的4个接收信号之间的干扰，能够提高接收灵敏度。
另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1A也可以还具备：滤波器63，其具有包含与通信频段A不同的TDD用的通信频段B的通带；开关52，其与滤波器63连接；功率放大器12，其配置于主面91a，经由开关52来与滤波器63连接；低噪声放大器23，其配置于主面91b，经由开关52来与滤波器63连接；滤波器621B～623B，该滤波器621B～623B分别具有包含通信频段B的通带；低噪声放大器241～243，该低噪声放大器241～243配置于主面91b，与滤波器621B～623B分别连接；开关53A，其与天线连接端子101～104连接；以及第二导电构件，其配置于低噪声放大器23及241～243中的任意的2个低噪声放大器之间，也可以是，滤波器61、63、621A～623A及621B～623B经由开关53A来与天线连接端子101～104连接。
据此，高频模块1A除了能够用1个模块实现通信频段A的1个上行链路和4个下行链路以外，还能够用1个模块实现通信频段B的1个上行链路和4个下行链路，能够抑制通信频段B的4个接收信号之间的干扰从而提高接收灵敏度。
(实施方式3)
接着，说明实施方式3。本实施方式所涉及的高频模块在以下方面与上述实施方式1不同：具备凸块电极来代替柱电极。下面，关于本实施方式，以不同于上述实施方式1的方面为中心，参照附图来进行说明。
此外，本实施方式所涉及的高频模块1B的电路结构与上述实施方式1相同，因此省略图示和说明。
[3.1高频模块1B的部件配置]
图7是实施方式3所涉及的高频模块1B的截面图。如图7所示，高频模块1B具备多个凸块电极160来代替多个柱电极150。在此，在低噪声放大器21及22之间以及低噪声放大器23及24之间，配置被设定为地电位的凸块电极160G。高频模块1B也可以不具备覆盖主面91b上的电路部件的树脂构件93。
[3.2效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1B能够具备配置于主面91b的多个凸块电极160来作为多个外部连接端子。
(其它实施方式)
以上，关于本实用新型所涉及的高频模块和通信装置，基于实施方式来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本实用新型中。
例如，在上述实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构中，也可以在附图中示出的将各电路元件以及信号路径连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。例如，在上述实施方式1中，也可以在天线连接端子101及102各自与开关53之间插入滤波器。另外，例如，也可以在天线连接端子101及102与滤波器61～63之间、和/或滤波器61～63与功率放大器11及12以及低噪声放大器21～24之间插入匹配电路。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (18)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
第一滤波器，其具有包含时分双工用的第一通信频段的通带；
第一开关，其与所述第一滤波器连接；
第一功率放大器，其配置于所述第一主面，经由所述第一开关来与所述第一滤波器连接；
第一低噪声放大器，其配置于所述第二主面，经由所述第一开关来与所述第一滤波器连接；
第二滤波器，其具有包含所述第一通信频段的通带；
第二低噪声放大器，其配置于所述第二主面，与所述第二滤波器连接；
多个外部连接端子，所述多个外部连接端子配置于所述第二主面；以及
第一导电构件，其配置于所述第二主面上且配置于所述第一低噪声放大器与所述第二低噪声放大器之间。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，
所述第二滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第二滤波器配置于所述第一主面，
在俯视所述模块基板时，所述第二滤波器与所述第二低噪声放大器重叠。
4.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述第二滤波器配置于所述第一主面，
在俯视所述模块基板时，所述第二滤波器与所述第二低噪声放大器重叠。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第一滤波器由LC滤波器构成。
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第二滤波器由声表面波滤波器构成。
7.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
所述第二滤波器由声表面波滤波器构成。
8.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，还具备：
第三滤波器，其具有包含与所述第一通信频段不同的时分双工用的第二通信频段的通带；
第二开关，其与所述第三滤波器连接；
第二功率放大器，其配置于所述第一主面，经由所述第二开关来与所述第三滤波器连接；
第三低噪声放大器，其配置于所述第二主面，经由所述第二开关来与所述第三滤波器连接；
第四滤波器，其具有包含所述第二通信频段的通带；
第四低噪声放大器，其配置于所述第二主面，与所述第四滤波器连接；
第三开关，其与第一天线连接端子及第二天线连接端子连接；以及
第二导电构件，其配置于所述第二主面上且配置于所述第三低噪声放大器与所述第四低噪声放大器之间，
其中，所述第一滤波器、所述第二滤波器、所述第三滤波器及所述第四滤波器经由所述第三开关来与所述第一天线连接端子及所述第二天线连接端子连接。
9.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，还具备：
第三滤波器，其具有包含与所述第一通信频段不同的时分双工用的第二通信频段的通带；
第二开关，其与所述第三滤波器连接；
第二功率放大器，其配置于所述第一主面，经由所述第二开关来与所述第三滤波器连接；
第三低噪声放大器，其配置于所述第二主面，经由所述第二开关来与所述第三滤波器连接；
第四滤波器，其具有包含所述第二通信频段的通带；
第四低噪声放大器，其配置于所述第二主面，与所述第四滤波器连接；
第三开关，其与第一天线连接端子及第二天线连接端子连接；以及
第二导电构件，其配置于所述第二主面上且配置于所述第三低噪声放大器与所述第四低噪声放大器之间，
其中，所述第一滤波器、所述第二滤波器、所述第三滤波器及所述第四滤波器经由所述第三开关来与所述第一天线连接端子及所述第二天线连接端子连接。
10.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第二滤波器与所述第四滤波器作为多工器而形成为1个芯片，
所述第三开关具有：分别与所述第一天线连接端子及所述第二天线连接端子连接的第一端子及第二端子；分别与所述第一滤波器及所述第三滤波器连接的第三端子及第四端子；以及与所述多工器连接的第五端子。
11.根据权利要求10所述的高频模块，其特征在于，
所述多工器由声表面波滤波器构成。
12.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第三滤波器由LC滤波器构成。
13.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第三滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，
所述第四滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
14.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第四滤波器配置于所述第一主面，
在俯视所述模块基板时，所述第四滤波器与所述第四低噪声放大器重叠。
15.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第二滤波器配置于所述第一主面，
在俯视所述模块基板时，所述第二滤波器与所述第三开关重叠。
16.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第四滤波器配置于所述第一主面，
在俯视所述模块基板时，所述第四滤波器与所述第三开关重叠。
17.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第一通信频段是用于5G新空口即5GNR的频段n77，
所述第二通信频段是用于5GNR的频段n79。
18.一种通信装置，其特征在于，具备：
信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～17中的任一项所述的高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输所述高频信号。
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