JPWO2015019794A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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Abstract

高周波モジュール（１１）は、第１外部接続端子（Ｐ１）、第２外部接続端子（Ｐ２）、フィルタ部（２０）、第１整合回路（４１）および第２整合回路（４２）を備える。フィルタ部（２０）は第１外部接続端子（Ｐ１）と第２外部接続端子（Ｐ２）との間に接続されている。第１整合回路（４１）は第１外部接続端子（Ｐ１）とフィルタ部（２０）との間に接続されている。第２整合回路（４２）は第２外部接続端子（Ｐ２）とフィルタ部（２０）との間に接続されている。第１整合回路（４１）と第２整合回路（４２）とは誘導性結合もしくは容量性結合している。

Description

本発明は、複数のフィルタ素子を備えた高周波モジュールに関するものである。
無線通信機能を備える携帯機器等では、所望周波数の高周波信号のみを通過し、当該所望周波数以外の高周波信号を減衰させるために、フィルタ回路を備えている。
例えば、特許文献１には、ＳＡＷ（弾性表面波）フィルタを複数備えたフィルタ回路が記載されている。具体的に、特許文献１のフィルタ回路は、入力端子と出力端子との間に、複数のＳＡＷフィルタが直列接続されている。直列接続された各ＳＡＷフィルタを接続する接続ラインとグランドとの間にも、それぞれＳＡＷフィルタが接続されている。
特許文献１に記載のフィルタ回路は、通過帯域外の減衰特性を改善するために、インダクタもしくはインダクタとキャパシタの直列回路（補正回路と称する）を、ＳＡＷフィルタの直列回路に対して並列接続している。この際、ＳＡＷフィルタ群からなる回路部を伝搬する通過帯域外の高周波信号（抑圧対象信号）と、補正回路を伝搬する抑圧対象信号が、振幅が一致し位相が逆転するように、補正回路を調整する。これにより、抑圧対象信号は、ＳＡＷフィルタ群からなる回路部と補正回路との接続点で相殺され、出力端子からは出力されない。
特開２０１２−１０９８１８号公報
しかしながら、上述の構成では、主たるフィルタ機能を有するＳＡＷフィルタ群からなる回路部とは別に、減衰特性を改善するためだけに、インダクタもしくはインダクタとキャパシタの直列回路からなる補正回路を設けなければならない。
したがって、フィルタ回路の構成要素が多くなり、フィルタ回路が大型化してしまい、小型化が要求される現在の携帯端末等には不向きである。
本発明の目的は、通過帯域外の減衰特性が優れた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを提供することにある。
この発明は、第１外部接続端子と、第２外部接続端子と、第１外部接続端子と第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、第１外部接続端子とフィルタ部との間に接続された第１整合回路と、第２外部接続端子とフィルタ部との間に接続された第２整合回路と、を備えた高周波モジュールに関するものであり、第１整合回路と第２整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている。
この構成では、高周波信号がフィルタ部を伝搬する主伝搬経路とは別に、第１整合回路と第２整合回路とによって生じる誘導性結合または容量性結合の経路を介する副伝搬経路が形成される。副伝搬経路は、誘導性結合または容量性結合の結合度によって主伝搬経路とは異なる振幅特性および位相特性となり、副伝搬経路の振幅特性および位相特性を調整することで、高周波モジュールとしての伝送特性を調整することができる。これにより、別途インダクタやキャパシタを設けなくても、高周波モジュールの伝送特性を調整し、例えば減衰特性を改善できる。
また、この発明の高周波モジュールでは、フィルタ部は、第１外部接続端子に接続する第１シリーズ接続端子と、第２外部接続端子に接続する第２シリーズ接続端子と、第１シリーズ接続端子と第２シリーズ接続端子との間に直列接続された複数のシリーズ接続型のフィルタ素子と、を備えることが好ましい。
この構成では、複数のフィルタ素子の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部の所望の帯域通過特性および通過帯域外の減衰特性を実現できる。
また、この発明の高周波モジュールでは、第１整合回路と第２整合回路とは、フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスが変化するように誘導性結合もしくは容量性結合されていることが好ましい。
この構成に示すように、結合態様や結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、通過帯以外の特性すなわち減衰特性を変化させることができる。
また、この発明の高周波モジュールでは、第１整合回路と第２整合回路とは、フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数が変化するように誘導性結合もしくは容量性結合されていることが好ましい。
この構成では、減衰特性の調整態様として、減衰極周波数が調整される。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１整合回路は、第１外部接続端子とフィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、第１外部接続端子とフィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路である。第２整合回路は、第２外部接続端子とフィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、第２外部接続端子とフィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路である。
この構成では、整合回路の具体的な接続態様を示している。これらの接続態様を適宜決定することで、フィルタ部と外部とのインピーダンス整合を適切に行いながら、上述の減衰特性の調整も適切に行える。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。フィルタ部は、第３端子と、第２のフィルタ部とを備える。第２のフィルタ部は、第１シリーズ接続端子および該第１シリーズ接続端子に接続するフィルタ素子を接続する接続ラインと、第３端子との間に接続されている。
この構成では、第１シリーズ接続端子を共通端子とし、第２シリーズ接続端子及び第３端子を個別端子とする合成分波器（デュプレクサ等）を実現できる。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、該フィルタ基板の第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、第１主面から突出し、カバー層を貫通する形状の接続電極と、第１整合回路および第２整合回路が実装または形成された積層基板と、を備える。フィルタ基板は、第１主面側が積層基板の実装面に向くように配置されている。フィルタ基板は、接続電極を介して積層基板に接続されている。
この構成では、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）からなるフィルタ部と積層基板とで高周波モジュールを実現できる。これにより、高周波モジュールを小型化できる。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、第１主面から突出する形状の接続電極と、第１整合回路および第２整合回路が実装または形成された積層基板と、フィルタ部を封止するための樹脂層と、を備える。フィルタ基板は、第１主面側が積層基板の実装面に対して間隔を空けて対向するように配置されている。フィルタ基板は、接続電極を介して積層基板に接続されている。樹脂層は、フィルタ基板が配置された積層基板の実装面を覆っている。
この構成では、ベアチップからなるフィルタ部と積層基板とで高周波モジュールを実現できる。これにより、高周波モジュールを小型化できる。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１整合回路と第２整合回路とは、積層基板の実装面に実装される実装型回路素子を含んでいる。第１整合回路と第２整合回路とは近接して配置されている。
この構成では、第１整合回路および第２整合回路の具体的な構成例を示している。この構成により、第１整合回路と第２整合回路との結合を確実に実現できる。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。第１整合回路と第２整合回路とは、直方体形状の筐体と、該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形からなるスパイラル導体と、を備える。第１整合回路を構成する筐体の長辺は、第２整合回路を構成する筐体の長辺に近接して配置されている。
