CN215818127U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够提高TCoB条件下的可靠性的高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：模块基板(91)，具有彼此相向的主面(91a及91b)；树脂构件(93)，覆盖主面(91b)，具有第一槽部(931)和第二槽部(932)；多个柱电极(150)，包括第一柱电极(151)和第二柱电极(152)，配置在主面(91b)上，贯通树脂构件(93)；半导体部件(20)，在主面(91b)上配置于第一柱电极(151)与第二柱电极(152)之间，从树脂构件(93)暴露出来，其中，第一槽部(931)配置于第一柱电极(151)与半导体部件(20)之间，第二槽部(932)配置于第二柱电极(152)与半导体部件(20)之间。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端模块的电路部件的配置结构变得复杂。
专利文献1中公开了一种具备树脂层的部件内置基板，该树脂层以覆盖安装于基板的一个主面的电子部件的方式配置于该基板的一个主面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-074049号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在这种部件内置基板中，主板上的温度循环(TCoB：Temperature Cycling onBoard)条件下的部件内置基板与主板的接合部的损坏成为问题。
因此，本实用新型提供一种能够提高TCoB条件下的可靠性的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；树脂构件，其覆盖所述第二主面，具有第一凹部和第二凹部；多个外部连接端子，所述多个外部连接端子包括第一外部连接端子和第二外部连接端子，配置在所述第二主面上，贯通所述树脂构件；以及半导体部件，其在所述第二主面上配置于所述第一外部连接端子与所述第二外部连接端子之间，从所述树脂构件暴露出来，其中，所述第一凹部配置于所述第一外部连接端子与所述半导体部件之间，所述第二凹部配置于所述第二外部连接端子与所述半导体部件之间。
优选地，在俯视时，所述半导体部件具有矩形形状，该矩形形状具有第一边、与所述第一边相向的第二边以及与所述第一边交叉的第三边及第四边，所述第一凹部是沿着所述第一边延伸的第一槽部，所述第二凹部是沿着所述第二边延伸的第二槽部。
优选地，所述多个外部连接端子沿着所述半导体部件的所述第一边、所述第二边、所述第三边以及所述第四边排列配置，所述树脂构件还具有沿着所述第三边延伸的第三槽部以及沿着所述第四边延伸的第四槽部。
优选地，所述第一外部连接端子配置于包围所述半导体部件的矩形框状的周边区域的第一角部，所述第一槽部插入在所述第一外部连接端子与同所述第一外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的一个外部连接端子之间，所述第三槽部插入在所述第一外部连接端子与同所述第一外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的另一个外部连接端子之间。
优选地，所述第二外部连接端子配置于所述周边区域的与所述第一角部相向的第二角部，所述第二槽部插入在所述第二外部连接端子与同所述第二外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的一个外部连接端子之间，所述第四槽部插入在所述第二外部连接端子与同所述第二外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的另一个外部连接端子之间。
优选地，所述多个外部连接端子包括第三外部连接端子，所述第三外部连接端子配置于第三角部，所述第三角部为所述周边区域的不与所述第一角部相向的两个角部中的一个角部，所述第一槽部插入在所述第三外部连接端子与同所述第三外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的一个外部连接端子之间，所述第四槽部插入在所述第三外部连接端子与同所述第三外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的另一个外部连接端子之间。
优选地，所述多个外部连接端子包括第四外部连接端子，所述第四外部连接端子配置于第四角部，所述第四角部为所述周边区域的不与所述第一角部相向的两个角部中的另一个角部，所述第二槽部插入在所述第四外部连接端子与同所述第四外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的一个外部连接端子之间，所述第三槽部插入在所述第四外部连接端子与同所述第四外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的另一个外部连接端子之间。
优选地，所述高频模块还具备：功率放大器；以及低噪声放大器，其中，所述功率放大器配置于所述第一主面，所述低噪声放大器内置于配置于所述第二主面的所述半导体部件。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输所述高频信号。
实用新型的效果
根据本实用新型的一个方式所涉及的高频模块，能够提高TCoB条件下的可靠性。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2A是实施方式所涉及的高频模块的立体图。
