CN102545829A - 滤波器电路、双工器和rf模块 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 54
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 101150041689 SLC25A5 gene Proteins 0.000 description 6
- 101150092978 Slc25a4 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000000411 inducer Substances 0.000 description 5
- 101100536354 Drosophila melanogaster tant gene Proteins 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 230000005570 vertical transmission Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
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Abstract
本发明涉及滤波器电路、双工器和RF模块。一种滤波器电路包括：连接在输入端子和输出端子之间并且被构成为具有通带的滤波器部；以及在所述输入端子和所述输出端子之间与所述滤波器部并联连接的路径，所述路径具有这样的阻抗，该阻抗能够使第一信号和第二信号在所述通带外的频带中具有相反的相位关系，并且在所述频带中具有几乎相等的振幅，所述第一信号通过所述路径从所述输入端子至所述输出端子，而所述第二信号通过所述滤波器部从所述输入端子至所述输出端子。
Description
技术领域
这里所讨论的本发明的一个方面涉及滤波器电路、双工器和RF(射频)模块。本发明的另一个方面涉及具有与滤波器部并联连接的路径的滤波器电路、利用这样的滤波器电路的双工器以及利用这样的双工器的RF模块。
背景技术
滤波器电路用作诸如移动电话等的移动设备的RF电路。滤波器电路使通带中的RF信号通过，并且对通带外的信号进行衰减。滤波器电路可以被构造为提高通带外的特定频带中的衰减量。日本专利申请公报No.2009-33733和专利合作条约(PCT)国际公开No.2009/025106公开了通过将移相器串联连接至滤波器，来提高通带外的特定频带中的衰减量的方法。
但是，使用串联连接至滤波器的移相器增大了插入损耗。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种能够抑制插入损耗的增大并且提高特定频带的抑制的滤波器电路。根据本发明的一个方面，提供了一种滤波器电路，该滤波器电路包括：连接在输入端子和输出端子之间并且被构成为具有通带的滤波器部；以及在所述输入端子和所述输出端子之间与所述滤波器部并联连接的路径，所述路径具有这样的阻抗，其能够使第一信号和第二信号在所述通带外的频带中具有相反的相位关系，并且在所述频带中具有几乎相等的振幅，第一信号通过所述路径从所述输入端子至所述输出端子，而第二信号通过所述滤波器部从所述输入端子至所述输出端子。
附图说明
图1是根据第一实施方式的滤波器电路的电路图；
图2是根据第二实施方式的滤波器电路的电路图；
图3A示出了第二实施方式的滤波器电路的通带特性；而图3B示出了第二实施方式的滤波器电路中与频率相关联的信号电流和信号之间的相位差；
图4是根据第三实施方式的滤波器电路的电路图；
图5A示出了第三实施方式的滤波器电路的通带特性；而图5B示出了第三实施方式的滤波器电路中与频率相关联的信号电流和信号之间的相位差；
图6是根据第四实施方式的滤波器电路的电路图；
图7A示出了第四实施方式的滤波器电路的通带特性；而图7B示出了第四实施方式的滤波器电路中与频率相关联的信号电流和信号之间的相位差；
图8A是根据第五实施方式的滤波器电路的电路图；而图8B是分布常数线路D1的截面立体图；
