KR101798092B1 - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

Abstract

피선택 단자(PS4)에는 SAW 듀플렉서(22, 23)가 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(22)와 피선택 단자(PS4) 사이에는 위상 회로(42)가, SAW 듀플렉서(23)와 피선택 단자(PS4) 사이에는 위상 회로(43)가 접속되어 있다. 위상 회로(42, 43)는 피선택 단자(PS4)측에서 볼 때, 제 1 통신 신호(f1Tx, f1Rx)의 기본파의 주파수 대역에서 SAW 듀플렉서(23)측이 고주파적으로 대략 개방으로 되고, 제 2 통신 신호(f2Tx, f2Rx)의 기본파의 주파수 대역에서 SAW 듀플렉서(22)측이 대략 개방으로 된다. 위상 회로(42)는 제 1 전송 신호(f1Tx)의 3배 고조파 주파수 대역 부근에 감쇠극을 갖는 대역 저지 필터를 겸용하고 있다. 이것에 의해, 제 1 송수신 회로와 제 2 송수신 회로가 공통 단자에 접속되는 구성에 있어서, 제 1 송수신 회로로부터 송신되는 제 1 송신 신호의 고조파 신호가 제 2 송수신 회로에 누설되는 것을 억제한다.

Description

고주파 모듈 및 통신 장치{HIGH FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE}

본 발명은 공통의 안테나를 사용하여 주파수 대역이 다른 복수의 통신 신호를 송수신 가능하게 하는 고주파 모듈에 관한 것이다.

현재, 통신 사양의 다양화 및 다채널화에 따라서, 휴대형 전화기 등의 무선 통신 장치에서는 복수 종류의 통신 신호를 송수신할 수 있는 것이 요구되고 있다. 이 때, 무선 통신 장치를 소형화하는 등의 이유에 의해 복수 종류의 통신 신호에 공통된 안테나를 사용하고 있다.

공통 안테나를 사용하는 경우, 제 1 통신 신호를 송수신하는 제 1 송수신 회로와 제 2 통신 신호를 송수신하는 제 2 송수신 회로를 공통 안테나에 접속한다. 즉, 공통 안테나에의 접속점을 통해서 제 1 송수신 회로의 한쪽 끝과 제 2 송수신 회로의 한쪽 끝이 접속되어 있다.

예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 멀티밴드 듀플렉서 모듈은 공통 안테나 단자, 제 1 듀플렉서(제 1 송수신 회로), 및 제 2 듀플렉서(제 2 송수신 회로)를 구비하고, 제 1 듀플렉서의 한쪽 끝과 제 2 듀플렉서의 한쪽 끝이 접속되고, 상기 접속점이 공통 안테나 단자에 접속되어 있다.

특허문헌 1에 기재된 고주파 모듈(멀티밴드 듀플렉서 모듈)에서는 제 1 듀플렉서와 제 2 듀플렉서의 접속점과, 제 1 듀플렉서 사이에 임피던스 정합 회로가 접속되어 있다. 이 임피던스 정합 회로에 의해, 제 1 듀플렉서와 공통 안테나 단자 사이에서의 임피던스 매칭을 행하고 있다.

일본 특허 공개 2010-45563호 공보

그러나, 상술의 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 고주파 모듈에서는 다음에 나타내는 바와 같은 문제가 발생된다.

현재, 통신 속도의 향상을 위해서, 각 통신 신호의 채널의 주파수 대역을 넓게 하는 것이 요구되고 있다. 그러나, 단일의 통신 밴드(통신 대역)에서 허용되는 주파수 대역 폭에는 제한이 있다. 따라서, 복수의 통신 밴드를 동시에 이용함으로써 통신 채널을 실질적으로 넓게 하는 것이 제안되어 있다. 이 방법은 캐리어 어그리게이션(Carrier Aggregation: CA)이라고 불리고 있다.

이 CA를 상술의 고주파 모듈에 적용한 경우, 제 1 듀플렉서를 통해서 제 1 주파수 대역을 이용한 제 1 통신 신호를 송수신함과 아울러, 동시에 제 2 듀플렉서를 통해서 제 2 주파수 대역을 이용한 제 2 통신 신호를 송수신하게 된다. 또한, 이 때 제 1, 제 2 통신 신호의 양쪽에서 송신과 수신을 행하는 경우뿐만 아니라 한쪽의 통신 신호만 송신 또는 수신을 행하는 경우도 있다.

제 1 송수신 회로와 제 2 송수신 회로가 공통의 안테나 또는 공통 단자에 접속되어 있는 구성에 있어서, 제 1 통신 신호의 송신 신호(제 1 송신 신호)의 고조파 주파수가 제 2 통신 신호의 수신 신호(제 2 수신 신호)의 기본 주파수에 근접 또는 적어도 일부가 겹치는 경우, 제 1 송신 신호의 고조파 신호가 제 2 듀플렉서에 누설되어 버린다. 이것에 의해, 제 2 수신 신호의 수신 감도가 열화되어 버린다.

본 발명의 목적은 제 1 송수신 회로와 제 2 송수신 회로가 공통의 안테나 또는 공통 단자에 접속되는 구성에 있어서, 제 1 송수신 회로로부터 송신되는 제 1 송신 신호의 고조파 신호가 제 2 송수신 회로에 누설되는 것을 억제할 수 있는 고주파 모듈을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 고주파 모듈은 제 1 송수신 회로와 제 2 송수신 회로와 공통 단자와 위상 회로를 구비한다. 제 1 송수신 회로는 제 1 주파수 대역의 제 1 통신 신호를 송수신하고, 제 2 송수신 회로는 제 1 주파수 대역과 다른 제 2 주파수 대역의 제 2 통신 신호를 송수신한다. 공통 단자는 제 1 통신 신호와 제 2 통신 신호에 공통 이용되는 안테나에 접속하기 위한 단자이다. 접속점은 제 1 송수신 회로 및 제 2 송수신 회로와 공통 단자가 일점에 접속되는 점이다.

위상 회로는 접속점과 제 1 송수신 회로에 접속되는 회로 소자를 갖고, 제 1 주파수 대역에서 접속점으로부터 보아서 제 2 송수신 회로측이 고주파적 개방 상태로 되고, 제 2 주파수 대역에서 접속점으로부터 보아서 제 1 송수신 회로측이 고주파적 개방 상태로 되도록 위상 조정한다. 또한, 위상 회로는 접속점과 제 1 송수신 회로 사이에 접속된 대역 저지 필터를 포함하고, 그 대역 저지 필터는 제 1 주파수 대역 내에 있는 특정 주파수 대역의 고조파 주파수를 포함하는 감쇠역과, 그 감쇠역의 외측의 고주파측 및 저주파측에 형성되는 통과 대역을 갖고, 그 저파수측의 통과 대역 내에 제 1 주파수 대역을 포함한다.

이 구성에서는, 제 1 송수신 회로로부터 출력되는 제 1 통신 신호의 제 1 송신 신호의 고조파 주파수 성분(고조파 신호)은 대역 저지 필터에 의해서 차단되어 제 2 송수신 회로까지 전송되지 않는다. 이 때, 제 1 송신 신호의 기본파 성분은 공통 단자에 저손실로 출력되고, 제 2 송수신 회로측에는 전송되지 않는다. 또한, 제 2 송신 신호의 기본파 성분은 공통 단자로 저손실로 출력되고, 제 1 송수신 회로측에는 전송되지 않는다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는 감쇠역과 제 2 주파수 대역은 주파수 대역이 겹치는 것이 바람직하다.

이 구성에서는 제 2 주파수 대역의 통신 신호(제 2 통신 신호)의 송신시 또는 수신시에, 제 2 송수신 회로측에 제 1 송신 신호의 고조파 주파수 성분(고조파 신호)이 들어가지 않는다. 따라서, 제 2 통신 신호의 수신 신호(제 2 수신 신호)의 수신시에는 제 2 수신 신호에 대한 수신 감도가 향상된다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는 제 1 송수신 회로는 제 1 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호를 분파하는 분파 회로이며, 제 2 송수신 회로는 상기 제 2 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호를 분파하는 분파 회로인 것이 바람직하다.

이 구성에서는 제 1, 제 2 송수신 회로의 구체적인 회로의 형태를 나타내고 있다. 이러한 분파 회로에서는 주로 SAW 듀플렉서가 사용되지만, SAW 듀플렉서는 신호 전력이 높은 송신 신호 등의 고조파 신호가 입력되면 고조파 왜곡을 발생시켜 고조파를 발생하여 버린다. 그러나, 이러한 고조파 신호가 발생해도 상술의 위상 회로를 포함하는 회로 구성을 구비함으로써, 제 1 송수신 회로(분파 회로)로부터 생긴 상기 고조파 신호가 제 2 송수신 회로에 들어가는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는 다음의 구성인 것이 바람직하다. 위상 회로는 접속점과 제 1 송수신 회로 사이에 직렬 접속되는 제 1 인덕터와 제 1 인덕터에 병렬 접속되는 제 1 캐패시터의 병렬 공진 회로를 구비한다.

