JPWO2015041125A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

高周波モジュールおよび通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2015041125A1
JPWO2015041125A1 JP2015537878A JP2015537878A JPWO2015041125A1 JP WO2015041125 A1 JPWO2015041125 A1 JP WO2015041125A1 JP 2015537878 A JP2015537878 A JP 2015537878A JP 2015537878 A JP2015537878 A JP 2015537878A JP WO2015041125 A1 JPWO2015041125 A1 JP WO2015041125A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
transmission
signal
inductor
reception
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015537878A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6465028B2 (ja
Inventor
孝紀 上嶋
孝紀 上嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2015041125A1 publication Critical patent/JPWO2015041125A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6465028B2 publication Critical patent/JP6465028B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H03H7/465—Duplexers having variable circuit topology, e.g. including switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W88/00—Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
    • H04W88/02—Terminal devices
    • H04W88/06—Terminal devices adapted for operation in multiple networks or having at least two operational modes, e.g. multi-mode terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

被選択端子（ＰＳ４）には、ＳＡＷデュプレクサ（２２，２３）が接続されている。ＳＡＷデュプレクサ（２２）と被選択端子（ＰＳ４）との間には位相回路（４２）が、ＳＡＷデュプレクサ（２３）と被選択端子（ＰＳ４）との間には位相回路（４３）が接続されている。位相回路（４２，４３）は、被選択端子（ＰＳ４）側から見て、第１通信信号（ｆ１Ｔｘ，ｆ１Ｒｘ）の基本波の周波数帯域でＳＡＷデュプレクサ（２３）側が高周波的に略開放となり、第２通信信号（ｆ２Ｔｘ，ｆ２Ｒｘ）の基本波の周波数帯域でＳＡＷデュプレクサ（２２）側が略開放となる。位相回路（４２）は、第１送信信号（ｆ１Ｔｘ）の３倍高調波周波数帯域付近に減衰極を有する帯域阻止フィルタを兼用している。これにより、第１送受信回路と第２送受信回路が共通端子に接続される構成において、第１送受信回路から送信される第１送信信号の高調波信号が第２送受信回路に漏洩することを抑制する。

