CN112740549B - 多工器以及使用该多工器的高频前端电路及通信装置 - Google Patents

多工器以及使用该多工器的高频前端电路及通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112740549B
CN112740549B CN201980059901.9A CN201980059901A CN112740549B CN 112740549 B CN112740549 B CN 112740549B CN 201980059901 A CN201980059901 A CN 201980059901A CN 112740549 B CN112740549 B CN 112740549B
Authority
CN
China
Prior art keywords
inductor
filter
frequency band
frequency
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980059901.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112740549A (zh
Inventor
塚本秀树
森弘嗣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN112740549A publication Critical patent/CN112740549A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112740549B publication Critical patent/CN112740549B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/48—Networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency or frequency band, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1766—Parallel LC in series path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H03H7/465—Duplexers having variable circuit topology, e.g. including switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

多工器(100)具备第一滤波器(FLT1)，其使第一频带的信号通过；第二滤波器(FLT2)，其使低于第一频带的第二频带的信号通过；以及第三滤波器(FLT3)，其使第三频带的信号通过。第三频带是高于第一频带的频带、或者低于第二频带的频带。第一滤波器包括一电感器(L11)，该一电感器(L11)形成第一频带的低频侧的第一衰减极点。第二滤波器包括第二电感器(L23)，该第二电感器(L23)形成第二频带的高频侧的第二衰减极点。构成第三滤波器的部件的至少一部分配置在第一电感器与第二电感器之间。

Description

多工器以及使用该多工器的高频前端电路及通信装置
技术领域
本公开涉及多工器以及使用该多工器的高频前端电路及通信装置(下面也称为多工器等。)，更特定的是涉及提高多工器等的电气特性的结构。
背景技术
近年来，在移动电话或智能电话等便携式终端中，使用多个频带的电波来进行通信的多频段通信不断进展。在这种便携式终端中搭载有用于将由一个天线发送接收的高频信号分波为多个频带的信号的多工器。
在日本特开2013-243600号公报(专利文献1)中公开了用于将所输入的信号分离到不同的三个频带的三工器。在日本特开2013-243600号公报(专利文献1)所公开的三工器中，第一滤波器与输入端口直接连接，第二滤波器和第三滤波器经由共用的匹配电容器与输入端口连接。通过设为这样的结构，以比较简单的结构实现频带的分波性能、低插入损失以及低背化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-243600号公报
发明内容
发明要解决的问题
在多工器中，为了在各滤波器中通过不同的频带的信号，需要提高各滤波器之间的隔离特性。特别地，在两个滤波器之间通过的信号的频带接近的情况下，即，在使用了通带接近的两个滤波器的情况下，使频带的边界附近的衰减急剧很重要。
一般，在用于多工器的各滤波器中，为了形成衰减极点而有时使用电感器。在通过的信号的频带相邻的两个滤波器之间，当形成衰减极点的电感器彼此磁场耦合时，由于该磁场耦合引起信号泄漏而无法获得充分的衰减量，存在该滤波器之间的隔离特性劣化的可能性。
本公开是为了解决这种问题而完成的，其目的在于在多工器中提高通过的信号的频带相邻的滤波器之间的隔离特性。
用于解决问题的方案
本公开所涉及的多工器具备第一滤波器，其使第一频带的信号通过；第二滤波器，其使低于第一频带的第二频带的信号通过；以及第三滤波器，其使第三频带的信号通过。第三频带是高于第一频带的频带、或者低于第二频带的频带。第一滤波器包括一电感器，该一电感器形成第一频带的低频侧的第一衰减极点。第二滤波器包括第二电感器，该第二电感器形成第二频带的高频侧的第二衰减极点。构成第三滤波器的部件的至少一部分配置在第一电感器与第二电感器之间。
发明的效果
