CN105453427A - 高频模块 - Google Patents

高频模块 Download PDF

Info

Publication number
CN105453427A
CN105453427A CN201480044522.XA CN201480044522A CN105453427A CN 105453427 A CN105453427 A CN 105453427A CN 201480044522 A CN201480044522 A CN 201480044522A CN 105453427 A CN105453427 A CN 105453427A
Authority
CN
China
Prior art keywords
inductor
series
match circuit
external connection
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480044522.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105453427B (zh
Inventor
竹内壮央
沟口真也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN105453427A publication Critical patent/CN105453427A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105453427B publication Critical patent/CN105453427B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0004—Impedance-matching networks
    • H03H9/0009—Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1042—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a housing formed by a cavity in a resin
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/48—Coupling means therefor
    • H03H9/52—Electric coupling means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
    • H03H9/0061—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on opposite sides of the tracks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

高频模块(11)的滤波部(20)包括：串联连接于第1串联连接端子(P21)及第2串联连接端子(P22)的多个SAW谐振器(201-208)；第1并联连接端子(P231、P232)；第2并联连接端子(P24)；以及多个SAW谐振器(211-214)。将连接SAW谐振器(202、203)的连接线经由SAW谐振器(211)与第1并联连接端子(P231)相连接。第1并联连接端子(P231)经由电感器(50)接地。第2串联连接端子(P22)与第2外部连接端子(P2)之间连接有匹配电路(42)。匹配电路(42)与电感器(50)电感耦合或电容耦合。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及具有多个滤波元件的高频模块。
背景技术
在具备无线通信功能的移动设备等中，为了仅使所希望频率的高频信号通过，并使该所希望频率以外的高频信号衰减，而设置有滤波电路。
例如，专利文献1中记载有具有多个SAW(声表面波)滤波器的滤波电路。具体而言，专利文献1的滤波电路中，在输入端子与输出端子之间串联连接有多个SAW滤波器。在对串联连接的各SAW滤波器进行连接的连接线与接地之间也分别连接有SAW滤波器。
专利文献1所记载的滤波电路中，为了改善通频带以外的衰减特性，将电感器或电感器与电容器的串联电路(称为校正电路)与SAW滤波器的串联电路并联连接。此时，对校正电路进行调整，以使得在由SAW滤波器组构成的电路部传输的通频带以外的高频信号(抑制对象信号)与在校正电路中传输的抑制对象信号的振幅一致，相位相反。由此，抑制对象信号在由SAW滤波器组构成的电路部与校正电路的连接点处相抵消，从而不会从输出端子输出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012-109818号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，在上述结构中，除了由主要具有滤波功能的SAW滤波器组构成的电路部之外，仅仅为了改善衰减特性，还必须要另行设置由电感器或电感器和电容器的串联电路构成的校正电路。
因此，滤波电路的结构要素变多，滤波电路变得大型化，从而不适于追求小型化的当前的移动终端等。
本发明的目的在于提供一种具备通频带以外的衰减特性优异的小型滤波电路的高频模块。
解决技术问题所采用的技术手段
本发明涉及一种高频模块，具有以下特征，包括：第1外部连接端子；第2外部连接端子；滤波部，该滤波部连接在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间；匹配电路，该匹配电路连接在第1外部连接端子或第2外部连接端子的至少其中一方与滤波部之间；以及电感器，该电感器连接在接地与滤波部之间。
滤波部包括与第1外部连接端子连接的第1串联连接端子、与第2外部连接端子连接的第2串联连接端子、以及利用多个连接线串联连接在第1串联连接端子与第2串联连接端子之间的多个串联连接型的滤波元件。滤波部包括并联连接端子，该并联连接端子经由电感器接地，并且与一个所述连接线相连接。滤波部包括并联连接型的滤波元件，该并联连接型的滤波元件连接在并联连接端子所连接的所述连接线和并联连接端子之间。电感器与匹配电路电感耦合或电容耦合。
在该结构中，在由多个滤波元件传输高频信号的主传输路径以外，形成有副传输路径，该副传输路径是通过由连接在接地和滤波部之间的电感器和匹配电路所产生的电感耦合或电容耦合的路径。因电感耦合或电容耦合的耦合度的不同，副传输路径具有与主传输路径不同的振幅特性和相位特性，通过调整副传输路径的振幅特性和相位特性，能够调整作为高频模块的传输特性。由此，即使不另外设置电感器、电容器，也能够调整高频模块的传输特性，例如能够改善衰减特性。
此外，本发明的高频模块优选具有下述结构。互相之间进行电感耦合或电容耦合的电感器和匹配电路进行电感耦合或者电容耦合，以使得滤波部的通频带以外的阻抗发生变化。
如上述结构所示，通过适当调整耦合方式、耦合度，从而能在不改变通频带的特性的情况下改变通频带以外的特性即衰减特性。
此外，本发明的高频模块优选具有下述结构。互相之间进行电感耦合或电容耦合的电感器和匹配电路进行电感耦合或者电容耦合，以使得滤波部的通频带以外的衰减极频率发生变化。
在该结构中，调整衰减极频率来作为衰减特性的调整方式。
此外，本发明的高频模块中，匹配电路可以是串联连接在第1外部连接端子与第1串联连接端子之间、或者串联连接在第2外部连接端子与第2串联连接端子之间的、串联连接型的匹配电路。
此外，本发明的高频模块中，匹配电路也可以是连接在将第1外部连接端子与第1串联连接端子连接的连接线与接地之间、或者连接在将第2外部连接端子与第2串联连接端子连接的连接线与接地之间的、并联连接型的匹配电路。
这些结构中，示出了匹配电路的具体连接方式。通过适当地确定这些连接方式，能够适当地进行滤波部与外部之间的阻抗匹配，并且也能够适当地进行上述衰减特性的调整。
此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。滤波部包括第3端子和第2滤波部。第2滤波部连接在对第1串联连接端子及连接至该第1串联连接端子的滤波元件进行连接的连接线、与第3端子之间。
在该结构中，能够实现将第1串联连接端子作为公共端子、将第2串联连接端子及第3端子作为独立端子的合成分波器(双工器等)。
