CN105453429A - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

高频模块(11)包括第1外部连接端子(P1)、第2外部连接端子(P2)、滤波部(20)、第1匹配电路(41)及第2匹配电路(42)。滤波部(20)连接在第1外部连接端子(P1)与第2外部连接端子(P2)之间。第1匹配电路(41)连接在第1外部连接端子(P1)与滤波部(20)之间。第2匹配电路(42)连接在第2外部连接端子(P2)与滤波部(20)之间。第1匹配电路(41)与第2匹配电路(42)进行电感性耦合或电容性耦合。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及具有多个滤波元件的高频模块。
背景技术
在具备无线通信功能的移动设备等中，为了仅使所希望频率的高频信号通过，使该所希望频率以外的高频信号衰减，从而设置有滤波电路。
例如，专利文献1中记载有具有多个SAW(声表面波)滤波器的滤波电路。具体而言，专利文献1的滤波电路中，在输入端子与输出端子之间串联连接有多个SAW滤波器。在对串联连接的各SAW滤波器进行连接的连接线与大地之间也分别连接有SAW滤波器。
专利文献1所记载的滤波电路中，为了改善通频带以外的衰减特性，将电感器或电感器与电容器的串联电路(称为校正电路)、与SAW滤波器的串联电路并联连接。此时，对校正电路进行调整，以使得在由SAW滤波器组构成的电路部传输的通频带以外的高频信号(抑制目标信号)与在校正电路中传输的抑制目标信号的振幅一致，相位相反。由此，抑制目标信号在由SAW滤波器组构成的电路部与校正电路的连接点处相抵消，从而不会从输出端子输出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012－109818号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，在上述结构中，除了由主要具有滤波功能的SAW滤波器组构成的电路部之外，仅仅为了改善衰减特性，还必须要设置由电感器或电感器和电容器的串联电路构成的校正电路。
因此，滤波电路的结构要素变多，滤波电路变得大型化，从而不适于追求小型化的当前的移动终端等。
本发明的目的在于提供一种具备通频带以外的衰减特性优异的小型滤波电路的高频模块。
解决技术问题所采用的技术手段
本发明涉及包括第1外部连接端子、第2外部连接端子、连接在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间的滤波部、连接在第1外部连接端子与滤波部之间的第1匹配电路、以及连接在第2外部连接端子与滤波部之间的第2匹配电路的高频模块，第1匹配电路与第2匹配电路进行电感性耦合或电容性耦合。
在该结构中，除了在滤波部传输高频信号的主传输路径以外，形成有经由利用第1匹配电路和第2匹配电路生成的电感性耦合或电容性耦合的路径的副传输路径。因电感性耦合或电容性耦合的耦合度的不同，副传输路径具有与主传输路径不同的振幅特性和相位特性，通过调整副传输路径的振幅特性和相位特性，能够调整作为高频模块的传输特性。由此，即使不另外设置电感器、电容器，也能够调整高频模块的传输特性，例如能够改善衰减特性。
本发明的高频模块中，滤波部优选包括与第1外部连接端子连接的第1串联连接端子、与第2外部连接端子连接的第2串联连接端子、以及串联连接在第1串联连接端子与第2串联连接端子之间的多个串联连接型的滤波元件。
在该结构中，通过对多个滤波元件的带通特性和衰减特性进行组合，能够实现滤波部所希望的带通特性和通频带以外的衰减特性。
本发明的高频模块中，优选为第1匹配电路和第2匹配电路进行电感性耦合或电容性耦合，以使得滤波部的通频带以外的阻抗发生变化。
如上述结构所示，通过适当调整耦合方式、耦合度，从而能在不改变通频带的特性的情况下改变通频带以外的特性即衰减特性。
本发明的高频模块中，优选为第1匹配电路和第2匹配电路进行电感性耦合或电容性耦合，以使得滤波部的通频带以外的衰减极频率发生变化。
在该结构中，调整衰减极频率来作为衰减特性的调整方式。
此外，本发明的高频模块还具有下述结构。第1匹配电路是串联连接在第1外部连接端子与滤波部之间的串联连接型的匹配电路，或者是连接在对第1外部连接端子与滤波部进行连接的连接线、与地之间的并联连接型的匹配电路。第2匹配电路是串联连接在第2外部连接端子与滤波部之间的串联连接型的匹配电路，或者是连接在对第2外部连接端子与滤波部进行连接的连接线、与地之间的并联连接型的匹配电路。
在该结构中，示出匹配电路的具体的连接方式。通过适当地确定这些连接方式，能够适当地进行滤波部与外部之间的阻抗匹配，并且也能够适当地进行上述衰减特性的调整。
此外，本发明的高频模块还具有下述结构。滤波部包括第3端子和第2滤波部。第2滤波部连接在对第1串联连接端子及连接至该第1串联连接端子的滤波元件进行连接的连接线、与第3端子之间。
在该结构中，能够实现将第1串联连接端子作为公共端子、将第2串联连接端子及第3端子作为独立端子的合成分波器(双工器等)。
此外，本发明的高频模块还具有下述结构。高频模块包括：在第1主面形成有构成滤波部的IDT电极的平板状的滤波器基板、隔开间隔与该滤波器基板的第1主面相对的平板状的保护层、从第1主面突出且具有贯穿保护层的形状的连接电极、以及安装或形成有第1匹配电路及第2匹配电路的层叠基板。滤波器基板配置为第1主面侧朝向层叠基板的安装面。滤波器基板经由连接电极与层叠基板相连接。
在该结构中，通过由WLP(WaferLevelPackage：晶圆级封装)构成的滤波部和层叠基板来实现高频模块。由此，能够使高频模块小型化。
此外，本发明的高频模块还具有下述结构。高频模块包括在第1主面形成有构成滤波部的IDT电极的平板状的滤波器基板、具有从第1主面突出的形状的连接电极、安装或形成有第1匹配电路和第2匹配电路的层叠基板、以及用于密封滤波部的树脂层。所述滤波器基板配置为使得第1主面侧与层叠基板的安装面隔开间隔地相对。滤波器基板经由连接电极与层叠基板相连接。树脂层覆盖配置有滤波器基板的层叠基板的安装面。
在该结构中，通过由裸片构成的滤波部和层叠基板来实现高频模块。由此，能够使高频模块小型化。
此外，本发明的高频模块还具有下述结构。第1匹配电路和第2匹配电路包含安装于层叠基板的安装面的安装型电路元件。第1匹配电路和第2匹配电路相靠近地进行配置。
在该结构中，示出第1匹配电路和第2匹配电路的具体结构例。通过该结构，能够可靠地实现第1匹配电路和第2匹配电路的耦合。