图9A示出了根据第五实施方式的滤波器电路的通带特性；而图9B示出了第五实施方式的滤波器电路中与频率相关联的信号电流和信号之间的相位差；
图10是根据第六实施方式的双工器的电路图；
图11是根据第七实施方式的双工器的电路图；
图12A是发送滤波器的电路图；而图12B是在上面形成有发送滤波器的滤波器部的芯片的平面图；
图13A是接收滤波器的电路图；而图13B是在上面形成接收滤波器的滤波器部的芯片的平面图；
图14A是SAW谐振器的平面图；而图14B是沿图14A的A-A线取得的截面图；
图15A是压电薄膜谐振器的平面图；而图15B是沿图15A的A-A线取得的截面图；
图16A至图16C示出了根据第七实施方式的安装在基板上的双工器；
图17A和图17B分别是沿图16C中的A-A线和B-B线取得的截面图；
图18A至图18C是各层的上表面的平面图；
图19A至图19C是各层的上表面或下表面的平面图；
图20A至图20C是根据第八实施方式的上面安装有滤波器的基板各层的上表面的平面图；
图21A和图21B是根据第八实施方式的上面安装有滤波器的基板各层的上表面或下表面的平面图；
图22A和图22B示出了根据第八实施方式的安装在基板上的双工器；
图23A至图23D是各层的上表面或下表面的平面图；以及
图24A至图24C是根据第九实施方式的RF模块的平面图。
具体实施方式
现在参照附图描述实施方式。
第一实施方式
图1是根据第一实施方式的滤波器电路的电路图。参照图1，滤波器电路18由滤波器部10和路径12组成。滤波器部10连接在输入端子Tin和输出端子Tout之间。路径12在输入端子Tin和输出端子Tout之间与滤波器部10并联连接。通过输入端子Tin的输入信号施加于滤波器部10和路径12。通过滤波器部10的信号I1和通过路径12的信号I2彼此组合，接着经由输出端子Tout输出。滤波器部10是具有通带的通带滤波器。滤波器部10使通带中的信号通过并且对通带外的信号进行衰减。
如下选择路径12的阻抗。第一信号I1和第二信号I2在通带外的频带中在输出端子Tout处具有相反的相位关系。进一步地，第一信号I1和第二信号I2在该频带中具有相等的振幅。
根据第一实施方式，第一信号I1和第二信号I2具有相反的相位关系。第一信号I1和第二信号I2具有相等的振幅。因此，第一信号I1和第二信号I2互相削弱。由此，可以衰减输出端子Tout处的信号。通过调节路径12的阻抗，可以增大通带外的任意频带中的衰减量。
第一信号I1和第二信号I2之间的相反相位关系使通带外的频带中的信号衰减。优选地，第一信号I1和第二信号I2之间的相反相位关系具有180°±30°的相位差，更具体地，具有180°±10°的相位差。第一信号I1和第二信号I2的相等振幅使通带外的频带中的信号衰减。优选地，第一信号I1和第二信号I2的相等振幅为I1和I2具有0.7-1.5的振幅比，更具体地，具有0.9-1.2的振幅比。
滤波器部10可以是例如梯型滤波器或多模型滤波器。
第二实施方式
第二实施方式具有路径12包括电感器的示例性结构。图2是根据第二实施方式的滤波器电路的电路图。滤波器部10具有梯型滤波器。路径12包括具有两端的电感器L1。两端中的一端连接至输入端子Tin，而另一端连接至输出端子Tout。滤波器部10包括一个或更多个串联谐振器S1-S4和一个或更多个并联谐振器P1-P3。串联谐振器S1-S4串联连接在输入端子Tin和输出端子Tout之间。并联谐振器P1-P3并联连接在输入端子Tin和输出端子Tout之间。
执行模拟，其中，电感器L1的电感被设置为150nH，并且滤波器部10是梯型滤波器。梯型滤波器具有六级构造，并且具有使用钽酸锂(LiTaO3)的压电基板的表面声波谐振器。滤波器部10的通带是1920MHz至1980MHz。制备具有经改变的不具有路径12的滤波器部10的另一个滤波器，作为比较示例。