この構成では、第１整合回路と第２整合回路との結合を得やすく、所望とする結合量への調整も容易になる。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１整合回路と第２整合回路とは積層基板の実装面または内部に形成されている。第１整合回路と第２整合回路とは、積層基板の積層方向から見て、重なっている。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。第１整合回路と第２整合回路とは積層基板の内部に形成されている。第１整合回路と第２整合回路とは、積層基板の実装面に平行な方向から見て、重なっている。
これらの構成では、第１整合回路および第２整合回路の具体的な構成例を示している。これらの構成により、第１整合回路と第２整合回路との結合を確実に実現できる。
また、第１整合回路または第２整合回路は、カバー層の内部に形成されてもよい。
この構成では、第１整合回路または第２整合回路の具体的な構成例を示している。
また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。高周波モジュールは、フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、該フィルタ基板の第１主面側に配置され、該フィルタ基板の第１主面側が実装された平板状のフィルタ実装用基板と、を備える。第１整合回路と第２整合回路とは、フィルタ実装用基板に実装または形成されている。
この構成では、高周波モジュールをＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）で実現する場合を示している。
この発明によれば、優れた通過帯域外の減衰特性を備えた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを実現することができる。
本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第１回路例を示す回路ブロック図である。 本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第２回路例を示す回路ブロック図である。 本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第３回路例を示す回路ブロック図である。 本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第４回路例を示す回路ブロック図である。 図１から図４に示す高周波モジュールの整合回路の具体例を示す回路図である。 第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの通過特性の変化を示すグラフである。 デュプレクサ構成からなる高周波モジュールの等価回路図である。 第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの第２外部接続端子と第３外部接続端子との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。 高周波モジュールの第１の構造の主要構造を示す側面概念図である。 高周波モジュールの第１の構造における変形例の主要構造を示す側面概念図である。 高周波モジュールの第２の構造の主要構造を示す平面概念図である。 高周波モジュールの第３の構造の主要構造を示す側面概念図である。 高周波モジュールの第４の構造の主要構造を示す平面概念図である。 高周波モジュールの第５の構造の主要構造を示す側面概念図である。
本発明の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第１回路例を示す回路ブロック図である。図２は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第２回路例を示す回路ブロック図である。図３は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第３回路例を示す回路ブロック図である。図４は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第４回路例を示す回路ブロック図である。図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）は第１外部接続端子側の第１整合回路の具体例を示す回路図である。図５（Ｅ）、図５（Ｆ）、図５（Ｇ）、図５（Ｈ）は第２外部接続端子側の第２整合回路の具体例を示す回路図である。
まず、図１から図４にそれぞれ示す高周波モジュール１１，１２，１３，１４に対して共通な回路構成について説明する。
高周波モジュール１１，１２，１３，１４は、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、フィルタ部２０を備える。フィルタ部２０は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。
フィルタ部２０は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第１シャント接続端子Ｐ２３１，Ｐ２３２、第２シャント接続端子Ｐ２４を備える。第１シリーズ接続端子Ｐ２１は、後述するシリーズ接続型の第１整合回路もしくはシャント接続型の第１整合回路を介して第１外部接続端子Ｐ１に接続される。第２シリーズ接続端子Ｐ２２は、後述するシリーズ接続型の第２整合回路もしくはシャント接続型の第２整合回路を介して第２外部接続端子Ｐ２に接続される。
第１シャント接続端子Ｐ２３１は、インダクタ５０を介して、グランドに接続されている。第１シャント接続端子Ｐ２３２は、インダクタ５１を介して、グランドに接続されている。第２シャント接続端子Ｐ２４は、インダクタ６０を介して、グランドに接続されている。
フィルタ部２０は、複数のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８（以下、複数のＳＡＷ共振子をまとめて説明する場合には単純に複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８と称する）を備える。これらＳＡＷ共振子が、本発明の「シリーズ接続型のフィルタ素子」に相当する。また、複数のＳＡＷ共振子２１１，２１２，２１３，２１４を備える。なお、ＳＡＷ共振子２１１，２１２，２１３，２１４を省略し、直列接続された複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８だけでフィルタ部２０を構成してもよい。
複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８，２１１，２１２，２１３，２１４は、それぞれに共振周波数を有し、それぞれ個別に帯域通過特性を有する帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）として機能する。複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間に直列接続されている。
ＳＡＷ共振子２１１は、ＳＡＷ共振子２０２，２０３の接続点と第１シャント接続端子Ｐ２３１との間に接続されている。ＳＡＷ共振子２１４は、ＳＡＷ共振子２０４，２０５の接続点と第１シャント接続端子Ｐ２３２との間に接続されている。
ＳＡＷ共振子２１２は、ＳＡＷ共振子２０６，２０７の接続点と第２シャント接続端子Ｐ２４との間に接続されている。ＳＡＷ共振子２１３は、ＳＡＷ共振子２０８と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との接続点と、第２シャント接続端子Ｐ２４との間に接続されている。すなわち、第２シャント接続端子Ｐ２４は、ＳＡＷ共振子２１２，２１３に対する共通の端子であり、これらのＳＡＷ共振子２１２，２１３の一方端をまとめてグランドに接続する。
フィルタ部２０は、このような構成により所謂ラダー接続型フィルタを構成し、ＳＡＷ共振子２０１−２０８，２１１，２１２，２１３，２１４の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２０としての所望の帯域通過特性および通過帯域外の減衰特性を実現している。なお、ＳＡＷ共振子の数や配置は、通過させたい信号の周波数帯域および通過帯域外における所望の減衰特性を得るために適宜変更しても構わない。
このような高周波モジュール１１，１２，１３，１４の共通回路構成に対して、各高周波モジュールは、具体的に次に示すような回路構成からなる。