此外，本发明的高频模块还优选具有下述结构。第1匹配电路和第2匹配电路包括长方体形状的壳体、以及形成在该壳体内且俯视时由大致长方形的外周形状形成的螺旋导体。构成第1匹配电路的壳体的长边配置为与构成第2匹配电路的壳体的长边相靠近。
在该结构中，能够容易地进行第1匹配电路与第2匹配电路的耦合，向所希望的耦合量的调整也变得容易。
此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。第1匹配电路和第2匹配电路形成在层叠基板的安装面或内部。从层叠基板的层叠方向观察，第1匹配电路和第2匹配电路相重合。
此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。第1匹配电路和第2匹配电路形成在层叠基板的内部。从与层叠基板的安装面平行的方向观察，第1匹配电路和第2匹配电路相重合。
在这些结构中，示出第1匹配电路和第2匹配电路的具体结构例。通过这些结构，能够可靠地实现第1匹配电路和第2匹配电路的耦合。
此外，第1匹配电路或第2匹配电路也可以形成在保护层的内部。
在该结构中，示出第1匹配电路或第2匹配电路的具体结构例。
此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。高频模块包括在第1主面形成有构成滤波部的IDT电极的平板状的滤波器基板、以及配置在该滤波器基板的第1主面侧且安装有该滤波器基板的第1主面侧的平板状的滤波器安装用基板。第1匹配电路和第2匹配电路安装或形成于滤波器安装用基板。
在该结构中，示出利用CSP(ChipSizePackage：芯片尺寸封装)来实现高频模块的情况。
发明效果
根据本发明，能够实现具备具有优异的通频带以外的衰减特性的小型滤波电路的高频模块。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第1电路例的电路框图。
图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第3电路例的电路框图。
图4是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第4电路例的电路框图。
图5是表示图1至图4所示的高频模块的匹配电路的具体例的电路图。
图6是表示使第1匹配电路与第2匹配电路的电感性耦合的耦合度变化时的高频模块的通过特性的变化的曲线图。
图7是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
图8是表示使第1匹配电路与第2匹配电路的电感性耦合的耦合度变化时的高频模块的第2外部连接端子与第3外部连接端子之间的隔离度的变化的曲线图。
图9是表示高频模块的第1结构的主要结构的侧视示意图。
图10是表示高频模块的第1结构的变形例的主要结构的侧视示意图。
图11是表示高频模块的第2结构的主要结构的俯视示意图。
图12是表示高频模块的第3结构的主要结构的侧视示意图。
图13是表示高频模块的第4结构的主要结构的俯视示意图。
图14是表示高频模块的第5结构的主要结构的侧视示意图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式所涉及的高频模块进行说明。图1是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第1电路例的电路框图。图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。图3是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第3电路例的电路框图。图4是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第4电路例的电路框图。图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)是表示第1外部连接端子侧的第1匹配电路的具体例的电路图。图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)是表示第2外部连接端子侧的第2匹配电路的具体例的电路图。
首先，对图1至图4所分别示出的高频模块11、12、13、14中共通的电路结构进行说明。
高频模块11、12、13、14具有第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及滤波部20。滤波部20连接在第1外部连接端子P1与第2外部连接端子P2之间。
滤波部20具有第1串联连接端子P21、第2串联连接端子P22、第1并联连接端子P231、P232、以及第2并联连接端子P24。第1串联连接端子P21经由后述的串联连接型的第1匹配电路或并联连接型的第1匹配电路，与第1外部连接端子P1相连接。第2串联连接端子P22经由后述的串联连接型的第2匹配电路或并联连接型的第2匹配电路，与第2外部连接端子P2相连接。
第1并联连接端子P231经由电感器50与地相连接。第1并联连接端子P232经由电感器51与地相连接。第2并联连接端子P24经由电感器60与地相连接。
滤波部20具有多个SAW谐振器201、202、203、204、205、206、207、208(以下，在汇总多个SAW谐振器来进行说明的情况下简单地称为多个SAW谐振器201～208)。这些SAW谐振器相当于本发明的“串联连接型滤波元件”。此外，还具备多个SAW谐振器211、212、213、214。另外，也可以省略SAW谐振器211、212、213、214，而仅利用串联连接的多个SAW谐振器201～208来构成滤波部20。
多个SAW谐振器201～208、211、212、213、214分别具有谐振频率，起到分别具有各自的带通特性的带通滤波器(BPF)的作用。多个SAW谐振器201～208串联连接在第1串联连接端子P21与第2串联连接端子P22之间。
SAW谐振器211连接在SAW谐振器202、203的连接点与第1并联连接端子P231之间。SAW谐振器214连接在SAW谐振器204、205的连接点与第1并联连接端子P232之间。
SAW谐振器212连接在SAW谐振器206、207的连接点与第2并联连接端子P24之间。SAW谐振器213连接在SAW谐振器208和第2串联连接端子P22的连接点、与第2并联连接端子P24之间。即，第2并联连接端子P24对SAW谐振器212、213而言是共通的端子，将这些SAW谐振器212、213的一端汇集起来连接到地。