Description

本発明は、共通のアンテナを用いて周波数帯域が異なる複数の通信信号を送受信可能にする高周波モジュールに関する。
現在、通信仕様の多様化および多チャンネル化に応じて、携帯型電話機等の無線通信装置では、複数種類の通信信号を送受信できることが求められている。この際、無線通信装置を小型化する等の理由により、複数種類の通信信号に共通なアンテナを用いている。
共通アンテナを用いる場合、第１の通信信号を送受信する第１送受信回路と、第２の通信信号を送受信する第２送受信回路とを、共通アンテナに接続する。すなわち共通アンテナへの接続点を介して、第１送受信回路の一方端と第２送受信回路の一方端とが接続されている。
例えば、特許文献１に記載のマルチバンドデュプレクサモジュールは、共通アンテナ端子、第１のデュプレクサ（第１送受信回路）、および、第２のデュプレクサ（第２送受信回路）を備え、第１のデュプレクサの一方端と第２のデュプレクサの一方端が接続され、当該接続点が共通アンテナ端子に接続されている。
特許文献１に記載の高周波モジュール（マルチバンドデュプレクサモジュール）では、第１のデュプレクサと第２のデュプレクサとの接続点と、第１のデュプレクサとの間にインピーダンス整合回路が接続されている。このインピーダンス整合回路により、第１のデュプレクサと共通アンテナ端子との間でのインピーダンスマッチングを行っている。
特開２０１０−４５５６３号公報
しかしながら、上述の特許文献１に記載のような高周波モジュールでは、次に示すような問題が生じる。
現在、通信速度の向上のため、各通信信号のチャンネルの周波数帯域を広くすることが求められている。しかしながら、単一の通信バンド（通信帯域）で許容される周波数帯域幅には制限がある。したがって、複数の通信バンドを同時に利用することで通信チャンネルを実質的に広くすることが提案されている。この方法は、キャリアアグリゲーション（Ｃａｒｒｉｅｒ Ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ：ＣＡ）と呼ばれている。
このＣＡを上述の高周波モジュールに適用した場合、第１のデュプレクサを介して第１の周波数帯域を用いた第１通信信号を送受信するとともに、同時に、第２のデュプレクサを介して第２の周波数帯域を用いた第２通信信号を送受信することになる。なお、この際、第１、第２通信信号の両方で送信と受信を行う場合だけでなく、一方の通信信号のみ送信または受信を行う場合もある。
第１送受信回路と第２送受信回路が共通のアンテナもしくは共通端子に接続されている構成において、第１通信信号の送信信号（第１送信信号）の高調波周波数が第２通信信号の受信信号（第２受信信号）の基本周波数に近接もしくは少なくとも一部が重なる場合、第１送信信号の高調波信号が第２のデュプレクサに漏洩してしまう。これにより、第２受信信号の受信感度が劣化してしまう。
この発明の目的は、第１送受信回路と第２送受信回路が共通のアンテナもしくは共通端子に接続される構成において、第１送受信回路から送信される第１送信信号の高調波信号が、第２送受信回路に漏洩することを抑制できる高周波モジュールを提供することにある。
この発明の高周波モジュールは、第１送受信回路と、第２送受信回路と、共通端子と、位相回路を備える。第１送受信回路は第１周波数帯域の第１通信信号を送受信し、第２送受信回路は第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域の第２通信信号を送受信する。共通端子は、第１通信信号と第２通信信号に共通利用されるアンテナへ接続するための端子である。接続点は、第１送受信回路および第２送受信回路と共通端子とが一点に接続される点である。
位相回路は、接続点と第１送受信回路とに接続される回路素子を有し、第１周波数帯域で接続点から見て第２送受信回路側が高周波的開放状態となり、第２周波数帯域で接続点から見て第１送受信回路側が高周波的開放状態となるように位相調整する。さらに、位相回路は、接続点と第１送受信回路との間に接続された帯域阻止フィルタを含み、該帯域阻止フィルタは、第１周波数帯域内にある特定周波数帯域の高調波周波数を含む減衰域と、該減衰域の外側の高周波側および低周波側に設けられる通過帯域とを有し、該低周波側の通過帯域内に第１周波数帯域を含む。
この構成では、第１送受信回路から出力される第１通信信号の第１送信信号の高調波周波数成分（高調波信号）は、帯域阻止フィルタによって遮断され、第２送受信回路まで伝送されない。この際、第１送信信号の基本波成分は、共通端子へ低損失で出力され、第２送受信回路側には伝送されない。また、第２送信信号の基本波成分は、共通端子へ低損失で出力され、第１送受信回路側には伝送されない。
また、この発明の高周波モジュールでは、減衰域と第２周波数帯域とは周波数帯域が重なることが好ましい。
この構成では、第２周波数帯域の通信信号（第２通信信号）の送信時もしくは受信時に、第２送受信回路側に第１送信信号の高調波周波数成分（高調波信号）が回り込まない。したがって、第２通信信号の受信信号（第２受信信号）の受信時には、第２受信信号に対する受信感度が向上する。
また、この発明の高周波モジュールでは、第１送受信回路は、第１通信信号の送信信号および受信信号を分波する分波回路であって、第２送受信回路は、前記第２通信信号の送信信号および受信信号を分波する分波回路であることが好ましい。
この構成では、第１、第２送受信回路の具体的な回路の態様を示している。このような分波回路では、主にＳＡＷデュプレクサが用いられるが、ＳＡＷデュプレクサは、信号電力が高い送信信号等の高周波信号が入力されると、高調波歪みを生じ、高調波を発生してしまう。しかしながら、このような高調波信号が発生しても、上述の位相回路を含む回路構成を備えることで、第１送受信回路（分波回路）から生じた当該高調波信号が第２送受信回路へ回り込むことを抑制できる。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。位相回路は、接続点と第１送受信回路との間に直列接続される第１インダクタと、第１インダクタに並列接続される第１キャパシタとの並列共振回路を備える。
この構成では、帯域阻止フィルタをインダクタとキャパシタで構成している。これにより、通過帯域での挿入損失が少なく、帯域阻止フィルタ自体から高調波信号が発生しないので、より好適である。
また、この発明の高周波モジュールでは、位相回路は、並列共振回路の第１送受信回路側とグランドとの間に接続される第２インダクタを備えることが好ましい。
この構成では、さらに最適な位相調整が実現できる。さらに、共通端子から入力して第１送受信回路側に伝送されるサージをグランドに流すことができ、第１送受信回路をサージから保護することができる。
また、この発明の高周波モジュールでは、位相回路は、接続点と第２送受信回路との間に直列接続される第２キャパシタと、該第２キャパシタの第２送受信回路側とグランドとの間に接続される第３インダクタをさらに備えることが好ましい。
この構成では、さらに最適な位相調整が実現できる。さらに、共通端子から入力して第２送受信回路側に伝送されるサージをグランドに流すことができ、第２送受信回路をサージから保護することができる。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。高周波モジュールは、導体パターンが形成された誘電体層を複数積層してなる積層体を備える。第２インダクタと第３インダクタの一方は、導体パターンにより積層体の内部に形成されたコイル状導体である。第２インダクタと第３インダクタの他方は積層体の表面に実装された実装型インダクタ部品である。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。積層体は、内部にグランド用導体を複数備える。第２インダクタが接続されるグランド導体と、第３インダクタが接続されるグランド導体は異なる。
これらの構成では、共通端子と第１送受信回路との間の高周波伝送線路と、共通端子と第２送受信回路との間の高周波伝送線路との間のアイソレーションを高くすることができる。
また、この発明の高周波モジュールは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、導体パターンが形成された誘電体層を複数積層してなる積層体を備える。第２インダクタと第３インダクタは、導体パターンにより積層体の内部に形成されたコイル状導体である。第１送受信回路を構成する第１回路素子と、第２送受信回路を構成する第２回路素子は、積層体の表面に実装されている。第２インダクタを形成するコイル状導体は、第１回路素子の実装領域の下に配置され、第３インダクタを形成するコイル状導体は、第２回路素子の実装領域の下に配置されている。
この構成では、第２インダクタと第３インダクタを積層体内に形成しても、第２インダクタと第３インダクタが離間して形成される。これにより、共通端子と第１送受信回路との間の高周波伝送線路と、共通端子と第２送受信回路との間の高周波伝送線路との間のアイソレーションを高くすることができる。
また、この発明の高周波モジュールでは、第１回路素子および第２回路素子は、圧電共振子を用いたデュプレクサを備えることが好ましい。
この構成では、第１、第２送受信回路に、高調波ひずみを発生する圧電共振子が備えられている場合を示している。この場合、圧電共振子の高調波ひずみによって第１送信信号の高調波信号が発生しても、帯域阻止フィルタによって遮断され、第２送受信回路まで伝送されない。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、アンテナ接続用端子と複数の被選択端子とを有し、複数の被選択端子の一つを選択してアンテナ接続用端子に接続するスイッチ回路をさらに備える。共通端子は、スイッチ回路の複数の被選択端子の一つである。
この構成では、特定の二種類の通信信号間において上述の作用効果を得ながら、さらに多くの種類の通信信号を、共通アンテナで送受信することができる。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、アンテナ接続用端子と複数の被選択端子とを備え、複数の被選択端子の一つを選択してアンテナ接続用端子に接続するスイッチ回路をさらに備える。スイッチ回路は、積層体の表面に実装されたダイオード型スイッチ素子を備える。
この構成では、スイッチ回路の具体的な態様を示している。そして、上述のグランドに接続するインダクタ（シャントインダクタ）を備えることにより、スイッチ回路から発生するサージノイズが、第１送受信回路や第２送受信回路に入力されることを抑制できる。さらに、スイッチ回路のオフ端子（アンテナ接続用端子に接続されていない被選択端子）に帯電した静電気をグランドに流すことができる。これにより、スイッチ回路のスイッチ速度を向上させることができる。
また、この発明の高周波モジュールでは、第１通信信号と第２通信信号は、二つの通信信号を同時に送信する同時送信、二つの通信信号を同時に受信する同時受信、一方の通信信号を送信し他方の通信信号を受信する同時送受信のいずれかによって送受信されることが好ましい。
この構成では、上述の高周波モジュールを、二種類の通信信号が同時に通信されるキャリアアグリゲーションに利用した場合を示している。この場合、キャリアアグリゲーションを行う二種類の通信信号を第１通信信号と第２通信信号に設定し、第１送信信号の送信と第２受信信号の受信を同時に行う場合に、第１通信信号の高調波信号が第２送受信回路へ入力されることを抑制でき、第２受信信号のＳＮを向上させることができる。
また、この発明の通信装置は、次の構成を有することを特徴としている。通信装置は、上述のいずれかに記載の高周波モジュールと、共通のアンテナと、ＲＦＩＣとを備える。共通アンテナは、高周波モジュールに接続する第１通信信号と第２通信信号に共通のアンテナである。ＲＦＩＣは、高周波モジュールに接続し、第１通信信号と第２通信信号に対して、二つの通信信号を同時に送信する同時送信、二つの通信信号を同時に受信する同時受信、一方の通信信号を送信し他方の通信信号を受信する同時送受信のいずれかを選択して送受信制御を行う。
この構成では、上述の高周波モジュールを、二種類の通信信号が同時に通信されるキャリアアグリゲーションに利用した通信装置について示している。この場合、キャリアアグリゲーションを行う二種類の通信信号を第１通信信号と第２通信信号に設定し、第１送信信号の送信と第２受信信号の受信を同時に行う場合に、第１通信信号の高調波信号が第２送受信回路へ入力されることを抑制でき、第２受信信号のＳＮを向上させることができる。
この発明によれば、第１送受信回路と第２送受信回路が共通のアンテナもしくは共通端子に接続される構成において、第１送受信回路から送信される第１送信信号の高調波信号が、第２送受信回路に漏洩することを抑制できる。これにより、第２送受信回路の受信感度の劣化を抑制できる。
