CN107689803A - 高频电路以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够以简单的构成，同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的过渡频带上的衰减斜率的陡度的高频电路。高频电路(1)具备包含第一HPF(11)和LPF(12)的第一分波电路(10)、和与第一分波电路(10)串联连接，且包含BEF(21)和BPF(22)的第二分波电路(20)，BEF(21)与BPF(22)中的至少一个由弹性波谐振器构成，BEF(21)的衰减频带、以及BPF(22)的通带位于第一HPF(11)的通带与LPF(12)的通带之间。

Description

高频电路以及通信装置
技术领域
本发明涉及高频电路以及通信装置。
背景技术
近年，在移动电话终端等通信装置中，要求利用一个终端以多个频带以及多个无线方式同时进行发送接收，即要求与所谓的载波聚合(CA)化对应。在采用这样的方式的通信装置中，例如，使用按照频带对高频信号进行分离(分波)·合成(合波)的分波·合波电路。具体而言，使用图19所示那样的电路。图19是表示以往的分波电路的一个例子的构成图。
图19示出串联连接多个(例如两个)由LC谐振电路构成的双信器的分波电路。在该分波电路中，输入到端子Port41的高频信号通过由高通滤波器(以下，也称为HPF)以及低通滤波器(以下，也称为LPF)构成的双信器401，分波为与该HPF以及LPF的通带对应的频带的信号。另外，从双信器401的LPF输出的信号通过由HPF以及LPF构成的双信器402，分波为与该HPF以及LPF的通带对应的频带的信号。由此，分别从端子Port42～44输出与串联连接的双信器401的LPF以及双信器402的LPF的通带、串联连接的双信器401的LPF以及双信器402的HPF的通带、及双信器401的HPF的通带对应的信号。
专利文献1公开了与这样的分波电路有关的技术。
专利文献1：日本特开2011－91862号公报
然而，在图19所示的分波电路中，双信器401以及402的通过特性中的位于过渡频带的衰减斜率的陡度较低(衰减倾斜度较小)，所以不容易对具有较近的通带的信号彼此相互进行分波。为了对此进行改善考虑提高双信器的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。然而，一般而言，用于提高双信器的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度的设计难易度较高。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供能够以简单的构成同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度的高频电路以及通信装置。
为了实现上述目的，本发明的一方式所涉及的高频电路具备包含第一高通滤波器和低通滤波器的第一分波电路、和与上述第一分波电路串联连接，且包含带阻滤波器和带通滤波器的第二分波电路，上述带阻滤波器与上述带通滤波器中的至少一个由弹性波谐振器构成，上述第一高通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带相比位于高频侧，上述带阻滤波器的衰减频带、以及上述带通滤波器的通带位于上述第一高通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带之间。
第一HPF在高频侧具有较宽的通带，LPF在低频侧具有较宽的通带，一个以上的带通滤波器(以下，也称为BPF)的通带位于第一HPF的通带与LPF的通带之间。而且，通过串联连接包含第一HPF以及LPF的第一分波电路与包含BPF的第二分波电路，能够同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号。换句话说，能够从具有较低的频带的信号到具有较高的频带的信号与CA化对应。这里频段例如是指LTE(Long Term Evolution：长期演进)的频段。另外，由于带阻滤波器(以下，也称为BEF)以及BPF由弹性波谐振器构成，所以通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度较高。因此，例如，具有BPF的通带的频率成分的信号与具有第一HPF的通带或者LPF的通带的频率成分的信号不容易相互影响。另外，在BPF包含两个以上的BPF的情况下，具有两个以上的BPF的通带的频率成分的信号的各个不容易相互影响。这样，能够利用串联连接包含第一HPF以及LPF的第一分波电路与包含BEF以及BPF的第二分波电路的简单的构成，同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
另外，也可以上述第一高通滤波器以及上述低通滤波器具有共用的第一共用端子，上述第一共用端子与上述带阻滤波器的端子串联连接，上述带阻滤波器以及上述带通滤波器具有共用的第二共用端子，上述带阻滤波器的通过特性的过渡频带上的衰减斜率使上述第一高通滤波器的通过特性的过渡频带上的衰减斜率、以及上述低通滤波器的通过特性的过渡频带上的衰减斜率的至少一方衰减。
由此，在BEF的高频侧的过渡频带，陡度较低的第一HPF的衰减斜率被BEF的陡度较高的衰减斜率衰减，而衰减斜率的陡度变高。同样地，例如在BEF的低频侧的过渡频带陡度较低的LPF的衰减斜率被BEF的陡度较高的衰减斜率衰减，而衰减斜率的陡度变高。因此，具有BPF的通带的频率成分的信号与具有第一HPF或者LPF的通带的频率成分的信号更不容易相互影响。换句话说，能够容易地对具有较近的通带的信号彼此进行分波·合波。
另外，也可以上述第一分波电路还包含第二高通滤波器，上述带阻滤波器以及上述带通滤波器具有共用的共用端子，上述共用端子与上述第二高通滤波器的端子连接，上述第二高通滤波器的通带位于上述第一高通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带之间，上述第二高通滤波器的通带与上述带通滤波器的通带、和上述带阻滤波器的衰减频带重复。
由此，由于BEF的衰减频带与BPF的通带重复，所以具有BPF的通带的频率成分的信号与具有第二HPF的通带中除了BEF的衰减频带之外的频带的频率成分的信号不容易相互影响。另外，第二HPF的通带的一部分被BEF的陡度较高的衰减斜率衰减，所以串联连接的第二HPF以及BEF的衰减斜率的陡度变高。
另外，也可以上述第一高通滤波器以及上述低通滤波器是LC谐振电路。
由此，能够容易地实现在高频侧具有较宽的通带的第一HPF以及在低频侧具有较宽的通带的LPF，能够从具有较低的频带的信号到具有较高的频带的信号与CA化对应。在LC谐振电路例如由片式电感器以及片式电容器等单体的部件实现的情况下，能够进行第一HPF以及LPF的灵活的匹配调整。另外，在LC谐振电路例如由IPD(Intergrated PassiveDevice：集成无源器件)实现的情况下，能够使第一HPF以及LPF小型化。
另外，也可以在上述带通滤波器并联连接电感器。
一般而言，在拓宽BPF的通带的情况下，该通带外的衰减量变小。因此，通过在通带较宽的BPF并联连接在该通带外具有衰减极点的电感器，能够增大该通带外的衰减量。
另外，也可以上述带通滤波器包含通带相互不同的第一带通滤波器和第二带通滤波器。
由此，能够进行更多的频带的信号的发送接收。
另外，也可以上述高频电路还具备与上述第一带通滤波器以及上述第二带通滤波器连接的匹配电路，上述第一带通滤波器的通带与上述第二带通滤波器的通带中，上述第一带通滤波器的通带更加位于上述带阻滤波器的所希望的通带的附近，连接上述匹配电路与上述第一带通滤波器的布线比连接上述匹配电路与上述第二带通滤波器的布线短。
由于第一BPF的通带与BEF的所希望的通带相互位于附近，所以第一BPF容易给予BEF影响。例如，在连接匹配电路与第一BPF的布线较长的情况下，与该布线所带来的阻抗的变动对应地，第一BPF的阻抗匹配时的调整量增大。由此，由于与该布线有关的阻抗匹配，所希望的通带位于第一BPF的通带的附近的BEF受到影响。另一方面，第二BPF由于通带离BEF的所希望的通带较远所以不容易给予BEF影响，例如即使在连接匹配电路与第二BPF的布线较长的情况下，所希望的通带不位于第二BPF的通带的附近的BEF也不容易受到与该布线有关的阻抗匹配所带来的影响。因此，通过使连接匹配电路与第一BPF的布线比连接匹配电路与第二BPF的布线短，能够减少连接匹配电路与第一BPF的布线所引起的第一BPF的阻抗匹配时的调整量，能够减少BEF由于第一BPF的阻抗匹配而受到的影响。
另外，也可以上述高频电路还具备低噪声放大电路，上述第一分波电路与上述低噪声放大电路由同一芯片形成。
由此，通过由同一芯片形成第一分波电路与低噪声放大器(以下，也称为LNA)电路(单片化)，能够实现高频电路的小型化。
另外，也可以上述高频电路还具备开关电路，上述第一分波电路与上述开关电路由同一芯片形成。
由此，通过由同一芯片形成第一分波电路和开关电路，能够实现高频电路的小型化。
另外，也可以上述高频电路包含层叠多个层构成的层叠基板，上述第一高通滤波器以及上述低通滤波器分别为LC谐振电路，上述带阻滤波器以及上述带通滤波器分别为梯型弹性表面波滤波器，上述层叠基板具有作为该层叠基板的最下层的基准接地层、第一层以及第二层，在上述基准接地层设有成为上述层叠基板的基准电位的基准接地图案，在上述第一层设有与上述基准接地图案电连接的上述第一分波电路的接地图案，在上述第二层设有与上述基准接地图案电连接的上述第二分波电路的接地图案，上述第一层与上述第二层相比位于上述基准接地层侧。
这里，基准接地层是用于在高频电路与设备制造厂等的基板连接时，将高频电路的地线与该设备制造厂等的基板的地线连接的层。在层叠基板中，越是形成在距离基准接地层较远的层的接地图案，越具有较大的寄生电感器成分。因此，通过离基准接地图案较远地设置梯型弹性表面波滤波器的接地图案，寄生电感器成分增大，而该梯型弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高。因此，通过在与设置了第一分波电路所包含的LC谐振电路亦即第一HPF以及LPF的接地图案的第一层相比远离基准接地层的第二层设置第二分波电路所包含的梯型弹性表面波滤波器亦即BEF以及BPF的接地图案，能够使BEF以及BPF的通带外的衰减特性提高。
另外，也可以上述高频电路包含层叠多个层构成的层叠基板，还具备作为弹性波滤波器的第三分波电路，上述第二分波电路的接地图案与上述第三分波电路的接地图案在上述多个层中的一个层相互分离地设置。
由此，能够抑制第二分波电路与第三分波电路相互影响。
另外，本发明的一方式所涉及的高频电路具备：第一分波电路，其包含第二高通滤波器和低通滤波器；以及第二分波电路，其与上述第一分波电路串联连接，且包含带阻滤波器和带通滤波器，上述带阻滤波器与上述带通滤波器中的至少一个由弹性波谐振器构成，上述第二高通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带相比位于高频侧，上述带阻滤波器的衰减频带、以及上述带通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带相比位于高频侧，并且，与上述第二高通滤波器的通带重复。