（第１回路例）
図１に示す高周波モジュール１１は、シリーズ接続型の第１整合回路４１および第２整合回路４２を備える。
第１整合回路４１は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に接続されている。第１整合回路４１は、具体的には、図５（Ａ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたインダクタ４１Ｌであったり、図５（Ｂ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたキャパシタ４１Ｃである。第１整合回路４１の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
第２整合回路４２は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。第２整合回路４２は、具体的には、図５（Ｅ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたインダクタ４２Ｌであったり、図５（Ｆ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたキャパシタ４２Ｃである。第２整合回路４２の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
さらに、第１整合回路４１と第２整合回路４２とは誘導性結合または容量性結合している。例えば、第１整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、第２整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、インダクタ４１Ｌを構成する導体とインダクタ４２Ｌを構成する導体とは、誘導性結合または容量性結合している。第１整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであり、第２整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、キャパシタ４１Ｃとキャパシタ４２Ｃとは容量性結合している。
また、例えば、第１整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、第２整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、インダクタ４１Ｌを構成する導体とキャパシタ４２Ｃを構成する導体とは、容量性結合している。同様に、第１整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであり、第２整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、キャパシタ４１Ｃを構成する導体とインダクタ４２Ｌを構成する導体とは、容量性結合している。
このような構成とすることで、第１整合回路４１と第２整合回路４２とは高周波的に接続される。例えば、第１整合回路４１であるインダクタ４１Ｌと、第２整合回路４２であるインダクタ４２Ｌとが誘導性結合した場合（図１参照）、インダクタ４１Ｌとインダクタ４２Ｌとの間に相互インダクタンスを有する誘導性結合回路が構成される。これにより、高周波信号は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間で、フィルタ部２０を伝搬経路とする主伝搬経路のみで伝搬されず、高周波信号の一部がインダクタ４１Ｌ（第１整合回路４１）、誘導性結合回路およびインダクタ４２Ｌ（第２整合回路４２）を伝搬経路とする副伝搬経路にも伝搬される。
これにより、高周波モジュール１１としては、主伝搬経路の伝送特性と副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。
ここで、結合する整合回路とインダクタとの結合態様および結合度を調整することで、副伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相を調整することができる。言い換えれば、副伝搬経路の伝送特性を調整することができる。伝送特性とは、例えば減衰特性（振幅特性）や位相特性である。
さらに、この結合態様および結合度を調整することで、高周波モジュール１１として通過させたい高周波信号（所望の高周波信号）の周波数帯域の伝送特性に殆ど影響を与えることなく、通過帯域外の減衰特性にのみ副伝搬経路を設置したことによる影響を与えることができる。
そして、このように副伝搬経路の伝送特性を調整することで、高周波モジュール１１としての伝送特性を調整できる。例えば、後述するように、通過帯域外の減衰特性を調整することができる。
この際、従来構成のような高周波フィルタの伝送特性を調整するためのインダクタやキャパシタを別途必要としないので、所望の減衰特性を有する高周波フィルタを簡素な構成で実現できる。これにより、高周波フィルタを小型に形成することができる。
また、上述の結合による相互誘導分によって、インダクタ４１Ｌ（第１整合回路４１）およびインダクタ４２Ｌ（第２整合回路４２）の実効的なインダクタンス値を大きくさせることができる。これにより、インダクタ４１Ｌおよびインダクタ４２Ｌの線路長をより短くすることも可能である。
（第２回路例）
図２に示す高周波モジュール１２は、シャント接続型の第１整合回路４３および第２整合回路４４を備える。
第１整合回路４３は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されている。第１整合回路４３は、具体的には、図５（Ｃ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたインダクタ４３Ｌであったり、図５（Ｄ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたキャパシタ４３Ｃである。第１整合回路４３の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
第２整合回路４４は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されている。第２整合回路４４は、具体的には、図５（Ｇ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたインダクタ４４Ｌであったり、図５（Ｈ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたキャパシタ４４Ｃである。第２整合回路４４の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
さらに、第１整合回路４３と第２整合回路４４とは誘導性結合または容量性結合している。例えば、第１整合回路４３がインダクタ４３Ｌであり、第２整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、インダクタ４３Ｌを構成する導体とインダクタ４４Ｌを構成する導体とは、誘導性結合または容量性結合している。第１整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであり、第２整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、キャパシタ４３Ｃとキャパシタ４４Ｃとは容量性結合している。
また、例えば、第１整合回路４３がインダクタ４３Ｌであり、第２整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、インダクタ４３Ｌを構成する導体とキャパシタ４４Ｃを構成する導体とは、容量性結合している。同様に、第１整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであり、第２整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、キャパシタ４３Ｃを構成する導体とインダクタ４４Ｌを構成する導体とは、容量性結合している。
このような構成とすることで、第１整合回路４３と第２整合回路４４とは高周波的に接続される。例えば、第１整合回路４３であるキャパシタ４３Ｃと、第２整合回路４４であるキャパシタ４４Ｃとが誘導性結合した場合（図２参照）、キャパシタ４３Ｃとキャパシタ４４Ｃとの間に結合容量を有する容量性結合回路が構成される。これにより、高周波信号は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間で、フィルタ部２０を伝搬経路とする主伝搬経路のみで伝搬されず、高周波信号の一部がキャパシタ４３Ｃ（第１整合回路４３）、容量性結合回路およびキャパシタ４４Ｃ（第２整合回路４４）を伝搬経路とする副伝搬経路にも伝搬される。