根据本公开所涉及的多工器，在通过的信号的频带相邻的两个滤波器(第一滤波器、第二滤波器)的、形成两个频带中的接近的一侧的衰减极点的电感器之间配置其它滤波器(第三滤波器)的部件。由此，能够使形成衰减极点的电感器彼此之间的磁场耦合的程度变小，因此能够提高第一滤波器与第二滤波器之间的隔离特性。
附图说明
图1是应用了根据实施方式的多工器的通信装置的框图。
图2是示出图1中的多工器的详细的电路结构的图。
图3是形成有多工器的基板中安装的元件的概要配置图。
图4是用于说明实施方式和比较例中的衰减特性的图。
图5是示出第三滤波器的部件配置的第一例的图。
图6是示出第三滤波器的部件配置的第二例的图。
图7是示出根据变形例1的多工器的电路结构的图。
图8是示出包括四个滤波器的多工器的例子的图。
图9是示出包括五个滤波器的多工器的例子的图。
图10是示出变形例3中的多工器的部件配置的第一例的图。
图11是示出变形例3中的多工器的部件配置的第二例的图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本公开的实施方式。此外，对图中相同或相当部分标注相同附图标记，不重复其说明。
(通信装置的整体结构)
图1是应用了根据实施方式的多工器100的通信装置10的框图。通信装置10例如是移动电话、智能电话或平板等便携式终端、具备通信功能的个人计算机等。
参照图1，通信装置10具备高频前端电路20以及RF(射频)信号处理电路(下面也称为“RFIC”。)30。高频前端电路20是用于在天线装置ANT与RFIC 30之间传递高频信号的电路。具体地说，高频前端电路20将由天线装置ANT接收到的高频信号分波到预先决定的多个频带并向RFIC 30传递。
高频前端电路20包括多工器100、开关111～113、131～133、放大电路141～143以及带通滤波器(下面也称为“BPF”。)121～128。此外，BPF121、122以及BPF123、124分别构成了双工器。
多工器100是三工器，该三工器包括将彼此不同的频率范围作为通带的滤波器FLT1、滤波器FLT2以及滤波器FLT3。
滤波器FLT1连接在天线端子TA与端子T1(第一端子)之间。滤波器FLT1是将高频段组的频率范围作为通带、将中频段组和低频段组的频率范围作为衰减带的高通滤波器(下面也称为“HPF”。)。
滤波器FLT2连接在天线端子TA与端子T2(第二端子)之间。滤波器FLT2是将中频段组的频率范围作为通带、将高频段组和低频段组的频率范围作为衰减带的带通滤波器。
滤波器FLT3连接在天线端子TA与端子T3(第三端子)之间。滤波器FLT3是将低频段组的频率范围作为通带、将高频段组和中频段组的频率范围作为衰减带的低通滤波器(下面也称为“LPF”。)。
此外，滤波器FLT1的高通滤波器以及滤波器FLT3的低通滤波器也可以为带通滤波器。
通过本实施方式中的多工器100的各滤波器的信号的频带在一例中与1427MHz以上且小于2690MHz、3300MHz以上且小于4200MHz、4400MHz以上且小于5000MHz、5150MHz以上且小于6000MHz、以及5925MHz以上且小于7125MHz这五个频带中的任意三个频带对应。或者，在另一例中与699MHz以上且小于960MHz、1427MHz以上且小于2200MHz、2300MHz以上且小于2690MHz、3300MHz以上且小于5000MHz、5150MHz以上且小于6000MHz、以及5925MHz以上且小于7125MHz这六个频带中的任意三个频带对应。此外，也可以使用具有上述以外的频带的滤波器。
滤波器FLT1～FLT3的各滤波器仅使由天线装置ANT接收到的高频信号中的、与各滤波器的通带对应的高频信号通过。由此，将来自天线装置ANT的接收信号分波为预先决定的多个频带的信号。
开关111～113连接在多工器100与BPF121～128之间，按照来自控制部(未图示)的控制信号来将与低频段组、中频段组以及高频段组的各组对应的信号路径与BPF121～128连接。
具体地说，开关111的共用端子与滤波器FLT1连接，开关111的各选择端子与BPF121～124连接。开关112的共用端子与滤波器FLT2连接，开关112的各选择端子与BPF125、126连接。开关113的共用端子与滤波器FLT3连接，开关113的各选择端子与BPF127、128连接。
开关131～133连接在放大电路141～143与BPF121～128之间，按照来自控制部(未图示)的控制信号来将BPF121～128与放大电路141～143连接。
具体地说，开关131的共用端子与放大电路141连接，开关131的各选择端子与BPF121～124连接。开关132的共用端子与放大电路142连接，开关132的各选择端子与BPF125、126连接。开关133的共用端子与放大电路143连接，开关133的各选择端子与BPF127、128连接。
在图1中的高频前端电路20的例子中，通过滤波器FLT1的信号的频带中包含有BPF121～124的各BPF的通带。另外，通过滤波器FLT2的信号的频带中包含有BPF125、126的通带，通过滤波器FLT3的信号的频带中包含有BPF127、128的通带。此外，在通过各滤波器的信号的频带中不包含多个通带的情况下，有时不设置开关111～113、131～133以及BPF121～128。
RFIC 30是用于对由天线装置ANT发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 30通过下变频等对从天线装置ANT经由高频前端电路20的接收侧信号路径输入的高频信号进行信号处理，并将该信号处理后生成的接收信号向基带信号处理电路(未图示)输出。