LPF在低频侧具有较宽的通带，一个以上的BPF的通带与LPF的通带相比位于高频侧。而且，通过串联连接包含LPF的第一分波电路和包含BPF的第二分波电路，能够在彼此不同的频带的多个频段同时进行发送接收。另外，由于BEF以及BPF由弹性波谐振器构成，所以通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度较高。因此，具有BPF的通带的频率成分的信号与具有LPF的通带的频率成分的信号不容易相互影响。另外，由于第二HPF的通带的一部分被BEF的陡度较高的衰减斜率衰减，所以使串联连接的第二HPF以及BEF的衰减斜率的陡度提高。因此，由于BEF的衰减频带与BPF的通带重复，所以具有BPF的通带的频率成分的信号与具有第二HPF的通带中除了BEF的衰减频带以外的频带的频率成分的信号不容易相互影响。另外，在BPF包含两个以上的BPF的情况下，具有两个以上的BPF的通带的频率成分的信号的各个不容易相互影响。这样，能够利用串联连接包含第二HPF以及LPF的第一分波电路和包含BEF以及BPF的第二分波电路的简单的构成，同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以上述带阻滤波器是由至少一个弹性波谐振器以及至少一个电感器构成的混合滤波器。
根据该构成，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以是同时对多个信号进行发送、接收、或者它们双方的多工器。
根据该构成，能够实现同时对具有不同的频带的通带的多个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以上述第二高通滤波器的在相当于上述低通滤波器的频带的通带的衰减量与没有上述低通滤波器的情况相比，在15dB以上，上述第二高通滤波器由电感器以及电容器构成，上述低通滤波器由电感器以及电容器构成。
根据该构成，能够有效地抑制失真。
在本发明的一方式所涉及的高频电路中，也可以上述带通滤波器的通带的一部分与上述带阻滤波器的衰减频带的一部分重复。
根据该构成，能够改善带通滤波器的插入损耗。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以上述带阻滤波器的所希望的通带的一部分比上述带通滤波器的通带低。
根据该构成，例如适合LTE中的MB与HB的载波聚合。
在本发明的一方式所涉及的高频电路中，也可以上述第二分波电路还包含高通滤波器。
根据该构成，能够同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以上述带阻滤波器由低通滤波器型电路和与上述低通滤波器型电路串联连接的高通滤波器型电路构成。
根据该构成，成为带通滤波器的特性，能够确保通带以外的衰减。
在本发明的一方式所涉及的高频电路中，也可以在上述带通滤波器并联连接有电感器。
通过电感器以及在连接电感器时产生的寄生电容成分，能够增大通带外的衰减量。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以还包含连接在上述第二高通滤波器与上述第二分波电路之间的匹配电路。
根据该构成，能够进行阻抗匹配，其结果，能够改善通过特性。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以上述匹配电路由电感器以及电容器的至少一个构成。
根据该构成，能够期待更有效的通过特性的改善。
本发明的一方式所涉及的高频电路中，也可以上述第一带通滤波器的通带与上述第二带通滤波器的通带中，上述第一带通滤波器的通带更加位于上述带阻滤波器的所希望的通带的附近，连接上述匹配电路与上述第一带通滤波器的布线比连接上述匹配电路与上述第二带通滤波器的布线短。
由于第一BPF的通带与BEF的所希望的通带相互位于附近，所以第一BPF容易给予BEF影响。例如，在连接匹配电路与第一BPF的布线较长的情况下，与该布线所带来的阻抗的变动对应地，第一BPF的阻抗匹配时的调整量增大。由此，由于与该布线有关的阻抗匹配，所希望的通带位于第一BPF的通带的附近的BEF受到影响。另一方面，第二BPF由于通带离BEF的所希望的通带较远所以不容易给予BEF影响，例如即使在连接匹配电路与第二BPF的布线较长的情况下，所希望的通带不位于第二BPF的通带的附近的BEF也不容易受到与该布线有关的阻抗匹配所带来的影响。因此，通过使连接匹配电路与第一BPF的布线比连接匹配电路与第二BPF的布线短，能够减少连接匹配电路与第一BPF的布线所引起的第一BPF的阻抗匹配时的调整量，能够减少BEF由于第一BPF的阻抗匹配而受到的影响。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以是三工器。
根据该构成，则能够实现同时对具有不同的频带的通带的三个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
在本发明的一方式所涉及的高频电路中，也可以上述第二分波电路还包含带通滤波器，上述高频电路是四工器。
根据该构成，则能够实现同时对具有不同的频带的通带的四个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
在本发明的一方式所涉及的高频电路中，也可以上述第一分波电路还包含第一高通滤波器以及第一低通滤波器，上述第二高通滤波器和上述低通滤波器与上述第一低通滤波器连接，上述高频电路还包含第三高通滤波器和第三低通滤波器，上述第三高通滤波器和上述第三低通滤波器与上述第一高通滤波器连接，上述高频电路是五工器。
根据该构成，则能够实现同时对具有不同的频带的通带的五个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
在本发明的一方式所涉及的高频电路中，也可以上述第二分波电路还包含带通滤波器或者高通滤波器，上述高频电路是六工器。
根据该构成，则能够实现同时对具有不同的频带的通带的六个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
本发明的一方式所涉及的高频电路也可以具备包含第二高通滤波器的第一分波电路、和与上述第一分波电路串联连接，且包含带阻滤波器和带通滤波器的第二分波电路。上述带阻滤波器与上述带通滤波器中的至少一个由弹性波谐振器构成，上述带阻滤波器的衰减频带、以及上述带通滤波器的通带与上述第二高通滤波器的通带重复，上述带阻滤波器是由至少一个弹性波谐振器以及至少一个电感器构成的混合滤波器，上述高频电路是同时对多个信号进行发送、接收、或者它们双方的多工器。
根据该构成，则能够实现同时对具有不同的频带的通带的两个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合，能够应用于使用了HB的高频信号和MB的高频信号的4×4multiple－input and multiple－output(所谓的4×4MIMO，发送用、接收用分别使用四根天线同时发送接收数据的技术)。
在本发明的一方式所涉及的高频电路中，也可以上述第一分波电路还包含第一高通滤波器以及第一低通滤波器，上述第二高通滤波器与上述第一低通滤波器连接，上述高频电路还包含第三高通滤波器和第三低通滤波器，上述第三高通滤波器和上述第三低通滤波器与上述第一高通滤波器连接。
根据该构成，则能够实现同时对具有不同的频带的通带的四个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合，能够应用于使用了LTE－U的高频信号、UHB的高频信号、HB的高频信号、以及MB的高频信号的4×4multiple－input and multiple－output(所谓的4×4MIMO，发送用、接收用分别使用四根天线同时发送接收数据的技术)。
另外，本发明的一方式所涉及的通信装置具备对由天线元件发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路、和在上述天线元件与上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号的上述的高频电路。
由此，能够提供能够利用简单的构成，同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度的通信装置。
根据本发明所涉及的高频电路以及通信装置，能够同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图2A是表示实施方式1所涉及的BEF的一个例子的电路图。
图2B是表示实施方式1所涉及的BPF的一个例子的电路图。
图3A是表示实施方式1所涉及的高频电路的第一路径的通过特性的一个例子的图表。
图3B是表示实施方式1所涉及的高频电路的第二路径的通过特性的一个例子的图表。
图3C是表示实施方式1所涉及的高频电路的第三路径的通过特性的一个例子的图表。
图4是比较第一路径～第三路径的通过特性的图。
图5是表示实施方式1的变形例所涉及的通信装置的一个例子的构成图。
图6A是表示实施方式1的变形例所涉及的层叠基板的一个例子的立体图。
图6B是图6A的VIB－VIB线上的剖视图。
图7是表示实施方式2所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图8是用于说明实施方式2所涉及的高频电路的通过特性的图。
图9是表示实施方式2所涉及的高频电路的一个例子的配置图。
图10是表示与第二BPF并联连接电感器的电路的一个例子的电路图。
图11是表示实施方式2的变形例所涉及的通信装置的一个例子的构成图。
图12是表示其它的实施方式所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图13是表示其它的实施方式所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图14是表示其它的实施方式所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图15是表示其它的实施方式所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图16是表示其它的实施方式所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图17是表示其它的实施方式所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图18是表示其它的实施方式所涉及的高频电路的一个例子的构成图。
图19是表示以往的分波电路的其它的一个例子的构成图。
具体实施方式
以下，使用实施方式及其附图对本发明的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式均示出综合或者具体的例子。以下的实施方式所示出的数值、构成要素、构成要素的配置以及连接形态等是一个例子，并不是限定本发明的主旨。以下的实施方式中的构成要素中，独立权利要求未记载的构成要素作为任意的构成要素说明。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比并不必须严格。