图3A示出了第二实施方式的滤波器电路的通带特性；而图3B示出了第二实施方式的滤波器电路中与频率相关联的信号电流和信号之间的相位差。在图3A中，实线表示第二实施方式，而虚线表示比较示例。在图3B中，符号□表示任意单位的第一信号I1的电流分量的振幅，并且符号○表示任意单位的第二信号I2的电流分量的振幅。虚线表示第一信号I1和第二信号I2之间的相位差。如图3A所示，在比较示例和第一实施方式这两者中，通带F0位于2GHz附近。如图3B所示，第一信号I1和第二信号I2在1GHz附近的频带F1中具有几乎相同的振幅。进一步地，在频带F1中，第一信号I1和第二信号I2具有近似等于180°的相位差。因此，如图3A所示，在第二实施方式的滤波器电路中，在频带F1中衰减量增大。
滤波器部10中使用的谐振器在通带外的频率处未表现出任何谐振性能，并且被认为是电容器。例如，SAW谐振器被认为是由压电基板的介电常数和电极指间距所限定的电容器。例如，压电薄膜谐振器被认为是由压电膜的介电常数以及隔着压电膜彼此面对的上电极和下电极二者的面积所限定的电容器。由此，如第一实施方式的情况，第二实施方式使用具有感性阻抗的路径12。由此，可以使第一信号I1和第二信号I2的相位彼此相反。由此，可以衰减在输出端子Tout处由第一信号I1和第二信号I2二者的组合所得到的信号。
电感器L1可以是集总常数电感器。电感器L1可以是芯片电感器、堆叠多层基板中的螺旋电感器、或者接合线。在比较示例中，频带F1在1GHz附近。但是，通过适当设置路径12的阻抗，可以任意设置频带F1。
第三实施方式
第三实施方式具有路径12由电感器和电容器构成的示例性构造。图4是根据第三实施方式的滤波器电路的电路图。与第二实施方式的图2相比，路径12包括串联连接至电感器L1的电容器C1，并且由此构造的LC电路连接在输入端子Tin和输出端子Tout之间。第三实施方式的其他结构与图2中所示的第二实施方式的相同，并且这里省略其描述。执行模拟，其中，电感器L1的电感被设置为250nH，并且电容器C1的电容被设置为0.2pF。其他条件与第二实施方式的模拟的相同。
图5A示出了第三实施方式的滤波器电路的通带特性；而图5B示出了第三实施方式的滤波器电路中与频率相关联的信号电流和信号之间的相位差。
在第二实施方式中，如图3A所示，衰减量在低频处(靠近DC)较小。这是因为路径12是电感器L1，并且如图3B所示，第二信号I2在低频处具有大的振幅。
在第三实施方式中，如图5B所示，由于电容器C1，在低频范围R1中信号I2减小。由此，如图5A所示，可以在低频范围R1中衰减量增大。如上所述，路径12被构造为具有这样的阻抗：该阻抗在低频范围R1的低频侧(在低于低频范围R1的频率处)，从电容器分量为主的容性阻抗变化到电感分量为主的感性阻抗，并且在低频范围R1的高频侧(在高于范围R1的频率处)是感性阻抗。由此，可以改善低频范围中的衰减特性。
第三实施方式中使用的电容器C1可以是集总常数电容器，其可以是例如，芯片电容器或堆叠多层基板中的MIM(金属绝缘体金属)电容器。
图4中所示的构造可以变化，以互换电容器C1和电感器L1的位置，使得电容器C1更靠近输入端子Tin，并且电感器更靠近输出端子Tout。
第四实施方式
第四实施方式具有电感器连接在并联谐振器和地之间的示例性构造。图6是根据第四实施方式的滤波器电路的电路图。与图2中所示的第二实施方式相比，电感器L2连接在并联谐振器P1-P3和地之间。第四实施方式的其他结构与第二实施方式的相同，并且这里省略其描述。执行模拟，其中，电感器L1的电感被设置为150nH，并且电感器L2的电感被设置为0.2nH。其他条件与第二实施方式的模拟的条件相同。
图7A示出了第四实施方式的滤波器电路的通带特性；而图7B示出了第四实施方式的滤波器电路中与频率相关联的信号电流和信号之间的相位差。
如图7B所示，除了频带F1，甚至在3GHz附近的频带F2中，第一信号I1和第二信号I2也具有几乎相等的振幅。进一步地，第一信号I1和第二信号I2的相位相差近似180°。换句话说，第一信号I1和第二信号I2具有相反的相位关系。由此，如图7A所示，在频带F2和频带F1中衰减量增大。