이 구성에서는 대역 저지 필터를 인덕터와 캐패시터로 구성하고 있다. 이것에 의해, 통과 대역에서의 삽입 손실이 적고, 대역 저지 필터 자체로부터 고조파 신호가 발생되지 않으므로 보다 적합하다.

또한, 이 발명의 고주파 모듈에서는, 위상 회로는 병렬 공진 회로의 제 1 송수신 회로측과 그라운드 사이에 접속되는 제 2 인덕터를 구비하는 것이 바람직하다.

이 구성에서는, 또한 최적의 위상 조정이 실현될 수 있다. 또한, 공통 단자로부터 입력되어 제 1 송수신 회로측에 전송되는 서지를 그라운드로 흘릴 수 있어 제 1 송수신 회로를 서지로부터 보호할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는, 위상 회로는 접속점과 제 2 송수신 회로 사이에 직렬 접속되는 제 2 캐패시터와, 그 제 2 캐패시터의 제 2 송수신 회로측과 그라운드 사이에 접속되는 제 3 인덕터를 더 구비하는 것이 바람직하다.

이 구성에서는, 또한 최적의 위상 조정이 실현될 수 있다. 또한, 공통 단자로부터 입력되어 제 2 송수신 회로측에 전송되는 서지를 그라운드로 흘릴 수 있어 제 2 송수신 회로를 서지로부터 보호할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는 다음의 구성인 것이 바람직하다. 고주파 모듈은 도체 패턴이 형성된 유전체층을 복수 적층해서 이루어지는 적층체를 구비한다. 제 2 인덕터와 제 3 인덕터의 한쪽은 도체 패턴에 의해 적층체의 내부에 형성된 코일 형상 도체이다. 제 2 인덕터와 제 3 인덕터의 다른쪽은 적층체의 표면에 실장된 실장형 인덕터 부품이다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는 다음의 구성인 것이 바람직하다. 적층체는 내부에 그라운드용 도체를 복수 구비한다. 제 2 인덕터가 접속되는 그라운드 도체와 제 3 인덕터가 접속되는 그라운드 도체는 다르다.

이들 구성에서는 공통 단자와 제 1 송수신 회로 사이의 고주파 전송 선로와, 공통 단자와 제 2 송수신 회로 사이의 고주파 전송 선로 사이의 아이솔레이션을 높게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈은 다음의 구성이어도 좋다. 고주파 모듈은 도체 패턴이 형성된 유전체층을 복수 적층해서 이루어지는 적층체를 구비한다. 제 2 인덕터와 제 3 인덕터는 도체 패턴에 의해 적층체의 내부에 형성된 코일 형상 도체이다. 제 1 송수신 회로를 구성하는 제 1 회로 소자와 제 2 송수신 회로를 구성하는 제 2 회로 소자는 적층체의 표면에 실장되어 있다. 제 2 인덕터를 형성하는 코일 형상 도체는 제 1 회로 소자의 실장 영역 아래에 배치되고, 제 3 인덕터를 형성하는 코일 형상 도체는 제 2 회로 소자의 실장 영역 아래에 배치되어 있다.

이 구성에서는, 제 2 인덕터 및 제 3 인덕터를 적층체 내에 형성되어도 제 2 인덕터와 제 3 인덕터가 이격되어 형성된다. 이것에 의해, 공통 단자와 제 1 송수신 회로 사이의 고주파 전송 선로와, 공통 단자와 제 2 송수신 회로 사이의 고주파 전송 선로 사이의 아이솔레이션을 높게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는, 제 1 회로 소자 및 제 2 회로 소자는 압전 공진자를 이용한 듀플렉서를 구비하는 것이 바람직하다.

이 구성에서는 제 1, 제 2 송수신 회로에 고조파 왜곡을 발생시키는 압전 공진자가 구비되어 있는 경우를 나타내고 있다. 이 경우, 압전 공진자의 고조파 왜곡에 의해서 제 1 송신 신호의 고조파 신호가 발생해도 대역 저지 필터에 의해서 차단되어 제 2 송수신 회로까지 전송되지 않는다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 고주파 모듈은 안테나 접속용 단자와 복수의 피선택 단자를 갖고, 복수의 피선택 단자 중 하나를 선택하여 안테나 접속용 단자에 접속하는 스위치 회로를 더 구비한다. 공통 단자는 스위치 회로의 복수의 피선택 단자 중 하나이다.

이 구성에서는 특정의 2종류의 통신 신호 사이에 있어서 상술의 작용 효과를 얻으면서, 더 많은 종류의 통신 신호를 공통 안테나에 의해 송수신할 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 고주파 모듈은 안테나 접속용 단자와 복수의 피선택 단자를 구비하고, 복수의 피선택 단자 중 하나를 선택하여 안테나 접속용 단자에 접속하는 스위치 회로를 더 구비한다. 스위치 회로는 적층체의 표면에 실장된 다이오드형 스위치 소자를 구비한다.

이 구성에서는 스위치 회로의 구체적인 형태를 나타내고 있다. 그리고, 상술의 그라운드에 접속하는 인덕터(션트 인덕터)를 구비함으로써 스위치 회로로부터 발생되는 서지 노이즈가 제 1 송수신 회로나 제 2 송수신 회로에 입력되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치 회로의 오프 단자(안테나 접속용 단자에 접속되어 있지 않은 피선택 단자)에 대전된 정전기를 그라운드로 흘릴 수 있다. 이것에 의해, 스위치 회로의 스위치 속도를 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 고주파 모듈에서는, 제 1 통신 신호와 제 2 통신 신호는 2개의 통신 신호를 동시에 송신하는 동시 송신, 2개의 통신 신호를 동시에 수신하는 동시 수신, 한쪽의 통신 신호를 송신하고 다른쪽의 통신 신호를 수신하는 동시 송수신 중 어느 하나에 의해서 송수신되는 것이 바람직하다.

이 구성에서는, 상술의 고주파 모듈을 2종류의 통신 신호가 동시에 통신되는 캐리어 어그리게이션에 이용한 경우를 나타내고 있다. 이 경우, 캐리어 어그리게이션을 행하는 2종류의 통신 신호를 제 1 통신 신호와 제 2 통신 신호로 설정하고, 제 1 송신 신호의 송신과 제 2 수신 신호의 수신을 동시에 행하는 경우에, 제 1 통신 신호의 고조파 신호가 제 2 송수신 회로로 입력되는 것을 억제할 수 있어 제 2 수신 신호의 SN을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 통신 장치는 다음의 구성을 갖는 것을 특징으로 하고 있다. 통신 장치는 상술의 어느 하나에 기재된 고주파 모듈과 공통의 안테나와 RFIC를 구비한다. 공통 안테나는 고주파 모듈에 접속하는 제 1 통신 신호와 제 2 통신 신호에 공통인 안테나이다. RFIC는 고주파 모듈에 접속하여 제 1 통신 신호와 제 2 통신 신호에 대하여 2개의 통신 신호를 동시에 송신하는 동시 송신, 2개의 통신 신호를 동시에 수신하는 동시 수신, 한쪽의 통신 신호를 송신하고 다른쪽의 통신 신호를 수신하는 동시 송수신 중 어느 하나를 선택하여 송수신 제어를 행한다.

이 구성에서는, 상술의 고주파 모듈을 2종류의 통신 신호가 동시에 통신되는 캐리어 어그리게이션에 이용한 통신 장치에 대해서 나타내고 있다. 이 경우, 캐리어 어그리게이션을 행하는 2종류의 통신 신호를 제 1 통신 신호와 제 2 통신 신호로 설정하고, 제 1 송신 신호의 송신과 제 2 수신 신호의 수신을 동시에 행하는 경우에, 제 1 통신 신호의 고조파 신호가 제 2 송수신 회로로 입력되는 것을 억제할 수 있어 제 2 수신 신호의 SN을 향상시킬 수 있다.

(발명의 효과)

본 발명에 의하면, 제 1 송수신 회로와 제 2 송수신 회로가 공통의 안테나 또는 공통 단자에 접속되는 구성에 있어서, 제 1 송수신 회로로부터 송신되는 제 1 송신 신호의 고조파 신호가 제 2 송수신 회로에 누설되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 제 2 송수신 회로의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 각종 전송 특성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 제 1 층~제 8 층의 적층도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 제 9 층~제 13 층의 적층도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 제 1 층(최상층)과 제 13 층(최하층)의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 의한 통신 장치의 회로 블록도이다.

본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 회로도이다.

고주파 모듈(10)은 안테나 접속용 단자(PMa), 프론트 엔드 접속용 단자(PM1, PM2, PM3, PM4, PM5, PM6, PM7, PM8, PM9, PM10, PM11, PM12, PM13, PM14), 제어용 단자(PM20, PM21, PM22, PM23, PM24)를 구비한다. 고주파 모듈(10)은 복수의 SAW 듀플렉서(21, 22, 23, 24, 25), SAW 필터(26, 27), 스위치 IC(30), 위상 회로(41, 42, 43, 44, 45, 46), 필터 회로(51, 52), 및 안테나 정합 회로(60)를 구비한다.

