CN115885481A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

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三浦正也
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Abstract

本发明的高频模块(1)能够同时传送TDD用的通信频带B的发送信号和FDD用的通信频带A的接收信号，具备：滤波器(12)，与天线连接端子(100)连接，具有包含通信频带B的通带；滤波器(11)，与天线连接端子(100)连接，具有包含通信频带A的接收频带的通带；开关(42)，切换滤波器(12)和用于从外部接受通信频带B的发送信号的发送输入端子(130)的连接以及滤波器(12)和用于向外部供给通信频带B的接收信号的接收输出端子(120)的连接；以及频带去除滤波器(62)，连接在发送输入端子(130)与开关(42)之间，具有包含通信频带A的接收频带的阻带。

Description

高频模块以及通信装置
技术领域
本发明涉及高频模块以及通信装置。
背景技术
在近年来的移动电话中，除了用一个终端应对多个通信系统的多模化以及应对多个通信频带的多频带化以外，还要求在多个通信系统和/或多个通信频带中的同时通信。例如，在专利文献1中，公开了一种用于从分集天线发送上行链路信号(发送信号)的分集模块。
专利文献1：日本特表2017-527155号公报
然而，在现有技术中，在同时传送时分双工(TDD)用的宽带通信频带的发送信号(TDD发送信号)和频分双工(FDD)用的通信频带的接收信号(FDD接收信号)的情况下，存在TDD发送信号所包含的FDD通信频带的无用波绕到传送FDD接收信号的接收路径，而引起FDD接收信号的接收灵敏度的降低的可能性。
发明内容
因此，本发明提供一种在同时传送TDD发送信号和FDD接收信号的情况下，能够抑制FDD接收信号的接收灵敏度的劣化的高频模块以及通信装置。
本发明的一个方式的高频模块是能够同时传送TDD用的第一通信频带的发送信号和FDD用的第二通信频带的接收信号的高频模块，具备：天线连接端子；第一发送输入端子，用于从外部接受第一通信频带的发送信号；第一接收输出端子，用于向外部供给第一通信频带的接收信号；第二接收输出端子，用于向外部供给第二通信频带的接收信号；第一滤波器，与天线连接端子连接，具有包含第一通信频带的通带；第二滤波器，与天线连接端子连接，具有包含第二通信频带的接收频带的通带；第一开关，切换第一滤波器与第一发送输入端子的连接和第一滤波器与第一接收输出端子的连接；以及第一频带去除滤波器，连接在第一发送输入端子与第一开关之间，具有包含第二通信频带的接收频带的阻带。
根据本发明，在同时传送TDD发送信号和FDD接收信号的情况下，能够抑制FDD接收信号的接收灵敏度的劣化。
附图说明
图1是实施方式的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2是表示在实施方式的高频模块以及通信装置中同时执行TDD发送和FDD接收的情况下的信号的流动的图。
图3是实施方式的变形例1的高频模块和通信装置的电路结构图。
图4是实施方式的变形例2的高频模块的电路结构图。
图5A是实施方式的第一频带去除滤波器的电路结构图。
图5B是实施方式的第二频带去除滤波器的电路结构图。
图6是实施方式的高频模块的俯视图。
图7是实施方式的变形例3的高频模块的俯视图。
图8是实施方式的变形例4的高频模块的俯视图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式均表示概括性或者具体的例子。以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不是限定本发明的意思。
此外，各图是为了表示本发明而进行了适当的强调、省略、或者比率的调整的示意图，不一定是严格图示，存在与实际的形状、位置关系以及比率不同的情况。在各图中，存在对于实质相同的结构标注相同的附图标记，而省略或者简化重复的说明的情况。
在以下的各图中，x轴以及y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方，其负方向表示下方。
另外，在本公开的电路结构中，所谓的“连接”不仅是通过连接端子和/或布线导体直接连接的情况，也包含经由其他电路元件电连接的情况。另外，所谓的“连接在A和B之间”意味着在A和B之间与A以及B双方连接。
另外，在本公开的模块结构中，所谓的“俯视”意味着从z轴正侧向xy平面正投影物体来观察。所谓的“将部件配置于基板的主面”除了将部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上以外，还包含将部件不与主面接触地配置于主面的上方、以及将部件的一部分从主面侧埋入到基板内来配置。所谓的“将A配置在B和C之间”是指A通过连结B内的任意的点和C内的任意的点的多个线段中的至少一个线段。另外，“平行”和“垂直”等表示要素间的关系性的用语以及“矩形”等表示要素的形状的用语不仅表示严格的意思，还意味着也包含实质等同的范围，例如几％左右的误差。
(实施方式)
[1高频模块1和通信装置5的电路结构]
参照图1对本实施方式的高频模块1和通信装置5的电路结构进行说明。图1是实施方式1的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
[1.1通信装置5的电路结构]
首先，对通信装置5的电路结构进行说明。如图1所示，本实施方式的通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。