通过上述结构，滤波部20构成所谓梯形连接型滤波器，通过组合SAW谐振器201～208、211、212、213、214的带通特性及衰减特性，来实现作为滤波部20所希望实现的带通特性及通频带以外的衰减特性。另外，SAW谐振器的数量或配置可以适当地进行变更，以获得使想要通过的信号通过的频带及在通频带以外的所希望的衰减特性。
对于上述这种高频模块11、12、13、14的共通电路结构，各高频模块具体由下述电路结构构成。
(第1电路例)
图1所示的高频模块1具有串联连接型的第1匹配电路41和第2匹配电路42。
第1匹配电路41连接在滤波部20的第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间。第1匹配电路41具体而言是图5(A)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电感器41L，或者是图5(B)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电容器41C。第1匹配电路41的元件值(电感或电容)被设定为以下元件值：即，实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
第2匹配电路42连接在滤波部20的第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间。第2匹配电路42具体而言是图5(E)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电感器42L，或者是图5(F)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电容器42C。第2匹配电路42的元件值(电感或电容)被设定为以下元件值：即，实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，第1匹配电路41与第2匹配电路42进行电感性耦合或电容性耦合。例如，若第1匹配电路41为电感器41L、第2匹配电路42为电感器42L，则构成电感器41L的导体与构成电感器42L的导体进行电感性耦合或电容性耦合。若第1匹配电路41是电容器41C，第2匹配电路42是电容器42C，则电容器41C与电容器42C进行电容性耦合。
此外，例如，若第1匹配电路41为电感器41L、第2匹配电路42为电容器42C，则构成电感器41L的导体与构成电容器42C的导体进行电容性耦合。同样地，若第1匹配电路41为电容器41C、第2匹配电路42为电感器42L，则构成电容器41C的导体与构成电感器42L的导体进行电容性耦合。
通过采用这种结构，第1匹配电路41和第2匹配电路42以高频进行连接。例如，在作为第1匹配电路41的电感器41L与作为第2匹配电路42的电感器42L进行电感性耦合的情况下(参照图1)，在电感器41L与电感器42L之间构成具有互感的电感性耦合电路。由此，在第1外部连接端子P1与第2外部连接端子P2之间，高频信号不会仅在以滤波部20为传输路径的主传输路径中传输，高频信号的一部分也会在以电感器41L(第1匹配电路41)、电感性耦合电路以及电感器42L(第2匹配电路42)为传输路径的副传输路径中进行传输。
由此，作为高频模块11，就具有了由主传输路径的传输特性和副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。
这里，通过调整进行耦合的匹配电路与电感器的耦合方式及耦合度，能够调整在副传输路径中传输的高频信号的振幅和相位。换言之，能够调整副传输路径的传输特性。传输特性是指例如衰减特性(振幅特性)、相位特性。
并且，通过调整该耦合方式及耦合度，能够获得下述效果：几乎不会给作为高频模块11的想要通过的高频信号(所希望的高频信号)的频带的传输特性带来影响，而由于设置了副传输路径从而能够仅对通频带以外的衰减特性带来影响。
于是，通过如上述那样调整副传输路径的传输特性，能够调整作为高频模块11的传输特性。例如，如后述那样，能够调整通频带以外的衰减特性。
此时，无需另外设置现有结构那样的用于调整高频滤波器的传输特性的电感器和电容器，因此能够以简单的结构实现具有所希望的衰减特性的高频滤波器。由此，能够使高频滤波器小型化。
此外，由于因上述耦合而得到的互感部分，能够使电感器41L(第1匹配电路41)及电感器42L(第2匹配电路42)实际电感值增大。由此，还能够进一步缩短电感器41L及电感器42L的线路长度。
(第2电路例)
图2所示的高频模块12具有并联连接型的第1匹配电路43和第2匹配电路44。
第1匹配电路43连接在对滤波部20的第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与地之间。第1匹配电路43具体而言是图5(C)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401、与地之间的电感器43L，或者是图5(D)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401、与地之间的电容器43C。第1匹配电路43的元件值(电感或电容)被设定为以下元件值：即，实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
第2匹配电路44连接在对滤波部20的第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402、与地之间。第2匹配电路44具体而言是图5(G)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402、与地之间的电感器44L，或者是图5(H)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402、与地之间的电容器44C。第2匹配电路44的元件值(电感或电容)被设定为以下元件值：即，实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，第1匹配电路43与第2匹配电路44进行电感性耦合或电容性耦合。例如，若第1匹配电路43为电感器43L、第2匹配电路44为电感器44L，则构成电感器43L的导体与构成电感器44L的导体进行电感性耦合或电容性耦合。若第1匹配电路43是电容器43C，第2匹配电路44是电容器44C，则电容器43C与电容器44C进行电容性耦合。
此外，例如，若第1匹配电路43为电感器43L、第2匹配电路44为电容器44C，则构成电感器43L的导体与构成电容器44C的导体进行电容性耦合。同样地，若第1匹配电路43为电容器43C、第2匹配电路44为电感器44L，则构成电容器43C的导体与构成电感器44L的导体进行电容性耦合。