스위치 IC(30)는 공통 단자(PS0), 복수의 피선택 단자(PS1, PS2, PS3, PS4, PS5, PS6, PS7, PS8, PS9), 제어 신호 입력 단자(PS20, PS21, PS22, PS23, PS24)를 구비한다.

제어 신호 입력 단자(PS20)는 고주파 모듈(10)의 제어용 단자(PM20)에 접속되어 있으며, 외부로부터의 스위치 구동 전압이 입력되어 있다. 제어 신호 입력 단자(PS21-PS24)는 고주파 모듈(10)의 제어용 단자(PM21-PM24)에 각각 접속되어 있으며, 각각에 개별의 스위치 제어 신호가 입력되어 있다.

스위치 IC(30)는 제어 신호 입력 단자(PS20)에 입력되는 구동 전압에 의해 구동한다. 스위치 IC(30)는 다이오드 스위치를 복수 구비하는 반도체 스위치이며, 제어 신호 입력 단자(PS21-PS24)에 입력되는 제어 신호의 온오프 상태의 조합에 따라서 다이오드 스위치를 온오프 제어하고, 복수의 피선택 단자(PS1-PS9) 중 하나의 단자를 선택하여 공통 단자(PS0)에 접속한다.

스위치 IC(30)의 공통 단자(PS0)는 안테나 정합 회로(60)를 통해서 고주파 모듈(10)의 안테나 접속용 단자(PMa)에 접속되어 있다. 안테나 정합 회로(60)는 인덕터(L1, L2), 캐패시터(C1)를 구비한다. 인덕터(L1)는 공통 단자(PS0)와 안테나 접속용 단자(PMa) 사이에 직렬 접속되어 있다. 인덕터(L2)는 인덕터(L1)의 공통 단자(PS0)측의 단부와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 캐패시터(C1)는 인덕터(L1)의 안테나 접속용 단자(PMa)측의 단부와 그라운드 사이에 접속되어 있다.

안테나 정합 회로(60)는 이 회로 구성에 의해 스위치 IC(30)의 공통 단자(PS0)와 안테나 접속용 단자(PMa)에 접속되는 안테나(도시하지 않음) 사이의 임피던스 정합을 행한다. 또한, 안테나 정합 회로(60)는 인덕터(L2)를 구비함으로써 안테나 접속용 단자(PMa)로부터 입력되는 서지를 그라운드로 흘릴 수 있다. 이것에 의해, 인덕터(L2)의 전송 라인으로의 접속점보다 스위치 IC(30)에 서지가 인가되는 것을 억제할 수 있고, 안테나 정합 회로(60)는 ESD(Electro-Static-Discharge) 보호 회로로서도 기능한다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS1)는 필터 회로(51)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM1)에 접속되어 있다. 필터 회로(51)는 인덕터(GLt1, GLt2), 캐패시터(GCc1, GCc2, GCu1, GCu2, GCu3)를 구비하고 있다. 인덕터(GLt1, GLt2)는 피선택 단자(PS1)와 프론트 엔드 접속용 단자(PM1) 사이에 직렬 접속되어 있다. 캐패시터(GCc1)는 인덕터(GLt1)에 병렬 접속되어 있으며, 캐패시터(GCc2)는 인덕터(GLt2)에 병렬 접속되어 있다. 캐패시터(GCu1)는 인덕터(GLt1)의 피선택 단자(PS1)측의 단부와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 캐패시터(GCu2)는 인덕터(GLt1, GLt2)와의 접속점과 그라운드 사이에 접속되어 있다. 캐패시터(GCu3)는 인덕터(GLt2)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM1)측의 단부와 그라운드 사이에 접속되어 있다.

이 회로 구성에 의해, 필터 회로(51)는 로우 패스 필터로서 기능한다. 구체적으로는, 필터 회로(51)는 프론트 엔드 접속용 단자(PM1)로부터 입력되는 송신 신호(f3Tx, f4Tx)의 고조파 신호를 감쇠시켜 송신 신호(f3Tx, f4Tx)의 기본파 신호를 피선택 단자(PS1)에 전송한다. 송신 신호(f3Tx, f4Tx)는, 예를 들면 GSM850 통신 신호의 송신 신호나 GSM900 통신 신호의 송신 신호이다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS2)는 필터 회로(52)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM2)에 접속되어 있다. 필터 회로(52)는 인덕터(DLt1, DLt2), 캐패시터(DCc1, DCu2, DCu3)를 구비하고 있다. 인덕터(DLt1, DLt2)는 피선택 단자(PS2)와 프론트 엔드 접속용 단자(PM2) 사이에 직렬 접속되어 있다. 캐패시터(DCc1)는 인덕터(DLt1)에 병렬 접속되어 있다. 캐패시터(DCu2)는 인덕터(DLt1, DLt2)와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 캐패시터(DCu3)는 인덕터(DLt2)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM2)측의 단부와 그라운드 사이에 접속되어 있다.

이 회로 구성에 의해, 필터 회로(52)는 로우 패스 필터로서 기능한다. 구체적으로는, 필터 회로(52)는 프론트 엔드 접속용 단자(PM2)로부터 입력되는 송신 신호(f5Tx, f6Tx)의 고조파 신호를 감쇠시켜 송신 신호(f5Tx, f6Tx)의 기본파 신호를 피선택 단자(PS1)에 전송한다. 송신 신호(f5Tx, f6Tx)는, 예를 들면 GSM1800 통신 신호의 송신 신호나 GSM1900 통신 신호의 송신 신호이다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS3)는 위상 회로(41) 및 SAW 듀플렉서(21)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM3, PM4)에 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 피선택 단자(PS3)는 위상 회로(41)를 통해서 SAW 듀플렉서(21)의 공통 단자에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(21)는 압전 공진자를 이용한 제 1 SAW 필터와 제 2 SAW 필터로 구성되어 있다. SAW 듀플렉서(21)의 공통 단자는 제 1 SAW 필터를 통해서 평형형의 프론트 엔드 접속용 단자(PM3)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(21)의 공통 단자는 제 2 SAW 필터를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM4)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(21)의 제 2 SAW 필터의 프론트 엔드 접속용 단자(PM4)측의 단부는 인덕터(LB2t)를 통해서 그라운드에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(21)의 제 1 SAW 필터는 스위치 IC(30)측으로부터 프론트 엔드 접속용 단자(PM3)로 출력되는 수신 신호(f7Rx)의 기본파 신호를 전송하고, 상기 수신 신호(f7Rx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. SAW 듀플렉서(21)의 제 2 SAW 필터는 프론트 엔드 접속용 단자(PM4)로부터 입력되는 송신 신호(f7Tx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 송신 신호(f7Tx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. 통신 신호(f7Tx, f7Rx)는, 예를 들면 LTE의 Band 2의 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호이다.

위상 회로(41)는 인덕터(LB2a)를 구비한다. 인덕터(LB2a)는 피선택 단자(PS3)와 SAW 듀플렉서(21)를 접속하는 전송 라인의 특정 위치와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 위상 회로(41)는 피선택 단자(PS3)와 SAW 듀플렉서(21) 사이에서 통신 신호(f7Tx, f7Rx)의 기본파 주파수에 있어서의 임피던스 정합을 행한다. 또한, 인덕터(LB2a)를 구비함으로써 일반적으로 용량성을 갖는 SAW 듀플렉서(21)의 공통 단자에 대하여 유도성을 부여하는 위상 조정을 용이하게 행할 수 있다. 즉, 상기 임피던스 정합을 행하기 쉽게 할 수 있다.

또한, 위상 회로(41)는 인덕터(LB2a)를 구비함으로써 스위치 IC(30)측으로부터의 서지를 그라운드로 흘릴 수 있다. 구체적으로, 스위치 IC(30)측으로부터의 서지란 상술의 안테나 접속용 단자(PMa)로부터 입력되는 서지나, 스위치 IC(30)의 스위칭 동작에 의한 서지를 포함한다. 이것에 의해, 일반적으로 스위치 IC(30)보다 정전기에 약한 SAW 듀플렉서(21)에 대한 ESD 보호를 실현할 수 있다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS4)는 위상 회로(42) 및 SAW 듀플렉서(22)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM5, PM6)에 접속되어 있다. 또한, 스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS4)는 위상 회로(43) 및 SAW 듀플렉서(23)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM7, PM8)에 접속되어 있다.