本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの回路図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの各種伝送特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの第１層から第８層の積層図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの第９層から第１３層の積層図である。 本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの第１層（最上層）と第１３層（最下層）の拡大図である。 本発明の実施形態に係る通信装置の回路ブロック図である。
本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの回路図である。
高周波モジュール１０は、アンテナ接続用端子ＰＭａ、フロントエンド接続用端子ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４，ＰＭ５，ＰＭ６，ＰＭ７，ＰＭ８，ＰＭ９，ＰＭ１０，ＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ１４、制御用端子ＰＭ２０，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３，ＰＭ２４を備える。高周波モジュール１０は、複数のＳＡＷデュプレクサ２１，２２，２３，２４，２５、ＳＡＷフィルタ２６，２７、スイッチＩＣ３０、位相回路４１，４２，４３，４４，４５，４６、フィルタ回路５１，５２、およびアンテナ整合回路６０を備える。
スイッチＩＣ３０は、共通端子ＰＳ０、複数の被選択端子ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３，ＰＳ４，ＰＳ５，ＰＳ６，ＰＳ７，ＰＳ８，ＰＳ９、制御信号入力端子ＰＳ２０，ＰＳ２１，ＰＳ２２，ＰＳ２３，ＰＳ２４を備える。
制御信号入力端子ＰＳ２０は、高周波モジュール１０の制御用端子ＰＭ２０に接続されており、外部からのスイッチ駆動電圧が入力されている。制御信号入力端子ＰＳ２１−ＰＳ２４は、高周波モジュール１０の制御用端子ＰＭ２１−ＰＭ２４にそれぞれ接続されており、それぞれに個別のスイッチ制御信号が入力されている。
スイッチＩＣ３０は、制御信号入力端子ＰＳ２０に入力される駆動電圧で駆動する。スイッチＩＣ３０は、ダイオードスイッチを複数備える半導体スイッチであり、制御信号入力端子ＰＳ２１−ＰＳ２４に入力される制御信号のオンオフ状態の組合せに応じて、ダイオードスイッチをオンオフ制御し、複数の被選択端子ＰＳ１−ＰＳ９の内の一つの端子を選択して共通端子ＰＳ０に接続する。
スイッチＩＣ３０の共通端子ＰＳ０は、アンテナ整合回路６０を介して、高周波モジュール１０のアンテナ接続用端子ＰＭａに接続されている。アンテナ整合回路６０は、インダクタＬ１，Ｌ２、キャパシタＣ１を備える。インダクタＬ１は、共通端子ＰＳ０とアンテナ接続用端子ＰＭａとの間に直列接続されている。インダクタＬ２は、インダクタＬ１の共通端子ＰＳ０側の端部とグランドとの間に接続されている。キャパシタＣ１は、インダクタＬ１のアンテナ接続用端子ＰＭａ側の端部とグランドとの間に接続されている。
アンテナ整合回路６０は、この回路構成により、スイッチＩＣ３０の共通端子ＰＳ０と、アンテナ接続用端子ＰＭａに接続されるアンテナ（図示せず）との間のインピーダンス整合を行う。また、アンテナ整合回路６０は、インダクタＬ２を備えることで、アンテナ接続用端子ＰＭａから入力されるサージをグランドに流すことができる。これにより、インダクタＬ２の伝送ラインへの接続点よりもスイッチＩＣ３０にサージが印加することを抑制でき、アンテナ整合回路６０は、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）保護回路としても機能する。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ１は、フィルタ回路５１を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ１に接続されている。フィルタ回路５１は、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２、キャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＧＣｕ１，ＧＣｕ２，ＧＣｕ３を備えている。インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２は、被選択端子ＰＳ１とフロントエンド接続用端子ＰＭ１との間に直列接続されている。キャパシタＧＣｃ１は、インダクタＧＬｔ１に並列接続されており、キャパシタＧＣｃ２は、インダクタＧＬｔ２に並列接続されている。キャパシタＧＣｕ１は、インダクタＧＬｔ１の被選択端子ＰＳ１側の端部とグランドとの間に接続されている。キャパシタＧＣｕ２は、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２との接続点とグランドとの間に接続されている。キャパシタＧＣｕ３は、インダクタＧＬｔ２のフロントエンド接続用端子ＰＭ１側の端部とグランドとの間に接続されている。
この回路構成により、フィルタ回路５１は、ローパスフィルタとして機能する。具体的には、フィルタ回路５１は、フロントエンド接続用端子ＰＭ１から入力される送信信号（ｆ３Ｔｘ，ｆ４Ｔｘ）の高調波信号を減衰させ、送信信号（ｆ３Ｔｘ，ｆ４Ｔｘ）の基本波信号を、被選択端子ＰＳ１に伝送する。送信信号（ｆ３Ｔｘ，ｆ４Ｔｘ）は、例えば、ＧＳＭ８５０通信信号の送信信号やＧＳＭ９００通信信号の送信信号である。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ２は、フィルタ回路５２を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ２に接続されている。フィルタ回路５２は、インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２、キャパシタＤＣｃ１，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３を備えている。インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２は、被選択端子ＰＳ２とフロントエンド接続用端子ＰＭ２との間に直列接続されている。キャパシタＤＣｃ１は、インダクタＤＬｔ１に並列接続されている。キャパシタＤＣｕ２は、インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２とグランドとの間に接続されている。キャパシタＤＣｕ３は、インダクタＤＬｔ２のフロントエンド接続用端子ＰＭ２側の端部とグランドとの間に接続されている。
この回路構成により、フィルタ回路５２は、ローパスフィルタとして機能する。具体的には、フィルタ回路５２は、フロントエンド接続用端子ＰＭ２から入力される送信信号（ｆ５Ｔｘ，ｆ６Ｔｘ）の高調波信号を減衰させ、送信信号（ｆ５Ｔｘ，ｆ６Ｔｘ）の基本波信号を、被選択端子ＰＳ１に伝送する。送信信号（ｆ５Ｔｘ，ｆ６Ｔｘ）は、例えば、ＧＳＭ１８００通信信号の送信信号やＧＳＭ１９００通信信号の送信信号である。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ３は、位相回路４１およびＳＡＷデュプレクサ２１を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ３，ＰＭ４に接続されている。より具体的には、被選択端子ＰＳ３は、位相回路４１を介してＳＡＷデュプレクサ２１の共通端子に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２１は、圧電共振子を用いた第１ＳＡＷフィルタと第２ＳＡＷフィルタから構成されている。ＳＡＷデュプレクサ２１の共通端子は、第１ＳＡＷフィルタを介して、平衡型のフロントエンド接続用端子ＰＭ３に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２１の共通端子は、第２ＳＡＷフィルタを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ４に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２１の第２ＳＡＷフィルタのフロントエンド接続用端子ＰＭ４側の端部は、インダクタＬＢ２ｔを介して、グランドに接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２１の第１ＳＡＷフィルタは、スイッチＩＣ３０側からフロントエンド接続用端子ＰＭ３に出力される受信信号（ｆ７Ｒｘ）の基本波信号を伝送し、当該受信信号（ｆ７Ｒｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。ＳＡＷデュプレクサ２１の第２ＳＡＷフィルタは、フロントエンド接続用端子ＰＭ４から入力される送信信号（ｆ７Ｔｘ）の基本波信号を伝送し、当該送信信号（ｆ７Ｔｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。通信信号（ｆ７Ｔｘ，ｆ７Ｒｘ）は、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ２の通信信号の送信信号および受信信号である。
位相回路４１は、インダクタＬＢ２ａを備える。インダクタＬＢ２ａは、被選択端子ＰＳ３とＳＡＷデュプレクサ２１とを接続する伝送ラインの特定位置とグランドとの間に接続されている。位相回路４１は、被選択端子ＰＳ３とＳＡＷデュプレクサ２１との間で、通信信号（ｆ７Ｔｘ，ｆ７Ｒｘ）の基本波周波数におけるインピーダンス整合を行う。また、インダクタＬ２ａを備えることで、一般的に容量性を有するＳＡＷデュプレクサ２１の共通端子に対して誘導性を与える位相調整を、容易に行うことができる。すなわち、上記インピーダンス整合を行いやすくすることができる。
また、位相回路４１は、インダクタＬｂ２ａを備えることで、スイッチＩＣ３０側からのサージをグランドに流すことができる。具体的に、スイッチＩＣ３０側からのサージとは、上述のアンテナ接続用端子ＰＭａから入力されるサージや、スイッチＩＣ３０のスイッチング動作によるサージを含む。これにより、一般的にスイッチＩＣ３０よりも静電気に弱いＳＡＷデュプレクサ２１に対するＥＳＤ保護を実現することができる。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ４は、位相回路４２およびＳＡＷデュプレクサ２２を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ５，ＰＭ６に接続されている。また、スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ４は、位相回路４３およびＳＡＷデュプレクサ２３を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ７，ＰＭ８に接続されている。
位相回路４２，４３は、本発明の「位相回路」に相当する。ＳＡＷデュプレクサ２２を含むＳＡＷデュプレクサ２２よりもフロントエンド接続用端子ＰＭ５，ＰＭ６側の回路は、本発明の「第１送受信回路」に相当する。ＳＡＷデュプレクサ２３を含むＳＡＷデュプレクサ２３よりもフロントエンド接続用端子ＰＭ７，ＰＭ８側の回路は、本発明の「第１送受信回路」に相当する。そして、スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ４に接続する回路が本発明の高周波モジュールを構成する最小限必要とされる構成であり、具体的な構成および特性は、後述する。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ５は、ＳＡＷフィルタ２６を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ９に接続されている。フロントエンド接続用端子ＰＭ９は、平衡型の端子である。ＳＡＷフィルタ２６は、スイッチＩＣ３０側からフロントエンド接続用端子ＰＭ９に出力される受信信号（ｆ４Ｒｘ）の基本波信号を伝送し、当該受信信号（ｆ４Ｒｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。受信信号（ｆ４Ｒｘ）は、例えば、ＧＳＭ９００通信信号の受信信号である。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ６は、位相回路４４およびＳＡＷデュプレクサ２４を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ１０，ＰＭ１１に接続されている。より具体的には、被選択端子ＰＳ６は、位相回路４１を介してＳＡＷデュプレクサ２４の共通端子に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２４は、圧電共振子を用いた第１ＳＡＷフィルタと第２ＳＡＷフィルタから構成されている。ＳＡＷデュプレクサ２４の共通端子は、第１ＳＡＷフィルタを介して、平衡型のフロントエンド接続用端子ＰＭ１０に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２４の共通端子は、第２ＳＡＷフィルタを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ１１に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２４の第２ＳＡＷフィルタのフロントエンド接続用端子ＰＭ１１側の端部は、インダクタＬＢ３ｔを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ１１に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２４の第１ＳＡＷフィルタは、スイッチＩＣ３０側からフロントエンド接続用端子ＰＭ１０に出力される受信信号（ｆ８Ｒｘ）の基本波信号を伝送し、当該受信信号（ｆ８Ｒｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。ＳＡＷデュプレクサ２４の第２ＳＡＷフィルタは、フロントエンド接続用端子ＰＭ１１から入力される送信信号（ｆ８Ｔｘ）の基本波信号を伝送し、当該送信信号（ｆ８Ｔｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。通信信号（ｆ８Ｔｘ，ｆ８Ｒｘ）は、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ１の通信信号の送信信号および受信信号である。