此外，在图1中，仅示出了高频前端电路20的接收侧信号路径，但是高频前端电路20还可以具有发送侧信号路径。在该情况下，从RFIC 30输出的高频信号经由高频前端电路20的发送侧信号路径传递到天线装置ANT，从天线装置ANT放射。RFIC 30通过上变频等对从基带信号处理电路输入的发送信号进行信号处理，并将该信号处理后生成的高频信号向高频前端电路20的发送侧信号路径输出。在发送侧信号路径中，放大电路141～143被设为用于对从RFIC 30输出的高频发送信号进行功率放大的功率放大。
(多工器的结构)
图2是示出图1的多工器100的详细的电路结构的图。如图1中说明的那样，滤波器FLT1连接在天线端子TA与端子T1之间。滤波器FLT2连接在天线端子TA与端子T2之间，滤波器FLT3连接在天线端子TA与端子T3之间。
滤波器FLT1包括形成串联臂电路的电容器C11、C12、以及形成并联臂电路的电容器C13、C14、电感器L11和开关SW11。电容器C11、C12串联连接在天线端子TA与端子T1之间。电感器L11的一端连接于电容器C11与电容器C12之间的连接节点。电容器C13连接在电感器L11的另一端与接地电位之间。另外，电感器L11的另一端还连接有电容器C14的一端，电容器C14的另一端经由开关SW11与接地电位连接。
开关SW11按照来自未图示的控制部的控制信号来在导通与非导通之间切换。通过切换开关SW11，能够切换并联臂电路的阻抗来调整由并联臂电路形成的衰减极点的频率。即，滤波器FLT1是可调滤波器。此外，利用电容器C13、C14以及开关SW11来形成阻抗可变电路150。
滤波器FLT2包括形成串联臂电路的电感器L21、L22、以及形成并联臂电路的电感器L23、L24、电容器C21～C23和开关SW21。电感器L21、L22串联连接在天线端子TA与端子T2之间。电感器L23的一端连接于电感器L21与电感器L22之间的连接节点。电容器C21连接在电感器L23的另一端与接地电位之间。另外，电感器L23的另一端还连接有电容器C22的一端，电容器C22的另一端经由开关SW21与接地电位连接。电感器L24的一端与端子T2连接，电容器C23连接在电感器L24的另一端与接地电位之间。
对于滤波器FLT2而言，也能够通过切换开关SW21，从而切换并联臂电路的阻抗来调整由并联臂电路形成的衰减极点的频率。即，滤波器FLT2也是可调滤波器。此外，利用电容器C21、C22以及开关SW21来形成阻抗可变电路160。
在滤波器FLT2中，由包括电感器L23的并联臂电路形成的衰减极点与由包括电感器L24的并联臂电路形成的衰减极点之间的频带是带通滤波器的通带。在本实施方式的例子中，包括电感器L23的并联臂电路形成高频率侧的衰减极点，包括电感器L24的并联臂电路形成低频率侧的衰减极点。
滤波器FLT3包括形成串联臂电路的电感器L31、L32和电容器C31、C32、以及形成并联臂电路的电容器C33、C34。电感器L31、L32串联连接在天线端子TA与端子T3之间。另外，电容器C31与电感器L31并联连接，电容器C32与电感器L32并联连接。即，由电感器L31和电容器C31形成的并联电路以及由电感器L32和电容器C32形成的并联电路串联连接在天线端子TA与端子T3之间。
电容器C33连接在电感器L31同电感器L32间的连接节点与接地电位之间。电容器C34连接在端子T3与接地电位之间。
在上述那样的具备使相互不同的频带的信号通过的多个滤波器的多工器中，为了提高通信质量，需要抑制滤波器之间的信号的泄漏，为了实现这一点，需要提高各滤波器之间的隔离特性。另一方面，在各滤波器中，期望尽可能减少所设定的频带的通过损失(广域化)。因此，特别是在通过的信号的两个频带接近的情况下，提高两个频带的边界附近的端部的衰减陡度很重要。
如图2中说明的那样，在用于多工器的各滤波器中，为了形成衰减极点而一般使用电感器。当在所通过的信号的频带接近的两个滤波器之间、形成衰减极点的电感器彼此磁场耦合时，由于该磁场耦合引起信号泄漏而不能获得充分的衰减量，存在该滤波器之间的隔离特性劣化的可能性。
因此，在本实施方式中，对于多工器中的、通过的信号的频带相邻的两个滤波器而言，采用在形成两个频带的接近的一侧的衰减极点的电感器之间、更详细的是在将该两个电感器设为外缘的一部分的区域内包括除该两个滤波器以外的其它滤波器的部件那样的配置。通过设为这种配置，能够利用其它滤波器的部件来减弱形成衰减极点的电感器之间的磁场耦合，因此能够提高通过的信号的频带相邻的滤波器之间的隔离特性。
图3是形成有图2所示的多工器100的基板105中安装的元件的概要配置图。在本实施方式中的多工器100中，在具有多层构造的基板105内形成有构成各滤波器所包括的电容器C11～C14、C21～C23、C31～C34的导体电极、以及将各元件连接的布线图案。另外，各滤波器所包括的电感器L11、L21～L24、L31、L32、以及开关电路SWIC作为芯片部件安装在基板105上。此外，开关电路SWIC是滤波器FLT1所包括的开关SW11和滤波器FLT2所包括的开关SW21作为集成电路形成在相同的元件内而得到的。
参照图3，在图3的例子中，芯片部件的数量较多的与中频段的滤波器FLT2有关的元件配置在大致L字状的虚线区域MB内，与高频段的滤波器FLT1有关的元件以及与低频段的滤波器FLT3有关的元件配置在矩形的虚线区域HB以及虚线区域LB内。此外，开关电路SWIC如上述那样包括滤波器FLT1和滤波器FLT2的开关SW11、SW21，因此配置为跨越虚线区域HB、MB双方。
而且，在滤波器FLT1和滤波器FLT2中，在形成接近的衰减极点的电感器L11与电感器L23之间、换言之在将电感器L11和电感器L23设为外缘的一部分的区域AR1(图3内的阴影部分)的内部，配置有滤波器FLT3所包括的部件(在此是电感器L32)的至少一部分。