これにより、高周波モジュール１２としては、主伝搬経路の伝送特性と副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。
このような構成の高周波モジュール１２であっても、上述の高周波モジュール１１と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
（第３回路例）
図３に示す高周波モジュール１３は、シリーズ接続型の第１整合回路４１およびシャント接続型の第２整合回路４４を備える。
第１整合回路４１は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に接続されている。第１整合回路４１は、具体的には、図５（Ａ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたインダクタ４１Ｌであったり、図５（Ｂ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたキャパシタ４１Ｃである。第１整合回路４１の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
第２整合回路４４は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されている。第２整合回路４４は、具体的には、図５（Ｇ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたインダクタ４４Ｌであったり、図５（Ｈ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたキャパシタ４４Ｃである。第２整合回路４４の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
さらに、第１整合回路４１と第２整合回路４４とは誘導性結合または容量性結合している。例えば、第１整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、第２整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、インダクタ４１Ｌを構成する導体とインダクタ４４Ｌを構成する導体とは、誘導性結合または容量性結合している。第１整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであり、第２整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、キャパシタ４１Ｃとキャパシタ４４Ｃとは容量性結合している。
また、例えば、第１整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、第２整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、インダクタ４１Ｌを構成する導体とキャパシタ４４Ｃを構成する導体とは、容量性結合している。同様に、第１整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであり、第２整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、キャパシタ４１Ｃを構成する導体とインダクタ４４Ｌを構成する導体とは、容量性結合している。
これにより、高周波モジュール１３としては、フィルタ部２０を介する主伝搬経路の伝送特性と、結合部を介する副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。このような構成の高周波モジュール１３であっても、上述の高周波モジュール１１，１２と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
（第４回路例）
図４に示す高周波モジュール１４は、シャント接続型の第１整合回路４３およびシリーズ接続型の第２整合回路４２を備える。
第１整合回路４３は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されている。第１整合回路４３は、具体的には、図５（Ｃ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１と接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたインダクタ４３Ｌであったり、図５（Ｄ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたキャパシタ４３Ｃである。第１整合回路４３の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
第２整合回路４２は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。第２整合回路４２は、具体的には、図５（Ｅ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたインダクタ４２Ｌであったり、図５（Ｆ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたキャパシタ４２Ｃである。第２整合回路４２の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。
さらに、第１整合回路４３と第２整合回路４２とは誘導性結合または容量性結合している。例えば、第１整合回路４３がインダクタ４３Ｌであり、第２整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、インダクタ４３Ｌを構成する導体とインダクタ４２Ｌを構成する導体とは、誘導性結合または容量性結合している。第１整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであり、第２整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、キャパシタ４３Ｃとキャパシタ４２Ｃとは容量性結合している。
また、例えば、第１整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであり、第２整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、キャパシタ４３Ｃを構成する導体とインダクタ４２Ｌを構成する導体とは、容量性結合している。同様に、第１整合回路４３がインダクタ４３Ｌであり、第２整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、インダクタ４３Ｌを構成する導体とキャパシタ４２Ｃを構成する導体とは、容量性結合している。
これにより、高周波モジュール１４としては、フィルタ部２０を介する主伝搬経路の伝送特性と、結合部を介する副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。このような構成の高周波モジュール１４であっても、上述の高周波モジュール１１，１２，１３と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。
図６は、第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの通過特性の変化を示すグラフである。図６の横軸は周波数を示し、図６の縦軸は第１外部接続端子Ｐ１から第２外部接続端子Ｐ２へ伝搬する信号の減衰量を示す。図６に示す点線の特性は、第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合が弱い場合を示す。図６に示す実線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。図６に示す破線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。なお、本実施形態における高周波モジュールは、８００ＭＨｚ帯を通過帯域とする帯域通過フィルタである。
図６に示すように、誘導性結合が強くなるほど、通過帯域の高周波数側に現れる減衰極の周波数は高くなる。なお、図６における減衰極の周波数とは、周波数軸のほぼ中央にあるピーク周波数のことである。
また、誘導性結合を適宜設定することで、通過帯域の高周波数側の減衰特性を変化させることができる。例えば、誘導性結合が弱くなるほど、通過帯域付近での減衰量が小さいが、減衰極の周波数での減衰量を大きく取ることができる。また、誘導性結合が強くなるほど、通過帯域付近での減衰量を、より大きく取ることができる。
そして、図６に示すように、誘導性結合の強さに影響されることなく、通過帯域の周波数位置、周波数幅および挿入損失は殆ど変化しない。