图2B是实施方式所涉及的高频模块的立体图。
图3A是实施方式所涉及的高频模块的俯视图。
图3B是实施方式所涉及的高频模块的俯视图。
图4是实施方式所涉及的高频模块的截面图。
图5是表示实施方式中的模块基板的主面上的区域的图。
图6是实施方式的变形例所涉及的高频模块的俯视图。
附图标记说明
1、1A：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5：通信装置；11：功率放大器；20：半导体部件；21：低噪声放大器；51、52、53：开关；61、62：双工器；61R、62R：接收滤波器；61T、62T：发送滤波器；71、72、73、74：匹配电路；91：模块基板；91a、91b：主面；92、93：树脂构件；94：地电极图案；95：屏蔽电极层；100：天线连接端子；110：高频输入端子；120：高频输出端子；150：柱电极；151：第一柱电极；152：第二柱电极；153：第三柱电极；154：第四柱电极；201：第一边；202：第二边；203：第三边；204：第四边；511、512、513、521、522、523、531、532、533：端子；931：第一槽部；931A：第一凹部；932：第二槽部；932A：第二凹部；933：第三槽部；933A：第三凹部；934：第四槽部；934A：第四凹部。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。
此外，各图是为了表示本实用新型而适当进行了强调、省略、或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
在下面的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，z轴的正方向表示上方向，z轴的负方向表示下方向。
另外，在本实用新型的电路结构中，“连接”不仅包括利用连接端子和/或布线导体直接连接的情况，也包括经由其它电路元件来电连接的情况。另外，“连接于A与B之间”表示在A与B之间与A及B这两方连接。
另外，在本实用新型的部件配置中，“俯视模块基板”表示从z轴正侧将物体正投影到xy平面来进行观察。另外，“A配置于B与C之间”表示将B内的任意的点与C内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段通过A。另外，“平行”和“垂直”等表示要素之间的关系性的用语表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的误差，而不是仅表示严格的含义。
(实施方式)
[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]
参照图1来说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
[1.1.1通信装置5的电路结构]
首先，说明通信装置5的电路结构。如图1所示，本实施方式所涉及的通信装置5具备高频模块1、天线2、RFIC 3以及BBIC 4。
高频模块1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1的详细电路结构在后面叙述。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，发送从高频模块1输出的高频信号，另外，从外部接收高频信号后输出到高频模块1。
RFIC 3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC3对经由高频模块1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送路径。另外，RFIC3具有对高频模块1所具有的开关和放大器等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以安装于RFIC 3的外部，例如也可以安装于BBIC 4或高频模块1。
BBIC 4是使用频率比由高频模块1传输的高频信号低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC 4处理的信号，例如使用图像信号以显示图像，和/或使用声音信号以借助扬声器进行通话。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。
[1.1.2高频模块1的电路结构]
接着，说明高频模块1的电路结构。如图1所示，高频模块1具备功率放大器11、低噪声放大器21、开关51～53、双工器61及62、匹配电路(MN)71～74、天线连接端子100、高频输入端子110以及高频输出端子120。
天线连接端子100是外部连接端子的一例，与天线2连接。
高频输入端子110是外部连接端子的一例，是用于从高频模块1的外部接收高频发送信号的端子。在本实施方式中，高频输入端子110从RFIC 3向高频模块1传输通信频段A及B的发送信号。
通信频段是指由标准化机构等(例如3GPP(3rd Generation PartnershipProject：第三代合作伙伴计划)、IEEE(Institute of Electrical and ElectronicsEngineers：电气电子工程师学会)等)为通信系统预先定义的频段。通信系统表示使用无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信系统。在本实施方式中，作为通信系统，例如能够使用5GNR(5th Generation New Radio：第五代新空口)系统、LTE(Long TermEvolution：长期演进)系统以及WLAN(Wireless Local Area Network：无线局域网)系统等，但是不限定于此。