第四实施方式调节路径12的阻抗和电感器L2的电感，使得具有增大的衰减量的频带F1和F2可以位于通带F0的低频侧(在低于通带F0的频率处)和其高频侧(在高于通带F0的频率处)。通过适当设置路径12的阻抗和电感器L2的电感，可以任意设置频带F1和F2。
根据第四实施方式，连接在并联谐振器P1-P3和地之间的电感器L2形成两个衰减极。在第一信号I1和第二信号I2具有几乎相等的振幅并且第一信号I1和第二信号I2的相位差近似180°的条件下，形成频带F2中的衰减极。在频带F2中形成衰减极时，不涉及并联谐振器和电感器的谐振。
第五实施方式
第五实施方式具有路径12包括电感器和分布常数线路的示例性构造。图8A是根据第五实施方式的滤波器电路的电路图。与图4中所示的第三实施方式相比，路径12具有在电感器L1和电容器C1之间的分布常数线路D1。分布常数线路的一端连接至电感器L1，而其另一端连接至电容器C1。图8B是分布常数线路D1的截面立体图。如图8B所示，分布常数线路D1由带状线形成，其具有夹在地电极22和26之间的介电层24。导电层28在介电层24中延伸。通过利用介电层24的介电常数、介电层24的厚度H、导电层28的厚度T、导电层28的宽度W和导电层28的长度L，可以设置分布常数线路D1的阻抗。分布常数线路D1可以是微带线。第五实施方式的其他结构与图4中所示的第三实施方式的相同，并且这里省略其描述。执行模拟，其中，电感器L1的电感被设置为30nH，并且电容器C1的电容被设置为0.1pF。介电层24的介电常数被设置为4.8，并且H、T、W和L被分别设置为85μm、25μm、100μm和1mm。其他条件与第二实施方式的模拟的其他条件相同。
图9A示出了第五实施方式的滤波器电路的通带特性，而图9B示出了第五实施方式的滤波器电路中与频率相关联的信号电流和信号之间的相位差。
如图9B所示，第一信号I1和第二信号I2甚至在频带F1中具有几乎相等的振幅。进一步，第一信号I1和第二信号I2的相位差近似180°。由此，如图9A所示，在频带F1中衰减量增大。进一步地，分布常数线路D1的使用减小了整个路径12的Q值，并且抑制了滤波特性的变化。例如，可以使图9A中范围R2中的衰减量峰值小于图5A中所示的第三实施方式中的衰减量峰值。
根据第五实施方式，路径12包括在输入端子Tin和输出端子Tout之间与电感器L1串联连接的分布常数线路D1。由此，分布常数线路D1具有衰减信号振幅功能的一部分和电感器L1的相位变换功能。由此，因为集总常数电感器L1和分布常数线路D1具有互补关系，所以可以更灵活地设计电路。例如，可以灵活地设计衰减量增大的频带。
优选地，靠近输入端子Tin或输出端子Tout的元件是集总常数元件，以实现第一信号I1和第二信号I2之间的相反相位关系。这已经通过由发明人进行的实验得到了确认。由此，分布常数线路D1直接连接在电感器L1和电容器C1之间。
可以改变第一实施方式至第五实施方式，使得路径12可以设置在输入端子Tin和滤波器部10的中间点之间，或者在滤波器部10的中间点和输出端子Tout之间。例如，在第二实施方式至第五实施方式中，滤波器部10是梯型的情况下，路径12可以连接在滤波器部10中间的相邻串联谐振器之间的节点(例如，串联谐振器S2和S3之间的连接节点)和输入端子Tin之间。例如，路径12可以连接在将滤波器部10中间的相邻串联谐振器连接在一起的节点和输出端子Tout之间。路径12可以连接在将相邻串联谐振器连接在一起的节点和连接相邻的其他串联谐振器的节点之间(例如，在将S1和S2连接在一起的节点和连接S2和S3的节点之间)。这些变化被构造为使得通过滤波器部10的第一信号I1和通过滤波器部10的一部分的第二信号具有相反的相位关系，并且第一信号I1和第二信号I2具有几乎相等的振幅。
第六实施方式
第六实施方式具有示例性双工器。图10是根据第六实施方式的双工器的电路图。参照图10，第一滤波器11连接在公共端子Tant和第一端子T1之间。第二滤波器14连接在公共端子Tant和第二端子T2之间。第一滤波器11可以是根据第一实施方式至第五实施方式的任意滤波器电路。