通过采用这种结构，第1匹配电路43和第2匹配电路44以高频进行连接。例如，在作为第1匹配电路43的电容器43C与作为第2匹配电路44的电容器44C进行电感性耦合的情况下(参照图2)，在电容器43C与电容器44C之间构成具有耦合电容的电容性耦合电路。由此，在第1外部连接端子P1与第2外部连接端子P2之间，高频信号不会仅在以滤波部20为传输路径的主传输路径中传输，高频信号的一部分也会在以电容器43C(第1匹配电路43)、电容性耦合电路以及电容器44C(第2匹配电路44)为传输路径的副传输路径中进行传输。
由此，作为高频模块12，就具有由主传输路径的传输特性和副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。
在采用这种结构的高频模块12中，也与上述高频模块11同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
(第3电路例)
图3所示的高频模块13具有串联连接型的第1匹配电路41和并联连接型的第2匹配电路44。
第1匹配电路41连接在滤波部20的第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间。第1匹配电路41具体而言是图5(A)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电感器41L，或者是图5(B)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电容器41C。第1匹配电路41的元件值(电感或电容)被设定为以下元件值：即，实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
第2匹配电路44连接在对滤波部20的第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402、与地之间。第2匹配电路44具体而言是图5(G)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402、与地之间的电感器44L，或者是图5(H)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402、与地之间的电容器44C。第2匹配电路44的元件值(电感或电容)被设定为以下元件值：即，实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，第1匹配电路41与第2匹配电路44进行电感性耦合或电容性耦合。例如，若第1匹配电路41为电感器41L、第2匹配电路44为电感器44L，则构成电感器41L的导体与构成电感器44L的导体进行电感性耦合或电容性耦合。若第1匹配电路41是电容器41C，第2匹配电路44是电容器44C，则电容器41C与电容器44C进行电容性耦合。
此外，例如，若第1匹配电路41为电感器41L、第2匹配电路44为电容器44C，则构成电感器41L的导体与构成电容器44C的导体进行电容性耦合。同样地，若第1匹配电路41为电容器41C、第2匹配电路44为电感器44L，则构成电容器41C的导体与构成电感器44L的导体进行电容性耦合。
由此，作为高频模块13，就具有由经由滤波部20的主传输路径的传输特性和经由耦合部的副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。在采用这种结构的高频模块13中，也与上述高频模块11、12同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
(第4电路例)
图4所示的高频模块14具有并联连接型的第1匹配电路43和串联连接型的第2匹配电路42。
第1匹配电路43连接在对滤波部20的第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401、与地之间。第1匹配电路43具体而言是图5(C)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401、与地之间的电感器43L，或者是图5(D)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401、与地之间的电容器43C。第1匹配电路43的元件值(电感或电容)被设定为以下元件值：即，实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
第2匹配电路42连接在滤波部20的第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间。第2匹配电路42具体而言是图5(E)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电感器42L，或者是图5(F)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电容器42C。第2匹配电路42的元件值(电感或电容)被设定为以下元件值：即，实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，第1匹配电路43与第2匹配电路42进行电感性耦合或电容性耦合。例如，若第1匹配电路43为电感器43L、第2匹配电路42为电感器42L，则构成电感器43L的导体与构成电感器42L的导体进行电感性耦合或电容性耦合。若第1匹配电路43是电容器43C，第2匹配电路42是电容器42C，则电容器43C与电容器42C进行电容性耦合。
此外，例如，若第1匹配电路43为电容器43C、第2匹配电路42为电感器42L，则构成电容器43C的导体与构成电感器42L的导体进行电容性耦合。同样地，若第1匹配电路43为电感器43L、第2匹配电路42为电容器42C，则构成电感器43L的导体与构成电容器42C的导体进行电容性耦合。
由此，作为高频模块14，就具有由经由滤波部20的主传输路径的传输特性、和经由耦合部的副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。在采用这种结构的高频模块14中，也与上述高频模块11、12、13同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