位相回路４４は、インダクタＬＢ３ａを備える。インダクタＬＢ３ａは、被選択端子ＰＳ６とＳＡＷデュプレクサ２４とを接続する伝送ラインの特定位置とグランドとの間に接続されている。位相回路４４は、被選択端子ＰＳ６とＳＡＷデュプレクサ２４との間で、通信信号（ｆ８Ｔｘ，ｆ８Ｒｘ）の基本波周波数におけるインピーダンス整合を行う。また、インダクタＬ３ａを備えることで、一般的に容量性を有するＳＡＷデュプレクサ２４の共通端子に対して誘導性を与える位相調整を、容易に行うことができる。すなわち、上記インピーダンス整合を行いやすくすることができる。
また、位相回路４４は、インダクタＬｂ３ａを備えることで、スイッチＩＣ３０側からのサージをグランドに流すことができる。具体的に、スイッチＩＣ３０側からのサージとは、上述のアンテナ接続用端子ＰＭａから入力されるサージや、スイッチＩＣ３０のスイッチング動作によるサージを含む。これにより、一般的にスイッチＩＣ３０よりも静電気に弱いＳＡＷデュプレクサ２４に対するＥＳＤ保護を実現することができる。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ７は、位相回路４５およびＳＡＷデュプレクサ２５を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ１２，ＰＭ１３に接続されている。より具体的には、被選択端子ＰＳ７は、位相回路４５を介してＳＡＷデュプレクサ２５の共通端子に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２５は、圧電共振子を用いた第１ＳＡＷフィルタと第２ＳＡＷフィルタから構成されている。ＳＡＷデュプレクサ２５の共通端子は、第１ＳＡＷフィルタを介して、平衡型のフロントエンド接続用端子ＰＭ１２に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２５の共通端子は、第２ＳＡＷフィルタを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ１３に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２５の第２ＳＡＷフィルタのフロントエンド接続用端子ＰＭ１３側の端部は、インダクタＬＢ５ｔを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ１３に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２５の第１ＳＡＷフィルタは、スイッチＩＣ３０側からフロントエンド接続用端子ＰＭ１２に出力される受信信号（ｆ３Ｒｘ，ｆ９Ｒｘ）の基本波信号を伝送し、当該受信信号（ｆ３Ｒｘ，ｆ９Ｒｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。ＳＡＷデュプレクサ２５の第２ＳＡＷフィルタは、フロントエンド接続用端子ＰＭ１３から入力される送信信号（ｆ９Ｔｘ）の基本波信号を伝送し、当該送信信号（ｆ９Ｔｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。通信信号（ｆ９Ｔｘ，ｆ９Ｒｘ）は、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ５の通信信号の送信信号および受信信号である。受信信号（ｆ３Ｒｘ）は、例えば、ＧＳＭ１８００通信信号の受信信号である。
位相回路４５は、インダクタＬＢ５ａを備える。インダクタＬＢ５ａは、被選択端子ＰＳ７とＳＡＷデュプレクサ２５とを接続する伝送ラインの特定位置とグランドとの間に接続されている。位相回路４５は、被選択端子ＰＳ７とＳＡＷデュプレクサ２５との間で、通信信号（ｆ９Ｔｘ，ｆ９Ｒｘ，ｆ３Ｒｘ）の基本波周波数におけるインピーダンス整合を行う。また、インダクタＬ５ａを備えることで、一般的に容量性を有するＳＡＷデュプレクサ２５の共通端子に対して誘導性を与える位相調整を、容易に行うことができる。すなわち、上記インピーダンス整合を行いやすくすることができる。
また、位相回路４５は、インダクタＬＢ５ａを備えることで、スイッチＩＣ３０側からのサージをグランドに流すことができる。具体的に、スイッチＩＣ３０側からのサージとは、上述のアンテナ接続用端子ＰＭａから入力されるサージや、スイッチＩＣ３０のスイッチング動作によるサージを含む。これにより、一般的にスイッチＩＣ３０よりも静電気に弱いＳＡＷデュプレクサ２５に対するＥＳＤ保護を実現することができる。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ８は、ＳＡＷフィルタ２７を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ１４に接続されている。スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ９は、位相回路４６およびＳＡＷフィルタ２７を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ１４に接続されている。フロントエンド接続用端子ＰＭ１４は、平衡型の端子である。ＳＡＷフィルタ２７は、スイッチＩＣ３０側からフロントエンド接続用端子ＰＭ１４に出力される受信信号（ｆ５Ｒｘ，ｆ６Ｒｘ）の基本波信号を伝送し、当該受信信号（ｆ５Ｒｘ，ｆ６Ｒｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。受信信号（ｆ５Ｒｘ，ｆ６Ｒｘ）は、例えば、ＧＳＭ１８００通信信号およびＧＳＭ１９００通信信号の受信信号である。
位相回路４６は、インダクタＬＢ６ａを備える。インダクタＬＢ６ａは、被選択端子ＰＳ９とＳＡＷフィルタ２７とを接続する伝送ラインの特定位置とグランドとの間に接続されている。インダクタＬ６ａを備えることで、一般的に容量性を有するＳＡＷフィルタ２７に対して誘導性を与える位相調整を、容易に行うことができる。すなわち、上記インピーダンス整合を行いやすくすることができる。
また、位相回路４６は、被選択端子ＰＳ９とＳＡＷフィルタ２７との間で、受信信号（ｆ６Ｒｘ）の基本波周波数におけるインピーダンス整合を行う。また、位相回路４６は、インダクタＬｂ６ａを備えることで、スイッチＩＣ３０側からのサージをグランドに流すことができる。具体的に、スイッチＩＣ３０側からのサージとは、上述のアンテナ接続用端子ＰＭａから入力されるサージや、スイッチＩＣ３０のスイッチング動作によるサージを含む。これにより、一般的にスイッチＩＣ３０よりも静電気に弱いＳＡＷフィルタ２７に対するＥＳＤ保護を実現することができる。
次に、スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ４に接続される具体的な回路構成を説明する。なお、この被選択端子ＰＳ４が本発明の「共通端子」に相当する。
上述のように、スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ４は、位相回路４２およびＳＡＷデュプレクサ２２を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ５，ＰＭ６に接続されている。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ４は、位相回路４２およびＳＡＷデュプレクサ２２を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ５，ＰＭ６に接続されている。
より具体的には、被選択端子ＰＳ４は、位相回路４２を介して、第１送受信回路と電気的に接続される共通端子に接続されている。第１送受信回路は、ＳＡＷデュプレクサ２２を含む分波回路を構成している。
ＳＡＷデュプレクサ２２は、圧電共振子を用いた第１ＳＡＷフィルタと第２ＳＡＷフィルタから構成されている。ＳＡＷデュプレクサ２２の共通端子は、第１ＳＡＷフィルタを介して、平衡型のフロントエンド接続用端子ＰＭ５に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２２の共通端子は、第２ＳＡＷフィルタを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ６に接続されている。
ＳＡＷデュプレクサ２２の第２ＳＡＷフィルタのフロントエンド接続用端子ＰＭ６側の端部は、インダクタＬＢ１ｔを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ６に接続されている。
ＳＡＷデュプレクサ２２の第１ＳＡＷフィルタは、スイッチＩＣ３０側からフロントエンド接続用端子ＰＭ５に出力される受信信号（ｆ１Ｒｘ）の基本波信号を伝送し、当該受信信号（ｆ１Ｒｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。
ＳＡＷデュプレクサ２２の第２ＳＡＷフィルタは、フロントエンド接続用端子ＰＭ６から入力される送信信号（ｆ１Ｔｘ）の基本波信号を伝送し、当該送信信号（ｆ１Ｔｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。通信信号（ｆ１Ｔｘ，ｆ１Ｒｘ）は、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ１７の通信信号の送信信号および受信信号である。この通信信号が、本発明の「第１通信信号」に相当する。
スイッチＩＣ３０の被選択端子ＰＳ４は、位相回路４３およびＳＡＷデュプレクサ２３を介して、高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ７，ＰＭ８に接続されている。
より具体的には、被選択端子ＰＳ４は、位相回路４３を介して、第２送受信回路と電気的に接続される共通端子に接続されている。第２送受信回路は、ＳＡＷデュプレクサ２３を含む分波回路を構成している。
ＳＡＷデュプレクサ２３は、圧電共振子を用いた第１ＳＡＷフィルタと第２ＳＡＷフィルタから構成されている。ＳＡＷデュプレクサ２３の共通端子は、第１ＳＡＷフィルタを介して、平衡型のフロントエンド接続用端子ＰＭ７に接続されている。ＳＡＷデュプレクサ２３の共通端子は、第２ＳＡＷフィルタを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ８に接続されている。
ＳＡＷデュプレクサ２３の第２ＳＡＷフィルタのフロントエンド接続用端子ＰＭ８側の端部は、インダクタＬＢ４ｔを介して、フロントエンド接続用端子ＰＭ８に接続されている。
ＳＡＷデュプレクサ２３の第１ＳＡＷフィルタは、スイッチＩＣ３０側からフロントエンド接続用端子ＰＭ７に出力される受信信号（ｆ２Ｒｘ）の基本波信号を伝送し、当該受信信号（ｆ２Ｒｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。
ＳＡＷデュプレクサ２３の第２ＳＡＷフィルタは、フロントエンド接続用端子ＰＭ８から入力される送信信号（ｆ２Ｔｘ）の基本波信号を伝送し、当該送信信号（ｆ２Ｔｘ）の基本波信号以外の周波数信号を減衰させる。通信信号（ｆ２Ｔｘ，ｆ２Ｒｘ）は、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ４の通信信号の送信信号および受信信号である。この通信信号が、本発明の「第２通信信号」に相当する。