双工器的第一滤波器11和第二滤波器14中的至少一个可以是根据第一实施方式至第五实施方式的任意滤波器电路。具有发送滤波器和接收滤波器的双工器被要求，尤其在发送滤波器中，具有经抑制的插入损耗。因此，优选的是，发送滤波器由根据第一实施方式至第五实施方式的任意实施方式的滤波器电路形成。
第七实施方式
第七实施方式具有双工器的示例性详细构造。图11是根据第七实施方式的双工器的电路图。第七实施方式的第一滤波器11由第四实施方式的滤波器电路形成。第一滤波器11的滤波器部10配备有串联谐振器S11-S14和并联谐振器P11-P13。并联谐振器P11和P12经由电感器L11接地。并联谐振器P13经由电感器L12接地。第二滤波器14是梯型滤波器并且配备有串联谐振器S21-S24和并联谐振器P21-P23。并联谐振器P21-P23经由电感器L21接地。公共端子Tant经由电感器L3接地，电感器L3起到匹配电路的作用。第七实施方式的其他结构与第五实施方式的相同，并且省略其描述。下面，假设第一滤波器11是发送滤波器并且第二滤波器14是接收滤波器。
图12A是发送滤波器的滤波器部10的电路图，而图12B是在上面形成有发送滤波器的滤波器部10的芯片的平面图。图12B是透过芯片从背面到正面看到的图。参照图12A，滤波器部10具有天线端子Ant1和发送端子Tx之间的串联谐振器S11-S14。并联谐振器P11-P13并联连接在天线端子Ant1和发送端子Tx之间。如图12B所示，串联谐振器S11-S14和并联谐振器P11-P13形成在由钽酸锂或铌酸锂制成的压电基板31上，作为SAW谐振器。图12B中所示的焊盘Ant1、G11、G12、G12和Tx分别与图12A中所示的端子Ant1、G11、G12、G13和Tx相对应。图12B中的焊盘G12是通过使图12A中的端子G12和G13统一形成的焊盘。
图13A是接收滤波器14的电路图，而图13B是在上面形成有接收滤波器14的芯片的平面图。图13B是透过芯片从背面到正面看到的图。如图13A所示，接收滤波器14具有在天线端子Ant2和接收端子Rx之间串联连接的串联谐振器S21-S24。并联谐振器P21-P23并联连接在天线端子Ant2和接收端子Rx之间。并联谐振器P21-P23分别具有连接到端子G21-G23的端。如图13B所示，串联谐振器S21-S24和并联谐振器P21-P23形成在压电基板32上。图13B中的焊盘Ant2、G21和Rx分别与端子Ant2、G21和Rx相对应。图13B中的焊盘G22是通过使端子G22和G23统一而形成的焊盘。
图14A是SAW谐振器的平面图，而图14B是沿图14A中的A-A线取得的截面图。参照图14A和图14B，具有Al作为主要成分的电极38形成在压电基板30上。电极38形成反射器34和梳状电极36。由梳状电极36所激励的表面声波由反射器34反射并且彼此谐振。
SAW谐振器可以用压电薄膜谐振器或膜体声谐振器(FBAR，film bulk acousticresonator)代替。图15A是示例性FBAR的平面图，而图15B是沿图15A中的A-A线取得的截面图。参照图15A和图15B，下电极42、由AlN制成的压电膜44和上电极46连续堆叠在硅基板40上。通过使上电极46和下电极42交叠且之间夹有压电膜44来形成谐振区48。在谐振区48中，声波垂直传播并且彼此谐振。腔49形成在谐振区48下方。在图15B中，腔49是形成在硅基板40中的凹部。腔49可以用声多层膜代替。
图16A至图16C是根据第七实施方式的双工器的图。图17A和图17B分别是沿图16C中所示的A-A线和B-B线取得的截面图。图16A是基板的立体图，图16B是基板上的压电基板的立体图，而图16C是包括图16B中的压电基板的密封设备的立体图。如图16A、17A和17B所示，基板50是由层51至54组成的堆叠多层基板。由如金或铜的金属制成的互连线64形成在基板50的顶上。进一步地，形成通孔互连线68，以通过堆叠的层51至54。通孔互连线68具有贯通层51至54并且充满金属的通孔。密封环沿基板50的外周形成在基板50的上表面上。底焊盘(foot pad)62形成在基板50的底表面上。