高频模块1在天线2与RFIC3之间传送高频信号。高频模块1能够作为除了TDD以及FDD的高频信号的接收以外，还能够发送TDD的高频信号的分集模块来利用。对于高频模块1的详细的电路结构后述。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，发送从高频模块1输出的高频信号，而且，从外部接收高频信号并输出至高频模块1。
RFIC3是处理高频信号的信号处理电路的一个例子。具体而言，RFIC3通过下变频等对经由高频模块1的接收路径输入的高频接收信号进行信号处理，并将通过该信号处理生成的接收信号输出至BBIC4。另外，RFIC3通过上变频等对从BBIC4输入的发送信号进行信号处理，并将通过该信号处理生成的高频发送信号经由放大电路等输出到高频模块1的发送路径。另外，RFIC3具有控制高频模块1所具有的开关以及放大器等的控制部。此外，RFIC3的作为控制部的功能的一部分或者全部可以安装于RFIC3的外部，例如，也可以安装于BBIC4或者高频模块1。
BBIC4是使用比高频模块1所传送的高频信号低频的中间频带进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC4处理的信号，例如，可使用用于图像显示的图像信号和/或用于经由扬声器的通话的声音信号。
此外，在本实施方式的通信装置5中，天线2以及BBIC4不是必需的构成要素。
[1.2高频模块1的电路结构]
接下来，对高频模块1的电路结构进行说明。如图1所示，高频模块1具备天线连接端子100、接收输出端子110和120、发送输入端子130、滤波器11和12、频带去除滤波器52和62、开关40和42、匹配电路(MN)31和32以及低噪声放大器21和22。
天线连接端子100与天线2连接。
发送输入端子130是用于从高频模块1的外部接受放大后的高频发送信号的端子。具体而言，发送输入端子130是用于接受TDD用的通信频带B的发送信号且被外部的电力放大电路放大后的发送信号的端子。
接收输出端子110和120是用于向高频模块1的外部提供高频接收信号的端子。具体而言，接收输出端子110是第二接收输出端子的一个例子，是用于将通信频带A的接收信号供给至RFIC3的端子。接收输出端子120是第一接收输出端子的一个例子，是用于将通信频带B的接收信号供给至RFIC3的端子。
在这里，所谓的通信频带，是指由用于通信系统的标准化团体等(例如3GPP(3rdGeneration Partnership Project：第三代合作伙伴计划)、IEEE(Institute ofElectrical and Electronics Engineers：电气与电子工程师协会)等)预先定义的频带。所谓的通信系统是指使用无线访问技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信系统。作为通信系统，例如能够使用5GNR(5th Generation New Radio)系统、LTE(Long TermEvolution：长期演进)系统以及WLAN(Wireless Local Area Network：无线局域网)系统等，但不限定于这些系统。
通信频带A是第二通信频带的一个例子，能够与通信频带B同时通信。作为通信频带A，能够使用用于LTE的频带B3(1710-1785MHz、1805-1880MHz)，但并不限定于此。例如，作为通信频带A，可以使用用于LTE的频带B1(1920-1980MHz、2110-2170MHz)、B7(2500-2570MHz、2620-2690MHz)、B25(1850-1915MHz、1930-1995MHz)、B34(2010-2025MHz)、B39(1880-1920MHz)、B66(1710-1780MHz、2110-2200MHz)、用于5GNR的频带n75(1432-1517MHz)、n76(1427-1432MHz)中的任意一个。另外，例如，通信频带A也可以使用用于WLAN的频带。另外，例如，作为通信频带A，也可以使用7千兆赫以上的毫米波频带。
通信频带B是第一通信频带的一个例子，是TDD用的通信频带。作为通信频带D，能够使用用于LTE的频带B41(2496-2690MHz)，但并不限定于此。例如，作为通信频带B，可以使用用于5GNR或者WLAN的频带。另外，例如，作为通信频带B，也可以使用7千兆赫以上的毫米波频带。
此外，所谓的能够同时通信多个通信频带是指在多个通信频带中允许同时发送、同时接收以及同时收发中的至少一个。此时，不排除分别单独利用多个通信频带。可同时通信的通信频带的组合由例如用于通信系统的标准化团体等预先定义。
另外，所谓的不能同时通信多个通信频带是指在多个通信频带中不允许同时发送、同时接收以及同时收发中的任意一个。不能同时通信的通信频带的组合是除了可同时通信的通信频带的组合以外的通信频带的组合。
滤波器11(A-Rx)是第二滤波器的一个例子，具有包含通信频带A的接收频带(下行链路动作频带)的通带。由此，滤波器11能够使通信频带A的接收信号通过。滤波器11的输入端子经由匹配电路31以及开关40与天线连接端子100连接，输出端子与低噪声放大器21的输入端子连接。
滤波器12(B-TRx)是第一滤波器的一个例子，具有包含通信频带B的通带。由此，滤波器12能够使通信频带D的发送信号以及接收信号通过。滤波器12的一个端子经由匹配电路32以及开关40与天线连接端子100连接，另一个端子与频带去除滤波器52的一个端子连接。
频带去除滤波器62是第一频带去除滤波器的一个例子，连接在发送输入端子130与开关42之间，具有包含通信频带A的接收频带的阻带。由此，频带去除滤波器62能够使从发送输入端子130输入的发送信号中的通信频带A的接收频带的信号成分衰减，使该接收频带以外的频带的信号成分通过。