위상 회로(42, 43)는 본 발명의 「위상 회로」에 상당한다. SAW 듀플렉서(22)를 포함하는 SAW 듀플렉서(22)보다 프론트 엔드 접속용 단자(PM5, PM6)측의 회로는 본 발명의 「제 1 송수신 회로」에 상당한다. SAW 듀플렉서(23)를 포함하는 SAW 듀플렉서(23)보다 프론트 엔드 접속용 단자(PM7, PM8)측의 회로는 본 발명의 「제 1 송수신 회로」에 상당한다. 그리고, 스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS4)에 접속하는 회로가 본 발명의 고주파 모듈을 구성하는 최소한 필요하게 되는 구성이며, 구체적인 구성 및 특성은 후술한다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS5)는 SAW 필터(26)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM9)에 접속되어 있다. 프론트 엔드 접속용 단자(PM9)는 평형형의 단자이다. SAW 필터(26)는 스위치 IC(30)측으로부터 프론트 엔드 접속용 단자(PM9)로 출력되는 수신 신호(f4Rx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 수신 신호(f4Rx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. 수신 신호(f4Rx)는, 예를 들면 GSM900 통신 신호의 수신 신호이다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS6)는 위상 회로(44) 및 SAW 듀플렉서(24)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM10, PM11)에 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 피선택 단자(PS6)는 위상 회로(41)를 통해서 SAW 듀플렉서(24)의 공통 단자에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(24)는 압전 공진자를 이용한 제 1 SAW 필터와 제 2 SAW 필터로 구성되어 있다. SAW 듀플렉서(24)의 공통 단자는 제 1 SAW 필터를 통해서 평형형의 프론트 엔드 접속용 단자(PM10)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(24)의 공통 단자는 제 2 SAW 필터를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM11)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(24)의 제 2 SAW 필터의 프론트 엔드 접속용 단자(PM11)측의 단부는 인덕터(LB3t)를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM11)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(24)의 제 1 SAW 필터는 스위치 IC(30)측으로부터 프론트 엔드 접속용 단자(PM10)로 출력되는 수신 신호(f8Rx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 수신 신호(f8Rx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. SAW 듀플렉서(24)의 제 2 SAW 필터는 프론트 엔드 접속용 단자(PM11)로부터 입력되는 송신 신호(f8Tx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 송신 신호(f8Tx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. 통신 신호(f8Tx, f8Rx)는, 예를 들면 LTE의 Band 1의 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호이다.

위상 회로(44)는 인덕터(LB3a)를 구비한다. 인덕터(LB3a)는 피선택 단자(PS6)와 SAW 듀플렉서(24)를 접속하는 전송 라인의 특정 위치와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 위상 회로(44)는 피선택 단자(PS6)와 SAW 듀플렉서(24) 사이에서 통신 신호(f8Tx, f8Rx)의 기본파 주파수에 있어서의 임피던스 정합을 행한다. 또한, 인덕터(LB3a)를 구비함으로써, 일반적으로 용량성을 갖는 SAW 듀플렉서(24)의 공통 단자에 대하여 유도성을 부여하는 위상 조정을 용이하게 행할 수 있다. 즉, 상기 임피던스 정합을 행하기 쉽게 할 수 있다.

또한, 위상 회로(44)는 인덕터(LB3a)를 구비함으로써 스위치 IC(30)측으로부터의 서지를 그라운드로 흘릴 수 있다. 구체적으로, 스위치 IC(30)측으로부터의 서지란 상술의 안테나 접속용 단자(PMa)로부터 입력되는 서지나 스위치 IC(30)의 스위칭 동작에 의한 서지를 포함한다. 이것에 의해, 일반적으로 스위치 IC(30)보다 정전기에 약한 SAW 듀플렉서(24)에 대한 ESD 보호를 실현할 수 있다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS7)는 위상 회로(45) 및 SAW 듀플렉서(25)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM12, PM13)에 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 피선택 단자(PS7)는 위상 회로(45)를 통해서 SAW 듀플렉서(25)의 공통 단자에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(25)는 압전 공진자를 이용한 제 1 SAW 필터와 제 2 SAW 필터로 구성되어 있다. SAW 듀플렉서(25)의 공통 단자는 제 1 SAW 필터를 통해서 평형형의 프론트 엔드 접속용 단자(PM12)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(25)의 공통 단자는 제 2 SAW 필터를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM13)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(25)의 제 2 SAW 필터의 프론트 엔드 접속용 단자(PM13)측의 단부는 인덕터(LB5t)를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM13)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(25)의 제 1 SAW 필터는 스위치 IC(30)측으로부터 프론트 엔드 접속용 단자(PM12)로 출력되는 수신 신호(f3Rx, f9Rx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 수신 신호(f3Rx, f9Rx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. SAW 듀플렉서(25)의 제 2 SAW 필터는 프론트 엔드 접속용 단자(PM13)로부터 입력되는 송신 신호(f9Tx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 송신 신호(f9Tx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. 통신 신호(f9Tx, f9Rx)는, 예를 들면 LTE의 Band 5의 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호이다. 수신 신호(f3Rx)는, 예를 들면 GSM1800 통신 신호의 수신 신호이다.

위상 회로(45)는 인덕터(LB5a)를 구비한다. 인덕터(LB5a)는 피선택 단자(PS7)와 SAW 듀플렉서(25)를 접속하는 전송 라인의 특정 위치와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 위상 회로(45)는 피선택 단자(PS7)와 SAW 듀플렉서(25) 사이에서 통신 신호(f9Tx, f9Rx, f3Rx)의 기본파 주파수에 있어서의 임피던스 정합을 행한다. 또한, 인덕터(LB5a)를 구비함으로써 일반적으로 용량성을 갖는 SAW 듀플렉서(25)의 공통 단자에 대하여 유도성을 부여하는 위상 조정을 용이하게 행할 수 있다. 즉, 상기 임피던스 정합을 행하기 쉽게 할 수 있다.

또한, 위상 회로(45)는 인덕터(LB5a)를 구비함으로써 스위치 IC(30)측으로부터 서지를 그라운드로 흘릴 수 있다. 구체적으로, 스위치 IC(30)측으로부터의 서지란 상술의 안테나 접속용 단자(PMa)로부터 입력되는 서지나 스위치 IC(30)의 스위칭 동작에 의한 서지를 포함한다. 이것에 의해, 일반적으로 스위치 IC(30)보다 정전기에 약한 SAW 듀플렉서(25)에 대한 ESD 보호를 실현할 수 있다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS8)는 SAW 필터(27)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM14)에 접속되어 있다. 스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS9)는 위상 회로(46) 및 SAW 필터(27)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM14)에 접속되어 있다. 프론트 엔드 접속용 단자(PM14)는 평형형의 단자이다. SAW 필터(27)는 스위치 IC(30)측으로부터 프론트 엔드 접속용 단자(PM14)로 출력되는 수신 신호(f5Rx, f6Rx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 수신 신호(f5Rx, f6Rx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. 수신 신호(f5Rx, f6Rx)는, 예를 들면 GSM1800 통신 신호 및 GSM1900 통신 신호의 수신 신호이다.

위상 회로(46)는 인덕터(LB6a)를 구비한다. 인덕터(LB6a)는 피선택 단자(PS9)와 SAW 필터(27)를 접속하는 전송 라인의 특정 위치와 그라운드 사이에 접속되어 있다. 인덕터(LB6a)를 구비함으로써, 일반적으로 용량성을 갖는 SAW 필터(27)에 대하여 유도성을 부여하는 위상 조정을 용이하게 행할 수 있다. 즉, 상기 임피던스 정합을 행하기 쉽게 할 수 있다.

또한, 위상 회로(46)는 피선택 단자(PS9)와 SAW 필터(27) 사이에서 수신 신호(f6Rx)의 기본파 주파수에 있어서의 임피던스 정합을 행한다. 또한, 위상 회로(46)는 인덕터(LB6a)를 구비함으로써, 스위치 IC(30)측으로부터의 서지를 그라운드로 흘릴 수 있다. 구체적으로, 스위치 IC(30)측으로부터의 서지란 상술의 안테나 접속용 단자(PMa)로부터 입력되는 서지나, 스위치 IC(30)의 스위칭 동작에 의한 서지를 포함한다. 이것에 의해, 일반적으로 스위치 IC(30)보다 정전기에 약한 SAW 필터(27)에 대한 ESD 보호를 실현할 수 있다.

이어서, 스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS4)에 접속되는 구체적인 회로 구성을 설명한다. 또한, 이 피선택 단자(PS4)가 본 발명의 「공통 단자」에 상당한다.

상술한 바와 같이, 스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS4)는 위상 회로(42) 및 SAW 듀플렉서(22)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM5, PM6)에 접속되어 있다.

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보다 구체적으로는, 피선택 단자(PS4)는 위상 회로(42)를 통해서 제 1 송수신 회로와 전기적으로 접속되는 공통 단자에 접속되어 있다. 제 1 송수신 회로는 SAW 듀플렉서(22)를 포함하는 분파 회로를 구성하고 있다.

SAW 듀플렉서(22)는 압전 공진자를 이용한 제 1 SAW 필터와 제 2 SAW 필터로 구성되어 있다. SAW 듀플렉서(22)의 공통 단자는 제 1 SAW 필터를 통해서 평형형의 프론트 엔드 접속용 단자(PM5)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(22)의 공통 단자는 제 2 SAW 필터를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM6)에 접속되어 있다.

SAW 듀플렉서(22)의 제 2 SAW 필터의 프론트 엔드 접속용 단자(PM6)측의 단부는 인덕터(LB1t)를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM6)에 접속되어 있다.

SAW 듀플렉서(22)의 제 1 SAW 필터는 스위치 IC(30)측으로부터 프론트 엔드 접속용 단자(PM5)로 출력되는 수신 신호(f1Rx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 수신 신호(f1Rx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다.