如图16B、图17A和图17B所示，上面形成有滤波器部10的压电基板31和上面形成有接收滤波器14的压电基板32通过利用如金或焊料的金属而以倒装芯片方式安装在基板50的上表面上。
如图16C、图17A和图17B所示，利用密封件60来密封压电基板31和32。密封件60可以由如焊料的金属形成。由于使用金属，密封环具有良好的湿润性。由此，由焊料等形成的密封件60形成在密封环上。密封件60可以由如树脂的绝缘物质形成。
图18A至图19C是各层的上表面或下表面的平面图。图18A是透过安装在层51上的压电基板31和32看到的图。压电基板31和32的内部结构具有与图12B和图13B中所示的相同的结构，并且这里省略其描述。
图18B是层51的平面图。形成在压电基板31上的焊盘Ant1、G11、G12和Tx通过凸块分别电连接至层51上形成的焊盘Ant1、G11、G12和Tx。形成在压电基板32上的焊盘Ant2、G21、G22和Rx通过凸块分别电连接至层51上形成的焊盘Ant2、G21、G22和Rx。符号v1-v11、gg和s1表示贯通层51的通孔互连线68。互连线64中的形成在层51上的互连线102a是连接至发送端子Tx的电感器L1的一部分。密封环经由通孔互连线gg接地。
图18C是层52的平面图。参照图18C，在层52中形成有通孔互连线v1-v11、s1、s2和w1-w3。互连线64中的形成在层52的上表面上的互连线102b是经通孔互连线s1连接至互连线102a的电感器L1的一部分。
图19A是层53的平面图。参照图19A，在层53中形成有通孔v1-v4、v11、v12、s2、s3和w1-w3。互连线64中的形成在层53的上表面上的互连线104a是经通孔互连线s2连接至电感器的分布常数线路D1的一部分。
图19B是层54的平面图。参照图19B，在层54中形成有通孔互连线v1-v3、v11、v12和w1-w3。形成在层54的上表面上的互连线104b是经通孔互连线s3连接至互连线104a的分布常数线路D1的一部分。
图19C是透过层54从其上部看到的层54的下表面的平面图。在层54的下表面上形成有底焊盘62。底焊盘Ant与图11中所示的公共端子Tant相对应。底焊盘Tx与图11中所示的第一端子T1相对应。底焊盘Rx与图11中所示的第二端子T2相对应。底焊盘Gnd接地。形成在层54的上表面上的互连线104b由虚线表示。底焊盘Ant和互连线104b彼此交叠的区域106起到MIM电容器C1的作用。
第七实施方式被构造为具有由互连线102a和102b形成的电感器L1、由互连线104a和104b形成的分布常数线路D1以及由互连线104b和底焊盘Ant形成的电容器C1，这些元件串联连接在发送端子Tx和公共端子Ant之间，并且与滤波器部10并联连接。
路径12可以形成在基板50中，在该基板50上安装有滤波器部10和第二滤波器14。
第八实施方式
第八实施方式具有在安装有滤波器的基板之外安装电感器的示例性结构。图20A至图21B是根据第八实施方式的上面安装有滤波器的基板的多个层的上表面和下表面的图。图20A至图21B分别与示出了第七实施方式的图18A至图18C、图19B、图19C相对应。与第七实施方式相比较，基板50包括层51、52和54，而不包括层53。第八实施方式被构成为在基板50中不具有互连线102a、102b、104a和104b以及MIM电容器C1。第八实施方式的其他结构与图18A至图18C、图19B和图19C中所示的第七实施方式的相同，并且这里省略其描述。
图22A和图22B示出了根据第八实施方式的安装在基板70上的双工器100。基板70可以是具有层71和72的堆叠多层基板。层71和72由如陶瓷或树脂的绝缘体制成。
由金属制成的互连线84形成在层71和72上。通孔互连线88贯通层71和72。底焊盘82形成在基板70的下表面上。上面安装有滤波器的基板50安装在基板70上。芯片电感器80安装在基板70上。
图23A至图23D是第八实施方式中采用的各层的上表面或下表面的图。图23A是上面安装有基板50和电感器80的层71的平面图。图23B是上面形成由金属制成的焊盘92和93的层71的平面图。通过使用如焊料的硬钎料金属，焊盘92电连接至基板50上的底焊盘62。通过使用诸如焊料的硬钎料金属，焊盘93电连接至芯片电感器80的两端。由金属制成的通孔互连线88贯通层71。