频带去除滤波器52是第二频带去除滤波器的一个例子，连接在滤波器12与开关42之间，将频率不与通信频带B重叠的规定的频带作为阻带。由此，频带去除滤波器52能够使从天线连接端子100输入的接收信号中的上述规定的频带的信号成分衰减，使该规定的频带以外的频带的信号成分朝向开关42以及低噪声放大器22通过。另外，频带去除滤波器52能够使从发送输入端子130输入的发送信号中的上述规定的频带的信号成分衰减，使该规定的频带以外的频带的信号成分朝向滤波器12通过。
低噪声放大器21是第二低噪声放大器的一个例子，连接在滤波器11与接收输出端子110之间。低噪声放大器21能够放大从天线连接端子100经由开关40、匹配电路31以及滤波器11输入的通信频带A的接收信号。被低噪声放大器21放大的通信频带A的接收信号被输出至接收输出端子110。
低噪声放大器22是第一低噪声放大器的一个例子，连接在开关42与接收输出端子120之间。低噪声放大器22能够放大从天线连接端子100经由开关40、匹配电路32、滤波器12、频带去除滤波器52以及开关42输入的通信频带B的接收信号。被低噪声放大器22放大的通信频带B的接收信号被输出至接收输出端子120。
开关40是第二开关的一个例子，连接在天线连接端子100与滤波器11和12之间。具体而言，开关40具有共用端子40a、选择端子40b和40c。共用端子40a与天线连接端子100连接。选择端子40b经由匹配电路31与滤波器11连接。选择端子40c经由匹配电路32与滤波器12连接。
在该连接结构中，开关40例如能够基于来自RFIC3的控制信号，将共用端子40a连接到选择端子40b和选择端子40c中的至少一个。换句话说，开关40切换天线连接端子100与滤波器11的连接以及非连接，并且，切换天线连接端子100与滤波器12的连接以及非连接。开关40例如由多连接型的开关电路构成，也有称为天线开关的情况。
开关42连接在频带去除滤波器52与发送输入端子130以及低噪声放大器22之间。具体而言，开关42具有共用端子42a、选择端子42b以及选择端子42c。共用端子42a与频带去除滤波器52的一个端子连接。选择端子42b与低噪声放大器22的输入端子连接，选择端子42c与发送输入端子130连接。
在该连接结构中，开关42例如能够基于来自RFIC3的控制信号，将共用端子42a连接到选择端子42b和选择端子42c中的任意一个。换句话说，开关42能够切换滤波器12和接收输出端子120的连接、以及滤波器12和发送输入端子130的连接。开关42例如由SPDT(Single Pole Double Throw：单极双掷)型的开关电路构成，也有被称为TDD开关的情况。
匹配电路31例如由电感器和/或电容器构成，能够取得天线2与滤波器11的阻抗匹配。匹配电路31连接在开关40与滤波器11之间。
匹配电路32例如由电感器和/或电容器构成，能够取得天线2与滤波器12的阻抗匹配。匹配电路32连接在开关40与滤波器12之间。
此外，图1所示的电路元件中的几个也可以不包含于高频模块1。例如，高频模块1至少具备天线连接端子100、接收输出端子110和120、发送输入端子130、滤波器11和12、频带去除滤波器62以及开关即可，也可以不具备其他电路元件。
另外，高频模块1也可以具备传送与通信频带A和通信频带B不同的通信频带的高频信号的信号路径。此外，在传送与通信频带A和通信频带B不同的通信频带的高频信号的信号路径中，配置至少将与通信频带A和通信频带B不同的通信频带作为通带的滤波器。
[2通信装置5的信号传送的流动]
接下来，参照图2对如以上那样构成的高频模块1以及通信装置5的信号传送的流动进行说明。图2是表示在实施方式的高频模块1以及通信装置5中同时执行TDD发送以及FDD接收的情况下的信号的流动的图。
如该图所示，在本实施方式的高频模块1以及通信装置5中，同时传送通信频带B的发送信号和通信频带A的接收信号。具体而言，通信频带B的发送信号经由发送输入端子130、频带去除滤波器62、开关42、频带去除滤波器52、滤波器12、匹配电路32、开关40以及天线连接端子100从天线2输出。另外，通信频带A的接收信号经由天线2、天线连接端子100、开关40、匹配电路31、滤波器11以及低噪声放大器21从接收输出端子110输出。
此时，从发送输入端子130输入的发送信号中，包含通信频带B以外的频带的噪声成分。作为该噪声成分，例如，在包含通信频带A的接收频带的信号成分的情况下，设想该噪声成分经由开关40流入到通信频带A的接收路径。在该情况下，存在在从天线2沿通信频带A的接收路径传送的通信频带A的接收信号上重叠上述噪声成分，而通信频带A的接收信号的接收灵敏度劣化的可能性。此外，由于滤波器12必须确保TDD用的宽带通带，因此在衰减频带中无法确保用于使上述噪声成分充分衰减的衰减量，而设想上述噪声成分通过滤波器12，从开关40流入通信频带A的接收路径。
与此相对，在本实施方式的高频模块1中，由于在发送输入端子130与开关42之间，配置有将通信频带A的接收频带作为阻带的频带去除滤波器62，因此能够使从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分衰减。
因此，在同时进行通信频带B的TDD发送以及通信频带A的FDD接收的情况下，能够抑制通信频带A的接收信号的接收灵敏度的劣化。
此外，频带去除滤波器62配置于发送输入端子130与开关42之间的通信频带B的发送路径，不配置于通信频带B的接收路径。由此，通过频带去除滤波器62，能够避免通信频带B的接收信号的传送损失增大。
另外，由于在滤波器12与开关42之间，配置有将规定的频带作为阻带的频带去除滤波器52，因此在从发送输入端子130输入的发送信号中，能够去除规定的频带的噪声成分。因此，能够抑制从天线连接端子100输出的通信频带B的发送信号的信号品质的劣化。并且，在从天线连接端子100输入的通信频带B的接收信号中，能够去除规定的频带的噪声成分。因此，能够抑制从天线连接端子100输入，经由滤波器12和开关42从接收输出端子120输出的通信频带B的接收信号的接收灵敏度的劣化。此外，由于滤波器12必须确保TDD用的宽带通带，因此无法确保用于使规定的频带的噪声成分充分地衰减的衰减量，而设想上述噪声成分的一部分通过滤波器12。