SAW 듀플렉서(22)의 제 2 SAW 필터는 프론트 엔드 접속용 단자(PM6)로부터 입력되는 송신 신호(f1Tx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 송신 신호(f1Tx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. 통신 신호(f1Tx, f1Rx)는, 예를 들면 LTE의 Band 17의 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호이다. 이 통신 신호가 본 발명의 「제 1 통신 신호」에 상당한다.

스위치 IC(30)의 피선택 단자(PS4)는 위상 회로(43) 및 SAW 듀플렉서(23)를 통해서 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM7, PM8)에 접속되어 있다.

보다 구체적으로는, 피선택 단자(PS4)는 위상 회로(43)를 통해서 제 2 송수신 회로와 전기적으로 접속되는 공통 단자에 접속되어 있다. 제 2 송수신 회로는 SAW 듀플렉서(23)를 포함하는 분파 회로를 구성하고 있다.

SAW 듀플렉서(23)는 압전 공진자를 이용한 제 1 SAW 필터와 제 2 SAW 필터로 구성되어 있다. SAW 듀플렉서(23)의 공통 단자는 제 1 SAW 필터를 통해서 평형형의 프론트 엔드 접속용 단자(PM7)에 접속되어 있다. SAW 듀플렉서(23)의 공통 단자는 제 2 SAW 필터를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM8)에 접속되어 있다.

SAW 듀플렉서(23)의 제 2 SAW 필터의 프론트 엔드 접속용 단자(PM8)측의 단부는 인덕터(LB4t)를 통해서 프론트 엔드 접속용 단자(PM8)에 접속되어 있다.

SAW 듀플렉서(23)의 제 1 SAW 필터는 스위치 IC(30)측으로부터 프론트 엔드 접속용 단자(PM7)로 출력되는 수신 신호(f2Rx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 수신 신호(f2Rx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다.

SAW 듀플렉서(23)의 제 2 SAW 필터는 프론트 엔드 접속용 단자(PM8)로부터 입력되는 송신 신호(f2Tx)의 기본파 신호를 전송하고, 그 송신 신호(f2Tx)의 기본파 신호 이외의 주파수 신호를 감쇠시킨다. 통신 신호(f2Tx, f2Rx)는, 예를 들면 LTE의 Band 4의 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호이다. 이 통신 신호가 본 발명의 「제 2 통신 신호」에 상당한다.

위상 회로(42)는 인덕터(L4, LB1a)와 캐패시터(C2)를 구비한다. 인덕터(L4)는 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(22) 사이에 직렬 접속되어 있다. 캐패시터(C2)는 인덕터(L4)에 병렬 접속되어 있다. 인덕터(LB1a)는 인덕터(L4)의 SAW 듀플렉서(22)측의 단부와 그라운드 사이에 접속되어 있다.

위상 회로(43)는 캐패시터(C3)와 인덕터(L3)를 구비한다. 캐패시터(C3)는 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(23) 사이에 직렬 접속되어 있다. 인덕터(L3)는 캐패시터(C3)의 SAW 듀플렉서(23)측의 단부와 그라운드 사이에 접속되어 있다.

위상 회로(42)는 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(22) 사이에서 통신 신호(f1Tx, f1Rx)의 기본파의 주파수 대역에 있어서의 임피던스 정합을 행한다. 위상 회로(43)는 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(23) 사이에서 통신 신호(f2Tx, f2Rx)의 기본파의 주파수 대역에 있어서의 임피던스 정합을 행한다.

이 구성에 의해, 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(22) 사이에서 제 1 통신 신호(제 1 송신 신호 및 제 1 수신 신호)의 기본파 신호를 저손실로 전송할 수 있다. 또한, 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(23) 사이에서 제 2 통신 신호(제 2 송신 신호 및 제 2 수신 신호)의 기본파 신호를 저손실로 전송할 수 있다.

또한, 위상 회로(42, 43)는 피선택 단자(PS4)에 접속하는 위상 회로(42, 43)의 접속점으로부터 보아서 통신 신호(f1Tx, f1Rx)의 기본파의 주파수 대역에서 SAW 듀플렉서(23)측이 고주파적으로 대략 개방으로 되도록 설정되어 있다. 또한, 위상 회로(42, 43)는 피선택 단자(PS4)에 접속하는 위상 회로(42, 43)의 접속점으로부터 보아서 통신 신호(f2Tx, f2Rx)의 기본파의 주파수 대역에서 SAW 듀플렉서(22)측이 대략 개방으로 되도록 설정되어 있다.

이 구성에 의해, 공통의 피선택 단자(PS4)에 접속되는 SAW 듀플렉서(22, 23) 사이에서 제 1 통신 신호의 기본파 신호 및 제 2 통신 신호의 기본파 신호의 주파수 대역에서의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.

또한, 위상 회로(42)는 인덕터(L4)와 캐패시터(C2)의 LC 병렬 공진 회로를 구비한다. 이것에 의해, 위상 회로(42)는 상기 LC 병렬 공진 회로의 공진 주파수를 감쇠극 주파수로 하는 대역 저지 필터도 구비한다.

이 때, 이 LC 병렬 공진 회로의 공진 주파수가 제 1 통신 신호의 고조파 신호의 주파수 대역과 일치 또는 근접하도록 설정되어 있다.

예를 들면, 제 1 통신 신호를 Band 17로 하고, 제 2 통신 신호를 Band 4로 한 경우, 제 1 통신 신호의 3차 고조파 신호의 주파수 대역과 일치 또는 근접하도록 설정되어 있다. 이것에 의해, Band 17의 송신 주파수 대역은 704MHz~716MHz이며, Band 4의 수신 주파수 대역은 2,110MHz~2,155MHz이므로, Band 17의 송신 신호(f1Tx)(제 1 송신 신호)의 3배 고조파의 주파수 대역이 Band 4의 수신 신호(f2Rx)(제 2 수신 신호)의 기본파의 주파수 대역과 겹친다.

그러나, 상술한 바와 같이, 위상 회로(42)에 의해서 구성되는 LC 병렬 공진 회로의 공진 주파수가 제 1 통신 신호의 3배 고조파 신호의 주파수 대역과 일치 또는 근접하도록 설정되어 있다. 이것에 의해, 상기 위상 회로(42)는 제 1 통신 신호의 3배 고조파 신호의 주파수 대역을 대폭 감쇠시켜 제 1 송신 신호(f1Tx)의 3배 고조파 신호의 주파수 대역의 신호, 즉 제 2 수신 신호(f2Rx)의 기본파의 주파수 대역의 신호가 SAW 듀플렉서(22)측으로부터 피선택 단자(PS4) 및 SAW 듀플렉서(23)측으로 전송하는 것을 억제할 수 있다.

이와 같이, 본 실시형태의 구성을 이용하면, 공통의 피선택 단자(PS4)에 접속되는 SAW 듀플렉서(22, 23) 사이에서 제 1 송신 신호의 고조파 신호의 주파수 대역에서의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.

특히, 제 1 송신 신호(f1Tx)의 송신과 제 2 수신 신호(f2Rx)의 수신을 동시에 행하는 캐리어 어그리게이션을 실행하는 경우라도, SAW 듀플렉서(22)로부터 피선택 단자(PS4)에 제 1 송신 신호(f1Tx)를 저손실로 전송하면서 SAW 듀플렉서(23)측에 제 1 송신 신호(f1Tx)의 3배 고조파 신호가 누설되는 것을 억제할 수 있고, 이 때에 수신 중인 제 2 수신 신호(f2Rx)의 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다. 환언하면, 제 2 수신 신호(f2Rx)의 수신 SN비를 향상시킬 수 있다.

도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 각종 전송 특성을 나타내는 도면이다. 도 2(A)는 피선택 단자[PS4(P10)]와 SAW 듀플렉서(22)의 공통 단자(P20) 사이(P10-P20)의 통과 특성을 나타내는 그래프이다. 도 2(B)는 피선택 단자[PS4(P10)]와 SAW 듀플렉서(23)의 공통 단자(P30) 사이(P10-P30)의 통과 특성을 나타내는 도면이다. 도 2(C)는 SAW 듀플렉서(22)의 공통 단자(P20)와 SAW 듀플렉서(23)의 공통 단자(P30) 사이(P20-P30)의 통과 특성을 나타내는 도면이다. 또한, 도 2에 있어서, 22Tx는 SAW 듀플렉서(22)의 제 2 SAW 필터의 통과 특성이며, 22Rx는 SAW 듀플렉서(22)의 제 1 SAW 필터의 통과 특성이다. 23Tx는 SAW 듀플렉서(23)의 제 2 SAW 필터의 통과 특성이며, 23Rx는 SAW 듀플렉서(23)의 제 1 SAW 필터의 통과 특성이다.

도 2(A)에 나타내는 바와 같이, 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(22) 사이에서는 제 1 송신 신호(f1Tx)의 주파수 대역(Wf1Tx) 및 제 1 수신 신호(f1Rx)의 주파수 대역(Wf1Rx), 즉 제 1 통신 신호의 기본파 주파수 대역(Wf1)에 있어서 저손실의 전송이 가능하다. 한편, 제 1 송신 신호(f1Tx)의 2배 고조파 신호(2f1Tx) 및 3배 고조파 신호(3f1Tx)에 있어서 감쇠를 얻을 수 있다. 특히, 3배 고조파 신호(3f1Tx)에서 대폭의 감쇠를 얻을 수 있다.