图23C是层72的平面图。互连线84形成在层72的上表面上。互连线84中的互连线112用于将基板50上的底焊盘Tx(由虚线表示)与芯片电感器80(由另一虚线表示)互连。互连线114是连接至电感器80的分布常数线路D1。
图23D是透过层72从其上部看到的层72的下表面的图。互连线112由虚线表示。在层72的下表面上形成有由金属制成的底焊盘82。连接至基板50上的底焊盘Ant的底焊盘ANT和互连线114彼此交叠的区域116起到MIM电容器C1的作用。
如上所述，第八实施方式被构造为具有由芯片电感器80(RF元件)形成的电感器L1、由互连线114形成的分布常数线路D1和由互连线114和底焊盘ANT形成的电容器C1，这些元件串联连接在发送端子Tx和公共端子Ant之间，并且与滤波器部10并联连接。
在第八实施方式中，路径12可以形成在上面安装有基板50的基板70中。可以通过不同于第七实施方式和第八实施方式的方式形成电容器C1和分布常数线路D1。
第九实施方式
第九实施方式包括多个示例性RF模块，各RF模块包括第八实施方式的双工器。图24A至图24C是第九实施方式的RF模块的平面图。如图24A所示，双工器100a和100b安装在第八实施方式的双工器100中使用的基板70上。如图24B中所示，功率放大器120(RF元件)安装在第八实施方式中的双工器100中使用的基板70上。如图24C所示，双工器100b和开关122(RF元件)安装在第八实施方式的双工器100中使用的基板70上。
如上所述，RF模块可以被构造为在基板70上安装除了双工器100以外的部件。
RF模块不限于移动电话，而可以如无线LAN(局域网络)的无线设备。
本发明不限于具体描述的实施方式，而是包括在要求保护的发明的范围之内的其他实施方式和变型。
Claims (10)
1.一种滤波器电路，该滤波器电路包括：
滤波器部，该滤波器部连接在输入端子和输出端子之间并且被构成为具有通带；以及
路径，该路径在所述输入端子和所述输出端子之间与所述滤波器部并联连接，
所述路径具有这样的阻抗，该阻抗能够使第一信号和第二信号在所述通带外的频带中具有相反的相位关系，并且在所述频带中具有几乎相等的振幅，其中，所述第一信号通过所述路径从所述输入端子至所述输出端子，而所述第二信号通过所述滤波器部从所述输入端子至所述输出端子。
2.根据权利要求1所述的滤波器电路，其中，所述路径具有感性阻抗。
3.根据权利要求1所述的滤波器电路，其中，所述路径具有这样的阻抗：该阻抗在低于所述通带的频率处，从容性阻抗变化到感性阻抗，并且在高于所述通带的频率处是感性阻抗。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的滤波器电路，其中，所述频带位于低于所述通带的频率处，以及高于所述通带的频率处。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的滤波器电路，其中，所述路径包括在所述输入端子和所述输出端子之间串联连接的集总常数电感器。
6.根据权利要求5所述的滤波器电路，其中，所述路径包括在所述输入端子和所述输出端子之间与所述集总常数电感器串联连接的集总常数电容器。
7.根据权利要求5所述的滤波器电路，其中，所述路径包括在所述输入端子和所述输出端子之间与所述电感器串联连接的分布常数线路。
8.根据权利要求6所述的滤波器电路，其中，所述路径包括在所述电感器和所述电容器之间串联连接的分布常数线路。
9.一种双工器，该双工器包括：
第一滤波器，该第一滤波器连接在公共端子和第一端子之间；以及
第二滤波器，该第二滤波器连接在所述公共端子和第二端子之间，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的至少一个包括：
滤波器部，该滤波器部连接在所述第一端子和所述第二端子中的一个端子与所述公共端子之间并且被构成为具有通带；以及