此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。高频模块包括：在第1主面形成有构成滤波部的IDT电极的平板状的滤波器基板、隔开间隔与滤波器基板的第1主面相对的平板状的保护层、从第1主面突出且具有贯穿保护层的形状的连接电极、以及安装或形成有匹配电路的层叠基板。滤波器基板配置为第1主面侧朝向层叠基板的安装面。滤波器基板经由连接电极与层叠基板相连接。
在该结构中，通过由WLP(WaferLevelPackage：晶圆级封装)构成的滤波部和层叠基板来实现高频模块。由此，能够使高频模块小型化。
此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。匹配电路包含安装在层叠基板的安装面上的安装型电路元件。电感器安装或形成在层叠基板的安装面或内部。安装型电路元件与电感器接近配置。
上述结构中，示出了匹配电路为安装型电路元件时使用WLP的高频模块的具体结构例。此外，还示出了电感器的具体结构例。通过该结构，能可靠地实现匹配电路与电感器的耦合。
此外，本发明的高频模块中，优选为形成于滤波器基板上的连接线与电感器之间最接近的部分的距离比安装型电路元件与电感器之间最接近的部分的距离要远。
优选为形成于滤波器基板上的连接线和安装型电路元件之间最接近的部分的距离比安装型电路元件和电感器之间最接近的部分的距离要远。
该结构中，能缩小连接线和电感器之间的电感耦合，能获得所希望的衰减特性。
此外，本发明的高频模块中，电感器可以是产生与形成于滤波器基板上的连接线所产生的磁场正交的磁场的形状。
该结构中，能抑制连接线与电感器之间的电感耦合。
本发明的高频模块中，电感器可以在滤波器基板中与滤波器基板的规定的边接近配置，该规定的边与连接线最接近的边不同。
该结构中，连接线和电感器隔开距离配置，因此能获得所希望的衰减特性。
此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。匹配电路包含安装在层叠基板的安装面上的安装型电路元件。电感器形成在保护层的内部。安装型电路元件与电感器接近配置。
上述结构中，示出了匹配电路为安装型电路元件时使用WLP的高频模块的具体结构例。此外，还示出了电感器的具体结构例。通过该结构，能可靠地实现匹配电路与电感器的耦合。
此外，本发明的高频模块还优选具有下述结构。匹配电路包括长方体形状的框体、以及形成在该框体内且俯视时由大致长方形的外周形状形成的螺旋导体。匹配电路配置成框体的长边接近电感器。
在该结构中，能够容易地进行匹配电路与电感器的耦合，向所希望的耦合量的调整也变得容易。
此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。高频模块包括在第1主面形成有构成滤波部的IDT电极的平板状的滤波器基板、以及配置在滤波器基板的第1主面侧且安装有滤波器基板的第1主面侧的平板状的滤波器安装用基板。匹配电路安装或形成于滤波器安装用基板的安装面。
在该结构中，示出利用CSP(ChipSizePackage：芯片尺寸封装)来实现高频模块的情况。
发明效果
根据本发明，能够实现具备具有优异的通频带以外的衰减特性的小型滤波电路的高频模块。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第1电路例的电路框图。
图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第3电路例的电路框图。
图4是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第4电路例的电路框图。
图5是表示图1至图4所示的高频模块的匹配电路的具体例的电路图。
图6是表示使匹配电路与电感器的电感耦合的耦合度变化时的高频模块的通过特性的变化的曲线图。
图7是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
图8是表示使匹配电路与电感器的电感耦合的耦合度变化时的高频模块的第2外部连接端子与第3外部连接端子之间的隔离度的变化的曲线图。
图9是表示高频模块的第1结构的主要结构的侧视示意图。
图10是表示高频模块的第1结构的第1变形例的主要结构的俯视示意图。
图11是表示高频模块的第1结构的第2变形例的主要结构的俯视示意图。
图12是表示高频模块的第1结构的第3变形例的主要结构的侧视示意图。
图13是表示高频模块的第2结构的主要结构的俯视示意图。
图14是表示高频模块的第3结构的主要结构的侧视示意图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式所涉及的高频模块进行说明。图1是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第1电路例的电路框图。图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。图3是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第3电路例的电路框图。图4是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第4电路例的电路框图。另外，图1～图4中，为便于观察附图，示出了电感耦合或电容耦合的代表例。图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)是表示第1外部连接端子侧的匹配电路的具体例的电路图。图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)是表示第2外部连接端子侧的匹配电路的具体例的电路图。
首先，对图1至图4所分别示出的高频模块11、12、13、14中共通的电路结构进行说明。
高频模块11、12、13、14具有第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及滤波部20。滤波部20连接在第1外部连接端子P1与第2外部连接端子P2之间。
滤波部20具有第1串联连接端子P21、第2串联连接端子P22、第1并联连接端子P231、P232、以及第2并联连接端子P24。第1串联连接端子P21经由后述的串联连接型的匹配电路或并联连接型的匹配电路与第1外部连接端子P1相连接。第2串联连接端子P22经由后述的串联连接型的匹配电路或并联连接型的匹配电路与第2外部连接端子P2相连接。
第1并联连接端子P231经由电感器50与接地相连接。第1并联连接端子P232经由电感器51与接地相连接。电感器50、51相当于本发明的“电感器”。第2并联连接端子P24经由电感器60与接地相连接。
滤波部20具有多个SAW谐振器201、202、203、204、205、206、207、208(以下，在汇总多个SAW谐振器来进行说明的情况下简单地称为多个SAW谐振器201-208)。这些SAW谐振器相当于本发明的“串联连接型滤波元件”。此外，还具备多个SAW谐振器211、212、213、214。SAW谐振器211、214相当于本发明的“并联连接型滤波元件”。
多个SAW谐振器201-208、211、212、213、214分别具有谐振频率，起到分别具有各自的带通特性的带通滤波器(BPF)的作用。多个SAW谐振器201-208利用多个连接线串联连接在第1串联连接端子P21和第2串联连接端子P22之间。
SAW谐振器211连接在连接线和第1并联连接端子P231之间，该连接线用于连接SAW谐振器202和SAW谐振器203。SAW谐振器214连接在连接线和第1并联连接端子P232之间，该连接线用于连接SAW谐振器204和SAW谐振器205。
SAW谐振器212连接在连接线和第2并联连接端子P24之间，该连接线用于连接SAW谐振器206和SAW谐振器207。SAW谐振器213连接在连接线与第2并联连接端子P24之间，该连接线连接SAW谐振器208和第2串联连接端子P22。即，第2并联连接端子P24对SAW谐振器212、213而言是共通的端子，将这些SAW谐振器212、213的一端汇集起来连接到接地。
通过上述结构，滤波部20构成所谓梯形连接型滤波器，通过组合SAW谐振器201-208、211、212、213、214的带通特性及衰减特性，来实现作为滤波部20所希望实现的带通特性及通频带以外的衰减特性。另外，SAW谐振器的数量或配置可以适当地进行变更，以获得想要通过的信号的频带及在通频带以外的所希望的衰减特性。
对于上述这种高频模块11、12、13、14的共通电路结构，各高频模块具体由下述电路结构构成。
(第1电路例)
图1所示的高频模块11包括串联连接型的匹配电路41、42。另外，也可以省略匹配电路41、42的其中一方。
匹配电路41连接在滤波部20的第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间。匹配电路41具体而言是图5(A)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电感器41L，或者是图5(B)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电容器41C。匹配电路41的元件值(电感或电容)被设定为实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
匹配电路42连接在滤波部20的第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间。匹配电路42具体而言是图5(E)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电感器42L，或者是图5(F)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电容器42C。匹配电路42的元件值(电感或电容)被设定为实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，匹配电路41、42的至少一方与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电感器，则该匹配电路与电感器50、51的至少一方电感耦合、或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电容器，则该匹配电路与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
例如，若匹配电路41是电感器41L，则电感器41L与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若匹配电路41是电容器41C，则电容器41C与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
例如，若匹配电路42是电感器42L，则电感器42L与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若匹配电路42是电容器42C，则电容器42C与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
通过构成上述结构，进行耦合的电感器和匹配电路进行高频连接。例如在匹配电路41是电感器41L、且电感器41L和电感器51电感耦合的情况下(参照图1)，在电感器41L(匹配电路41)和电感器51之间构成具有互感的电感耦合电路。由此，在第1外部连接端子P1和第2外部连接端子P2之间，不会仅在将滤波部20作为传输路径的主传输路径中传输高频信号，高频信号的一部分也会在将电感器41L(匹配电路41)、电感耦合电路及电感器51作为传输路径的副传输路径中进行传输。
由此，作为高频模块11，就具有了由主传输路径的传输特性和副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。
这里，通过调整进行耦合的匹配电路与电感器的耦合方式及耦合度，能够调整在副传输路径中传输的高频信号的振幅和相位。换言之，能够调整副传输路径的传输特性。传输特性是指例如衰减特性(振幅特性)、相位特性。
并且，通过调整该耦合方式及耦合度，能够获得下述效果：几乎不会给作为高频模块11的想要通过的高频信号(所希望的高频信号)的频带的传输特性带来影响，而能够仅对通频带以外的衰减特性带来由于设置了副传输路径而产生的影响。
于是，通过如上述那样调整副传输路径的传输特性，能够调整作为高频模块11的传输特性。例如，如后述那样，能够调整通频带以外的衰减特性。
此时，无需另外设置现有结构那样的用于调整高频滤波器的传输特性的电感器和电容器，因此能够以简单的结构实现具有所希望的衰减特性的高频滤波器。由此，能够使高频滤波器小型化。
另外，上述耦合所产生的互感分量能够使电感器41L(匹配电路41)及电感器51的有效电感值相应地增大。由此，能够进一步缩短电感器41L及电感器51的线路长度。
(第2电路例)
图2所示的高频模块12包括并联连接型的匹配电路43、44。另外，也可以省略匹配电路43、44的其中一方。
匹配电路43连接在对滤波部20的第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与接地之间。匹配电路43具体而言是图5(C)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与接地之间的电感器43L，或者是图5(D)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与接地之间的电容器43C。匹配电路43的元件值(电感或电容)被设定为实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
匹配电路44连接在对滤波部20的第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间。匹配电路44具体而言是图5(G)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间的电感器44L，或者是图5(H)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间的电容器44C。匹配电路44的元件值(电感或电容)被设定为实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，匹配电路43、44的至少一方与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电感器，则该匹配电路与电感器50、51的至少一方电感耦合、或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电容器，则该匹配电路与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
例如，若匹配电路43是电感器43L，则电感器43L与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若匹配电路43是电容器43C，则电容器43C与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
例如，若匹配电路44是电感器44L，则电感器44L与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若匹配电路44是电容器44C，则电容器44C与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
通过构成上述结构，进行耦合的电感器和匹配电路进行高频连接。例如，在匹配电路44是电容器44C、且电容器44C和构成电感器50的导体电容耦合的情况下(参照图2)，在电容器44C(匹配电路44)和构成电感器50的导体之间构成具有耦合电容的电容耦合电路。由此，在第1外部连接端子P1和第2外部连接端子P2之间，不会仅在将滤波部20作为传输路径的主传输路径中传输高频信号，高频信号的一部分也会在将电感器50、电容耦合电路及电容器44C(匹配电路44)作为传输路径的副传输路径中进行传输。
由此，作为高频模块12，就具有了由主传输路径的传输特性和副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。
在采用这种结构的高频模块12中，也与上述高频模块11同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
(第3电路例)
图3所示的高频模块13具有串联连接型的匹配电路41和并联连接型的匹配电路44。
匹配电路41连接在滤波部20的第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间。匹配电路41具体而言是图5(A)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电感器41L，或者是图5(B)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电容器41C。匹配电路41的元件值(电感或电容)被设定为实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
匹配电路44连接在对滤波部20的第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间。匹配电路44具体而言是图5(G)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间的电感器44L，或者是图5(H)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间的电容器44C。匹配电路44的元件值(电感或电容)被设定为实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，匹配电路41、44的至少一方与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电感器，则该匹配电路与电感器50、51的至少一方电感耦合、或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电容器，则该匹配电路与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
例如，若匹配电路41是电感器41L，则电感器41L与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若匹配电路41是电容器41C，则电容器41C与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
例如，若匹配电路44是电感器44L，则电感器44L与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若匹配电路44是电容器44C，则电容器44C与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
由此，作为高频模块13，就具有由经由滤波部20的主传输路径的传输特性和经由耦合部的副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。在采用这种结构的高频模块13中，也与上述高频模块11、12同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
(第4电路例)
图4所示的高频模块14具有串联连接型的匹配电路42和并联连接型的匹配电路43。
匹配电路42连接在滤波部20的第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间。匹配电路42具体而言是图5(E)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电感器42L，或者是图5(F)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电容器42C。匹配电路42的元件值(电感或电容)被设定为实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
匹配电路43连接在对滤波部20的第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与接地之间。匹配电路43具体而言是图5(C)所示的连接在对第1串联连接端子P21、第1外部连接端子P1、连接线401与接地之间的电感器43L，或者是图5(D)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与接地之间的电容器43C。匹配电路43的元件值(电感或电容)被设定为实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，匹配电路42、43的至少一方与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电感器，则该匹配电路与电感器50、51的至少一方电感耦合、或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电容器，则该匹配电路与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
例如，若匹配电路42是电感器42L，则电感器42L与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若匹配电路42是电容器42C，则电容器42C与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
例如，若匹配电路43是电感器43L，则电感器43L与电感器50、51的至少一方电感耦合，或与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。若匹配电路43是电容器43C，则电容器43C与构成电感器50、51的各导体的至少一部分电容耦合。
由此，作为高频模块14，就具有由经由滤波部20的主传输路径的传输特性和经由耦合部的副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。在采用这种结构的高频模块14中，也与上述高频模块11、12、13同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
图6是表示使匹配电路与电感器的电感耦合的耦合度变化时的高频模块的通过特性的变化的曲线图。图6的横轴表示频率，图6的纵轴表示从第1外部连接端子P1向第2外部连接端子P2传输的信号的衰减量。图6所示点线的特性示出匹配电路与电感器的电感耦合较弱的情况。图6所示实线的特性示出电感耦合比实线的特性要强的情况。图6所示虚线的特性示出电感耦合比实线的特性要强的情况。另外，本实施方式的高频模块是将800MHz频带设为通频带的带通滤波器。
如图6所示，电感耦合越强，通频带的高频侧所出现的衰减极的频率越高。另外，图6中衰减极的频率是指位于频率轴的大致中央位置的峰值频率。
通过适当地设定电感耦合，能够使通频带的高频侧的衰减特性发生变化。例如，电感耦合越弱，通频带附近的衰减量越小，但能够在衰减极的频率处获得较大的衰减量。电感耦合越强，在通频带附近能够获得更大的衰减量。
如图6所示，通频带的频率位置、带宽及插入损耗几乎没有变化，不会受到电感耦合的强度的影响。
因此，使用本实施方式的结构，通过适当调整电感耦合的耦合度，能够将高频侧的衰减特性调整为所希望的特性，且不会使通频带的特性发生变化。换言之，能够实现具有所希望的通频带特性和衰减特性的高频模块。
另外，虽未图示，但是在使匹配电路和构成电感器的导体电容耦合的情况下，电容耦合越强，则出现在通频带的高频一侧的衰减极的频率越低。并且，通频带的频率位置、带宽及插入损耗几乎没有变化，不会受到电容耦合的强度的影响。因此，使用本实施方式的结构，通过适当调整电容耦合的耦合度，能够将高频侧的衰减特性调整为所希望的特性，且不会使通频带的特性发生变化。
作为具体的应用例，能够将由上述结构构成的高频模块利用于图7所示的双工器结构。图7是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
高频模块101包括滤波部21、第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及兼用作滤波部21的第3端子P31、P32的第3外部连接端子。作为具体的应用例，第1外部连接端子P1与天线相连接。第2外部连接端子P2与发送电路相连接。第3外部连接端子(第3端子P31、P32)与接收电路相连接。
滤波部21包括第1串联连接端子P21’、第2串联连接端子P22、第1并联连接端子P23、第2并联连接端子P24以及第3端子P31、P32。
第1串联连接端子P21’经由连接线401与第1外部连接端子P1相连接。在连接线401与地之间连接有对应于上述匹配电路的电感器43L。第2串联连接端子P22经由连接线402与第2外部连接端子P2相连接。
在第1串联连接端子P21’与第2串联连接端子P22之间，利用多个连接线串联连接有多个SAW谐振器201、202、203、204、205、206。
将SAW谐振器202与SAW谐振器203连接的连接线经由SAW谐振器211与第1并联连接端子P23相连接。第1并联连接端子P23经由电感器50接地连接。
将SAW谐振器204与SAW谐振器205连接的连接线经由SAW谐振器212与第2并联连接端子P24相连接。连接SAW谐振器206和第2串联连接端子P22的连接线通过SAW谐振器213连接至第2并联连接端子P24。第2并联连接端子P24经由电感器60接地。
通过采用该结构，对于滤波部21，通过对第1串联连接端子P21’与第2串联连接端子P22之间的这些SAW谐振器201-208、211、212、213的带通特性及衰减特性进行组合，在滤波部21的第1、第2串联连接端子间实现了所希望的第1带通特性及第1通频带以外的第1衰减特性。
在第1串联连接端子P21’与第3端子P31、P32之间，串联连接有SAW谐振器221和纵向耦合型SAW谐振器231、232。SAW谐振器221及纵向耦合型SAW谐振器231、232构成第2滤波部22。通过采用该结构，对于滤波部21，通过对第1串联连接端子P21’与第3端子P31、P32之间的这些SAW谐振器221、231、232的带通特性及衰减特性进行组合，从而在滤波部21的第1串联连接端子、第3端子间实现了所希望的第2带通特性及第2通频带以外的第2衰减特性。第2通频带是不同于第1通频带的频带，第2通频带被设定为在第1通频带以外的衰减频带范围内。
由此，滤波部21起到将第1串联连接端子P21’作为公共端子，将第2串联连接端子P22及第3端子P31、P32分别作为独立端子的双工器的作用。
并且，在高频模块101中，使电感器50与电感器43L电感耦合。通过调整该耦合度，能够调整第1衰减特性。
这里，若使用本实施方式的结构，能够调整第1衰减特性中获得较大衰减量的频带的带宽及衰减量，以与第2通频带重合。这通过调整电感器50与电感器43L的耦合度即可实现。
图8是表示使匹配电路与电感器的电感耦合的耦合度变化时的高频模块的第2外部连接端子与第3外部连接端子之间的隔离度的变化的曲线图。图8的横轴表示频率，图8的纵轴表示隔离量。图8中示出隔离量越低，第2串联连接端子、第3端子之间具有越强的隔离度。图8所示点线的特性示出电感耦合较弱的情况。图8所示实线的特性示出电感耦合比点线的特性要强的情况。图8所示虚线的特性示出电感耦合比实线的特性要强的情况。
如图8所示，电感耦合越强，接收电路Rx(第3端子侧)的通频带附近所出现的衰减极的频率越高。因此，通过调整电感耦合，能够调整接收电路Rx的通频带的隔离量及隔离特性。此外，如图8所示，即使调整电感耦合，发送电路Tx(第2端子侧)的通频带的隔离量及隔离特性也基本没有变化。
由此，通过使用高频模块101的结构，能够适当地对第2串联连接端子、第3端子间的隔离特性进行调整。即，能够使发送电路与接收电路间的隔离特性最优化。
另外，虽未图示，但是使用电容器43C代替电感器43L来作为匹配电路，并使该匹配电路和构成电感器的导体电容耦合，在此情况下，电容耦合越强，出现在接收电路Rx的通频带附近的衰减极的频率越低。因此，通过调整电容耦合，能够调整接收电路Rx(第3端子侧)的通频带的隔离量及隔离特性。并且，即使调整电容耦合，发送电路Tx的通频带的隔离量及隔离特性也基本没有变化。由此，通过适当地调整电容耦合，也能够适当地对第2串联连接端子、第3端子间的隔离特性进行调整。
采用以上结构的高频模块能通过如下所示的构造来实现。下面示出了结构上实现具有上述双工器结构的高频模块101的示例。
(第1结构)
图9是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。高频模块101包括层叠基板100、滤波器基板200、保护层290、侧面保护层291、以及安装型电路元件430。
层叠基板100通过层叠多个电介质层而形成。层叠基板100的顶面(安装面)100S及内层形成有规定图案的电极，并形成有除高频模块101的滤波部21以外的布线图案及电感器50。
电感器50由一部分被截断的管状的线状电极(线状导体)构成。该线状电极的一端经由过孔导体431V，连接至安装有作为滤波部21的第1并联连接端子P23的安装用电极294的连接盘电极。连接盘电极形成于层叠基板100的顶面100S。构成电感器50的线状电极的另一端经由过孔导体432V连接至形成于层叠基板100内的内部接地图案。
在层叠基板100的底面100R形成有外部连接用电极，利用这些外部连接用电极来实现上述第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及第3外部连接端子。
滤波部21由滤波器基板200、保护层290、侧面保护层291、连接电极293及安装用电极294形成。
滤波器基板200由平板状的压电基板形成。滤波器基板200的第1主面形成有滤波器电极、布线图案。滤波器电极例如由所谓的IDT电极形成。由此，通过在压电基板的主面形成IDT电极，能够实现上述各SAW谐振器。在滤波器基板200的第1主面侧配置有平板状的保护层290。保护层290由平板状的绝缘性材料形成，在俯视时具有与滤波器基板200相同的形状。并且，将保护层290配置成在俯视时与滤波器基板200重合，且以与滤波器基板200的第1主面隔开规定距离的间隔的方式来进行配置。
在滤波器基板200的第1主面和保护层290之间配置有侧面保护层291。侧面保护层291也由绝缘材料构成，在俯视时，该侧面保护层291仅形成在滤波器基板200和保护层290的整个外周的从外周端部向内侧的规定宽度的范围内。即，侧面保护层291是在中央具有开口的框状的结构。
通过如上述那样配置保护层290和侧面保护层291，从而利用滤波器基板200、保护层290、以及侧面保护层291使滤波器基板200的第1主面的形成有滤波器电极的区域配置在密闭空间292内。由此，能够使SAW谐振器的谐振特性提高，能够精确地实现作为滤波器所希望的特性。
连接电极293的形状为，一端连接至滤波器基板200的第1主面，另一端构成为从保护层290的与滤波器基板200一侧相反一侧的面露出的形状。此时，以贯穿侧面保护层291及保护层290的方式形成连接电极293。连接电极293的一端连接至形成于滤波器基板200的第1主面的布线图案。
安装用电极294连接至连接电极293的另一端，且形成为从保护层290的与滤波器基板200一侧相反一侧的面突出的形状。通过设置多组该连接电极293和安装用电极294，能够实现上述滤波部21的第1串联连接端子P21'、第2串联连接端子P22、第3端子P31、P32、第1并联连接端子P23和第2并联连接端子P24。另外，在连接端子293的另一端形成使用了焊锡、Au等的凸点，可通过该凸点与安装用电极294相连接。
通过构成上述结构，滤波部21具有所谓的WLP(WaferLevelPackage：晶圆级封装)的结构，能够使滤波部21小型化。
该WLP结构的滤波部21被安装在层叠基板100的顶面100S。由此，滤波部21与第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及第3外部连接端子相连接。
电感器43L利用安装型电路元件430来实现。具体而言，安装型电路元件430具备由绝缘性材料形成的长方体形状的框体，在该框体的内部形成有成为电感器43L的螺旋电极。螺旋电极由沿着框体外周伸长且一部分被截断的管状的线状电极和层间连接电极来实现。各层的线状电极通过层间连接电极来连接成为一根线状电极。螺旋电极的两端与框体的相对的两端面上形成的外部连接电极相连接。
由上述结构构成的安装型电路元件430以螺旋电极的中心轴与顶面100S正交的方式安装于层叠基板100的顶面100S。这里，滤波部21的第1串联连接端子P21’与第1外部连接端子P1的连接线形成在层叠基板100的顶面100S及内部，接地电极形成在层叠基板100的内部。于是，该连接线及接地电极与安装型电路元件430的安装用连接盘相连接。由此能实现电感器43L连接在滤波部21的第1串联连接端子P21'与第1外部连接端子P1的连接线与接地之间的结构。
另外，也可以利用形成于层叠基板100的顶面100S的线状电极来实现电感器43L。
并且，实现电感器43L的安装型电路元件430与构成电感器50的线状电极接近配置。由此，如图9的粗虚线箭头所示那样，能够在由安装型电路元件430的螺旋电极构成的电感器43L和由层叠基板100内的线状电极构成的电感器50之间产生电感耦合。通过采用这种结构，能够实现无需另外设置用于调整衰减特性的元件，且具有所希望的衰减特性的高频模块101。
此时，通过改变构成电感器50的线状电极与构成电感器43L的螺旋电极之间的距离，能够调整电感器43L与电感器50之间的耦合度。由此，能够调整高频模块101的衰减特性，能够更为精确地实现所希望的衰减特性。