位相回路４２は、インダクタＬ４，Ｌ１Ｂａと、キャパシタＣ２を備える。インダクタＬ４は、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２２との間に直列接続されている。キャパシタＣ２は、インダクタＬ４に並列接続されている。インダクタＬＢ１ａは、インダクタＬ４のＳＡＷデュプレクサ２２側の端部とグランドとの間に接続されている。
位相回路４３は、キャパシタＣ３とインダクタＬ３を備える。キャパシタＣ３は、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２３との間に直列接続されている。インダクタＬ３は、キャパシタＣ３のＳＡＷデュプレクサ２３側の端部とグランドとの間に接続されている。
位相回路４２は、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２２との間で、通信信号（ｆ１Ｔｘ，ｆ１Ｒｘ）の基本波の周波数帯域におけるインピーダンス整合を行う。位相回路４３は、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２３との間で、通信信号（ｆ２Ｔｘ，ｆ２Ｒｘ）の基本波の周波数帯域におけるインピーダンス整合を行う。
この構成により、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２２との間で、第１通信信号（第１送信信号および第１受信信号）の基本波信号を低損失に伝送することができる。また、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２３との間で、第２通信信号（第２送信信号および第２受信信号）の基本波信号を、低損失に伝送することができる。
さらに、位相回路４２，４３は、被選択端子ＰＳ４に接続する位相回路４２，４３の接続点から見て、通信信号（ｆ１Ｔｘ，ｆ１Ｒｘ）の基本波の周波数帯域で、ＳＡＷデュプレクサ２３側が高周波的に略開放となるように設定されている。また、位相回路４２，４３は、被選択端子ＰＳ４に接続する位相回路４２，４３の接続点から見て、通信信号（ｆ２Ｔｘ，ｆ２Ｒｘ）の基本波の周波数帯域で、ＳＡＷデュプレクサ２２側が略開放となるように設定されている。
この構成により、共通の被選択端子ＰＳ４に接続されるＳＡＷデュプレクサ２２，２３間で、第１通信信号の基本波信号および第２通信信号の基本波信号の周波数帯域でのアイソレーションを高く確保することができる。
さらに、位相回路４２は、インダクタＬ４とキャパシタＣ２のＬＣ並列共振回路を備える。これにより、位相回路４２は、当該ＬＣ並列共振回路の共振周波数を減衰極周波数とする帯域阻止フィルタも備える。
この際、このＬＣ並列共振回路の共振周波数が第１通信信号の高調波信号の周波数帯域と一致もしくは近接するように設定されている。
例えば、第１通信信号をＢａｎｄ１７とし、第２通信信号をＢａｎｄ４とした場合、第１通信信号の３次高調波信号の周波数帯域と一致もしくは近接するように設定されている。これにより、Ｂａｎｄ１７の送信周波数帯域は７０４ＭＨｚ〜７１６ＭＨｚであり、Ｂａｎｄ４の受信周波数帯域は２１１０ＭＨｚ〜２１５５ＭＨｚであるので、Ｂａｎｄ１７の送信信号ｆ１Ｔｘ（第１送信信号）の３倍高調波の周波数帯域が、Ｂａｎｄ４の受信信号ｆ２Ｒｘ（第２受信信号）の基本波の周波数帯域と重なる。
しかしながら、上述のように、位相回路４２によって構成されるＬＣ並列共振回路の共振周波数が第１通信信号の３倍高調波信号の周波数帯域と一致もしくは近接するように設定している。これにより、当該位相回路４２は、第１通信信号の３倍高調波信号の周波数帯域を大幅に減衰させ、第１送信信号ｆ１Ｔｘの３倍高調波信号の周波数帯域の信号、すなわち、第２受信信号ｆ２Ｒｘの基本波の周波数帯域の信号がＳＡＷデュプレクサ２２側から被選択端子ＰＳ４およびＳＡＷデュプレクサ２３側へ伝送することを抑制することができる。
このように、本実施形態の構成を用いれば、共通の被選択端子ＰＳ４に接続されるＳＡＷデュプレクサ２２，２３間で、第１送信信号の高調波信号の周波数帯域でのアイソレーションを高く確保することができる。
特に、第１送信信号ｆ１Ｔｘの送信と、第２受信信号ｆ２Ｒｘの受信を同時に行うキャリアアグリゲーションを実行する場合であっても、ＳＡＷデュプレクサ２２から被選択端子ＰＳ４に第１送信信号ｆ１Ｔｘを低損失に伝送しながら、ＳＡＷデュプレクサ２３側に第１送信信号ｆ１Ｔｘの３倍高調波信号が漏洩することを抑制でき、この時に受信中である第２受信信号ｆ２Ｒｘの受信感度の低下を抑制することができる。言い換えれば、第２受信信号ｆ２Ｒｘの受信ＳＮ比を向上させることができる。
図２は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの各種伝送特性を示す図である。図２（Ａ）は、被選択端子ＰＳ４（Ｐ１０）とＳＡＷデュプレクサ２２の共通端子（Ｐ２０）との間（Ｐ１０−Ｐ２０）の通過特性を示すグラフである。図２（Ｂ）は、被選択端子ＰＳ４（Ｐ１０）とＳＡＷデュプレクサ２３の共通端子（Ｐ３０）との間（Ｐ１０−Ｐ３０）の通過特性を示す図である。図２（Ｃ）は、ＳＡＷデュプレクサ２２の共通端子（Ｐ２０）とＳＡＷデュプレクサ２３の共通端子（Ｐ３０）との間（Ｐ２０−Ｐ３０）の通過特性を示す図である。なお、図２において、２２ＴｘはＳＡＷデュプレクサ２２の第２ＳＡＷフィルタの通過特性であり、２２ＲｘはＳＡＷデュプレクサ２２の第１ＳＡＷフィルタの通過特性である。２３ＴｘはＳＡＷデュプレクサ２３の第２ＳＡＷフィルタの通過特性であり、２３ＲｘはＳＡＷデュプレクサ２３の第１ＳＡＷフィルタの通過特性である。
図２（Ａ）に示すように、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２２との間では、第１送信信号ｆ１Ｔｘの周波数帯域Ｗｆ１Ｔｘおよび第１受信信号ｆ１Ｒｘの周波数帯域Ｗｆ１Ｒｘ、すなわち第１通信信号の基本波周波数帯域Ｗｆ１において低損失な伝送が可能である。一方、第１送信信号ｆ１Ｔｘの２倍高調波信号の２ｆ１Ｔｘおよび３倍高調波信号３ｆ１Ｔｘにおいて、減衰を得ることができる。特に、３倍高調波信号３ｆ１Ｔｘで大幅な減衰を得ることができる。
図２（Ｂ）に示すように、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２３との間では、第２送信信号ｆ２Ｔｘの周波数帯域Ｗｆ１Ｔｘおよび第２受信信号ｆ２Ｒｘの周波数帯域Ｗｆ２Ｒｘ、すなわち第２通信信号の基本波周波数帯域Ｗｆ２において低損失な伝送が可能である。一方、第２通信信号の基本波周波数帯域Ｗｆ２よりも低い周波数帯域において、減衰を得ることができる。特に、第１通信信号の基本波周波数帯域Ｗｆ１で大きな減衰を得ることができる。
図２（Ｃ）に示すように、ＳＡＷデュプレクサ２２とＳＡＷデュプレクサ２３との間では、第１通信信号の基本波周波数帯域Ｗｆ１と第２通信信号の基本波周波数帯域Ｗｆ２の両方で、大きな減衰を得ることができる。すなわち、ＳＡＷデュプレクサ２２とＳＡＷデュプレクサ２３との間では、第１通信信号の基本波周波数帯域Ｗｆ１と第２通信信号の基本波周波数帯域Ｗｆ２の両方で、高いアイソレーションを確保することができる。
以上のように、本実施形態の回路構成を備えることにより、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２２との間で第１通信信号を低損失に伝送し、被選択端子ＰＳ４とＳＡＷデュプレクサ２３との間で第２通信信号を低損失に伝送し、ＳＡＷデュプレクサ２２，２３間で、第１通信信号の基本波信号および第２通信信号の基本波信号の周波数帯域、および周波数帯域が重なる第１送信信号および第２通信信号の基本波信号の高調波信号の周波数帯域で、アイソレーションを高く確保することができる。
また、位相回路４２は、インダクタＬＢ１ａを備えることで、第１通信信号に対するインピーダンス整合をより最適化することができるとともに、一般的に容量性を有するＳＡＷデュプレクサ２２の共通端子に対して誘導性を与える位相調整を、容易に行うことができる。すなわち、上記インピーダンス整合を行いやすくすることができる。
また、位相回路４２は、インダクタＬＢ１ａを備えることで、スイッチＩＣ３０側からのサージをグランドに流すことができる。具体的に、スイッチＩＣ３０側からのサージとは、上述のアンテナ接続用端子ＰＭａから入力されるサージや、スイッチＩＣ３０のスイッチング動作によるサージを含む。これにより、一般的にスイッチＩＣ３０よりも静電気に弱いＳＡＷデュプレクサ２２に対するＥＳＤ保護を実現することができる。
また、位相回路４３は、インダクタＬ３を備えることで、第２通信信号に対するインピーダンス整合をより最適化することができるとともに、一般的に容量性を有するＳＡＷデュプレクサ２３の共通端子に対して誘導性を与える位相調整を、容易に行うことができる。すなわち、上記インピーダンス整合を行いやすくすることができる。
また、位相回路４３は、インダクタＬ３を備えることで、スイッチＩＣ３０側からのサージをグランドに流すことができる。具体的に、スイッチＩＣ３０側からのサージとは、上述のアンテナ接続用端子ＰＭａから入力されるサージや、スイッチＩＣ３０のスイッチング動作によるサージを含む。これにより、一般的にスイッチＩＣ３０よりも静電気に弱いＳＡＷデュプレクサ２３に対するＥＳＤ保護を実現することができる。
なお、上述の帯域阻止フィルタをＬＣ並列共振回路以外の回路で実現することもできる。しかしながら、帯域阻止フィルタをＬＣ並列共振回路で構成することで、高調波ひずみが発生せず、減衰帯域以外の帯域で低損失な伝送が可能になるので、より好適である。特に、上述のように、３倍高調波信号の周波数に減衰極周波数を合わせる場合には、基本波信号の周波数帯域と減衰極周波数の周波数差が大きいので、比較的減衰特性が緩やかな、一段のＬＣ並列共振回路を用いても、十分に実用性のある伝送特性を実現することができる。そして、このように、一段のＬＣ並列共振回路を用いることで、回路構成要素を少なくでき、高周波モジュール１０の回路構成を簡素化し、小型化することができる。
このような回路構成からなる高周波モジュール１０は、次に示す構造によって実現される。図３は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの第１層から第８層の積層図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの第９層から第１３層の積層図である。図５は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの第１層（最上層）と第１３層（最下層）の拡大図である。なお、第１層から第１２層は表面側に導体パターンが形成されており、第１３層は裏面側に導体パターンが形成されている。
高周波モジュール１０は、複数の誘電体層（本実施形態では１３層）を積層してなる積層体と、該積層体の表面に実装された実装回路部品とによって構成される。積層体は、直方体形状からなり、多層基板とも呼ばれる。積層体の各層には導体パターンが形成されており、積層体には誘電体層を貫通する複数のビア導体（図３、図４、図５における小丸印）が形成されており、これらの導体パターンおよびビア導体と、実装回路部品によって図１の回路が構成される。なお、ビア導体については、以下では詳細な説明を省略する。
積層体の第１層すなわち表面層には、図３に示すように、部品実装用ランド導体が形成されている。各部品実装用ランドには、図５に示すように、各実装回路部品が実装されている。実装回路部品は、チップインダクタからなるインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４、チップキャパシタからなるキャパシタＣ２，Ｃ３、圧電共振素子からなるＳＡＷデュプレクサ２１，２２，２３，２４，２５、圧電共振子からなるＳＡＷフィルタ２６，２７である。
インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４、およびキャパシタＣ２，Ｃ３は、積層体の実装面を平面視した第１角部付近に集中して配置されている。スイッチＩＣ３０は、積層体を平面視した第１角部を構成する第１辺の近傍で、且つ、第１角部に近い側の領域に配置されている。ＳＡＷデュプレクサ２１，２２，２３は、第１辺と対向する第２辺の近傍に、当該第２辺に沿って配置されている。ＳＡＷデュプレクサ２４は、第１辺の近傍で、且つ第１角部に遠い側の領域配置されている。ＳＡＷデュプレクサ２５、ＳＡＷフィルタ２６，２７は、第１角部を構成する第３辺に対向する第４辺の近傍に、当該第４辺に沿って配置されている。
積層体の第２層には、図１の回路構成を実現するための引き回し導体パターンが形成されている。
積層体の第３層には、図１の回路構成を実現するための引き回し導体パターンが形成されるとともに、複数の内部グランド導体パターンＧＮＤが形成されている。第３層の各内部グランド導体パターンＧＮＤは、ＳＡＷデュプレクサ２１−２５の実装領域と少なくとも一部が重なるように形成されている。
積層体の第４層には、図１の回路構成を実現するための引き回し導体パターンが形成されている。
