WO2022145306A1 - フィルタ装置、高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

フィルタ装置、高周波モジュール及び通信装置 Download PDF

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WO2022145306A1
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雅則 加藤
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株式会社村田製作所
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    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving

Definitions

  • the present invention relates to a filter device, a high frequency module and a communication device, in particular, a filter device including a ladder type circuit having a series arm resonator and a parallel arm resonator, a high frequency module including the filter device, and communication including the high frequency module. Regarding the device.
  • the elastic wave filter device described in Patent Document 1 includes a ladder type circuit and at least one inductor.
  • the ladder circuit has a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators. At least one inductor is connected to a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators. At least one inductor is used to widen the bandwidth of the filter.
  • An object of the present invention is to provide a filter device, a high frequency module, and a communication device that can realize a wide band pass band and suppress deterioration of filter characteristics.
  • the filter device of one aspect of the present invention includes a substrate and a ladder type filter mounted on the substrate.
  • the filter has a plurality of elastic wave resonators and at least one inductor.
  • the plurality of elastic wave resonators have a series arm resonator and a parallel arm resonator.
  • the at least one inductor is connected to the plurality of elastic wave resonators.
  • the pass band of the filter is wider than the resonance bandwidth of at least one of the plurality of elastic wave resonators.
  • the series arm resonator has a first piezoelectric substrate.
  • the parallel arm resonator has a second piezoelectric substrate different from the first piezoelectric substrate.
  • the high frequency module of one aspect of the present invention includes the filter device and a mounting board.
  • the mounting board mounts the filter device.
  • the communication device of one aspect of the present invention includes the high frequency module and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit is connected to the high frequency module and processes a high frequency signal.
  • FIG. 1 is a block diagram of a high frequency module and a communication device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the circuit configuration of the filter device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the separation structure of the piezoelectric substrate of the same filter device.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a separation structure of the piezoelectric substrate of the same filter device.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of the filter device according to the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a circuit diagram of the filter device according to the modification of the modification 1 of the same.
  • FIG. 7 is a circuit diagram of the filter device according to the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic configuration diagram of the filter device according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating a separation structure of the piezoelectric substrate of the same filter device.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing an example of the circuit configuration of the same filter device.
  • FIG. 11 is a plan view showing an example of the separation structure of the piezoelectric substrate of the same filter device.
  • FIG. 12 is a schematic configuration diagram of the filter device according to the third embodiment.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating a separation structure of the piezoelectric substrate of the same filter device.
  • FIG. 14 is an explanatory diagram illustrating a separation structure of the piezoelectric substrate of the filter device according to the modified example of the third embodiment.
  • FIGS. 1 to 14 referred to in the following embodiments and the like are schematic views, and the ratio of the size and the thickness of each component in the figure does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. Not necessarily.
  • the filter device 2 includes a filter substrate 26 (board) (see FIG. 3) and a filter 30.
  • the filter 30 is mounted on the filter board 26.
  • the filter 30 has a plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2, and at least one inductor L1 to L4.
  • the plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2 form a ladder type circuit having the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2.
  • At least one inductor L1 to L4 is connected to a plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2.
  • the pass bandwidth of the filter 30 is wider than the bandwidth of at least one of the plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2.
  • the series arm resonators S1 to S3 have a piezoelectric substrate 270 (first piezoelectric substrate).
  • the parallel arm resonators P1 and P2 have a piezoelectric substrate 280 (second piezoelectric substrate) different from the piezoelectric substrate 270.
  • the communication device 100 is a communication device including a high frequency module 1.
  • the communication device 100 is, for example, a mobile terminal (for example, a smartphone), but is not limited to this, and may be, for example, a wearable terminal (for example, a smart watch).
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting, for example, a 4G (4th generation mobile communication) standard and a 5G (5th generation mobile communication) standard.
  • the 4G standard is, for example, a 3GPP (Third Generation Partnership Project) LTE standard (LTE: Long Term Evolution).
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting carrier aggregation and dual connectivity.
  • the communication device 100 includes a signal processing circuit 20 and one or more (one in the illustrated example) antenna 40 in addition to the high frequency module 1.
  • the high frequency module 1 is configured to amplify the received signal (high frequency signal) received by the antenna 40 and output it to the signal processing circuit 20. Further, the high frequency module 1 is configured to amplify the transmission signal from the signal processing circuit 20 and output it to the antenna 40.
  • the high frequency module 1 is controlled by, for example, a signal processing circuit 20.
  • the signal processing circuit 20 is connected to the high frequency module 1 and is configured to process the received signal received from the high frequency module 1. Further, the signal processing circuit 20 is configured to process the transmission signal output to the high frequency module 1.
  • the signal processing circuit 20 includes an RF signal processing circuit 21 and a baseband signal processing circuit 22.
  • the RF signal processing circuit 21 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal (received signal). For example, the RF signal processing circuit 21 performs signal processing such as down-conversion on the received signal received from the high frequency module 1 and outputs it to the baseband signal processing circuit 22. Further, the RF signal processing circuit 21 performs signal processing such as up-conversion of the transmission signal output from the baseband signal processing circuit 22 and outputs it to the high frequency module 1.
  • RFIC Radio Frequency Integrated Circuit
  • the baseband signal processing circuit 22 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit).
  • the baseband signal processing circuit 22 outputs the received signal received from the RF signal processing circuit 21 to the outside. This output signal (received signal) is used, for example, for displaying an image as an image signal or for a telephone call as an audio signal. Further, the baseband signal processing circuit 22 generates a transmission signal from a baseband signal (for example, an audio signal and an image signal) input from the outside, and outputs the generated transmission signal to the RF signal processing circuit 21.
  • a baseband signal for example, an audio signal and an image signal
  • the high frequency module 1 of the present embodiment is a high frequency module including a filter device 2 having a pass band having a wide band (for example, a specific band of 7% or more).
  • the above broadband corresponds to, for example, the Sub6G band (for example, bands n77 and n79) in the 5G standard, and corresponds to, for example, Band 41 in the 4G standard.
  • the "ratio band” is the ratio of the passband width to the center frequency.
  • the high frequency module 1 transmits a high frequency signal (for example, a received signal and a transmitted signal) between the signal processing circuit 20 and the antenna 40.
  • the high frequency module 1 includes, for example, a filter device 2, a switch 3, a reception filter 4, a transmission filter 5, matching circuits 6 and 7, a low noise amplifier 8, and a power amplifier 9 as electronic components.
  • the high frequency module 1 includes a plurality of (for example, three) external connection terminals 10.
  • the high frequency module 1 includes a plurality of (for example, three) signal paths R1 to R3.
  • the high frequency module 1 includes a mounting board on which the above electronic components and the external connection terminal 10 are mounted.
  • the mounting board has a first main surface and a second main surface facing each other. The electronic components and the external connection terminal 10 are mounted on the first main surface or the second main surface of the mounting board.
  • the plurality of external connection terminals 10 include an antenna terminal 10A, a signal output terminal 10B, and a signal input terminal 10C.
  • the antenna terminal 10A is a terminal to which the antenna 40 is connected.
  • the signal output terminal 10B is a terminal that outputs the received signal processed by the high frequency module 1 to the signal processing circuit 20, and is connected to the input unit of the signal processing circuit 20.
  • the signal input terminal 10C is a terminal for inputting a transmission signal from the signal processing circuit 20, and is connected to an output unit of the signal processing circuit 20.
  • the signal paths R1 to R3 form a signal path R0 connecting a plurality of external connection terminals 10 for inputting or outputting a signal (received signal or transmitted signal). That is, the signal paths R1 to R3 are a part of the signal path R0.
  • the signal path R0 is a signal path through which a signal passing through the antenna terminal 10A flows.
  • the signal path R1 is a signal path connecting the antenna terminal 10A and the common terminal 3a of the switch 3.
  • a filter 30 is provided in the signal path R1.
  • the signal path R2 is a signal path connecting the selection terminal 3b of the switch 3 and the signal output terminal 10B.
  • the signal path R2 is provided with a reception filter 4, a matching circuit 6, and a low noise amplifier 8.
  • the signal path R3 is a signal path connecting the selection terminal 3c of the switch 3 and the signal input terminal 10C.
  • the signal path R3 is provided with a transmission filter 5, a matching circuit 7, and a power amplifier 9.
  • the switch 3 selects a signal path corresponding to the communication band used for receiving the received signal or transmitting the transmitted signal from the plurality of signal paths R2 and R3, and the selected signal path. Is connected to the signal path R1 connected to the antenna terminal 10A.
  • the switch 3 is, for example, a switch IC (Integrated Circuit).
  • the switch 3 has one or more (for example, one) common terminals 3a and one or more (two in the illustrated example) selection terminals 3b, 3c.
  • the common terminal 3a is connected to the input / output unit of the filter 30 via the signal path R1.
  • the selection terminal 3b is connected to the input unit of the reception filter 4 via the signal path R2, and the selection terminal 3c is connected to the output unit of the transmission filter 5 via the signal path R3.
  • the switch 3 switches the terminal connected to the common terminal 3a from among the plurality of selection terminals 3b and 3c. That is, the switch 3 selects one or more (for example, one) selection terminal from the plurality of selection terminals 3b and 3c, and connects (conducts) the selected selection terminal and the common terminal 3a.
  • the filter device 2 includes a wide-band filter 30 having a filter ratio band of, for example, 7% or more. Further, the pass band (first pass band) of the filter 30 is, for example, 3 GHz or more. The pass band of the filter 30 passes the signal of the first communication band (for example, n79).
  • the filter 30 is provided in the signal path R1 and is a transmission / reception filter for passing a signal flowing through the signal path R1 (that is, the signal path R0).
  • the filter 30 has a first input / output terminal and a second input / output terminal.
  • the first input / output terminal of the filter 30 is connected to the antenna terminal 10A, and the second input / output terminal of the filter 30 is connected to the common terminal 3a of the switch 3.
  • the filter 30 limits the received signal input to the first input / output terminal to the signal in the above-mentioned pass band and outputs the signal from the second input / output terminal. Further, the filter 30 limits the transmission signal input to the second input / output terminal to the signal in the above-mentioned pass band and outputs the transmission signal from the first input / output terminal.
  • the filter 30 is an elastic wave filter.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a surface acoustic wave (SAW: Surface Acoustic Wave) filter that utilizes a surface acoustic wave.
  • the filter 30 has a plurality of elastic wave resonators.
  • the elastic wave resonator has a piezoelectric substrate and an IDT electrode (comb-shaped electrode) formed on the piezoelectric substrate.
  • the plurality of elastic wave resonators constitute a ladder type circuit having a series arm resonator and a parallel arm resonator.
  • the filter 30 has at least one inductor connected to a plurality of elastic wave resonators.
  • the passband of the filter 30 is wider than the bandwidth of at least one of the plurality of elastic wave resonators.
  • the reception filter 4 and the transmission filter 5 are not limited to the SAW filter, and may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) filter other than the SAW filter.
  • the reception filter 4 is provided in the signal path R2, and passes a signal flowing through the signal path R2 (that is, the signal path R0).
  • the reception filter 4 has a pass band through which the signal of the second communication band is passed.
  • the transmission filter 5 is provided in the signal path R3, and passes a signal flowing through the signal path R3 (that is, the signal path R0).
  • the transmission filter 5 has a pass band through which the signal of the third communication band is passed.
  • the reception filter 4 and the transmission filter 5 have pass bands that overlap each other. Further, each pass band of the reception filter 4 and the transmission filter 5 overlaps with a part of the pass band of the filter 30. That is, each band of the second communication band and the third communication band overlaps a part of the band of the first communication band.
  • the reception filter 4 has an input terminal and an output terminal.
  • the input terminal of the reception filter 4 is connected to the selection terminal 3b of the switch, and the output terminal of the reception filter 4 is connected to the matching circuit 6.
  • the reception filter 4 limits the reception signal input to the input terminal to the signal in the above-mentioned pass band and outputs the signal from the output terminal.
  • the transmission filter 5 has an input terminal and an output terminal. The input terminal of the transmission filter 5 is connected to the matching circuit 7, and the output terminal of the transmission filter 5 is connected to the selection terminal 3c of the switch 3.
  • the transmission filter 5 limits the transmission signal input to the input terminal of the transmission filter 5 to the signal in the above-mentioned pass band and outputs the signal from the output terminal of the transmission filter 5.
  • the receiving filter 4 and the transmitting filter 5 may be elastic wave filters, respectively.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a surface acoustic wave (SAW: Surface Acoustic Wave) filter that utilizes a surface acoustic wave.
  • the receive filter 4 and the transmit filter 5 each have a plurality of elastic wave resonators.
  • the elastic wave resonator has a piezoelectric substrate and an IDT electrode (comb-shaped electrode) formed on the piezoelectric substrate.
  • the plurality of elastic wave resonators constitute a ladder type circuit having a series arm resonator and a parallel arm resonator.
  • the reception filter 4 and the transmission filter 5 are not limited to the SAW filter, and may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) filter other than the SAW filter.
  • the low noise amplifier 8 is provided in the signal path R2.
  • the low noise amplifier 8 has an input unit and an output unit.
  • the input unit is connected to the matching circuit 6, and the output unit is connected to the signal output terminal 10B.
  • the low noise amplifier 8 amplifies the received signal input to the input unit and outputs it from the output unit.
  • the power amplifier 9 is provided in the signal path R3.
  • the power amplifier 9 has an input unit and an output unit.
  • the input unit is connected to the signal input terminal 10C.
  • the output unit is connected to the matching circuit 7.
  • the power amplifier 9 amplifies the transmission signal input to the input unit and outputs it from the output unit.
  • the matching circuit 6 is provided in the signal path R2.
  • the matching circuit 6 is a circuit for impedance matching between the receiving filter 4 and the low noise amplifier 8, and is connected between the receiving filter 4 and the low noise amplifier 8.
  • the matching circuit 7 is provided in the signal path R3.
  • the matching circuit 7 is a circuit for achieving impedance matching between the transmission filter 5 and the power amplifier 9, and is connected between the transmission filter 5 and the power amplifier 9.
  • the common terminal 3a of the switch 3 is connected to the selection terminal 3b.
  • the signal path R1 and the signal path R2 are connected.
  • the received signal flows through the signal paths R1 and R2.
  • the received signal passes through the filter 30, the receiving filter 4, the matching circuit 6, and the low noise amplifier 8 in this order. Then, the received signal is output from the signal output terminal 10B to the signal processing circuit 20.
  • the common terminal 3a of the switch 3 is connected to the selection terminal 3c.
  • the signal path R1 and the signal path R3 are connected.
  • the transmission signal flows through the signal paths R3 and R1.
  • the transmission signal passes through the power amplifier 9, the matching circuit 7, the transmission filter 5, and the filter 30 in this order. Then, the transmission signal is output from the antenna terminal 10A and transmitted from the antenna 40.
  • the filter device 2 includes a filter 30.
  • the filter 30 includes a first input / output terminal 23, a second input / output terminal 24, a plurality of (for example, five) elastic wave resonators S1 to S3, P1, P2, and at least one (for example, 4) inductor L1. It is equipped with ⁇ L4.
  • the first input / output terminal 23 is a terminal connected to the antenna terminal 10A.
  • the second input / output terminal 24 is a terminal connected to the common terminal 3a of the switch 3.
  • the plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2 have the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2 between the first input / output terminal 23 and the second input / output terminal 24. It constitutes a rudder type circuit.
  • the series arm resonators S1 to S3 of the filter 30 are collectively described, the series arm resonator S30 is described, and when the parallel arm resonators P1 and P2 of the filter 30 are collectively described, the parallel arm resonance is described. It may be described as a child P30.
  • the series arm resonators S1 to S3 are connected in series with each other in the signal path (also referred to as a series arm) T1 between the first input / output terminal 23 and the second input / output terminal 24.
  • the parallel arm resonators P1 and P2 are provided in the signal paths (also referred to as parallel arms) T2 and T3 between the branch points N1 and N2 on the signal path T1 and the ground.
  • the branch point N1 is arranged between the adjacent series arm resonators S1 and S2, and the branch point N2 is arranged between the adjacent series arm resonators S2 and S3.
  • the signal path T2 connects the branch point N1 and the ground.
  • the signal path T3 is connected between the branch point N2 and the branch point N4 of the signal path T2.
  • the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2 form a pass band of the filter 30 (a frequency band of 4400 to 5000 MHz in the case of band n79). Further, the series arm resonators S1 to S3 form an attenuation band that steeply attenuates the band on the high frequency side of the filter 30 (near 5000 MHz in the case of the band n79). Further, the parallel arm resonators P1 and P2 form an attenuation band that steeply attenuates the band on the low frequency side of the filter 30 (near 4400 MHz in the case of the band n79).
  • the four inductors L1 to L4 are connected to a plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2. More specifically, the inductors L1 and L2 are connected to the series arm resonators S2 and S3. More specifically, the inductor L1 is connected between adjacent series arm resonators S2 and S3 (more specifically, between the series arm resonator S2 and the branch point N2). The inductor L2 is connected between the branch point N3 of the signal path T1 and the ground.
  • the inductors L1 and L2 connected to the series arm resonators S2 and S3 contribute to widening the pass band of the filter 30.
  • the inductors L3 and L4 are connected to the parallel arm resonators P1 and P2. More specifically, the inductors L3 and L4 are connected in series with each other between the parallel arm resonator P1 and the ground in the signal path T2. A branch point N4 to which the signal path T3 is connected is arranged between the inductors L3 and L4 in the signal path T2. The inductors L3 and L4 connected to the parallel arm resonators P1 and P2 contribute to widening the pass band of the filter 30.
  • the band n79 (4400 to 5000 MHz) is set as a pass band.