したがって、本実施形態の構成を用いて、誘導性結合の結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、高周波数側の減衰特性を所望の特性に調整することができる。言いかえれば、所望の通過帯域特性と減衰特性を有する高周波モジュールを実現することができる。
なお、図示していないが、第１整合回路と第２整合回路とを容量性結合させた場合、容量性結合が強くなるほど、通過帯域の高周波数側に現れる減衰極の周波数は低くなる。そして、容量性結合の強さに影響されることなく、通過帯域の周波数位置、周波数幅および挿入損失は殆ど変化しない。したがって、本実施形態の構成を用いて、容量性結合の結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、高周波数側の減衰特性を所望の特性に調整することができる。
このような構成からなる高周波モジュールは、具体的な適用例として、図７に示すデュプレクサ構成に利用することができる。図７は、デュプレクサ構成からなる高周波モジュールの等価回路図である。
高周波モジュール１０１は、フィルタ部２１、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、および、フィルタ部２１の第３端子Ｐ３１，Ｐ３２を兼用する第３外部接続端子を備える。具体的な適用例として、第１外部接続端子Ｐ１は、アンテナに接続される。第２外部接続端子Ｐ２は送信回路に接続される。第３外部接続端子（第３端子Ｐ３１，Ｐ３２）は受信回路に接続される。
フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第１シャント接続端子Ｐ２３、第２シャント接続端子Ｐ２４および第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、を備える。
第１シリーズ接続端子Ｐ２１’は、接続ライン４０１を介して第１外部接続端子Ｐ１に接続されている。接続ライン４０１とグランドとの間には、上述の第１整合回路に対応するインダクタ４３Ｌが接続されている。第２シリーズ接続端子Ｐ２２は、上述の第２整合回路に対応するインダクタ４２Ｌを介して第２外部接続端子Ｐ２に接続されている。
第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間には、複数のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６が直列接続されている。
ＳＡＷ共振子２０２とＳＡＷ共振子２０３との接続点はＳＡＷ共振子２１１を介して第１シャント接続端子Ｐ２３に接続されている。第１シャント接続端子Ｐ２３は、インダクタ５０を介してグランドに接続されている。
ＳＡＷ共振子２０４とＳＡＷ共振子２０５との接続点はＳＡＷ共振子２１２を介して第２シャント接続端子Ｐ２４に接続されている。ＳＡＷ共振子２０６と第２シリーズ接続端子Ｐ２２の接続点はＳＡＷ共振子２１３を介して第２シャント接続端子Ｐ２４に接続されている。第２シャント接続端子Ｐ２４は、インダクタ６０を介してグランドに接続されている。
この構成により、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間に対して、これらＳＡＷ共振子２０１−２０８，２１１，２１２，２１３の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２１の第１、第２シリーズ接続端子間としての所望の第１帯域通過特性および第１通過帯域外の第１減衰特性を実現している。
第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第３端子Ｐ３１，Ｐ３２との間には、ＳＡＷ共振子２２１と縦結合型ＳＡＷ共振子２３１，２３２が直列接続されている。ＳＡＷ共振子２２１および縦結合型ＳＡＷ共振子２３１，２３２は第２のフィルタ部２２を構成する。この構成により、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第３端子Ｐ３１，Ｐ３２との間に対して、これらＳＡＷ共振子２２１，２３１，２３２の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２１の第１シリーズ接続端子、第３端子間としての所望の第２帯域通過特性および第２通過帯域外の第２減衰特性を実現している。第２通過帯域は、第１通過帯域とは異なる周波数帯域であり、第２通過帯域は、第１通過帯域外の減衰帯域範囲内となるように設定されている。
これにより、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’を共通端子とし、第２シリーズ接続端子Ｐ２２および第３端子Ｐ３１，Ｐ３２をそれぞれ個別端子とするデュプレクサとして機能する。
さらに、高周波モジュール１０１では、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとを誘導性結合させる。そして、この結合度を調整することで、第１減衰特性を調整することができる。
ここで、本実施形態の構成を用いれば、第２通過帯域に重ねるように、第１減衰特性における減衰量を大きく取る周波数帯域の帯域幅および減衰量を調整することができる。これは、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの結合度を調整すれば可能である。
図８は、第１整合回路と第２整合回路との誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの第２外部接続端子と第３外部接続端子との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。図８の横軸は周波数を示し、図８の縦軸はアイソレーション量を示す。図８ではアイソレーション量が低いほど、第２シリーズ接続端子、第３端子間で強くアイソレーションされていることを示している。図８に示す点線の特性は、誘導性結合が弱い場合を示す。図８に示す実線の特性は、点線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。図８に示す破線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。
図８に示すように、誘導性結合が強くなるほど、受信回路Ｒｘ（第３端子側）の通過帯域付近に現れる減衰極の周波数は高くなる。このため、誘導性結合を調整することにより、受信回路Ｒｘの通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性を調整することができる。また、図８に示すように、誘導性結合を調整しても、送信回路Ｔｘ（第２端子側）の通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性は殆ど変化しない。
このように、高周波モジュール１０１の構成を用いることで、第２シリーズ接続端子、第３端子間のアイソレーション特性を適切に調整することができる。すなわち、送信回路と受信回路との間のアイソレーション特性を最適化することができる。
なお、図示していないが、第１整合回路および第２整合回路として、インダクタ４２Ｌ，４３Ｌの代わりにキャパシタ４２Ｃ，４３Ｃを用いて、第１整合回路と第２整合回路とを容量性結合させた場合、容量性結合が強くなるほど、受信回路Ｒｘの通過帯域付近に現れる減衰極の周波数は低くなる。このため、容量性結合を調整することにより、受信回路Ｒｘ（第３端子側）の通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性を調整することができる。また、容量性結合を調整しても、送信回路Ｔｘの通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性は殆ど変化しない。このように、容量性結合を適宜調整することによっても、第２シリーズ接続端子、第３端子間のアイソレーション特性を適切に調整することができる。
（第１の構造）
図９は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュール１０１は、積層基板１００、フィルタ基板２００、カバー層２９０、側面カバー層２９１を備える。
積層基板１００は、複数の誘電体層を積層してなる。積層基板１００の天面（実装面）１００Ｓおよび内層には、所定パターンの電極が形成されており、高周波モジュール１０１のフィルタ部２１を除く配線パターンやインダクタ４２Ｌ，４３Ｌが形成されている。積層基板１００の底面１００Ｒには、外部接続用電極が形成されており、これら外部接続用電極により、上述の第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、第３外部接続端子が実現される。