通过设为这种配置，由电感器L11产生的磁场和由电感器L23产生的磁场的至少一部分被滤波器FLT3的电感器L32遮蔽，作为结果，减弱了电感器L11与电感器L23之间的直接的磁场耦合。因而，能够抑制因电感器L11与电感器L23之间的磁场耦合而产生的、衰减极点处的衰减量的下降，能够抑制滤波器FLT1与滤波器FLT2之间的隔离特性的劣化。
此外，在各滤波器中，当在通过的信号的频带(通带)的高频侧和低频侧的端部使用多个衰减极点来实现期望的衰减特性的情况下，期望抑制形成最接近所设定的通带的衰减极点的电感器的磁场耦合。即，在高频带侧的滤波器FLT1中，在滤波器FLT1的通带的低频侧形成的衰减极点中的、最接近滤波器FLT1的通带的衰减极点的电感器成为对象。另外，在低频带侧的滤波器FLT2中，在通带的高频侧形成的衰减极点中的、最接近滤波器FLT2的通带的衰减极点的电感器成为对象。
考虑在图3的例子中例如将滤波器FLT2的电感器L23的配置和电感器L24的配置调换而得到的结构的情况下，电感器L11与电感器L23之间的距离变远，另外，在电感器L11与电感器L23之间(即，在将电感器L11和电感器L23设为外缘的一部分的区域内)所包括的电感器L32的部分变得更大，因此能够进一步减弱电感器L11与电感器L23之间的磁场耦合。另一方面，在本实施方式中，需要将电感器L23与开关SW21连接，因此当使电感器L23与开关电路SWIC之间的距离变远时，将电感器L23与开关SW21连接的布线图案变长，反而担忧布线损耗变大。
因此，期望共享开关电路SWIC的电感器L11和电感器L23与开关电路SWIC接近配置，在这种情况下，电感器L11与电感器L23易于磁场耦合。因而，如图3那样将电感器L23与开关电路SWIC接近配置，并且配置为使滤波器FLT3所包括的电感器L32的至少一部分处于区域AR1的内部，由此能够不增加布线损耗而减弱电感器L11与电感器L23之间的磁场耦合。
此外，为了减弱电感器L11与电感器L23之间的磁场耦合，也可以配置为在区域AR1还包括图3的开关电路SWIC那样的、除滤波器FLT3所包括的部件以外的部件。
图4是用于说明实施方式和比较例中的、滤波器FLT1和滤波器FLT2的接近的通带的衰减特性的图。在图4中，横轴示出了频率，纵轴示出了各滤波器的插入损失。另外，在图4中，实线LN1示出了本实施方式的衰减特性，虚线LN2示出了比较例的衰减特性。
此外，比较例的曲线(虚线LN2)是在图3中的区域AR1的范围内不配置其它部件的结构(即，电感器L11与电感器L23直接磁场耦合的结构)的衰减特性。
如图4所示，在高频段侧的滤波器FLT1的衰减极点(频率f1)和中频段侧的滤波器FLT2的衰减极点(频率f2)的任一个处，比较例(虚线LN2)的插入损失与本实施方式(实线LN1)的插入损失相比都下降，即，可知衰减量下降。另外，在比较例中，伴随衰减极点处的插入损失的下降，在衰减极点附近的曲线的陡度劣化。换言之，通过设为本实施方式那样的元件配置来减弱电感器L11与电感器L23之间的磁场耦合，增加衰减极点处的插入损失，并且提高了衰减陡度。因而，在本实施方式中，通过的信号的频带相邻的两个滤波器之间的隔离特性被改善。
图5和图6是用于说明在图3中示出的元件的配置中、低频段侧的滤波器FLT3的电感器L32的具体的配置的例子的图。此外，在图5和图6中，关于电感器L11、L23、L32，示出了去除外壳后的状态以能够识别线圈的卷绕方向。
首先，参照图5，在本实施方式的多工器100的例子中，在基板105上，滤波器FLT1的电感器L11和滤波器FLT2的电感器L23配置为图中的X轴方向成为卷绕轴。另一方面，滤波器FLT3的电感器L32配置为图中的Y轴方向成为卷绕轴。
另外，在图6的多工器100A中，电感器L11和电感器L23与图5同样地配置为X轴方向成为卷绕轴，但是电感器L32配置为图中的Z轴方向成为卷绕轴。
在电感器L32的卷绕轴与电感器L11及电感器L23的卷绕轴平行的情况下，电感器L32与电感器L11及电感器L23磁场耦合。于是，导致电感器L11经由电感器L32与电感器L23磁场耦合，因此结果是有可能使隔离特性劣化。
另一方面，如图5和图6那样，通过将电感器L32的卷绕轴的方向设为与电感器L11及电感器L23的卷绕轴正交的方向，电感器L32不与电感器L11及电感器L23磁场耦合，因此能够抑制电感器L11与电感器L23经由电感器L32的磁场耦合。
此外，在图5和图6中示出了以使电感器L32的卷绕轴成为与电感器L11及电感器L23的卷绕轴正交的方向的方式配置电感器L32的例子，但是电感器L32也可以未必配置为卷绕轴的方向与电感器L11及电感器L23的卷绕轴的方向完全正交的状态。如上所示，在卷绕轴的方向正交的情况下，电感器L32与电感器L11及电感器L23之间的磁场耦合的抑制效果最大，因此是更优选的结构，但是如果电感器L32的卷绕轴的方向至少不与电感器L11及电感器L23的卷绕轴的方向平行，则与卷绕轴的方向相互平行的情况相比起到减弱磁场耦合的效果。
在图5和图6中，示出了电感器L11和电感器L23的卷绕轴的方向都是图的X轴方向而平行的情况，但是通过配置为电感器L11的卷绕轴不与电感器L23的卷绕轴平行，能够进一步减弱电感器L11与电感器L23之间的磁场耦合。
另外，在图5和图6中，将各滤波器所包括的电感器是安装在基板表面的芯片部件的情况作为例子进行了说明，但是电感器的一部分或全部也可以由基板内的布线图案形成。在该情况下，也能够通过将俯视基板的情况下的各要素的位置关系设为上述的结构来起到同样的效果。