(实施方式1)
[1.1高频电路的构成]
首先，使用图1～图2B对实施方式1所涉及的高频电路1的构成进行说明。
图1是表示实施方式1所涉及的高频电路1的一个例子的构成图。
高频电路1具备第一分波电路10以及与第一分波电路10串联连接的第二分波电路20。分波电路是具有将分别传播相互不同的频带的高频信号的多个信号路径汇集为一个信号路径的功能，或者，将一个信号路径分为分别传播相互不同的频带的高频信号的多个信号路径的功能的电路。另外，高频电路1具备端子Port1～Port4。在连接端子Port1～Port3的各个与端子Port4的信号路径分别传播相互不同的频带的高频信号。高频电路1具有对输入到端子Port1～Port3的高频信号进行合波并从端子Port4输出的功能。另外，高频电路1具有对输入到端子Port4的高频信号进行分波并从端子Port1～Port3输出的功能。例如，在连接端子Port1与端子Port4的信号路径传播HB(High Band：高频段)的高频信号，在连接端子Port2与端子Port4的信号路径传播LB(Low Band：低频段)的高频信号，在连接端子Port3与端子Port4的信号路径传播MB(Middle Band：中间频段)的高频信号。例如，这里，HB是2300MHz～2700MHz的频带，LB是2100MHz的频带，MB是2100MHz～2200MHz的频带。此外，上述的频带是一个例子，本发明也能够应用于其它的频带。高频电路1例如是将分别与端子Port1～Port3连接的信号路径汇集到端子Port4的电路。
第一分波电路10包含第一HPF11和LPF12。第一HPF11的通带与LPF12的通带相比位于高频侧。第一HPF11以及LPF12例如是LC谐振电路。由此，能够容易地实现在高频侧具有较宽的通带的第一HPF11以及在低频侧具有较宽的通带的LPF12，能够从具有较低的频带的信号到具有较高的频带的信号与CA化对应。但是，第一HPF11以及LPF12的通过特性成为衰减斜率的陡度较低的特性。
对于第一HPF11以及LPF12来说，作为LC谐振电路例如由片式电感器以及片式电容器等离散部件实现。另外，对于第一HPF11以及LPF12来说，作为LC谐振电路例如也可以由IPD实现。由此，能够使第一HPF11以及LPF12小型化。此外，第一HPF11以及LPF12的电路构成是仅串联或者并联连接电感器和电容器的一般的电路构成，所以省略图示。
第二分波电路20包含BEF21和BPF22。BEF21与BPF22中的至少一个由弹性波谐振器构成。弹性波谐振器可以是弹性表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器以及体声波(BAW：Bulk Acoustic Wave)谐振器的任意一种。在本实施方式中，例如，BEF21以及BPF22均由弹性表面波谐振器构成。利用后述的图2A以及图2B对BEF21以及BPF22的详细的电路构成进行说明。
此外，由SAW谐振器构成的滤波器具备基板和IDT(Interdigital transducer：叉指换能器)电极。基板是至少表面具有压电性的基板。例如，基板也可以由设在表面的压电薄膜、音速与该压电薄膜不同的膜、以及支承基板等层叠体构成。另外，例如，基板也可以在基板整体具有压电性。该情况下，基板是由压电体层一层构成的压电基板。
端子Port1与以HB为通带的第一HPF11的输入端子连接。端子Port2与以LB为通带的LPF12的输入端子连接。端子Port3与以MB为通带的BPF22的输入端子连接。另外，第一HPF11以及LPF12具有共用的第一共用端子(输出端子)，第一共用端子与BEF21的输入端子串联连接。换句话说，在本实施方式中，第一分波电路10与第二分波电路20串联连接是指第一共用端子与BEF21的输入端子串联连接。例如，BEF21进一步对被第一HPF11滤波的信号或者被LPF12滤波的信号进行滤波。
另外，BEF21以及BPF22具有共用的第二共用端子(输出端子)，例如，被BEF21或者BPF22滤波的信号从端子Port4输出。换句话说，从端子Port4输出被串联连接的第一HPF11以及BEF21，被串联连接的LPF12以及BEF21，或者，被BPF22滤波的信号。这样，高频电路1将分别传播相互不同的频带的高频信号的多个信号路径汇集为一个信号路径。在本实施方式中，将经由串联连接的第一HPF11以及BEF21的路径称为第一路径，将经由串联连接的LPF12以及BEF21的路径称为第二路径，将经由BPF22的路径称为第三路径。
此外，高频电路1也可以与其它的部件组合作为高频模块、半导体装置实现。另外，高频电路1也可以不与其它的部件组合，而作为仅为高频电路1的元件实现。例如，在高频电路1作为仅为高频电路1的元件实现的情况下，第一分波电路10以及第二分波电路20既可以一体地形成，也可以独立地形成。
接下来，使用图2A以及图2B对BEF21以及BPF22的详细的电路构成进行说明。
图2A是表示实施方式1所涉及的BEF21的一个例子的电路图。
图2B是表示实施方式1所涉及的BPF22的一个例子的电路图。
在本申请的高频电路中，BEF21由至少一个弹性波谐振器以及至少一个电感器构成。弹性波谐振器在不激发弹性波的频率区域示出与电容器相同的举动，所以在不激发弹性波的频率区域示出与LC滤波器相同的举动，在激发弹性波的区域示出作为弹性波滤波器的举动。因此，有时将由至少一个弹性波谐振器以及至少一个电感器构成的滤波器称为混合滤波器。具体而言，如图2A所示，BEF21具备电感器211s、212s以及213p、及弹性表面波谐振器211p、212p、213s以及214s。电感器211s以及212s、及弹性表面波谐振器213s以及214s在连接端子Port5与端子Port4的路径(串联臂)上相互串联连接。端子Port4与图1所示的端子Port4对应。端子Port5虽然在图1中未图示，但其是BEF21的与第一分波电路10连接的端子。另外，弹性表面波谐振器211p以及212p、及电感器213p连接在连接电感器211s以及212s、电感器212s以及弹性表面波谐振器213s、及弹性表面波谐振器213s以及214s的各连接点与基准端子(地线)的路径(并联臂)上。通过由电感器211s以及212s、及弹性表面波谐振器211p以及212p构成的、使通带的一部分根据与弹性表面波谐振器211p以及212p对应的衰减极点衰减的低通滤波器型电路(LPF型电路)、和由弹性表面波谐振器213s以及214s、及电感器213p构成的、使通带的一部分根据与弹性表面波谐振器213s以及214s对应的衰减极点衰减的高通滤波器型电路(HPF型电路)，作成BEF21的衰减频带。通过组合LPF型电路和HPF型电路，成为除衰减的频带以外高频信号通过的带通滤波器的特性，能够确保通带以外的衰减。通过上述连接构成，构成作为梯型弹性表面波滤波器的BEF21。BEF21由至少一个弹性表面波谐振器构成，所以通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度较高。
另外，如图2B所示，BPF22具备弹性表面波谐振器221s、222s、223s、221p以及222p。弹性表面波谐振器221s、222s以及223s在连接端子Port3与端子Port4的路径(串联臂)上相互串联连接。端子Port3与图1所示的端子Port3对应。另外，弹性表面波谐振器221p以及222p连接在连接弹性表面波谐振器221s以及222s、及弹性表面波谐振器222s以及223s的各连接点与基准端子(地线)的路径(并联臂)上。通过上述连接构成，构成作为梯型弹性表面波滤波器的BPF22。BPF22由弹性表面波谐振器构成，所以通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度较高。
[1.2高频电路的通过特性]
接下来，使用图3A～图4对高频电路1的通过特性进行说明。
图3A是表示实施方式1所涉及的高频电路1的第一路径的通过特性的一个例子的图表。图3A的(a)是表示第一HPF11的通过特性以及BEF21的通过特性的图表，图3A的(b)是表示经由串联连接的第一HPF11以及BEF21的路径(第一路径)的通过特性的图表。例如，若着眼于第一路径，则图3A的(b)示意地示出相对于输入到端子Port1的信号的强度的从端子Port4输出的信号的强度比亦即插入损耗。
图3A的(a)所示的实线表示第一HPF11的通过特性，虚线表示BEF21的通过特性。BEF21的衰减频带与第一HPF11的通带相比位于低频侧。具体而言，BEF21的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率(通过特性从BEF21的高频侧的通带朝向BEF21的衰减频带衰减的位置)使第一HPF11的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率(通过特性从第一HPF11的通带朝向第一HPF11的衰减频带衰减的位置)衰减。其结果，如图3A的(b)所示，第一路径的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率较陡峭。此外，包含图3A在以下所示的通过特性的图表的纵轴上，插入损耗的上侧较小下侧较大。另外，由于第一HPF11在高频侧具有较宽的通带，所以在第一路径上，高频侧的较宽的频带内的HB的高频信号通过，且能够使MB以及LB的高频信号衰减。
图3B是表示实施方式1所涉及的高频电路1的第二路径的通过特性的一个例子的图表。图3B的(a)是表示LPF12的通过特性以及BEF21的通过特性的图表，图3B的(b)是表示经由串联连接的LPF12以及BEF21的路径(第二路径)的通过特性的图表。
图3B的(a)所示的实线表示LPF12的通过特性，虚线表示BEF21的通过特性。BEF21的衰减频带与LPF12的通带相比位于高频侧。具体而言，BEF21的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率(通过特性从BEF21的低频侧的通带朝向BEF21的衰减频带衰减的位置)使LPF12的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率(通过特性从LPF12的通带朝向LPF12的衰减频带衰减的位置)衰减。由此，LPF12的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率被BEF21衰减。此时，由于BEF21的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度较高，所以如图3B的(b)所示，第二路径的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率较陡峭。另外，由于LPF12在低频侧具有较宽的通带，所以在第二路径上，低频侧的较宽的频带内的LB的高频信号通过，且能够使MB以及HB的高频信号衰减。
图3C是表示实施方式1所涉及的高频电路1的第三路径的通过特性的一个例子的图表。