高频输出端子120是外部连接端子的一例，是用于向高频模块1的外部提供高频接收信号的端子。在本实施方式中，高频输出端子120从高频模块1向RFIC 3传输通信频段A及通信频段B的接收信号。
功率放大器11能够对利用高频输入端子110接收到的高频信号进行放大。在此，功率放大器11能够对从高频输入端子110输入的通信频段A及B的高频信号进行放大。功率放大器11例如也可以是多级放大器和/或变换为差动信号后进行放大的放大器，但是不限定于此。
低噪声放大器21能够对利用天线连接端子100接收到的高频信号进行放大。在此，低噪声放大器21能够对从天线连接端子100经由开关53、双工器61及62以及开关52输入的通信频段A及B的接收信号进行放大。被低噪声放大器21放大后的高频信号被输出到高频输出端子120。低噪声放大器21例如也可以是多级放大器和/或变换为差动信号后进行放大的放大器，但是不限定于此。
双工器61使通信频段A的高频信号通过。双工器61将通信频段A的发送信号和接收信号以频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)方式进行传输。双工器61包括发送滤波器61T(A-Tx)和接收滤波器61R(A-Rx)。
发送滤波器61T连接于功率放大器11与天线连接端子100之间。发送滤波器61T使被功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段A的发送带的信号通过。也就是说，发送滤波器61T具有包含通信频段A的发送带的通带。
接收滤波器61R连接于低噪声放大器21与天线连接端子100之间。接收滤波器61R使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段A的接收带的信号通过。也就是说，接收滤波器61R具有包含通信频段A的接收带的通带。
双工器62使通信频段B的高频信号通过。双工器62将通信频段B的发送信号和接收信号以FDD方式进行传输。双工器62包括发送滤波器62T(B-Tx)和接收滤波器62R(B-Rx)。
发送滤波器62T连接于功率放大器11与天线连接端子100之间。发送滤波器62T使被功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段B的发送带的信号通过。也就是说，发送滤波器62T具有包含通信频段B的发送带的通带。
接收滤波器62R连接于低噪声放大器21与天线连接端子100之间。接收滤波器62R使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段B的接收带的信号通过。也就是说，接收滤波器62R具有包含通信频段B的接收带的通带。
开关51连接于发送滤波器61T及62T与功率放大器11之间。具体地说，开关51具有端子511、端子512以及端子513。端子511经由匹配电路71来与功率放大器11连接。端子512及端子513分别与发送滤波器61T及62T连接。在该连接结构中，开关51例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子512和端子513中的任一者与端子511连接。也就是说，开关51能够在将功率放大器11与发送滤波器61T连接以及将功率放大器11与发送滤波器62T连接之间切换。开关51例如由SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成，被称作频段选择开关。
开关52连接于接收滤波器61R及62R与低噪声放大器21之间。具体地说，开关52具有端子521、端子522以及端子523。端子521经由匹配电路72来与低噪声放大器21连接。端子522及端子523分别与接收滤波器61R及62R连接。在该连接结构中，开关52例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子522和端子523中的任一者与端子521连接。也就是说，开关52能够在将低噪声放大器21与接收滤波器61R连接以及将低噪声放大器21与接收滤波器62R连接之间切换。开关52例如由SPDT型的开关电路构成。
开关53连接于天线连接端子100与双工器61及62之间。具体地说，开关53具有端子531、端子532以及端子533。端子531与天线连接端子100连接。端子532经由匹配电路73来与双工器61连接。端子533经由匹配电路74来与双工器62连接。在该连接结构中，开关53例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子532和端子533中的一方或两方与端子531连接。也就是说，开关53能够对天线2与双工器61的连接和非连接进行切换，对天线2与双工器62的连接和非连接进行切换。开关53例如由多连接型的开关电路构成，被称作天线开关。
匹配电路71例如由电感器和/或电容器构成，能够取得功率放大器11与发送滤波器61T及62T的阻抗匹配。匹配电路71连接于功率放大器11与发送滤波器61T及62T之间。具体地说，匹配电路71与功率放大器11的输出连接，并经由开关51来与发送滤波器61T及62T连接。