此外，上述规定的频带例如也可以是包含用于5GNR(5th Generation New Radio)的频带n77(3300-4200MHz)以及n79(4400-5000MHz)中的至少一方的频带。在通信频带A是用于LTE的频带B3，通信频带B是用于LTE的频带B41的情况下，频带去除滤波器52的阻带位于滤波器12的通带的高频侧，频带去除滤波器62的阻带位于滤波器12的通带的低频侧。
[3变形例1的高频模块6以及通信装置7的电路结构]
接下来，对变形例1的高频模块6以及通信装置7的电路结构进行说明。图3是实施方式的变形例1的高频模块6以及通信装置7的电路结构图。
[3.1通信装置7的电路结构]
首先，对通信装置7的电路结构进行说明。如图3所示，本变形例的通信装置7具备高频模块6、天线2、RFIC3以及BBIC4。本变形例的通信装置7与实施方式的通信装置5进行比较，仅高频模块6的结构不同。因此，以下，仅对通信装置7中的高频模块6进行说明。
[3.2高频模块6的电路结构]
如图3所示，高频模块6具备天线连接端子100、接收输出端子110和120、发送输入端子130、滤波器11和12、频带去除滤波器62和72、开关40和42、匹配电路(MN)31和32以及低噪声放大器21和22。本变形例的高频模块6与实施方式的高频模块1进行比较，在代替频带去除滤波器52，而配置有频带去除滤波器72的点不同。以下，对于本变形例的高频模块6，对与实施方式的高频模块1相同的点省略说明，以不同点为中心进行说明。
频带去除滤波器72是第二频带去除滤波器的一个例子，连接在开关42与接收输出端子120之间，将频率不与通信频带B重叠的规定的频带作为阻带。由此，频带去除滤波器72能够使从天线连接端子100输入的接收信号中的上述规定的频带的信号成分衰减，使该规定的频带以外的频带的信号成分朝向低噪声放大器22通过。
由此，在从天线连接端子100输入的通信频带B的接收信号中，能够去除规定的频带的噪声成分。因此，能够抑制从天线连接端子100输入，经由滤波器12和开关42从接收输出端子120输出的通信频带B的接收信号的接收灵敏度的劣化。
此外，频带去除滤波器72配置于开关42与接收输出端子120之间的通信频带B的接收路径，不配置于通信频带B的发送路径。由此，通过频带去除滤波器72，能够避免通信频带B的发送信号的传送损失增大。
[4变形例2的高频模块8的电路结构]
接下来，对变形例2的高频模块8的电路结构进行说明。图4是实施方式的变形例2的高频模块8的电路结构图。如该图所示，高频模块8具备天线连接端子100、接收输出端子110和120、发送输入端子130、滤波器11和12、频带去除滤波器62、开关40、42、43、44、45及46、匹配电路31和32、电感器81和82、旁路路径83以及低噪声放大器21和22。本变形例的高频模块8与实施方式的高频模块1相比，在附加有电感器81、82、旁路路径83和开关43～45的点、以及未配置有频带去除滤波器52的点不同。以下，对于本变形例的高频模块8，对与实施方式的高频模块1相同的点省略说明，以不同点为中心进行说明。
电感器81是第一阻抗匹配元件的一个例子，连接在开关44和开关45之间。电感器82是具有与电感器81不同的电感值的第二阻抗匹配元件的一个例子，连接在开关44和开关45之间。
此外，电感器81和电感器82分别可以由1个以上的阻抗匹配元件构成，也可以是电容器以及电感器中的至少一方。
开关43具有第一端子～第五端子，第一端子与选择端子42b连接，第二端子与通信频带C(第三通信频带)的接收路径连接，第三端子与通信频带D的接收路径连接，第四端子与旁路路径83连接，第五端子与开关44的共用端子连接。在上述连接结构中，开关43切换第一端子～第三端子中的任意一个端子与第四端子和第五端子中的任意一个端子的连接。开关46具有共用端子、第一选择端子以及第二选择端子，共用端子与接收输出端子120连接，第一选择端子与低噪声放大器22的输出端子连接，第二选择端子与旁路路径83连接。在上述连接结构中，开关46切换共用端子与第一选择端子以及第二选择端子中的任意一个选择端子的连接。
开关44具有共用端子、第一选择端子以及第二选择端子，第一选择端子与电感器81的一端连接，第二选择端子与电感器82的一端连接。在上述连接结构中，开关44切换共用端子与第一选择端子以及第二选择端子中的任意一个选择端子的连接。开关45具有共用端子、第一选择端子以及第二选择端子，共用端子与低噪声放大器22的输入端子连接，第一选择端子与电感器81的另一端连接，第二选择端子与电感器82的另一端连接。在上述连接结构中，开关45切换共用端子与第一选择端子以及第二选择端子中的任意一个选择端子的连接。
开关43～46构成开关电路，切换传送通信频带B的接收信号的接收路径、传送通信频带C的接收信号的接收路径、以及传送通信频带D的接收信号的接收路径中的任意一个接收路径与电感器81、82、以及旁路路径83中的任意一个的连接。
低噪声放大器22是第一低噪声放大器的一个例子，连接在开关43以及开关45与接收输出端子120之间。低噪声放大器22能够放大从天线连接端子100经由开关40、匹配电路32、滤波器12以及开关42输入的通信频带B的接收信号，另外，能够放大通信频带C的接收信号，另外，能够放大通信频带D的接收信号。被低噪声放大器22放大的通信频带B、C以及D的接收信号被分别输出至接收输出端子120。