图3C所示的实线表示BPF22的通过特性。由于BPF22的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度较高，所以如图3C所示，经由BPF22的路径(第三路径)的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率较陡峭。另外，在第三路径上，由于BPF22的通带位于第一HPF11的通带与LPF12的通带之间，所以与BPF22的通带对应的MB的高频信号通过，且能够使LB以及HB的高频信号衰减。
此外，图3A～图3C分别是相同的度量的图表。因此，如图3A～图3C所示，BEF21的衰减频带、以及BPF22的通带位于第一HPF11的通带与LPF12的通带之间。并且，BEF21的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率使第一HPF11的通过特性的过渡频带上的衰减斜率、以及LPF12的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的至少一方衰减。由此，陡度较低的第一HPF11或者LPF12的衰减斜率被陡度较高的BEF21的衰减斜率衰减，而在第一路径或者第二路径上衰减斜率的陡度提高。另外，由于BPF22的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度较高，所以在第三路径上衰减斜率的陡度较高。
接下来，在图4中，比较第一路径～第三路径的通过特性。
图4是比较第一路径～第三路径的通过特性的图。
如上述那样，在第一路径传播HB的高频信号，在第二路径传播LB的高频信号，在第三路径传播MB的高频信号。由于第一HPF11在高频侧具有较宽的通带，所以在第一路径上，高频侧的较宽的频带内的HB的高频信号通过。由于LPF12在低频侧具有较宽的通带，所以在第二路径上，低频侧的较宽的频带内的LB的高频信号通过。另外，在第三路径上，由于BPF22的通带位于第一HPF11的通带与LPF12的通带之间，所以与BPF22的通带对应的MB的高频信号通过。这样，高频电路1能够从低频侧的例如LB的信号到高频侧的例如HB的信号与较宽的频带的信号的CA化对应。
另外，由于第一路径的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率较陡峭，第三路径的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率较陡峭，所以通过第一路径的HB的高频信号与通过第三路径的MB的高频信号不容易相互影响。另外，由于第二路径的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率较陡峭，第三路径的通过特性的位于过渡频带的衰减斜率较陡峭，所以通过第二路径的LB的高频信号与通过第三路径的MB的高频信号不容易相互影响。
这样，能够利用仅串联连接包含第一HPF11以及LPF12的第一分波电路10与包含BEF21以及BPF22的第二分波电路20的简单的构成同时发送接收分别不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
(实施方式1的变形例)
实施方式1所涉及的高频电路1仅具备作为最低限度需要的构成要素的第一分波电路10以及第二分波电路20，但本发明的高频电路也可以还具备其它的构成要素。另外，本发明的高频电路能够应用于通信装置。因此，在实施方式1的变形例中，对除了第一分波电路10以及第二分波电路20之外，还具备其它的构成要素的高频电路1a、以及具备高频电路1a的通信装置100进行说明。
[2.1通信装置的构成]
使用图5～图6B对实施方式1的变形例所涉及的通信装置100的构成进行说明。
图5是表示实施方式1的变形例所涉及的通信装置100的一个例子的构成图。此外，在图5也图示不包含于通信装置100的构成要素的天线元件ANT。
通信装置100具备高频电路1a以及RF信号处理电路(RFIC：Radio FrequencyIntegrated Circuit：射频集成电路)80。
高频电路1a具备第一分波电路10、第二分波电路20、LNA电路30、开关电路40、第三分波电路50以及开关IC(Integrated Circuit：集成电路)70。换句话说，高频电路1a除了高频电路1的构成要素之外，还具备LNA电路30、开关电路40、第三分波电路50、以及开关IC70。第一分波电路10以及第二分波电路20与实施方式1中的电路相同，所以省略说明。
开关IC70具有与天线元件ANT连接的共用端子、和与第三分波电路50具有的例如多工器51以及55的输入端子连接的多个选择端子。开关IC70例如根据来自通信装置100具有的控制部(未图示)的控制信号，通过将该共用端子与该多个选择端子的任意一个连接，将天线元件ANT与分别与规定的频段对应的多工器51以及55的任意一个连接。
第三分波电路50具有例如分别作为弹性表面波滤波器的BPF52～54以及BPF56～58。BPF52～54构成多工器51，BPF52～54构成多工器55。此外，虽然多工器51以及55这里是三工器，但也可以是双工器或者四工器等。BPF52～54以及BPF56～58的各个的通带并不特别限定。例如，BPF52以及56是HB的通带，BPF53以及57是LB的通带，BPF54以及58是MB的通带。
开关电路40具有开关IC41～43。例如，第一分波电路10与开关电路40由同一芯片形成。由此，能够使高频电路1a多功能化，并实现高频电路1a的小型化，进而能够实现通信装置100的小型化。此外，在本变形例中，开关电路40具有三个开关IC41～43，但并不限定于此，根据通信装置100处理的频段数，也可以具有两个以下，或者，四个以上的开关IC。
开关IC41具有与第三分波电路50具有的BPF52以及56的输出端子连接的多个选择端子和与LNA电路30具有的LNA31的输入端子连接的共用端子。开关IC41例如根据来自通信装置100具有的控制部的控制信号，通过将该共用端子与该多个选择端子的任意一个连接，将分别与HB对应的BPF52以及56的任意一个与LNA31连接。
开关IC42具有与第三分波电路50具有的BPF53以及57的输出端子连接的多个选择端子和与LNA电路30具有的LNA32的输入端子连接的共用端子。开关IC42例如根据来自通信装置100具有的控制部的控制信号，通过将该共用端子与该多个选择端子的任意一个连接，将分别与LB对应的BPF53以及57的任意一个与LNA32连接。
开关IC43具有与第三分波电路50具有的BPF54以及58的输出端子连接的多个选择端子和与LNA电路30具有的LNA33的输入端子连接的共用端子。开关IC43例如根据来自通信装置100具有的控制部的控制信号，通过将该共用端子与该多个选择端子的任意一个连接，将分别与MB对应的BPF54以及58的任意一个与LNA33连接。
LNA电路30具备LNA31～33，例如是放大HB、LB以及MB等高频信号，并输出到第一分波电路10以及第二分波电路20的接收放大电路。例如，第一分波电路10与LNA电路30由同一芯片形成。由此，能够使高频电路1a多功能化，并实现高频电路1a的小型化，进而能够实现通信装置100的小型化。此外，在本变形例中，第一分波电路10、LNA电路30以及开关电路40由同一芯片形成，但也可以LNA电路30以及开关电路40中的任意一个与第一分波电路10由同一芯片形成。另外，也可以LNA电路30以及开关电路40均不与第一分波电路10由同一芯片形成。
RF信号处理电路80通过向下变频等对从天线元件ANT经由高频电路1a输入的高频信号进行信号处理，并将进行该信号处理生成的接收信号例如输出给基带信号处理电路(未图示)。
这样，也可以使本发明的高频电路多功能化，并应用于通信装置。
此外，在本实施方式中，高频电路1a应用于接收路径，但也可以应用于发送路径。该情况下，代替LNA电路30而配置功率放大器(以下，也称为PA)电路，第一分波电路10以及第二分波电路20与天线ANT直接或者间接地连接，用于向天线ANT的高频信号的合波。
[2.2层叠基板]
高频电路1a也可以包含通过层叠多个层构成的层叠基板90。高频电路1a例如通过在层叠基板90的最上层或者最下层安装部件，或者在层叠基板90的内层内置部件，或者在构成层叠基板90的各层设置布线图案来实现。这里，使用图6A以及图6B对层叠基板90进行说明。
图6A是表示实施方式1的变形例所涉及的层叠基板90的一个例子的立体图。在图6A中，省略安装于层叠基板90的部件、以及设于层叠基板90的布线图案等的图示。
图6B是图6A的VIB－VIB线上的剖视图。在图6B中，示出设在构成层叠基板90的各层的布线图案中的一部分。
层叠基板90具有作为层叠基板90的最下层的基准接地层91、第一层93以及第二层95。这里，基准接地层91作为层叠基板90的最下层。第一层93与第二层95相比位于基准接地层91侧。换句话说，第一层93与基准接地层91相比配置在上层，第二层95与第一层93相比配置在上层。
在基准接地层91设有成为层叠基板90的基准电位的基准接地图案92。基准接地层91是在高频电路1a与安装基板连接时，用于将成为高频电路1a的基准电位的基准接地图案92与安装基板的地线连接的层。
在第一层93设有与基准接地图案92电连接的第一分波电路10的接地图案94。接地图案94与基准接地图案92例如通过层间连接导通孔电连接。接地图案94与基准接地图案92之间夹有其它的层而在物理上分离，所以接地图案94具有寄生电感成分。
在第二层95设有与基准接地图案92电连接的第二分波电路20的接地图案96。接地图案96与基准接地图案92例如通过层间连接导通孔电连接。接地图案96与基准接地图案92之间夹有其它的层而在物理上分离，所以接地图案96具有寄生电感成分。但是，由于第一层93与第二层95相比位于基准接地层91侧，所以接地图案96具有比接地图案94大的寄生电感成分。因此，由于第二分波电路20所包含的BEF21以及BPF22为梯型弹性表面波滤波器，所以通过离基准接地层91较远地设置第二分波电路20的接地图案96，而寄生电感成分增大，第二分波电路20的通带外的衰减特性提高。
另外，在第二层95设有与基准接地图案92电连接的第三分波电路50的接地图案97。换句话说，接地图案96与接地图案97设在构成层叠基板90的多个层中的一个层(第二层95)。另外，接地图案96与接地图案97在第二层95上相互分离地设置。换句话说，接地图案96与接地图案97在第二层95不连接。由此，能够抑制经由接地图案96和接地图案97而第二分波电路20以及第三分波电路50耦合，能够起到接收灵敏度的提高等效果。
通过像这样进行高频电路1a具备的第一分波电路10、第二分波电路20以及第三分波电路50等的层叠基板90上的接地图案的配置，能够实现兼得了衰减特性和通过特性的高频电路1a。
(实施方式2)
实施方式1的高频电路1例如将分别传播相互不同的频带的高频信号的多个信号路径汇集为一个信号路径，但本发明的高频电路也可以将一个信号路径分为分别传播相互不同的频带的高频信号的多个信号路径。因此，在实施方式2中，对将一个信号路径分为分别传播相互不同的频带的高频信号的多个信号路径的高频电路2进行说明。
[3.1高频电路的构成]
使用图7对实施方式2所涉及的高频电路2的构成进行说明。
图7是表示实施方式2所涉及的高频电路2的一个例子的构成图。