フィルタ部２１は、フィルタ基板２００、カバー層２９０、側面カバー層２９１、接続電極２９３、および実装用電極２９４によって形成されている。
フィルタ基板２００は、平板状の圧電基板からなる。フィルタ基板２００の第１主面には、フィルタ電極や配線パターンが形成されている。フィルタ電極は、例えば、所謂ＩＤＴ電極からなる。このように、圧電基板の主面にＩＤＴ電極を形成することで、上述の各ＳＡＷ共振子を実現することができる。フィルタ基板２００の第１主面側には、平板状のカバー層２９０が配置されている。カバー層２９０は、平板状の絶縁性材料からなり、平面視してフィルタ基板２００と同じ形状からなる。また、カバー層２９０は、平面視して、フィルタ基板２００と重なるように配置されており、フィルタ基板２００の第１主面から所定距離の間隔を空けて配置されている。
フィルタ基板２００の第１主面とカバー層２９０との間には、側面カバー層２９１が配置されている。側面カバー層２９１も絶縁性材料からなり、平面視して、フィルタ基板２００およびカバー層２９０の全周に亘って、外周端から内側へ所定幅の範囲にのみ形成されている。すなわち、側面カバー層２９１は、中央に開口を有する枠状の構造である。
このように、カバー層２９０と側面カバー層２９１が配置されることで、フィルタ基板２００の第１主面のフィルタ電極が形成される領域は、フィルタ基板２００、カバー層２９０、および側面カバー層２９１によって密閉空間２９２内に配置される。これにより、ＳＡＷ共振子の共振特性を向上させることができ、フィルタとしての所望の特性を精確に実現することができる。
接続電極２９３は、フィルタ基板２００の第１主面に一方端が接し、他方端がカバー層２９０におけるフィルタ基板２００側と反対側の面に露出する形状からなる。この際、接続電極２９３は、側面カバー層２９１およびカバー層２９０を貫通するように形成されている。接続電極２９３の一方端は、フィルタ基板２００の第１主面に形成された配線パターンに接続されている。
実装用電極２９４は、接続電極２９３の他方端に接続し、カバー層２９０におけるフィルタ基板２００側と反対側の面から突出する形状で形成されている。この接続電極２９３と実装用電極２９４の組を複数設けることにより、上述のフィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、第１シャント接続端子Ｐ２３および第２シャント接続端子Ｐ２４が実現される。なお、接続電極２９３の他方端に半田やＡｕ等を用いたバンプを形成し、そのバンプを介して実装用電極２９４と接続してもよい。
以上のような構成とすることで、フィルタ部２１は、所謂ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）の構造となり、フィルタ部２１を小型に形成することができる。
そして、このＷＬＰ構造のフィルタ部２１は、積層基板１００の天面１００Ｓに実装されている。これにより、フィルタ部２１は、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、第３外部接続端子に接続される。
インダクタ４３Ｌは、積層基板１００の内部に形成されたスパイラル電極からなる。スパイラル電極は、積層基板１００を構成する複数の誘電体層に形成された一部が分断された管状の線状電極と層間接続電極によって実現される。各誘電体層の線状電極は、層間接続電極によって積層方向に接続され、一本の線状電極になるように接続されている。この構成により、中心軸が積層方向に沿ったスパイラル電極を実現することができる。インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極の一方端は、ビア導体４３１Ｖを介して、フィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。ランド電極は、積層基板１００の天面１００Ｓに形成されている。インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極の他方端は、ビア導体４３２Ｖを介して、積層基板１００内の底面１００Ｒ近傍に形成された内部グランドパターンに接続されている。また、インダクタ４２Ｌは積層基板１００の天面１００Ｓに形成された線状電極からなる。
さらに、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極は、平面視して、インダクタ４２Ｌを構成する線状電極と少なくとも一部が重なり合うようにして形成されている。
この構成により、積層基板１００の天面１００Ｓに形成された線状の電極パターンからなるインダクタ４２Ｌと、積層基板１００内のスパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌとの間で、図９の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。このような構成とすることで、減衰特性調整用の素子を別途設けることなく、所望の減衰特性を有する高周波モジュール１０１を実現することができる。
この際、インダクタ４２Ｌを構成する電極パターンと、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極との距離、および、当該電極パターンとスパイラル電極の重なる面積を変化させることで、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１の減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
なお、図１０に示すように、インダクタ４２Ｌは、積層基板１００内ではなく、カバー層２９０に形成されていてもよい。インダクタ４２Ｌは、インダクタ４３Ｌと同様にスパイラル電極から構成されている。そして、インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極とインダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極とは近接して配置されている。これにより、上述と同様に、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの間で、図１０の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。
（第２の構造）
図１１は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１１に示す高周波モジュール１０１Ａでは、インダクタ４２Ｌが、積層基板１００の天面１００Ｓに形成されず、積層基板１００内に形成された電極パターンによって実現される。高周波モジュール１０１Ａのその他の構成は、図９に示した高周波モジュール１０１と同様であり、説明は省略する。
インダクタ４２Ｌは、インダクタ４３Ｌと同様に、積層基板１００の内部に形成され、中心軸が積層方向に沿ったスパイラル電極からなる。インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極の一方端は、ビア導体４２１Ｖを介して、フィルタ部２１の第２シリーズ接続端子Ｐ２２となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極の他方端は、ビア導体を介して、第２外部接続端子Ｐ２となる外部接続用電極に接続されている。
さらに、インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極は、積層基板１００の天面１００Ｓに平行な方向から見て、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極と少なくとも一部が重なり合うようにして形成されている。
この構成により、積層基板１００内のスパイラル電極からなる、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの間で、図１１の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。この際、インダクタ４２Ｌを構成するスパイラル電極と、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極との距離を変化させることで、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１の減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
また、本実施形態では、インダクタ４２Ｌ，４３Ｌを積層基板１００の内部に形成しているため、インダクタ４２Ｌ，４３Ｌを形成するための領域を積層基板１００の天面１００Ｓに設けなくてもよい。これにより、積層基板１００を平面視した面積を小さくでき、高周波モジュール１０１Ａの平面面積を小さくすることができる。