匹配电路72例如由电感器和/或电容器构成，能够取得低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R的阻抗匹配。匹配电路72连接于低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R之间。具体地说，匹配电路72与低噪声放大器21的输入连接，经由开关52来与接收滤波器61R及62R连接。
匹配电路73例如由电感器和/或电容器构成，能够取得天线2与双工器61的阻抗匹配。匹配电路73连接于天线连接端子100与双工器61之间。具体地说，匹配电路73与双工器61连接，经由开关53来与天线连接端子100连接。
匹配电路74例如由电感器和/或电容器构成，能够取得天线2与双工器62的阻抗匹配。匹配电路74连接于天线连接端子100与双工器62之间。具体地说，匹配电路74与双工器62连接，经由开关53来与天线连接端子100连接。
此外，也可以是，图1中示出的电路元件中的几个不包括在高频模块1中。例如，高频模块1只要具备功率放大器11和低噪声放大器21即可，也可以不具备其它电路元件。
另外，在高频模块1的电路结构中，能够以FDD方式进行发送信号和接收信号的通信，但是本实用新型所涉及的高频模块的电路结构不限定于此。例如，本实用新型所涉及的高频模块也可以具有能够以时分双工(TDD：Time Division Duplex)方式进行发送信号和接收信号的通信的电路结构，还可以具有能够以FDD方式和TDD方式这两方进行通信的电路结构。另外，本实用新型所涉及的高频模块也可以具有仅能够传输发送信号和接收信号中的一方的电路结构。
[1.2高频模块1的部件配置]
接着，参照图2A～图4来具体说明如以上那样构成的高频模块1的部件配置。
图2A和图2B是实施方式所涉及的高频模块1的立体图。具体地说，图2A是从斜上观察到的高频模块1的立体图，图2B是从斜下观察到的高频模块1的立体图。
图3A和图3B是实施方式所涉及的高频模块1的俯视图。具体地说，图3A是从上方观察到的高频模块1的俯视图，图3B是从下方观察到的高频模块1的俯视图。
图4是实施方式所涉及的高频模块1的截面图。图4中的高频模块1的截面是图3A和图3B的iv-iv线处的截面。
如图2A～图4所示，高频模块1除了具备由图1中示出的电路元件构成的电路部件以外，还具备模块基板91、树脂构件92及93、地电极图案94以及屏蔽电极层95。另外，高频模块1具备多个柱电极150作为多个外部连接端子。此外，在图3A中，省略了树脂构件92和屏蔽电极层95的记载。
模块基板91具有彼此相向的主面91a及91b。在本实施方式中，模块基板91是多层基板，包含地电极图案94的布线图案形成于内部。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC：High Temperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重新布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷电路板等，但是不限定于它们。
主面91a是第一主面的一例，有时被称为上表面或表面。如图3A和图4所示，在主面91a配置有功率放大器11、双工器61及62、匹配电路71～74、以及树脂构件92。
双工器61及62中的各双工器例如可以是声表面波滤波器、使用BAW(BulkAcoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一者，而且不限定于它们。
树脂构件92配置在模块基板91的主面91a上，覆盖了主面91a上的电路部件。树脂构件92具有确保主面91a和主面91a上的电路部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。
主面91b是第二主面的一例，有时被称为下表面或背面。如图3B和图4所示，在主面91b配置有低噪声放大器21、开关51～53、树脂构件93、以及多个柱电极150。
低噪声放大器21和开关51～53内置于同一半导体部件20。半导体部件20也被称作半导体集成电路，是在半导体芯片(也被称作管芯)的表面和内部形成有电子电路的电子部件。在俯视时，半导体部件20具有由第一边201～第四边204构成的矩形形状，矩形表面从树脂构件93暴露出来。
在此，第一边201与第二边202彼此相向，第三边203与第四边204彼此相向。也就是说，第三边203及第四边204与第一边201及第二边202交叉。
半导体部件20例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成，具体地说，可以通过SOI(Silicon on Insulator：绝缘体上的硅)工艺构成。由此，能够廉价地制造半导体部件20。此外，半导体部件20也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。由此，能够实现高质量的半导体部件20。
多个柱电极150是包括天线连接端子100、高频输入端子110以及高频输出端子120的多个外部连接端子的一例。多个柱电极150配置于模块基板91的主面91b，从主面91b垂直地延伸。多个柱电极150中的各柱电极贯通树脂构件93，其一端从树脂构件93暴露出来。多个柱电极150的从树脂构件93露出的一端与在高频模块1的z轴负方向配置的主板上的输入输出端子和/或地电极等连接。
另外，多个柱电极150沿着半导体部件20的第一边201～第四边204排列配置。也就是说，多个柱电极150排列在半导体部件20的周边区域912。在此，参照图5来说明模块基板91的主面91b上的区域。