此外，在上述的说明中，将三个滤波器的通带中高频段侧滤波器的通带与中频段侧滤波器的通带接近的情况作为例子来进行了说明。在该情况下，高频段侧滤波器FLT1与本公开的“第一滤波器”对应，中频段侧滤波器FLT2与本公开的“第二滤波器”对应，低频段侧滤波器FLT3与本公开的“第三滤波器”对应。
另一方面，在中频段侧滤波器的通带与低频段侧滤波器的通带接近的情况下也设为类似的结构，由此能够改善中频段侧滤波器与低频段侧滤波器之间的隔离特性。即，在该情况下，设为在俯视基板时在形成中频段侧滤波器的低频侧的衰减极点的电感器与形成低频段侧滤波器的高频侧的衰减极点的电感器之间(即，在将两个电感器设为外缘的一部分的区域内)包括高频段侧滤波器的部件的至少一部分那样的配置。由此，能够减弱中频段侧滤波器的电感器与低频段侧滤波器的电感器之间的磁场耦合，来提高中频段侧滤波器与低频段侧滤波器之间的隔离特性。此外，在该情况下，中频段侧滤波器与本公开的“第一滤波器”对应，低频段侧滤波器与本公开的“第二滤波器”对应，高频段侧滤波器与本公开的“第三滤波器”对应。
(变形例1)
在上述的实施方式中，将各滤波器是由电感器和电容器构成的LC滤波器的情况作为例子进行了说明，但是，其中，电容器中的至少一个也可以形成为声表面波(SAW：SurfaceAcoustic Wave)谐振器或者体声波(BAW：Bulk Acoustic Wave)谐振器那样的弹性波器件。这种弹性波器件具有电容成分，因此能够代替电容器来使用。
图7是示出按照变形例1的多工器100B的电路结构的图。在图7所示的多工器100B中，成为图2中说明的多工器100的滤波器FLT1～FLT3被分别替换为滤波器FLT1B～FLT3B而得到的结构。
更具体地说，滤波器FLT1B为图2的滤波器FLT1中的电容器C11～C14被替换为弹性波谐振器P11～P14而得到的结构。同样地，滤波器FLT2B为滤波器FLT2中的电容器C21～C23被替换为弹性波谐振器P21～P23而得到的滤波器，滤波器FLT3B为滤波器FLT3中的电容器C31～C34被替换为弹性波谐振器P31～P34而得到的滤波器。
关于这种结构的多工器100B，也在通过的信号的频带相邻的两个滤波器中的形成衰减极点的电感器之间(即，将两个电感器设为外缘的一部分的区域)配置其它滤波器的部件的至少一部分，由此能够减弱该电感器彼此之间的磁场耦合，据此能够提高两个滤波器之间的隔离特性。
(变形例2)
在实施方式和变形例1中，说明了多工器是由三个滤波器构成的所谓的三工器的情况，但是本公开中的技术思想对于滤波器为四个以上的多工器的情况而言也是能够应用的。即使在滤波器为四个以上的情况下，对于通过的信号的频带相邻的两个滤波器而言，通过在形成频带接近的一侧的衰减极点的电感器之间(即，将两个电感器设为外缘的一部分的区域)配置除这两个滤波器以外的滤波器的部件的至少一部分，能够提高该两个滤波器之间的隔离特性。
图8是具有四个滤波器的多工器100C的概要图。在多工器100C中，具备滤波器FLT1，其是连接在天线端子TA与端子T1之间的高通滤波器；滤波器FLT2-1，其是连接在天线端子TA与端子T2-1之间的带通滤波器；滤波器FLT2-2，其是连接在天线端子TA与端子T2-2之间的带通滤波器；以及滤波器FLT3，其是连接在天线端子TA与端子T3之间的低通滤波器。此外，如实施方式中叙述的那样，滤波器FLT1的高通滤波器和滤波器FLT3的低通滤波器也可以是带通滤波器。
通过四个滤波器的信号的频带与1427MHz以上且小于2690MHz、3300MHz以上且小于4200MHz、4400MHz以上且小于5000MHz、5150MHz以上且小于6000MHz、以及5925MHz以上且小于7125MHz这五个频带中的四个频带对应。例如，通过各滤波器的信号的频带在滤波器FLT1中是5150MHz以上且小于6000MHz，在滤波器FLT2-1中是4400MHz以上且小于5000MHz，在滤波器FLT2-2中是3300MHz以上且小于4200MHz，在滤波器FLT3中是1427MHz以上且小于2690MHz。
关于这四个滤波器中的任意三个滤波器，在俯视形成有多工器100C的基板的情况下，对于通过的信号的频带相邻的两个滤波器而言，在形成频带接近的一侧的衰减极点的电感器之间(即，将两个电感器设为外缘的一部分的区域)配置除这两个滤波器以外的滤波器的部件的至少一部分，由此能够提高这两个滤波器之间的隔离特性。
另外，图9是具有五个滤波器的多工器100D的概要图。在多工器100D中，除了图8中示出的多工器100C的结构之外还包括滤波器FLT2-3。
滤波器FLT2-3是连接在天线端子TA与端子T2-3之间的带通滤波器，将滤波器FLT2-2的通带与滤波器FLT3的通带之间的频带设为通带。
通过多工器100D中的各滤波器的信号的频带与699MHz以上且小于960MHz、1427MHz以上且小于2200MHz、2300MHz以上且小于2690MHz、3300MHz以上且小于5000MHz、5150MHz以上且小于6000MHz、以及5925MHz以上且小于7125MHz这六个频带中的五个频带对应。例如，通过各滤波器的信号的频带在滤波器FLT1中是5150MHz以上且小于6000MHz，在滤波器FLT2-1中是3000MHz以上且小于5000MHz，在滤波器FLT2-2中是2300MHz以上且小于2690MHz，在滤波器FLT2-3中是1427MHz以上且小于2200MHz，在滤波器FLT3中是699MHz以上且小于960MHz。
在俯视形成有多工器100D的基板的情况下，对于这五个滤波器中的、通过的信号的频带相邻的两个滤波器而言，在形成频带接近的一侧的衰减极点的电感器之间(即，在将两个电感器设为外缘的一部分的区域)配置除这两个滤波器以外的滤波器的部件的至少一部分，由此能够提高该相邻的两个滤波器之间的隔离特性。