高频电路2具备第一分波电路110以及与第一分波电路110串联连接的第二分波电路120。另外，高频电路2具备HPF131以及LPF132、及匹配电路140。高频电路2具备端子Port11～Port17。在端子Port11例如连接有天线元件。另外，在通过端子Port12～Port17的信号路径分别传播相互不同的频带的高频信号。在本实施方式中，高频电路2应用于接收路径，具有对输入到端子Port11的高频信号进行分波并从端子Port12～Port17输出的功能。此外，高频电路2也可以应用于发送路径，具有对输入到端子Port12～Port17的高频信号进行合波并从端子Port11输出的功能。
在通过端子Port12的信号路径例如传播LTE－U(LTE－Unlicensed)的高频信号。在通过端子Port13的信号路径例如传播UHB(Ultra High Band：超高频段)的高频信号。在通过端子Port14的信号路径例如传播HB2的高频信号。在通过端子Port15的信号路径例如传播HB1的高频信号。在通过端子Port16的信号路径例如传播MB的高频信号。在通过端子Port17的信号路径例如传播LB的高频信号。例如，LTE－U是5GHz的频带，UHB是2700MHz～3800MHz的频带，HB2是2496MHz～2690MHz的频带，HB1是2300MHz～2400MHz的频带，MB是1710MHz～2170MHz的频带，LB是699MHz～960MHz的频带。此外，上述的频带是一个例子，本发明也能够应用于其它的频带。高频电路2例如是使与端子Port11连接的信号路径分支为端子Port12～Port17的各个的电路。
第一分波电路110包含第一HPF111、第一LPF112、第二HPF113以及LPF114。第一HPF111、第一LPF112、第二HPF113以及LPF114例如是LC谐振电路。由此，能够容易地实现在高频侧具有较宽的通带的第一HPF111以及第二HPF113、及在低频侧具有较宽的通带的第一LPF112以及LPF114，能够从具有较低的频带的信号到具有较高的频带的信号与CA化对应。但是，第一HPF111、第一LPF112、第二HPF113以及LPF114的通过特性的衰减斜率的陡度较低。此外，由于第一HPF111、第一LPF112、第二HPF113以及LPF114的电路构成是串联或者并联连接电感器与电容器的一般的电路构成，所以省略图示。
第二分波电路120包含BEF123和BPF。在本实施方式中，BPF包含通带相互不同的第一BPF121和第二BPF122。BEF123与第一BPF121以及第二BPF122中的至少一个由弹性波谐振器构成。在本实施方式中，例如，BEF123、第一BPF121以及第二BPF122均由弹性表面波谐振器构成。BEF123的电路构成例如与图2A所示的电路构成相同，第一BPF121以及第二BPF122的电路构成例如与图2B所示的电路构成相同，所以省略说明。
高频电路2是同时对多个信号进行发送、接收、或者它们双方的多工器。
此外，由SAW谐振器构成的滤波器具备基板和IDT电极。基板是至少表面具有压电性的基板。例如，基板也可以由设在表面的压电薄膜、音速与该压电薄膜不同的膜、以及支承基板等层叠体构成。另外，例如，基板也可以在基板整体具有压电性。该情况下，基板是由压电体层一层构成的压电基板。
第一HPF111以及第一LPF112、第二HPF113以及LPF114、HPF131以及LPF132、及第一BPF121、第二BPF122以及BEF123分别具有共用端子(输入端子)。第一HPF111的输出端子与HPF131以及LPF132的共用端子连接。LPF112的输出端子与第二HPF113以及LPF114的共用端子连接。第二HPF113的输出端子与第一BPF121、第二BPF122以及BEF123的共用端子连接。在本实施方式中，第一分波电路110与第二分波电路120串联连接是指第二HPF113的输出端子与第一BPF121、第二BPF122以及BEF123的共用端子连接。此外，在本实施方式中，第二HPF113的输出端子与第一BPF121、第二BPF122以及BEF123的共用端子经由匹配电路140连接。
匹配电路140是用于进行第一BPF121、第二BPF122以及BEF123的阻抗匹配的电路，与第一BPF121以及第二BPF122连接。匹配电路140例如是由包含并联电感器、并联电容器、串联的电感器、串联的电容器中至少一个的电路构成的电路。
[3.2高频电路的通过特性]
接下来，使用图8对高频电路2的通过特性进行说明。
图8是用于说明实施方式2所涉及的高频电路2的通过特性的图。图8的(a)是示意地表示高频电路2具有的各滤波器的通带(BEF123是衰减频带)的图。图8的(b)是比较连接高频电路2的端子Port11与端子Port12～17的各个的各路径的通过特性的图。
如图8的(a)所示，第一HPF111的通带与LPF112的通带相比位于高频侧，HPF131的通带与LPF132的通带相比位于高频侧，第一HPF111的通带与LPF132的通带以及HPF131的通带重复。由此，经由串联连接的第一HPF111以及HPF131的路径上的通带成为LTE－U，经由串联连接的第一HPF111以及LPF132的路径上的通带成为UHB。
另外，第二HPF113的通带位于第一HPF111的通带与LPF114的通带之间，LPF112的通带与LPF114的通带以及第二HPF113的通带重复。由此，经由串联连接的LPF112以及LPF114的路径上的通带成为LB。
另外，第二HPF113的通带、第一BPF121以及第二BPF122的通带、及BEF123的衰减频带重复。由此，经由串联连接的LPF112、第二HPF113以及BEF123的路径上的通带成为MB。经由串联连接的LPF112、第二HPF113以及第一BPF121的路径上的通带成为HB1。经由串联连接的LPF112、第二HPF113以及第二BPF122的路径上的通带成为HB2。此外，第一HPF111的通带与LPF114的通带相比位于高频侧，BEF123的衰减频带以及BPF(第一BPF121以及第二BPF122)的通带位于第一HPF111的通带与LPF114的通带之间。
根据以上的构成，如图8的(b)所示，高频电路2能够从低频侧的例如LB的信号到高频侧的例如LTE－U的信号与较宽的频带的信号的CA化对应。另外，由于BEF123的衰减频带与第一BPF121的通带(HB1)以及第二BPF122的通带(HB2)重复，所以第一BPF121的通带以及第二BPF122的通带不与第二HPF113的通带中除了BEF123的衰减频带之外的频带(MB)重复。因此，具有第一BPF121或者第二BPF122的通带的频率成分的信号与具有第二HPF113的通带中除了BEF123的衰减频带之外的频带(MB)的频率成分的信号不容易相互影响。另外，由于第二HPF113的通带的一部分被BEF123的陡度较高的衰减斜率衰减，所以串联连接的第二HPF113以及BEF123的衰减斜率的陡度如图8的(b)的MB的通过特性的高频侧的衰减斜率的陡度那样变高。因此，MB的高频信号与HB1的高频信号不容易相互影响。另外，由于第一BPF121以及第二BPF122的各个的衰减斜率的陡度较高，所以HB1的高频信号与HB2的高频信号不容易相互影响。
如图8(a)所示，带通滤波器(第一BPF121、第二BPF122、或者它们双方)的通带的一部分与上述带阻滤波器(BEF123)衰减频带的一部分重复。通过该结构，改善带通滤波器的插入损耗。
如图8(a)所示，带阻滤波器(BEF123)的衰减频带以外的频带亦即通带的一部分比带通滤波器(第一BPF121、第二BPF122、或者它们双方)的通带低。
在实施方式2所涉及的高频电路2中，使用带阻滤波器(BEF123)。在该带阻滤波器(BEF123)由LC滤波器构成的情况下，能够实现较宽的通带。在LTE的频率分配中MB的频带宽度比HB的频带宽度大。因此，通过对频带宽度较宽的MB使用带阻滤波器，与MB相比频带宽度较窄的HB使用带通滤波器，适合LTE中的MB与HB的载波聚合。
这样，能够利用仅串联连接包含第一HPF111、LPF112、LPF114以及第二HPF113的第一分波电路110与包含第一BPF121、第二BPF122以及BEF123的第二分波电路120的简单的构成，同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
[3.3匹配电路与第一BPF以及第二BPF的位置关系]
接下来，使用图9对匹配电路140与第一BPF121以及第二BPF122的位置关系进行说明。
图9是表示实施方式2所涉及的高频电路2的一个例子的配置图。图9示意地示出由层叠基板等实现高频电路2时的、高频电路2的构成要素的一部分的在基板上的配置。图9示出连接匹配电路140与第一BPF121的布线141、以及连接匹配电路140与第二BPF122的布线142。
如图8的(a)所示，第一BPF121的通带与第二BPF122的通带中，第一BPF121的通带更位于BEF123的所希望的通带(第二HPF113的通带中的除了BEF123的虚线的箭头之外的范围，例如图8的(a)中的MB的范围)的附近。因此，第一BPF121与第二BPF122相比，容易给予BEF123影响。例如，在连接匹配电路140与第一BPF121的布线141较长的情况下，与布线141所引起的阻抗的变动对应地，通过匹配电路140进行的第一BPF121的阻抗匹配时的调整量较大。该情况下，由于与较长的布线141有关的阻抗匹配，通带位于第一BPF121的通带的附近的BEF123受到影响。
另一方面，第一BPF121的通带与第二BPF122的通带中，第二BPF122的通带更位于BEF123的所希望的通带的远处，所以第二BPF122与第一BPF121相比，不容易给予BEF123影响。因此，即使在连接匹配电路140与第二BPF122的布线142较长的情况下，通带不位于第二BPF122的通带的附近的BEF123也不容易受到与布线142有关的阻抗匹配所带来的影响。
因此，如图9所示，使连接匹配电路140与第一BPF121的布线141比连接匹配电路140与第二BPF122的布线142短。由此，能够减少布线141所引起的第一BPF121的阻抗匹配时的调整量，能够减少BEF123由于第一BPF121的阻抗匹配所受到的影响。
[3.4高频电路的其它的特征]
接下来，使用图10对高频电路2的其它的特征进行说明。
图10是表示与第二BPF122并联地连接电感器150的电路的一个例子的电路图。此外，如上述那样，第二BPF122的电路构成例如与图2B所示的电路构成相同，所以省略说明。此外，端子Port14与图7所示的端子Port14对应。端子Port18虽然在图7中未图示，但其是BPF122的与匹配电路140连接的端子。另外，在图7中，省略电感器150的图示。
一般而言，在拓宽BPF的通带的情况下，该通带外的衰减量变小。因此，即使在拓宽BPF的通带的情况下，通过在BPF并联连接在该通带外具有衰减极点的电感器，也能够通过该电感器以及在连接该电感器时产生的寄生电容成分，增大该通带外的衰减量。
在本实施方式中，如图8的(b)所示，与第一BPF121的通带(HB1)相比第二BPF122的通带(HB2)更宽。因此，如图10所示，在通带更宽的第二BPF122并联连接电感器150。由此，能够增大由于拓宽第二BPF122的通带而减小的该通带外的衰减量。此外，电感器150也可以与第一BPF121并联连接，也可以与第一BPF121以及第二BPF122的各个并联连接。
(实施方式2的变形例)