图5是表示实施方式中的模块基板91的主面91b上的区域的图。主面91b具有用于配置半导体部件20的中央区域911以及用于配置多个柱电极150的周边区域912。在图5中，周边区域912是将配置于中央区域911的半导体部件20包围的矩形框状的阴影区域。
周边区域912具有分别位于周边区域912的角的第一角部912a～第四角部912d。在此，第一角部912a与第二角部912b彼此相向，第三角部912c与第四角部912d彼此相向。也就是说，第三角部912c及第四角部912d不与第一角部912a相向，也不与第二角部912b相向。在第一角部912a～第四角部912d分别配置有柱电极150。在此，将配置于第一角部912a～第四角部912d的柱电极150分别称为第一柱电极151～第四柱电极154。
第一柱电极151是第一外部连接端子的一例，配置于周边区域912的第一角部912a。第二柱电极152是第二外部连接端子的一例，配置于周边区域912的第二角部912b。也就是说，半导体部件20配置于第一柱电极151与第二柱电极152之间。
第三柱电极153是第三外部连接端子的一例，配置于周边区域912的第三角部912c。第四柱电极154是第四外部连接端子的一例，配置于周边区域912的第四角部912d。也就是说，半导体部件20配置于第三柱电极153与第四柱电极154之间。
树脂构件93配置在模块基板91的主面91b上，覆盖了主面91b。树脂构件93具有确保主面91b和主面91b上的电路部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。
在本实施方式中，树脂构件93在其下表面具有第一槽部931～第四槽部934。如图4所示，第一槽部931～第四槽部934分别具有比树脂构件93的厚度(沿z轴的长度)小的深度。也就是说，第一槽部931～第四槽部934的底没有到达模块基板91的主面91b。由此，能够防止模块基板91的主面91b从树脂构件93暴露出来，能够实现主面91b的保护。这种第一槽部931～第四槽部934例如能够通过激光加工或切削加工来形成。此外，第一槽部931～第四槽部934的底也可以到达模块基板91的主面91b。
第一槽部931沿着半导体部件20的第一边201延伸，配置于第一柱电极151与半导体部件20之间。另外，在俯视模块基板91时，第一槽部931从主面91b的一端延伸至另一端。由此，第一槽部931插入在第一柱电极151与同第一柱电极151相邻的2个柱电极150中的1个柱电极150之间。另外，第一槽部931插入在第三柱电极153与同第三柱电极153相邻的2个柱电极150中的1个柱电极150之间。
第二槽部932沿着半导体部件20的第二边202延伸，配置于第二柱电极152与半导体部件20之间。另外，在俯视模块基板91时，第二槽部932从主面91b的一端延伸至另一端。由此，第二槽部932插入在第二柱电极152与同第二柱电极152相邻的2个柱电极150中的1个柱电极150之间。另外，第二槽部932插入在第四柱电极154与同第四柱电极154相邻的2个柱电极150中的1个柱电极150之间。
第三槽部933沿着半导体部件20的第三边203延伸，配置于第一柱电极151与半导体部件20之间。另外，在俯视模块基板91时，第三槽部933从主面91b的一端延伸至另一端。由此，第三槽部933插入在第一柱电极151与同第一柱电极151相邻的2个柱电极150中的1个柱电极150之间。另外，第三槽部933插入在第四柱电极154与同第四柱电极154相邻的2个柱电极150中的1个柱电极150之间。
第四槽部934沿着半导体部件20的第四边204延伸，配置于第二柱电极152与半导体部件20之间。另外，在俯视模块基板91时，第四槽部934从主面91b的一端延伸至另一端。由此，第四槽部934插入在第二柱电极152与同第二柱电极152相邻的2个柱电极150中的1个柱电极150之间。另外，第四槽部934插入在第三柱电极153与同第三柱电极153相邻的2个柱电极150中的1个柱电极150之间。
屏蔽电极层95是例如通过溅射法形成的金属薄膜，形成为覆盖树脂构件92的上表面及侧表面以及模块基板91及树脂构件93的侧表面。屏蔽电极层95被设定为地电位，抑制外来噪声对构成高频模块1的电路部件的侵入。此外，高频模块1也可以不具备屏蔽电极层95。也就是说，屏蔽电极层95不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
[1.3效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；树脂构件93，其覆盖主面91b，具有第一槽部931和第二槽部932；多个柱电极150，所述多个柱电极150包括第一柱电极151和第二柱电极152，配置在主面91b上，贯通树脂构件93；以及半导体部件20，其在主面91b上配置于第一柱电极151与第二柱电极152之间，从树脂构件93暴露出来，其中，第一槽部931配置于第一柱电极151与半导体部件20之间，第二槽部932配置于第二柱电极152与半导体部件20之间。
据此，在从树脂构件93暴露出来的半导体部件20与第一柱电极151之间配置第一槽部931，在该半导体部件20与第二柱电极152之间配置第二槽部932。因而，能够通过第一槽部931和第二槽部932来缓和因半导体部件20与树脂构件93的线膨胀系数的不同而产生的热应力。特别是，第一柱电极151和第二柱电极152在相离的位置处与主板接合，因此热应力容易集中。因而，第一槽部931和第二槽部932能够有效地缓和集中于第一柱电极151和第二柱电极152的热应力。其结果，高频模块1能够减少第一柱电极151和第二柱电极152的与主板接合的接合部的损坏，能够提高TCoB条件下的可靠性。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在俯视时，半导体部件20具有矩形形状，该矩形形状具有第一边201、与第一边201相向的第二边202以及与第一边201交叉的第三边203及第四边204，第一槽部931沿着第一边201延伸，第二槽部932沿着第二边202延伸。