도 2(B)에 나타내는 바와 같이, 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(23) 사이에서는 제 2 송신 신호(f2Tx)의 주파수 대역(Wf1Tx) 및 제 2 수신 신호(f2Rx)의 주파수 대역(Wf2Rx), 즉 제 2 통신 신호의 기본파 주파수 대역(Wf2)에 있어서 저손실의 전송이 가능하다. 한편, 제 2 통신 신호의 기본파 주파수 대역(Wf2)보다 낮은 주파수 대역에 있어서 감쇠를 얻을 수 있다. 특히, 제 1 통신 신호의 기본파 주파수 대역(Wf1)에서 큰 감쇠를 얻을 수 있다.

도 2(C)에 나타내는 바와 같이, SAW 듀플렉서(22)와 SAW 듀플렉서(23) 사이에서는 제 1 통신 신호의 기본파 주파수 대역(Wf1)과 제 2 통신 신호의 기본파 주파수 대역(Wf2)의 양쪽에서 큰 감쇠를 얻을 수 있다. 즉, SAW 듀플렉서(22)와 SAW 듀플렉서(23) 사이에서는 제 1 통신 신호의 기본파 주파수 대역(Wf1)과 제 2 통신 신호의 기본파 주파수 대역(Wf2)의 양쪽에서 높은 아이솔레이션을 확보할 수 있다.

이상과 같이, 본 실시형태의 회로 구성를 구비함으로써 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(22) 사이에서 제 1 통신 신호를 저손실로 전송하고, 피선택 단자(PS4)와 SAW 듀플렉서(23) 사이에서 제 2 통신 신호를 저손실로 전송하고, SAW 듀플렉서(22, 23) 사이에서 제 1 통신 신호의 기본파 신호 및 제 2 통신 신호의 기본파 신호의 주파수 대역, 및 주파수 대역이 겹치는 제 1 송신 신호 및 제 2 통신 신호의 기본파 신호의 고조파 신호의 주파수 대역에서 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.

또한, 위상 회로(42)는 인덕터(LB1a)를 구비함으로써 제 1 통신 신호에 대한 임피던스 정합을 보다 최적화할 수 있음과 아울러, 일반적으로 용량성을 갖는 SAW 듀플렉서(22)의 공통 단자에 대하여 유도성을 부여하는 위상 조정을 용이하게 행할 수 있다. 즉, 상기 임피던스 정합을 행하기 쉽게 할 수 있다.

또한, 위상 회로(42)는 인덕터(LB1a)를 구비함으로써 스위치 IC(30)측으로부터의 서지를 그라운드로 흘릴 수 있다. 구체적으로, 스위치 IC(30)측으로부터의 서지란 상술의 안테나 접속용 단자(PMa)로부터 입력되는 서지나 스위치 IC(30)의 스위칭 동작에 의한 서지를 포함한다. 이것에 의해, 일반적으로 스위치 IC(30)보다 정전기에 약한 SAW 듀플렉서(22)에 대한 ESD 보호를 실현할 수 있다.

또한, 위상 회로(43)는 인덕터(L3)를 구비함으로써 제 2 통신 신호에 대한 임피던스 정합을 보다 최적화할 수 있음과 아울러, 일반적으로 용량성을 갖는 SAW 듀플렉서(23)의 공통 단자에 대하여 유도성을 부여하는 위상 조정을 용이하게 행할 수 있다. 즉, 상기 임피던스 정합을 행하기 쉽게 할 수 있다.

또한, 위상 회로(43)는 인덕터(L3)를 구비함으로써 스위치 IC(30)측으로부터의 서지를 그라운드로 흘릴 수 있다. 구체적으로, 스위치 IC(30)측으로부터의 서지란 상술의 안테나 접속용 단자(PMa)로부터 입력되는 서지나, 스위치 IC(30)의 스위칭 동작에 의한 서지를 포함한다. 이것에 의해, 일반적으로 스위치 IC(30)보다 정전기에 약한 SAW 듀플렉서(23)에 대한 ESD 보호를 실현할 수 있다.

또한, 상술의 대역 저지 필터를 LC 병렬 공진 회로 이외의 회로에서 실현할 수도 있다. 그러나, 대역 저지 필터를 LC 병렬 공진 회로로 구성함으로써 고조파 왜곡이 발생하지 않고, 감쇠 대역 이외의 대역에서 저손실의 전송이 가능해지므로 보다 적합하다. 특히, 상술한 바와 같이 3배 고조파 신호의 주파수에 감쇠극 주파수를 맞추는 경우에는 기본파 신호의 주파수 대역과 감쇠극 주파수의 주파수 차가 크므로, 비교적 감쇠 특성이 완만한 일단의 LC 병렬 공진 회로를 이용해도 충분히 실용성이 있는 전송 특성을 실현할 수 있다. 그리고, 이와 같이 일단의 LC 병렬 공진 회로를 이용함으로써 회로 구성 요소를 적게 할 수 있고, 고주파 모듈(10)의 회로 구성을 간소화하고 소형화할 수 있다.

이러한 회로 구성으로 이루어지는 고주파 모듈(10)은 다음에 나타내는 구조에 의해서 실현된다. 도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 제 1 층~제 8 층의 적층도이다. 도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 제 9 층~제 13 층의 적층도이다. 도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 제 1 층(최상층)과 제 13 층(최하층)의 확대도이다. 또한, 제 1 층~제 12 층은 표면측에 도체 패턴이 형성되어 있으며, 제 13 층은 이면측에 도체 패턴이 형성되어 있다.

고주파 모듈(10)은 복수의 유전체층(본 실시형태에서는 13층)을 적층해서 이루어지는 적층체와, 그 적층체의 표면에 실장된 실장 회로 부품에 의해서 구성된다. 적층체는 직육면체 형상으로 이루어지고, 다층 기판이라고도 불린다. 적층체의 각 층에는 도체 패턴이 형성되어 있으며, 적층체에는 유전체층을 관통하는 복수의 비아 도체(도 3, 도 4, 도 5에 있어서의 작은 원 표시)가 형성되어 있으며, 이들 도체 패턴 및 비아 도체와 실장 회로 부품에 의해서 도 1의 회로가 구성된다. 또한, 비아 도체에 대해서는 이하에서는 상세한 설명을 생략한다.

적층체의 제 1 층, 즉 표면층에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 부품 실장용 랜드 도체가 형성되어 있다. 각 부품 실장용 랜드에는, 도 5에 나타내는 바와 같이 각 실장 회로 부품이 실장되어 있다. 실장 회로 부품은 칩 인덕터로 이루어지는 인덕터(L1, L2, L3, L4), 칩 캐패시터로 이루어지는 캐패시터(C2, C3), 압전 공진 소자로 이루어지는 SAW 듀플렉서(21, 22, 23, 24, 25), 압전 공진자로 이루어지는 SAW 필터(26, 27)이다.

인덕터(L1, L2, L3, L4) 및 캐패시터(C2, C3)는 적층체의 실장면을 평면으로 본 제 1 각부 부근에 집중해서 배치되어 있다. 스위치 IC(30)는 적층체를 평면으로 본 제 1 각부를 구성하는 제 1 변의 근방이고, 또한 제 1 각부에 가까운 측의 영역에 배치되어 있다. SAW 듀플렉서(21, 22, 23)는 제 1 변과 대향하는 제 2 변의 근방에 상기 제 2 변을 따라서 배치되어 있다. SAW 듀플렉서(24)는 제 1 변의 근방이고, 또한 제 1 각부에서 먼 측의 영역에 배치되어 있다. SAW 듀플렉서(25), SAW 필터(26, 27)는 제 1 각부를 구성하는 제 3 변에 대향하는 제 4 변의 근방에 그 제 4 변을 따라서 배치되어 있다.

적층체의 제 2 층에는 도 1의 회로 구성을 실현하기 위한 라우팅 도체 패턴이 형성되어 있다.

적층체의 제 3 층에는 도 1의 회로 구성을 실현하기 위한 라우팅 도체 패턴이 형성됨과 아울러 복수의 내부 그라운드 도체 패턴(GND)이 형성되어 있다. 제 3 층의 각 내부 그라운드 도체 패턴(GND)은 SAW 듀플렉서(21-25)의 실장 영역과 적어도 일부가 겹치도록 형성되어 있다.

적층체의 제 4 층에는 도 1의 회로 구성을 실현하기 위한 라우팅 도체 패턴이 형성되어 있다.

적층체의 제 5 층에는 내부 그라운드 도체 패턴(GND)이 형성되어 있다. 제 5 층의 내부 그라운드 도체 패턴(GND)은 제 5 층의 대략 전면에 걸치는 형상으로 형성되어 있다.

적층체의 제 6 층에는 인덕터(GLt2, DLt2, LB2a, LB3a, LB5a, LB6a, LB1t, LB2t, LB3t, LB5t)를 실현하는 선상 도체 패턴이 형성되어 있다.