積層体の第５層には、内部グランド導体パターンＧＮＤが形成されている。第５層の内部グランド導体パターンＧＮＤは、第５層の略全面に亘る形状で形成されている。
積層体の第６層には、インダクタＧＬｔ２，ＤＬｔ２，ＬＢ２ａ，ＬＢ３ａ，ＬＢ５ａ，ＬＢ６ａ，ＬＢ１ｔ，ＬＢ２ｔ，ＬＢ３ｔ，ＬＢ５ｔを実現する線状導体パターンが形成されている。
積層体の第７層および第８層には、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＬＢ１ａ，ＬＢ２ａ，ＬＢ３ａ，ＬＢ５ａ，ＬＢ６ａ，ＬＢ１ｔ，ＬＢ２ｔ，ＬＢ３ｔ，ＬＢ５ｔを実現する線状導体パターンが形成されている。
積層体の第９層には、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＬＢ１ａ，ＬＢ２ａ，ＬＢ３ａ，ＬＢ５ａ，ＬＢ６ａ，ＬＢ２ｔ，ＬＢ３ｔ，ＬＢ４ｔを実現する線状導体パターンが形成されている。
これら積層体第６層から第９層の導体パターンにより、インダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＬＢ１ａ，ＬＢ２ａ，ＬＢ３ａ，ＬＢ５ａ，ＬＢ６ａ，ＬＢ１ｔ，ＬＢ２ｔ，ＬＢ３ｔ，ＬＢ４ｔ，ＬＢ５ｔは、積層体内に形成される。この際、各インダクタは、積層方向を軸方向とする螺旋状のコイル状導体で実現される。
積層体の第１０層には、キャパシタＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＧＣｕ３，ＤＣｃ１を実現する平板状導体パターンが形成されている。また、積層体の第１０層には、内部グランド導体パターンＧＮＤが形成されている。
積層体の第１１層には、キャパシタＧＣｕ１，ＧＣｕ２，ＤＣｃ１を実現する平板状導体パターンが形成されている。また、積層体の第１１層には、図１の回路構成を実現するための引き回し導体パターンが第３辺付近に形成されている。
積層体の第１２層には、内部グランド導体パターンＧＮＤが形成されている。第１２層の内部グランド導体パターンＧＮＤは、第５層の略全面に亘る形状で形成されている。
積層体の最下層（底面）である第１３層には、各種の外部接続用ランドと、外部グランド用ランドＰＧＮＤが形成されている。外部グランド用ランドＰＧＮＤの三つは、積層体は裏面の中央領域に配列形成されており、他の外部グランド用ランドＰＧＮＤや各種の外部接続用ランドよりも大面積で形成されている。各種の外部接続用ランドは、図１に示すアンテナ接続用端子ＰＭａ、フロントエンド接続用端子ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４，ＰＭ５，ＰＭ６，ＰＭ７，ＰＭ８，ＰＭ９，ＰＭ１０，ＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ１４を、制御用端子ＰＭ２０，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３，ＰＭ２４を実現する矩形状の導体パターンである。
図５に示すように、各角部には、外部グランド用ランドＰＧＮＤが配置されている。第１辺の第１角部側から、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ１の外部接続用ランド、フロントエンド接続用端子ＰＭ２の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ１３の外部接続用ランド、フロントエンド接続用端子ＰＭ１１の外部接続用ランド、フロントエンド接続用端子ＰＭ６の外部接続用ランド、フロントエンド接続用端子ＰＭ８の外部接続用ランド、フロントエンド接続用端子ＰＭ４の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ１０の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤの順に配列されている。
第２辺の第１辺側から、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ９の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ１２の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤの順に配列されている。
第３辺の第２辺側から、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ１４の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ３の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ５の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、フロントエンド接続用端子ＰＭ７の外部接続用ランド、外部グランド用ランドＰＧＮＤの順に配列されている。
第４辺の第３辺側から、外部グランド用ランドＰＧＮＤ、制御用端子ＰＭ２０の外部接続用ランド、および制御用端子ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３，ＰＭ２４を実現する各外部接続用ランドが順に配列されている。
このような構成とすることで、位相回路４２を構成するインダクタＬＢ１ａは、積層体内に形成され、位相回路４３を構成するインダクタＬ３は積層体の表面に実装される。これにより、インダクタＬＢ１ａとインダクタＬ３が近接することを抑制でき、これらインダクタＬＢ１ａとインダクタＬ３の結合（磁界結合）を抑制することができる。これにより、ＳＡＷデュプレクサ２２側の回路とＳＡＷデュプレクサ２３の回路とのアイソレーションをさらに高く確保することができる。
なお、これらインダクタＬＢ１ａが接続する内部グランド導体パターンと、インダクタＬ３が接続する内部グランド導体パターンは、異なることが好ましい。詳細には、これは、インダクタＬＢ１ａに接続される内部グランド導体パターンと、インダクタＬ３に接続される内部グランド導体パターンとが、積層体の内部において、電気的に絶縁されていることが好ましい。これにより、インダクタＬＢ１ａに接続される内部グランド導体パターンに流れる高調波を含む信号が、インダクタＬ３に接続される内部グランド導体パターンを介して、インダクタＬ３に回り込むことを抑制できる。したがって、内部グランド導体パターンを介した高周波信号の漏洩を抑制でき、ＳＡＷデュプレクサ２２側の回路とＳＡＷデュプレクサ２３の回路とのアイソレーションをさらに高く確保することができる。
また、本実施形態では、同じ被選択端子Ｐ４に接続する位相回路４２，４３のインダクタＬＢ１ａ，Ｌ３を、それぞれ実装型と内蔵型にする態様を示したが、インダクタＬＢ１ａ，Ｌ３の両方を内蔵型としてもよい。この場合、インダクタＬＢ１ａ，Ｌ３の形成位置を離間することが好ましい。例えば、積層体を平面視して、位相回路４２が接続するＳＡＷデュプレクサ２２の実装領域と重なる領域に、インダクタＬ１Ｂａを形成し、位相回路４３が接続するＳＡＷデュプレクサ２３の実装領域と重なる領域に、インダクタＬ３を形成するとよい。さらに、この際、インダクタＬ１ＢａとインダクタＬ３との間に、グランドに接続するビア導体を形成しておくとよりよい。
また、インダクタＬＢ１ａ，Ｌ３の両方を実装型としてもよい。この場合、インダクタＬＢ１ａ，Ｌ３の実装位置を離間させる、あるいは、インダクタＬＢ１ａ，Ｌ３の間に、スイッチＩＣ等の別の実装回路部品を実装することが好ましい。
また、位相回路４２に接続するＳＡＷデュプレクサ２２と、位相回路４３に接続するＳＡＷデュプレクサ２３は、実装位置が離間していることが好ましい。このような構成とすれば、ＳＡＷデュプレクサ２２，２３間での高周波信号の漏洩を抑制でき、ＳＡＷデュプレクサ２２側の回路とＳＡＷデュプレクサ２３の回路とのアイソレーションをさらに高く確保することができる。
また、上述の実施形態では、位相回路４２，４３に対して、インダクタＬ１Ｂａ以外のインダクタおよびキャパシタを実装回路部品にしているが、適宜、内蔵型にすることもできる。但し、実装回路部品を多く用いることにより、実装回路部品を取り替えるだけで、位相回路４２，４３の特性を、容易に調整することができる。
このような構成からなる高周波モジュールは、次に示す通信装置に用いることができる。図６は、本発明の実施形態に係る通信装置の回路ブロック図である。
図６に示すように、通信装置１００は、高周波モジュール１０、アンテナＡＮＴ、ＲＦＩＣ１０１を備える。高周波モジュール１０は、上述の構成を備える。高周波モジュール１０のアンテナ接続用端子ＰＭａには、アンテナＡＮＴが接続されている。高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ４，ＰＭ６，ＰＭ８，ＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３は、ＲＦＩＣ１０１の送信制御部１１１に接続されている。高周波モジュール１０のフロントエンド接続用端子ＰＭ３，ＰＭ５，ＰＭ７，ＰＭ９，ＰＭ１０，ＰＭ１２，ＰＭ１４は、ＲＦＩＣ１０１の復調部１１２に接続されている。
なお、高周波モジュール１０の制御用端子ＰＭ２０，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３，ＰＭ２４はＲＦＩＣ１０１に接続されており（接続関係は図示せず）、ＲＦＩＣ１０１によって高周波モジュール１０のスイッチＩＣ３０がスイッチング制御される。
ＲＦＩＣ１０１は、上述の第１送信信号ｆ１Ｔｘの送信と第２受信信号ｆ２Ｒｘの受信を同時に行うキャリアアグリゲーションを実行する場合、送信制御部１１１と復調部１１２を同時に動作させる。
このような構成とすることで、上述の第１送信信号ｆ１Ｔｘの送信と第２受信信号ｆ２Ｒｘの受信を同時に行うキャリアアグリゲーションを行っても、第２受信信号の受信感度の低下を抑制し、第２受信信号を確実に復調することができる。
なお、上述の説明では、キャリアアグリゲーションを行う場合を説明したが、キャリアアグリゲーションを行わなくてもよい。ただし、キャリアアグリゲーションを行う場合の方が、本発明として、より有効な作用効果を得ることができる。
また、上述の説明では、第１送信信号の送信と第２受信信号の受信のキャリアアグリゲーションを例に説明したが、さらに、第１受信信号の受信と同時に行う等、第１通信信号と第２通信信号に対するキャリアアグリゲーションを行う態様にも、上述の構成を適用することができる。
また、上述の説明では、Ｂａｎｄ１７の通信信号、Ｂａｎｄ４の通信信号を用いる場合を示したが、一方の通信信号の送信信号の高調波周波数が他方の通信信号の受信信号の基本波周波数と重なる場合もしくは近接する場合であれば、上述の構成を適用し、同様の作用効果を得ることができる。
また、上述の説明では、スイッチＩＣ３０を含む高周波モジュール１０の態様を示したが、被選択端子ＰＳ４とフロントエンド接続用端子ＰＭ５，ＰＭ６，ＰＭ７，ＰＭ８との間の回路を少なくとも備えていれば、上述の作用効果を奏することができる。
１０：高周波モジュール
２１，２２，２３，２４，２５：ＳＡＷデュプレクサ
２６，２７：ＳＡＷフィルタ
３０：スイッチＩＣ
４１，４２，４３，４４，４５，４６：位相回路
５１，５２：フィルタ回路
６０：アンテナ整合回路
１００：通信装置
１０１：ＲＦＩＣ
１０２：送信制御部
１０３：復調部
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，ＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＬＢ１ａ，ＬＢ２ａ，ＬＢ３ａ，ＬＢ５ａ，ＬＢ６ａ，ＬＢ１ｔ，ＬＢ２ｔ，ＬＢ３ｔ，ＬＢ４ｔ，ＬＢ５ｔ：インダクタ
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，ＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＧＣｕ１，ＧＣｕ２，ＧＣｕ３，ＤＣｃ１，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３：キャパシタ
ＧＮＤ：内部グランド導体パターン
ＰＧＮＤ：外部グランド用ランド
ＰＭａ：アンテナ接続用端子
ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４，ＰＭ５，ＰＭ６，ＰＭ７，ＰＭ８，ＰＭ９，ＰＭ１０，ＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ１４：フロントエンド接続用端子
ＰＭ２０，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３，ＰＭ２４：制御用端子
ＰＳ０：共通端子
ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３，ＰＳ４，ＰＳ５，ＰＳ６，ＰＳ７，ＰＳ８，ＰＳ９：被選択端子
ＰＳ２０，ＰＳ２１，ＰＳ２２，ＰＳ２３，ＰＳ２４：制御信号入力端子