此外，在图8和图9中，各滤波器的具体的结构能够采用任意的方式。
另外，对于本公开的特征而言，也能够应用于分波为七个以上的频带的信号的多工器。
(变形例3)
在上述的图5和图6中示出的多工器中，说明了由芯片部件形成的电感器和开关电路配置在基板的一方的面的结构，但是，也可以为这些部件分开配置在基板的两面的结构。
例如，在与高频段的滤波器FLT1和低频段的滤波器FLT3有关的元件配置在基板105的表面(第一面)、与中频段的滤波器FLT2有关的元件配置在基板105的背面(第二面)的情况下，如果在俯视基板105时在形成接近的衰减极点的电感器L11与电感器L23之间配置了滤波器FLT3所包括的部件(例如，电感器L32)的至少一部分，则也能够抑制滤波器FLT1与滤波器FLT2之间的隔离特性的劣化。
另外，在与滤波器FLT1、FLT2有关的电感器配置在基板105的两面的结构中，滤波器FLT3所包括的部件也可以形成在基板105的内层。在该情况下也同样，通过如图10的多工器100E所示那样，在配置于基板105的表面的滤波器FLT1的电感器L11与配置于基板105的背面的滤波器FLT2所包括的电感器L23之间(图10的区域AR2)配置滤波器FLT3所包括的部件(例如，电感器L32A)，能够抑制滤波器FLT1与滤波器FLT2之间的隔离特性的劣化。
此外，在如图11所示的100F那样在滤波器FLT1的电感器L11的正下方配置滤波器FLT2的电感器L23的结构、即从基板105的法线方向俯视的情况下电感器L11与电感器L23重叠的结构中也同样，通过在电感器L11与电感器L23之间配置滤波器FLT3所包括的部件(例如，电感器L32B)，能够抑制滤波器FLT1与滤波器FLT2之间的隔离特性的劣化。
此外，在图10和图11中，电感器L32A、L32B例如形成为跨越多层而形成的、将基板105的层叠方向作为卷绕轴的螺旋状线圈。或者，也可以是由布线图案和通路形成的曲折线圈，也可以是将与基板105的层叠方向正交的方向作为卷绕轴的螺旋状线圈。
另外，在图10和图11的例子中，也可以是以下结构：在滤波器FLT1的电感器L11和滤波器FLT2的电感器L23不是形成在基板105的两面而是形成在基板105的内层的不同的层的情况下，在电感器L11与电感器L23之间配置滤波器FLT3所包括的部件。
应认为此次公开的实施方式的全部方面都是例示而不是制限性的。本公开的范围并不是由上述的实施方式的说明表示而是由权利要求书表示，意图包含与权利要求书均等的意思和范围内的全部变更。
附图标记说明
10：通信装置；20：高频前端电路；30：RFIC；100、100A～100F：多工器；105：基板；111～113、131～133、SW11、SW21：开关；121～128：带通滤波器；141～143：放大电路；150、160：阻抗可变电路；ANT：天线装置；C11～C14、C21～C23、C31～C34：电容器；FLT1、FLT1B、FLT2、FLT2-1～2-3、FLT2B、FLT3、FLT3B：滤波器；L11、L21～L24、L31、L32、L32A、L32B：电感器；P11～P14、P21～P23、P31～P34：弹性波谐振器；SWIC：开关电路；T1～T3、T2-1～T2-3：端子；TA：天线端子。

Claims (12)

1.一种多工器，使多个频带的信号通过，所述多工器具备：
第一滤波器，其使第一频带的信号通过；
第二滤波器，其使低于所述第一频带的第二频带的信号通过；以及
第三滤波器，其使第三频带的信号通过，
其中，所述第三频带是高于所述第一频带的频带、或者低于所述第二频带的频带，
所述第一滤波器包括第一电感器，该第一电感器形成所述第一频带的低频侧的第一衰减极点，
所述第二滤波器包括第二电感器，该第二电感器形成所述第二频带的高频侧的第二衰减极点，
构成所述第三滤波器的部件的至少一部分配置在所述第一电感器与所述第二电感器之间。
2.根据权利要求1所述的多工器，其中，
在俯视形成有所述第一滤波器～第三滤波器的基板的情况下，构成所述第三滤波器的部件的至少一部分配置在所述第一电感器与所述第二电感器之间。
3.根据权利要求1或2所述的多工器，其中，
所述第一衰减极点是在所述第一频带的低频侧形成的衰减极点中的最接近所述第一频带的衰减极点，
所述第二衰减极点是在所述第二频带的高频侧形成的衰减极点中的最接近所述第二频带的衰减极点。
4.根据权利要求3所述的多工器，其中，
所述第一滤波器具备：
第一串联臂电路，其形成在天线端子与第一端子之间；以及
第一并联臂电路，其连接在所述第一串联臂电路与接地电位之间，且包括所述第一电感器，
所述第二滤波器具备：
第二串联臂电路，其形成在所述天线端子与第二端子之间；以及
第二并联臂电路，其连接在所述第二串联臂电路与所述接地电位之间，且包括所述第二电感器，
所述第一并联臂电路包括第一阻抗可变电路，该第一阻抗可变电路在所述第一串联臂电路与所述接地电位之间与所述第一电感器串联连接，
所述第二并联臂电路包括第二阻抗可变电路，该第二阻抗可变电路在所述第二串联臂电路与所述接地电位之间与所述第二电感器串联连接，
所述第一并联臂电路以及所述第二并联臂电路构成为能够通过切换所述第一阻抗可变电路以及所述第二阻抗可变电路各自的阻抗来变更所述第一衰减极点以及所述第二衰减极点各自的频率。
5.根据权利要求4所述的多工器，其中，
所述第一阻抗可变电路以及所述第二阻抗可变电路分别具有用于切换阻抗的开关，