  • the anti-resonance frequencies of the series arm resonators S1 to S3 form an attenuation band on the high frequency side (near 5000 MHz) of the filter 30.
  • the resonance frequencies of the parallel arm resonators P1 and P2 form an attenuation band on the low frequency side (4400 MHz) of the filter 30.
  • the difference between the antiresonance frequency of the series arm resonators S1 to S3 and the resonance frequency of the parallel arm resonators P1 and P2 becomes relatively large.
  • the above difference may be about 600 MHz. This is because when the elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2 are formed by the IDT electrodes, the electrode pitch of the IDT electrodes of the series arm resonators S1 to S3 and the electrode pitch of the IDT electrodes of the parallel arm resonators P1 and P2. Means that is very different.
  • the IDT electrodes of the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2 are formed on a common piezoelectric substrate, the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2 are formed. It is difficult to form the electrode pitch of both IDT electrodes at the desired electrode pitch. That is, it is difficult to obtain desired filter characteristics in the filter 30. As a result, the filter characteristics of the filter 30 may deteriorate.
  • the piezoelectric substrate of the series arm resonators S1 to S3 and the piezoelectric substrate of the parallel arm resonators P1 and P2 are separated into different piezoelectric substrates (separation structure of the piezoelectric substrate). ..
  • the IDT electrodes of the series arm resonators S1 to S3 and the IDT electrodes of the parallel arm resonators P1 and P2 are formed by using different piezoelectric substrates.
  • the IDT electrodes of the series arm resonators S1 to S3 and the IDT electrodes of the parallel arm resonators P1 and P2 can be formed independently of each other.
  • the electrode pitches of the IDT electrodes of both the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2 can be easily formed at a desired electrode pitch.
  • the filter device 2 includes a filter board 26, a filter 30, and a first input / output terminal 23 and a second input / output terminal 24.
  • the filter 30 has a series arm resonator chip 27, a parallel arm resonator chip 28, and inductors L1 to L4.
  • the filter substrate 26 is a substrate for mounting electronic components (series arm resonator chips 27, parallel arm resonator chips 28, and inductors L1 to L4) constituting the filter 30, and is, for example, a rectangular plate.
  • the filter substrate 26 has a first main surface 261 and a second main surface 262 that face each other in the thickness direction of the filter substrate 26.
  • the electronic components, the first input / output terminal 23 and the second input / output terminal 24 are mounted on the first main surface 261 or the second main surface 262 of the filter board 26.
  • the electronic component, the first input / output terminal 23, and the second input / output terminal 24 are mounted on the first main surface 261 of the filter board 26.
  • mounted means that the electronic components are arranged on the first main surface 261 or the second main surface 262 of the filter board 26 (mechanically connected). , Including that the electronic component is electrically connected to (the appropriate conductor portion of) the filter substrate 26.
  • the series arm resonator chip 27 is a chip formed by forming the series arm resonators S1 to S3 using a common piezoelectric substrate 270.
  • the series arm resonator chip 27 has a common piezoelectric substrate 270 and IDT electrodes 271 to 273 of the series arm resonators S1 to S3, respectively.
  • the IDT electrodes 271 to 273 are mounted on the main surface of one of both main surfaces of the common piezoelectric substrate 270 (for example, the filter substrate 26 side).
  • the series arm resonators S1 to S3 are composed of a piezoelectric substrate 270 and IDT electrodes 271 to 273, respectively. That is, the series arm resonators S1 to S3 have a piezoelectric substrate 270 common to each other.
  • the parallel arm resonator chip 28 is a chip formed by using the common piezoelectric substrate 280 for the parallel arm resonators P1 and P2.
  • the parallel arm resonator chip 28 has a common piezoelectric substrate 280 and IDT electrodes 281,282 of the parallel arm resonators P1 and P2, respectively.
  • the IDT electrodes 281,282 are mounted on the main surface of one of both main surfaces of the common piezoelectric substrate 280 (for example, the filter substrate 26 side).
  • the parallel arm resonators P1 and P2 are composed of a piezoelectric substrate 280 and IDT electrodes 281,282, respectively. That is, the parallel arm resonators P1 and P2 have a piezoelectric substrate 280 common to each other.
  • the piezoelectric substrate 280 of the parallel arm resonators P1 and P2 is a piezoelectric substrate different from the piezoelectric substrate 270 of the series arm resonators S1 to S3. That is, the series arm resonators S1 to S3 have a piezoelectric substrate 270, and the parallel arm resonators P1 and P2 have a piezoelectric substrate 280 different from the piezoelectric substrate 270.
  • the series arm resonator chip 27 and the parallel arm resonator chip 28 are mounted on the filter substrate 26 so that, for example, the IDT electrodes 271 to 273, 281,282 face the filter substrate 26. Further, the filter 30 is mounted on the mounting board so that the first input / output terminal 23 and the second input / output terminal 24 mounted on the filter board 26 face the mounting board of the high frequency module 1, for example.
  • the IDT electrodes 271 to 273 of the series arm resonators S1 to S3 and the IDT electrodes 281,282 of the parallel arm resonators P1 and P2 are formed on different piezoelectric substrates 270 and 280. Therefore, the electrode pitches of the IDT electrodes 271 to 273 and the electrode pitches of the IDT electrodes 281,282 can be formed independently of each other. This makes it possible to individually adjust the frequencies of the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2. As a result, the desired filter characteristics can be easily realized in the filter 30.
  • the electrode pitches of the IDT electrodes 271 to 273 and the electrode pitches of the IDT electrodes 281,282 can be formed independently of each other, the IDT electrodes 271 to 273, 281,282 can be stably formed, and as a result, the filter 30 can be formed. Variations in filter characteristics between individuals can be reduced. Thereby, the desired filter characteristics can be easily realized, and thus deterioration of the filter characteristics can be suppressed.
  • FIG. 4 Schematic diagram of the separation structure of the piezoelectric substrate of the filter
  • FIG. 4 schematically shows the separation structure of the piezoelectric substrates 270 and 280 of the filter 30 when the pass band of the filter 30 is the band n79 (4400 to 5000 MHz). It is explanatory drawing for demonstrating.
  • the pass band of the filter 30 is the band n79
  • the attenuation band on the high frequency side (near 5000 MHz) of the filter 30 is formed by the antiresonance frequency of the series arm resonator of the filter 30.
  • the attenuation band on the low frequency side (near 4400 MHz) of the filter 30 is formed by the resonance frequency of the parallel arm resonator of the filter 30.
  • the upper side 310 of the trapezoid Z1 in FIG. 4 and the pass band of the filter 30 (4400 to 5000 MHz in the case of band n79) are shown.
  • the pass band 310 of the pass band of the filter 30 will also be described.
  • the inclined portion 311 on the right side of the trapezoid Z1 indicates an attenuation band (hereinafter, also referred to as an attenuation band 311) on the high frequency side (near 5000 MHz) of the filter 30.
  • the inclined portion 312 on the left side of the trapezoid Z1 indicates an attenuation band (hereinafter, also referred to as an attenuation band 312) on the low frequency side (near 4400 MHz) of the filter 30.
  • the filter device 2 includes a filter board 26 (board) and a filter 30.
  • the filter 30 is mounted on the filter board 26.
  • the filter 30 includes a plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2, and at least one inductor L1 to L4.
  • the plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2 form a ladder type circuit having the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2.
  • At least one inductor L1 to L4 is connected to a plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2.
  • the pass bandwidth of the filter 30 is wider than the bandwidth of at least one of the plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2.
  • the series arm resonators S1 to S3 have a piezoelectric substrate 270 (first piezoelectric substrate), and the parallel arm resonators P1 and P2 have a piezoelectric substrate 280 (second piezoelectric substrate) different from the piezoelectric substrate 270.
  • the filter 30 is a ladder type filter and includes a plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2 having series arm resonators S1 to S3 and parallel arm resonators P1 and P2.
  • the filter 30 has at least one inductor L1 to L4 connected to the plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2, and the pass bandwidth of the filter 30 has a plurality of elastic wave resonators. It is wider than at least one resonance bandwidth of S1 to S3, P1 and P2. Therefore, the filter 30 can be configured as a wideband filter.
  • the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2 of the filter 30 have different piezoelectric substrates 270 and 280. Therefore, the frequencies of the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2 can be adjusted individually. As a result, the desired filter characteristics can be easily realized in the filter 30, and thereby deterioration of the filter characteristics of the filter 30 can be suppressed.
  • the piezoelectric substrate 270 of the series arm resonators S1 to S3 (S30) and the piezoelectric substrate 280 of the parallel arm resonators P1 and P2 (P30) are made to be different from each other.
  • the configurations of S1 to S3 (S30) and the parallel arm resonators P1 and P2 (P30) can be significantly different. As a result, as described above, a wide band can be realized and deterioration of the filter characteristics can be suppressed.
  • the wave resonator is referred to as the shortest elastic wave resonator Q1.
  • the shortest elastic wave resonator Q1 has a piezoelectric substrate (for example, 290) different from the piezoelectric substrate 270 (first piezoelectric substrate) and the piezoelectric substrate 280 (second piezoelectric substrate).
  • the series arm resonator S1 is the shortest elastic wave resonator Q1.
  • the shortest elastic wave resonator Q1 has the shortest signal path between the plurality of elastic wave resonators S1 to S3 and P1 and P2 and the antenna terminal 10A
  • the plurality of elastic wave resonators S1 to S3 and P1 , P2 has the greatest effect on antenna characteristics. Therefore, by separating the piezoelectric substrate 290 of the shortest elastic wave resonator Q1 and the piezoelectric substrates 270 and 280 of other elastic wave resonators, the shortest elastic wave resonator Q1 and the other elastic wave resonators are separated. Allows adjustment of frequency. This makes it easy to adjust the antenna characteristics.
  • the parallel arm resonator P1 may be defined as the shortest elastic wave resonator Q1.
  • the piezoelectric substrate of the parallel arm resonator P1 is separated from the piezoelectric substrates 270 and 280 of other elastic wave resonators.
  • the parallel arm resonator P1 has a piezoelectric substrate 290 different from the piezoelectric substrate 270 of the series arm resonators S2 and S3 and the piezoelectric substrate 280 of the parallel arm resonator P2.
  • the filter 30 of the first embodiment realizes a wide band pass band by including at least one inductor L1 to L4 connected to a plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2.
  • the filter 30 of the present modification is provided with the capacitor C1 connected to at least one of at least one inductor L1 to L4 (for example, the inductor L1) in the first embodiment. , Achieve a wider wideband passband.
  • the capacitor C1 is connected to the inductor L2. More specifically, the inductor L2 is connected between the branch point N3 of the signal path T1 and the ground.
  • the branch point N3 is arranged between the series arm resonator S3 and the second input / output terminal 24.
  • the capacitor C1 is connected between the branch point N3 and the second input / output terminal 24 in the signal path T1. That is, the capacitor C1 and the inductor L1 form an LC circuit (for example, a high-pass filter). According to this modification, the pass band of the filter 30 can be made wider by providing the capacitor C1 connected to the inductor L2.
  • the filter 30 of this modification is a rudder type circuit filter having a plurality of elastic wave resonators and one or more inductors, and includes an LC circuit.
  • the LC circuit can form a wide band passband, but has the characteristic that the attenuation bands on both sides of the passband may not be attenuated sufficiently steeply.
  • the filter of the ladder type circuit has a characteristic that the pass band is not necessarily wide, but both sides of the pass band are steeply attenuated. Since the filter 30 of this modification includes the above-mentioned ladder circuit and LC circuit, it has the characteristics of both the above-mentioned ladder circuit and the LC circuit. That is, the filter 30 of this modification has a characteristic that it has a wide band pass band and has an attenuation region where both sides of the pass band are steeply attenuated. With this configuration, the filter 30 of this modification can realize a wider wide band.
  • the difference between the anti-resonance frequency of the series arm resonators S1 to S3 and the resonance frequency of the parallel arm resonators P1 and P2 becomes large. Therefore, if the piezoelectric substrate of the series arm resonators S1 to S3 and the piezoelectric substrate of the parallel arm resonators P1 and P2 are common, the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2 are individually used. Since the frequency cannot be adjusted, the filter characteristics deteriorate.
  • the piezoelectric substrates of the series arm resonators S1 to S3 and the piezoelectric substrates of the parallel arm resonators P1 and P2 are different from each other, so that the series arm resonators S1 to S3
  • the frequencies of the parallel arm resonators P1 and P2 can be adjusted individually to suppress deterioration of the filter characteristics.
  • the filter 30 of this modification realizes a wide band by providing a ladder circuit and an LC circuit, but the wider the band is, the more the series arm resonators S1 to S3 are connected to the piezoelectric substrate and the parallel arm.
  • the piezoelectric substrates of the resonators P1 and P2 different from each other, the effect of suppressing deterioration of the filter characteristics can be further exhibited. That is, the filter 30 of this modification has a configuration that is more advantageous as it has a wider band.
  • the capacitor C1 constitutes a high-pass filter together with the inductor L2, but the capacitor C1 may form a low-pass filter together with any one of the inductors L1 to L4, or constitutes a bandpass filter. You may.
  • the circuit configuration of the filter 30 shown in FIG. 7 includes a plurality of elastic wave resonators S1 to S3, P1 and P2 constituting a ladder type circuit having the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2.
  • the capacitor C1 to be connected is provided.
  • This configuration is an example of a filter that realizes a wider passband. Therefore, the number of the plurality of elastic wave resonators and the number of inductors included in the filter 30 are not limited to the number shown in the example of FIG. 7.
  • the piezoelectric substrate 270 of the series arm resonators S1 to S3 and the piezoelectric substrate 280 of the parallel arm resonators P1 and P2 are different from each other.
  • the electrode pitch M1 of the IDT electrodes 271 to 273 of the series arm resonators S1 to S3 may be narrower than the electrode pitch M2 of the IDT electrodes 281,282 of the parallel arm resonators P and P2 (. See Figure 3).
  • the antiresonance frequency of the series arm resonators S1 to S3 can be set to a frequency higher than the resonance frequency of the parallel arm resonators P1 and P2.
  • the piezoelectric substrate 270 of the series arm resonators S1 to S3 and the piezoelectric substrate 280 of the parallel arm resonators P1 and P2 are different from each other. Utilizing this, the cut angle of the piezoelectric substrate 270 of the series arm resonators S1 to S3 may be different from the cut angle of the piezoelectric substrate 280 of the parallel arm resonators P1 and P2. As a result, the optimum cut angle for forming the attenuation bands 311, 312 of the filter 30 can be made different between the parallel arm resonators P1 and P2 and the series arm resonators S1 to S3, respectively. This makes it possible to improve the filter characteristics of the filter 30.
  • the piezoelectric substrate 270 of the series arm resonators S1 to S3 and the piezoelectric substrate 280 of the parallel arm resonators P1 and P2 are different from each other. Utilizing this, the thickness of the piezoelectric substrate 270 of the series arm resonators S1 to S3 may be different from the thickness of the piezoelectric substrate 280 of the parallel arm resonators P1 and P2. As a result, the optimum thickness (thickness of the piezoelectric substrates 270 and 280) for forming the attenuation bands 311, 312 of the filter 30 is different between the parallel resonators P1 and P2 and the series arm resonators S1 to S3, respectively. Can be done. This makes it possible to improve the filter characteristics of the filter 30.
  • the filter device 50 of the second embodiment is a diplexer including two wideband filters (filter 51 (first filter) and filter 52 (second filter)) (see FIG. 8).
  • the filter 30 of the first embodiment is used as the filter 51, and the attenuation band 512 on the low frequency side of the filter 51 and the attenuation band 521 on the high frequency side of the filter 52 are adjacent to each other. ..
  • This configuration is characterized in that the parallel arm resonator P51 of the filter 51 and the series arm resonator S52 of the filter 52 have a common piezoelectric substrate (see FIG. 9).
  • the series arm resonator S51 and the parallel arm resonator P51 have different piezoelectric substrates.
  • the resonator (series arm resonator S52) having a resonance frequency closer to that of the parallel arm resonator P51 of the filter 51 among the parallel arm resonator P52 and the series arm resonator S52 of the filter 52 is further filtered.
  • the parallel arm resonator P51 of 51 is formed of a common piezoelectric substrate. That is, the parallel arm resonator P51 of the filter 51 and the series arm resonator S52 of the filter 52 have a common piezoelectric substrate.
  • the filter device 50 will be described in detail.
  • the filter device 50 includes two filters 51 and 52, three input / output terminals 53 to 55, and a filter board.
  • the two filters 51 and 52 and the three input / output terminals 53 to 55 are mounted on the filter board.
  • the input / output terminals 53 to 55 are terminals for inputting and outputting a signal (transmission signal or reception signal) to the filter device 50.
  • the input / output terminals 53 are commonly connected to the filters 51 and 52.
  • the input / output terminals 54 and 55 are connected to the filters 51 and 52, respectively.
  • the filters 51 and 52 are wideband filters having a specific band of 7% or more and a pass band of 3 GHz or more, respectively.
  • the filter 51 has a pass band through which a signal in the first frequency band (for example, band n79 (4400 to 5000 MHz)) is passed.
  • the filter 52 has a pass band through which signals in the second frequency band (eg, band n77 (3300-4200 MHz)) are passed.
  • the second frequency band is lower than the first frequency band. Further, the first frequency band and the second frequency band are adjacent to each other.
  • the first frequency band and the second frequency band are adjacent to each other.
  • the filter 51 limits the signal input to the input / output terminal 53 to the above-mentioned pass band and outputs the signal from the input / output terminal 54. Further, the filter 51 limits the signal input to the input / output terminal 54 to the above-mentioned pass band and outputs the signal from the input / output terminal 53.
  • the filter 52 limits the signal input to the input / output terminal 53 to the above-mentioned pass band and outputs the signal from the input / output terminal 55. Further, the filter 52 limits the signal input to the input / output terminal 55 to the above-mentioned pass band and outputs the signal from the input / output terminal 53.
  • the filter 51 has a pass band 510 and an attenuation band 511 and 512.
  • the pass band 510 is a band through which a signal in the first frequency band (for example, band n79) is passed.
  • the attenuation band 511 is a band that steeply attenuates the high frequency side of the pass band 510.
  • the attenuation band 512 is a band that steeply attenuates the low frequency side of the pass band 510.
  • the filter 51 includes a plurality of elastic wave resonators constituting a ladder type circuit having a series arm resonator S51 and a parallel arm resonator P51.
  • the series arm resonator S51 of the filter 51 forms an attenuation band 511 on the high frequency side of the filter 51.
  • the parallel arm resonator P51 of the filter 51 forms an attenuation band 512 on the low frequency side of the filter 51.
  • the filter 52 has a pass band 520 and an attenuation band 521,522.
  • the pass band 520 is a band through which a signal in the second frequency band (for example, band n77) is passed.
  • the attenuation band 521 is a band that steeply attenuates the high frequency side of the pass band 520.
  • the attenuation band 522 is a band that steeply attenuates the low frequency side of the pass band 520.
  • the filter 52 includes a plurality of elastic wave resonators including the series arm resonator S52.
  • the series arm resonator S52 of the filter 52 forms an attenuation band 521 on the high frequency side of the filter 52.
  • the pass band 510 of the filter 51 is a band higher than the pass band 520 of the filter 52. That is, the lower limit of the pass band 510 is higher than the upper limit of the pass band 520.
  • the attenuation band 512 on the low frequency side of the filter 51 and the attenuation band 521 on the high frequency side of the filter 52 are adjacent to each other.
  • the attenuation band 512 on the pass band 520 side for example, the low frequency side
  • the pass band 510 side for example, the high frequency side
  • the attenuation band 521 on the frequency side overlaps with each other and the case where the attenuation band 512 of the filter 51 and the attenuation band 521 of the filter 52 do not overlap each other are included.
  • FIG. 9 shows a case where the attenuation band 512 of the filter 51 and the attenuation band 521 of the filter 52 overlap each other.
  • the parallel arm resonator P51 of the filter 51 and the series arm resonator S52 of the filter 52 are formed by using a common piezoelectric substrate as in the case of the second embodiment.
  • the parallel arm resonator P51 of the filter 51 and the series arm resonator S52 of the filter 52 have a common piezoelectric substrate.
  • the parallel arm resonator P51 and the series arm resonator S52 are surrounded by the same ring (reference numeral 570), so that the parallel arm resonator P51 and the series arm resonator S52 have a common piezoelectric substrate 570. Is illustrated.
  • the filter 51 is a wide band filter similar to the filter 30 of the first embodiment. Therefore, the parallel arm resonator P51 and the series arm resonator S51 of the filter 51 have different piezoelectric substrates 570 and 580 as in the case of the first embodiment.
  • the parallel arm resonator P51 is surrounded by a ring (reference numeral 570)
  • the series arm resonator S51 is surrounded by a ring (reference numeral 580) different from the above ring (reference numeral 570).
  • the parallel arm resonator P51 and the series arm resonator S51 have different piezoelectric substrates 570 and 580.
  • the filter device 50 includes filters 51 and 52 and input / output terminals 53 to 55.
  • the filter 51 is provided in the signal path T1 connecting the input / output terminal 53 and the input / output terminal 54.
  • the filter 52 is provided in the signal path T4 connecting the input / output terminal 53 and the input / output terminal 55.
  • the filter 51 has the same circuit configuration as the filter 30 of the first embodiment, the same reference numerals as those of the filter 30 of the first embodiment are added and the description thereof will be omitted.
  • the series arm resonators S1 to S3 correspond to the series arm resonator S51 of FIG. 9
  • the parallel arm resonators P1 and P2 correspond to the parallel arm resonator P51 of FIG.
  • the filter 52 includes series arm resonators S4 and S5, inductors L4 to L6, and capacitors C2 and C3.
  • the series arm resonators S4 and S5 are connected in series with each other in the signal path T4 between the input / output terminals 53 and 55.
  • the inductor L4 and the capacitor C2 are connected in parallel between the input / output terminal 53 and the series arm resonator S4 to form an LC parallel resonant circuit.
  • the inductor L5 and the capacitor C3 are connected in series with each other between the branch point N5 of the signal path T4 and the ground, and form an LC series resonant circuit.
  • the branch point N5 is arranged between the inductor L4 and the series arm resonator S4.
  • the inductor L6 is connected between the branch point N6 of the signal path T4 and the ground.
  • the branch point N6 is arranged between the series arm resonators S4 and S5.
  • the series arm resonators S4 and S5 correspond to the series arm resonator S52 in FIG.
  • the series arm resonators S1 to S3 (S51) and the parallel arm resonators P1 and P2 (P51) of the filter 51 have different piezoelectric substrates as in the case of the first embodiment. Further, the parallel arm resonators P1 and P2 (P51) of the filter 51 and the series arm resonators S4 and S5 (S52) of the filter 52 have a common piezoelectric substrate.
  • the filter device 50 includes a filter substrate 56, elastic wave resonator chips 57 and 58, the above-mentioned inductors L1 to L6, and the above-mentioned capacitors C2 and C3.
  • the filter substrate 56 has a first main surface 561 and a second main surface 562.
  • elastic wave resonator chips 57 and 58, inductors L1 to L6, and input / output terminals 53 to 55 are mounted on the first main surface 561 of the filter board 56, and the second main surface of the filter board 56 is mounted.
  • capacitors C2 and C3 are mounted on the surface 562.
  • the elastic wave resonator chip 57 is a chip formed by using a common piezoelectric substrate 570 for the parallel arm resonators P1 and P2 (P51) of the filter 51 and the series arm resonators S4 and S5 (S52) of the filter 52. ..
  • the elastic wave resonator chip 57 includes a common piezoelectric substrate 570, IDT electrodes 571 and 572 of the parallel arm resonators P1 and P2 (P51), and IDT electrodes of the series arm resonators S4 and S5 (S52). It has 573 and 574.
  • the IDT electrodes 571 to 574 are mounted on the main surface of one of both main surfaces of the common piezoelectric substrate 570 (for example, the filter substrate 56 side).
  • the parallel arm resonators P1 and P2 are composed of a piezoelectric substrate 570 and IDT electrodes 571 and 572, respectively.
  • the series arm resonators S4 and S5 (S52) are composed of a piezoelectric substrate 570 and IDT electrodes 573 and 574, respectively. That is, the piezoelectric substrates 570 of the parallel arm resonators P1 and P2 (P51) and the series arm resonators S4 and S5 (S52) are common to each other.
  • the elastic wave resonator chip 58 is a chip formed by using a common piezoelectric substrate 580 for the series arm resonators S1 to S3 (S51) of the filter 51.
  • the elastic wave resonator chip 58 has a common piezoelectric substrate 580 and IDT electrodes 581 to 583 of the series arm resonators S1 to S3 (S51), respectively.
  • the IDT electrodes 581 to 583 are mounted on the main surface of one of both main surfaces of the common piezoelectric substrate 580 (for example, the filter substrate 56 side).
  • the series arm resonators S1 to S3 (S51) are composed of a piezoelectric substrate 580 and IDT electrodes 581 to 583, respectively.
  • each piezoelectric substrate 580 of the series arm resonators S1 to S3 (S51) is common to each other. Further, each piezoelectric substrate 580 of the series arm resonators S1 to S3 (S51) is separate from each piezoelectric substrate 570 of the parallel arm resonators P1 and P2 (P51) and the series arm resonators S4 and S5 (S52). There is (ie, separated).
  • the piezoelectric substrate 580 of the series arm resonator S51 of the filter 51 and the piezoelectric substrate 570 of the parallel arm resonator P51 are different from each other. Therefore, as in the case of the first embodiment, the desired filter characteristics can be easily realized, and thus deterioration of the filter characteristics can be suppressed.
  • the filter device 50 provided with the filters 51 and 52 can be miniaturized.
  • the pass band 510 of the filter 51 is higher than the pass band 520 of the filter 52, but the pass band 510 of the filter 51 may be lower than the pass band 520 of the filter 52.
  • the series arm resonator S51 of the filter 51 and the parallel resonator of the filter 52 have a common piezoelectric substrate.
  • the filter device 60 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13.
  • elastic wave resonators having similar resonance frequencies are formed between the two filters 51 and 52 by a common piezoelectric substrate, but in the third embodiment, the three filters 61 to 63 (first to third filters).
  • Elastic wave resonators with similar resonance frequencies are formed on a common piezoelectric substrate.
  • the same components as those of the first and second embodiments are designated by the same reference numerals as those of the first and second embodiments, and the description thereof will be omitted, and the parts different from those of the first and second embodiments will be mainly described.
  • the filter device 60 of the third embodiment is a 2-input 3-output type filter including a wideband filter 61 and non-wideband filters 62 and 63 (see FIG. 12).
  • the filter 30 of the first embodiment is used as the filter 61
  • the pass band 610 of the filter 61 includes the pass bands 620 and 630 of the filters 62 and 63 (see FIG. 13).
  • the parallel arm resonators P61 to P63 have a common piezoelectric substrate 680
  • the series arm resonators S61 to S63 have a common piezoelectric substrate 670. See FIG. 13).
  • the series arm resonator S61 and the parallel arm resonator P61 have piezoelectric substrates 670 and 680 which are different from each other. Further, in the present embodiment, the resonance frequency of the parallel arm resonators P62 and P63 of the filters 62 and 63 and the resonance frequency of the parallel arm resonator P61 of the filter 61 are close to each other. Therefore, the parallel arm resonators P61, P62, P63 of the filters 61, 62, 63 are formed by using the common piezoelectric substrate 680.
  • the series arm resonator S61 of the filters 61, 62 and 63 , S62, S63 are formed using a common piezoelectric substrate 670.
  • the filter device 60 will be described in detail.
  • the filter device 60 includes two filters 61 to 63, five input / output terminals 64 to 68, and a filter board.
  • the two filters 61 to 63 and the five input / output terminals 64 to 68 are mounted on the filter board.
  • the input / output terminals 64 to 68 are terminals for inputting and outputting a signal (transmission signal or reception signal) to the filter device 60.
  • the input / output terminals 64 and 65 are connected to the filter 61.
  • the input / output terminals 66 are commonly connected to the filters 62 and 63.
  • the input / output terminals 67 and 68 are connected to the filters 62 and 63, respectively.
  • the filter 61 is, for example, a wide band filter having a specific band of 7% or more and a pass band of 3 GHz or less.
  • the filter 61 has a pass band through which signals in the first frequency band (eg Band 41 (2496-2690 MHz)) are passed.
  • the filter 62 is a non-broadband reception filter and has a pass band through which signals in the second frequency band (for example, Band 7 downlink (2620 to 2690 MHz)) are passed.
  • the filter 63 is a non-broadband transmission filter and has a pass band through which a third frequency band (eg, Band 7 uplink (2500 to 2570 MHz)) is passed.
  • the first frequency band includes a second frequency band and a third frequency band.
  • the second frequency band is higher than the third frequency band.
  • the filter 61 limits the signal input to the input / output terminal 64 to the above-mentioned pass band and outputs the signal from the input / output terminal 65. Further, the filter 61 limits the signal input to the input / output terminal 65 to the above-mentioned pass band and outputs the signal from the input / output terminal 64.
  • the filter 62 limits the signal input to the input / output terminal 66 to the above-mentioned pass band and outputs the signal from the input / output terminal 67. Further, the filter 63 limits the signal input to the input / output terminal 68 to the above-mentioned pass band and outputs the signal from the input / output terminal 66.
  • the filter 61 has a pass band 610 and an attenuation band 611,612.
  • the pass band 610 is a band through which a signal in the first frequency band (for example, Band 41) is passed.
  • the attenuation band 611 is a band that steeply attenuates the high frequency side of the pass band 610.
  • the attenuation band 612 is a band that steeply attenuates the low frequency side of the pass band 610.
  • the filter 61 is a ladder type filter and includes a plurality of elastic wave resonators having a series arm resonator S61 and a parallel arm resonator P61.
  • the antiresonance frequency of the series arm resonator S61 of the filter 61 forms an attenuation band 611 on the high frequency side of the filter 61.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator P61 of the filter 61 forms an attenuation band 612 on the low frequency side of the filter 61.
  • the filter 62 has a pass band 620 and an attenuation band 621,622.
  • the pass band 620 is a band through which the signal of the second frequency band (for example, the downlink of Band 7) is passed.
  • the attenuation band 621 is a band that steeply attenuates the high frequency side of the pass band 620.
  • the attenuation band 622 is a band that steeply attenuates the low frequency side of the pass band 620.
  • the filter 62 is a ladder type filter and includes a plurality of elastic wave resonators having a series arm resonator S62 and a parallel arm resonator P62.
  • the antiresonance frequency of the series arm resonator S62 of the filter 62 forms an attenuation band 621 on the high frequency side of the filter 62.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator P62 of the filter 62 forms an attenuation band 622 on the low frequency side of the filter 62.
  • the filter 63 has a pass band 630 and an attenuation band 631,632.
  • the pass band 630 is a band through which the signal of the third frequency band (for example, the uplink of Band 7) is passed.
  • the attenuation band 631 is a band that steeply attenuates the high frequency side of the pass band 630.
  • the attenuation band 632 is a band that steeply attenuates the low frequency side of the pass band 630.
  • the filter 63 is a ladder type filter and includes a plurality of elastic wave resonators having a series arm resonator S63 and a parallel arm resonator P63.
  • the antiresonance frequency of the series arm resonator S63 of the filter 63 forms an attenuation band 631 on the high frequency side of the filter 63.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator P63 of the filter 63 forms an attenuation band 632 on the low frequency side of the filter 63.
  • the pass band 610 of the filter 61 includes the pass band 620 of the filter 62 and the pass band 630 of the filter 63.
  • the attenuation band 611 on the high frequency side of the filter 61 and the attenuation band 621 on the high frequency side of the filter 62 are adjacent to each other.
  • the attenuation band 612 on the low frequency side of the filter 61 and the attenuation band 632 on the low frequency side of the filter 63 are adjacent to each other.
  • the attenuation band 622 on the low frequency side of the filter 62 and the attenuation band 631 on the high frequency side of the filter 63 overlap each other.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator P62 forming the attenuation band 622 on the low frequency side of the filter 62 is lower than the antiresonance frequency of the series arm resonator S63 forming the attenuation band 631 on the high frequency side of the filter 63. ..
  • the fact that the two pass bands are adjacent to each other is as defined in the second embodiment.
  • the filter 61 is a wideband filter having the same configuration as the filter 30 of the first embodiment. Therefore, the parallel arm resonator P61 and the series arm resonator S61 of the filter 61 have different piezoelectric substrates 670 and 680 as in the case of the first embodiment.
  • the parallel arm resonator P61 is surrounded by a ring (reference numeral 680)
  • the series arm resonator S61 is surrounded by a ring (reference numeral 670) different from the above ring (reference numeral 680).
  • the parallel arm resonator P61 and the series arm resonator S61 have different piezoelectric substrates 680 and 670.
  • the attenuation bands 611 and 621 on the high frequency side of the filters 61 and 62 are adjacent to each other.
  • the filter 62 is non-broadband, and as described above, the antiresonance frequency of the series arm resonator S63 of the filter 63 is higher than the resonance frequency of the parallel arm resonator P62 of the filter 62. Therefore, the antiresonance frequencies of the series arm resonators S61 to S63 of the filters 61 to 63 are close to each other. Therefore, in the present embodiment, the series arm resonators S61 to S63 of the filters 61 to 63 are formed by using the common piezoelectric substrate 670 as in the case of the second embodiment.
  • the series arm resonators S61 to S63 of the filters 61 to 63 have a common piezoelectric substrate 670.
  • FIG. 13 shows that the series arm resonators S61 to S63 are surrounded by the same ring (reference numeral 670), so that the series arm resonators S61 to S63 have a common piezoelectric substrate 670.
  • the attenuation bands 612 and 632 on the low and high frequency sides of the filters 61 and 63 are adjacent to each other.
  • the filter 63 is non-broadband, and as described above, the resonance frequency of the parallel arm resonator P62 of the filter 62 is lower than the antiresonance frequency of the series arm resonator S63 of the filter 63. Therefore, the resonance frequencies of the parallel arm resonators P61 to P63 of the filters 61 to 63 are close to each other. Therefore, in the present embodiment, the parallel arm resonators P61 to P63 of the filters 61 to 63 are formed by using the common piezoelectric substrate 680 as in the case of the second embodiment.
  • the parallel arm resonators P61 to P63 of the filters 61 to 63 have a common piezoelectric substrate 680.
  • the common piezoelectric substrate 680 of the parallel arm resonators P61 to P63 is a piezoelectric substrate different from the common piezoelectric substrate 670 of the series arm resonators S61 to S63.
  • the parallel arm resonators P61 to P63 are surrounded by the same ring (reference numeral 680), so that the parallel arm resonators P61 to P63 have a common piezoelectric substrate 680.
  • the series arm resonator S61 and the parallel arm resonator P61 of the filter 61 have different piezoelectric substrates 670 and 680. Therefore, as in the case of the first embodiment, a wide band pass band can be realized and deterioration of the filter characteristics can be suppressed.
  • the parallel arm resonators P61 to P63 of the filters 61 to 63 have a piezoelectric substrate 680 common to each other.
  • the series arm resonators S61 to S63 of the filters 61 to 63 are piezoelectric substrates common to each other, and have a piezoelectric substrate 670 different from the piezoelectric substrates 680 of the parallel arm resonators P61 to P63. Therefore, the filter device 60 provided with the filters 61 and 52 can be miniaturized.
  • the series arm resonators S61 and S62 of the filters 61 and 62 may be formed by using a common piezoelectric substrate 770.
  • the series arm resonators S61 and S62 of the filters 61 and 62 may have a common piezoelectric substrate 770.
  • FIG. 14 it is shown that the series arm resonators S61 and S62 have a common piezoelectric substrate 770 by being surrounded by the same ring (reference numeral 770).
  • the parallel arm resonators P61 and P63 of the filters 61 and 63 may be formed by using a common piezoelectric substrate 780.
  • the parallel arm resonators P61 and P63 of the filters 61 and 63 may have a common piezoelectric substrate 780.
  • FIG. 14 it is shown that the parallel arm resonators P61 and P63 have a common piezoelectric substrate 780 by being surrounded by the same ring (reference numeral 780).
  • the parallel arm resonator P62 of the filter 62 and the series arm resonator S63 of the filter 63 may be formed by using a common piezoelectric substrate 790.
  • the parallel arm resonator P62 of the filter 62 and the series arm resonator S63 of the filter 63 may have a common piezoelectric substrate 790.
  • the common piezoelectric substrate 790 is a piezoelectric substrate different from the piezoelectric substrate 770 of the series arm resonator S61 of the filter 61 and the piezoelectric substrate 780 of the parallel arm resonator P61 of the filter 61.
  • the parallel arm resonator P62 and the series arm resonator S63 are surrounded by the same ring (reference numeral 790), so that the parallel arm resonator P62 and the series arm resonator S63 have a common piezoelectric substrate 790. It is illustrated.
  • the series arm resonator S61 and the series arm resonator P61 of the filter 61 have different piezoelectric substrates 770 and 780. Therefore, as in the case of the first embodiment, a wide band pass band can be realized and deterioration of the filter characteristics can be suppressed.
  • the series arm resonators S61 and S62 of the filters 61 and 62 have a common piezoelectric substrate 770.
  • the parallel arm resonators P61 and P63 of the filters 61 and 63 have a common piezoelectric substrate 780.
  • the parallel arm resonator P62 of the filter 62 and the series arm resonator S63 of the filter 63 have a common piezoelectric substrate 790. Therefore, the filter device 70 including the filters 61 and 62 can be miniaturized.
  • the anti-resonance frequency of the series arm resonator S63 of the filter 63 is higher than the resonance frequency of the parallel arm resonator P62 of the filter 62, but the anti-resonance frequency of the series arm resonator S63 of the filter 63 is , It may be lower than the resonance frequency of the parallel arm resonator P62 of the filter 62.
  • the filter device (2; 50; 60; 70) of the first aspect comprises a substrate (26; 56) and a ladder type filter (30; 51; 61) mounted on the substrate (26; 56). Be prepared.
  • the filter (30; 51; 61) has a plurality of elastic wave resonators (S30, P30; S51, P51; S61, P61) and at least one inductor (L1 to L4).
  • the plurality of elastic wave resonators (S30, P30; S51, P51; S61, P61) have a series arm resonator (S30; S51; S61) and a parallel arm resonator (P30; P51; P61).
  • At least one inductor is connected to a plurality of elastic wave resonators (S30, P30; S51, P51; S61, P61).
  • the passband of the filter (30; 51; 61) is wider than the at least one resonance bandwidth of the plurality of elastic wave resonators (S30, P30; S51, P51; S61, P61).
  • the series arm resonator (S30; S51; S61) has a first piezoelectric substrate (270; 580; 670; 770).
  • the parallel arm resonator (P30; P51; P61) has a second piezoelectric substrate (280; 570; 680; 780) different from the first piezoelectric substrate.
  • the filter (30; 51; 61) comprises a plurality of elastics constituting a ladder type circuit having a series arm resonator (S30; S51; S61) and a parallel arm resonator (P30; P51; P61). At least one inductor (L1 to L4) connected to a wave resonator (S30, P30; S51, P51; S61, P61) and a plurality of elastic wave resonators (S30, P30; S51, P51; S61, P61). And have. Further, the passband of the filter (30; 51; 61) is wider than the resonance bandwidth of at least one of the plurality of elastic wave resonators.
  • the filter (30; 51; 61) can be configured as a wideband ladder type filter. Further, the series arm resonator (S30; S51; S61) and the parallel arm resonator (P30; P51; P61) of the filter (30; 51; 61) have different piezoelectric substrates (270, 280; 580, 570; 670). , 680; 770, 780). Therefore, the IDT electrodes (271 to 273; 581 to 583) of the series arm resonators (S30; S51; S61) and the IDT electrodes (281, 282; 571, 572) of the parallel arm resonators (P30; P51; P61). Each electrode pitch can be adjusted individually. Thereby, the desired filter characteristics can be easily realized. As a result, deterioration of the filter characteristics can be suppressed. From the above, a wide band can be realized and deterioration of filter characteristics can be suppressed.
  • the 570; 680; 780 it becomes possible to make the configurations of the series arm resonator (S30; S51; S61) and the parallel arm resonator (P30; P51; P61) significantly different.
  • a wide band can be realized and deterioration of the filter characteristics can be suppressed.
  • the filter (30) has a capacitor (C1) connected to at least one inductor (L1).
  • the pass band of the filter (30) can be made wider.
  • the filter (51) has a first filter (51) having a first pass band (510) through which a signal of the first frequency band is passed. ).
  • the filter device (50) includes a second filter (52).
  • the second filter (52) is mounted on the substrate (56) and has a second pass band (520) that allows signals in the second frequency band to pass and is lower than the first pass band (510).
  • the second filter (52) includes a plurality of elastic wave resonators including at least a series arm resonator (S52).
  • the attenuation band (512) on the low frequency side of the first filter (51) and the attenuation band (521) on the high frequency side of the second filter (52) are adjacent to each other.
  • the parallel arm resonator (P51) of the first filter (51) and the series arm resonator (S52) of the second filter (52) have a second piezoelectric substrate (570) as a common piezoelectric substrate.
  • the parallel arm resonator (P51) of the first filter (51) and the series arm resonator (S52) of the second filter (52) have a common piezoelectric substrate (570). Therefore, the filter device (50) provided with the first filter (51) and the second filter (52) as described above can be miniaturized.
  • the filter (61) has a first filter (61) having a first pass band (610) through which a signal of the first frequency band is passed.
  • the filter device (60) includes a second filter (62) and a third filter (63).
  • the second filter (62) is mounted on a substrate (filter substrate) and has a second pass band (620) through which signals in the second frequency band are passed.
  • the third filter (63) is mounted on a substrate (filter substrate), passes a signal in the third frequency band, and has a third pass band (630) lower than the second pass band (620).
  • the first pass band (610) includes a second pass band (620) and a third pass band (630).
  • the series arm resonators (S61, S62, S63) of the first filter (61), the second filter (62), and the third filter (63) each have a first piezoelectric substrate (670) as a common piezoelectric substrate.
  • the parallel arm resonators (P61, P62, P63) of the first filter (61), the second filter (62), and the third filter (63) each have a second piezoelectric substrate (680) as a common piezoelectric substrate. ..
  • the series arm resonators (S61, S62, S63) of the first filter (61), the second filter (62), and the third filter (63) each have a common piezoelectric substrate (670). .. Further, each of the parallel arm resonators (P61, P62, P63) of the first filter (61), the second filter (62) and the third filter (63) has a common piezoelectric substrate (680). Therefore, the filter device (60) provided with the first filter (61) and the second filter (62) as described above can be miniaturized.
  • the filter (61) has a first filter (61) having a first pass band (610) through which a signal of the first frequency band is passed.
  • the filter device (70) includes a second filter (62) and a third filter (63).
  • the second filter (62) is mounted on a substrate (filter substrate) and has a second pass band (620) through which signals in the second frequency band are passed.
  • the third filter (63) is mounted on a substrate (filter substrate), passes a signal in the third frequency band, and has a third pass band (630) lower than the second pass band (620).
  • the first pass band (610) includes a second pass band (620) and a third pass band (630).
  • Each series arm resonator (S61, S62) of the first filter (61) and the second filter (62) has a first piezoelectric substrate (770) as a common piezoelectric substrate.
  • Each of the parallel arm resonators (P61, P63) of the first filter (61) and the third filter (63) has a second piezoelectric substrate (780) as a common piezoelectric substrate.
  • the parallel arm resonator (P62) of the second filter (62) and the series arm resonator (S63) of the third filter (63) have the first piezoelectric substrate (770) and the second piezoelectric substrate (S63) as common piezoelectric substrates. It has a third piezoelectric substrate (790) different from 780).
  • the series arm resonators (S61, S62) of the first filter (61) and the second filter (62) each have a common piezoelectric substrate (770), and the first filter (61).
  • each of the parallel arm resonators (P61, P63) of the third filter (63) has a common piezoelectric substrate (780).
  • the parallel arm resonator (P62) of the second filter (62) and the series arm resonator (S63) of the third filter (63) have a common piezoelectric substrate (790). Therefore, the filter device (70) provided with the first filter (61) and the second filter (62) as described above can be miniaturized.
  • the elastic wave resonator (Q1) is the first piezoelectric substrate (270) and the second piezoelectric substrate (280). It has a third piezoelectric substrate (290) different from that of the above.
  • the elastic wave resonator (Q1) has a length of a signal path between the antenna (40) and the antenna terminal (10A) connected to the antenna (40) among the plurality of elastic wave resonators (S1 to S3, P1, P2). It is the shortest elastic wave resonator.
  • the elastic wave resonator having the shortest signal path length between the antenna terminal (10A) that is, the antenna characteristic
  • (Q1) which has the greatest effect on the above, can be adjusted individually separately from other elastic wave resonators. This makes it easy to adjust the antenna characteristics.
  • the series arm resonators (S1 to S3) of the filter (30) are the first IDT electrodes (271 to 271 to S3). 273).
  • the parallel arm resonators (P1, P2) of the filter (30) have a second IDT electrode (281, 282).
  • the electrode pitch (M1) of the first IDT electrodes (271 to 273) is smaller than the electrode pitch (M2) of the second IDT electrodes (281, 228).
  • the antiresonance frequency of the series arm resonators (S1 to S3) can be set to a frequency higher than the resonance frequency of the parallel arm resonators (P1, P2).
  • the high frequency module (1) of the eighth aspect includes a filter device (2; 50; 60; 70) according to any one of the first to seventh aspects, and a mounting substrate (26; 56).
  • the mounting board (26; 56) mounts the filter device (2; 50; 60; 70).
  • a high frequency module (1) including a filter device (2; 50; 60; 70) having the above-mentioned effects.
  • the communication device (100) of the ninth aspect includes the high frequency module (1) of the eighth aspect and the signal processing circuit (20).
  • the signal processing circuit (20) is connected to the high frequency module (1) and processes the high frequency signal.

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Abstract

広帯域の通過帯域を実現できかつフィルタ特性の劣化を抑制できるフィルタ装置を提供する。フィルタ装置(2)は、フィルタ基板(2)と、フィルタ基板(2)に実装されたラダー型のフィルタ(30)とを備える。フィルタ(30)は、複数の弾性波共振子(S30,P30)と、少なくとも1つのインダクタとを有する。複数の弾性波共振子(S30,P30)は、直列腕共振子(S30)及び並列腕共振子(P30)を有する。少なくとも1つのインダクタは、複数の弾性波共振子(S30,P30)に接続されている。フィルタ(30)の通過帯域幅は、複数の弾性波共振子(S30,P30)の少なくとも1つの共振帯域幅よりも広い。直列腕共振子(S30)は、第1圧電基板(270)を有する。並列腕共振子(P30)は、第1圧電基板(270)と異なる第2圧電基板(280)を有する。

Description

フィルタ装置、高周波モジュール及び通信装置
 本発明は、フィルタ装置、高周波モジュール及び通信装置に関し、特に、直列腕共振子及び並列腕共振子を有するラダー型回路を含むフィルタ装置、このフィルタ装置を備える高周波モジュール、及びこの高周波モジュールを備える通信装置に関する。
 特許文献1に記載の弾性波フィルタ装置は、ラダー型回路と、少なくとも1つのインダクタとを備える。ラダー型回路は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有する。少なくとも1つのインダクタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子に接続されている。少なくとも1つのインダクタによって、フィルタの広帯域化が図られている。
国際公開第2014/050219号
 特許文献1に記載の弾性波フィルタ装置(すなわち広帯域の弾性波フィルタ装置)では、並列腕共振子及び直列腕共振子が共通の圧電基板を有するため、フィルタ特性の劣化を抑制することが難しい。
 本発明の目的は、広帯域の通過帯域を実現できかつフィルタ特性の劣化を抑制できるフィルタ装置、高周波モジュール及び通信装置を提供することである。
 本発明の一態様のフィルタ装置は、基板と、前記基板に実装されたラダー型のフィルタと、を備える。前記フィルタは、複数の弾性波共振子と、少なくとも1つのインダクタと、を有する。複数の弾性波共振子は、直列腕共振子及び並列腕共振子を有する。前記少なくとも1つのインダクタは、前記複数の弾性波共振子に接続されている。前記フィルタの通過帯域幅は、前記複数の弾性波共振子の少なくとも1つの共振帯域幅よりも広い。前記直列腕共振子は、第1圧電基板を有する。前記並列腕共振子は、前記第1圧電基板と異なる第2圧電基板を有する。
 本発明の一態様の高周波モジュールは、前記フィルタ装置と、実装基板と、を備える。前記実装基板は、前記フィルタ装置を実装する。
 本発明の一態様の通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されており、高周波信号を信号処理する。
 本発明によれば、広帯域でかつ所望のフィルタ特性を容易に実現できる、という利点がある。
図1は、実施形態1に係る高周波モジュール及び通信装置のブロック図である。 図2は、実施形態1に係るフィルタ装置の回路構成の一例を示す回路図である。 図3は、同上のフィルタ装置の圧電基板の分離構造の一例を示す平面図である。 図4は、同上のフィルタ装置の圧電基板の分離構造を説明する説明図である。 図5は、実施形態1の変形例1に係るフィルタ装置の回路図である。 図6は、同上の変形例1の変形例に係るフィルタ装置の回路図である。 図7は、実施形態1の変形例2に係るフィルタ装置の回路図である。 図8は、実施形態2に係るフィルタ装置の構成概略図である。 図9は、同上のフィルタ装置の圧電基板の分離構造を説明する説明図である。 図10は、同上のフィルタ装置の回路構成の一例を示す回路図である。 図11は、同上のフィルタ装置の圧電基板の分離構造の一例を示す平面図である。 図12は、実施形態3に係るフィルタ装置の構成概略図である。 図13は、同上のフィルタ装置の圧電基板の分離構造を説明する説明図である。 図14は、実施形態3の変形例に係るフィルタ装置の圧電基板の分離構造を説明する説明図である。
 以下の実施形態等において参照する図1~図14は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
 (実施形態1)
 (1)概要
 実施形態1に係るフィルタ装置2は、図2~図4に示すように、フィルタ基板26(基板)(図3参照)と、フィルタ30と、を備える。フィルタ30は、フィルタ基板26に実装されている。フィルタ30は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2と、少なくとも1つのインダクタL1~L4と、を有する。複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2は、直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1,P2を有するラダー型回路を構成する。少なくとも1つのインダクタL1~L4は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2に接続されている。フィルタ30の通過帯域幅は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2の少なくとも1つの帯域幅よりも広い。直列腕共振子S1~S3は、圧電基板270(第1圧電基板)を有する。並列腕共振子P1,P2は、圧電基板270と異なる圧電基板280(第2圧電基板)を有する。
 この構成によれば、フィルタ30の直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1,P2は、互いに異なる圧電基板270,280を有するため、広帯域の通過帯域を実現できかつフィルタ特性の劣化を抑制できる。
 (2)詳細説明
 以下、実施形態1に係るフィルタ装置、高周波モジュール及び通信装置について、図1~図4を参照して詳しく説明する。
 (2-1)通信装置の構成
 図1に示すように、通信装置100は、高周波モジュール1を備える通信装置である。通信装置100は、例えば携帯端末(例えばスマートフォン)であるが、これに限らず、例えばウェアラブル端末(例えばスマートウォッチ)であってもよい。高周波モジュール1は、例えば、4G(第4世代移動通信)規格及び5G(第5世代移動通信)規格に対応可能なモジュールである。4G規格は、例えば、3GPP(Third Generation Partnership Project) LTE規格(LTE:Long Term Evolution)である。5G規格は、例えば、5G NR(New Radio)である。高周波モジュール1は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。
 通信装置100は、高周波モジュール1の他に、信号処理回路20と、1つ以上(図示例では1つ)のアンテナ40とを備える。
 高周波モジュール1は、アンテナ40で受信された受信信号(高周波信号)を増幅して信号処理回路20に出力するように構成されている。また、高周波モジュール1は、信号処理回路20からの送信信号を増幅してアンテナ40に出力するように構成されている。高周波モジュール1は、例えば、信号処理回路20によって制御される。
 信号処理回路20は、高周波モジュール1に接続されており、高周波モジュール1から受け取る受信信号を信号処理するように構成されている。また、信号処理回路20は、高周波モジュール1に出力する送信信号を信号処理するように構成されている。信号処理回路20は、RF信号処理回路21とベースバンド信号処理回路22とを含む。
 RF信号処理回路21は、例えばRFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)であり、高周波信号(受信信号)に対して信号処理を行う。RF信号処理回路21は、例えば、高周波モジュール1から受け取った受信信号を、ダウンコンバート等の信号処理を行ってベースバンド信号処理回路22に出力する。また、RF信号処理回路21は、ベースバンド信号処理回路22から出力された送信信号をアップコンバート等の信号処理を行って高周波モジュール1に出力する。
 ベースバンド信号処理回路22は、例えばBBIC(Baseband Integrated Circuit)である。ベースバンド信号処理回路22は、RF信号処理回路21から受け取った受信信号を外部に出力する。この出力信号(受信信号)は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。また、ベースバンド信号処理回路22は、外部から入力されたベースバンド信号(例えば音声信号及び画像信号)から送信信号を生成し、生成した送信信号をRF信号処理回路21に出力する。
 (2-2)高周波モジュールの回路構成
 本実施形態の高周波モジュール1は、広帯域(例えば比帯域7%以上)な通過帯域を有するフィルタ装置2を備える高周波モジュールである。上記の広帯域は、5G規格では、例えばSub6G帯(例えばバンドn77、n79)に対応し、4G規格では、例えばBand41に対応している。なお、「比帯域」とは、中心周波数に対する通過帯域幅の比である。以下、図1を参照して、このような高周波モジュール1の一例を説明する。
 図1に示すように、高周波モジュール1は、信号処理回路20とアンテナ40との間で高周波信号(例えば受信信号及び送信信号)を伝達する。高周波モジュール1は、電子部品として、例えば、フィルタ装置2と、スイッチ3と、受信フィルタ4と、送信フィルタ5と、整合回路6,7と、ローノイズアンプ8と、パワーアンプ9とを備える。また、高周波モジュール1は、複数(例えば3つ)の外部接続端子10を備える。また、高周波モジュール1は、複数(例えば3つ)の信号経路R1~R3を備える。また、高周波モジュール1は、上記の電子部品及び外部接続端子10を実装する実装基板を備える。実装基板は、互いに対向する第1主面及び第2主面を有する。上記の電子部品及び外部接続端子10は、実装基板の第1主面又は第2主面に実装されている。
 (2-2-1)外部接続端子
 複数の外部接続端子10は、アンテナ端子10Aと、信号出力端子10Bと、信号入力端子10Cとを含む。アンテナ端子10Aは、アンテナ40が接続される端子である。信号出力端子10Bは、高周波モジュール1が処理した受信信号を信号処理回路20に出力する端子であり、信号処理回路20の入力部に接続されている。信号入力端子10Cは、信号処理回路20からの送信信号を入力する端子であり、信号処理回路20の出力部に接続されている。
 (2-2-2)信号経路
 信号経路R1~R3は、信号(受信信号又は送信信号)を入力又は出力する複数の外部接続端子10を繋ぐ信号経路R0を構成する。すなわち、信号経路R1~R3は、信号経路R0の一部である。信号経路R0は、アンテナ端子10Aを通る信号が流れる信号経路である。信号経路R1は、アンテナ端子10Aとスイッチ3の共通端子3aとを繋ぐ信号経路である。信号経路R1には、フィルタ30が設けられている。信号経路R2は、スイッチ3の選択端子3bと信号出力端子10Bとを繋ぐ信号経路である。信号経路R2には、受信フィルタ4、整合回路6及びローノイズアンプ8が設けられている。信号経路R3は、スイッチ3の選択端子3cと信号入力端子10Cとを繋ぐ信号経路である。信号経路R3には、送信フィルタ5、整合回路7及びパワーアンプ9が設けられている。
 (2-2-3)スイッチ
 スイッチ3は、複数の信号経路R2,R3の中から、受信信号の受信又は送信信号の送信で使用する通信バンドに対応する信号経路を選択し、選択した信号経路を、アンテナ端子10Aと繋がる信号経路R1に接続する。スイッチ3は、例えばスイッチIC(Integrated Circuit)である。スイッチ3は、1つ以上(例えば1つ)の共通端子3aと、1つ以上(図示例では2つ)の選択端子3b,3cとを有する。共通端子3aは、信号経路R1を介してフィルタ30の入出力部に接続されている。選択端子3bは、信号経路R2を介して受信フィルタ4の入力部に接続されており、選択端子3cは、信号経路R3を介して送信フィルタ5の出力部に接続されている。スイッチ3は、複数の選択端子3b,3cの中から共通端子3aに接続される端子を切り替える。すなわち、スイッチ3は、複数の選択端子3b,3cの中から1つ以上(例えば1つ)の選択端子を選択し、選択した選択端子と共通端子3aとを接続(導通)する。
 (2-2-4)フィルタ装置
 フィルタ装置2は、フィルタ比帯域が例えば7%以上の広帯域のフィルタ30を含む。また、フィルタ30の通過帯域(第1通過帯域)は、例えば3GHz以上である。フィルタ30の通過帯域は、第1通信バンド(例えばn79)の信号を通過させる。フィルタ30は、信号経路R1に設けられており、信号経路R1(すなわち信号経路R0)を流れる信号を通過させる送受信フィルタである。
 フィルタ30は、第1入出力端子と第2入出力端子とを有する。フィルタ30の第1入出力端子は、アンテナ端子10Aに接続されており、フィルタ30の第2入出力端子は、スイッチ3の共通端子3aに接続されている。フィルタ30は、第1入出力端子に入力された受信信号を上述の通過帯域の信号に制限して第2入出力端子から出力する。また、フィルタ30は、第2入出力端子に入力された送信信号を上述の通過帯域の信号に制限して第1入出力端子から出力する。
 フィルタ30は、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波(SAW:Surface Acoustic Wave)フィルタである。フィルタ30は、複数の弾性波共振子を有する。弾性波共振子は、圧電基板と、圧電基板に形成されたIDT電極(櫛形電極)とを有する。複数の弾性波共振子は、直列腕共振子及び並列腕共振子を有するラダー型回路を構成する。フィルタ30は、複数の弾性波共振子に接続された少なくとも1つのインダクタを有する。フィルタ30の通過帯域幅は、複数の弾性波共振子の少なくとも1つの帯域幅よりも広い。なお、受信フィルタ4及び送信フィルタ5は、SAWフィルタに限定されず、SAWフィルタ以外に例えばBAW(Bulk Acoustic Wave)フィルタであってもよい。
 (2-2-5)受信フィルタ及び送信フィルタ
 受信フィルタ4は、信号経路R2に設けられており、信号経路R2(すなわち信号経路R0)を流れる信号を通過させる。受信フィルタ4は、第2通信バンドの信号を通過させる通過帯域を有する。送信フィルタ5は、信号経路R3に設けられており、信号経路R3(すなわち信号経路R0)を流れる信号を通過させる。送信フィルタ5は、第3通信バンドの信号を通過させる通過帯域を有する。受信フィルタ4及び送信フィルタ5は、互いに重なる通過帯域を有する。また、受信フィルタ4及び送信フィルタ5の各々の通過帯域はそれぞれ、フィルタ30の通過帯域の一部と重なっている。すなわち、第2通信バンド及び第3通信バンドの各々の帯域は、第1通信バンドの帯域の一部と重なっている。
 受信フィルタ4は、入力端子と出力端子とを有する。受信フィルタ4の入力端子は、スイッチの選択端子3bに接続されており、受信フィルタ4の出力端子は、整合回路6に接続されている。受信フィルタ4は、入力端子に入力された受信信号を上述の通過帯域の信号に制限して出力端子から出力する。送信フィルタ5は、入力端子と出力端子とを有する。送信フィルタ5の入力端子は、整合回路7に接続されており、送信フィルタ5の出力端子は、スイッチ3の選択端子3cに接続されている。送信フィルタ5は、送信フィルタ5の入力端子に入力された送信信号を上述の通過帯域の信号に制限して送信フィルタ5の出力端子から出力する。
 受信フィルタ4及び送信フィルタ5はそれぞれ、弾性波フィルタであってもよい。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波(SAW:Surface Acoustic Wave)フィルタである。受信フィルタ4及び送信フィルタ5はそれぞれ、複数の弾性波共振子を有する。弾性波共振子は、圧電基板と、圧電基板に形成されたIDT電極(櫛形電極)とを有する。複数の弾性波共振子は、直列腕共振子及び並列腕共振子を有するラダー型回路を構成する。なお、受信フィルタ4及び送信フィルタ5は、SAWフィルタに限定されず、SAWフィルタ以外に例えばBAW(Bulk Acoustic Wave)フィルタであってもよい。
 (2-2-6)ローノイズアンプ及びパワーアンプ
 ローノイズアンプ8は、信号経路R2に設けられている。ローノイズアンプ8は、入力部及び出力部を有する。入力部は、整合回路6に接続されており、出力部は、信号出力端子10Bに接続されている。ローノイズアンプ8は、入力部に入力された受信信号を増幅して出力部から出力する。パワーアンプ9は、信号経路R3に設けられている。パワーアンプ9は、入力部及び出力部を有する。入力部は、信号入力端子10Cに接続されている。出力部は、整合回路7に接続されている。パワーアンプ9は、入力部に入力された送信信号を増幅して出力部から出力する。
 (2-2-7)整合回路
 整合回路6は、信号経路R2に設けられている。整合回路6は、受信フィルタ4とローノイズアンプ8とのインピーダンス整合をとるための回路であり、受信フィルタ4とローノイズアンプ8との間に接続されている。整合回路7は、信号経路R3に設けられている。整合回路7は、送信フィルタ5とパワーアンプ9とのインピーダンス整合をとるための回路であり、送信フィルタ5とパワーアンプ9との間に接続されている。
 (2-3)通信装置の動作
 図1を参照して通信装置100の動作を説明する。
 受信時は、スイッチ3の共通端子3aが選択端子3bに接続される。これにより、信号経路R1と信号経路R2とが接続される。この状態で、アンテナ40で受信信号が受信されると、受信信号が信号経路R1,R2を流れる。そのとき、受信信号は、フィルタ30、受信フィルタ4、整合回路6及びローノイズアンプ8を順に通過する。そして、受信信号は、信号出力端子10Bから信号処理回路20に出力される。
 送信時は、スイッチ3の共通端子3aが選択端子3cに接続される。これにより、信号経路R1と信号経路R3とが接続される。この状態で、信号処理回路20から信号入力端子10Cに送信信号が入力されると、送信信号が信号経路R3,R1を流れる。そのとき、送信信号は、パワーアンプ9、整合回路7、送信フィルタ5、フィルタ30を順に通過する。そして、送信信号は、アンテナ端子10Aから出力されてアンテナ40から送信される。
 (2-4)フィルタ装置の回路構成
 図2を参照して、フィルタ装置2の回路構成を例示する。図2に示すように、フィルタ装置2は、フィルタ30を含む。フィルタ30は、第1入出力端子23と、第2入出力端子24と、複数(例えば5つ)の弾性波共振子S1~S3,P1,P2と、少なくとも1つ(例えば4)のインダクタL1~L4とを備える。
 第1入出力端子23は、アンテナ端子10Aに接続される端子である。第2入出力端子24は、スイッチ3の共通端子3aに接続される端子である。
 複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2は、第1入出力端子23と第2入出力端子24との間において、直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1,P2とを有するラダー型回路を構成している。以後、フィルタ30の直列腕共振子S1~S3をまとめて記載するときは、直列腕共振子S30と記載し、フィルタ30の並列腕共振子P1,P2をまとめて記載するときは、並列腕共振子P30と記載する場合もある。
 直列腕共振子S1~S3は、第1入出力端子23と第2入出力端子24との間の信号経路(直列腕ともいう)T1において、互いに直列に接続されている。並列腕共振子P1,P2は、信号経路T1上の分岐点N1,N2とグランドとの間の信号経路(並列腕ともいう)T2,T3に設けられている。分岐点N1は、隣り合う直列腕共振子S1,S2の間に配置されており、分岐点N2は、隣り合う直列腕共振子S2,S3の間に配置されている。信号経路T2は、分岐点N1とグランドとの間を接続している。信号経路T3は、分岐点N2と、信号経路T2の分岐点N4との間を接続している。
 直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1,P2は、フィルタ30の通過帯域(バンドn79の場合は4400~5000MHzの周波数帯域)を形成する。また、直列腕共振子S1~S3は、フィルタ30の高周波数側(バンドn79の場合は5000MHz付近)において帯域を急峻に減衰させる減衰帯域を形成する。また、並列腕共振子P1,P2は、フィルタ30の低周波数側(バンドn79の場合は4400MHz付近)において帯域を急峻に減衰させる減衰帯域を形成する。
 4つのインダクタL1~L4は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2に接続されている。より詳細には、インダクタL1,L2は、直列腕共振子S2,S3に接続されている。さらに詳細には、インダクタL1は、隣り合う直列腕共振子S2,S3の間(より詳細には直列腕共振子S2と分岐点N2の間)に接続されている。インダクタL2は、信号経路T1の分岐点N3とグランドとの間に接続されている。直列腕共振子S2,S3に接続されたインダクタL1,L2は、フィルタ30の通過帯域を広げることに寄与している。
 インダクタL3,L4は、並列腕共振子P1,P2に接続されている。より詳細には、インダクタL3,L4は、信号経路T2における並列腕共振子P1とグランドとの間において、互いに直列に接続されている。信号経路T2におけるインダクタL3,L4の間に、信号経路T3が接続される分岐点N4が配置されている。並列腕共振子P1,P2に接続されたインダクタL3,L4は、フィルタ30の通過帯域を広げることに寄与している。
 (2-5)フィルタの圧電基板の分離構造
 フィルタ30では、例えばバンドn79(4400~5000MHz)を通過帯域とする。そして、直列腕共振子S1~S3の反共振周波数によって、フィルタ30の高周波数側(5000MHz付近)の減衰帯域を形成している。また、並列腕共振子P1,P2の共振周波数によって、フィルタ30の低周波数側(4400MHz)の減衰帯域を形成している。
 ところが、広帯域のフィルタ30では、通過帯域が広帯域になると、直列腕共振子S1~S3の反共振周波数と並列腕共振子P1,P2の共振周波数との差が比較的大きくなる。例えばバンドn79の場合は、上記の差は600MHz程度になる場合がある。これは、弾性波共振子S1~S3,P1,P2をIDT電極で形成する場合、直列腕共振子S1~S3のIDT電極の電極ピッチと、並列腕共振子P1,P2のIDT電極の電極ピッチとが大きく異なることを意味する。
 この場合、直列腕共振子S1~S3と並列腕共振子P1,P2との各々のIDT電極を共通の圧電基板に形成すると、直列腕共振子S1~S3と並列腕共振子P1,P2との両方のIDT電極の電極ピッチを所望の電極ピッチに形成することが難しい。すなわち、フィルタ30において所望のフィルタ特性を得ることが難しい。この結果、フィルタ30のフィルタ特性が劣化する場合がある。
 そこで、本実施形態では、広帯域のフィルタ30において、直列腕共振子S1~S3の圧電基板と並列腕共振子P1,P2の圧電基板とを互いに異なる圧電基板に分離する(圧電基板の分離構造)。これにより、直列腕共振子S1~S3のIDT電極と、並列腕共振子P1,P2のIDT電極とを互いに異なる圧電基板を用いて形成する。これにより、直列腕共振子S1~S3のIDT電極と並列腕共振子P1,P2のIDT電極とを互いに独立して形成できる。この結果、直列腕共振子S1~S3と並列腕共振子P1,P2との両方のIDT電極の電極ピッチを、所望の電極ピッチに容易に形成できる。
 具体的には、図3に示すように、フィルタ装置2は、フィルタ基板26と、フィルタ30と、第1入出力端子23及び第2入出力端子24とを備える。フィルタ30は、直列腕共振子チップ27と、並列腕共振子チップ28と、インダクタL1~L4とを有する。
 フィルタ基板26は、フィルタ30を構成する電子部品(直列腕共振子チップ27、並列腕共振子チップ28、及びインダクタL1~L4)を実装するための基板であり、例えば矩形の板状である。フィルタ基板26は、フィルタ基板26の厚さ方向において互いに対向する第1主面261及び第2主面262を有する。
 電子部品、第1入出力端子23及び第2入出力端子24は、フィルタ基板26の第1主面261又は第2主面262に実装される。図3の例では、電子部品、第1入出力端子23及び第2入出力端子24は、フィルタ基板26の第1主面261に実装されている。
 なお、本実施形態では「実装されている」とは、電子部品がフィルタ基板26の第1主面261又は第2主面262に配置されていること(機械的に接続されていること)と、電子部品がフィルタ基板26(の適宜の導体部)と電気的に接続されていることと、を含む。
 直列腕共振子チップ27は、直列腕共振子S1~S3を共通の圧電基板270を用いて形成したチップである。直列腕共振子チップ27は、共通の圧電基板270と、直列腕共振子S1~S3の各々のIDT電極271~273とを有する。IDT電極271~273は、共通の圧電基板270の両方の主面のうちの一側(例えばフィルタ基板26側)の主面に実装されている。直列腕共振子S1~S3はそれぞれ、圧電基板270とIDT電極271~273とで構成されている。すなわち、直列腕共振子S1~S3は、互いに共通の圧電基板270を有する。
 並列腕共振子チップ28は、並列腕共振子P1,P2を共通の圧電基板280を用いて形成したチップである。並列腕共振子チップ28は、共通の圧電基板280と、並列腕共振子P1,P2の各々のIDT電極281,282とを有する。IDT電極281,282は、共通の圧電基板280の両方の主面のうちの一側(例えばフィルタ基板26側)の主面に実装されている。並列腕共振子P1,P2はそれぞれ、圧電基板280とIDT電極281,282とで構成されている。すなわち、並列腕共振子P1,P2は、互いに共通の圧電基板280を有する。
 また、並列腕共振子P1,P2の圧電基板280は、直列腕共振子S1~S3の圧電基板270とは異なる圧電基板である。すなわち、直列腕共振子S1~S3は、圧電基板270を有し、並列腕共振子P1,P2は、圧電基板270とは異なる圧電基板280を有する。
 直列腕共振子チップ27及び並列腕共振子チップ28は、例えばIDT電極271~273,281,282がフィルタ基板26に対向するように、フィルタ基板26に実装されている。また、フィルタ30は、例えば、フィルタ基板26に実装された第1入出力端子23及び第2入出力端子24が、高周波モジュール1の実装基板に対向するように、実装基板に実装される。
 上述のように、直列腕共振子S1~S3のIDT電極271~273と、並列腕共振子P1,P2のIDT電極281,282とが、互いに異なる圧電基板270,280に形成される。このため、IDT電極271~273の電極ピッチとIDT電極281,282の電極ピッチとを互いに独立に形成できる。これにより、直列腕共振子S1~S3と並列腕共振子P1,P2との周波数調整を個別にできる。この結果、フィルタ30において所望のフィルタ特性を容易に実現できる。また、IDT電極271~273の電極ピッチとIDT電極281,282の電極ピッチとを互いに独立に形成できるため、IDT電極271~273,281,282を安定して形成でき、この結果、フィルタ30の個体間でフィルタ特性のばらつきを低減できる。これにより、所望のフィルタ特性を容易に実現でき、これにより、フィルタ特性の劣化を抑制できる。
 (2-6)フィルタの圧電基板の分離構造の模式図
 図4は、フィルタ30の通過帯域がバンドn79(4400~5000MHz)である場合において、フィルタ30の圧電基板270,280の分離構造を模式的に説明する説明図である。フィルタ30の通過帯域がバンドn79である場合は、フィルタ30の高周波数側(5000MHz付近)の減衰帯域は、フィルタ30の直列腕共振子の反共振周波数で形成される。また、フィルタ30の低周波数側(4400MHz付近)の減衰帯域は、フィルタ30の並列腕共振子の共振周波数で形成される。
 図4の台形Z1の上辺310、フィルタ30の通過帯域(バンドn79の場合は4400~5000MHz)を示す。以後、フィルタ30の通過帯域を通過帯域310も記載する。また、台形Z1の右側の傾斜部分311は、フィルタ30の高周波数側(5000MHz付近)の減衰帯域(以後、減衰帯域311とも記載する。)を示す。台形Z1の左側の傾斜部分312は、フィルタ30の低周波数側(4400MHz付近)の減衰帯域(以後、減衰帯域312とも記載する)を示す。
 また、図4において、フィルタ30の低周波数側の減衰帯域312の下側に表記された「P30」は、フィルタ30の並列腕共振子P30がフィルタ30の低周波数側の減衰帯域312を形成することを示している。同様に、フィルタ30の高周波数側の減衰帯域311の下側に表記された「S30」は、フィルタ30の直列腕共振子S30がフィルタ30の高周波数側の減衰帯域311を形成することを示している。また、図4において、表記された「S30」及び「P30」が別々の輪(符号270,280)で囲まれている。これにより、フィルタ30の直列腕共振子S30の圧電基板270と並列腕共振子P30の圧電基板280とが互いに異なる(すなわち圧電基板270,280が互いに分離されている)ことを示している。
 (3)主要な効果
 以上、実施形態1に係るフィルタ装置2は、フィルタ基板26(基板)とフィルタ30とを備える。フィルタ30は、フィルタ基板26に実装される。フィルタ30は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2と、少なくとも1つのインダクタL1~L4と、を備える。複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2は、直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1,P2を有するラダー型回路を構成する。少なくとも1つのインダクタL1~L4は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2に接続されている。フィルタ30の通過帯域幅は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2の少なくとも1つの帯域幅よりも広い。直列腕共振子S1~S3は、圧電基板270(第1圧電基板)を有し、並列腕共振子P1,P2は、圧電基板270と異なる圧電基板280(第2圧電基板)を有する。
 この構成によれば、フィルタ30は、ラダー型のフィルタであり、直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1,P2を有する複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2を備える。そして、フィルタ30は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2に接続された少なくとも1つのインダクタL1~L4を有し、さらに、フィルタ30の通過帯域幅は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2の少なくとも1つの共振帯域幅よりも広い。このため、フィルタ30を、広帯域のフィルタとして構成できる。また、フィルタ30の直列腕共振子S1~S3及び並列腕共振子P1,P2は、互いに異なる圧電基板270,280を有する。このため、直列腕共振子S1~S3と並列腕共振子P1,P2との周波数調整を個別にできる。この結果、フィルタ30において所望のフィルタ特性を容易に実現でき、これにより、フィルタ30のフィルタ特性の劣化を抑制できる。
 つまり、従来では、フィルタを広帯域にしようとした場合に、直列腕共振子と並列腕共振子との圧電基板が共通であるため、直列腕共振子と並列腕共振子との構成(例えばIDTの電極ピッチ)を大きく異ならせることは難しい。そこで、本実施形態のように、直列腕共振子S1~S3(S30)の圧電基板270と並列腕共振子P1,P2(P30)との圧電基板280を互いに異ならせることで、直列腕共振子S1~S3(S30)と並列腕共振子P1,P2(P30)との構成を大きく異ならせることが可能になる。この結果、上述のように、広帯域を実現できかつフィルタ特性の劣化を抑制できるようになる。
 (4)変形例
 実施形態1の変形例について説明する。以下の説明では、実施形態1と同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略し、実施形態1と異なる部分を中心に説明する。
 (4-1)変形例1
 図5に示すように、本変形例では、実施形態1において、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2のうち、アンテナ端子10Aとの間の信号経路の長さが一番短い弾性波共振子を、最短弾性波共振子Q1と記載する。本変形例では、最短弾性波共振子Q1は、圧電基板270(第1圧電基板)及び圧電基板280(第2圧電基板)とは異なる圧電基板(例えば290)を有する。図5の例では、直列腕共振子S1が最短弾性波共振子Q1となる。
 最短弾性波共振子Q1は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2のうち、アンテナ端子10Aとの間の信号経路が一番短いため、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2の中でアンテナ特性に一番影響する。このため、最短弾性波共振子Q1の圧電基板290と他の弾性波共振子の圧電基板270,280とを分離することで、最短弾性波共振子Q1と他の弾性波共振子とを別々に周波数の調整を可能とする。これにより、アンテナ特性の調整が容易になる。
 なお、図6に示すように、実施形態1において、直列腕共振子S1が無い場合、すなわち、直列腕共振子S2と並列腕共振子P1の両方が最短弾性波共振子Q1になり得る場合は、並列腕共振子P1を最短弾性波共振子Q1と定義してもよい。この場合は、並列腕共振子P1の圧電基板が他の弾性波共振子の圧電基板270,280と分離される。すなわち、並列腕共振子P1が、直列腕共振子S2,S3の圧電基板270及び並列腕共振子P2の圧電基板280とは異なる圧電基板290を有する。
 (4-2)変形例2
 実施形態1のフィルタ30は、複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2に接続された少なくとも1つのインダクタL1~L4を備えることで、広帯域の通過帯域を実現する。ただし、図7に示すように、本変形例のフィルタ30は、実施形態1において、少なくとも1つのインダクタL1~L4のうちの1つ以上(例えばインダクタL1)に接続されたキャパシタC1を備えることで、より広い広帯域の通過帯域を実現する。図7の例では、キャパシタC1は、インダクタL2と接続されている。より詳細には、インダクタL2は、信号経路T1の分岐点N3とグランドとの間に接続されている。分岐点N3は、直列腕共振子S3と第2入出力端子24との間に配置されている。キャパシタC1は、信号経路T1において分岐点N3と第2入出力端子24との間に接続されている。すなわち、キャパシタC1は、インダクタL1と共にLC回路(例えばハイパスフィルタ)を構成する。本変形例によれば、インダクタL2に接続されたキャパシタC1を備えることで、フィルタ30の通過帯域をより広帯域にできる。
 本変形例のフィルタ30は、複数の弾性波共振子と1つ以上のインダクタとを有するラダー型回路のフィルタにおいて、LC回路を備える。LC回路は、広帯域の通過帯域を形成可能であるが、通過帯域の両側の減衰帯域が十分に急峻に減衰しない場合があるという特性を有する。他方、ラダー型回路のフィルタは、通過帯域は必ずしも広くはないが、通過帯域の両側が急峻に減衰するという特性を有する。本変形例のフィルタ30は、上記のラダー回路とLC回路とを備えるため、上記のラダー回路とLC回路の両方の特性を有する。すなわち、本変形例のフィルタ30は、広帯域の通過帯域を有し、かつ、その通過帯域の両側が急峻に減衰する減衰領域を有するという特性を有する。この構成により、本変形例のフィルタ30は、より広い広帯域を実現できる。
 しかし、広帯域のフィルタ30では、実施形態1で説明したように、直列腕共振子S1~S3の反共振周波数と並列腕共振子P1,P2の共振周波数との差が大きくなる。このため、仮に直列腕共振子S1~S3の圧電基板と並列腕共振子P1,P2の圧電基板とが共通であると、直列腕共振子S1~S3と並列腕共振子P1,P2を個別に周波数の調整ができないため、フィルタ特性が劣化する。本変形例のフィルタ30では、実施形態1のように、直列腕共振子S1~S3の圧電基板と並列腕共振子P1,P2の圧電基板が互いに異なることで、直列腕共振子S1~S3と並列腕共振子P1,P2を個別に周波数の調整を可能として、フィルタ特性の劣化を抑制している。
 このように、本変形例のフィルタ30は、ラダー回路とLC回路を備えることで広帯域化を実現するが、より一層、広帯域化されるほど、直列腕共振子S1~S3の圧電基板と並列腕共振子P1,P2の圧電基板を互いに異ならせることによるフィルタ特性の劣化の抑制の効果をより一層発揮できる。すなわち、本変形例のフィルタ30は、広帯域であるほど有利な構成である。
 また、本変形例では、キャパシタC1は、インダクタL2と共にハイパスフィルタを構成するが、キャパシタC1は、インダクタL1~L4の内のいずれかとともにローパスフィルタを構成してもよいし、バンドパスフィルタを構成してもよい。
 なお、図7に示すフィルタ30の回路構成は、直列腕共振子S1~S3と並列腕共振子P1,P2を有するラダー形回路を構成する複数の弾性波共振子S1~S3,P1,P2に接続されるキャパシタC1を備える。この構成は、より広帯域の通過帯域を実現するフィルタの一例である。したがって、フィルタ30が備える複数の弾性波共振子の個数及びインダクタの個数は、図7の例に示される個数に限定されない。
 (4-3)変形例3
 実施形態1では、直列腕共振子S1~S3の圧電基板270と並列腕共振子P1,P2の圧電基板280は、互いに別である。これを利用して、直列腕共振子S1~S3のIDT電極271~273の電極ピッチM1を、並列腕共振子P,P2のIDT電極281,282の電極ピッチM2よりも狭くしてもよい(図3参照)。これにより、直列腕共振子S1~S3の反共振周波数を並列腕共振子P1,P2の共振周波数よりも高い周波数にできる。
 (4-4)変形例4
 実施形態1では、直列腕共振子S1~S3の圧電基板270と並列腕共振子P1,P2の圧電基板280は、互いに別である。これを利用して、直列腕共振子S1~S3の圧電基板270のカット角と、並列腕共振子P1,P2の圧電基板280のカット角を異ならせてもよい。これにより、フィルタ30の減衰帯域311,312を形成するのに最適なカット角を並列腕共振子P1,P2と直列腕共振子S1~S3でそれぞれ異ならせることができる。これにより、フィルタ30のフィルタ特性を改善することができる。
 (4-5)変形例5
 実施形態1では、直列腕共振子S1~S3の圧電基板270と並列腕共振子P1,P2の圧電基板280は、互いに別である。これを利用して、直列腕共振子S1~S3の圧電基板270の厚さと、並列腕共振子P1,P2の圧電基板280の厚さを異ならせてもよい。これにより、フィルタ30の減衰帯域311,312を形成するのに最適な厚さ(圧電基板270,280の厚さ)を並列共振子P1,P2と直列腕共振子S1~S3でそれぞれ異ならせることができる。これにより、フィルタ30のフィルタ特性を改善することができる。
 (実施形態2)
 図8~図11を参照して、実施形態2に係るフィルタ装置50について説明する。以下の説明では、実施形態1と同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略し、実施形態1と異なる部分を中心に説明する。
 (1)概要
 実施形態2のフィルタ装置50は、2つの広帯域フィルタ(フィルタ51(第1フィルタ)及びフィルタ52(第2フィルタ))を含むダイプレクサである(図8参照)。このフィルタ装置50では、フィルタ51として実施形態1のフィルタ30が用いられており、フィルタ51の低周波数側の減衰帯域512とフィルタ52の高周波数側の減衰帯域521とは、互いに隣接している。この構成において、フィルタ51の並列腕共振子P51とフィルタ52の直列腕共振子S52とが共通の圧電基板を有する点が特徴である(図9参照)。
 すなわち、フィルタ51では、実施形態1のフィルタ30と同様に、直列腕共振子S51と並列腕共振子P51とが互いに異なる圧電基板を有する。本実施形態では、さらに、フィルタ52の並列腕共振子P52及び直列腕共振子S52のうちフィルタ51の並列腕共振子P51と共振周波数が近い方の共振子(直列腕共振子S52)と、フィルタ51の並列腕共振子P51とが、共通の圧電基板で形成される。すなわち、フィルタ51の並列腕共振子P51とフィルタ52の直列腕共振子S52は、共通の圧電基板を有する。以下、このフィルタ装置50について、詳しく説明する。
 (2)詳細説明
 図8に示すように、フィルタ装置50は、2つのフィルタ51,52と、3つの入出力端子53~55と、フィルタ基板とを備える。2つのフィルタ51,52及び3つの入出力端子53~55は、フィルタ基板に実装されている。
 入出力端子53~55は、フィルタ装置50に対して信号(送信信号又は受信信号)を入力及び出力するための端子である。入出力端子53は、フィルタ51,52に共通に接続されている。入出力端子54,55はそれぞれ、フィルタ51,52に接続されている。
 フィルタ51,52はそれぞれ、例えば、比帯域が7%以上でかつ通過帯域が3GHz以上の広帯域フィルタである。フィルタ51は、第1周波数帯域(例えばバンドn79(4400~5000MHz))の信号を通過させる通過帯域を有する。フィルタ52は、第2周波数帯域(例えばバンドn77(3300~4200MHz))の信号を通過させる通過帯域を有する。第2周波数帯域は、第1周波数帯域よりも低い。また、第1周波数帯域と第2周波数帯域とは互いに隣接している。
 なお、「第1周波数帯域と第2周波数帯域とは互いに隣接している」とは、第1周波数帯域と第2周波数帯域との間に他の周波数帯域が存在しないことである。
 フィルタ51は、入出力端子53に入力された信号を上記の通過帯域に制限して入出力端子54から出力する。また、フィルタ51は、入出力端子54に入力された信号を上記の通過帯域に制限して入出力端子53から出力する。フィルタ52は、入出力端子53に入力された信号を上記の通過帯域に制限して入出力端子55から出力する。また、フィルタ52は、入出力端子55に入力された信号を上記の通過帯域に制限して入出力端子53から出力する。
 図9に示すように、フィルタ51は、通過帯域510と減衰帯域511,512とを有する。通過帯域510は、第1周波数帯域(例えばバンドn79)の信号を通過させる帯域である。減衰帯域511は、通過帯域510の高周波数側を急峻に減衰させる帯域である。減衰帯域512は、通過帯域510の低周波数側を急峻に減衰させる帯域である。フィルタ51は、直列腕共振子S51及び並列腕共振子P51を有するラダー型回路を構成する複数の弾性波共振子を備える。フィルタ51の直列腕共振子S51は、フィルタ51の高周波数側の減衰帯域511を形成する。フィルタ51の並列腕共振子P51は、フィルタ51の低周波数側の減衰帯域512を形成する。
 フィルタ52は、通過帯域520と減衰帯域521,522とを有する。通過帯域520は、第2周波数帯域(例えばバンドn77)の信号を通過させる帯域である。減衰帯域521は、通過帯域520の高周波数側を急峻に減衰させる帯域である。減衰帯域522は、通過帯域520の低周波数側を急峻に減衰させる帯域である。フィルタ52は、直列腕共振子S52を含む複数の弾性波共振子を備える。フィルタ52の直列腕共振子S52は、フィルタ52の高周波数側の減衰帯域521を形成する。
 フィルタ51の通過帯域510は、フィルタ52の通過帯域520よりも高い帯域である。すなわち、通過帯域510の下限は、通過帯域520の上限よりも高い。フィルタ51の低周波数側の減衰帯域512と、フィルタ52の高周波数側の減衰帯域521とは、互いに隣接している。
 なお、「通過帯域510と通過帯域520とは互いに隣接している」とは、通過帯域510,520の間に他の通過帯域が存在しないことである。また、「通過帯域510と通過帯域520とは互いに隣接している」には、フィルタ51の通過帯域520側(例えば低周波数側)の減衰帯域512と、フィルタ52の通過帯域510側(例えば高周波数側)の減衰帯域521とが互いに重なる場合と、フィルタ51の減衰帯域512とフィルタ52の減衰帯域521とが互いに重ならない場合と、を含む。図9では、フィルタ51の減衰帯域512とフィルタ52の減衰帯域521とが互いに重なる場合が図示されている。
 フィルタ51の低周波数側の減衰帯域512とフィルタ52の高周波数側の減衰帯域521が互いに隣接するため、フィルタ51の並列腕共振子P51の共振周波数とフィルタ52の直列腕共振子S52の反共振周波数とは、互いに近い。このため、本実施形態では、フィルタ51の並列腕共振子P51とフィルタ52の直列腕共振子S52は、実施形態2の場合と同様に、共通の圧電基板を用いて形成される。換言すれば、フィルタ51の並列腕共振子P51とフィルタ52の直列腕共振子S52は、共通の圧電基板を有する。図9では、並列腕共振子P51と直列腕共振子S52とが同じ輪(符号570)で囲まれることで、並列腕共振子P51と直列腕共振子S52とが共通の圧電基板570を有することが図示されている。
 フィルタ51は、実施形態1のフィルタ30と同様の広帯域のフィルタである。このため、フィルタ51の並列腕共振子P51と直列腕共振子S51は、実施形態1の場合と同様に、互いに異なる圧電基板570,580を有する。図9では、並列腕共振子P51が輪(符号570)で囲まれており、直列腕共振子S51が上記の輪(符号570)とは異なる輪(符号580)で囲まれている。これにより、並列腕共振子P51と直列腕共振子S51が互いに異なる圧電基板570,580を有することが図示されている。
 (3)フィルタ装置の具体例
 図10を参照して、フィルタ装置50の回路構成の一例を説明する。図10に示すように、フィルタ装置50は、フィルタ51,52と、入出力端子53~55とを備える。フィルタ51は、入出力端子53と入出力端子54とを繋ぐ信号経路T1に設けられている。フィルタ52は、入出力端子53と入出力端子55とを繋ぐ信号経路T4に設けられている。
 フィルタ51は、実施形態1のフィルタ30と同じ回路構成であるため、実施形態1のフィルタ30の構成と同じ符号を付して説明は省略する。図10において、直列腕共振子S1~S3が図9の直列腕共振子S51に対応し、並列腕共振子P1,P2が図9の並列腕共振子P51に対応する。
 フィルタ52は、直列腕共振子S4,S5と、インダクタL4~L6と、キャパシタC2,C3とを備える。直列腕共振子S4,S5は、入出力端子53,55の間の信号経路T4において互いに直列に接続されている。インダクタL4及びキャパシタC2は、入出力端子53と直列腕共振子S4との間において互いに並列に接続されており、LC並列共振回路を構成する。インダクタL5及びキャパシタC3は、信号経路T4の分岐点N5とグランドとの間において互いに直列に接続されており、LC直列共振回路を構成する。分岐点N5は、インダクタL4と直列腕共振子S4との間に配置されている。インダクタL6は、信号経路T4の分岐点N6とグランドとの間に接続されている。分岐点N6は、直列腕共振子S4,S5との間に配置されている。この構成において、直列腕共振子S4,S5が図9の直列腕共振子S52に対応する。
 この回路構成において、フィルタ51の直列腕共振子S1~S3(S51)と並列腕共振子P1,P2(P51)は、実施形態1の場合と同様に、互いに異なる圧電基板を有する。また、フィルタ51の並列腕共振子P1,P2(P51)とフィルタ52の直列腕共振子S4,S5(S52)は、共通の圧電基板を有する。
 より詳細には、図11に示すように、フィルタ装置50は、フィルタ基板56と、弾性波共振子チップ57,58と、上記のインダクタL1~L6と、上記のキャパシタC2,C3とを備える。
 フィルタ基板56は、第1主面561及び第2主面562を有する。フィルタ基板56の第1主面561には、例えば、弾性波共振子チップ57,58と、インダクタL1~L6と、入出力端子53~55とが実装されており、フィルタ基板56の第2主面562には、例えば、キャパシタC2,C3が実装されている。
 弾性波共振子チップ57は、フィルタ51の並列腕共振子P1,P2(P51)とフィルタ52の直列腕共振子S4,S5(S52)とを共通の圧電基板570を用いて形成したチップである。弾性波共振子チップ57は、共通の圧電基板570と、並列腕共振子P1,P2(P51)の各々のIDT電極571,572と、直列腕共振子S4,S5(S52)の各々のIDT電極573,574とを有する。IDT電極571~574は、共通の圧電基板570の両方の主面のうちの一側(例えばフィルタ基板56側)の主面に実装されている。並列腕共振子P1,P2はそれぞれ、圧電基板570とIDT電極571,572とで構成されている。直列腕共振子S4,S5(S52)はそれぞれ、圧電基板570とIDT電極573,574とで構成されている。すなわち、並列腕共振子P1,P2(P51)及び直列腕共振子S4,S5(S52)の各々の圧電基板570は、互いに共通である。
 弾性波共振子チップ58は、フィルタ51の直列腕共振子S1~S3(S51)を共通の圧電基板580を用いて形成したチップである。弾性波共振子チップ58は、共通の圧電基板580と、直列腕共振子S1~S3(S51)の各々のIDT電極581~583とを有する。IDT電極581~583は、共通の圧電基板580の両方の主面のうちの一側(例えばフィルタ基板56側)の主面に実装されている。直列腕共振子S1~S3(S51)はそれぞれ、圧電基板580とIDT電極581~583とで構成されている。すなわち、直列腕共振子S1~S3(S51)の各々の圧電基板580は、互いに共通である。また、直列腕共振子S1~S3(S51)の各々の圧電基板580は、並列腕共振子P1,P2(P51)及び直列腕共振子S4,S5(S52)の各々の圧電基板570と別である(すなわち分離している)。
 (4)主要な効果
 本実施形態のフィルタ装置50によれば、フィルタ51の直列腕共振子S51の圧電基板580と並列腕共振子P51の圧電基板570は、互いに異なる。このため、実施形態1の場合と同様に、所望のフィルタ特性を容易に実現でき、これにより、フィルタ特性の劣化を抑制できる。
 さらに、フィルタ51の並列腕共振子P51及びフィルタ52の直列腕共振子S52は、共通の圧電基板570を有するため、フィルタ51,52を備えるフィルタ装置50を小型化できる。
 本実施形態では、フィルタ51の通過帯域510はフィルタ52の通過帯域520よりも高いが、フィルタ51の通過帯域510はフィルタ52の通過帯域520よりも低くてもよい。この場合は、フィルタ51の直列腕共振子S51とフィルタ52の並列共振子とが、共通の圧電基板を有する。
 (実施形態3)
 図12及び図13を参照して、実施形態3に係るフィルタ装置60について説明する。実施形態2では、2つのフィルタ51,52間で共振周波数が近い弾性波共振子を共通の圧電基板で形成するが、実施形態3では、3つのフィルタ61~63(第1~第3フィルタ)間で共振周波数が近い弾性波共振子を共通の圧電基板で形成する。以下の説明では、実施形態1,2と同じ構成要素には実施形態1,2と同じ符号を付して説明を省略し、実施形態1,2と異なる部分を中心に説明する。
 (1)概要
 実施形態3のフィルタ装置60は、広帯域のフィルタ61と、広帯域でないフィルタ62,63とを含む2入力3出力型のフィルタである(図12参照)。フィルタ装置60では、フィルタ61として実施形態1のフィルタ30が用いられており、フィルタ61の通過帯域610は、フィルタ62,63の通過帯域620,630を含む(図13参照)。この構成において、フィルタ61~63において、並列腕共振子P61~P63同士が共通の圧電基板680を有し、直列腕共振子S61~S63同士が共通の圧電基板670を有する点が特徴である(図13参照)。
 すなわち、フィルタ61では、実施形態1のフィルタ30と同様に、直列腕共振子S61と並列腕共振子P61とが互いに異なる圧電基板670,680を有する。本実施形態では、さらに、フィルタ62,63の並列腕共振子P62,P63の共振周波数とフィルタ61の並列腕共振子P61の共振周波数とが互いに近い。このため、フィルタ61,62,63の並列腕共振子P61,P62,P63が共通の圧電基板680を用いて形成される。同様に、フィルタ62,63の直列腕共振子S62,S63の反共振周波数とフィルタ61の直列腕共振子S61の反共振周波数とが互いに近いため、フィルタ61,62,63の直列腕共振子S61,S62,S63が共通の圧電基板670を用いて形成される。以下、このフィルタ装置60について、詳しく説明する。
 (2)詳細説明
 図12に示すように、フィルタ装置60は、2つのフィルタ61~63と、5つの入出力端子64~68と、フィルタ基板とを備える。2つのフィルタ61~63及び5つの入出力端子64~68は、フィルタ基板に実装される。
 入出力端子64~68は、フィルタ装置60に対して信号(送信信号又は受信信号)を入力及び出力するための端子である。入出力端子64,65は、フィルタ61に接続されている。入出力端子66は、フィルタ62,63に共通に接続されている。入出力端子67,68はそれぞれ、フィルタ62,63に接続されている。
 フィルタ61は、例えば、比帯域が7%以上でかつ通過帯域が3GHz以下の広帯域フィルタである。フィルタ61は、第1周波数帯域(例えばBand41(2496~2690MHz))の信号を通過させる通過帯域を有する。フィルタ62は、非広帯域の受信フィルタであり、第2周波数帯域(例えばBand7のダウンリンク(2620~2690MHz))の信号を通過させる通過帯域を有する。フィルタ63は、非広帯域の送信フィルタであり、第3周波数帯域(例えばBand7のアップリンク(2500~2570MHz))を通過させる通過帯域を有する。第1周波数帯域は、第2周波帯域及び第3周波帯域を含む。第2周波数帯域は、第3周波数帯域よりも高い。
 フィルタ61は、入出力端子64に入力された信号を上記の通過帯域に制限して入出力端子65から出力する。また、フィルタ61は、入出力端子65に入力された信号を上記の通過帯域に制限して入出力端子64から出力する。フィルタ62は、入出力端子66に入力された信号を上記の通過帯域に制限して入出力端子67から出力する。また、フィルタ63は、入出力端子68に入力された信号を上記の通過帯域に制限して入出力端子66から出力する。
 図13に示すように、フィルタ61は、通過帯域610と減衰帯域611,612とを有する。通過帯域610は、第1周波数帯域(例えばBand41)の信号を通過させる帯域である。減衰帯域611は、通過帯域610の高周波数側を急峻に減衰させる帯域である。減衰帯域612は、通過帯域610の低周波数側を急峻に減衰させる帯域である。フィルタ61は、ラダー型のフィルタであり、直列腕共振子S61及び並列腕共振子P61を有する複数の弾性波共振子を備える。フィルタ61の直列腕共振子S61の反共振周波数は、フィルタ61の高周波数側の減衰帯域611を形成する。フィルタ61の並列腕共振子P61の共振周波数は、フィルタ61の低周波数側の減衰帯域612を形成する。
 フィルタ62は、通過帯域620と減衰帯域621,622とを有する。通過帯域620は、第2周波数帯域(例えばBand7のダウンリンク)の信号を通過させる帯域である。減衰帯域621は、通過帯域620の高周波数側を急峻に減衰させる帯域である。減衰帯域622は、通過帯域620の低周波数側を急峻に減衰させる帯域である。フィルタ62は、ラダー型のフィルタであり、直列腕共振子S62及び並列腕共振子P62を有する複数の弾性波共振子を備える。フィルタ62の直列腕共振子S62の反共振周波数は、フィルタ62の高周波数側の減衰帯域621を形成する。フィルタ62の並列腕共振子P62の共振周波数は、フィルタ62の低周波数側の減衰帯域622を形成する。
 フィルタ63は、通過帯域630と減衰帯域631,632とを有する。通過帯域630は、第3周波数帯域(例えばBand7のアップリンク)の信号を通過させる帯域である。減衰帯域631は、通過帯域630の高周波数側を急峻に減衰させる帯域である。減衰帯域632は、通過帯域630の低周波数側を急峻に減衰させる帯域である。フィルタ63は、ラダー型のフィルタであり、直列腕共振子S63及び並列腕共振子P63を有する複数の弾性波共振子を備える。フィルタ63の直列腕共振子S63の反共振周波数は、フィルタ63の高周波数側の減衰帯域631を形成する。フィルタ63の並列腕共振子P63の共振周波数は、フィルタ63の低周波数側の減衰帯域632を形成する。
 フィルタ61の通過帯域610は、フィルタ62の通過帯域620及びフィルタ63の通過帯域630を含む。フィルタ61の高周波数側の減衰帯域611と、フィルタ62の高周波数側の減衰帯域621とは、互いに隣接している。フィルタ61の低周波数側の減衰帯域612と、フィルタ63の低周波数側の減衰帯域632とは、互いに隣接している。フィルタ62の低周波数側の減衰帯域622と、フィルタ63の高周波数側の減衰帯域631とは、互いに重なっている。すなわち、フィルタ62の低周波数側の減衰帯域622を形成する並列腕共振子P62の共振周波数は、フィルタ63の高波数側の減衰帯域631を形成する直列腕共振子S63の反共振周波数よりも低い。なお、2つの通過帯域が互いに隣接しているとは、実施形態2で定義した通りである。
 フィルタ61は、実施形態1のフィルタ30と同様の構成の広帯域のフィルタである。このため、フィルタ61の並列腕共振子P61と直列腕共振子S61は、実施形態1の場合と同様に、互いに異なる圧電基板670,680を有する。図13では、並列腕共振子P61が輪(符号680)で囲まれ、直列腕共振子S61が上記の輪(符号680)と異なる輪(符号670)で囲まれている。これにより、並列腕共振子P61と直列腕共振子S61が互いに異なる圧電基板680,670を有することが図示されている。
 フィルタ61,62の高周波数側の減衰帯域611,621は、互いに隣接する。さらに、フィルタ62が非広帯域であり、かつ、上述の通り、フィルタ63の直列腕共振子S63の反共振周波数は、フィルタ62の並列腕共振子P62の共振周波数よりも高い。これらのため、フィルタ61~63の直列腕共振子S61~S63の反共振周波数は、互いに近い。したがって、本実施形態では、フィルタ61~63の直列腕共振子S61~S63は、実施形態2の場合と同様に、共通の圧電基板670を用いて形成される。換言すれば、フィルタ61~63の直列腕共振子S61~S63は、共通の圧電基板670を有する。図13では、直列腕共振子S61~S63が同じ輪(符号670)で囲まれることで、直列腕共振子S61~S63が共通の圧電基板670を有することが図示されている。
 フィルタ61,63の低高周波数側の減衰帯域612,632は、互いに隣接する。さらに、フィルタ63が非広帯域であり、かつ、上述の通り、フィルタ62の並列腕共振子P62の共振周波数は、フィルタ63の直列腕共振子S63の反共振周波数よりも低い。これらのため、フィルタ61~63の並列腕共振子P61~P63の共振周波数は、互いに近い。したがって、本実施形態では、フィルタ61~63の並列腕共振子P61~P63は、実施形態2の場合と同様に、共通の圧電基板680を用いて形成される。換言すれば、フィルタ61~63の並列腕共振子P61~P63は、共通の圧電基板680を有する。並列腕共振子P61~P63の共通の圧電基板680は、直列腕共振子S61~S63の共通の圧電基板670とは異なる圧電基板である。図13では、並列腕共振子P61~P63が同じ輪(符号680)で囲まれることで、並列腕共振子P61~P63が共通の圧電基板680を有することが図示されている。
 (3)主要な効果
 本実施形態のフィルタ装置60によれば、フィルタ61の直列腕共振子S61と並列腕共振子P61は、互いに異なる圧電基板670,680を有する。このため、実施形態1の場合と同様に、広帯域の通過帯域を実現できかつフィルタ特性の劣化を抑制できる。
 さらに、フィルタ61~63の並列腕共振子P61~P63は、互いに共通の圧電基板680を有する。また、フィルタ61~63の直列腕共振子S61~S63は、互いに共通の圧電基板であって、並列腕共振子P61~P63の圧電基板680とは異なる圧電基板670を有する。これらのため、フィルタ61,52を備えるフィルタ装置60を小型化できる。
 (4)実施形態3の変形例
 図14を参照して、実施形態3の変形例1に係るフィルタ装置70について説明する。実施形態3と同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略し、実施形態3と異なる構成要素を中心に説明する。
 実施形態3において、フィルタ61,62の高周波数側の減衰帯域611,621は、互いに隣接する。このため、図14に示す本変形例のように、フィルタ61,62の直列腕共振子S61,S62は、共通の圧電基板770を用いて形成されてもよい。換言すれば、フィルタ61,62の直列腕共振子S61,S62は、共通の圧電基板770を有してもよい。図14では、直列腕共振子S61,S62が同じ輪(符号770)で囲まれることで、直列腕共振子S61,S62が共通の圧電基板770を有することが図示されている。
 同様に、実施形態3において、フィルタ61,63の低周波数側の減衰帯域612,632は、互いに隣接する。このため、図14に示す本変形例のように、フィルタ61,63の並列腕共振子P61,P63は、共通の圧電基板780を用いて形成されてもよい。換言すれば、フィルタ61,63の並列腕共振子P61,P63は、共通の圧電基板780を有してもよい。図14では、並列腕共振子P61,P63が同じ輪(符号780)で囲まれることで、並列腕共振子P61,P63が共通の圧電基板780を有することが図示されている。
 また、実施形態3において、フィルタ62の低周波数側の減衰帯域622と、フィルタ63の高周波数側の減衰帯域631と、互いに重なる。このため、図14に示す本変形例のように、フィルタ62の並列腕共振子P62と、フィルタ63の直列腕共振子S63とは、共通の圧電基板790を用いて形成されてもよい。換言すれば、フィルタ62の並列腕共振子P62と、フィルタ63の直列腕共振子S63とは、共通の圧電基板790を有してもよい。なお、この共通の圧電基板790は、フィルタ61の直列腕共振子S61の圧電基板770及びフィルタ61の並列腕共振子P61の圧電基板780とは異なる圧電基板である。図14では、並列腕共振子P62と直列腕共振子S63とが同じ輪(符号790)で囲まれることで、並列腕共振子P62と直列腕共振子S63が共通の圧電基板790を有することが図示されている。
 本実施形態のフィルタ装置70によれば、フィルタ61の直列腕共振子S61と直列腕共振子P61は、互いに異なる圧電基板770,780を有する。このため、実施形態1の場合と同様に、広帯域の通過帯域を実現できかつフィルタ特性の劣化を抑制できる。
 さらに、フィルタ61,62の直列腕共振子S61,S62は、共通の圧電基板770を有する。また、フィルタ61,63の並列腕共振子P61,P63は、共通の圧電基板780を有する。また、フィルタ62の並列腕共振子P62と、フィルタ63の直列腕共振子S63とは、共通の圧電基板790を有する。このため、フィルタ61,62を備えるフィルタ装置70を小型化できる。
 なお、本変形例では、フィルタ63の直列腕共振子S63の反共振周波数は、フィルタ62の並列腕共振子P62の共振周波数よりも高いが、フィルタ63の直列腕共振子S63の反共振周波数は、フィルタ62の並列腕共振子P62の共振周波数よりも低くてもよい。
 (5)態様
 本明細書には、以下の態様が発明されている。
 第1の態様のフィルタ装置(2;50;60;70)は、基板(26;56)と、基板(26;56)に実装されたラダー型のフィルタ(30;51;61)と、を備える。フィルタ(30;51;61)は、複数の弾性波共振子(S30,P30;S51,P51;S61,P61)と、少なくとも1つのインダクタ(L1~L4)と、を有する。複数の弾性波共振子(S30,P30;S51,P51;S61,P61)は、直列腕共振子(S30;S51;S61)及び並列腕共振子(P30;P51;P61)を有する。少なくとも1つのインダクタ(L1~L4)は、複数の弾性波共振子(S30,P30;S51,P51;S61,P61)に接続されている。フィルタ(30;51;61)の通過帯域幅は、複数の弾性波共振子(S30,P30;S51,P51;S61,P61)の少なくとも1つの共振帯域幅よりも広い。直列腕共振子(S30;S51;S61)は、第1圧電基板(270;580;670;770)を有する。並列腕共振子(P30;P51;P61)は、第1圧電基板と異なる第2圧電基板(280;570;680;780)を有する。
 この構成によれば、フィルタ(30;51;61)は、直列腕共振子(S30;S51;S61)及び並列腕共振子(P30;P51;P61)を有するラダー型回路を構成する複数の弾性波共振子(S30,P30;S51,P51;S61,P61)と、複数の弾性波共振子(S30,P30;S51,P51;S61,P61)に接続された少なくとも1つのインダクタ(L1~L4)とを有する。さらに、フィルタ(30;51;61)の通過帯域幅は、複数の弾性波共振子の少なくとも1つの共振帯域幅よりも広い。このため、フィルタ(30;51;61)を、広帯域のラダー型のフィルタとして構成できる。また、フィルタ(30;51;61)の直列腕共振子(S30;S51;S61)及び並列腕共振子(P30;P51;P61)は、互いに異なる圧電基板(270,280;580,570;670,680;770,780)を有する。このため、直列腕共振子(S30;S51;S61)のIDT電極(271~273;581~583)及び並列腕共振子(P30;P51;P61)のIDT電極(281,282;571,572)の各々の電極ピッチを個別に調整できる。これにより、所望のフィルタ特性を容易に実現できる。この結果、フィルタ特性の劣化を抑制できる。以上より、広帯域を実現できかつフィルタ特性の劣化を抑制できる。
 つまり、従来では、フィルタを広帯域にしようとした場合に、直列腕共振子と並列腕共振子との圧電基板が共通であるため、直列腕共振子と並列腕共振子との構成(例えばIDTの電極ピッチ)を大きく異ならせることは難しい。そこで、本発明のように、直列腕共振子(S30;S51;S61)の圧電基板(270;580;670;770)と並列腕共振子(P30;P51;P61)との圧電基板(280;570;680;780)を互いに異ならせることで、直列腕共振子(S30;S51;S61)と並列腕共振子(P30;P51;P61)との構成を大きく異ならせることが可能になる。この結果、上述のように、広帯域を実現できかつフィルタ特性の劣化を抑制できるようになる。
 第2の態様のフィルタ装置(2)では、第1の態様において、フィルタ(30)は、少なくとも1つのインダクタ(L1)に接続されたキャパシタ(C1)を有する。
 この構成によれば、フィルタ(30)の通過帯域をより広くできる。
 第3の態様のフィルタ装置(50)では、第1又は第2の態様において、フィルタ(51)を、第1周波数帯域の信号を通過させる第1通過帯域(510)を有する第1フィルタ(51)とする。フィルタ装置(50)は、第2フィルタ(52)を備える。第2フィルタ(52)は、基板(56)に実装され、第2周波数帯域の信号を通過させかつ第1通過帯域(510)よりも低い第2通過帯域(520)を有する。第2フィルタ(52)は、少なくとも直列腕共振子(S52)を含む複数の弾性波共振子を備える。第1フィルタ(51)の低周波数側の減衰帯域(512)と第2フィルタ(52)の高周波数側の減衰帯域(521)とは互いに隣接する。第1フィルタ(51)の並列腕共振子(P51)及び第2フィルタ(52)の直列腕共振子(S52)は、共通の圧電基板として第2圧電基板(570)を有する。
 この構成によれば、第1フィルタ(51)の並列腕共振子(P51)及び第2フィルタ(52)の直列腕共振子(S52)は共通の圧電基板(570)を有する。このため、上記のような第1フィルタ(51)及び第2フィルタ(52)を備えるフィルタ装置(50)を小型化できる。
 第4の態様のフィルタ装置(60)では、第1又は第2の態様において、フィルタ(61)を、第1周波数帯域の信号を通過させる第1通過帯域(610)を有する第1フィルタ(61)とする。フィルタ装置(60)は、第2フィルタ(62)と、第3フィルタ(63)とを備える。第2フィルタ(62)は、基板(フィルタ基板)に実装され、第2周波数帯域の信号を通過させる第2通過帯域(620)を有する。第3フィルタ(63)は、基板(フィルタ基板)に実装され、第3周波数帯域の信号を通過させ、かつ第2通過帯域(620)よりも低い第3通過帯域(630)を有する。第1通過帯域(610)は、第2通過帯域(620)及び第3通過帯域(630)を含む。第1フィルタ(61)、第2フィルタ(62)及び第3フィルタ(63)の各々の直列腕共振子(S61,S62,S63)は、共通の圧電基板として第1圧電基板(670)を有する。第1フィルタ(61)、第2フィルタ(62)及び第3フィルタ(63)の各々の並列腕共振子(P61,P62,P63)は、共通の圧電基板として第2圧電基板(680)を有する。
 この構成によれば、第1フィルタ(61)、第2フィルタ(62)及び第3フィルタ(63)の各々の直列腕共振子(S61,S62,S63)は共通の圧電基板(670)を有する。さらに、第1フィルタ(61)、第2フィルタ(62)及び第3フィルタ(63)の各々の並列腕共振子(P61,P62,P63)は、共通の圧電基板(680)を有する。このため、上記のような第1フィルタ(61)及び第2フィルタ(62)を備えるフィルタ装置(60)を小型化できる。
 第5の態様のフィルタ装置(70)では、第1又は第2の態様において、フィルタ(61)を、第1周波数帯域の信号を通過させる第1通過帯域(610)を有する第1フィルタ(61)とする。フィルタ装置(70)は、第2フィルタ(62)と、第3フィルタ(63)とを備える。第2フィルタ(62)は、基板(フィルタ基板)に実装され、第2周波数帯域の信号を通過させる第2通過帯域(620)を有する。第3フィルタ(63)は、基板(フィルタ基板)に実装され、第3周波数帯域の信号を通過させ、かつ第2通過帯域(620)よりも低い第3通過帯域(630)を有する。第1通過帯域(610)は、第2通過帯域(620)及び第3通過帯域(630)を含む。第1フィルタ(61)及び第2フィルタ(62)の各々の直列腕共振子(S61,S62)は、共通の圧電基板として第1圧電基板(770)を有する。第1フィルタ(61)及び第3フィルタ(63)の各々の並列腕共振子(P61,P63)は、共通の圧電基板として第2圧電基板(780)を有する。第2フィルタ(62)の並列腕共振子(P62)及び第3フィルタ(63)の直列腕共振子(S63)は、共通の圧電基板として、第1圧電基板(770)及び第2圧電基板(780)と異なる第3圧電基板(790)を有する。
 この構成によれば、第1フィルタ(61)及び第2フィルタ(62)の各々の直列腕共振子(S61,S62)は、共通の圧電基板(770)を有し、第1フィルタ(61)及び第3フィルタ(63)の各々の並列腕共振子(P61,P63)は、共通の圧電基板(780)を有する。さらに、第2フィルタ(62)の並列腕共振子(P62)及び第3フィルタ(63)の直列腕共振子(S63)は、共通の圧電基板(790)を有する。このため、上記のような第1フィルタ(61)及び第2フィルタ(62)を備えるフィルタ装置(70)を小型化できる。
 第6の態様のフィルタ装置(2)では、第1~第5の態様のいずれか1つにおいて、弾性波共振子(Q1)は、第1圧電基板(270)及び第2圧電基板(280)とは異なる第3圧電基板(290)を有する。弾性波共振子(Q1)は、複数の弾性波共振子(S1~S3,P1,P2)のうち、アンテナ(40)と接続されるアンテナ端子(10A)との間の信号経路の長さが一番短い弾性波共振子である。
 この構成によれば、複数の弾性波共振子(S1~S3,P1,P2)のうち、アンテナ端子(10A)との間の信号経路の長さが一番短い弾性波共振子(すなわちアンテナ特性に一番影響する弾性波共振子)(Q1)を他の弾性波共振子と分けて個別に調整できる。これにより、アンテナ特性の調整が容易になる。
 第7の態様のフィルタ装置(2)では、第1~第6の態様のいずれか1つにおいて、フィルタ(30)の直列腕共振子(S1~S3)は、第1のIDT電極(271~273)を有する。フィルタ(30)の並列腕共振子(P1,P2)は、第2のIDT電極(281,282)を有する。第1のIDT電極(271~273)の電極ピッチ(M1)は、第2のIDT電極(281,282)の電極ピッチ(M2)よりも小さい。
 この構成によれば、フィルタ(30)において、直列腕共振子(S1~S3)の反共振周波数を並列腕共振子(P1,P2)の共振周波数よりも高い周波数にできる。
 第8の態様の高周波モジュール(1)は、第1~第7の態様のいずれか1つのフィルタ装置(2;50;60;70)と、実装基板(26;56)と、を備える。実装基板(26;56)は、フィルタ装置(2;50;60;70)を実装する。
 この構成によれば、上述の作用効果を有するフィルタ装置(2;50;60;70)を備える高周波モジュール(1)を提供できる。
 第9の態様の通信装置(100)は、第8の態様の高周波モジュール(1)と、信号処理回路(20)と、を備える。信号処理回路(20)は、高周波モジュール(1)に接続されており、高周波信号を信号処理する。
 この構成によれば、上述の作用効果を有する高周波モジュール(1)を備える通信装置(100)を提供できる。
 1 高周波モジュール
 2,50,60,70 フィルタ装置
 3 スイッチ
 3a 共通端子
 3b,3c 選択端子
 4 受信フィルタ
 5 送信フィルタ
 6,7 整合回路
 8 ローノイズアンプ
 9 パワーアンプ
 10 外部接続端子
 10A アンテナ端子
 10B 信号出力端子
 10C 信号入力端子
 20 信号処理回路
 21 RF信号処理回路
 22 ベースバンド信号処理回路
 23 第1入出力端子
 24 第2入出力端子
 26 フィルタ基板(基板)
 27 直列腕共振子チップ
 28 並列腕共振子チップ
 30 フィルタ(第1フィルタ)
 40 アンテナ
 51 フィルタ(第1フィルタ)
 52 フィルタ(第2フィルタ)
 53~55 入出力端子
 56 フィルタ基板(基板)
 57 弾性波共振子チップ
 58 弾性波共振子チップ
 60 フィルタ装置
 61 フィルタ(第1フィルタ)
 62 フィルタ(第2フィルタ)
 63 フィルタ(第3フィルタ)
 64~68 入出力端子
 70 フィルタ装置
 100 通信装置
 261 第1主面
 262 第2主面
 270,580,670,770 圧電基板(第1圧電基板)
 271~273 IDT電極(第1のIDT電極)
 280,570,680,780 圧電基板(第2圧電基板)
 281,282 IDT電極(第2のIDT電極)
 310 通過帯域(第1通過帯域)
 311,312 減衰帯域
 510 通過帯域(第1通過帯域)
 511,512 減衰帯域
 520 通過帯域(第2通過帯域)
 521,522 減衰帯域
 561 第1主面
 562 第2主面
 571~573 IDT電極(第1のIDT電極)
 574 IDT電極
 581~583 IDT電極
 610 通過帯域(第1通過帯域)
 611,612 減衰帯域
 620 通過帯域(第2通過帯域)
 630 通過帯域(第3通過帯域)
 631,632 減衰帯域
 790 圧電基板(第3圧電基板)
 C1~C3 キャパシタ
 L1~L6 インダクタ
 M1,M2 電極ピッチ
 N1~N6 分岐点
 P1,P2,P30,P51,P52,P61~P63 並列腕波共振子(弾性波共振子)
 Q1 最短弾性波共振子(弾性波共振子)
 R0~R3,T1~T4 信号経路
 S1~S3,S30,S51,S61~S63 直列腕共振子(弾性波共振子)

 

Claims (9)

  1.  基板と、前記基板に実装されたラダー型のフィルタと、を備え、
     前記フィルタは、
      直列腕共振子及び並列腕共振子を有する複数の弾性波共振子と、
      前記複数の弾性波共振子に接続された少なくとも1つのインダクタと、を有し、
     前記フィルタの通過帯域幅は、前記複数の弾性波共振子の少なくとも1つの共振帯域幅よりも広く、
     前記直列腕共振子は、第1圧電基板を有し、
     前記並列腕共振子は、前記第1圧電基板と異なる第2圧電基板を有する、
    フィルタ装置。
  2.  前記フィルタは、前記少なくとも1つのインダクタと接続されたキャパシタを有する、請求項1に記載のフィルタ装置。
  3.  前記フィルタを、第1周波数帯域の信号を通過させる第1通過帯域を有する第1フィルタとし、
     前記基板に実装され、第2周波数帯域の信号を通過させかつ前記第1通過帯域よりも低い第2通過帯域を有する第2フィルタを備え、
     前記第2フィルタは、少なくとも直列腕共振子を含む複数の弾性波共振子を備え、
     前記第1フィルタの低周波数側の減衰帯域と前記第2フィルタの高周波数側の減衰帯域とは互いに隣接し、
     前記第1フィルタの前記並列腕共振子及び前記第2フィルタの前記直列腕共振子は、共通の圧電基板として前記第2圧電基板を有する、
    請求項1又は2に記載のフィルタ装置。
  4.  前記フィルタを、第1周波数帯域の信号を通過させる第1通過帯域を有する第1フィルタとし、
     前記基板に実装され、第2周波数帯域の信号を通過させる第2通過帯域を有する第2フィルタと、
      前記基板に実装され、第3周波数帯域の信号を通過させ、かつ前記第2通過帯域よりも低い第3通過帯域を有する第3フィルタと、を備え、
     前記第1通過帯域は、前記第2通過帯域及び前記第3通過帯域を含み、
     前記第1フィルタ、前記第2フィルタ及び前記第3フィルタの各々の前記直列腕共振子は、共通の圧電基板として前記第1圧電基板を有し、
     前記第1フィルタ、前記第2フィルタ及び前記第3フィルタの各々の前記並列腕共振子は、共通の圧電基板として前記第2圧電基板を有する、
    請求項1又は2に記載のフィルタ装置。
  5.  前記フィルタを、第1周波数帯域の信号を通過させる第1通過帯域を有する第1フィルタとし、
     前記基板に実装され、第2周波数帯域の信号を通過させる第2通過帯域を有する第2フィルタと、
     前記基板に実装され、第3周波数帯域の信号を通過させ、かつ前記第2通過帯域よりも低い第3通過帯域を有する第3フィルタと、を備え、
     前記第1通過帯域は、前記第2通過帯域及び前記第3通過帯域を含み、
     前記第1フィルタ及び前記第2フィルタの各々の前記直列腕共振子は、共通の圧電基板として前記第1圧電基板を有し、
     前記第1フィルタ及び前記第3フィルタの各々の前記並列腕共振子は、共通の圧電基板として前記第2圧電基板を有し、
     前記第2フィルタの前記並列腕共振子及び前記第3フィルタの前記直列腕共振子は、共通の圧電基板として、前記第1圧電基板及び前記第2圧電基板と異なる第3圧電基板を有する、
    請求項1又は2に記載のフィルタ装置。
  6.  前記複数の弾性波共振子のうち、アンテナと接続されるアンテナ端子との間の信号経路の長さが一番短い弾性波共振子は、前記第1圧電基板及び前記第2圧電基板とは異なる第3圧電基板を有する、
    請求項1~5のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
  7.  前記フィルタの前記直列腕共振子は、第1のIDT電極を有し、
     前記フィルタの前記並列腕共振子は、第2のIDT電極を有し、
     前記第1のIDT電極の電極ピッチは、前記第2のIDT電極の電極ピッチよりも小さい、
    請求項1~6のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
  8.  請求項1~7のいずれか1項に記載のフィルタ装置と、
     前記フィルタ装置を実装する実装基板と、を備える、
    高周波モジュール。
  9.  請求項8に記載の高周波モジュールと、
     前記高周波モジュールに接続されており、高周波信号を信号処理する信号処理回路と、を備える、
    通信装置。
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