在该连接结构中，开关43～46例如能够基于来自RFIC3的控制信号，来连接滤波器12、开关42(传送通信频带B的接收信号的接收路径)、电感器81、低噪声放大器22以及接收输出端子120。另外，能够连接传送通信频带C的接收信号的接收路径、电感器82、低噪声放大器22以及接收输出端子120。另外，能够连接传送通信频带D的接收信号的接收路径、电感器82、低噪声放大器22以及接收输出端子120。进一步，能够连接传送通信频带B的接收信号的接收路径、传送通信频带C的接收信号的接收路径、以及传送通信频带D的接收信号的接收路径中的任意一个接收路径与旁路路径83以及接收输出端子120。换句话说，开关43～46能够切换开关42、电感器81以及低噪声放大器22的输入端子的连接、以及与传送通信频带C或者D的接收信号的接收路径、电感器82以及低噪声放大器22的输入端子的连接。
由此，能够优化用于根据传送高频模块8的接收信号的频带使低噪声放大器22的输入阻抗匹配的阻抗匹配元件。特别是，由于能够根据通信频带B的接收信号来定制阻抗匹配元件，因此能够减少TDD用的宽带通信频带B的噪声指数。另外，由于能够选择通过低噪声放大器22的旁路路径83，因此能够在低噪声的状态下从接收输出端子120输出小信号的接收信号。
此外，电感器81和电感器82可以分别由一个以上的阻抗匹配元件构成，也可以是电容器以及电感器中的至少一方。
另外，在本变形例的高频模块8中，也可以在滤波器12与开关42之间，配置有频带去除滤波器52，另外，也可以在开关42与开关43之间，配置有频带去除滤波器72。
[5频带去除滤波器的电路结构例]
接下来，对配置于高频模块1、高频模块6或者高频模块8的频带去除滤波器的电路结构进行说明。
图5A是实施方式的频带去除滤波器62的电路结构图。如该图所示，频带去除滤波器62具备输入输出端子621和622、电感器63以及电容器64。电感器63和电容器64串联连接在连结输入输出端子621和输入输出端子622的路径与接地之间。电感器63以及电容器64构成所谓的LC串联谐振电路。通过该结构，LC串联谐振电路的谐振频率对应于频带去除滤波器62的阻带的衰减极。在本实施方式中，频带去除滤波器62的阻带位于滤波器12的通带的低频侧。
此外，由电感器63和电容器64构成的LC串联谐振电路也可以是连接在连结输入输出端子621和输入输出端子622的路径与接地之间的弹性波谐振器。此时，能够使频带去除滤波器62的阻带的衰减斜率更陡峭。
图5B是实施方式的频带去除滤波器52的电路结构图。如该图所示，频带去除滤波器52的电感器53和电容器54的LC并联谐振电路串联配置在输入输出端子521与输入输出端子522之间。通过该结构，LC并联谐振电路的反谐振频率对应于频带去除滤波器52的阻带的衰减极。此外，在本实施方式中，频带去除滤波器52的阻带位于滤波器12的通带的高频侧。
此外，由电感器53和电容器54构成的LC并联谐振电路也可以是串联配置于连结输入输出端子521和输入输出端子522的路径的弹性波谐振器。此时，能够使频带去除滤波器52的阻带的衰减斜率更陡峭。
此外，上述的频带去除滤波器62和频带去除滤波器52的电路结构是一个例子，并不限定于上述电路结构。
[6高频模块的部件配置]
接下来，参照图6对如以上那样构成的高频模块1的部件配置进行具体说明。
图6是实施方式的高频模块1的俯视图。具体而言，图6是从z轴正侧观察模块基板91的主面91a的图。如图6所示，高频模块1除了图1所示的构成电路的电路部件外，还具备模块基板91。
模块基板91具有以z轴为法线的主面91a。作为模块基板91，例如，能够使用具有多个电介质层的层叠结构的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC：High Temperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有再布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷电路基板等，但并不限定于这些基板。
如图6所示，在主面91a，配置有滤波器11和12、频带去除滤波器52和62、开关40和42、匹配电路31和32以及低噪声放大器21和22。
此外，也可以配置有树脂部件，以覆盖主面91a以及配置于主面91a的上述电路部件。并且，也可以形成有与上述树脂部件的外表面以及模块基板91的侧面接触的金属屏蔽层。
频带去除滤波器52至少包含配置于主面91a的电感器53(第二电感器)以及电容器54。频带去除滤波器62至少包含配置于主面91a的电感器63(第一电感器)以及电容器64。
在这里，构成电感器63的线圈的卷绕轴与构成电感器53的线圈的卷绕轴正交。如图6所示，电感器63的线圈的卷绕轴平行于x轴，电感器53的线圈的卷绕轴平行于y轴。此外，电感器63和电感器53分别可以是配置在模块基板91的主面上的芯片电感器，另外，也可以由内置于模块基板91的导体图案形成。
由此，能够抑制电感器63与电感器53的磁场耦合。因此，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63与电感器53的磁场耦合而不经由频带去除滤波器62，而流入到传送通信频带A的接收信号的接收路径。
此外，电感器63的线圈的卷绕轴与电感器53的线圈的卷绕轴也可以不正交，非平行即可。由此，与电感器63的线圈的卷绕轴和电感器53的线圈的卷绕轴平行的情况相比，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63与电感器53的磁场耦合而不经由频带去除滤波器62，而流入到传送通信频带A的接收信号的接收路径。
此外，在变形例1的高频模块6中，构成电感器63的线圈的卷绕轴与构成频带去除滤波器72所包含的电感器的线圈的卷绕轴也可以非平行。由此，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63和频带去除滤波器72所包含的电感器的磁场耦合而不经由频带去除滤波器62和频带去除滤波器72，而流入到传送通信频带B的接收信号的接收路径。