所述第一阻抗可变电路的开关以及所述第二阻抗可变电路的开关形成在相同的元件内。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的多工器，其中，
所述第一电感器以及所述第二电感器安装在基板上。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的多工器，其中，
所述第三滤波器包括第三电感器，该第三电感器的至少一部分配置在所述第一电感器与所述第二电感器之间，
所述第三电感器被配置为所述第三电感器的卷绕轴不与所述第一电感器的卷绕轴及所述第二电感器的卷绕轴平行。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的多工器，其中，
所述第一电感器以及所述第二电感器被配置为卷绕轴彼此不平行。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的多工器，其中，
所述第一频带～第三频带与1427MHz至2690MHz的频带、3300MHz至4200MHz的频带、4400MHz至5000MHz的频带、5150MHz至6000MHz的频带、以及5925MHz至7125MHz的频带中的任意三个频带对应。
10.根据权利要求1～8中的任一项所述的多工器，其中，
所述第一频带～第三频带与699MHz至960MHz的频带、1427MHz至2200MHz的频带、2300MHz至2690MHz的频带、3300MHz至5000MHz的频带、5150MHz至6000MHz的频带、以及5925MHz至7125MHz的频带中的任意三个频带对应。
11.一种高频前端电路，具备：
根据权利要求1～10中的任一项所述的多工器；以及
放大电路，其连接于所述多工器。
12.一种通信装置，具备：
根据权利要求11所述的高频前端电路；以及
射频信号处理电路，其连接于所述高频前端电路。
CN201980059901.9A 2018-09-13 2019-08-08 多工器以及使用该多工器的高频前端电路及通信装置 Active CN112740549B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-171434 2018-09-13
JP2018171434 2018-09-13
PCT/JP2019/031344 WO2020054284A1 (ja) 2018-09-13 2019-08-08 マルチプレクサならびにそれを用いた高周波フロントエンド回路および通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112740549A CN112740549A (zh) 2021-04-30
CN112740549B true CN112740549B (zh) 2023-08-22

Family

ID=69776744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980059901.9A Active CN112740549B (zh) 2018-09-13 2019-08-08 多工器以及使用该多工器的高频前端电路及通信装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11411545B2 (zh)
JP (1) JP7099532B2 (zh)
CN (1) CN112740549B (zh)
WO (1) WO2020054284A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11469503B2 (en) * 2020-02-28 2022-10-11 T-Mobile Usa, Inc. Self-optimizing wide band array antennas
JP2021163975A (ja) * 2020-03-30 2021-10-11 株式会社村田製作所 高周波回路、アンテナモジュールおよび通信装置
US11588506B2 (en) 2020-04-05 2023-02-21 Skyworks Solutions, Inc. Architectures having bridge combiners and multiplexers
CN115552795A (zh) * 2020-05-27 2022-12-30 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN113556096B (zh) * 2021-07-26 2024-03-19 苏州汉天下电子有限公司 用于双工器的封装基板和双工器
WO2023120071A1 (ja) * 2021-12-24 2023-06-29 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2023127245A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびそれを搭載した高周波フロントエンド回路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103201953A (zh) * 2010-11-09 2013-07-10 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置
CN103404040A (zh) * 2011-03-04 2013-11-20 株式会社村田制作所 高频开关模块