路径，该路径在所述第一端子和所述第二端子中的所述一个端子与所述公共端子之间与所述滤波器部并联连接，
所述路径具有这样的阻抗，该阻抗能够使第一信号和第二信号在所述通带外的频带中具有相反的相位关系，并且在所述频带中具有几乎相等的振幅，所述第一信号在所述第一端子和所述第二端子中的所述一个端子与所述公共端子之间通过所述路径，而所述第二信号在所述第一端子和所述第二端子中的所述一个端子与所述公共端子之间通过所述滤波器部。
10.一种RF模块，该RF模块包括：
RF元件；以及
连接至所述RF元件的双工器，
所述双工器包括：
第一滤波器，该第一滤波器连接在公共端子和第一端子之间；以及
第二滤波器，该第二滤波器连接在所述公共端子和第二端子之间，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的至少一个包括：
滤波器部，该滤波器部连接在所述第一端子和所述第二端子中的一个端子与所述公共端子之间并且被构成为具有通带；以及
路径，该路径在所述第一端子和所述第二端子中的所述一个端子与所述公共端子之间与所述滤波器部并联连接，
所述路径具有这样的阻抗，该阻抗能够使第一信号和第二信号在所述通带外的频带中具有相反的相位关系，并且在所述频带中具有几乎相等的振幅，所述第一信号在所述第一端子和所述第二端子中的所述一个端子与所述公共端子之间通过所述路径，而所述第二信号在所述第一端子和所述第二端子中的所述一个端子与所述公共端子之间通过所述滤波器部。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP2010-257317 | 2010-11-17 | ||
| JP2010-257317 | 2010-11-17 | ||
| JP2010257317A JP5588838B2 (ja) | 2010-11-17 | 2010-11-17 | フィルタ回路、分波器およびｒｆモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102545829A true CN102545829A (zh) | 2012-07-04 |
| CN102545829B CN102545829B (zh) | 2015-07-01 |
Family
ID=46047233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110363817.1A Active CN102545829B (zh) | 2010-11-17 | 2011-11-16 | 滤波器电路、双工器和rf模块 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8970320B2 (zh) |
| JP (1) | JP5588838B2 (zh) |
| CN (1) | CN102545829B (zh) |
| SG (1) | SG181229A1 (zh) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012109818A (ja) | 2012-06-07 |
| SG181229A1 (en) | 2012-06-28 |
| US8970320B2 (en) | 2015-03-03 |
| US20120119847A1 (en) | 2012-05-17 |
| CN102545829B (zh) | 2015-07-01 |
| JP5588838B2 (ja) | 2014-09-10 |
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Legal Events
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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