实施方式2所涉及的高频电路2具备了作为最低限度需要的构成要素的第一分波电路110以及第二分波电路120，但本发明的高频电路也可以还具备其它的构成要素。另外，本发明的高频电路能够应用于通信装置。因此，在实施方式2的变形例中，对除了第一分波电路110以及第二分波电路120之外，还具备其它的构成要素的高频电路2a、以及具备高频电路2a的通信装置200进行说明。
[4.1通信装置的构成]
使用图11对实施方式2的变形例所涉及的通信装置200的构成进行说明。
图11是表示实施方式2的变形例所涉及的通信装置200的一个例子的构成图。此外，在图11也图示不包含于通信装置200的构成要素的天线元件ANT。
通信装置200具备高频电路2a以及RF信号处理电路190。
高频电路2a具备第一分波电路110以及第二分波电路120、HPF131、LPF132、LNA电路160、开关电路170以及第三分波电路180。换句话说，高频电路2a除了高频电路2的构成要素之外，还具备LNA电路160、开关电路170以及第三分波电路180。第一分波电路110、第二分波电路120、HPF131以及LPF132与实施方式2中的电路相同，所以省略说明。
第三分波电路180例如具有双工器181～184。双工器181例如是对LTE－U的高频信号进行分波的滤波器。双工器182例如是对UHB的高频信号进行分波的滤波器。双工器183例如是对MB的高频信号进行分波的滤波器。双工器184例如是对LB的高频信号进行分波的滤波器。通过双工器181～184，能够将LTE－U等较宽的频带的高频信号分波为特定的较窄的频带的高频信号。
开关电路170具有开关IC171～173。例如，第一分波电路110与开关电路170由同一芯片形成。此外，在本变形例中，开关电路170具有三个开关IC171～173，但并不限定于此，根据通信装置200处理的频段数，也可以具有两个以下，或者，四个以上的开关IC。
开关IC171具有与第三分波电路180具有的双工器181以及182的输出端子连接的多个选择端子和与LNA电路160具有的LNA161的输入端子连接的共用端子。开关IC171例如根据来自通信装置200具有的控制部(未图示)的控制信号，通过将该共用端子与该多个选择端子的任意一个连接，将构成与LTE－U对应的双工器181的滤波器以及构成与UHB对应的双工器182的滤波器的任意一个与LNA161连接。
开关IC172具有与第二分波电路120具有的第一BPF121以及第二BPF122、及第三分波电路180具有的双工器183的输出端子连接的多个选择端子和与LNA电路160具有的LNA162的输入端子连接的共用端子。开关IC172例如根据来自通信装置200具有的控制部的控制信号，通过将该共用端子与该多个选择端子的任意一个连接，来将与HB1对应的第一BPF121、与HB2对应的第二BPF122以及构成与MB对应的双工器183的滤波器的任意一个与LNA162连接。
开关IC173具有与第三分波电路180具有的双工器184的输出端子连接的多个选择端子和与LNA电路160具有的LNA163的输入端子连接的共用端子。开关IC173例如根据来自通信装置200具有的控制部的控制信号，通过将该共用端子与该多个选择端子的任意一个连接，将构成与LB对应的双工器184的滤波器的任意一个与LNA163连接。
LNA电路160具备LNA161～163，例如，是放大从LB到LTE－U的高频信号，并输出给RF信号处理电路190的接收放大电路。例如，第一分波电路110与LNA电路160由同一芯片形成。此外，在本变形例中，第一分波电路110、LNA电路160以及开关电路170由同一芯片形成，但也可以LNA电路160以及开关电路170中的任意一个与第一分波电路110由同一芯片形成。另外，也可以LNA电路160以及开关电路170均不与第一分波电路110由同一芯片形成。
RF信号处理电路190通过向下变频等对从天线元件ANT经由高频电路2a输入的高频信号进行信号处理，并将进行该信号处理生成的接收信号例如输出给基带信号处理电路(未图示)。
这样，也可以使本发明的高频电路多功能化，并应用于通信装置。
此外，虽然在本实施方式中，高频电路2a应用于接收路径，但也可以应用于发送路径。该情况下，代替LNA电路160配置PA电路，第一分波电路110以及第二分波电路120使用于向天线ANT的高频信号的合波。
(其它的实施方式)
以上，对实施方式所涉及的高频电路以及通信装置进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。
例如，在实施方式1及其变形例中，第二分波电路20具备一个BPF22，但并不限定于此，也可以包含多个BPF。
另外，例如，在实施方式2及其变形例中，第二分波电路120具备第一BPF121以及第二BPF122，但并不限定于此，也可以包含一个BPF或者三个以上的BPF。
另外，例如，在实施方式2及其变形例中，高频电路2(2a)具备HPF131以及LPF132，但并不限定于此，也可以不具备它们。
另外，例如，在实施方式2及其变形例中，在第二BPF122并联连接电感器150，但并不限定于此，也可以不连接电感器150。
另外，例如，在实施方式2中，高频电路2具备匹配电路140，但并不限定于此，也可以不具备匹配电路140。
另外，例如，在实施方式2及其变形例中，第一分波电路110具备LPF112，但并不限定于此，也可以不具备LPF112。换句话说，也可以第一HPF111、第二HPF113以及LPF114具有共用的端子(输入端子)。并且，第一分波电路110也可以不具备第一HPF111。这里，使用图12对第一分波电路不具备第一HPF111以及LPF112的高频电路进行说明。
图12是表示其它的实施方式所涉及的高频电路2b的一个例子的构成图。
如图12所示，高频电路2b具备包含第二HPF113和第二LPF114的第一分波电路110a。另外，高频电路2b具备与第一分波电路110a串联连接，且包含BEF123和BPF的第二分波电路。这里BPF包含通带相互不同的第一BPF121和第二BPF122。BEF123与第一BPF121以及第二BPF122中的至少一个由弹性波谐振器构成。
另外，第二HPF113的通带与LPF114的通带相比位于高频侧，BEF123的衰减频带、及第一BPF121以及第二BPF122的通带与LPF114的通带相比位于高频侧，并且，与第二HPF113的通带重复。由此，连接高频电路2b的端子Port21与端子Port14～17的各个的各路径上的通过特性成为从图8的(b)所示的特性除去UHB以及LTE－U后的特性。
在图12的高频电路2b中，一个信号路径分为四个信号路径。换句话说，图12的高频电路2b是多工器，是将一个信号路径分为四个信号路径的四工器。
在通过端子Port14的信号路径例如传播HB2的高频信号。在通过端子Port15的信号路径例如传播HB1的高频信号。在通过端子Port16的信号路径例如传播MB的高频信号。在通过端子Port17的信号路径例如传播LB的高频信号。例如，HB2是2496MHz～2690MHz的频带，HB1是2300MHz～2400MHz的频带，MB是1427MHz～2200MHz的频带，LB是452MHz～960MHz的频带。根据该构成，则能够实现同时对具有不同的频带的通带的四个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
根据以上的构成，高频电路2b能够从低频侧的例如LB的信号到高频侧的例如HB2的信号与较宽的频带的信号的CA化对应。另外，由于BEF123的衰减频带与第一BPF121的通带(HB1)以及第二BPF122的通带(HB2)重复，所以第一BPF121的通带以及第二BPF122的通带不与第二HPF113的通带中除了BEF123的衰减频带之外的频带(MB)重复。因此，具有第一BPF121或者第二BPF122的通带的频率成分的信号与具有第二HPF113的通带中除了BEF123的衰减频带之外的频带(MB)的频率成分的信号不容易相互影响。另外，由于第二HPF113的通带的一部分被BEF123的陡度较高的衰减斜率衰减，所以串联连接的第二HPF113以及BEF123的衰减斜率的陡度变高。因此，MB的高频信号与HB1的高频信号不容易相互影响。另外，由于第一BPF121以及第二BPF122的各个的衰减斜率的陡度较高，所以HB1的高频信号与HB2的高频信号不容易相互影响。
这样，能够利用仅串联连接包含第二HPF113以及LPF114的第一分波电路110a与包含第一BPF121、第二BPF122以及BEF123的第二分波电路120的简单的构成，同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
也可以第二HPF113的相当于LPF114的通带的频带下的衰减量与没有低通滤波器(LPF114)的情况相比，在15dB以上，第二HPF113由电感器以及电容器构成，LPF114由电感器以及电容器构成。通过以上的构成，改善失真特性。作为其理由考虑以下。
弹性波谐振器基本而言失真特性较差，若施加发送信号等信号强度较高的高频信号，则产生高次谐波(二次谐波、三次谐波等)、互调失真(IMD2、IMD3)等失真。由于失真的产生导致通信装置的接收灵敏度的劣化等，所以尽量不使失真产生在通信质量上重要。
例如，在图12中从Port17输入作为LPF114的通带的低频段(LB)的发送信号的情况下，LB的发送信号输出到Port21，同时一部分的信号虽然被第二HPF113衰减但绕至第二分波电路120，而在第二分波电路120所包含的弹性波谐振器产生失真。
这里，若在第二HPF113的在相当于LPF114的通带的频带的衰减量在15dB以上，则高效地抑制到达第二分波电路120的LB的发送信号。因此，能够有效地抑制在第二分波电路120产生的失真。
特别是，在LB的通带为452～960MHz，第二分波电路120的通带为1427～2690MHz的情况下，LB的二次谐波、三次谐波与第二分波电路120的通带一部分重复。在这样的情况下，导致通信灵敏度的劣化。因此，在这样的频率构成中将第二HPF113的在相当于LPF114的通带的频带的衰减量确保在15dB以上以便LB的信号尽量不到达第二分波电路120是极其有效的。
另外，优选第二HPF113以及LPF114分别由电感器以及电容器构成。这是因为电感器、电容器是失真特性良好的元件。
图13是表示其它的实施方式所涉及的高频电路2b的一个例子的构成图。
在图13所示的高频电路2b中，第二分波电路120除了BEF123和BPF121之外，还包含第三高通滤波器(第三HPF122)。
另外，第二HPF113的通带与LPF114的通带相比位于高频侧，BEF123的衰减频带、及第一BPF121以及第三HPF122的通带与LPF114的通带相比位于高频侧，并且，与第二HPF113的通带重复。由此，连接高频电路2b的端子Port21与端子Port14～17的各个的各路径上的通过特性成为从图8的(b)所示的特性除去UHB以及LTE－U后的特性。