Claims (14)

  1. 第１周波数帯域の第１通信信号を送受信する第１送受信回路と、
    前記第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域の第２通信信号を送受信する第２送受信回路と、
    前記第１通信信号と前記第２通信信号に共通利用されるアンテナに接続するための共通端子と、
    前記第１送受信回路および前記第２送受信回路と前記共通端子とを接続する接続点と、
    前記接続点と前記第１送受信回路とに接続される回路素子を有し、前記第１周波数帯域で前記接続点から見て前記第２送受信回路側が高周波的開放状態となり、前記第２周波数帯域で前記接続点から見て前記第１送受信回路側が高周波的開放状態となるように位相調整する位相回路と、を備え、
    前記位相回路は、前記接続点と前記第１送受信回路との間に接続された帯域阻止フィルタを含み、
    前記帯域阻止フィルタは、前記第１周波数帯域内にある特定周波数帯域の高調波周波数を含む減衰域と、該減衰域の外側の高周波側および低周波側に設けられる通過帯域とを有し、該低周波側の通過帯域内に前記第１周波数帯域を含む、
    高周波モジュール。
  2. 前記減衰域と前記第２周波数帯域とは周波数帯域が重なる、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記第１送受信回路は、前記第１通信信号の送信信号および受信信号を分波する分波回路であって、
    前記第２送受信回路は、前記第２通信信号の送信信号および受信信号を分波する分波回路である、
    請求項１または請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 前記位相回路は、
    前記接続点と前記第１送受信回路との間に直列接続される第１インダクタと、
    該第１インダクタに並列接続される第１キャパシタと、の並列共振回路を備える、
    請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 前記位相回路は、
    前記並列共振回路の前記第１送受信回路側とグランドとの間に接続される第２インダクタを備える、
    請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 前記位相回路は、
    前記接続点と前記第２送受信回路との間に直列接続される第２キャパシタと、
    該第２キャパシタの前記第２送受信回路側とグランドとの間に接続される第３インダクタをさらに備える、
    請求項５に記載の高周波モジュール。
  7. 導体パターンが形成された誘電体層を複数積層してなる積層体を備え、
    前記第２インダクタと前記第３インダクタの一方は、前記導体パターンにより前記積層体の内部に形成されたコイル状導体であり、
    前記第２インダクタと前記第３インダクタの他方は前記積層体の表面に実装された実装型インダクタ部品である、
    請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 前記積層体は、内部にグランド用導体を複数備え、
    前記第２インダクタが接続されるグランド導体と、前記第３インダクタが接続されるグランド導体は異なる、
    請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 導体パターンが形成された誘電体層を複数積層してなる積層体を備え、
    前記第２インダクタと前記第３インダクタは、前記導体パターンにより前記積層体の内部に形成されたコイル状導体であり、
    前記第１送受信回路を構成する第１回路素子と、前記第２送受信回路を構成する第２回路素子は、前記積層体の表面に実装されており、
    前記第２インダクタを形成するコイル状導体は、前記第１回路素子の実装領域の下に配置され、
    前記第３インダクタを形成するコイル状導体は、前記第２回路素子の実装領域の下に配置されている、
    請求項６に記載の高周波モジュール。
  10. 前記第１回路素子および前記第２回路素子は、圧電共振子を用いたデュプレクサを備える、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
  11. 前記アンテナ接続用端子と複数の被選択端子とを備え、前記複数の被選択端子の一つを選択して前記アンテナ接続用端子に接続するスイッチ回路をさらに備え、
    前記共通端子は、前記複数の被選択端子の一つである、
    請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 前記アンテナ接続用端子と複数の被選択端子とを有し、前記複数の被選択端子の一つを選択して前記アンテナ接続用端子に接続するスイッチ回路をさらに備え、
    該スイッチ回路は、前記積層体の表面に実装されたダイオード型スイッチ素子を備える、
    請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  13. 前記第１通信信号と前記第２通信信号は、二つの通信信号を同時に送信する同時送信、二つの通信信号を同時に受信する同時受信、一方の通信信号を送信し他方の通信信号を受信する同時送受信のいずれかによって送受信される、
    請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  14. 請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    該高周波モジュールに接続する前記第１通信信号と前記第２通信信号に共通のアンテナと、
    前記高周波モジュールに接続し、前記第１通信信号と前記第２通信信号に対して、二つの通信信号を同時に送信する同時送信、二つの通信信号を同時に受信する同時受信、一方の通信信号を送信し他方の通信信号を受信する同時送受信のいずれかを選択して送受信制御を行うＲＦＩＣと、
    を備える通信装置。
JP2015537878A 2013-09-17 2014-09-11 高周波モジュールおよび通信装置 Active JP6465028B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013191793 2013-09-17
JP2013191793 2013-09-17
PCT/JP2014/074031 WO2015041125A1 (ja) 2013-09-17 2014-09-11 高周波モジュールおよび通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015041125A1 true JPWO2015041125A1 (ja) 2017-03-02
JP6465028B2 JP6465028B2 (ja) 2019-02-06