在TCoB条件下，由于因半导体部件20与树脂构件93的线膨胀系数的不同而产生的模块基板91的翘曲而引起柱电极与主板的接合部的损坏的情况多。因而，沿着半导体部件20的相向的2个边配置第一槽部931和第二槽部932，由此高频模块1能够减少模块基板91的翘曲，能够提高TCoB条件下的可靠性。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，多个柱电极150沿着半导体部件20的第一边201、第二边202、第三边203以及第四边204排列配置，树脂构件93还具有沿着第三边203延伸的第三槽部933和沿着第四边204延伸的第四槽部934。
据此，沿着半导体部件20的4个边配置第一槽部931～第四槽部934，因此高频模块1能够进一步减少模块基板91的翘曲，能够进一步提高TCoB条件下的可靠性。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，第一柱电极151配置于包围半导体部件20的矩形框状的周边区域912的第一角部912a，第一槽部931插入在第一柱电极151与同第一柱电极151相邻的两个柱电极150中的一个柱电极150之间，第三槽部933插入在第一柱电极151与同第一柱电极151相邻的两个柱电极150中的另一个柱电极150之间。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，第二柱电极152配置于周边区域912的与第一角部912a相向的第二角部912b，第二槽部932插入在第二柱电极152与同第二柱电极152相邻的两个柱电极150中的一个柱电极150之间，第四槽部934插入在第二柱电极152与同第二柱电极152相邻的两个柱电极150中的另一个柱电极150之间。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，多个柱电极150包括第三柱电极153，该第三柱电极153配置于第三角部912c，该第三角部912c为周边区域912的不与第一角部912a相向的两个角部中的一个角部，第一槽部931插入在第三柱电极153与同第三柱电极153相邻的两个柱电极150中的一个柱电极150之间，第四槽部934插入在第三柱电极153与同第三柱电极153相邻的两个柱电极150中的另一个柱电极150之间。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，多个柱电极150包括第四柱电极154，该第四柱电极154配置于第四角部912d，该第四角部912d为周边区域912的不与第一角部912a相向的两个角部中的另一个角部，第二槽部932插入在第四柱电极154与同第四柱电极154相邻的两个柱电极150中的一个柱电极150之间，第三槽部933插入在第四柱电极154与同第四柱电极154相邻的两个柱电极150中的另一个柱电极150之间。
据此，能够将沿着半导体部件20的第一边201～第四边204排列配置的多个柱电极150中的位于角的4个柱电极(第一柱电极151～第四柱电极154)中的至少1个柱电极与相邻的柱电极150隔离。在TCoB条件下，特别是，热应力集中于位于角的柱电极150，接合部容易损坏。因而，通过第一槽部931～第四槽部934将第一柱电极151～第四柱电极154隔离，由此能够有效缓和集中于第一柱电极151～第四柱电极154的热应力。其结果，高频模块1能够减少第一柱电极151～第四柱电极154与主板的接合部的损坏，能够提高TCoB条件下的可靠性。
另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1也可以还具备功率放大器11和低噪声放大器21，也可以是，功率放大器11配置于主面91a，低噪声放大器21内置于配置于主面91b的半导体部件20。
据此，能够将功率放大器11和低噪声放大器21配置于模块基板91的相反的面，能够抑制发送路径和接收路径的隔离度特性的劣化且实现高频模块1的小型化。
另外，本实施方式所涉及的通信装置5具备：RFIC 3，其对高频信号进行处理；以及高频模块1，其在RFIC 3与天线2之间传输高频信号。
据此，在通信装置5中，能够实现与高频模块1同样的效果。
(变形例)
此外，在上述实施方式中，树脂构件93具有第一槽部931～第四槽部934作为凹部，但是凹部的数量和形状不限定于此。凹部的数量只要是至少2个即可。例如，凹部的数量也可以是3个，还可以是5个以上。另外，凹部也可以不是槽部。
图6是实施方式的变形例所涉及的高频模块1A的俯视图。本变形例所涉及的高频模块1A的树脂构件93具有第一凹部931A～第四凹部934A来代替第一槽部931～第四槽部934。第一凹部931A配置于第一柱电极151与半导体部件20之间。第二凹部932A配置于第二柱电极152与半导体部件20之间。第三凹部933A配置于第三柱电极153与半导体部件20之间。第四凹部934A配置于第四柱电极154与半导体部件20之间。
如以上那样，在树脂构件93具有第一凹部931A～第四凹部934A来代替第一槽部931～第四槽部934的情况下，高频模块1A也能够减少第一柱电极151～第四柱电极154的与主板接合的接合部的损坏，能够提高TCoB条件下的可靠性。