적층체의 제 7 층 및 제 8 층에는 인덕터(GLt1, GLt2, DLt1, DLt2, LB1a, LB2a, LB3a, LB5a, LB6a, LB1t, LB2t, LB3t, LB5t)를 실현하는 선상 도체 패턴이 형성되어 있다.

적층체의 제 9 층에는 인덕터(GLt1, GLt2, DLt1, DLt2, LB1a, LB2a, LB3a, LB5a, LB6a, LB2t, LB3t, LB4t)를 실현하는 선상 도체 패턴이 형성되어 있다.

이들 적층체 제 6 층~제 9 층의 도체 패턴에 의해, 인덕터(GLt1, GLt2, DLt1, DLt2, LB1a, LB2a, LB3a, LB5a, LB6a, LB1t, LB2t, LB3t, LB4t, LB5t)는 적층체 내에 형성된다. 이 때, 각 인덕터는 적층 방향을 축 방향으로 하는 나선상의 코일 형상 도체에 의해 실현된다.

적층체의 제 10 층에는 캐패시터(GCc1, GCc2, GCu3, DCc1)를 실현하는 평판 형상 도체 패턴이 형성되어 있다. 또한, 적층체의 제 10 층에는 내부 그라운드 도체 패턴(GND)이 형성되어 있다.

적층체의 제 11 층에는 캐패시터(GCu1, GCu2, DCc1)를 실현하는 평판 형상 도체 패턴이 형성되어 있다. 또한, 적층체의 제 11 층에는 도 1의 회로 구성을 실현하기 위한 라우팅 도체 패턴이 제 3 변 부근에 형성되어 있다.

적층체의 제 12 층에는 내부 그라운드 도체 패턴(GND)이 형성되어 있다. 제 12 층의 내부 그라운드 도체 패턴(GND)은 제 5 층의 대략 전면에 걸치는 형상으로 형성되어 있다.

적층체의 최하층(저면)인 제 13 층에는 각종의 외부 접속용 랜드와 외부 그라운드용 랜드(PGND)가 형성되어 있다. 외부 그라운드용 랜드(PGND) 중 3개는, 적층체는 이면의 중앙 영역에 배열 형성되어 있으며, 다른 외부 그라운드용 랜드(PGND)나 각종 외부 접속용 랜드보다 대면적으로 형성되어 있다. 각종의 외부 접속용 랜드는 도 1에 나타내는 안테나 접속용 단자(PMa), 프론트 엔드 접속용 단자(PM1, PM2, PM3, PM4, PM5, PM6, PM7, PM8, PM9, PM10, PM11, PM12, PM13, PM14)를, 제어용 단자(PM20, PM21, PM22, PM23, PM24)를 실현하는 직사각 형상의 도체 패턴이다.

도 5에 나타내는 바와 같이, 각 코너부에는 외부 그라운드용 랜드(PGND)가 배치되어 있다. 제 1 변의 제 1 코너부측으로부터, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM1)의 외부 접속용 랜드, 프론트 엔드 접속용 단자(PM2)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM13)의 외부 접속용 랜드, 프론트 엔드 접속용 단자(PM11)의 외부 접속용 랜드, 프론트 엔드 접속용 단자(PM6)의 외부 접속용 랜드, 프론트 엔드 접속용 단자(PM8)의 외부 접속용 랜드, 프론트 엔드 접속용 단자(PM4)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM10)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND)의 순서로 배열되어 있다.

제 2 변의 제 1 변측으로부터, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM9)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM12)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND)의 순서로 배열되어 있다.

제 3 변의 제 2 변측으로부터, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM14)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM3)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM5)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 프론트 엔드 접속용 단자(PM7)의 외부 접속용 랜드, 외부 그라운드용 랜드(PGND)의 순서로 배열되어 있다.

제 4 변의 제 3 변측으로부터, 외부 그라운드용 랜드(PGND), 제어용 단자(PM20)의 외부 접속용 랜드, 및 제어용 단자(PM21, PM22, PM23, PM24)를 실현하는 각 외부 접속용 랜드가 순서대로 배열되어 있다.

이러한 구성으로 함으로써, 위상 회로(42)를 구성하는 인덕터(LB1a)는 적층체 내에 형성되고, 위상 회로(43)를 구성하는 인덕터(L3)는 적층체의 표면에 실장된다. 이것에 의해, 인덕터(LB1a)와 인덕터(L3)가 근접하는 것을 억제할 수 있고, 이들 인덕터(LB1a)와 인덕터(L3)의 결합(자계 결합)을 억제할 수 있다. 이것에 의해, SAW 듀플렉서(22)측의 회로와 SAW 듀플렉서(23)의 회로의 아이솔레이션을 더욱 높게 확보할 수 있다.

또한, 이들 인덕터(LB1a)가 접속하는 내부 그라운드 도체 패턴과 인덕터(L3)가 접속하는 내부 그라운드 도체 패턴은 다른 것이 바람직하다. 상세하게는, 이것은 인덕터(LB1a)에 접속되는 내부 그라운드 도체 패턴과 인덕터(L3)에 접속되는 내부 그라운드 도체 패턴이, 적층체의 내부에 있어서 전기적으로 절연되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 인덕터(LB1a)에 접속되는 내부 그라운드 도체 패턴으로 흐르는 고조파를 포함하는 신호가 인덕터(L3)에 접속되는 내부 그라운드 도체 패턴을 통해서 인덕터(L3)에 들어가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 내부 그라운드 도체 패턴을 통한 고주파 신호의 누설을 억제할 수 있고, SAW 듀플렉서(22)측의 회로와 SAW 듀플렉서(23)의 회로의 아이솔레이션을 더욱 높게 확보할 수 있다.

또한, 본 실시형태에서는 같은 피선택 단자(P4)에 접속하는 위상 회로(42, 43)의 인덕터(LB1a, L3)를 각각 실장형과 내장형으로 하는 형태를 나타냈지만, 인덕터(LB1a, L3)의 양쪽을 내장형으로 해도 좋다. 이 경우, 인덕터(LB1a, L3)의 형성 위치를 이간하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 적층체를 평면으로 본 위상 회로(42)가 접속하는 SAW 듀플렉서(22)의 실장 영역과 겹치는 영역에 인덕터(LB1a)를 형성하고, 위상 회로(43)가 접속하는 SAW 듀플렉서(23)의 실장 영역과 겹치는 영역에 인덕터(L3)를 형성하면 좋다. 또한, 이 때, 인덕터(LB1a)와 인덕터(L3) 사이에 그라운드에 접속하는 비아 도체를 형성해 두면 보다 좋다.

또한, 인덕터(LB1a, L3)의 양쪽을 실장형으로 해도 좋다. 이 경우, 인덕터(LB1a, L3)의 실장 위치를 이간시키거나, 또는 인덕터(LB1a, L3) 사이에 스위치 IC 등의 별도의 실장 회로 부품을 실장하는 것이 바람직하다.

또한, 위상 회로(42)에 접속하는 SAW 듀플렉서(22)와, 위상 회로(43)에 접속하는 SAW 듀플렉서(23)는 실장 위치가 이간되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 하면, SAW 듀플렉서(23) 사이에서의 고주파 신호의 누설을 억제할 수 있고, SAW 듀플렉서(22, 23)측의 회로와 SAW 듀플렉서(23)의 회로의 아이솔레이션을 더욱 높게 확보할 수 있다.

또한, 상술의 실시형태에서는 위상 회로(42, 43)에 대하여 인덕터(LB1a) 이외의 인덕터 및 캐패시터를 실장 회로 부품으로 하고 있지만, 적절히 내장형으로 할 수도 있다. 단, 실장 회로 부품을 많이 사용함으로써 실장 회로 부품을 교체하는 것 만으로 위상 회로(42,43)의 특성을 용이하게 조정할 수 있다.

이러한 구성으로 이루어지는 고주파 모듈은 다음에 나타내는 통신 장치에 사용할 수 있다. 도 6은 본 발명의 실시형태에 의한 통신 장치의 회로 블록도이다.

도 6에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(100)는 고주파 모듈(10), 안테나( ANT), RFIC(101)를 구비한다. 고주파 모듈(10)은 상술의 구성를 구비한다. 고주파 모듈(10)의 안테나 접속용 단자(PMa)에는 안테나(ANT)가 접속되어 있다. 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM1, PM2, PM4, PM6, PM8, PM11, PM12, PM13)는 RFIC(101)의 송신 제어부(111)에 접속되어 있다. 고주파 모듈(10)의 프론트 엔드 접속용 단자(PM3, PM5, PM7, PM9, PM10, PM12, PM14)는 RFIC(101)의 복조부(112)에 접속되어 있다.

또한, 고주파 모듈(10)의 제어용 단자(PM20, PM21, PM22, PM23, PM24)는 RFIC(101)에 접속되어 있으며(접속 관계는 도시하지 않음), RFIC(101)에 의해서 고주파 모듈(10)의 스위치 IC(30)가 스위칭 제어된다.