根据以上的构成，高频电路2b能够从低频侧的例如LB的信号到高频侧的例如HB2的信号与较宽的频带的信号的CA化对应。另外，由于BEF123的衰减频带与第一BPF121的通带(HB1)以及第三HPF122的通带(HB2)重复，所以第一BPF121的通带以及第三HPF122的通带不与第二HPF113的通带中除了BEF123的衰减频带之外的频带(MB)重复。因此，具有第一BPF121或者第三HPF122的通带的频率成分的信号与具有第二HPF113的通带中除了BEF123的衰减频带之外的频带(MB)的频率成分的信号不容易相互影响。另外，第二HPF113的通带的一部分被BEF123的陡度较高的衰减斜率衰减，从而串联连接的第二HPF113以及BEF123的衰减斜率的陡度提高。因此，MB的高频信号与HB1的高频信号不容易相互影响。另外，由于第一BPF121以及第三HPF122的各个的衰减斜率的陡度较高，所以HB1的高频信号与HB2的高频信号不容易相互影响。
这样，能够利用仅串联连接包含第二HPF113以及LPF114的第一分波电路110a与包含第一BPF121、第三HPF122以及BEF123的第二分波电路120的简单的构成，同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度。
图14是表示第二分波电路120不具备第二BPF122，而具备第一BPF121的高频电路2b的一个例子的构成图。在图14的高频电路2b中，一个信号路径被分为三个信号路径。换句话说，图14的高频电路2b是将一个信号路径分为三个信号路径的三工器。例如，在图14的高频电路2b中，在通过端子Port15的信号路径传播频带2300MHz～2690MHz的高频信号(HB的高频信号)。例如，在通过端子Port16的信号路径传播频带1427MHz～2200MHz的高频信号(MB的高频信号)。例如，在通过端子Port17的信号路径传播频带452MHz～960MHz的高频信号(LB的高频信号)。根据该构成，能够实现同时对具有不同的频带的通带的三个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
此外，即使是代替第一BPF121而是第三高通滤波器(第三HPF122)也能够得到相同的作用、效果。
图15是表示第二分波电路120不具备第二BPF122，而具备第一BPF121，且在第一分波电路110与第二分波电路120之间不具备匹配电路的高频电路2的一个例子的构成图。
如图15所示，高频电路2具备第一分波电路110以及与第一分波电路110串联连接的第二分波电路120。另外，高频电路2具备HPF131(第三高通滤波器)以及LPF132(第三高通滤波器)。
第一分波电路110包含第一HPF111、LPF112(第一低通滤波器)、第二HPF113以及LPF114(低通滤波器)。第二分波电路120包含BEF123和BPF。在本实施方式中，BPF包含通带相互不同的第一BPF121和第二BPF122。BEF123、第一BPF121以及第二BPF122中的至少一个由弹性波谐振器构成。在本实施方式中，例如，BEF123、第一BPF121以及第二BPF122均由弹性表面波谐振器构成。BEF123的电路构成例如与图2A所示的电路构成相同，第一BPF121以及第二BPF122的电路构成例如与图2B所示的电路构成相同，所以省略说明。
高频电路2具备端子Port11～Port13以及Port15～Port17。在端子Port11例如连接有天线元件。另外，在通过端子Port12、Port13以及Port15～Port17的信号路径分别传播相互不同的频带的高频信号。在本实施方式中，高频电路2应用于接收路径，具有对输入到端子Port11的高频信号进行分波并从端子Port12、Port13以及Port15～Port17输出的功能。此外，高频电路2也可以应用于发送路径，具有对输入到端子Port12、Port13以及Port15～Port17的高频信号进行合波并从端子Port11输出的功能。
在图15的高频电路2中，一个信号路径被分为五个信号路径。换句话说，图15的高频电路2是将一个信号路径分为五个信号路径的五工器。
在通过端子Port12的信号路径例如传播LTE－U的高频信号。在通过端子Port13的信号路径例如传播UHB(Ultra HighBand)的高频信号。在通过端子Port15的信号路径例如传播HB的高频信号。在通过端子Port16的信号路径例如传播MB的高频信号。在通过端子Port17的信号路径例如传播LB的高频信号。例如，LTE－U是5GHz的频带，UHB是3400MHz～3800MHz的频带，HB是2300MHz～2690MHz的频带，MB是1427MHz～2200MHz的频带，LB是452MHz～960MHz的频带。此外，上述的频带是一个例子，本发明也能够应用于其它的频带。高频电路2例如是使与端子Port11连接的信号路径向端子Port12、Port13以及Port15～Port17的各个分支的电路。
根据该构成，能够实现同时对具有不同的频带的通带的五个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
图16是表示在第一分波电路110与第二分波电路120之间不具备匹配电路的高频电路2的一个例子的构成图。
高频电路2具备端子Port11～Port17。在端子Port11例如连接有天线元件。另外，在通过端子Port12～Port17的信号路径分别传播相互不同的频带的高频信号。在本实施方式中，高频电路2应用于接收路径，具有对输入到端子Port11的高频信号进行分波并从端子Port12～Port17输出的功能。此外，高频电路2也可以应用于发送路径，具有对输入到端子Port12～Port17的高频信号进行合波并从端子Port11输出的功能。
在图16的高频电路2中，一个信号路径被分为信号路径。换句话说，图16的高频电路2是将一个信号路径分为六个信号路径的六工器。
在通过端子Port12的信号路径例如传播LTE－U的高频信号。在通过端子Port13的信号路径例如传播UHB(Ultra HighBand)的高频信号。在通过端子Port14的信号路径例如传播HB2的高频信号。在通过端子Port15的信号路径例如传播HB1的高频信号。在通过端子Port16的信号路径例如传播MB的高频信号。在通过端子Port17的信号路径例如传播LB的高频信号。
例如，LTE－U是5GHz的频带，UHB是3400MHz～3800MHz的频带，HB2是2496MHz～2690MHz的频带，HB1是2300MHz～2400MHz的频带，MB是1427MHz～2200MHz的频带，LB是452MHz～960MHz的频带。此外，上述的频带是一个例子，本发明也能够应用于其它的频带。高频电路2例如是使与端子Port11连接的信号路径向端子Port12～Port17的各个分支的电路。
根据该构成，能够实现同时对具有不同的频带的通带的六个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
图17是表示其它的实施方式所涉及的高频电路2b的一个例子的构成图。
如图17所示，高频电路2b具备包含第二HPF113的第一分波电路110a。另外，高频电路2b具备与第一分波电路110a串联连接，且包含BEF123和BPF121的第二分波电路。BEF123、第一BPF121以及第二BPF122中的至少一个由弹性波谐振器构成。
在图17的高频电路2b中，一个信号路径被分为两个信号路径。换句话说，图17的高频电路2b是将一个信号路径分为两个信号路径的双信器。
在通过端子Port15的信号路径例如传播HB的高频信号。在通过端子Port16的信号路径例如传播MB的高频信号。例如，HB是2300MHz～2690MHz的频带，MB是1427MHz～2200MHz的频带。根据该构成，能够实现同时对具有不同的频带的通带的两个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
第二HPF113的频带外的衰减量在15dB以上。作为频带外的频率，例如是LB的高频信号亦即452MHz～960MHz的频率带。根据该构成，从Port21侵入的LB的高频信号在到达第二分波电路的期间被充分衰减，所以改善失真特性。
例如，图17的高频电路2b最适合使用于不包含LB的用途。例如，最适合使用于使用了HB的高频信号和MB的高频信号的4×4multiple－input and multiple－output(所谓的4×4MIMO，发送用、接收用分别使用四根天线同时发送接收数据的技术)。
图18是表示其它的实施方式所涉及的高频电路2的一个例子的构成图。
如图18所示，高频电路2具备第一分波电路110以及与第一分波电路110串联连接的第二分波电路120。另外，高频电路2具备HPF131(第三高通滤波器)以及LPF132(第三低通滤波器)。高频电路2具备端子Port12、Port13、Port15、Port16。
第一分波电路110包含第一HPF111、LPF112(第一低通滤波器)、第二HPF113。第二分波电路120包含BEF123和BPF122。BEF123和BPF122由弹性波谐振器构成。在本实施方式中，例如，BEF123、BPF122均由弹性表面波谐振器构成。BEF123的电路构成例如与图2A所示的电路构成相同，BPF122的电路构成例如与图2B所示的电路构成相同，所以省略说明。
在端子Port11例如连接有天线元件。另外，在通过端子Port12、Port13、Port15、Port16的信号路径分别传播相互不同的频带的高频信号。在本实施方式中，高频电路2应用于接收路径，具有对输入到端子Port11的高频信号进行分波，并从端子Port12、Port13、Port15、Port16输出的功能。此外，高频电路2也可以应用于发送路径，具有对输入到端子Port12、Port13、Port15、Port16的高频信号进行合波并从端子Port11输出的功能。第一分波电路110a包含第二HPF113。第二分波电路包含BEF123和BPF121。BEF123、第一BPF121以及第二BPF122中的至少一个由弹性波谐振器构成。
在图18的高频电路2中，一个信号路径被分为四个信号路径。换句话说，图18的高频电路2是将一个信号路径分为四个信号路径的四工器。
在通过端子Port12的信号路径例如传播LTE－U的高频信号。在通过端子Port13的信号路径例如传播UHB(Ultra High Band)的高频信号。在通过端子Port15的信号路径例如传播HB的高频信号。在通过端子Port16的信号路径例如传播MB的高频信号。例如，LTE－U是5GHz的频带，UHB是3400MHz～3800MHz的频带，HB是2300MHz～2690MHz的频带，MB是1427MHz～2200MHz的频带。此外，上述的频带是一个例子，本发明也能够应用于其它的频带。高频电路2例如是使与端子Port11连接的信号路径向端子Port12、Port13、Port15、Port16的各个分支的电路。根据该构成，能够实现同时对具有不同的频带的通带的四个信号进行发送、接收、或者它们双方的载波聚合。
第二HPF113上的LPF114的通带的衰减量在15dB以上。根据该构成，改善失真特性。
例如，图18的高频电路2最适合使用于使用了LTE－U的高频信号、UHB的高频信号、HB的高频信号、以及MB的高频信号的4×4 multiple－input and multiple－output(所谓的4×4MIMO，发送用、接收用分别使用四根天线同时发送接收数据的技术)。