（第３の構造）
図１２は、高周波モジュールの主要構造を示す平面概念図である。高周波モジュール１０１Ｂは、フィルタ部２１、積層基板１００および実装型回路素子４２０，４３０を備える。
積層基板１００は、複数の誘電体層を積層してなる。積層基板１００の天面（実装面）１００Ｓおよび内層には、所定パターンの電極が形成されている。積層基板１００の天面１００Ｓには、フィルタ部２１および実装型回路素子４２０，４３０が実装されている。フィルタ部２１は、図９に示したＷＬＰ構造を有する。
インダクタ４２Ｌは実装型回路素子４２０によって実現され、インダクタ４３Ｌは実装型回路素子４３０によって実現される。具体的には、実装型回路素子４２０，４３０は、絶縁性材料からなる直方体形状の筐体を備え、当該筐体の内部に、インダクタ４２Ｌ，４３Ｌとなるスパイラル電極が形成されている。スパイラル電極は、筐体の外周に沿って伸長し一部が分断された管状の線状電極と層間接続電極によって実現される。各層の線状電極は、層間接続電極によって一本の線状電極になるように接続されている。スパイラル電極の両端は、筐体の対向する両端面に形成された外部接続電極に接続されている。このような構成からなる実装型回路素子４２０，４３０は、スパイラル電極の中心軸が積層基板１００の天面１００Ｓに直交するように、積層基板１００の天面１００Ｓに実装されている。
フィルタ部２１の第２シリーズ接続端子Ｐ２２および第２外部接続端子Ｐ２は実装型回路素子４２０の実装用ランドに接続されている。また、フィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第１外部接続端子Ｐ１との接続ラインが積層基板１００の天面１００Ｓおよび内部に形成され、グランド電極が積層基板１００の内部に形成されている。そして、この接続ラインおよびグランド電極は実装型回路素子４３０の実装用ランドに接続されている。
そして、実装型回路素子４２０の長手側面と実装型回路素子４３０の長手側面とが近接して対向するように、実装型回路素子４２０，４３０を配置している。これにより、実装型回路素子４２０のスパイラル電極からなるインダクタ４２Ｌと、実装型回路素子４３０のスパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌとの間で、図１２の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。この際、実装型回路素子４２０と実装型回路素子４３０との間の距離、実装型回路素子４２０，４３０の向き等を調整することにより、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１Ｂの減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
なお、図１２では、実装型回路素子４２０の長手側面と実装型回路素子４３０の長手側面とが対向するように配置した例を示した。しかしながら、実装型回路素子４２０の短手側面（外部接続電極が形成される端面）と実装型回路素子４３０の長手側面とが対向するように配置してもよい。ただし、実装型回路素子４２０の長手側面と実装型回路素子４３０の長手側面とが対向するように配置することで、より強い誘導性結合を、より簡単に実現することができる。
また、図１２では、スパイラル電極の中心軸が積層基板１００の天面１００Ｓに直交するように、実装型回路素子４２０，４３０を実装する例を示したが、スパイラル電極の中心軸が積層基板１００の天面１００Ｓに平行になるように、実装型回路素子４２０，４３０を実装してもよい。
（第４の構造）
図１３は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１３に示す高周波モジュール１０１Ｃでは、フィルタ部２１が、図９に示したＷＬＰ構造で実現されず、所謂ベアチップにより実現される。高周波モジュール１０１Ｃのその他の構成は、図９に示した高周波モジュール１０１と同様であり、説明は省略する。
フィルタ部２１を構成するフィルタ基板２００は、平板状の圧電基板からなる。フィルタ基板２００の第１主面には、フィルタ電極や配線パターンが形成されている。フィルタ電極は、例えば、所謂ＩＤＴ電極からなる。フィルタ基板２００は、第１主面側が積層基板１００の天面１００Ｓに対して所定の間隔を空けて対向するように、第１主面側から突出する形状の接続電極２９３により実装されている。接続電極２９３の一方端は、フィルタ基板２００の第１主面に形成された配線パターンに接続されている。接続電極２９３の他方端は、積層基板１００の天面１００Ｓに形成された配線パターンに接続されている。フィルタ基板２００が配置された積層基板１００の天面１００Ｓには、フィルタ部２００を封止するための樹脂層２８３が塗布されている。ただし、ＩＤＴ電極には樹脂層２８３は塗布されておらず、ＩＤＴ電極の部分は中空構造となっている。
この構成により、上述の各ＳＡＷ共振子を実現することができる。また、接続電極２９３を複数設けることにより、上述のフィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、第１シャント接続端子Ｐ２３および第２シャント接続端子Ｐ２４が実現される。
この構成においても、積層基板１００の天面１００Ｓに形成された線状の電極パターンからなるインダクタ４２Ｌと、積層基板１００内のスパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌとの間で、図１３の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。これにより、上述の第１の構造と同様に、所望の減衰特性を有する高周波モジュール１０１Ｃを実現することができる。
なお、高周波モジュール１０１Ｃでは、積層基板１００の天面１００Ｓまたは内部に形成された電極によりインダクタ４２Ｌ，４３Ｌを実現しているが、実装型回路素子によりインダクタ４２Ｌ，４３Ｌを実現してもよい。
（第５の構造）
図１４は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１４に示す高周波モジュール１０１Ｄは、所謂ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）構造で実現されている。
高周波モジュール１０１Ｄは、フィルタ基板２００を備える。フィルタ基板２００の第１主面には、上述のようにフィルタ部２１を実現するフィルタ電極や配線パターンが形成されている。
高周波モジュール１０１Ｄは、さらにフィルタ実装用基板２８０を備える。フィルタ実装用基板２８０は、例えばアルミナ基板からなり、平面視した面積がフィルタ基板２００よりも所定量大きい。フィルタ実装用基板２８０には、所定パターンの電極が形成されている。
フィルタ基板２００は、第１主面がフィルタ実装用基板２８０側になるように、バンプ導体２８１によってフィルタ実装用基板２８０の天面（実装面）２８０Ｓに実装されている。また、フィルタ実装用基板２８０の天面２８０Ｓには、インダクタ４３Ｌを構成する実装型回路素子４３０が実装されている。フィルタ実装用基板２８０の底面２８０Ｒには、インダクタ４２Ｌを構成する線状電極および外部接続用バンプ導体２８２が形成されている。
フィルタ実装用基板２８０の天面２８０Ｓには、樹脂層２８３が塗布されている。ただし、ＩＤＴ電極には樹脂層２８３は塗布されておらず、ＩＤＴ電極の部分は中空構造となっている。これにより、フィルタ電極および配線パターンが外部環境に曝されることを防止でき、ＳＡＷ共振子の共振特性を向上させることができ、フィルタとしての所望の特性を精確に実現することができる。
そして、インダクタ４２Ｌを構成する線状電極とインダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極とが、平面視して少なくとも一部が重なるように配置する。これより、図１４に示すように、インダクタ４２Ｌとインダクタ４３Ｌとの間に誘導性結合を生じさせることができる。特に、本実施形態の構成では、インダクタ４２Ｌを構成する線状電極とインダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極との間隔（距離）を短くすることができるので、より強い誘導性結合を容易に実現することができる。
また、高周波モジュール１０１Ｄ全体がＣＳＰ構造であるので、高周波モジュール１０１Ｄを小型且つ薄型で実現することができる。
なお、上述の各実現構造では、整合回路としてインダクタを用いる例を示したが、整合回路がキャパシタの場合についても、同様の構造で実現することができる。例えば、実装型の積層コンデンサ素子によってキャパシタを実現してもよい。また、積層基板やカバー層内の異なる層に互いに対向するように形成した複数の平板電極によって、キャパシタを実現してもよい。また、積層基板やフィルタ実装用基板の天面に形成した電極パターンによってキャパシタを実現してもよい。
また、上述のフィルタ部２０は、所謂ラダー接続型フィルタであったが、フィルタ部は、例えば、縦結合共振器フィルタであってもよい。この場合でも、上述の第１整合回路と第２整合回路の間の誘導性結合また容量性結合を調整することにより、所望の減衰特性を有する高周波モジュールを実現することができる。
また、整合回路４１−４４は、インダクタを複数、キャパシタを複数、あるいは、インダクタとキャパシタとを組み合わせた複合回路としても構わない。
１１，１２，１３，１４，１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ：高周波モジュール、
２０，２１：フィルタ部、
２２：第２のフィルタ部
２０１−２０８，２１１−２１４，２２１：ＳＡＷ共振子、
２３１，２３２：縦結合型ＳＡＷ共振子、
４１，４３：第１整合回路、
４２，４４：第２整合回路、
４１Ｌ，４２Ｌ，４３Ｌ，４４Ｌ：インダクタ、
４１Ｃ，４２Ｃ，４３Ｃ，４４Ｃ：キャパシタ、
４０１，４０２：接続ライン、
５０，５１，６０：インダクタ、
Ｐ１：第１外部接続端子、
Ｐ２：第２外部接続端子、
Ｐ２１，Ｐ２１’：第１シリーズ接続端子、
Ｐ２２：第２シリーズ接続端子、
Ｐ３１，Ｐ３２：第３端子、
Ｐ２３，Ｐ２３１，Ｐ２３２：第１シャント接続端子、
Ｐ２４：第２シャント接続端子、
１００：積層基板、
１００Ｓ，２８０Ｓ：天面、
１００Ｒ，２８０Ｒ：底面、
２００：フィルタ基板、
２８０：フィルタ実装用基板、
２８１：バンプ導体、
２８２：外部接続用バンプ導体、
２８３：樹脂層、
２９０：カバー層、
２９１：側面カバー層、
２９２：密閉空間
２９３：接続電極、
２９４：実装用電極、
４２０，４３０：実装型回路素子、
４２１Ｖ，４３１Ｖ，４３２Ｖ：ビア導体

Claims (14)

  1. 第１外部接続端子と、
    第２外部接続端子と、
    前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
    前記第１外部接続端子と前記フィルタ部との間に接続された第１整合回路と、
    前記第２外部接続端子と前記フィルタ部との間に接続された第２整合回路と、
    を備えた高周波モジュールであって、
    前記第１整合回路と前記第２整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている、高周波モジュール。
  2. 前記フィルタ部は、
    前記第１外部接続端子に接続する第１シリーズ接続端子と、
    前記第２外部接続端子に接続する第２シリーズ接続端子と、
    前記第１シリーズ接続端子と前記第２シリーズ接続端子との間に直列接続された複数のシリーズ接続型のフィルタ素子と、
    を備える、請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスが変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項１または請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数が変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 前記第１整合回路は、前記第１外部接続端子と前記フィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、前記第１外部接続端子と前記フィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路であり、
    前記第２整合回路は、前記第２外部接続端子と前記フィルタ部との間に直列接続されるシリーズ接続型の整合回路、または、前記第２外部接続端子と前記フィルタ部とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるシャント接続型の整合回路である、
    請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波モジュール。
  6. 前記フィルタ部は、第３端子と、第２のフィルタ部とを備え、
    前記第２のフィルタ部は、前記第１シリーズ接続端子および該第１シリーズ接続端子に接続するフィルタ素子を接続する接続ラインと、前記第３端子との間に接続されている、
    請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の高周波モジュール。
  7. 前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
    該フィルタ基板の前記第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、
    前記第１主面から突出し、前記カバー層を貫通する形状の接続電極と、
    前記第１整合回路および前記第２整合回路が実装または形成された積層基板と、を備え、
    前記フィルタ基板は、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に向くように配置され、
    前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続されている、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波モジュール。
  8. 前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
    前記第１主面から突出する形状の接続電極と、
    前記第１整合回路および前記第２整合回路が実装または形成された積層基板と、
    前記フィルタ部を封止するための樹脂層と、を備え、
    前記フィルタ基板は、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に対して間隔を空けて対向するように配置され、
    前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続され、
    前記樹脂層は、前記フィルタ基板が配置された前記積層基板の実装面を覆う、
    請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波モジュール。
  9. 前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記積層基板の実装面に実装される実装型回路素子を含んでおり、
    前記第１整合回路と前記第２整合回路とは近接して配置されている、
    請求項７または請求項８に記載の高周波モジュール。
  10. 前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、
    直方体形状の筐体と、
    該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形からなるスパイラル導体と、
    を備え、
    前記第１整合回路を構成する筐体の長辺は、前記第２整合回路を構成する筐体の長辺に近接して配置されている、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
  11. 前記第１整合回路と前記第２整合回路とは前記積層基板の実装面または内部に形成され、
    前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記積層基板の積層方向から見て、重なっている、請求項７または請求項８に記載の高周波モジュール。
  12. 前記第１整合回路と前記第２整合回路とは前記積層基板の内部に形成され、
    前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記積層基板の実装面に平行な方向から見て、重なっている、請求項７または請求項８に記載の高周波モジュール。
  13. 前記第１整合回路または前記第２整合回路は、前記カバー層の内部に形成されている、請求項７に記載の高周波モジュール。
  14. 前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
    該フィルタ基板の前記第１主面側に配置され、該フィルタ基板の前記第１主面側が実装された平板状のフィルタ実装用基板と、を備え、
    前記第１整合回路と前記第２整合回路とは、前記フィルタ実装用基板に実装または形成されている、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波モジュール。
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