图6是表示使第1匹配电路与第2匹配电路的电感性耦合的耦合度变化时的高频模块的通过特性的变化的曲线图。图6的横轴表示频率，图6的纵轴表示从第1外部连接端子P1向第2外部连接端子P2传输的信号的衰减量。图6所示点线的特性示出第1匹配电路与第2匹配电路间的电感性耦合较弱的情况。图6所示实线的特性示出电感性耦合比实线的特性要强的情况。图6所示虚线的特性示出电感性耦合比实线的特性要强的情况。另外，本实施方式的高频模块是将800MHz频带设为通频带的带通滤波器。
如图6所示，电感性耦合越强，通频带的高频侧所出现的衰减极的频率越高。另外，图6中衰减极的频率是指位于频率轴的大致中央位置的峰值频率。
通过适当地设定电感性耦合，能够使通频带的高频侧的衰减特性发生变化。例如，电感性耦合越弱，通频带附近的衰减量越小，但能够在衰减极的频率处获得较大的衰减量。电感性耦合越强，在通频带附近能够获得更大的衰减量。
如图6所示，通频带的频率位置、带宽及插入损耗几乎没有变化，不会受到电感性耦合的强度的影响。
因此，使用本实施方式的结构，通过适当调整电感性耦合的耦合度，能够将高频侧的衰减特性调整为所希望的特性，且不会使通频带的特性发生变化。换言之，能够实现具有所希望的通频带特性和衰减特性的高频模块。
另外，虽然未进行图示，但在使第1匹配电路与第2匹配电路进行电容性耦合的情况下，电容性耦合越强，通频带的高频侧所出现的衰减极的频率变低。并且，通频带的频率位置、带宽及插入损耗几乎没有变化，不会受到电容性耦合的强度的影响。因此，使用本实施方式的结构，通过适当调整电容性耦合的耦合度，能够将高频侧的衰减特性调整为所希望的特性，且不会使通频带的特性发生变化。
作为具体的应用例，能够将由上述结构构成的高频模块利用于图7所示的双工器结构。图7是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
高频模块101包括滤波部21、第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及兼用作滤波部21的第3端子P31、P32的第3外部连接端子。作为具体的应用例，第1外部连接端子P1与天线相连接。第2外部连接端子P2与发送电路相连接。第3外部连接端子(第3端子P31、P32)与接收电路相连接。
滤波部21包括第1串联连接端子P21’、第2串联连接端子P22、第1并联连接端子P23、第2并联连接端子P24以及第3端子P31、P32。
第1串联连接端子P21’经由连接线401与第1外部连接端子P1相连接。在连接线401与地之间连接有对应于上述第1匹配电路的电感器43L。第2串联连接端子P22经由对应于上述第2匹配电路的电感器42L与第2外部连接端子P2相连接。
在第1串联连接端子P21’与第2串联连接端子P22之间，串联连接有多个SAW谐振器201、202、203、204、205、206。
SAW谐振器202与SAW谐振器203的连接点经由SAW谐振器211与第1并联连接端子P23相连接。第1并联连接端子P23经由电感器50与地相连接。
SAW谐振器204与SAW谐振器205的连接点经由SAW谐振器212与第2并联连接端子P24相连接。SAW谐振器206和第2串联连接端子P22的连接点经由SAW谐振器213与第2并联连接端子P24相连接。第2并联连接端子P24经由电感器60与地相连接。
通过采用该结构，对于滤波部21，通过对第1串联连接端子P21’与第2串联连接端子P22之间的这些SAW谐振器201～208、211、212、213的带通特性及衰减特性进行组合，在滤波部21的第1、第2串联连接端子间实现了所希望的第1带通特性及第1通频带以外的第1衰减特性。
在第1串联连接端子P21’与第3端子P31、P32之间，串联连接有SAW谐振器221和纵向耦合型SAW谐振器231、232。SAW谐振器221及纵向耦合型SAW谐振器231、232构成第2滤波部22。通过采用该结构，对于滤波部21，通过对第1串联连接端子P21’与第3串联连接端子P31、P32之间的这些SAW谐振器221、231、232的带通特性及衰减特性进行组合，在滤波部21的第1串联连接端子、第3端子间实现了所希望的第2带通特性及第2通频带以外的第2衰减特性。第2通频带是不同于第1通频带的频带，第2通频带被设定为在第1通频带以外的衰减频带范围内。
由此，滤波部21起到将第1串联连接端子P21’作为公共端子，将第2串联连接端子P22及第3端子P31、P32分别作为独立端子的双工器的作用。
并且，在高频模块101中，电感器42L与电感器43L进行电感性耦合。通过调整该耦合度，能够调整第1衰减特性。
这里，若使用本实施方式的结构，能够调整第1衰减特性中获得较大衰减量的频带的带宽及衰减量，以与第2通频带重合。这通过调整电感器42L与电感器43L的耦合度即可实现。
图8是表示使第1匹配电路与第2匹配电路的电感性耦合的耦合度变化时的高频模块的第2外部连接端子与第3外部连接端子之间的隔离度的变化的曲线图。图8的横轴表示频率，图8的纵轴表示隔离量。图8中示出隔离量越低，第2串联连接端子、第3端子之间具有越强的隔离度。图8所示点线的特性示出电感性耦合较弱的情况。图8所示实线的特性示出电感性耦合比点线的特性要强的情况。图8所示虚线的特性示出电感性耦合比实线的特性要强的情况。
如图8所示，电感性耦合越强，接收电路Rx(第3端子侧)的通频带附近所出现的衰减极的频率越高。因此，通过调整电感性耦合，能够调整接收电路Rx的通频带的隔离量及隔离特性。此外，如图8所示，即使调整电感性耦合，发送电路Tx(第2端子侧)的通频带的隔离量及隔离特性也基本没有变化。
由此，通过使用高频模块101的结构，能够适当地对第2串联连接端子、第3端子间的隔离特性进行调整。即，能够使发送电路与接收电路间的隔离特性最优化。
另外，虽然未进行图示，但作为第1匹配电路和第2匹配电路，可使用电容器42C、43C来取代电感器42L、43L，在使第1匹配电路与第2匹配电路电容性耦合的情况下，电容性耦合越强，接收电路Rx的通频带附近所出现的衰减极的频率越低。因此，通过调整电容性耦合，能够调整接收电路Rx(第3端子侧)的通频带的隔离量及隔离特性。并且，即使调整电容性耦合，发送电路Tx的通频带的隔离量及隔离特性也基本没有变化。由此，通过适当地调整电容性耦合，也能够适当地对第2串联连接端子、第3端子间的隔离特性进行调整。
(第1结构)
图9是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。高频模块101包括层叠基板100、滤波器基板200、保护层290、以及侧面保护层291。