此外，如图6所示，低噪声放大器21、低噪声放大器22、开关40以及开关42也可以内置于半导体集成电路(IC)80。所谓的半导体IC80是形成于半导体晶片(也称为裸片)的表面以及内部的电子电路，也称为半导体部件。半导体IC80例如由CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成，具体而言可以通过SOI(Silicon onInsulator：绝缘衬底上的硅)工序构成。由此，能够低成本地制造半导体IC80。此外，半导体IC80可以由GaAs、SiGe以及GaN当中的至少一个构成。由此，能够实现高品质的半导体IC80。
[7高频模块1A的部件配置]
接下来，参照图7对变形例3的高频模块1A的部件配置进行具体说明。
图7是实施方式的变形例3的高频模块1A的俯视图。如图7所示，高频模块1A除了图1所示的构成电路的电路部件外，还具备模块基板91。本变形例的高频模块1A与实施方式的高频模块1相比，仅电感器53的配置结构不同。以下，对于本变形例的高频模块1A，对与实施方式的高频模块1相同的点省略说明，以不同点为中心进行说明。
构成电感器63的线圈的卷绕轴与构成电感器53的线圈的卷绕轴正交。如图7所示，电感器63的线圈的卷绕轴平行于x轴，电感器53的线圈的卷绕轴平行于z轴。此外，电感器63和电感器53分别是配置在模块基板91的主面上的芯片电感器，而且，也可以由内置于模块基板91的导体图案形成。
由此，能够抑制电感器63与电感器53的磁场耦合。因此，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63与电感器53的磁场耦合而不经由频带去除滤波器62，而流入到传送通信频带A的接收信号的接收路径。
此外，电感器63的线圈的卷绕轴和电感器53的线圈的卷绕轴也可以不正交，非平行即可。由此，与电感器63的线圈的卷绕轴和电感器53的线圈的卷绕轴平行的情况相比，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63和电感器53的磁场耦合而不经由频带去除滤波器62，而流入到传送通信频带A的接收信号的接收路径。
[8高频模块1B的部件配置]
图8是实施方式的变形例4的高频模块1B的俯视图。如图8所示，高频模块1B除了图1所示的构成电路的电路部件外，还具备模块基板91以及金属屏蔽层95。本变形例的高频模块1B与实施方式的高频模块1相比，在附加有金属屏蔽层95的点不同。以下，对于本变形例的高频模块1B，对与实施方式的高频模块1相同的点省略说明，以不同点为中心进行说明。
虽然在图8中未图示，但配置有树脂部件，以覆盖主面91a以及配置于主面91a的上述电路部件。
金属屏蔽层95形成为与上述树脂部件的外表面以及模块基板91的侧面接触。金属屏蔽层95被设定为接地电位，由与z轴垂直的顶面(屏蔽面95e(未图示))、与x轴垂直的两个侧面(屏蔽面95a和屏蔽面95c)以及与y轴垂直的两个侧面(屏蔽面95b和屏蔽面95d)构成。
在这里，构成电感器63的线圈的卷绕轴与最接近电感器63的屏蔽面95a正交。如图8所示，电感器63的线圈的卷绕轴平行于x轴，屏蔽面95a平行于y轴。此外，电感器63和电感器53分别是配置在模块基板91的主面上的芯片电感器，另外，也可以由内置于模块基板91的导体图案形成。
此外，在本变形例中，构成电感器53的线圈的卷绕轴只要不平行于x轴即可。
由此，由于由电感器63产生的磁通量收敛于屏蔽面95a内，因此能够抑制电感器63与电感器53的磁场耦合。因此，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63与电感器53的磁场耦合而流入到传送通信频带A的接收信号的接收路径。
此外，电感器63的线圈的卷绕轴与屏蔽面95a也可以不正交，交叉即可。由此，与电感器63的线圈的卷绕轴和屏蔽面95a平行的情况相比，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63与电感器53的磁场耦合而流入到传送通信频带A的接收信号的接收路径。
此外，优选在电感器63与屏蔽面95a之间不配置有导电部件。由此，能够将在电感器63产生的磁通量有效地收敛于屏蔽面95a内。
另外，在本变形例中，在最接近电感器63的屏蔽面是屏蔽面95e的情况下，电感器63的线圈的卷绕轴也可以与屏蔽面95e交叉。但是，在该情况下，优选电感器53的线圈的卷绕轴与z轴非平行。由此，由于由电感器63产生的磁通量收敛于屏蔽面95e内，电感器63的磁通量与电感器53的磁通量在屏蔽面95e内不耦合，因此能够抑制电感器63与电感器53的磁场耦合。
[9效果等]
如上所述，本实施方式的高频模块1能够同时传送TDD用的通信频带B的发送信号和FDD用的通信频带A的接收信号，具备：天线连接端子100、用于从外部接受通信频带B的发送信号的发送输入端子130、用于向外部供给通信频带B的接收信号的接收输出端子120、用于向外部供给通信频带A的接收信号的接收输出端子110、与天线连接端子100连接且具有包含通信频带B的通带的滤波器12、与天线连接端子100连接且具有包含通信频带A的接收频带的通带的滤波器11、切换滤波器12和发送输入端子130的连接以及滤波器12和接收输出端子120的连接的开关42、以及连接在发送输入端子130与开关42之间具有包含通信频带A的接收频带的阻带的频带去除滤波器62。