RFIC(101)는 상술의 제 1 송신 신호(f1Tx)의 송신과 제 2 수신 신호(f2Rx)의 수신을 동시에 행하는 캐리어 어그리게이션을 실행하는 경우, 송신 제어부(111)와 복조부(112)를 동시에 동작시킨다.

이러한 구성으로 함으로써, 상술의 제 1 송신 신호(f1Tx)의 송신과 제 2 수신 신호(f2Rx)의 수신을 동시에 행하는 캐리어 어그리게이션을 행해도, 제 2 수신 신호의 수신 감도의 저하를 억제하여 제 2 수신 신호를 확실하게 복조할 수 있다.

또한, 상술의 설명에서는 캐리어 어그리게이션을 행하는 경우를 설명했지만, 캐리어 어그리게이션을 행하지 않아도 좋다. 단, 캐리어 어그리게이션을 행하는 경우의 쪽이 본 발명으로서 보다 유효한 작용 효과를 얻을 수 있다.

또한, 상술의 설명에서는 제 1 송신 신호의 송신과 제 2 수신 신호의 수신의 캐리어 어그리게이션을 예로 설명했지만, 또한 제 1 수신 신호의 수신과 동시에 행하는 등, 제 1 통신 신호와 제 2 통신 신호에 대한 캐리어 어그리게이션을 행하는 형태에도 상술의 구성을 적용할 수 있다.

또한, 상술의 설명에서는 Band 17의 통신 신호, Band 4의 통신 신호를 이용하는 경우를 나타내지만, 한쪽의 통신 신호의 송신 신호의 고조파 주파수가 다른쪽의 통신 신호의 수신 신호의 기본파 주파수와 겹치는 경우 또는 근접하는 경우라면, 상술의 구성을 적용하여 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.

또한, 상술의 설명에서는 스위치 IC(30)를 포함하는 고주파 모듈(10)의 형태를 나타냈지만, 피선택 단자(PS4)와 프론트 엔드 접속용 단자(PM5, PM6, PM7, PM8) 사이의 회로를 적어도 구비하고 있으면, 상술의 작용 효과를 나타낼 수 있다.

10: 고주파 모듈
21, 22, 23, 24, 25: SAW 듀플렉서
26, 27: SAW 필터
30: 스위치 IC
41, 42, 43, 44, 45, 46: 위상 회로
51, 52: 필터 회로
60: 안테나 정합 회로
100: 통신 장치
101: RFIC
102: 송신 제어부
103: 복조부
L1, L2, L3, L4, GLt1, GLt2, DLt1, DLt2, LB1a, LB2a, LB3a, LB5a, LB6a, LB1t, LB2t, LB3t, LB4t, LB5t: 인덕터
C1, C2, C3, GCc1, GCc2, GCu1, GCu2, GCu3, DCc1, DCu2, DCu3: 캐패시터
GND: 내부 그라운드 도체 패턴
PGND: 외부 그라운드용 랜드
PMa: 안테나 접속용 단자
PM1, PM2, PM3, PM4, PM5, PM6, PM7, PM8, PM9, PM10, PM11, PM12, PM13, PM14: 프론트 엔드 접속용 단자
PM20, PM21, PM22, PM23, PM24: 제어용 단자
PS0: 공통 단자
PS1, PS2, PS3, PS4, PS5, PS6, PS7, PS8, PS9: 피선택 단자
PS20, PS21, PS22, PS23, PS24: 제어 신호 입력 단자

Claims (14)

1. 제 1 주파수 대역의 제 1 통신 신호를 송수신하는 제 1 송수신 회로와,
   상기 제 1 주파수 대역과 다른 제 2 주파수 대역의 제 2 통신 신호를 송수신하는 제 2 송수신 회로와,
   안테나 접속용 단자와 복수의 피선택 단자를 가지는 스위치 회로와,
   상기 제 1 송수신 회로 및 상기 제 2 송수신 회로와 상기 복수의 피선택 단자의 1개를 접속하는 접속점과,
   상기 접속점과 상기 제 1 송수신 회로에 접속되는 회로 소자를 갖고, 상기 제 1 주파수 대역에서 상기 접속점으로부터 보아서 상기 제 2 송수신 회로측이 고주파적 개방 상태로 되고, 상기 제 2 주파수 대역에서 상기 접속점으로부터 보아서 상기 제 1 송수신 회로측이 고주파적 개방 상태로 되도록 위상 조정하는 위상 회로를 구비하고,
   상기 위상 회로는 상기 접속점과 상기 제 1 송수신 회로 사이에 접속된 대역 저지 필터를 포함하고,
   상기 대역 저지 필터는 상기 제 1 주파수 대역 내에 있는 특정 주파수 대역의 고조파 주파수를 포함하는 감쇠역과, 그 감쇠역의 외측의 고주파측 및 저주파측에 형성되는 통과 대역을 갖고, 상기 저주파측의 통과 대역 내에 상기 제 1 주파수 대역을 포함하는, 고주파 모듈.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 감쇠역과 상기 제 2 주파수 대역은 주파수 대역이 겹치는, 고주파 모듈.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 제 1 송수신 회로는 상기 제 1 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호를 분파하는 분파 회로이고,
   상기 제 2 송수신 회로는 상기 제 2 통신 신호의 송신 신호 및 수신 신호를 분파하는 분파 회로인, 고주파 모듈.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 위상 회로는,
   상기 접속점과 상기 제 1 송수신 회로 사이에 직렬 접속되는 제 1 인덕터와,
   그 제 1 인덕터에 병렬 접속되는 제 1 캐패시터의 병렬 공진 회로를 구비하는, 고주파 모듈.
5. 제 4 에 있어서,
   상기 위상 회로는,
   상기 병렬 공진 회로의 상기 제 1 송수신 회로측과 그라운드 사이에 접속되는 제 2 인덕터를 구비하는, 고주파 모듈.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 위상 회로는,
   상기 접속점과 상기 제 2 송수신 회로 사이에 직렬 접속되는 제 2 캐패시터와,
   그 제 2 캐패시터의 상기 제 2 송수신 회로측과 그라운드 사이에 접속되는 제 3 인덕터를 더 구비하는, 고주파 모듈.
7. 제 6 항에 있어서,
   도체 패턴이 형성된 유전체층을 복수 적층해서 이루어지는 적층체를 구비하고,
   상기 제 2 인덕터와 상기 제 3 인덕터의 한쪽은 상기 도체 패턴에 의해 상기 적층체의 내부에 형성된 코일 형상 도체이며,
   상기 제 2 인덕터와 상기 제 3 인덕터의 다른쪽은 상기 적층체의 표면에 실장된 실장형 인덕터 부품인, 고주파 모듈.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 적층체는 내부에 그라운드용 도체를 복수 구비하고,
   상기 제 2 인덕터가 접속되는 그라운드 도체와 상기 제 3 인덕터가 접속되는 그라운드 도체는 다른, 고주파 모듈.
9. 제 6 항에 있어서,
   도체 패턴이 형성된 유전체층을 복수 적층해서 이루어지는 적층체를 구비하고,
   상기 제 2 인덕터와 상기 제 3 인덕터는 상기 도체 패턴에 의해 상기 적층체의 내부에 형성된 코일 형상 도체이며,
   상기 제 1 송수신 회로를 구성하는 제 1 회로 소자와 상기 제 2 송수신 회로를 구성하는 제 2 회로 소자는 상기 적층체의 표면에 실장되어 있고,
   상기 제 2 인덕터를 형성하는 코일 형상 도체는 상기 제 1 회로 소자의 실장 영역의 아래에 배치되고,
   상기 제 3 인덕터를 형성하는 코일 형상 도체는 상기 제 2 회로 소자의 실장 영역의 아래에 배치되어 있는, 고주파 모듈.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 회로 소자 및 상기 제 2 회로 소자는 압전 공진자를 이용한 듀플렉서를 구비하는, 고주파 모듈.
11. 삭제
12. 제 7 항에 있어서,
    상기 스위치 회로는 상기 적층체의 표면에 실장된 다이오드형 스위치 소자를 구비하는, 고주파 모듈.
13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 통신 신호와 상기 제 2 통신 신호는 2개의 통신 신호를 동시에 송신하는 동시 송신, 2개의 통신 신호를 동시에 수신하는 동시 수신, 한쪽의 통신 신호를 송신하고 다른쪽의 통신 신호를 수신하는 동시 송수신 중 어느 하나에 의해서 송수신되는, 고주파 모듈.
14. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 고주파 모듈과,
    그 고주파 모듈에 접속하는 상기 제 1 통신 신호와 상기 제 2 통신 신호에 공통인 안테나와,
    상기 고주파 모듈에 접속하여 상기 제 1 통신 신호와 상기 제 2 통신 신호에 대하여 2개의 통신 신호를 동시에 송신하는 동시 송신, 2개의 통신 신호를 동시에 수신하는 동시 수신, 한쪽의 통신 신호를 송신하고 다른쪽의 통신 신호를 수신하는 동시 송수신 중 어느 하나를 선택하여 송수신 제어를 행하는 RFIC를 구비하는 통신 장치.

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