层叠基板100通过层叠多个电介质层而形成。层叠基板100的顶面(安装面)100S及内层形成有规定图案的电极，并形成有除高频模块101的滤波部21以外的布线图案及电感器42L、43L。在层叠基板100的底面100R形成有外部连接用电极，利用这些外部连接用电极来实现上述的第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及第3外部连接端子。
滤波部21由滤波器基板200、保护层290、侧面保护层291、连接电极293及安装用电极294形成。
滤波器基板200由平板状的压电基板形成。滤波器基板200的第1主面形成有滤波器电极、布线图案。滤波器电极例如由所谓IDT电极形成。由此，通过在压电基板的主面形成IDT电极，能够实现上述各SAW谐振器。在滤波器基板200的第1主面侧配置有平板状的保护层290。保护层290由平板状的绝缘性材料形成，在俯视时具有与滤波器基板200相同的形状。并且，将保护层290配置成在俯视时与滤波器基板200重合，且以与滤波器基板200的第1主面隔开固定距离的间隔的方式来进行配置。
在滤波器基板200的第1主面和保护层290之间配置有侧面保护层291。侧面保护层291也由绝缘材料构成，在俯视时，该侧面保护层291仅形成在滤波器基板200和保护层290的整个外周的从外周端部向内侧的规定宽度的范围内。即，侧面保护层291是在中央具有开口的框状的结构。
通过如上述那样配置保护层290和侧面保护层291，从而利用滤波器基板200、保护层290、以及侧面保护层291使滤波器基板200的第1主面的形成有滤波器电极的区域配置在密闭空间292内。由此，能够使SAW谐振器的谐振特性提高，能够精确地实现作为滤波器所希望的特性。
连接电极293的一端连接至滤波器基板200的第1主面，另一端构成为从保护层290的与滤波器基板200一侧相反一侧的面露出的形状。此时，以贯穿侧面保护层291及保护层290的方式形成连接电极293。连接电极293的一端连接至形成于滤波器基板200的第1主面的布线图案。
安装用电极294连接至连接电极293的另一端，且形成为从保护层290的与滤波器基板200一侧相反一侧的面突出的形状。通过设置多组该连接电极293和安装用电极294，能够实现上述滤波部21的第1串联连接端子P21'、第2串联连接端子P22、第3端子P31、P32、第1并联连接端子P23和第2并联连接端子P24。另外，在连接端子293的另一端形成使用了焊锡、Au等的凸点，可通过该凸点与安装用电极294相连接。
通过构成上述结构，滤波部21具有所谓的WLP(WaferLevelPackage：晶圆级封装)的结构，能够使滤波部21小型化。
该WLP结构的滤波部21被安装在层叠基板100的顶面100S。由此，滤波部21与第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及第3外部连接端子相连接。
电感器43L由层叠基板100内部所形成的螺旋电极构成。利用形成于构成层叠基板100的多个电介质层的一部分被截断的管状的线状电极和层间连接电极，来实现螺旋电极。各个电介质层的线状电极通过层间连接电极在层叠方向上进行连接，且被连接成为一根线状电极。通过该结构，能够实现中心轴沿着层叠方向的螺旋电极。构成电感器43L的螺旋电极的一端经由过孔导体431V，连接至安装有作为滤波部21的第1串联连接端子P21’的安装用电极294的焊盘电极。焊盘电极形成于层叠基板100的顶面100S。构成电感器43L的螺旋电极的另一端经由过孔导体432V，连接至形成于层叠基板100内的底面100R附近的内部接地图案。电感器42L由形成于层叠基板100的顶面100S的线状电极构成。
并且，构成电感器43L的螺旋电极形成为使得在俯视时至少一部分与构成电感器42L的线状电极相重合。
通过采用该结构，如图9的粗虚线箭头所示那样，能够使由形成于层叠基板100的顶面100S的线状的电极图案构成的电感器42L、与由层叠基板100内的螺旋电极构成的电感器43L之间，产生电感性耦合。通过采用这种结构，能够实现无需另外设置用于调整衰减特性的元件，且具有所希望的衰减特性的高频模块101。
此时，通过改变构成电感器42L的电极图案与构成电感器43L的螺旋电极之间的距离、以及该电极图案与螺旋电极的重合面积，能够调整电感器42L与电感器43L之间的耦合度。由此，能够调整高频模块101的衰减特性，能够更为精确地实现所希望的衰减特性。
另外，如图10所示，电感器42L也可形成于保护层290，而非形成在层叠基板100内。电感器42L与电感器43L同样地由螺旋电极构成。构成电感器42L的螺旋电极与构成电感器43L的螺旋电极相互靠近地进行配置。由此，如图10的粗虚线箭头所示，与上述同样地能够使电感器42L与电感器43L之间产生电感性耦合。
(第2结构)
图11是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。图11所示的高频模块101A中，电感器42L不形成在层叠基板100的顶面100S，而由层叠基板100内所形成的电极图案来实现。高频模块101A的其他结构与图9所示的高频模块101相同，因此省略说明。
电感器42L与电感器43L同样地形成在层叠基板100的内部，由中心轴沿着层叠方向的螺旋电极构成。构成电感器42L的螺旋电极的一端经由过孔导体421V，连接至安装有作为滤波部21的第2串联连接端子P22的安装用电极294的焊盘电极。构成电感器42L的螺旋电极的另一端经由过孔导体连接至成为第2外部连接端子P2的外部连接用电极。
并且，构成电感器42L的螺旋电极形成为使得从与层叠基板100的顶面100S平行的方向观察时，其至少一部分与构成电感器43L的螺旋电极相重合。
通过采用该结构，如图11的粗虚线箭头所示那样，能够使由层叠基板100内的螺旋电极构成的电感器42L与电感器43L之间，产生电感性耦合。此时，通过改变构成电感器42L的螺旋电极、与构成电感器43L的螺旋电极之间的距离，能够调整电感器42L与电感器43L之间的耦合度。由此，能够调整高频模块101的衰减特性，能够更为精确地实现所希望的衰减特性。
此外，在本实施方式中，由于将电感器42L、43L形成在层叠基板100的内部，因此在层叠基板100的顶面100S可以不设置用于形成电感器42L、43L的区域。由此，能够减小层叠基板100的俯视面积，能够减小高频模块101A的平面面积。
(第3结构)
图12是表示高频模块的主要结构的俯视示意图。高频模块101B包括滤波部21、层叠基板100及安装型电路元件420、430。
层叠基板100通过层叠多个电介质层而形成。层叠基板100的顶面(安装面)100S及内层形成有规定图案的电极。层叠基板100的顶面100S安装有滤波部21及安装型电路元件420、430。滤波部21具有图9所示的WLP结构。