由此，由于在发送输入端子130与开关42之间，配置有将通信频带A的接收频带作为阻带的频带去除滤波器62，所以能够使从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分衰减。因此，能够在同时进行通信频带B的TDD发送以及通信频带A的FDD接收的情况下，抑制通信频带A的接收信号的接收灵敏度的劣化。另外，频带去除滤波器62配置于发送输入端子130与开关42之间的通信频带B的发送路径，不配置于通信频带B的接收路径。因此，通过频带去除滤波器62，能够避免通信频带B的接收信号的传送损失增大。
另外，例如，本实施方式的高频模块1也可以还具备频带去除滤波器52，该频带去除滤波器52将频率不与通信频带B重叠的规定的频带作为阻带，频带去除滤波器52连接在滤波器12与开关42之间。
由此，在从发送输入端子130输入的发送信号中，能够去除规定的频带的噪声成分。因此，能够抑制从天线连接端子100输出的通信频带B的发送信号的信号品质的劣化。并且，在从天线连接端子100输入的通信频带B的接收信号中，能够去除规定的频带的噪声成分。因此，能够抑制从天线连接端子100输入经由滤波器12和开关42从接收输出端子120输出的通信频带B的接收信号的接收灵敏度的劣化。
另外，例如，变形例1的高频模块6也可以还具备频带去除滤波器72，该频带去除滤波器72将频率不与通信频带B重叠的规定的频带作为阻带，频带去除滤波器72连接在开关42与接收输出端子120之间。
由此，在从天线连接端子100输入的通信频带B的接收信号中，能够去除规定的频带的噪声成分。因此，能够抑制从天线连接端子100输入并经由滤波器12和开关42从接收输出端子120输出的通信频带B的接收信号的接收灵敏度的劣化。另外，频带去除滤波器72配置于开关42与接收输出端子120之间的通信频带B的接收路径，不配置于通信频带B的发送路径。由此，通过频带去除滤波器72，能够避免通信频带B的发送信号的传送损失增大。
另外，例如，本实施方式的高频模块1也可以还具备配置有滤波器11和12以及开关42的模块基板91，频带去除滤波器62包含配置于模块基板91的电感器63，频带去除滤波器52包含配置于模块基板91的电感器53，构成电感器63的线圈的卷绕轴与构成电感器53的线圈的卷绕轴非平行。
由此，能够抑制电感器63与电感器53的磁场耦合。因此，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63与电感器53的磁场耦合而不经由频带去除滤波器62，而流入到传送通信频带A的接收信号的接收路径。
另外，例如，变形例4的高频模块1B也可以还具备：配置有滤波器11和12以及开关42的模块基板91、配置在模块基板91的主面上且覆盖滤波器11和12以及开关42的至少一个的树脂部件、以及形成于该树脂部件的外表面的金属屏蔽层95，频带去除滤波器62包含配置于模块基板91的主面的电感器63，频带去除滤波器52包含配置于模块基板91的电感器53，构成电感器63的线圈的卷绕轴与构成金属屏蔽层95的多个屏蔽面中的最接近电感器63的屏蔽面95a交叉。
由此，由于由电感器63产生的磁通量收敛于屏蔽面95a内，所以能够抑制电感器63与电感器53的磁场耦合。因此，能够抑制从发送输入端子130流入的通信频带A的接收频带的噪声成分由于电感器63与电感器53的磁场耦合而不经由频带去除滤波器62，而流入到传送通信频带A的接收信号的接收路径。
另外，例如，本实施方式的高频模块1也可以还具备低噪声放大器22和低噪声放大器21，其中，该低噪声放大器22连接在开关42与接收输出端子120之间，放大通信频带B的接收信号，该低噪声放大器21连接在滤波器11与接收输出端子110之间，放大通信频带A的接收信号。
由此，由于低噪声放大器21和22包含于高频模块1，所以能够缩短通信频带A和通信频带B的接收路径，能够降低通信频带A和通信频带B的接收信号的传送损失。
另外，例如，变形例2的高频模块8也可以还具备：传送电路通信频带C的接收信号的接收路径、与低噪声放大器22的输入端子连接的电感器81和电感器82、以及开关电路，其中，该开关电路切换(1)开关42、电感器81及低噪声放大器22的输入端子的连接、以及(2)与上述接收路径、电感器82及低噪声放大器22的输入端子的连接。
由此，能够根据传送高频模块8的接收信号的频带来优化用于使低噪声放大器22的输入阻抗匹配的阻抗匹配元件(电感器)。特别是，由于能够根据通信频带B的接收信号来定制阻抗匹配元件，所以能够减少TDD用的宽带通信频带B的噪声指数。
另外，例如，本实施方式的高频模块1也可以还具备开关40，该开关40切换天线连接端子100与滤波器12的连接以及非连接，并且，切换天线连接端子100与滤波器11的连接以及非连接。
由此，例如，在通信频带A的信号的单独传送以及通信频带B的信号的单独传送的情况下，能够提高与其他通信频带的信号路径的隔离。
另外，例如，在本实施方式的高频模块1中，也可以通信频带B是用于4GLTE的频带B41，通信频带A是用于4GLTE的频带B3。
另外，例如，在本实施方式的高频模块1中，上述规定的频带也可以是包含用于5GNR的频带n77以及n79中的至少一方的频带。
另外，本实施方式的通信装置5具备处理高频信号的RFIC3以及在RFIC3与天线2之间传送高频信号的高频模块1。
由此，通信装置5能够起到与高频模块1的上述效果同样的效果。
(其他实施方式)
以上，基于实施方式以及变形例对本发明的高频模块以及通信装置进行了说明，但本发明的高频模块以及通信装置并不限定于上述实施方式以及变形例。组合上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素而实现的其他实施方式、对上述实施方式以及变形例实施在不脱离本发明的主旨的范围内本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有上述高频模块以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