(其它变形例)
以上，关于本实用新型所涉及的高频模块和通信装置，基于实施方式和变形例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式和变形例。将上述实施方式和变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本实用新型中。
例如，在上述各实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。例如，在上述实施方式中，也可以在天线连接端子100与开关53之间插入滤波器。
此外，上述各实施方式中的部件的配置是一个例子，不限定于此。例如，在实施方式中，开关51也可以配置于主面91a。
此外，在上述各实施方式中，柱电极被用作外部连接端子，但是外部连接端子不限定于柱电极。例如，作为外部连接端子，也可以使用凸块电极。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (9)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
树脂构件，其覆盖所述第二主面，具有第一凹部和第二凹部；
多个外部连接端子，所述多个外部连接端子包括第一外部连接端子和第二外部连接端子，配置在所述第二主面上，贯通所述树脂构件；以及
半导体部件，其在所述第二主面上配置于所述第一外部连接端子与所述第二外部连接端子之间，从所述树脂构件暴露出来，
其中，所述第一凹部配置于所述第一外部连接端子与所述半导体部件之间，
所述第二凹部配置于所述第二外部连接端子与所述半导体部件之间。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
在俯视时，所述半导体部件具有矩形形状，该矩形形状具有第一边、与所述第一边相向的第二边以及与所述第一边交叉的第三边及第四边，
所述第一凹部是沿着所述第一边延伸的第一槽部，
所述第二凹部是沿着所述第二边延伸的第二槽部。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述多个外部连接端子沿着所述半导体部件的所述第一边、所述第二边、所述第三边以及所述第四边排列配置，
所述树脂构件还具有沿着所述第三边延伸的第三槽部以及沿着所述第四边延伸的第四槽部。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述第一外部连接端子配置于包围所述半导体部件的矩形框状的周边区域的第一角部，
所述第一槽部插入在所述第一外部连接端子与同所述第一外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的一个外部连接端子之间，所述第三槽部插入在所述第一外部连接端子与同所述第一外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的另一个外部连接端子之间。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
所述第二外部连接端子配置于所述周边区域的与所述第一角部相向的第二角部，
所述第二槽部插入在所述第二外部连接端子与同所述第二外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的一个外部连接端子之间，所述第四槽部插入在所述第二外部连接端子与同所述第二外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的另一个外部连接端子之间。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
所述多个外部连接端子包括第三外部连接端子，所述第三外部连接端子配置于第三角部，所述第三角部为所述周边区域的不与所述第一角部相向的两个角部中的一个角部，
所述第一槽部插入在所述第三外部连接端子与同所述第三外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的一个外部连接端子之间，所述第四槽部插入在所述第三外部连接端子与同所述第三外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的另一个外部连接端子之间。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
所述多个外部连接端子包括第四外部连接端子，所述第四外部连接端子配置于第四角部，所述第四角部为所述周边区域的不与所述第一角部相向的两个角部中的另一个角部，
所述第二槽部插入在所述第四外部连接端子与同所述第四外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的一个外部连接端子之间，所述第三槽部插入在所述第四外部连接端子与同所述第四外部连接端子相邻的两个外部连接端子中的另一个外部连接端子之间。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，还具备：
功率放大器；以及
低噪声放大器，
其中，所述功率放大器配置于所述第一主面，
所述低噪声放大器内置于配置于所述第二主面的所述半导体部件。
9.一种通信装置，其特征在于，具备：
信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输所述高频信号。
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