Family

ID=52688775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015537878A Active JP6465028B2 (ja) 2013-09-17 2014-09-11 高周波モジュールおよび通信装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9912370B2 (ja)
JP (1) JP6465028B2 (ja)
KR (1) KR101798092B1 (ja)
CN (2) CN105556741A (ja)
WO (1) WO2015041125A1 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9917359B2 (en) 2008-03-05 2018-03-13 Ethertronics, Inc. Repeater with multimode antenna
US9979460B2 (en) 2014-02-18 2018-05-22 Nextivity, Inc. System for maximizing gain in a repeater
JP6409873B2 (ja) * 2014-07-15 2018-10-24 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9698854B2 (en) * 2015-01-09 2017-07-04 Apple Inc. Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors
CN108352823B (zh) * 2015-10-19 2021-09-10 株式会社村田制作所 频率可变滤波器、rf前端电路、通信装置
CN105530026B (zh) * 2015-12-18 2018-05-18 南京才华科技集团有限公司 一种小型化毫米波收发组件
WO2017169514A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6790447B2 (ja) * 2016-05-12 2020-11-25 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
WO2017195446A1 (ja) 2016-05-13 2017-11-16 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2017208656A (ja) * 2016-05-17 2017-11-24 株式会社村田製作所 スイッチモジュール及び高周波モジュール
US9979379B2 (en) 2016-07-13 2018-05-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, radio frequency front-end circuit, communication device, and multiplexer design method
JP7313792B2 (ja) * 2016-07-13 2023-07-25 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10348339B2 (en) * 2016-10-28 2019-07-09 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Switched multiplexer device selectively connecting multiple filter circuits to common node for carrier aggregation
KR102489781B1 (ko) * 2016-11-18 2023-01-17 삼성전기주식회사 노이즈 억제 특성을 개선한 고주파 스위치 장치
JP6790907B2 (ja) * 2017-02-23 2020-11-25 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
CN110476354B (zh) * 2017-03-31 2023-01-13 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信装置
WO2019044034A1 (ja) * 2017-08-31 2019-03-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール、フロントエンドモジュールおよび通信装置
CN111279620B (zh) * 2017-11-06 2023-04-25 住友电气工业株式会社 车载传输系统
CN111937313B (zh) * 2018-03-30 2022-03-01 株式会社村田制作所 高频模块
WO2019235276A1 (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
TWI834692B (zh) 2018-07-18 2024-03-11 美商天工方案公司 具有諧波抑制的混合式聲音諧振（lc）濾波器
WO2020162072A1 (ja) 2019-02-07 2020-08-13 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN110231263B (zh) * 2019-05-23 2020-10-30 武汉大学 一种具有自清洁功能的pm2.5质量传感器及其制备方法
WO2021002159A1 (ja) 2019-07-02 2021-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2021002238A1 (ja) * 2019-07-03 2021-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN115956343A (zh) * 2020-07-28 2023-04-11 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN114268875A (zh) * 2021-12-13 2022-04-01 歌尔科技有限公司 低频共振效应的消除电路、系统及方法
WO2023149119A1 (ja) * 2022-02-01 2023-08-10 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082932A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Hitachi Metals Ltd 積層型分波器
JP2003051758A (ja) * 2002-06-10 2003-02-21 Murata Mfg Co Ltd 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信機
JP2004260498A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Tdk Corp 積層複合電子部品
JP2006086871A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Kyocera Corp 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器
JP2013009411A (ja) * 2012-08-23 2013-01-10 Taiyo Yuden Co Ltd アンテナ分波器
WO2013099568A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 株式会社村田製作所 分波回路、およびｒｆ回路モジュール

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102957A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Murata Mfg Co Ltd 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置
US6975841B2 (en) 2001-11-12 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diplexer, and high-frequency switch and antenna duplexer using the same
CN100530958C (zh) 2003-10-16 2009-08-19 京瓷株式会社 复合型分波电路、用其的芯片零件、高频模块及无线通信设备
JP4713636B2 (ja) * 2006-03-08 2011-06-29 京セラ株式会社 分波器および通信装置
TW200835043A (en) * 2007-01-19 2008-08-16 Murata Manufacturing Co High-frequency part
JP5262413B2 (ja) 2008-08-12 2013-08-14 株式会社村田製作所 マルチバンドデュプレクサモジュール
WO2010053131A1 (ja) 2008-11-05 2010-05-14 日立金属株式会社 高周波回路、高周波部品、及びマルチバンド通信装置
CN102356440B (zh) * 2009-03-30 2013-12-25 株式会社村田制作所 可变电容模块及匹配电路模块
JP5625453B2 (ja) * 2009-05-26 2014-11-19 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
JP5387510B2 (ja) * 2010-06-03 2014-01-15 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
JP5187361B2 (ja) * 2010-08-16 2013-04-24 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP5590135B2 (ja) * 2010-09-29 2014-09-17 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP5293762B2 (ja) * 2011-03-04 2013-09-18 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
US8750809B2 (en) 2011-08-03 2014-06-10 Blackberry Limited Mobile wireless communications device with selectively controlled antenna and filter switches and related methods
US9037095B2 (en) * 2012-05-22 2015-05-19 Nokia Technologies Oy Radio frequency tracking filter
US9467191B2 (en) * 2012-11-12 2016-10-11 Qualcomm Incorporated Antenna interface circuits with quadplexers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082932A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Hitachi Metals Ltd 積層型分波器
JP2003051758A (ja) * 2002-06-10 2003-02-21 Murata Mfg Co Ltd 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信機
JP2004260498A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Tdk Corp 積層複合電子部品
JP2006086871A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Kyocera Corp 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器
WO2013099568A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 株式会社村田製作所 分波回路、およびｒｆ回路モジュール
JP2013009411A (ja) * 2012-08-23 2013-01-10 Taiyo Yuden Co Ltd アンテナ分波器

Also Published As

Publication number Publication date
CN111355497A (zh) 2020-06-30
KR101798092B1 (ko) 2017-11-15
JP6465028B2 (ja) 2019-02-06
US9912370B2 (en) 2018-03-06
WO2015041125A1 (ja) 2015-03-26
CN111355497B (zh) 2022-08-23
KR20160044547A (ko) 2016-04-25
US20160197643A1 (en) 2016-07-07
CN105556741A (zh) 2016-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6465028B2 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
JP6194897B2 (ja) 高周波スイッチモジュール
JP5316544B2 (ja) 高周波回路、高周波部品、及びマルチバンド通信装置
JP5561379B2 (ja) 高周波モジュール
JP6183461B2 (ja) 高周波モジュール
JP2016054515A (ja) フィルタモジュール
JPWO2016181701A1 (ja) 高周波モジュール
US8805299B2 (en) High-frequency module
JP5837045B2 (ja) 高周波スイッチモジュール
JPWO2015019794A1 (ja) 高周波モジュール
JP5590135B2 (ja) 高周波モジュール
US10454450B2 (en) High frequency switch module
CN111164889A (zh) 混合滤波器装置以及多路调制器
SG195523A1 (en) Filter module and duplexer module
JP5590134B2 (ja) 高周波モジュール
EP2487802B1 (en) High-frequency module
JPWO2010044373A1 (ja) Ｌｃフィルタおよび高周波スイッチモジュール
JPWO2009157283A1 (ja) 高周波モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180215

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181022

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20181029

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181211

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6465028

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150