例如，在上述实施方式的高频模块的部件配置结构中，构成高频模块的电路部件配置于模块基板91的一个主面，但构成高频模块的电路部件也可以分配到模块基板的相互对置的第一主面和第二主面来配置。换句话说，构成上述高频模块的电路部件可以单面安装于模块基板，另外，也可以双面安装。
例如，在上述实施方式以及变形例的高频模块以及通信装置的电路结构中，在连接附图示出的各电路元件以及信号路径的路径之间，也可以插入其他的电路元件以及布线等。例如，在上述实施方式以及变形例中，也可以在天线连接端子100与开关40之间插入滤波器或者匹配电路。
本发明作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于移动电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、1B、6、8…高频模块；2…天线；3…RF信号处理电路(RFIC)；4…基带信号处理电路(BBIC)；5、7…通信装置；11、12…滤波器；21、22…低噪声放大器；31、32…匹配电路；40、42、43、44、45、46…开关；40a、42a…共用端子；40b、40c、42b、42c…选择端子；52、62、72…频带去除滤波器；53、63、81、82…电感器；54、64…电容器；80…半导体集成电路(半导体IC)；83…旁路路径；91…模块基板；91a…主面；95…金属屏蔽层；95a、95b、95c、95d、95e…屏蔽面；100…天线连接端子；110、120…接收输出端子；130…发送输入端子；521、522、621、622…输入输出端子。

Claims (10)

1.一种高频模块，是能够同时传送时分双工(TDD)用的第一通信频带的发送信号和频分双工(FDD)用的第二通信频带的接收信号的高频模块，具备：
天线连接端子；
第一发送输入端子，用于从外部接受上述第一通信频带的发送信号；
第一接收输出端子，用于向外部供给上述第一通信频带的接收信号；
第二接收输出端子，用于向外部供给上述第二通信频带的接收信号；
第一滤波器，与上述天线连接端子连接，具有包含上述第一通信频带的通带，
第二滤波器，与上述天线连接端子连接，具有包含上述第二通信频带的接收频带的通带；
第一开关，切换上述第一滤波器与上述第一发送输入端子的连接、和上述第一滤波器与上述第一接收输出端子的连接；以及
第一频带去除滤波器，连接在上述第一发送输入端子与上述第一开关之间，具有包含上述第二通信频带的接收频带的阻带。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
还具备第二频带去除滤波器，上述第二频带去除滤波器将频率不与上述第一通信频带重叠的规定的频带作为阻带，
上述第二频带去除滤波器连接在上述第一滤波器与上述第一开关之间、以及上述第一开关与上述第一接收输出端子之间中的一方。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
还具备模块基板，上述模块基板配置有上述第一滤波器、上述第二滤波器以及上述第一开关，
上述第一频带去除滤波器包含配置于上述模块基板的第一电感器，
上述第二频带去除滤波器包含配置于上述模块基板的第二电感器，
构成上述第一电感器的线圈的卷绕轴与构成上述第二电感器的线圈的卷绕轴非平行。
4.根据权利要求2所述的高频模块，其中，还具备：
模块基板，配置有上述第一滤波器、上述第二滤波器以及上述第一开关；
树脂部件，配置在上述模块基板的主面上，覆盖上述第一滤波器、上述第二滤波器以及上述第一开关中的至少一个；以及
金属屏蔽层，形成于上述树脂部件的外表面，
上述第一频带去除滤波器包含配置于上述模块基板的上述主面的第一电感器，
上述第二频带去除滤波器包含配置于上述模块基板的第二电感器，
构成上述第一电感器的线圈的卷绕轴与构成上述金属屏蔽层的多个屏蔽面中的最接近上述第一电感器的屏蔽面交叉。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频模块，其中，还具备：
第一低噪声放大器，连接在上述第一开关与上述第一接收输出端子之间，放大上述第一通信频带的接收信号；以及
第二低噪声放大器，连接在上述第二滤波器与上述第二接收输出端子之间，放大上述第二通信频带的接收信号。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，还具备：
接收路径，传送第三通信频带的接收信号；
第一阻抗匹配元件和第二阻抗匹配元件，与上述第一低噪声放大器的输入端子连接；以及
开关电路，切换上述第一开关、上述第一阻抗匹配元件以及上述第一低噪声放大器的输入端子的连接、以及与上述接收路径、上述第二阻抗匹配元件以及上述第一低噪声放大器的输入端子的连接。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频模块，其中，
还具备第二开关，上述第二开关切换上述天线连接端子与上述第一滤波器的连接以及非连接，并且切换上述天线连接端子与上述第二滤波器的连接以及非连接。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的高频模块，其中，
上述第一通信频带是用于4GLTE(4th Generation Long Term Evolution)的频带B41，
上述第二通信频带是用于4GLTE的频带B3。
9.根据权利要求2～4中任一项所述的高频模块，其中，
上述规定的频带是包含用于5GNR(5th Generation New Radio)的频带n77以及n79中的至少一方的频带。
10.一种通信装置，具备：
信号处理电路，处理高频信号；以及
权利要求1～9中任一项所述的高频模块，在上述信号处理电路与天线之间传送上述高频信号。
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