CN107689803A (zh) * 2016-08-05 2018-02-13 株式会社村田制作所 高频电路以及通信装置
CN108023570A (zh) * 2016-11-04 2018-05-11 株式会社村田制作所 多工器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008042609A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Toshiba Corp 分波器および無線受信機
JP2012080246A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Murata Mfg Co Ltd 分波装置
JP2013243600A (ja) 2012-05-22 2013-12-05 Tdk Corp トリプレクサ
JP6414600B2 (ja) 2014-10-10 2018-10-31 株式会社村田製作所 分波装置
CN109196777B (zh) * 2016-05-27 2022-06-14 株式会社村田制作所 高频滤波电路、多工器、高频前端电路以及通信装置
JP7341641B2 (ja) * 2018-08-24 2023-09-11 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103201953A (zh) * 2010-11-09 2013-07-10 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置
CN103404040A (zh) * 2011-03-04 2013-11-20 株式会社村田制作所 高频开关模块
CN107689803A (zh) * 2016-08-05 2018-02-13 株式会社村田制作所 高频电路以及通信装置
CN108023570A (zh) * 2016-11-04 2018-05-11 株式会社村田制作所 多工器

Also Published As

Publication number Publication date
CN112740549A (zh) 2021-04-30
JPWO2020054284A1 (ja) 2021-08-30
WO2020054284A1 (ja) 2020-03-19
JP7099532B2 (ja) 2022-07-12
US20210194452A1 (en) 2021-06-24
US11411545B2 (en) 2022-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112740549B (zh) 多工器以及使用该多工器的高频前端电路及通信装置
US11652462B2 (en) Multiplexer with hybrid acoustic passive filter
US10727805B2 (en) Multiplexer including filters with resonators and parallel inductor
US10972073B2 (en) Multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
US10148249B2 (en) High frequency circuit and communication apparatus
US11101839B2 (en) High frequency filter, multiplexer, high frequency front-end circuit, and communication device
JP2017208656A (ja) スイッチモジュール及び高周波モジュール
CN109391242B (zh) 复合型滤波器装置、高频前端电路以及通信装置
US10679114B2 (en) Radio-frequency front end circuit, high-frequency signal processing circuit, and communication device
CN112019186A (zh) 高频电路以及通信装置
JP2021064874A (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
JP2020014104A (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
JP6885376B2 (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
US10812047B2 (en) Elastic wave filter apparatus
US20210359665A1 (en) Multiplexer, front-end module, and communication device
US10951196B2 (en) Multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device
KR20200002598A (ko) 필터 및 멀티플렉서
KR20200095402A (ko) 멀티플렉서 및 통신 장치
WO2019228751A1 (en) Radio frequency filter

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant