JP5837045B2 - 高周波スイッチモジュール - Google Patents
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- 高周波スイッチモジュールのアンテナ接続端子に接続する共通ポートに対して、前記高周波スイッチモジュールの送信信号入力端子に接続する第1個別ポート、または、前記高周波スイッチモジュールの受信出力端子に接続する第2個別ポートのいずれかを切り替えて接続するスイッチ素子と、
前記送信信号入力端子と前記第1個別ポートとの間に直列接続されたインダクタを備え、送信信号の高調波信号を減衰させるフィルタ回路と、を備え、
前記フィルタ回路は、前記スイッチ素子の歪みにより発生する歪み高調波信号の位相が、前記フィルタ回路の前記送信信号入力端子側の端において、前記送信信号の高調波信号の位相に対して180°の関係になる回路構成で形成されている、高周波スイッチモジュール。 - 請求項1に記載の高周波スイッチモジュールであって、
前記フィルタ回路は、前記第1個別ポート側の端から前記送信信号入力端子側の端までの電気長が前記高調波信号および前記歪み高調波信号の波長の1/2である、高周波スイッチモジュール。 - 請求項2に記載の高周波スイッチモジュールであって、
前記インダクタは、前記送信信号入力端子と前記第1個別ポートとの間に直列接続された第1インダクタと第2インダクタとで構成され、
前記フィルタ回路は、前記第1インダクタを含む第1ローパスフィルタおよび前記第2インダクタを含む第2ローパスフィルタとから構成され、
前記第1個別ポート側の端から前記送信信号入力端子側の端までの電気長が前記高調波信号および前記歪み高調波信号における2次高調波信号の波長の1/2であり、
前記第1ローパスフィルタと前記第2ローパスフィルタとの接続点で、前記高調波信号における3次高調波信号の位相が、前記歪み高調波信号における3次高調波信号の位相に対して180°の関係となる回路構成で形成されている、高周波スイッチモジュール。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の高周波スイッチモジュールであって、
前記フィルタ回路は、一方端が前記インダクタの少なくとも一方端に接続され、他方端がグランドへ接続されるキャパシタを備える、高周波スイッチモジュール。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の高周波スイッチモジュールであって、
前記スイッチ素子を実現する実装型のFETスイッチと、
前記インダクタを形成する内層電極パターンを有し、前記FETスイッチが実装された、複数の誘電体層を積層してなる積層体と、を備え、
前記インダクタを形成する内層電極パターンは、積層方向に沿って、異なる誘電体層にそれぞれ形成された二層の内層グランド電極に狭持されるように配設されている、高周波スイッチモジュール。 - 請求項5に記載の高周波スイッチモジュールであって、
前記インダクタは、ヘリカル形状もしくはスパイラル形状に形成されている、高周波スイッチモジュール。
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