电感器42L由安装型电路元件420实现，电感器43L由安装型电路元件430实现。具体而言，安装型电路元件420、430具备由绝缘性材料形成的长方体形状的壳体，在该壳体的内部形成有成为电感器42L、43L的螺旋电极。螺旋电极由沿着壳体外周伸长且一部分被截断的管状的线状电极和层间连接电极来实现。各层的线状电极通过层间连接电极来连接成为一根线状电极。螺旋电极的两端、与壳体的相对的两端面上所形成的外部连接电极相连接。由上述结构构成的安装型电路元件420、430以螺旋电极的中心轴与层叠基板100的顶面100S正交的方式安装于层叠基板100的顶面100S。
滤波部21的第2串联连接端子P22及第2外部连接端子P2、与安装型电路元件420的安装用焊盘相连接。滤波部21的第1串联连接端子P21’与第1外部连接端子P1的连接线形成在层叠基板100的顶面100S及内部，接地电极形成在层叠基板100的内部。该连接线及接地电极、与安装型电路元件430的安装用焊盘相连接。
并且，以使安装型电路元件420的长边侧面与安装型电路元件430的长边侧面相靠近地相对的方式来配置安装型电路元件420、430。由此，如图12的粗虚线箭头所示那样，也能够使由安装型电路元件420的螺旋电极构成的电感器42L、与由安装型电路元件430的螺旋电极构成的电感器43L之间，产生电感性耦合。此时，通过调整安装型电路元件420与安装型电路元件430之间的距离、以及安装型电路元件420、430的朝向等，能够调整电感器42L与电感器43L之间的耦合度。由此，能够调整高频模块101B的衰减特性，能够更为精确地实现所希望的衰减特性。
另外，在图12中，示出以安装型电路元件420的长边侧面与安装型电路元件430的长边侧面相对的方式进行配置的示例。然而，也可以配置为使得安装型电路元件420的短边侧面(形成有外部连接电极的端面)与安装型电路元件430的长边侧面相对。但是，通过配置为使得安装型电路元件420的长边侧面与安装型电路元件430的长边侧面相对，能够更为简单地实现更强的电感性耦合。
图12中，示出以螺旋电极的中心轴与层叠基板100的顶面100S正交的方式来安装安装型电路元件420、430的示例，但也可以将安装型电路元件420、430安装成使得螺旋电极的中心轴与层叠基板100的顶面100S相平行。
(第4结构)
图13是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。在图13所示的高频模块101C中，不采用图9所示的WLP结构来实现滤波部21，而通过所谓的裸片来实现滤波部21。高频模块101C的其他结构与图9所示的高频模块101相同，因此省略说明。
构成滤波部21的滤波器基板200由平板状的压电基板来构成。滤波器基板200的第1主面形成有滤波器电极、布线图案。滤波器电极例如由所谓IDT电极形成。滤波器基板200通过具有从第1主面侧突出的形状的连接电极293来进行安装，使得滤波器基板200的第1主面侧与层叠基板100的顶面100S隔开规定的间隔相对。连接电极293的一端连接至形成于滤波器基板200的第1主面的布线图案。连接电极293的另一端连接至形成于层叠基板100的顶面100S的布线图案。在配置有滤波器基板200的层叠基板100的顶面100S涂布有用于对滤波部200进行密封的树脂层283。但是，在IDT电极不涂布树脂层283，而使IDT电极的一部分形成为中空结构。
通过该结构，能够实现上述各SAW谐振器。通过设置多个连接电极293，能够实现上述滤波部21的第1串联连接端子P21'、第2串联连接端子P22、第3端子P31、P32、第1并联连接端子P23和第2并联连接端子P24。
通过采用该结构，如图13的粗虚线箭头所示那样，也能够使由形成于层叠基板100的顶面100S的线状的电极图案构成的电感器42L、与由层叠基板100内的螺旋电极构成的电感器43L之间，产生电感性耦合。由此，能够与上述第1结构同样地实现具有所希望的衰减特性的高频模块101C。
另外，在高频模块101C中，利用层叠基板100的顶面100S或内部所形成的电极来实现电感器42L、43L，但也可以利用安装型电路元件来实现电感器42L、43L。
(第5结构)
图14是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。图14所示的高频模块101D通过所谓的CSP(ChipSizePackage：芯片尺寸封装)结构来实现。
高频模块101D具备滤波器基板200。在滤波器基板200的第1主面如上述那样形成有实现滤波部21的滤波器电极、布线图案。
高频模块101D还具备滤波器安装用基板280。滤波器安装用基板280例如由氧化铝基板形成，俯视时的面积比滤波器基板200要大规定量。滤波器安装用基板280形成有规定图案的电极。
滤波器基板200通过凸点导体281安装于滤波器安装用基板280的顶面(安装面)280S，以使得滤波器基板200的第1主面成为滤波器安装用基板280一侧。并且，在滤波器安装用基板280的顶面280S安装有构成电感器43L的安装型电路元件430。在滤波器安装用基板280的底面280R形成有构成电感器42L的线状电极及外部连接用凸点导体282。
滤波器安装用基板280的顶面280S涂布有树脂层283。但是，在IDT电极不涂布树脂层283，而使IDT电极的一部分形成为中空结构。由此，能够防止滤波器电极及布线图案曝露于外部环境，能够提高SAW谐振器的谐振特性，能够精确地实现作为滤波器所希望的特性。
并且，构成电感器42L的线状电极与构成电感器43L的螺旋电极配置为在俯视时至少一部分相重合。由此，如图14所示，能够使电感器42L与电感器43L之间产生电感性耦合。尤其是，在本实施方式的结构中，由于能够缩短构成电感器42L的线状电极、与构成电感器43L的螺旋电极之间的间隔(距离)，因此，能够容易地实现更强的电感性耦合。
此外，由于高频模块101D整体为CSP结构，因此，能够以小型且薄型的结构来实现高频模块101D。
另外，在上述各实现结构中，示出使用电感器来作为匹配电路的示例，但在匹配电路为电容器的情况下，也能够通过相同的结构来实现。例如，可以利用安装型的层叠电容元件来实现电容器。也可以利用在层叠基板或保护层内的不同层以彼此相对的方式形成的多个平板电极来实现电容器。还可以利用形成于层叠基板或滤波器安装用基板的顶面的电极图案来实现电容器。
另外，上述的滤波部20是所谓的梯形连接型滤波器，但该滤波部例如也可以是纵向耦合谐振滤波器。在该情况下，通过对上述的第1匹配电路和第2匹配电路之间的电感性耦合或电容性耦合进行调整，也能够实现具有所希望的衰减特性的高频模块。
此外，匹配电路41-44可以是多个电感器、多个电容器、或者组合电感器和电容器而成的复合电路。
标号说明
11、12、13、14、101、101A、101B、101C、101D：高频模块
20、21：滤波部
22：第2滤波部
201～208、211～214、221：SAW谐振器
231、232：纵向耦合型SAW谐振器
41、43：第1匹配电路
42、44：第2匹配电路
41L、42L、43L、44L：电感器
41C、42C、43C、44C：电容器
401、402：连接线
50、51、60：电感器
P1：第1外部连接端子
P2：第2外部连接端子
P21、P21’：第1串联连接端子
P22：第2串联连接端子
P31、P32：第3端子
P23、P231、P232：第1并联连接端子
P24：第2并联连接端子
100：层叠基板
100S、280S：顶面
100R、280R：底面
200：滤波器基板
280：滤波器安装用基板
281：凸点导体
282：外部连接用凸点导体
283：树脂层
290：保护层
291：侧面保护层
292：密闭空间
293：连接电极
294：安装用电极
420、430：安装型电路元件
421V、431V、432V：过孔导体

Claims (14)

1.一种高频模块，包括：
第1外部连接端子；
第2外部连接端子；
滤波部，该滤波部连接在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间；
第1匹配电路，该第1匹配电路连接在所述第1外部连接端子与所述滤波部之间；以及
第2匹配电路，该第2匹配电路连接在所述第2外部连接端子与所述滤波部之间，该高频模块的特征在于，
所述第1匹配电路与所述第2匹配电路进行电感性耦合或电容性耦合。
2.如权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述滤波部包括：
第1串联连接端子，该第1串联连接端子连接至所述第1外部连接端子；
第2串联连接端子，该第2串联连接端子连接至所述第2外部连接端子；以及
多个串联连接型的滤波元件，该多个串联连接型的滤波元件连接在所述第1串联连接端子与所述第2串联连接端子之间。
3.如权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述第1匹配电路与所述第2匹配电路进行所述电感性耦合或所述电容性耦合以使得所述滤波部的通频带以外的阻抗发生变化。
4.如权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述第1匹配电路与所述第2匹配电路进行所述电感性耦合或所述电容性耦合以使得所述滤波部的通频带以外的衰减极频率发生变化。
5.如权利要求1至4的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第1匹配电路是串联连接在所述第1外部连接端子与所述滤波部之间的串联连接型的匹配电路，或者是连接在对所述第1外部连接端子与所述滤波部进行连接的连接线、与地之间的并联连接型的匹配电路，
所述第2匹配电路是串联连接在所述第2外部连接端子与所述滤波部之间的串联连接型的匹配电路，或者是连接在对所述第2外部连接端子与所述滤波部进行连接的连接线、与地之间的并联连接型的匹配电路。
6.如权利要求2至5的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述滤波部包括第3端子和第2滤波部，
所述第2滤波部连接在对所述第1串联连接端子及连接至该第1串联连接端子的滤波元件进行连接的连接线、与所述第3端子之间。
7.如权利要求1至6的任一项所述的高频模块，其特征在于，包括：
滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，且在该滤波器基板的第1主面形成有构成所述滤波部的IDT电极；
保护层，该保护层呈平板状，且与该滤波器基板的所述第1主面隔开间隔地相对；
连接电极，该连接电极从所述第1主面突出，具有贯穿所述保护层的形状；以及
层叠基板，该层叠基板安装或形成有所述第1匹配电路及所述第2匹配电路，
所述滤波器基板配置为使得所述第1主面侧朝向所述层叠基板的安装面，
所述滤波器基板经由所述连接电极与所述层叠基板相连接。
8.如权利要求1至6的任一项所述的高频模块，其特征在于，包括：
滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，且在该滤波器基板的第1主面形成有构成所述滤波部的IDT电极；
连接电极，该连接电极具有从所述第1主面突出的形状；
层叠基板，该层叠基板安装或形成有所述第1匹配电路及所述第2匹配电路；以及
树脂层，该树脂层用于对所述滤波部进行密封，
所述滤波器基板配置为使得所述第1主面侧与所述层叠基板的安装面隔开间隔地相对，
所述滤波器基板经由所述连接电极与所述层叠基板相连接，
所述树脂层覆盖配置有所述滤波器基板的所述层叠基板的安装面。
9.如权利要求7或8所述的高频模块，其特征在于，
所述第1匹配电路和所述第2匹配电路包含安装于所述层叠基板的安装面的安装型电路元件，
所述第1匹配电路和所述第2匹配电路相靠近地进行配置。
10.如权利要求9所述的高频模块，其特征在于，
所述第1匹配电路和所述第2匹配电路包括：
长方体形状的壳体；以及
螺旋导体，该螺旋导体形成在该壳体内，由俯视时为大致长方形的外周形状构成，
构成所述第1匹配电路的壳体的长边配置为靠近构成所述第2匹配电路的壳体的长边。
11.如权利要求7或8所述的高频模块，其特征在于，
所述第1匹配电路和所述第2匹配电路形成在所述层叠基板的安装面或内部，
从所述层叠基板的层叠方向观察，所述第1匹配电路和所述第2匹配电路相重合。
12.如权利要求7或8所述的高频模块，其特征在于，
所述第1匹配电路和所述第2匹配电路形成在所述层叠基板的内部，
从与所述层叠基板的安装面平行的方向观察，所述第1匹配电路和所述第2匹配电路相重合。
13.如权利要求7所述的高频模块，其特征在于，
所述第1匹配电路或所述第2匹配电路形成在所述保护层的内部。
14.如权利要求1至6的任一项所述的高频模块，其特征在于，包括：
滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，且在该滤波器基板的第1主面形成有构成所述滤波部的IDT电极；以及
滤波器安装用基板，该滤波器安装用基板呈平板状，配置于该滤波器基板的所述第1主面侧，且安装有该滤波器基板的所述第1主面侧，
所述第1匹配电路和所述第2匹配电路安装或形成于所述滤波器安装用基板。
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