CN115552795A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

Abstract

本发明谋求小型化。匹配电路(2、3)与放大器(11A)的作为输入端子和输出端子中的一者的连接端子连接。安装基板(9)具有接地层(94)。匹配电路(2、3)具有主线(21、31)、副线(22、32)、以及IC芯片(20、30)。主线(21、31)由与安装基板(9)的厚度方向(D1)交叉的第1导体图案形成，并与放大器(11A)的连接端子连接。副线(22、32)由与安装基板(9)的厚度方向(D1)交叉的第2导体图案形成，并连接在主线(21、31)与接地层(94)之间。副线(22、32)在安装基板(9)的厚度方向(D1)上与主线(21、31)对置。IC芯片(20、30)配置在安装基板(9)，包含对匹配电路(2、3)的阻抗变换特性进行调整的调整部(23、33)。

Description

高频模块以及通信装置

技术领域

本发明大体上涉及高频模块以及通信装置，更详细地，涉及具备安装基板的高频模块、以及具备该高频模块的通信装置。

背景技术

在专利文献1公开了如下的高频模块，即，具备：模块基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；发送功率放大器；发送输出匹配电路；接收低噪声放大器；以及接收输入匹配电路。

发送输出匹配电路包含第1电感元件。第1电感元件安装在模块基板的第1主面。

接收输入匹配电路包含第2电感元件。第2电感元件安装在模块基板的第2主面。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2019/181590号

发明内容

发明要解决的问题

在高频模块中，例如，有时需要根据在放大器中能够应对的频带而在放大器与多个滤波器之间设置匹配电路，并且期望小型化。

本发明的目的在于，提供一种能够谋求小型化的高频模块以及通信装置。

用于解决问题的技术方案

本发明的一个方式涉及的高频模块具备安装基板、放大器、以及匹配电路。所述安装基板具有相互对置的第1主面以及第2主面。所述放大器配置在所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的一个主面。所述放大器具有输入端子以及输出端子。所述匹配电路与所述放大器的作为所述输入端子和所述输出端子中的一者的连接端子连接。所述安装基板具有接地层。所述匹配电路具有主线、副线、以及IC芯片。所述主线由与所述安装基板的厚度方向交叉的第1导体图案形成。所述主线与所述放大器的所述连接端子连接。所述副线由与所述厚度方向交叉的第2导体图案形成。所述副线连接在所述主线与所述接地层之间。所述副线在所述厚度方向上与所述主线对置。所述IC芯片配置在所述安装基板。所述IC芯片包含调整部。所述调整部对所述匹配电路的阻抗变换特性进行调整。

本发明的一个方式涉及的高频模块具备安装基板、放大器、以及匹配电路。所述安装基板具有相互对置的第1主面以及第2主面。所述放大器配置在所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的一个主面。所述放大器具有输入端子以及输出端子。所述匹配电路与所述放大器的作为所述输入端子和所述输出端子中的一者的连接端子连接。所述安装基板具有接地层。所述匹配电路具有主线、副线、以及IC芯片。所述主线由与所述安装基板的厚度方向交叉的第1导体图案形成。所述主线与所述放大器的所述连接端子连接。所述副线由与所述厚度方向交叉的第2导体图案形成。所述副线连接在所述主线与所述接地层之间。所述副线在所述厚度方向上与所述主线对置。所述IC芯片配置在所述安装基板。所述主线具有与所述放大器的所述连接端子连接的第1端和连接所述副线的第2端。所述IC芯片包含第1开关和第2开关。所述第1开关连接在所述主线的所述第1端与所述连接端子之间。所述第2开关连接在所述主线中从所述第1端和所述第2端的双方分开的部分与所述连接端子之间。

本发明的一个方式涉及的高频模块具备安装基板、放大器、以及匹配电路。所述安装基板具有相互对置的第1主面以及第2主面。所述放大器配置在所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的一个主面。所述放大器具有输入端子以及输出端子。所述匹配电路与所述放大器的作为所述输入端子和所述输出端子中的一者的连接端子连接。所述安装基板具有接地层。所述匹配电路具有主线、副线、以及IC芯片。所述主线由与所述安装基板的厚度方向交叉的第1导体图案形成。所述主线与所述放大器的所述连接端子连接。所述副线由与所述厚度方向交叉的第2导体图案形成。所述副线连接在所述主线与所述接地层之间。所述副线在所述厚度方向上与所述主线对置。所述IC芯片配置在所述安装基板。所述副线具有与所述主线连接的第1端和与所述接地层连接的第2端。所述IC芯片包含开关。所述开关连接在所述副线中从所述第1端和所述第2端的双方分开的部分与所述接地层之间。

本发明的一个方式涉及的通信装置具备上述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接，并对高频信号进行信号处理。

发明效果

本发明的上述方式涉及的高频模块以及通信装置能够谋求小型化。

附图说明

图1是具备实施方式1涉及的高频模块的通信装置的电路结构图。

图2是同上的高频模块的剖视图。

图3是用于说明同上的高频模块中的主线以及副线的变形例的主要部分分解立体图。

图4是实施方式1的变形例涉及的高频模块的剖视图。

图5是具备实施方式2涉及的高频模块的通信装置的电路结构图。

图6是同上的高频模块的剖视图。

图7是具备实施方式3涉及的高频模块的通信装置的电路结构图。

图8是同上的高频模块的剖视图。

图9是实施方式4涉及的高频模块的剖视图。

具体实施方式

在以下的实施方式等中参照的图2～4、6、8以及9均为示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自之比未必一定反映了实际的尺寸比。

(实施方式1)

如图2所示，实施方式1涉及的高频模块1具备安装基板9。此外，高频模块1作为多个放大器11A、12而具备功率放大器11A和低噪声放大器12(参照图1)。此外，高频模块1作为多个匹配电路2、3而具备输出匹配电路2和输入匹配电路3。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。功率放大器11A配置在安装基板9的第1主面91。低噪声放大器12配置在安装基板9的第2主面92。输出匹配电路2与功率放大器11A的输出端子(连接端子)112(参照图1)连接。输入匹配电路3与低噪声放大器12的输入端子(连接端子)121(参照图1)连接。安装基板9具有接地层94。输出匹配电路2具有主线21、副线22、以及IC芯片20。主线21与功率放大器11A的输出端子112连接。副线22连接在主线21与接地层94之间。副线22在安装基板9的厚度方向D1上与主线21对置。IC芯片20配置在安装基板9。IC芯片20包含调整部23。调整部23对输出匹配电路2的阻抗变换特性进行调整。输入匹配电路3具有主线31、副线32、以及IC芯片30。主线31由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第1导体图案(第1导体部)形成。主线31与低噪声放大器12的输入端子121连接。副线32由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第2导体图案(第2导体部)形成。副线32连接在主线31与接地层94之间。副线32在安装基板9的厚度方向D1上与主线31对置。IC芯片30配置在安装基板9。IC芯片30包含调整部33。调整部33对输入匹配电路3的阻抗变换特性进行调整。实施方式1涉及的高频模块1能够谋求小型化。

以下，参照图1以及图2对实施方式1涉及的高频模块1以及通信装置300进行更详细的说明。

(1)高频模块以及通信装置

(1.1)高频模块以及通信装置的电路结构

实施方式1涉及的高频模块1例如用于应对多模式/多频段的通信装置300。通信装置300例如为便携式电话(例如，智能电话)，但是并不限于此，例如，也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块1例如是能够应对4G(第4代移动通信)标准、5G(第5代移动通信)标准等的模块。4G标准例如为3GPP(Third Generation Partnership Project，第三代合作伙伴计划)LTE(Long Term Evolution，长期演进)标准。5G标准例如为5GNR(NewRadio，新空口)。高频模块1是能够应对载波聚合以及双连接的电路。

高频模块1例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大并输出到天线310。此外，高频模块1构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大并输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1的构成要素，而是具备高频模块1的通信装置300的构成要素。高频模块1例如由通信装置300具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装了高频模块1的电路基板。电路基板例如为印刷布线板。电路基板具有被提供接地电位的接地电极。

信号处理电路301例如包含RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如为RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)，进行对高频信号的信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理的高频信号。此外，RF信号处理电路302例如对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并向基带信号处理电路303输出进行了信号处理的高频信号。基带信号处理电路303例如为BBIC(Baseband Integrated Circuit，基带集成电路)。基带信号处理电路303从基带信号生成I相信号以及Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号和Q相信号合成而进行IQ调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号生成为将给定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行了振幅调制的调制信号(IQ信号)。由基带信号处理电路303处理的接收信号例如作为图像信号而用于图像显示，或者作为声音信号而用于通信装置300的用户的通话。高频模块1在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。

高频模块1作为放大器而具备功率放大器11A以及低噪声放大器12。此外，高频模块1作为与功率放大器11A连接的匹配电路而具备输出匹配电路2。此外，高频模块1作为与低噪声放大器12连接的匹配电路而具备输入匹配电路3。此外，高频模块1还具备多个(例如，两个)发送滤波器13A、13B和多个(例如，两个)接收滤波器14A、14B。此外，高频模块1还具备天线开关4、频段选择用开关5、以及频段选择用开关6。此外，高频模块1还具备功率放大器11B和输入侧开关7。此外，高频模块1还具备控制器16。

此外，高频模块1具备多个外部连接端子80。多个外部连接端子80包含天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、控制端子84、以及多个接地端子85(参照图1)。多个接地端子85是与通信装置300具备的上述的电路基板的接地电极电连接并被提供接地电位的端子。

功率放大器11A具有输入端子111以及输出端子112。功率放大器11A将输入到输入端子111的第1频带的发送信号放大并从输出端子112输出。在此，第1频带例如包含第1通信频段和第2通信频段。第1通信频段对应于通过发送滤波器13A的发送信号，例如为3GPPLTE标准的Band11。第2通信频段对应于通过发送滤波器13B的发送信号，例如为3GPPLTE标准的Band22。功率放大器11A的输入端子111与信号输入端子82连接。功率放大器11A的输入端子111经由信号输入端子82与信号处理电路301连接。信号输入端子82是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块1的端子。功率放大器11A的输出端子112经由输出匹配电路2与频段选择用开关5的公共端子50连接。

低噪声放大器12具有输入端子121以及输出端子122。低噪声放大器12将输入到输入端子121的第2频带的接收信号放大并从输出端子122输出。第2频带例如与第1频带相同，包含第1通信频段和第2通信频段。低噪声放大器12的输入端子121经由输入匹配电路3与频段选择用开关6的公共端子60连接。低噪声放大器12的输出端子122与信号输出端子83连接。低噪声放大器12的输出端子122例如经由信号输出端子83与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于向外部电路(例如，信号处理电路301)输出来自低噪声放大器12的高频信号(接收信号)的端子。

发送滤波器13A例如是将第1通信频段的发送带作为通带的滤波器。发送滤波器13B例如是将第2通信频段的发送带作为通带的滤波器。接收滤波器14A例如是将第1通信频段的接收带作为通带的滤波器。接收滤波器14B例如是将第2通信频段的接收带作为通带的滤波器。在实施方式1涉及的高频模块1中，由发送滤波器13A和接收滤波器14A构成双工器15A。此外，在实施方式1涉及的高频模块1中，由发送滤波器13B和接收滤波器14B构成双工器15B。

天线开关4具有公共端子40和多个选择端子41。公共端子40与天线端子81连接。在天线端子81连接天线310。在天线开关4中，多个选择端子41中的一个选择端子41与发送滤波器13A的输出端子和接收滤波器14A的输入端子的连接点连接，另一个选择端子41与发送滤波器13B的输出端子和接收滤波器14B的输入端子的连接点连接。天线开关4例如是能够在公共端子40连接多个选择端子41中的至少一个以上的开关。在此，天线开关4例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。

天线开关4例如由信号处理电路301进行控制。天线开关4按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子40和多个选择端子41的连接状态进行切换。天线开关4例如是开关IC(Integrated Circuit，集成电路)。

频段选择用开关5具有公共端子50和多个选择端子51。公共端子50经由输出匹配电路2与功率放大器11A的输出端子112连接。在频段选择用开关5中，多个选择端子51中的一个选择端子51与发送滤波器13A的输入端子连接，其它选择端子51与发送滤波器13B的输入端子连接。频段选择用开关5例如是能够在公共端子50连接多个选择端子51中的至少一个以上的开关。在此，频段选择用开关5例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。

频段选择用开关5例如由信号处理电路301进行控制。频段选择用开关5按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对公共端子50和多个选择端子51的连接状态进行切换。频段选择用开关5例如为开关IC。

频段选择用开关6具有公共端子60和多个选择端子61。公共端子60经由输入匹配电路3与低噪声放大器12的输入端子121连接。在频段选择用开关6中，多个选择端子61中的一个选择端子61与接收滤波器14A的输出端子连接，另一个选择端子61与接收滤波器14B的输出端子连接。频段选择用开关6例如是能够在公共端子60连接多个选择端子61中的至少一个以上的开关。在此，频段选择用开关6例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。

频段选择用开关6例如由信号处理电路301进行控制。频段选择用开关6按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子60和多个选择端子61的连接状态进行切换。频段选择用开关6例如为开关IC。

输出匹配电路2设置在功率放大器11A的输出端子112与频段选择用开关5的公共端子50之间的信号路径。输出匹配电路2具有与功率放大器11A的输出端子112连接的端子24和与频段选择用开关5的公共端子50连接的端子25。输出匹配电路2是用于获得功率放大器11A和发送滤波器13A、13B的阻抗匹配的电路。输出匹配电路2具有主线21、副线22、以及调整部23。

主线21具有与功率放大器11A的输出端子112连接的第1端211和连接副线22的第2端212。调整部23包含第1开关S1和多个(例如，3个)第2开关S2～S4。第1开关S1连接在主线21的第1端211与功率放大器11A的输出端子112之间。更详细地，第1开关S1连接在主线21的第1端211与连接于功率放大器11A的输出端子112的端子24之间。多个第2开关S2～S4连接在主线21中从第1端211和第2端212的双方分开的多个(例如，3个)部分P2～P4(参照图2)与功率放大器11A的输出端子112之间。在此，多个第2开关S2～S4连接在主线21中距第2端212的线路长度相互不同的多个部分P2～P4与功率放大器11A的输出端子112之间。

输入匹配电路3设置在低噪声放大器12的输入端子121与频段选择用开关6的公共端子60之间的信号路径。输入匹配电路3具有与低噪声放大器12的输入端子121连接的端子34和与频段选择用开关6的公共端子60连接的端子35。输入匹配电路3是用于获得低噪声放大器12和接收滤波器14A、14B的阻抗匹配的电路。输入匹配电路3具有主线31、副线32、以及调整部33。

主线31具有与低噪声放大器12的输入端子121连接的第1端311和连接副线32的第2端312。调整部33包含第1开关S5和多个(例如，3个)第2开关S6～S8。第1开关S5连接在主线31的第1端311与低噪声放大器12的输入端子121之间。更详细地，第1开关S5连接在主线31的第1端311与连接于低噪声放大器12的输入端子121的端子34之间。多个第2开关S6～S8连接在主线31中从第1端311和第2端312的双方分开的多个(例如，3个)部分P6～P8(参照图2)与低噪声放大器12的输入端子121之间。在此，多个第2开关S6～S8连接在主线31中距第2端312的线路长度相互不同的多个部分P6～P8与低噪声放大器12的输入端子121之间。

输入侧开关7具有公共端子70和多个选择端子71。公共端子70与信号输入端子82连接。在输入侧开关7中，多个选择端子71中的一个选择端子71与功率放大器11A的输入端子111连接，另一个选择端子71与功率放大器11B的输入端子111连接。功率放大器11B的输出端子112例如至少经由与匹配电路2不同的匹配电路以及发送滤波器与天线开关4连接。输入侧开关7例如是能够在公共端子70连接多个选择端子71中的至少一个以上的开关。在此，输入侧开关7例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。

输入侧开关7例如由信号处理电路301进行控制。输入侧开关7按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号对公共端子70和多个选择端子71的连接状态进行切换。输入侧开关7例如为开关IC。

控制器16与功率放大器11A以及功率放大器11B连接。此外，控制器16与控制端子84连接。控制器16经由控制端子84与信号处理电路301连接。控制端子84是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的控制信号输入到高频模块1的端子。控制器16基于来自信号处理电路301的控制信号对功率放大器11A以及功率放大器11B进行控制。控制器16基于来自信号处理电路301的控制信号还对功率放大器11B进行控制。

(1.2)高频模块的构造

以下，参照图1以及图2对高频模块1的构造进行说明。

如图2所示，高频模块1具备安装基板9、功率放大器11A、低噪声放大器12(参照图1)、输出匹配电路2、以及输入匹配电路3。此外，高频模块1具备多个外部连接端子80。此外，如图1所示，高频模块1还包含多个发送滤波器13A、13B和两个接收滤波器14A、14B。此外，高频模块1还包含控制器16。此外，高频模块1还包含天线开关4、频段选择用开关5、频段选择用开关6以及输入侧开关7。

如图2所示，安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上相互对置的第1主面91以及第2主面92。安装基板9例如为包含多个电介质层以及多个导电层的多层基板。多个电介质层以及多个导电层在安装基板9的厚度方向D1上层叠。多个导电层形成为按每个层规定的给定图案。多个导电层各自在与安装基板9的厚度方向D1正交的一个平面内包含一个或多个导体部。各导电层的材料例如为铜。多个导电层包含接地层94。在高频模块1中，多个接地端子85和接地层94经由安装基板9具有的过孔导体95等电连接。安装基板9例如为LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics，低温共烧陶瓷)基板。安装基板9并不限于LTCC基板，例如，也可以是印刷布线板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics，高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。

此外，安装基板9并不限于LTCC基板，例如也可以是布线构造体。布线构造体例如为多层构造体。多层构造体包含至少一个绝缘层和至少一个导电层。绝缘层形成为给定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层形成为按每个层规定的给定图案。导电层形成为与绝缘层的给定图案不同的给定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层形成为按每个层规定的给定图案。导电层也可以包含一个或多个再布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上相互对置的两个面(第1面以及第2面)中的第1面为安装基板9的第1主面91，第2面为安装基板9的第2主面92。

安装基板9的第1主面91以及第2主面92在安装基板9的厚度方向D1上分开，并与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9中的第1主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以作为不与厚度方向D1正交的面而包含导体部的侧面等。此外，安装基板9中的第2主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以作为不与厚度方向D1正交的面而包含导体部的侧面等。此外，安装基板9的第1主面91以及第2主面92也可以形成有微小的凹凸或凹部或凸部。

功率放大器11A具有将输入到功率放大器11A的输入端子111的发送信号放大并从输出端子112输出的功能。功率放大器11A例如是包含作为放大元件的HBT(HeterojunctionBipolar Transistor，异质结双极晶体管)的GaAs系IC芯片，但是并不限于此，例如，也可以是Si系IC芯片、SiGe系IC芯片、GaN系IC芯片。例如，在功率放大器11A为Si系IC芯片的情况下，放大元件可以是双极晶体管，也可以是MOSFET。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，功率放大器11A的外周形状为四边形。

在实施方式1涉及的高频模块1中，功率放大器11A安装在安装基板9的第1主面91。在此，所谓“安装”，包含功率放大器11A配置(机械连接)于安装基板9的第1主面91的情况、和功率放大器11A与安装基板9(的适当的导体部)电连接的情况。因此，在高频模块1中，功率放大器11A配置在安装基板9的第1主面91。在此，功率放大器11A和安装基板9的第1主面91通过多个凸块100连接。总而言之，功率放大器11A被倒装芯片安装于安装基板9的第1主面91。

功率放大器I1B(参照图1)具有将输入到功率放大器I1B的输入端子111的发送信号放大并从输出端子112输出的功能。功率放大器11B与功率放大器11A同样为GaAs系IC芯片，但是并不限于此，例如，也可以是Si系IC芯片、SiGe系IC芯片、GaN系IC芯片。功率放大器11B能够应对的频带与功率放大器11A能够应对的频带不同，但是也可以有一部分重复，还可以相同。功率放大器11B安装在安装基板9的第1主面91。因此，功率放大器11B配置在安装基板9的第1主面91。

多个发送滤波器13A、13B(参照图1)各自例如为裸芯片的弹性波滤波器。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，多个发送滤波器13A、13B各自的外周形状为四边形。弹性波滤波器例如为梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自例如为包含IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极的SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)谐振器。多个发送滤波器13A、13B各自安装在安装基板9的第1主面91，使得在各IDT电极与安装基板9的第1主面91之间形成空间。多个发送滤波器13A、13B各自并不限于裸芯片的弹性波滤波器，也可以是具有封装构造的弹性波滤波器。

输出匹配电路2的主线21由与安装基板9的厚度方向D1交叉(例如，正交)的第1导体图案形成。主线21在安装基板9中配置在配置有功率放大器11A的第1主面91。输出匹配电路2的副线22由与安装基板9的厚度方向D1交叉(例如，正交)的第2图案形成。副线22在安装基板9的第1主面91与第2主面92之间从第1主面91以及第2主面92分开地配置。主线21以及副线22的材料是与安装基板9的导体部相同的材料。如上所述，主线21具有第1端211以及第2端212。此外，副线22具有第1端221以及第2端222。主线21的第2端212和副线22的第1端221在从安装基板9的厚度方向D1观察时重叠，通过介于主线21的第2端212与副线22的第1端221之间的过孔导体26连接。副线22的第2端222经由过孔导体27与接地层94连接。接地层94在安装基板9的第1主面91与第2主面92之间从第1主面91以及第2主面92分开地配置。在安装基板9的厚度方向D1上，接地层94和第1主面91的距离比副线22和第1主面91的距离长。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，接地层94与第1主面91的一部分重叠。从安装基板9的厚度方向D1的俯视下的接地层94的形状决定为，与安装基板9的第1主面91与第2主面92之间的多个布线部分之中不与接地层94连接的布线部分不相接。主线21、副线22以及过孔导体26与安装基板9形成为一体。

从安装基板9的厚度方向D1观察，主线21以及副线22各自为直线状(带状)。主线21的线宽度(在图2的例子中是与纸面正交的方向上的宽度)和副线22的线宽度(在图2的例子中为与纸面正交的方向上的宽度)相同，但是也可以不同。主线21和副线22在安装基板9的厚度方向D1上对置。在此，在高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，主线21和副线22重叠。在图2的例子中，主线21的一部分与副线22的全部重叠，但是并不限于此，也可以是主线21的一部分仅与副线22的一部分重叠。在安装基板9的厚度方向D1上，作为安装基板9的一部分的电介质部96介于主线21与副线22之间。电介质部96例如包含安装基板9的多个电介质层中的一个以上的电介质层的一部分。副线22的线路长度比主线21的线路长度短，但是并不限于此，例如也可以与主线21的线路长度相同。在该情况下，在高频模块1中，也可以是，在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，主线21的全部与副线22的全部重叠。主线21并不限于直线状的情况，例如，也可以是如图3所示的螺旋状。在该情况下，副线22是在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下与主线21的一部分重叠的形状。在主线21为螺旋状的情况下，与主线21为直线状的情况相比，能够增大主线21的电感值，变得容易提高Q值。

包含调整部23的IC芯片20例如为Si系IC芯片。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，IC芯片20的外周形状为四边形。调整部23中的第1开关S1以及多个第2开关S2～S4各自例如为FET(Field Effect Transistor，场效应管)，但是并不限于此，例如，也可以是双极晶体管。

IC芯片20安装在安装基板9的第1主面91。因此，IC芯片20配置在安装基板9的第1主面91。IC芯片20在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下与主线21以及副线22重叠。

在IC芯片20中，调整部23的第1开关S1(参照图1)经由凸块101与主线21的第1端211连接。此外，在IC芯片20中，调整部23的多个第2开关S2～S4(参照图1)通过多个凸块102～104与主线21中距第2端212的线路长度相互不同的多个部分P2～P4连接。调整部23例如由信号处理电路301(参照图1)进行控制，从而包含第1开关S1和3个第2开关S2～S4的4个中的一个开关成为导通状态，剩下的3个开关成为断开状态。在输出匹配电路2中，根据第1开关S1、第2开关S2、第2开关S3以及第2开关S4的哪一个为导通状态，主线21和副线22的磁耦合状态不同，阻抗变换特性不同，因此输出匹配电路2中的与端子24侧相反侧的端子25处的阻抗不同。因此，在高频模块1中，能够对与输出匹配电路2连接的发送滤波器13A、13B的输入阻抗进行调整。

凸块101～104例如为焊料凸块。在作为凸块101～104而采用焊料凸块的情况下，高频模块1优选在主线21上还具备给定的图案的阻挡层28。阻挡层28被决定给定的图案，使得主线21的第1端211、第2端212、多个部分P2～P4分别露出。阻挡层28具有电绝缘性。阻挡层28的焊料润湿性比主线21低。阻挡层28例如为阻焊剂。由此，在高频模块1中，在将IC芯片20安装到安装基板9时，能够抑制焊料润湿扩展到主线21上。

凸块101～104并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块、铜凸块。

在实施方式1涉及的高频模块1中，IC芯片30包含调整部33、低噪声放大器12(参照图1)、以及频段选择用开关6(参照图1)。IC芯片30例如为Si系IC芯片。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，IC芯片30的外周形状为四边形。

IC芯片30中的调整部33的第1开关S5以及多个第2开关S6～S8各自例如为FET，但是并不限于此，例如也可以是双极晶体管。低噪声放大器12具有将输入到低噪声放大器12的输入端子121的接收信号放大并从输出端子122输出的功能。低噪声放大器12例如作为放大元件而包含FET。放大元件并不限于FET，例如也可以是双极晶体管。频段选择用开关6是开关IC，例如包含多个FET。

在实施方式1涉及的高频模块1中，包含低噪声放大器12的IC芯片30安装在安装基板9的第2主面92。在此，所谓“安装”，包含IC芯片30配置(机械连接)于安装基板9的第2主面92的情况、和IC芯片30与安装基板9(的适当的导体部)电连接的情况。因此，在高频模块1中，IC芯片30配置在安装基板9的第2主面92，低噪声放大器12配置在安装基板9的第2主面92。

多个接收滤波器14A、14B(参照图1)各自例如为裸芯片的弹性波滤波器。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，多个接收滤波器14A、14B各自的外周形状为四边形。弹性波滤波器例如为梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器各自例如为包含IDT电极的SAW谐振器。多个接收滤波器14A、14B各自安装在安装基板9的第1主面91，使得在各IDT电极与安装基板9的第1主面91之间形成空间。多个接收滤波器14A、14B各自并不限于裸芯片的弹性波滤波器，也可以是具有封装构造的弹性波滤波器。

输入匹配电路3的主线31由与安装基板9的厚度方向D1交叉(例如，正交)的第1导体图案形成。主线31在安装基板9中配置在配置有低噪声放大器12的第2主面92。输入匹配电路3的副线32由与安装基板9的厚度方向D1交叉(例如，正交)的第2导体图案形成。副线32在安装基板9的第1主面91与第2主面92之间从第1主面91以及第2主面92分开地配置。主线31以及副线32的材料是与安装基板9的导体部相同的材料。如上所述，主线31具有第1端311以及第2端312。此外，副线32具有第1端321以及第2端322。主线31的第2端312和副线32的第1端321在从安装基板9的厚度方向D1观察时重叠，并通过介于主线31的第2端312与副线32的第1端321之间的过孔导体36连接。副线32的第2端322经由过孔导体37与接地层94连接。在安装基板9的厚度方向D1上，接地层94和第2主面92的距离比副线32和第2主面92的距离长。接地层94在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下与第2主面92的一部分重叠。主线31、副线32以及过孔导体36与安装基板9形成为一体。

从安装基板9的厚度方向D1观察，主线31以及副线32各自为直线状(带状)。主线31的线宽度(在图2的例子中是与纸面正交的方向上的宽度)和副线32的线宽度(在图2的例子中是与纸面正交的方向上的宽度)相同，但是也可以不同。主线31和副线32在安装基板9的厚度方向D1上对置。在此，在高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，主线31和副线32重叠。在图2的例子中，主线31的一部分与副线32的全部重叠，但是并不限于此，也可以是主线31的一部分仅与副线32的一部分重叠。在安装基板9的厚度方向D1上，作为安装基板9的一部分的电介质部97介于主线31与副线32之间。电介质部97例如包含安装基板9的多个电介质层中的一个以上的电介质层的一部分。副线32的线路长度比主线31的线路长度短，但是并不限于此，例如，也可以与主线31的线路长度相同。在该情况下，在高频模块1中，也可以是，在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，主线31的全部与副线32的全部重叠。主线31并不限于直线状的情况，例如也可以是螺旋状。在该情况下，副线32是在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下与主线31的一部分重叠的形状。

在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，包含调整部33的IC芯片30与主线31以及副线32重叠。

在IC芯片30中，调整部33的第1开关S5(参照图1)经由凸块105与主线31的第1端311连接。此外，在IC芯片30中，调整部33的多个第2开关S6～S8(参照图1)通过多个凸块106～108与主线31中距第2端312的线路长度相互不同的多个部分P6～P8连接。调整部33例如由信号处理电路301(参照图1)进行控制，从而包含第1开关S5和3个第2开关S6～S8的4个开关中的一个开关成为导通状态，剩下的3个开关成为断开状态。在输入匹配电路3中，根据第1开关S5、第2开关S6、第2开关S7以及第2开关S8中的哪一个为导通状态，主线31和副线32的磁耦合状态不同，阻抗变换特性不同，因此输入匹配电路3中的与端子34侧相反侧的端子35处的阻抗不同。因此，在高频模块1中，能够对与输入匹配电路3连接的接收滤波器14A、14B的输入阻抗进行调整。

凸块105～108例如为焊料凸块。在作为凸块105～108而采用焊料凸块的情况下，高频模块1优选在主线31上还具备给定的图案的阻挡层38。阻挡层38被决定给定的图案，使得主线31的第1端311、第2端312、多个部分P6～P8分别露出。阻挡层38具有电绝缘性。阻挡层38的焊料润湿性比主线31低。阻挡层38例如为阻焊剂。由此，在高频模块1中，在将IC芯片30安装到安装基板9时，能够抑制焊料润湿扩展到主线31上。

凸块105～108并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块、铜凸块。

在高频模块1中，天线开关4(参照图1)、频段选择用开关5以及输入侧开关7安装在安装基板9的第2主面92。因此，天线开关4、频段选择用开关5以及输入侧开关7配置在安装基板9的第2主面92。在高频模块1中，频段选择用开关5和输入侧开关7包含于一个IC芯片10。IC芯片10为Si系IC芯片。在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，IC芯片10的外周形状为四边形。IC芯片10也可以还包含天线开关4。频段选择用开关5和输入侧开关7也可以包含于IC芯片20。

多个外部连接端子80配置在安装基板9的第2主面92。多个外部连接端子80的材料例如为金属(例如，铜、铜合金等)。

多个外部连接端子80除了上述的天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83以及控制端子84以外还包含多个接地端子85。多个接地端子85像上述的那样经由过孔导体95与安装基板9的接地层94连接。接地层94是高频模块1的电路接地。

此外，在实施方式1涉及的高频模块1中，多个外部连接端子80各自为柱状电极。在此，柱状电极例如为圆柱状的电极。

此外，在实施方式1涉及的高频模块1中，安装基板9具有多个过孔导体98。多个过孔导体98与功率放大器11A连接，且在安装基板9的厚度方向D1上与功率放大器11A重叠。在高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下，功率放大器11A和IC芯片20不重叠。此外，在高频模块1中，不存在配置于安装基板9的第2主面92且在从安装基板9的厚度方向D1的俯视下与功率放大器11A重叠的电路构成部件。

此外，高频模块1还具备第1树脂层150。第1树脂层150在安装基板9的第1主面91侧覆盖配置于安装基板9的第1主面91的多个电子部件(功率放大器11A、IC芯片20、发送滤波器13A、13B、接收滤波器14A、14B等)各自的至少一部分。第1树脂层150包含树脂(例如，环氧树脂)。第1树脂层150也可以除树脂以外还包含填料。

此外，高频模块1还具备第2树脂层160。第2树脂层160在安装基板9的第2主面92侧覆盖配置于安装基板9的第2主面92的多个电子部件(IC芯片30、天线开关4、频段选择用开关5以及输入侧开关7、控制器16等)各自的至少一部分。第2树脂层160包含树脂(例如，环氧树脂)。第2树脂层160也可以除树脂以外还包含填料。第2树脂层160的材料可以与第1树脂层150相同，也可以不同。第2树脂层160形成为使IC芯片30、频段选择用开关5以及输入侧开关7各自中的与安装基板9侧相反侧的面露出，但是并不限于此，也可以覆盖IC芯片30、频段选择用开关5以及输入侧开关7各自中的与安装基板9侧相反侧的面。第2树脂层160具有与安装基板9侧相反侧的主面161。第2树脂层160的主面161与IC芯片30、频段选择用开关5以及输入侧开关7各自中的与安装基板9侧相反侧的面大致平齐，但是并不限于此。

此外，高频模块1还具备屏蔽层170。屏蔽层170具有导电性。屏蔽层170的材料例如包含一种或多种金属。屏蔽层170的材料例如包含银。屏蔽层170覆盖第1树脂层150中的与安装基板9侧相反侧的主面151、第1树脂层150的外周面153、安装基板9的外周面93、以及第2树脂层160的外周面163。屏蔽层170与安装基板9具有的接地层94的外周面的至少一部分接触。由此，能够使屏蔽层170的电位与接地层的电位相同。

(2)总结

(2.1)高频模块

实施方式1涉及的高频模块1具备安装基板9、功率放大器11A(放大器)、以及输出匹配电路2(匹配电路)。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。功率放大器11A配置在安装基板9的第1主面91。功率放大器11A具有输入端子111以及输出端子112。输出匹配电路2与功率放大器11A的输出端子112(连接端子)连接。安装基板9具有接地层94。输出匹配电路2具有主线21、副线22、以及IC芯片20。主线21由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第1导体图案形成。主线21与功率放大器11A的输出端子112连接。副线22由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第2导体图案形成。副线22连接在主线21与接地层94之间。副线22在安装基板9的厚度方向D1上与主线21对置。IC芯片20配置在安装基板9。IC芯片20包含调整部23。调整部23对输出匹配电路2的阻抗变换特性进行调整。

实施方式1涉及的高频模块1能够谋求小型化。在实施方式1涉及的高频模块1中，输出匹配电路2具有主线21和副线22，由此能够应对更宽的频带，因此能够谋求小型化。此外，在实施方式1涉及的高频模块1中，输出匹配电路2具有包含调整部23的IC芯片20，由此能够调整输出匹配电路2的阻抗变换特性，因此能够谋求小型化。

此外，实施方式1涉及的高频模块1具备安装基板9、功率放大器11A(放大器)、以及输出匹配电路2(匹配电路)。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。功率放大器11A配置在安装基板9的第1主面91。功率放大器11A具有输入端子111以及输出端子112。输出匹配电路2与功率放大器11A的输出端子112(连接端子)连接。安装基板9具有接地层94。输出匹配电路2具有主线21、副线22、以及IC芯片20。主线21由与安装基板9的厚度方向D1交叉第1导体图案形成。主线21与功率放大器11A的输出端子112连接。副线22由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第2导体图案形成。副线22连接在主线21与接地层94之间。副线22在安装基板9的厚度方向D1上与主线21对置。IC芯片20配置在安装基板9。主线21具有与功率放大器11A的输出端子112连接的第1端211和连接副线22的第2端212。IC芯片20包含第1开关S1和第2开关S2～S4。第1开关S1连接在主线21的第1端211与功率放大器11A的输出端子112之间。第2开关S2～S4连接在主线21中从第1端211和第2端212的双方分开的部分P2～P4与功率放大器11A的输出端子112之间。

实施方式1涉及的高频模块1能够谋求小型化。在实施方式1涉及的高频模块1中，输出匹配电路2具有主线21和副线22，由此能够应对更宽的频带，因此能够谋求小型化。此外，在实施方式1涉及的高频模块1中，输出匹配电路2具有包含第1开关S1和第2开关S2～S4的IC芯片20，由此能够调整输出匹配电路2的阻抗变换特性，因此能够谋求小型化。

此外，实施方式1涉及的高频模块1具备安装基板9、低噪声放大器12(放大器)、以及输入匹配电路3(匹配电路)。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。低噪声放大器12配置在安装基板9的第2主面92。低噪声放大器12具有输入端子121以及输出端子122。输入匹配电路3与低噪声放大器12的输入端子121(连接端子)连接。安装基板9具有接地层94。输入匹配电路3具有主线31、副线32、以及IC芯片30。主线31由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第1导体图案形成。主线31与低噪声放大器12的输入端子121连接。副线32由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第2导体图案形成。副线32连接在主线31与接地层94之间。副线32在安装基板9的厚度方向D1上与主线31对置。IC芯片30配置在安装基板9。IC芯片30包含调整部33。调整部33对输入匹配电路3的阻抗变换特性进行调整。

实施方式1涉及的高频模块1能够谋求小型化。在实施方式1涉及的高频模块1中，输入匹配电路3具有主线31和副线32，由此能够应对更宽的频带，因此能够谋求小型化。此外，在实施方式1涉及的高频模块1中，输入匹配电路3具有包含调整部33的IC芯片30，由此能够调整输入匹配电路3的阻抗变换特性，因此能够谋求小型化。

此外，实施方式1涉及的高频模块1具备安装基板9、低噪声放大器12(放大器)、以及输入匹配电路3(匹配电路)。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。低噪声放大器12配置在安装基板9的第2主面92。低噪声放大器12具有输入端子121以及输出端子122。输入匹配电路3与低噪声放大器12的输入端子121(连接端子)连接。安装基板9具有接地层94。输入匹配电路3具有主线31、副线32、以及IC芯片30。主线31由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第1导体图案形成。主线31与低噪声放大器12的输入端子121连接。副线32由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第2导体图案形成。副线32连接在主线31与接地层94之间。副线32在安装基板9的厚度方向D1上与主线31对置。IC芯片30配置在安装基板9。主线31具有与低噪声放大器12的输入端子121连接的第1端311和连接副线32的第2端312。IC芯片30包含第1开关S5和第2开关S6～S8。第1开关S5连接在主线31的第1端311与低噪声放大器12的输入端子121之间。第2开关S6～S8连接在主线31中从第1端311和第2端312的双方分开的部分P6～P8与低噪声放大器12的输入端子121之间。

实施方式1涉及的高频模块1能够谋求小型化。在实施方式1涉及的高频模块1中，输入匹配电路3具有主线31和副线32，由此能够应对更宽的频带，因此能够谋求小型化。此外，在实施方式1涉及的高频模块1中，输入匹配电路3具有包含第1开关S5和第2开关S6～S8的IC芯片30，由此能够调整输入匹配电路3的阻抗变换特性，因此能够谋求小型化。

(2.2)通信装置

实施方式1涉及的通信装置300具备信号处理电路301和高频模块1。信号处理电路301与高频模块1连接，并对高频信号进行信号处理。

实施方式1涉及的通信装置300具备高频模块1，因此能够谋求小型化。

构成信号处理电路301的多个电子部件例如可以安装于上述的电路基板，也可以安装于与安装了高频模块1的电路基板(第1电路基板)不同的电路基板(第2电路基板)。

(3)变形例

参照图4对实施方式1的变形例涉及的高频模块1a进行说明。关于变形例涉及的高频模块1a，对于与实施方式1涉及的高频模块1同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。

变形例涉及的高频模块1a与实施方式1涉及的高频模块1的不同点在于，多个外部连接端子80为球形凸块。此外，变形例涉及的高频模块1a与实施方式1涉及的高频模块1的不同点在于，不具备实施方式1涉及的高频模块1的第2树脂层160。

变形例涉及的高频模块1a具备底部填充部193，该底部填充部193设置于在安装基板9的第2主面92配置的IC芯片30与安装基板9的第2主面92之间的间隙。

构成多个外部连接端子80各自的球形凸块的材料例如为金、铜、焊料等。

在多个外部连接端子80中，也可以混合存在由球形凸块构成的外部连接端子80和由柱状电极构成的外部连接端子80。

(实施方式2)

参照图5以及图6对实施方式2涉及的高频模块1b以及通信装置300进行说明。关于实施方式2涉及的高频模块1b以及通信装置300，对于与实施方式1涉及的高频模块1以及通信装置300同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。

实施方式2涉及的高频模块1b与实施方式1涉及的高频模块1的不同点在于，代替实施方式1涉及的高频模块1的输出匹配电路2而具备输出匹配电路2b。此外，实施方式2涉及的高频模块1b与实施方式1涉及的高频模块1的不同点在于，代替实施方式1涉及的高频模块1的输入匹配电路3而具备输入匹配电路3b。

输出匹配电路2b代替输出匹配电路2的调整部23而具有调整部23b。在高频模块1b中，输出匹配电路2b的主线21的第1端211与端子24连接。调整部23b包含连接在副线22中从第1端221和第2端222的双方分开的多个(例如，3个)部分N1、N2、N3(参照图6)与接地层94(参照图6)之间的多个(例如，3个)开关Q1、Q2、Q3。多个开关Q1、Q2、Q3连接在副线22中距第1端221的线路长度相互不同的多个部分N1、N2、N3与接地层94之间。输出匹配电路2b代替输出匹配电路2的IC芯片20而具有IC芯片20b。IC芯片20b包含调整部23b。

在IC芯片20b中，调整部23b的多个开关Q1～Q3通过多个凸块131～133与副线22中距第1端221的线路长度相互不同的多个部分N1～N3连接。调整部23b例如由信号处理电路301进行控制，3个开关Q1～Q3中的一个开关成为导通状态，剩下的两个开关成为断开状态。在输出匹配电路2b中，根据多个开关Q1～Q3中的哪一个为导通状态，主线21和副线22的磁耦合状态不同，阻抗变换特性不同，因此输出匹配电路2b中的与端子24侧相反侧的端子25处的阻抗不同。因此，在高频模块1中，能够对与输出匹配电路2b连接的发送滤波器13A、13B的输入阻抗进行调整。

凸块131～133例如为焊料凸块。在作为凸块131～133而采用焊料凸块的情况下，高频模块1b优选在副线22上还具备给定的图案的阻挡层28b。阻挡层28b被决定给定的图案，使得副线22的多个部分N1～N3分别露出。阻挡层28b具有电绝缘性。阻挡层28b的焊料润湿性比副线22低。阻挡层28b例如为阻焊剂。由此，在高频模块1b中，在将IC芯片20b安装到安装基板9时，能够抑制焊料润湿扩展到副线22上。

凸块131～133并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块、铜凸块。

输入匹配电路3b代替实施方式1涉及的高频模块1中的输入匹配电路3的调整部33而具有调整部33b。在高频模块1b中，输入匹配电路3b的主线31的第1端311与低噪声放大器12的输入端子121连接。调整部33b包含连接在副线32中从第1端321和第2端322的双方分开的多个(例如，3个)部分N4、N5、N6(参照图6)与接地层94(参照图6)之间的多个(例如，3个)开关Q4、Q5、Q6。多个开关Q4、Q5、Q6连接在副线32中距第1端321的线路长度相互不同的多个部分N4、N5、N6与接地层94之间。输入匹配电路3b代替输入匹配电路3的IC芯片30而具有IC芯片30b。IC芯片30b代替IC芯片30的调整部33而包含调整部33b。

在IC芯片30b中，调整部33b的多个开关Q4～Q6通过多个凸块134～136与副线32中距第1端321的线路长度相互不同的多个部分N4～N6连接。调整部33b例如由信号处理电路301进行控制，3个开关Q4～Q6中的一个开关成为导通状态，剩下的两个开关成为断开状态。在输入匹配电路3b中，根据多个开关Q4～Q6中的哪一个为导通状态，主线31和副线32的磁耦合状态不同，阻抗变换特性不同，因此输入匹配电路3b中的与端子34侧相反侧的端子25处的阻抗不同。因此，在高频模块1b中，能够对与输入匹配电路3b连接的接收滤波器14A、14B的输入阻抗进行调整。

凸块134～136例如为焊料凸块。在作为凸块134～136而采用焊料凸块的情况下，高频模块1b优选在副线32上还具备给定的图案的阻挡层38b。阻挡层38b被决定给定的图案，使得副线32的多个部分N4～N6分别露出。阻挡层38b具有电绝缘性。阻挡层38b的焊料润湿性比副线32低。阻挡层38b例如为阻焊剂。由此，在高频模块1b中，在将IC芯片30b安装到安装基板9时，能够抑制焊料润湿扩展到副线32上。

凸块134～136并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块、铜凸块。

实施方式2涉及的高频模块1b与实施方式1涉及的高频模块1同样地能够谋求小型化。

在实施方式2涉及的高频模块1b中，输出匹配电路2b具有主线21和副线22，由此能够应对更宽的频带，因此能够谋求小型化。此外，在实施方式2涉及的高频模块1b中，输出匹配电路2b具有包含调整部23b的IC芯片20b，由此能够调整输出匹配电路2b的阻抗变换特性，因此能够谋求小型化。

实施方式2涉及的高频模块1b具备安装基板9、功率放大器11A(放大器)、以及输出匹配电路2b(匹配电路)。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。功率放大器11A配置在安装基板9的第1主面91。功率放大器11A具有输入端子111以及输出端子112。输出匹配电路2b与功率放大器11A的输出端子112(连接端子)连接。安装基板9具有接地层94。输出匹配电路2b具有主线21、副线22、以及IC芯片20b。主线21由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第1导体图案形成。主线21与功率放大器11A的输出端子112连接。副线22由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第2导体图案形成。副线22连接在主线21与接地层94之间。副线22在安装基板9的厚度方向D1上与主线21对置。IC芯片20b配置在安装基板9。副线22具有与主线21连接的第1端221和与接地层94连接的第2端222。IC芯片20b包含开关Q1～Q3。开关Q1～Q3连接在副线22中从第1端221和第2端222的双方分开的部分N1～N3与接地层94之间。

实施方式2涉及的高频模块1b能够谋求小型化。输出匹配电路2b具有主线21和副线22，由此能够应对更宽的频带，因此能够谋求小型化。此外，在实施方式2涉及的高频模块1b中，输出匹配电路2b具有包含开关Q1～Q3的IC芯片20b，由此能够调整输出匹配电路2b的阻抗变换特性，因此能够谋求小型化。

在实施方式2涉及的高频模块1b中，输入匹配电路3b具有主线31和副线32，由此能够应对更宽的频带，因此能够谋求小型化。此外，在实施方式2涉及的高频模块1b中，输入匹配电路3b具有包含调整部33b的IC芯片30b，由此能够调整输入匹配电路3b的阻抗变换特性，因此能够谋求小型化。

实施方式2涉及的高频模块1具备安装基板9、低噪声放大器12(放大器)、以及输入匹配电路3b(匹配电路)。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。低噪声放大器12配置在安装基板9的第2主面92。低噪声放大器12具有输入端子121以及输出端子122。输入匹配电路3b与低噪声放大器12的输入端子121(连接端子)连接。安装基板9具有接地层94。输入匹配电路3b具有主线31、副线32、以及IC芯片30b。主线31由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第1导体图案形成。主线31与低噪声放大器12的输入端子121连接。副线32由与安装基板9的厚度方向D1交叉的第2导体图案形成。副线32连接在主线31与接地层94之间。副线32在安装基板9的厚度方向D1上与主线31对置。IC芯片30b配置在安装基板9。副线32具有与主线31连接的第1端321和与接地层94连接的第2端322。IC芯片30b包含开关Q4～Q6。开关Q4～Q6连接在副线32中从第1端321和第2端322的双方分开的部分N4～N6与接地层94之间。

在实施方式2涉及的高频模块1b中，输入匹配电路3b具有主线31和副线32，由此能够应对更宽的频带，因此能够谋求小型化。此外，在实施方式2涉及的高频模块1b中，输入匹配电路3b具有包含开关Q4～Q6的IC芯片30b，由此能够调整输入匹配电路3b的阻抗变换特性，因此能够谋求小型化。

此外，实施方式2涉及的通信装置300具备高频模块1b和信号处理电路301，因此能够谋求小型化。

(实施方式3)

参照图7以及图8对实施方式3涉及的高频模块1c以及通信装置300进行说明。关于实施方式3涉及的高频模块1c以及通信装置300，对于与实施方式1涉及的高频模块1以及通信装置300同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。

实施方式3涉及的高频模块1c与实施方式1涉及的高频模块1的不同点在于，代替实施方式1涉及的高频模块1的输出匹配电路2而具备输出匹配电路2c。此外，实施方式3涉及的高频模块1c与实施方式1涉及的高频模块1的不同点在于，代替实施方式1涉及的高频模块1的输入匹配电路3而具备输入匹配电路3c。

输出匹配电路2c代替输出匹配电路2的调整部23而具有调整部23c。调整部23c的电路结构与调整部23的电路结构相同。在输出匹配电路2c中，主线21设置在包含调整部23c的IC芯片20c，副线22配置在安装基板9。在高频模块1c中，在主线21与副线22之间具有电介质部96c。电介质部96c例如由在安装基板9的厚度方向D1上介于IC芯片20c与安装基板9的第1主面91之间的底部填充部的一部分构成。

在输出匹配电路2c中，第1开关S1以及多个第2开关S2～S4和主线21在包含调整部23c的IC芯片20c内连接。主线21的材料例如包含Al合金，但是并不限于此。

在输出匹配电路2c中，主线21的第2端212和副线22的第1端221经由凸块29连接。此外，在输出匹配电路2c中，端子24和安装基板9的第1主面91通过凸块109连接。

凸块29、109例如为焊料凸块。在作为凸块29、109而采用焊料凸块的情况下，高频模块1c优选在副线22上还具备给定的图案的阻挡层28c。阻挡层28c被决定给定的图案，使得副线22的第2端212露出。阻挡层28c具有电绝缘性。阻挡层28c的焊料润湿性比副线22低。阻挡层28c例如为阻焊剂。由此，在高频模块1c中，在将IC芯片20c安装到安装基板9时，能够抑制焊料润湿扩展到副线22上。

凸块29、109并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块、铜凸块。

输入匹配电路3c代替输入匹配电路3的调整部33而具有调整部33c。调整部33c的电路结构与调整部33的电路结构相同。在输入匹配电路3c中，主线31设置在包含调整部33c的IC芯片30c，副线32配置在安装基板9。在高频模块1c中，在主线31与副线32之间具有电介质部97c。电介质部97c例如由在安装基板9的厚度方向D1上介于IC芯片30c与安装基板9的第2主面92之间的底部填充部的一部分构成。

在输入匹配电路3c中，第1开关S5以及多个第2开关S6～S8和主线31在包含调整部33c的IC芯片30c内连接。主线31的材料例如包含Al合金，但是并不限于此。

在输入匹配电路3c中，主线31的第2端312和副线32的第1端321经由凸块39连接。此外，在输入匹配电路3c中，端子34和安装基板9的第2主面92通过凸块110连接。

凸块39、110例如为焊料凸块。在作为凸块39、110而采用焊料凸块的情况下，高频模块1c优选在副线32上还具备给定的图案的阻挡层38c。阻挡层38c被决定给定的图案，使得副线32的第2端312露出。阻挡层38c具有电绝缘性。阻挡层38c的焊料润湿性比副线32低。阻挡层38c例如为阻焊剂。由此，在高频模块1c中，在将IC芯片30c安装到安装基板9时，能够抑制焊料润湿扩展到副线32上。

凸块39、110并不限于焊料凸块，例如也可以是金凸块、铜凸块。

在实施方式3涉及的高频模块1c中，与实施方式1涉及的高频模块1同样地能够谋求小型化。此外，在实施方式3涉及的高频模块1c中，安装基板9中的导体部的布局的自由度变高。

此外，实施方式3涉及的通信装置300具备高频模块1c和信号处理电路301，因此能够谋求小型化。

(实施方式4)

参照图9对实施方式4涉及的高频模块1d进行说明。关于实施方式4涉及的高频模块1d，对于与实施方式1涉及的高频模块1同样的构成要素，标注同一附图标记并省略说明。

实施方式4涉及的高频模块1d与实施方式1涉及的高频模块1的不同点在于，功率放大器11A配置在安装基板9的第1主面91，另一方面IC芯片20配置在安装基板9的第2主面92。由此，在实施方式4涉及的高频模块1d中，功率放大器11A和IC芯片20配置在安装基板9的第1主面91和第2主面92中的相互不同的主面。

在实施方式4涉及的高频模块1d中，包含频段选择用开关5和输入侧开关7的IC芯片10配置在安装基板9的第1主面91，但是并不限于此，也可以配置在安装基板9的第2主面92。

实施方式4涉及的高频模块1d与实施方式1涉及的高频模块1同样地能够谋求小型化。

实施方式4涉及的高频模块1d也可以代替实施方式1涉及的通信装置300中的高频模块1而被使用。

上述的实施方式1～实施方式4等不过是本发明的各种各样的实施方式之一。只要能够达到本发明的目的，上述的实施方式1～实施方式4等就能够根据设计等而进行各种变更。

例如，在高频模块1中，调整部23具有多个第2开关S2～S4，但是并不限于此，也可以仅具有多个第2开关S2～S4中的一个第2开关。此外，在高频模块1中，调整部33具有多个第2开关S6～S8，但是并不限于此，也可以仅具有多个第2开关S6～S8中的一个第2开关。

此外，发送滤波器13A、13B以及接收滤波器14A、14B等滤波器并不限于梯型滤波器，例如，也可以是纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

此外，上述的弹性波滤波器是利用声表面波或体声波的弹性波滤波器，但是并不限于此，例如，也可以是利用声边界波、板波等的弹性波滤波器。

高频模块1～1d的电路结构并不限于上述的例子。此外，高频模块1～1d也可以作为电路结构而具有例如应对MIMO(Multi Input Multi Output，多输入多输出)的高频前端电路。

此外，高频模块1具备功率放大器11A和输出匹配电路2的组合、以及低噪声放大器12和输入匹配电路3的组合，但是只要具备至少一个组合即可。

(方式)

在本说明书公开了以下的方式。

第1方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)具备安装基板(9)、放大器(11A、12)、以及匹配电路(2；2b；2c、3；3b；3c)。安装基板(9)具有相互对置的第1主面(91)以及第2主面(92)。放大器(11A、12)配置在安装基板(9)的第1主面(91)和第2主面(92)中的一个主面(第1主面91、第2主面92)。放大器(11A、12)具有输入端子(111、121)以及输出端子(112、122)。匹配电路(2；2b；2c、3；3b；3c)与放大器(11A、12)的作为输入端子(111、121)和输出端子(112、122)中的一者的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接。安装基板(9)具有接地层(94)。匹配电路(2；2b；2c、3；3b；3c)具有主线(21、31)、副线(22、32)、以及IC芯片(20；20b；20c、30；30b；30c)。主线(21、31)与放大器(11A、12)的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接。副线(22、32)连接在主线(21、31)与接地层(94)之间。副线(22、32)在安装基板(9)的厚度方向(D1)上与主线(21、31)对置。IC芯片(20；20b；20c、30；30b；30c)配置在安装基板(9)。IC芯片(20；20b；20c、30；30b；30c)包含调整部(23；23b；23c、33；33b；33c)。调整部(23；23b；23c、33；33b；33c)对匹配电路(2；2b；2c、3；3b；3c)的阻抗变换特性进行调整。

第1方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)能够谋求小型化。

在第2方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)中，在第1方式中，主线(21、31)以及副线(22、32)各自的至少一部分在从安装基板(9)的厚度方向(D1)的俯视下与IC芯片(20；20b；20c、30；30b；30c)重叠。

第2方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)能够谋求更加小型化。

在第3方式涉及的高频模块(1；1a；1c；1d)中，在第1或第2方式中，主线(21、31)具有与放大器(11A、12)的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接的第1端(211、311)和连接副线(22、32)的第2端(212、312)。调整部(23；23c、33；33c)包含第1开关(S1、S5)和一个第2开关(S2～S4中的任一个、S6～S8中的任一个)。第1开关(S1、S5)连接在主线(21、31)的第1端(211、311)与连接端子(输出端子112、输入端子121)之间。第2开关(S2～S4中的任一个、S6～S8中的任一个)连接在主线(21、31)中从第1端(211、311)和第2端(212、312)的双方分开的部分与连接端子(输出端子112、输入端子121)之间。

第3方式涉及的高频模块(1；1a；1c；1d)能够通过切换第1开关(S1、S5)和第2开关(S2～S4中的任一个、S6～S8中的任一个)来调整阻抗。

在第4方式涉及的高频模块(1；1a；1c；1d)中，在第1或第2方式中，主线(21、31)具有与放大器(11A、12)的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接的第1端(211、311)和连接副线(22、32)的第2端(212、312)。调整部(23)包含第1开关(S1、S5)和多个第2开关(S2～S4、S6～S8)。第1开关(S1、S5)连接在主线(21；31)的第1端(211、311)与连接端子(输出端子112、输入端子121)之间。多个第2开关(S2～S4、S6～S8)连接在主线(21、31)中距第2端(212、312)的线路长度相互不同的多个部分(P2～P4、P6～P8)与连接端子(输出端子112、输入端子121)之间。

第4方式涉及的高频模块(1；1a；1c；1d)能够通过切换第1开关(S1、S5)和多个第2开关(S2～S4、S6～S8)来调整阻抗。

在第5方式涉及的高频模块(1b)中，在第1或第2方式中，副线(22、32)具有与主线(21、31)连接的第1端(221、321)和与接地层(94)连接的第2端(222、322)。调整部(23b、33b)包含连接在副线(22、32)中从第1端(221、321)和第2端(222、322)的双方分开的部分与接地层(94)之间的一个开关(Q1～Q3中的任一者、Q4～Q6中的任一者)。

在第5方式涉及的高频模块(1b)中，能够在一个开关(Q1～Q3中的任一者、Q4～Q6中的任一者)导通状态的情况和断开状态的情况下使匹配电路(2b、3b)的阻抗变换特性不同。

在第6方式涉及的高频模块(1b)中，在第1或第2方式中，副线(22、32)具有与主线(21、31)连接的第1端(221、321)和与接地层(94)连接的第2端(222、322)。调整部(23b、33b)包含连接在副线(22、32)中距第1端(221、321)的线路长度相互不同的多个部分(N1～N3、N4～N6)与接地层(94)之间的多个开关(Q1～Q3、Q4～Q6)。

在第6方式涉及的高频模块(1b)中，能够通过适当地切换多个开关(Q1～Q3、Q4～Q6)来调整阻抗变换特性。

第7方式涉及的高频模块(1；1a；1c；1d)具备安装基板(9)、放大器(11A、12)、以及匹配电路(2；2c、3；3c)。安装基板(9)具有相互对置的第1主面(91)以及第2主面(92)。放大器(11A、12)配置在安装基板(9)的第1主面(91)和第2主面(92)中的一个主面(第1主面91、第2主面92)。放大器(11A、12)具有输入端子(111、121)以及输出端子(112、122)。匹配电路(2；2c、3；3c)与放大器(11A、12)的作为输入端子(111、121)和输出端子(112、122)中的一者的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接。安装基板(9)具有接地层(94)。匹配电路(2；2c、3；3c)具有主线(21、31)、副线(22、32)、以及IC芯片(20；20c、30；30c)。主线(21、31)与放大器(11A、12)的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接。副线(22、32)连接在主线(21、31)与接地层(94)之间。副线(22、32)在安装基板(9)的厚度方向(D1)上与主线(21、31)对置。IC芯片(20；20c、30；30c)配置在安装基板(9)。主线(21、31)具有与放大器(11A、12)的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接的第1端(211、311)和连接副线(22、32)的第2端(212、312)。IC芯片(20；20c、30；30c)包含第1开关(S1、S5)和第2开关(S2～S4的至少一个、S6～S8的至少一个)。第1开关(S1、S5)连接在主线(21、31)的第1端(211、311)与连接端子(输出端子112、输入端子121)之间。第2开关(S2～S4中的至少一个、S6～S8中的至少一个)连接在主线(21、31)中从第1端(211、311)和第2端(212、312)的双方分开的部分(P2～P4中的至少一个、P6～P8中的至少一个)与连接端子(输出端子112、输入端子121)之间。

第7方式涉及的高频模块(1；1a；1c；1d)能够谋求小型化。

第8方式涉及的高频模块(1b)具备安装基板(9)、放大器(11A、12)、以及匹配电路(2b、3b)。安装基板(9)具有相互对置的第1主面(91)以及第2主面(92)。放大器(11A、12)配置在安装基板(9)的第1主面(91)和第2主面(92)中的一个主面(第1主面91、第2主面92)。放大器(11A、12)具有输入端子(111、121)以及输出端子(112、122)。匹配电路(2b、3b)与放大器(11A、12)的作为输入端子(111、121)和输出端子(112、122)中的一者的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接。安装基板(9)具有接地层(94)。匹配电路(2b、3b)具有主线(21、31)、副线(22、32)、以及IC芯片(20b、30b)。主线(21、31)与放大器(11A、12)的连接端子(输出端子112、输入端子121)连接。副线(22、32)连接在主线(21、31)与接地层(94)之间。副线(22、32)在安装基板(9)的厚度方向(D1)上与主线(21、31)对置。IC芯片(20b、30b)配置在安装基板(9)。副线(22、32)具有与主线(21、31)连接的第1端(221、321)和与接地层(94)连接的第2端(222、322)。IC芯片(20b、30b)包含开关(Q1～Q3中的至少一个、Q4～Q6中的至少一个)。开关(Q1～Q3中的至少一个、Q4～Q6中的至少一个)连接在副线(22、32)中从第1端(221、321)和第2端(222、322)的双方分开的部分与接地层(94)之间。

第8方式涉及的高频模块(1b)能够谋求小型化。

在第9方式涉及的高频模块(1；1a)中，在第1～第8方式中的任一方式中，主线(21、31)在安装基板(9)中配置在配置有放大器(11A、12)的主面(第1主面91、第2主面92)。副线(22、32)在安装基板(9)的第1主面(91)与第2主面(92)之间从第1主面(91)以及第2主面(92)分开地配置。

第9方式涉及的高频模块(1；1a)能够将主线(21、31)以及副线(22、32)一体地形成在安装基板(9)。

在第10方式涉及的高频模块(1b)中，在第1～第8方式中的任一方式中，主线(21、31)在安装基板(9)的第1主面(91)与第2主面(92)之间从第1主面(91)以及第2主面(92)分开地配置。副线(22、32)在安装基板(9)中配置在配置有放大器(11A、12)的主面(第1主面91、第2主面92)。

第10方式涉及的高频模块(1b)能够将主线(21、31)以及副线(22、32)一体地形成在安装基板(9)。

在第11方式涉及的高频模块(1c)中，在第1～第8方式中的任一方式中，主线(21、31)设置在IC芯片(20c、30c)。副线(22、32)配置在安装基板(9)。

在第11方式涉及的高频模块(1c)中，具有可以不在安装基板(9)设置主线(21、31)的优点。

在第12方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；Id)中，在第1～第11方式中的任一方式中，放大器为功率放大器(11A)，配置在安装基板(9)的第1主面(91)。匹配电路(2；2b；2c)与放大器的输出端子(112)连接。

在第12方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)中，能够对与功率放大器(11A)的输出端子(112)连接的匹配电路(2；2b；2c)的阻抗进行调整。

第13方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)在第12方式中还具备多个发送滤波器(13A、13B)和频段选择用开关(5)。多个发送滤波器(13A、13B)具有相互不同的通带。多个发送滤波器(13A、13B)配置在安装基板(9)。频段选择用开关(5)具有公共端子(50)以及多个选择端子(51)。在频段选择用开关(5)中，在公共端子(50)经由匹配电路(2；2b；2c)连接有放大器(11A)，在多个选择端子(51)连接有多个发送滤波器(13A、13B)。频段选择用开关(5)包含于IC芯片(20；20b；20c)。

第13方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)能够谋求小型化。

第14方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)在第13方式中具备多个放大器，还具备输入侧开关(7)。输入侧开关(7)具有公共端子(70)以及多个选择端子(71)。在输入侧开关(7)中，在公共端子(70)连接有信号输入端子(82)，在多个选择端子(71)连接有多个放大器(11A、11B)的输入端子(111)。输入侧开关(7)包含于IC芯片(20；20b；20c)。

在第15方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)中，在第13或第14方式中，安装基板(9)具有与放大器(11A)连接且在安装基板(9)的厚度方向(D1)上与放大器(11A)重叠的多个过孔导体(98)。在高频模块(1；1a；1b；1c；1d)中，在从安装基板(9)的厚度方向(D1)的俯视下，放大器(11A)和IC芯片(20；20b；20c)不重叠。

第15方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)容易使在放大器(11A)中产生的热进行散热。

在第16方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，在第15方式中，IC芯片(20)配置在安装基板(9)的第1主面(91)。

在第17方式涉及的高频模块(1d)中，在第15方式中，IC芯片(20)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。

在第18方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)中，在第1～第11方式中的任一方式中，放大器(12)为低噪声放大器。放大器(12)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。匹配电路(3；3b；3c；3d)与放大器(12)的输入端子(121)连接。

在第18方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)中，能够对与放大器(12)的输入端子(121)连接的匹配电路(3；3b；3c)的阻抗进行调整。

第19方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)在第18方式中还具备多个接收滤波器(14A、14B)和频段选择用开关(6)。多个接收滤波器(14A、14B)具有相互不同的通带。多个接收滤波器(14A、14B)配置在安装基板(9)。频段选择用开关(6)具有公共端子(60)以及多个选择端子(61)。在频段选择用开关(6)中，在公共端子(60)经由匹配电路(3)连接有放大器(12)，在多个选择端子(61)连接有多个接收滤波器(14A、14B)。放大器(12)以及频段选择用开关(6)包含于IC芯片(30；30b；30c)。

第19方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)能够谋求小型化。

在第20方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)中，在第19方式中，在从安装基板(9)的厚度方向(D1)的俯视下，放大器(12)和多个接收滤波器(14A、14B)中的至少一个接收滤波器(14A)重叠。

在第20方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)中，能够缩短将放大器(12)和多个接收滤波器(14A、14B)中的至少一个接收滤波器(14A)连接的布线的长度。

第21方式涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)在第1～第20方式中的任一方式中还具备外部连接端子(80)。外部连接端子(80)配置在安装基板(9)的第2主面(92)。

第22方式涉及的通信装置(300)具备第1～第21方式中的任一方式的高频模块(1；1a；1b；1c；1d)和信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(1；1a；1b；1c；1d)连接，并对高频信号进行信号处理。

在第22方式涉及的通信装置(300)中，能够谋求小型化。

附图标记说明

1、1a、1b、1c、1d：高频模块；

2、2b、2c：输出匹配电路(匹配电路)；

20、20b、20c：IC芯片；

21：主线；

22：副线；

23、23b、23c：调整部；

24：端子；

25：端子；

26：过孔导体；

27：过孔导体；

28：阻挡层；

28b：阻挡层；

28c：阻挡层；

29：凸块；

3、3b、3c：输入匹配电路(匹配电路)；

30、30b、30c：IC芯片；

31：主线；

32：副线；

33、33b、33c：调整部；

34：端子；

35：端子；

36：过孔导体；

37：过孔导体；

38：阻挡层；

38b：阻挡层；

38c：阻挡层；

39：凸块；

4：天线开关；

40：公共端子；

41：选择端子；

5：频段选择用开关；

50：公共端子；

51：选择端子；

6：频段选择用开关；

60：公共端子；

61：选择端子；

7：输入侧开关；

70：公共端子；

71：选择端子；

9：安装基板；

91：第1主面；

92：第2主面；

93：外周面；

94：接地层；

95：过孔导体；

96、96c：电介质部；

97、97c：电介质部；

98：过孔导体；

10：IC芯片；

11A：功率放大器(放大器)；

11B：功率放大器；

111：输入端子；

112：输出端子(连接端子)；

12：低噪声放大器(放大器)；

121：输入端子(连接端子)；

122：输出端子；

13A、13B：发送滤波器；

14A、14B：接收滤波器；

15A：双工器；

15B：双工器；

16：控制器；

80：外部连接端子；

81：天线端子；

82：信号输入端子；

83：信号输出端子；

85：接地端子；

100～104：凸块；

105～108：凸块；

109：凸块；

110：凸块；

131～133：凸块；

134～136：凸块；

150：第1树脂层；

151：主面；

153：外周面；

160：第2树脂层；

161：主面；

163：外周面；

170：屏蔽层；

193：底部填充部；

300：通信装置；

301：信号处理电路；

302：RF信号处理电路；

303：基带信号处理电路；

310：天线；

D1：厚度方向；

N1～N3：部分；

P2～P4：部分；

Q1～Q3：开关；

Q4～Q6：开关；

S1：第1开关；

S2～S4：第2开关；

S5：第1开关；

S6～S8：第2开关。

Claims (22)

1.一种高频模块，具备：

安装基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；

放大器，配置在所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的一个主面，具有输入端子以及输出端子；以及

匹配电路，与所述放大器的作为所述输入端子和所述输出端子中的一者的连接端子连接，

所述安装基板具有接地层，

所述匹配电路具有：

主线，由与所述安装基板的厚度方向交叉的第1导体图案形成，并与所述放大器的所述连接端子连接；

副线，由与所述厚度方向交叉的第2导体图案形成，连接在所述主线与所述接地层之间，在所述厚度方向上与所述主线对置；以及

IC芯片，配置在所述安装基板，包含对所述匹配电路的阻抗变换特性进行调整的调整部。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述主线以及所述副线各自的至少一部分在从所述安装基板的所述厚度方向的俯视下与所述IC芯片重叠。

3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，

所述主线具有与所述放大器的所述连接端子连接的第1端和连接所述副线的第2端，

所述调整部包含：

第1开关，连接在所述主线的所述第1端与所述连接端子之间；以及

一个第2开关，连接在所述主线中从所述第1端和所述第2端的双方分开的部分与所述连接端子之间。

4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，

所述主线具有与所述放大器的所述连接端子连接的第1端和连接所述副线的第2端，

所述调整部包含：

第1开关，连接在所述主线的所述第1端与所述连接端子之间；以及

多个第2开关，连接在所述主线中距所述第2端的线路长度相互不同的多个部分与所述连接端子之间。

5.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，

所述副线具有与所述主线连接的第1端和与所述接地层连接的第2端，

所述调整部包含：

一个开关，连接在所述副线中从所述第1端和所述第2端的双方分开的部分与所述接地层之间。

6.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，

所述副线具有与所述主线连接的第1端和与所述接地层连接的第2端，

所述调整部包含：

多个开关，连接在所述副线中距所述第1端的线路长度相互不同的多个部分与所述接地层之间。

7.一种高频模块，具备：

安装基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；

放大器，配置在所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的一个主面，具有输入端子以及输出端子；以及

匹配电路，与所述放大器的作为所述输入端子和所述输出端子中的一者的连接端子连接，

所述安装基板具有接地层，

所述匹配电路具有：

主线，由与所述安装基板的厚度方向交叉的第1导体图案形成，并与所述放大器的所述连接端子连接；

副线，由与所述厚度方向交叉的第2导体图案形成，连接在所述主线与所述接地层之间，在所述厚度方向上与所述主线对置；以及

IC芯片，配置在所述安装基板，

所述主线具有与所述放大器的所述连接端子连接的第1端和连接所述副线的第2端，

所述IC芯片包含：

第1开关，连接在所述主线的所述第1端与所述连接端子之间；以及

第2开关，连接在所述主线中从所述第1端和所述第2端的双方分开的部分与所述连接端子之间。

8.一种高频模块，具备：

安装基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；

放大器，配置在所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的一个主面，具有输入端子以及输出端子；以及

匹配电路，与所述放大器的作为所述输入端子和所述输出端子中的一者的连接端子连接，

所述安装基板具有接地层，

所述匹配电路具有：

主线，由与所述安装基板的厚度方向交叉的第1导体图案形成，并与所述放大器的所述连接端子连接；

副线，由与所述厚度方向交叉的第2导体图案形成，连接在所述主线与所述接地层之间，在所述厚度方向上与所述主线对置；以及

IC芯片，配置在所述安装基板，

所述副线具有与所述主线连接的第1端和与所述接地层连接的第2端，

所述IC芯片包含：

开关，连接在所述副线中从所述第1端和所述第2端的双方分开的部分与所述接地层之间。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其中，

所述主线在所述安装基板中配置在配置有所述放大器的所述主面，

所述副线在所述安装基板的所述第1主面与所述第2主面之间与所述第1主面以及所述第2主面分开地配置。

10.根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其中，

所述主线在所述安装基板的所述第1主面与所述第2主面之间与所述第1主面以及所述第2主面分开地配置，

所述副线在所述安装基板中配置在配置有所述放大器的所述主面。

11.根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其中，

所述主线设置在所述IC芯片，

所述副线配置在所述安装基板。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的高频模块，其中，

所述放大器是功率放大器，配置在所述安装基板的所述第1主面，

所述匹配电路与所述放大器的所述输出端子连接。

13.根据权利要求12所述的高频模块，其中，

还具备：

多个发送滤波器，具有相互不同的通带，配置在所述安装基板；以及

频段选择用开关，具有公共端子以及多个选择端子，在所述公共端子经由所述匹配电路连接有所述放大器，在所述多个选择端子连接有所述多个发送滤波器，

所述频段选择用开关包含于所述IC芯片。

14.根据权利要求13所述的高频模块，其中，

具备多个所述放大器，

还具备：输入侧开关，具有公共端子以及多个选择端子，在所述公共端子连接有信号输入端子，在所述多个选择端子连接有所述多个放大器的所述输入端子，

所述输入侧开关包含于所述IC芯片。

15.根据权利要求13或14所述的高频模块，其中，

所述安装基板具有：多个过孔导体，与所述放大器连接，在所述安装基板的所述厚度方向上与所述放大器重叠，

在从所述安装基板的所述厚度方向的俯视下，所述放大器和所述IC芯片不重叠。

16.根据权利要求15所述的高频模块，其中，

所述IC芯片配置在所述安装基板的所述第1主面。

17.根据权利要求15所述的高频模块，其中，

所述IC芯片配置在所述安装基板的所述第2主面。

18.根据权利要求1～11中的任一项所述的高频模块，其中，

所述放大器是低噪声放大器，配置在所述安装基板的所述第2主面，

所述匹配电路与所述放大器的所述输入端子连接。

19.根据权利要求18所述的高频模块，其中，

还具备：

多个接收滤波器，具有相互不同的通带，配置在所述安装基板；以及

频段选择用开关，具有公共端子以及多个选择端子，在所述公共端子经由所述匹配电路连接有所述放大器，在所述多个选择端子连接有所述多个接收滤波器，

所述放大器以及所述频段选择用开关包含于所述IC芯片。

20.根据权利要求19所述的高频模块，其中，

在从所述安装基板的所述厚度方向的俯视下，所述放大器和所述多个接收滤波器中的至少一个接收滤波器重叠。

21.根据权利要求1～20中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备：外部连接端子，配置在所述安装基板的所述第2主面。

22.一种通信装置，具备：

权利要求1～21中的任一项所述的高频模块；以及

信号处理电路，与所述高频模块连接，对高频信号进行信号处理。

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