另外，例如，在上述实施方式中，第一分波电路所包含的BEF是图2A所示的电路构成，但并不限定于此，也可以是由使用了弹性波谐振器的其它的电路构成实现的BEF。另外，虽然第二分波电路所包含的BPF是图2B所示的电路构成，但并不限定于此，也可以是由使用了弹性波谐振器的其它的电路构成实现的BPF。
另外，例如，虽然在实施方式1中，三个信号路径汇集为一个(也就是三工器)，但并不限定于此，也可以四个以上的信号路径汇集为一个(也就是四工器、五工器、六工器或者其以上的多工器)。
另外，例如，虽然在实施方式2中，一个信号路径分为六个信号路径，但并不限定于此。例如，在高频电路2不具备HPF131以及LPF132的情况下，或者，在第二分波电路120包含一个BPF的情况下，也可以一个信号路径分为五个信号路径。另外，例如，在高频电路2不具备HPF131以及LPF132，并且，第二分波电路120包含一个BPF的情况下，也可以一个信号路径分为四个信号路径。
另外，在实施方式1的变形例中，通信装置100具备高频电路1a，但并不限定于此，例如也可以具备高频电路1。换句话说，也可以通信装置100不具备LNA电路30、开关电路40以及第三分波电路50等。
另外，在实施方式2的变形例中，通信装置200具备高频电路2a，但并不限定于此，例如也可以具备高频电路2。换句话说，也可以通信装置200不具备LNA电路160、开关电路170以及第三分波电路180等。
另外，对实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形得到的方式、通过在不脱离本发明的主旨的范围内任意地组合各实施方式中的构成要素以及功能实现的方式也包含于本发明。
本发明作为能够以简单的构成同时发送接收彼此不同的频带的多个频段的信号，并且，能够提高通过特性的位于过渡频带的衰减斜率的陡度的高频电路以及通信装置，能够广泛地利用于移动电话等通信设备。
附图标记说明
1、1a、2、2a、2b…高频电路，10、110、110a…第一分波电路，11、111…第一HPF，12、112、114、132…LPF，20、120…第二分波电路，21、123…BEF，22、52～54、56～58…BPF，30、160…LNA电路，31～33、161～163…LNA，40、170…开关电路，41～43、70、171～173…开关IC，50、180…第三分波电路，51、55…多工器，80、190…RF信号处理电路，90…层叠基板，91…基准接地层，92…基准接地图案，93…第一层，94、96、97…接地图案，95…第二层，100、200…通信装置，113…第二HPF，121…第一BPF，122…第二BPF，131…HPF，140…匹配电路，141、142…布线，150、211s、212s、213p…电感器，181～184…双工器，211p、212p、213s、214s、221s～223s、221p、222p…弹性表面波谐振器，401、402…双信器。

Claims (30)

1.一种高频电路，其中，具备：
第一分波电路，其包含第一高通滤波器和低通滤波器；以及
第二分波电路，其与上述第一分波电路串联连接，且包含带阻滤波器和带通滤波器，
上述带阻滤波器与上述带通滤波器中的至少一个由弹性波谐振器构成，
上述第一高通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带相比位于高频侧，
上述带阻滤波器的衰减频带、以及上述带通滤波器的通带位于上述第一高通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带之间。
2.根据权利要求1所述的高频电路，其中，
上述第一高通滤波器以及上述低通滤波器具有共用的第一共用端子，
上述第一共用端子与上述带阻滤波器的端子串联连接，
上述带阻滤波器以及上述带通滤波器具有共用的第二共用端子，
上述带阻滤波器的通过特性的过渡频带上的衰减斜率使上述第一高通滤波器的通过特性的过渡频带上的衰减斜率、以及上述低通滤波器的通过特性的过渡频带上的衰减斜率的至少一方衰减。
3.根据权利要求1所述的高频电路，其中，
上述第一分波电路还包含第二高通滤波器，
上述带阻滤波器以及上述带通滤波器具有共用的共用端子，
上述共用端子与上述第二高通滤波器的端子连接，
上述第二高通滤波器的通带位于上述第一高通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带之间，
上述第二高通滤波器的通带、上述带通滤波器的通带、以及上述带阻滤波器的衰减频带重复。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的高频电路，其中，
上述第一高通滤波器以及上述低通滤波器是LC谐振电路。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的高频电路，其中，
在上述带通滤波器并联连接电感器。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的高频电路，其中，
上述带通滤波器包含通带相互不同的第一带通滤波器和第二带通滤波器。
7.根据权利要求6所述的高频电路，其中，
上述高频电路还具备与上述第一带通滤波器以及上述第二带通滤波器连接的匹配电路，
上述第一带通滤波器的通带与上述第二带通滤波器的通带中，上述第一带通滤波器的通带更加位于上述带阻滤波器的所希望的通带的附近，
连接上述匹配电路与上述第一带通滤波器的布线比连接上述匹配电路与上述第二带通滤波器的布线短。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的高频电路，其中，
上述高频电路还具备低噪声放大电路，
上述第一分波电路与上述低噪声放大电路由同一芯片形成。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的高频电路，其中，
上述高频电路还具备开关电路，
上述第一分波电路与上述开关电路由同一芯片形成。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的高频电路，其中，
上述高频电路包含层叠多个层构成的层叠基板，
上述第一高通滤波器以及上述低通滤波器分别是LC谐振电路，
上述带阻滤波器以及上述带通滤波器分别是梯型弹性表面波滤波器，
上述层叠基板具有作为该层叠基板的最下层的基准接地层、第一层以及第二层，
在上述基准接地层设有成为上述层叠基板的基准电位的基准接地图案，
在上述第一层设有与上述基准接地图案电连接的上述第一分波电路的接地图案，
在上述第二层设有与上述基准接地图案电连接的上述第二分波电路的接地图案，
上述第一层与上述第二层相比位于上述基准接地层侧。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的高频电路，其中，
上述高频电路包含层叠多个层构成的层叠基板，
还具备作为弹性波滤波器的第三分波电路，
上述第二分波电路的接地图案与上述第三分波电路的接地图案在上述多个层中的一个层相互分离地设置。
12.一种高频电路，其中，具备：
第一分波电路，其包含第二高通滤波器和低通滤波器；以及
第二分波电路，其与上述第一分波电路串联连接，且包含带阻滤波器和带通滤波器，
上述带阻滤波器与上述带通滤波器中的至少一个由弹性波谐振器构成，
上述第二高通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带相比位于高频侧，
上述带阻滤波器的衰减频带、以及上述带通滤波器的通带与上述低通滤波器的通带相比位于高频侧，并且，与上述第二高通滤波器的通带重复。
13.根据权利要求12所述的高频电路，其中，
上述带阻滤波器是由至少一个弹性波谐振器以及至少一个电感器构成的混合滤波器。
14.根据权利要求12或者13所述的高频电路，其中，
上述高频电路是同时对多个信号进行发送、接收、或者发送和接收双方的多工器。
15.根据权利要求12～14中任意一项所述的高频电路，其中，
上述第二高通滤波器中的上述低通滤波器的通带的衰减量与没有上述低通滤波器的情况相比，在15dB以上，
上述第二高通滤波器由电感器以及电容器构成，
上述低通滤波器由电感器以及电容器构成。
16.根据权利要求12～15中任意一项所述的高频电路，其中，
上述带通滤波器的通带的一部分与上述带阻滤波器的衰减频带的一部分重复。
17.根据权利要求12～15中任意一项所述的高频电路，其中，
上述带阻滤波器的所希望的通带的一部分比上述带通滤波器的通带低。
18.根据权利要求12～17中任意一项所述的高频电路，其中，
上述第二分波电路还包含高通滤波器。
19.根据权利要求12～18中任意一项所述的高频电路，其中，
上述带阻滤波器由低通滤波器型电路和与上述低通滤波器型电路串联连接的高通滤波器型电路构成。
20.根据权利要求12～19中任意一项所述的高频电路，其中，
在上述带通滤波器并联连接有电感器。
21.根据权利要求12～20中任意一项所述的高频电路，其中，
还包含连接在上述第二高通滤波器与上述第二分波电路之间的匹配电路。
22.根据权利要求21所述的高频电路，其中，
上述匹配电路由电感器以及电容器的至少一个构成。
23.根据权利要求21或者22所述的高频电路，其中，
上述第一带通滤波器的通带与上述第二带通滤波器的通带中，上述第一带通滤波器的通带更加位于上述带阻滤波器的所希望的通带的附近，
连接上述匹配电路与上述第一带通滤波器的布线比连接上述匹配电路与上述第二带通滤波器的布线短。
24.根据权利要求12～17、19以及20中任意一项所述的高频电路，其中，
上述高频电路是三工器。
25.根据权利要求18～20中任意一项所述的高频电路，其中，
上述第二分波电路还包含带通滤波器，
上述高频电路是四工器。
26.根据权利要求12～17、19以及20中任意一项所述的高频电路，其中，
上述第一分波电路还包含第一高通滤波器以及第一低通滤波器，
上述第二高通滤波器和上述低通滤波器与上述第一低通滤波器连接，
上述高频电路还包含第三高通滤波器和第三低通滤波器，
上述第三高通滤波器和上述第三低通滤波器与上述第一高通滤波器连接，
上述高频电路是五工器。
27.根据权利要求26所述的高频电路，其中，
上述第二分波电路还包含带通滤波器或者高通滤波器，
上述高频电路是六工器。
28.一种高频电路，其中，具备：
第一分波电路，其包含第二高通滤波器；以及
第二分波电路，其与上述第一分波电路串联连接，且包含带阻滤波器和带通滤波器，
上述带阻滤波器与上述带通滤波器中的至少一个由弹性波谐振器构成，
上述带阻滤波器的衰减频带、以及上述带通滤波器的通带与上述第二高通滤波器的通带重复，
上述带阻滤波器是由至少一个弹性波谐振器以及至少一个电感器构成的混合滤波器，
上述高频电路是同时对多个信号进行发送、接收、或者发送和接收双方的多工器。
29.根据权利要求28所述的高频电路，其中，
上述第一分波电路还包含第一高通滤波器以及第一低通滤波器，
上述第二高通滤波器与上述第一低通滤波器连接，
上述高频电路还包含第三高通滤波器和第三低通滤波器，
上述第三高通滤波器和上述第三低通滤波器与上述第一高通滤波器连接。
30.一种通信装置，其中，具备：
RF信号处理电路，其对由天线元件发送接收的高频信号进行处理；以及
在上述天线元件与上述RF信号处理电路之间传递上述高频信号的权利要求1～29的任意一项所述的高频电路。
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