图10是表示高频模块的第1结构的第1变形例的主要结构的俯视示意图。滤波部21通过在滤波器基板200的第1主面形成滤波器电极，来实现SAW谐振器201-206、211-213。滤波器基板200的第1主面形成有连接SAW谐振器201-206之间、以及连接SAW谐振器201和第1串联连接端子P21’之间的连接线405。图10中图示出连接线405的一部分。
滤波部21俯视时为矩形。滤波部21中沿着俯视时与长边方向平行的边形成有8个安装用电极294。安装用电极294中的3个分别与第2外部连接端子P2及第3外部连接端子P31、P32相连接。安装用电极294中的2个接地。安装用电极294中的3个分别与第1串联连接端子P21’、第1并联连接端子P23及第2并联连接端子P24相对应。
层叠基板100的内层中利用线状电极图案形成电感器50、60。电感器50形成在俯视时与滤波部21的短边方向平行的边附近。电感器60形成在俯视时与滤波部21的长边方向平行的边附近。安装型电路元件430以接近电感器50的方式相对于电感器50配置在滤波部21侧的相反侧。形成在滤波器基板200上的连接线405和电感器50之间最接近的部分的距离比安装型电路元件430和电感器50之间最接近的部分的距离要远。形成在滤波器基板200上的连接线405和安装型电路元件430之间最接近的部分的距离比安装型电路元件430和电感器50之间最接近的部分的距离要远。
若滤波器基板200上的Tx侧的串联连接的滤波元件(SAW谐振器201-206)间或者这些滤波元件和匹配电路(电感器43L)间的连接线405与电感器50发生电感耦合，则会对为了提高高频模块101的衰减特性而所需的电感器50和构成匹配电路的电感器43L之间的电感耦合带来影响，可能会降低高频模块101的衰减特性的改善效果。因此，在将电感器50配置于层叠基板100内时，能通过使该电感器50与在滤波器基板200中构成串联臂的滤波元件间或这些滤波元件和匹配电路间的连接线405的距离变远，来缩小发生的电感耦合，能获得所希望的衰减特性。另外，作为衰减特性恶化的原因，也可举出连接线405和安装型电路元件430的电感耦合。通过使安装型电路元件430和连接线405之间的距离变远，能缩小其电感耦合。
此外，为了抑制连接线405和电感器50之间的电感耦合，可以将其设为两者所产生的磁场正交那样的电感器50的布线形状。例如，在连接线405在滤波器基板200上形成为直线状的情况下，在该直线状布线的周围产生环状的磁场。为了产生与该环状的磁场正交的电感器50的磁场，设为产生具有与环状磁场的中心轴正交的中心轴那样的磁场的布线形状即可。
本实施例中，可以交换安装型电路元件430和电感器50来配置。
图11是表示高频模块的第1结构的第2变形例的主要结构的俯视示意图。连接线405俯视时最接近与滤波部21的短边方向平行的边。电感器50形成在俯视时与滤波部21的长边方向平行的边附近。即，电感器50与滤波器基板405的规定的边接近配置，该规定的边与滤波器基板200中连接线405所最接近的边不同。安装型电路元件430在俯视时与滤波部21的长边方向平行的边附近与电感器50接近配置。安装型电路元件430的短边侧面与滤波部21的侧面相对。
如上所述，将电感器50的布线接近配置于与滤波器基板200上的连接线405最接近的滤波器基板200的边(图11中滤波器基板200的下侧的边)不同的边。连接线405和电感器50隔开距离配置，因此能获得所希望的衰减特性。
另外，虽然图10中进行了记载，但本实施例中也可以交换电感器50和安装型电路元件430的位置。此外，也可以在从滤波器基板200的主面方向俯视时将安装型电路元件430旋转90°来配置。
图12是表示高频模块的第1结构的第3变形例的主要结构的侧视示意图。电感器50形成于保护层290而非层叠基板100内。电感器50由一部分被截断的管状的线状电极构成。并且，实现电感器43L的安装型电路元件430与构成电感器50的线状电极接近配置。由此，与上述相同地，在电感器43L和电感器50之间，如图12的粗虚线箭头所示的那样，能够产生电感耦合。另外，电感器50可以是产生与形成于滤波器基板200上的连接线所产生的磁场正交的磁场那样的形状。
(第2结构)
图13是表示高频模块的主要结构的俯视示意图。高频模块101A包括滤波部21、层叠基板100及安装型电路元件430、500。
层叠基板100通过层叠多个电介质层而形成。层叠基板100的顶面(安装面)100S及内层形成有规定图案的电极。层叠基板100的顶面100S安装有滤波部21及安装型电路元件430、500。
滤波部21具有由第1结构所表示WLP结构。安装型电路元件430具有与第1结构所示的结构相同的结构。即，安装型电路元件430具备由绝缘性材料形成的长方体形状的框体，在该框体的内部形成有成为电感器43L的螺旋电极。安装型电路元件500具备由绝缘性材料形成的长方体形状的框体，在该框体的内部形成有成为电感器50的螺旋电极。其它结构与安装型电路元件430相同。
滤波部21以及安装型电路元件430、500通过层叠基板100的顶面100S以及形成于内层的布线图案连接，以实现图7的电路结构。
配置安装型电路元件430、500，使得安装型电路元件430的长边侧面与安装型电路元件500的长边侧面接近并相对。由此，如图13的粗虚线箭头所示那样，能够在由安装型电路元件430的螺旋电极构成的电感器43L和由安装型电路元件500的螺旋电极构成的电感器50之间产生电感耦合。此时，通过调整安装型电路元件430与安装型电路元件500之间的距离、以及安装型电路元件430、500的朝向等，能够调整电感器43L与电感器50之间的耦合度。由此，能够调整高频模块101A的衰减特性，能够更为精确地实现所希望的衰减特性。
另外，在图13中，示出以安装型电路元件430的长边侧面与安装型电路元件500的长边侧面相对的方式进行配置的示例。然而，也可以配置为使得安装型电路元件430的短边侧面(形成外部连接电极的端面)与安装型电路元件500的长边侧面相对。但是，通过配置为使得安装型电路元件430的长边侧面与安装型电路元件500的长边侧面相对，能够更为简单地实现更强的电感耦合。
图13中，示出以螺旋电极的中心轴与层叠基板100的顶面100S正交的方式来安装安装型电路元件430、500的示例，但也可以将安装型电路元件430、500安装成使得螺旋电极的中心轴与层叠基板100的顶面100S相平行。
(第3结构)
图14是表示高频模块的主要结构的侧视示意图。图14所示的高频模块101B通过所谓的CSP(ChipSizePackage：芯片尺寸封装)结构来实现。
高频模块101B具备滤波器基板200。在滤波器基板200的第1主面上如上述那样形成有实现滤波部21的滤波器电极、布线图案。
高频模块101B还具备滤波器安装用基板280。滤波器安装用基板280例如由氧化铝基板形成，俯视时的面积比滤波器基板200大规定量。滤波器安装用基板280形成有规定图案的电极。
滤波器基板200通过凸点导体281安装于滤波器安装用基板280的顶面(安装面)280S，以使得滤波器基板200的第1主面成为滤波器安装用基板280一侧。并且，在滤波器安装用基板280的顶面280S安装有构成电感器43L的安装型电路元件430。在滤波器安装用基板280的底面280R形成有构成电感器50的线状电极及外部连接用凸点导体282。
滤波器安装用基板280的顶面280S涂布有树脂层283。但是，不在滤波器电极上涂布树脂层283，而使滤波器电极的一部分形成为中空结构。由此，能够防止滤波器电极及布线图案曝露于外部环境，能够提高SAW谐振器的谐振特性，能够精确地实现作为滤波器所希望的特性。
构成电感器43L的螺旋电极与构成电感器50的线状电极配置为在俯视时至少一部分相重合。由此，如图14所示，能够使电感器43L与电感器50之间产生电感耦合。尤其是，在本实施方式的结构中，由于能够缩短构成电感器43L的螺旋电极与构成电感器50的线状电极之间的间隔(距离)，因此，能够容易地实现更强的电感耦合。
此外，由于高频模块101B整体为CSP结构，因此，能够小型且薄型地实现高频模块101B。
另外，在上述各实现结构中，示出使用电感器来作为匹配电路的示例，但在匹配电路为电容器的情况下，也能够通过相同的结构来实现。例如，可以使用安装型的层叠电容器元件来代替具有螺旋电极的安装型电路元件430。
在上述多个实施例中，用作为电感器的安装型电路元件内部的布线构成为在与安装安装型电路元件的层叠基板100的顶面100S垂直的方向上产生磁场，但并不特别局限于该结构。为了不产生不必要的电感耦合，也可以使用具备产生的磁场方向成为与层叠基板100的顶面100S平行的方向那样的内部布线的安装型电路元件。
此外，匹配电路与电感器之间的SAW谐振器越多，它们之间的耦合对衰减特性能造成越大的影响。例如在为第1结构(参照图9)的情况下，若构成电感器50的线状电极和安装型电路元件430的位置关系相同，则介于该线状电极和该安装型电路元件430之间的SAW谐振器较多的匹配电路和电感器的耦合越强，越能够增大对衰减特性造成的影响。另外，匹配电路41-44可以是多个电感器、多个电容器、或者组合电感器和电容器而成的复合电路。
另外，上述的滤波部20是所谓的梯形连接型滤波器，但该滤波部例如也可以是纵向耦合谐振滤波器。在该情况下，通过对上述的匹配电路和电感器之间的电感耦合或电容耦合进行调整，也能够实现具有所希望的衰减特性的高频模块。
此外，本发明也能应用于使用了所谓的裸芯片型的滤波部的高频模块。
标号说明
11、12、13、14、101、101A、101B：高频模块、
20、21：滤波部、
22：第2滤波部
201-208、211-214、221：SAW谐振器、
231、232：纵向耦合型SAW谐振器、
41、42：(串联连接型)匹配电路、
43、44：(并联连接型)匹配电路、
41L、42L、43L、44L：电感器、
41C、42C、43C、44C：电容器、
401、402、405：连接线、
50、51、60：电感器、
P1：第1外部连接端子、
P2：第2外部连接端子、
P21、P21’：第1串联连接端子、
P22：第2串联连接端子、
P31、P32：第3端子、
P23、P231、P232：第1并联连接端子、
P24：第2并联连接端子、
100：层叠基板、
100S、280S：顶面、
100R、280R：底面、
200：滤波器基板、
280：滤波器安装用基板、
281：凸点导体、
282：外部连接用凸点导体、
283：树脂层、
290：保护层、
291：侧面保护层、
292：密闭空间、
293：连接电极、
294：安装用电极、
430、500：安装型电路元件、
431V、432V：过孔导体。

Claims (16)

1.一种高频模块，包括：
第1外部连接端子；
第2外部连接端子；
滤波部，该滤波部连接在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间；
匹配电路，该匹配电路连接在所述第1外部连接端子或所述第2外部连接端子的至少其中一方与所述滤波部之间；以及
电感器，该电感器连接在接地和所述滤波部之间，该高频模块的特征在于，
所述滤波部包括：
第1串联连接端子，该第1串联连接端子连接至所述第1外部连接端子；
第2串联连接端子，该第2串联连接端子连接至所述第2外部连接端子；
多个串联连接型的滤波元件，该多个串联连接型的滤波元件利用多个连接线串联连接在所述第1串联连接端子和所述第2串联连接端子之间；
并联连接端子，该并联连接端子经由所述电感器接地，并且与一个所述连接线相连接；以及
并联连接型的滤波元件，该并联连接型的滤波元件连接在所述并联连接端子所连接的所述连接线和所述并联连接端子之间。
所述电感器与所述匹配电路电感耦合或电容耦合。
2.如权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
互相之间进行所述电感耦合或所述电容耦合的所述电感器和所述匹配电路进行所述电感耦合或者所述电容耦合，
以使得所述滤波部的通频带以外的阻抗发生变化。
3.如权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
互相之间进行所述电感耦合或所述电容耦合的所述电感器和所述匹配电路进行所述电感耦合或者所述电容耦合，
以使得所述滤波部的通频带以外的衰减极频率发生变化。
4.如权利要求1至3的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配电路是串联连接在所述第1外部连接端子与所述第1串联连接端子之间、或者串联连接在所述第2外部连接端子与所述第2串联连接端子之间的、串联连接型的匹配电路。
5.如权利要求1至3的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配电路是连接在将所述第1外部连接端子与所述第1串联连接端子连接的连接线与接地之间、或者连接在将所述第2外部连接端子与所述第2串联连接端子连接的连接线与接地之间的、并联连接型的匹配电路。
6.如权利要求1至5的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述滤波部包括第3端子和第2滤波部，
所述第2滤波部连接在对所述第1串联连接端子及连接至该第1串联连接端子的滤波元件进行连接的连接线、与所述第3端子之间。
7.如权利要求1至6的任一项所述的高频模块，其特征在于，包括：
滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，且在该滤波器基板的第1主面形成有构成所述滤波部的IDT电极；
保护层，该保护层呈平板状，且与该滤波器基板的所述第1主面隔开间隔相对；
连接电极，该连接电极从所述第1主面突出，具有贯穿所述保护层的形状；以及
层叠基板，该层叠基板安装或形成有所述匹配电路，
所述滤波器基板配置为使得所述第1主面侧朝向所述层叠基板的安装面，
所述滤波器基板经由所述连接电极与所述层叠基板相连接。
8.如权利要求7所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配电路包含安装在所述层叠基板的安装面上的安装型电路元件，
所述电感器安装或形成在所述层叠基板的安装面或内部，
所述安装型电路元件与所述电感器接近配置。
9.如权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
形成于所述滤波器基板上的所述连接线与所述电感器之间最接近的部分的距离比所述安装型电路元件与所述电感器之间最接近的部分的距离要远。
10.如权利要求8或9所述的高频模块，其特征在于，
形成于所述滤波器基板上的所述连接线与所述安装型电路元件之间最接近的部分的距离比所述安装型电路元件与所述电感器之间最接近的部分的距离要远。
11.如权利要求8至10的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述电感器是产生与形成于所述滤波器基板上的所述连接线所产生的磁场正交的磁场的形状。
12.如权利要求8至11的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述电感器在所述滤波器基板中与所述滤波器基板的规定的边接近配置，该规定的边与所述连接线最接近的边不同。
13.如权利要求7所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配电路包含安装在所述层叠基板的安装面上的安装型电路元件，
所述电感器形成在所述保护层的内部，
所述安装型电路元件与所述电感器接近配置。
14.如权利要求13所述的高频模块，其特征在于，
所述电感器是产生与形成于所述滤波器基板上的所述连接线所产生的磁场正交的磁场的形状。
15.如权利要求8至14的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配电路包括：
长方体形状的框体；以及
螺旋导体，该螺旋导体形成在该框体内，由俯视时为大致长方形的外周形状构成，
所述匹配电路配置成所述框体的长边与所述电感器接近。
16.如权利要求1至6的任一项所述的高频模块，其特征在于，包括：
滤波器基板，该滤波器基板呈平板状，且在该滤波器基板的第1主面形成有构成所述滤波部的IDT电极；以及
滤波器安装用基板，该滤波器安装用基板呈平板状，配置于该滤波器基板的所述第1主面侧，且安装有该滤波器基板的所述第1主面侧，
所述匹配电路安装或形成在所述滤波器安装用基板的安装面上。
CN201480044522.XA 2013-08-06 2014-08-04 高频模块 Active CN105453427B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013163265 2013-08-06
JP2013-163265 2013-08-06
PCT/JP2014/070435 WO2015019980A1 (ja) 2013-08-06 2014-08-04 高周波モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105453427A true CN105453427A (zh) 2016-03-30
CN105453427B CN105453427B (zh) 2018-02-09

Family

ID=52461313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480044522.XA Active CN105453427B (zh) 2013-08-06 2014-08-04 高频模块

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9935613B2 (zh)
JP (1) JP6183462B2 (zh)
CN (1) CN105453427B (zh)
WO (1) WO2015019980A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111431505A (zh) * 2020-04-07 2020-07-17 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器和多工器以及通信设备

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6358238B2 (ja) 2015-11-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
KR101991219B1 (ko) * 2016-05-19 2019-06-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 장치
CN109643984B (zh) * 2016-06-21 2023-09-01 诺思(天津)微系统有限责任公司 一种梯形结构宽带压电滤波器
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2019054025A1 (ja) 2017-09-12 2019-03-21 株式会社村田製作所 高周波モジュール
KR102066958B1 (ko) * 2018-07-10 2020-01-16 삼성전기주식회사 필터

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101467349A (zh) * 2006-06-12 2009-06-24 株式会社村田制作所 弹性波分波器
WO2011089746A1 (ja) * 2010-01-20 2011-07-28 株式会社村田製作所 分波器
WO2012108254A1 (ja) * 2011-02-09 2012-08-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2013008435A1 (ja) * 2011-07-08 2013-01-17 株式会社村田製作所 回路モジュール

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141771A (ja) * 2000-08-21 2002-05-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置
JP2004080233A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Murata Mfg Co Ltd 分波器
JP2006129445A (ja) * 2004-09-28 2006-05-18 Fujitsu Media Device Kk 分波器
KR100760780B1 (ko) 2004-09-28 2007-09-21 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 분파기
EP1976118A4 (en) * 2006-01-18 2011-12-14 Murata Manufacturing Co ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE AND LIMIT ACOUSTIC WAVE DEVICE
US7808935B2 (en) * 2006-03-08 2010-10-05 Kyocera Corporation Duplexer and communication device
JP5230270B2 (ja) * 2008-05-29 2013-07-10 京セラ株式会社 分波器および無線通信機器
JP5212648B2 (ja) 2009-02-16 2013-06-19 宇部興産株式会社 分波器
JP5240793B2 (ja) * 2009-03-09 2013-07-17 日本電波工業株式会社 デュプレクサ
JP2011188255A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Panasonic Corp 弾性波素子
JP5588838B2 (ja) 2010-11-17 2014-09-10 太陽誘電株式会社 フィルタ回路、分波器およびｒｆモジュール
JP5817795B2 (ja) * 2013-08-06 2015-11-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101467349A (zh) * 2006-06-12 2009-06-24 株式会社村田制作所 弹性波分波器
WO2011089746A1 (ja) * 2010-01-20 2011-07-28 株式会社村田製作所 分波器
WO2012108254A1 (ja) * 2011-02-09 2012-08-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2013008435A1 (ja) * 2011-07-08 2013-01-17 株式会社村田製作所 回路モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111431505A (zh) * 2020-04-07 2020-07-17 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器和多工器以及通信设备

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015019980A1 (ja) 2017-03-02
CN105453427B (zh) 2018-02-09
US9935613B2 (en) 2018-04-03
WO2015019980A1 (ja) 2015-02-12
US20160156328A1 (en) 2016-06-02
JP6183462B2 (ja) 2017-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104348442B (zh) 高频模块
CN105453429A (zh) 高频模块
CN105453430A (zh) 高频模块
CN105453427A (zh) 高频模块
CN105900337B (zh) 高频模块
CN105122645A (zh) 高频模块
CN102055430B (zh) 滤波器、双工器和通信模块
JP5262413B2 (ja) マルチバンドデュプレクサモジュール
CN107078715A (zh) 高频模块
CN104737452B (zh) 高频模块
CN105453428B (zh) 高频模块
US9461619B2 (en) High-frequency module
CN106664076A (zh) 高频模块
CN106716634A (zh) 高频元器件
WO2006040927A1 (ja) 分波器
US9007145B2 (en) High-frequency signal balancing multiplexer
CN112350684A (zh) 一种声波滤波器、多工器、通信设备
CN204244192U (zh) Lc滤波器电路及高频模块
CN105474540A (zh) 高频模块
US11742821B2 (en) Multiplexer, filter, and communication module
CN111342789A (zh) 带耦合电感的滤波器单元、滤波器及电子设备
CN109314504A (zh) 弹性波滤波器装置
KR100714598B1 (ko) 방향성 커플러 및 이를 구비한 복합소자
CN115986345A (zh) 一种改善非线性特性的滤波器、双工器和多工器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant